專利名稱：非水的、非腐蝕性的微電子清潔組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于清潔微電子襯底的方法和不含氨基酸的、非水的、基本上無腐蝕性的清潔組合物，具體地，本發(fā)明涉及對以銅金屬化(coppermetallization)為特征的微電子襯底及以鋁金屬化為特征的襯底有用并具有改善相容性的清潔組合物。本發(fā)明還涉及該清潔組合物用于剝離光致抗蝕劑，及從蝕刻和等離子體過程產(chǎn)生的有機(jī)化合物，有機(jī)金屬化合物和無機(jī)化合物中清潔殘余物的用途。
背景技術(shù)：
在微電子領(lǐng)域中，已經(jīng)建議使用許多光致抗蝕劑剝離劑和殘留物去除劑作為生產(chǎn)線下游或后端(back end)的清潔劑。在制造過程中光致抗蝕劑薄膜沉積在晶片襯底上，然后在薄膜上成像電路圖案。烘焙后，未聚合的抗蝕劑用光致抗蝕劑展開劑(developer)除去。然后通過反應(yīng)性等離子體蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液將所得到的圖像轉(zhuǎn)印至底層材料，該材料通常是電介質(zhì)或金屬。蝕刻氣體或化學(xué)蝕刻劑溶液選擇性蝕刻襯底上未被光致抗蝕劑保護(hù)的區(qū)域。
另外，在蝕刻步驟終止后，抗蝕劑掩膜(resist mask)必須從晶片的保護(hù)區(qū)除去，從而可以進(jìn)行最終的拋光操作(finishing operation)。這可以在等離子體灰化步驟中通過采用合適的等離子體灰化(ashing)氣體或濕法化學(xué)剝離劑完成。然而，尋找用于除去這種抗蝕劑掩膜材料而對金屬電路沒有如腐蝕、溶解或鈍化等負(fù)面影響的合適清潔組合物，已證實(shí)是有問題的。
隨著微電子制造集成水平提高，和圖案化的微電子器件尺寸向原子尺寸減小，當(dāng)電流流過電路時(shí)產(chǎn)生的熱已變成了嚴(yán)重的問題。在本領(lǐng)域中利用銅金屬化作為導(dǎo)體材料代替鋁，已經(jīng)變得愈加平常，因?yàn)殂~更有利于減少熱產(chǎn)生。這些含銅的微電子材料已經(jīng)帶來了尋找可接受的清潔劑組合物的另外的挑戰(zhàn)。利用銅金屬化的結(jié)構(gòu)，不能使用以前開發(fā)出來的用于“傳統(tǒng)的”或“常規(guī)的”包含Al/SiO2或Al(Cu)/SiO2結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的許多加工技術(shù)組合物。例如，羥胺類剝離劑或殘余物去除劑組合物成功地用于清潔具有Al金屬化的器件，但實(shí)際上不適于清潔具有銅金屬化的器件。同樣地，用于清潔具有銅金屬化的器件的許多剝離劑或殘余物去除劑組合物，也不適于Al金屬化的器件，除非對組合物進(jìn)行重大的調(diào)整。
在對該銅和鋁金屬化的微電子結(jié)構(gòu)，特別是對具有銅金屬化的襯底的微電子結(jié)構(gòu)等進(jìn)行離子體蝕刻和/或灰化過程之后，這些蝕刻和/或灰化殘余物的去除證明是有問題的。無法完全除去或中和這些殘余物，可能導(dǎo)致水分的吸收和不希望的材料的形成，這能夠引起對金屬結(jié)構(gòu)的腐蝕。不希望的材料腐蝕電路材料，并在電路線路中產(chǎn)生不連續(xù)(discontinuances)和不希望增加電阻。
至今，光致抗蝕劑剝離劑經(jīng)常含有胺，因?yàn)樗鼈円话阍诟g硬化的光致抗蝕劑方面和在從微電子襯底表面上剝?nèi)ミ@種硬化的光致抗蝕劑的能力上，表現(xiàn)出較好的清潔性能。然而，胺一般也嚴(yán)重地腐蝕銅，并且如果利用未改良的該常規(guī)光致抗蝕劑剝離劑，可以發(fā)生嚴(yán)重的金屬腐蝕。因此，非常希望提供一種用于微電子工業(yè)中與銅相容的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，特別是用于銅金屬化的材料。也非常希望提供一種用于微電子工業(yè)中與銅相容的光致抗蝕劑剝離劑或清潔劑，特別是用于銅金屬化的材料，其也與鋁金屬化的材料相容。因?yàn)榘l(fā)現(xiàn)了在平板顯示器的發(fā)展中由鋁向銅金屬化的技術(shù)上的相同轉(zhuǎn)換，所以也希望提供一種可以用于制備這種平板顯示器的剝離劑/清潔劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物是由不含氨基酸的、非水的、無腐蝕性的清潔組合物提供的，其基本上對銅及鋁無腐蝕性，并包含至少一種極性有機(jī)溶劑、至少一種羥基化的有機(jī)胺、及至少一種具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物，該化合物為下式的化合物T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一個(gè)為OH，如果R1和R2中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，m為1或更大的整數(shù)(whole integer)，R3和R4選自H、烷基或烷氧基，n為0或更大的正整數(shù)(whole positive integer)，p為1或更大的整數(shù)；R5和R6中的至少一個(gè)為OH，如果R5和R6中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，q為1或更大的整數(shù)；T1和T2選自H、烷基，羥基烷基，多羥基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被連接形成選自脂環(huán)結(jié)構(gòu)或稠環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的組合物還可以包含許多的其它任選組分。本發(fā)明的清潔組合物可以用在各種范圍的pH和溫度的加工/操作條件下，并可以用于有效地除去光致抗蝕劑、后期等離子體蝕刻(post plasma etch)/灰化殘余物，犧牲光吸收材料(sacrificial light material)和抗反射涂層(ARC)。此外，發(fā)現(xiàn)用本發(fā)明的清潔組合物可以容易清潔非常難于清潔的試樣，如包含鈦(如鈦，氧化鈦和氮化鈦)或鉭(如鉭，氧化鉭和氮化鉭)的高度交聯(lián)的或硬化的光致抗蝕劑和結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的不含氨基酸的、非水的、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物，一般包含約60～90％的有機(jī)極性溶劑組分，約1～20％的有機(jī)羥基化的胺組