專利名稱：基板及采用該基板的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板及采用該基板的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器由于其輕、薄且無(wú)閃爍的優(yōu)點(diǎn)，在各領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但通常的液晶顯示器視角較小，為獲得較大的視角，業(yè)界提出了各種廣視角技術(shù)，如平面內(nèi)切換技術(shù)(InPlate Switch，IPS)、多域垂直配向技術(shù)(Mutidomain VerticalAlignment，MVA)等廣視角技術(shù)。
請(qǐng)一起參閱圖1和圖2，其中圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)平面內(nèi)切換型液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)域的示意圖，圖2是施加電壓時(shí)圖1中II區(qū)所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及液晶分子偏轉(zhuǎn)放大示意圖。該像素區(qū)域10包括數(shù)據(jù)線115、與數(shù)據(jù)線115基本垂直的柵極線113、與數(shù)據(jù)線115基本平行的公共線135、薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)120、公共電極133以及像素電極131。該公共電極133包括公共電極彎曲端133a與公共電極底端133b，該像素電極131包括像素電極彎曲端131a與像素電極底端131b。該公共電極133與該公共線135連接，該像素電極彎曲端131a與公共電極彎曲端133a相互平行并交錯(cuò)排列，并且成折條形。
該薄膜晶體管120設(shè)置在該數(shù)據(jù)線115與該柵極線113交界處，且位于該像素電極底端131b與像素電極彎曲端131a尾端所成的鈍角β1處。該薄膜晶體管120包括與該柵極線113相連接的柵極(未標(biāo)示)、與該數(shù)據(jù)線115相連接的源極(未標(biāo)示)以及與該像素電極131連接的漏極(未標(biāo)示)。
像素電極彎曲端131a與公共電極彎曲端133a平行。在像素電極131與公共電極133施加電壓時(shí)產(chǎn)生一電場(chǎng)190。此時(shí)在該像素電極底端131b與像素電極彎曲端131a尾端所成的鈍角β1以及該像素電極底端131b與像素電極彎曲端131a尾端所成的銳角α1周?chē)妶?chǎng)出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)扭曲變形，其中α1+β1＝π。施加電壓時(shí)，處于平行電場(chǎng)區(qū)域中的液晶分子130a與處于扭曲電場(chǎng)區(qū)域中的液晶分子130b旋轉(zhuǎn)方向相反，即處于平行電場(chǎng)和扭曲電場(chǎng)中的液晶的取向不同，扭曲電場(chǎng)區(qū)域由此產(chǎn)生暗帶，引起光穿透率降低。這些缺陷也會(huì)影響液晶層的反應(yīng)特性，使顯示區(qū)域出現(xiàn)殘余影像。銳角α1周?chē)妶?chǎng)的變化較快，而且變化較大；而在鈍角β1周?chē)?，由于相?duì)空間較大，變化較小。電場(chǎng)的這種異變差異導(dǎo)致該銳角α1與鈍角β1周?chē)獯┩嘎实牟町愪J角α1周?chē)獯┩嘎瘦^鈍角β1周?chē)獯┩嘎实偷枚?。將該薄膜晶體管120置于光透過(guò)率較高的鈍角β1處，使得該液晶顯示器光穿透率較低。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)用于光穿透率較低的缺陷，有必要提供一種光穿透率較高的基板。
還提供一種采用上述基板的液晶顯示器。
一種基板，其包括多個(gè)像素電極和與該像素電極電連接的晶體管，該像素電極包括一底端和與該底端連接的彎曲端，該彎曲端與該底端的交叉處包括一光穿透率較高區(qū)域和一光穿透較低區(qū)域，該晶體管位于該光穿透率較低區(qū)域。
一種液晶顯示器，其包括相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和位于該第一基板與第二基板間的液晶層，該第一基板包括多個(gè)像素電極和與該像素電極電連接的晶體管，該像素電極包括一底端和與該底端連接的彎曲端，該彎曲端與該底端界定出一光穿透率較高區(qū)域及一光穿透率較低區(qū)域，該晶體管位于該光穿透率較低區(qū)域。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述基板和采用該基板的液晶顯示器中，晶體管設(shè)置在光透過(guò)率較低的區(qū)域，而薄膜晶體管本身不透明，該晶體管覆蓋的光透過(guò)率較低的區(qū)域不透光，由于光透過(guò)率較低區(qū)域的透光率本身較低，將晶體管設(shè)置在此處，可有效利用光透光率較低的區(qū)域，從而提高該像素區(qū)域的光穿透率。


圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器的一個(gè)像素區(qū)域的示意圖。
圖2是施加電壓時(shí)圖1中II區(qū)所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及液晶分子偏轉(zhuǎn)放大示意圖。
圖3是本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施方式的示意圖。
圖4是本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施方式一個(gè)像素區(qū)域的示意圖。
圖5是施加電壓時(shí)圖4中V區(qū)所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及液晶分子偏轉(zhuǎn)放大示意圖。
圖6是本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施方式的一個(gè)像素區(qū)域的示意圖。
圖7是本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施方式的一個(gè)像素區(qū)域的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明液晶顯示器第一實(shí)施方式請(qǐng)一起參閱圖3、圖4和圖5，該液晶顯示器4包括第一基板41、第二基板43和位于該第一基板41和第二基板43之間的液晶層42。該第一基板41包括像素電極431、公共電極433和多個(gè)像素區(qū)域。其中圖4是一個(gè)像素區(qū)域的示意圖；圖5是施加電壓時(shí)圖4中V區(qū)所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及液晶分子偏轉(zhuǎn)放大示意圖。該像素區(qū)域40中，包括數(shù)據(jù)線415、與數(shù)據(jù)線415基本垂直的柵極線413、與數(shù)據(jù)線415基本平行的公共線435、薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)420、公共電極433以及像素電極431。該公共電極433包括公共電極底端433b與從該公共電極底端433b突出的公共電極彎曲端433a。該像素電極431包括像素電極底端431b與從該像素電極底端431b突出的像素電極彎曲端431a。該公共電極433與該公共線435連接，該像素電極彎曲端431a與公共電極彎曲端433a相互平行并交錯(cuò)排列，并且成折條形。
該薄膜晶體管420設(shè)置在該數(shù)據(jù)線415與該柵極線413交界處，且位于該像素電極底端431b與像素電極彎曲端431a尾端所成的銳角α4處。該薄膜晶體管420包括與該柵極線413相連接的柵極(未標(biāo)示)、與該數(shù)據(jù)線415相連接的源極(未標(biāo)示)以及與該像素電極431連接的漏極(未標(biāo)示)。
像素電極彎曲端431a與公共電極彎曲端433a平行。在像素電極431與公共電極433施加電壓時(shí)產(chǎn)生一電場(chǎng)490。此時(shí)在該像素電極底端431b與像素電極彎曲端431a尾端所成的鈍角β4以及該像素電極底端431b與像素電極彎曲端431a尾端所成的銳角α4周?chē)妶?chǎng)出現(xiàn)旋轉(zhuǎn)扭曲變形。施加電壓時(shí)處于平行電場(chǎng)區(qū)域中的液晶分子430a與處于扭曲電場(chǎng)區(qū)域中的液晶分子430b旋轉(zhuǎn)方向相反，即處于平行電場(chǎng)和扭曲電場(chǎng)中的液晶的取向不同，扭曲電場(chǎng)區(qū)域由此產(chǎn)生暗帶。
但是，由于銳角α4周?chē)妶?chǎng)的變化較快，而且變化較大；而在鈍角β4周?chē)?，由于相?duì)空間較大，電場(chǎng)變化較小。電場(chǎng)的這種異變差異導(dǎo)致銳角α4與鈍角β4周?chē)獯┩嘎实牟町愪J角α4周?chē)獯┩嘎瘦^鈍角β4周?chē)獯┩嘎实偷枚唷Ｔ撓袼貐^(qū)域40中，薄膜晶體管420設(shè)置在銳角α4處，而薄膜晶體管420本身不透明，該薄膜晶體管420覆蓋的銳角α4角附近區(qū)域不透光，由于銳角α4周?chē)腹饴时旧磔^低，將薄膜晶體管420設(shè)置在此處，較之前將薄膜晶體管420設(shè)置在鈍角β4處，可有效利用透光率較低區(qū)域，從而提高該像素區(qū)域的光穿透率。
請(qǐng)參閱圖6，是本發(fā)明液晶顯示器第二實(shí)施方式的一個(gè)像素區(qū)域的示意圖。該像素區(qū)域60與像素區(qū)域40的不同之處在于該像素區(qū)域60中，像素電極與公共電極均為弓形，在該像素電極底端631b與像素電極彎曲端631a相交處所作的該像素電極彎曲端631a的切線與該像素電極底端631b形成銳角α6和鈍角β6。薄膜晶體管設(shè)置在銳角α6處。
請(qǐng)參閱圖7，是本發(fā)明液晶顯示器第三實(shí)施方式的一個(gè)像素區(qū)域的剖視圖。該像素區(qū)域70與像素區(qū)域40的不同之處在于該像素區(qū)域70中，像素電極與公共電極均為波浪形，在該像素電極底端731b與像素電極彎曲端731a相交處所作的該像素電極彎曲端731a的切線與該像素電極底端731b形成銳角α7和鈍角β7。薄膜晶體管設(shè)置在銳角α7處。
權(quán)利要求
1.一種基板，其包括多個(gè)像素電極和與該像素電極電連接的晶體管，該像素電極包括一底端和與該底端連接的彎曲端，該彎曲端與該底端界定出一光穿透率較高區(qū)域和一光穿透較低區(qū)域，其特征在于該晶體管位于該光穿透率較低區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于該光穿透率較高區(qū)域和該光穿透率較低區(qū)域分別位于該彎曲端兩側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于該晶體管是薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于該像素電極的彎曲端是折條形。
5.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于該像素電極的彎曲端是弓形。
6.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于該像素電極的彎曲端是波浪形。
7.一種液晶顯示器，其包括相對(duì)設(shè)置的第一基板、第二基板和位于該第一基板與第二基板之間的液晶層，該第一基板包括多個(gè)像素電極和與該像素電極電連接的晶體管，該像素電極包括一底端和與該底端連接的彎曲端，該彎曲端與該底端的交叉處包括一光穿透率較高區(qū)域及一光穿透率較低區(qū)域，其特征在于該第一基板是權(quán)利要求1至6項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的基板。
全文摘要
本發(fā)明是涉及一種基板及采用該基板的液晶顯示器。該基板包括多個(gè)像素電極和與該像素電極電連接的晶體管，該像素電極包括一底端和與該底端連接的彎曲端，該彎曲端與該底端界定出一光穿透率較高區(qū)域及一光穿透率較低區(qū)域，該晶體管位于該光穿透率較低區(qū)域。該基板及采用該基板的液晶顯示器具有較高的光穿透率。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1979313SQ200510102309
公開(kāi)日2007年6月13日 申請(qǐng)日期2005年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月7日
發(fā)明者林澤民, 陳鵲如, 楊秋蓮 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司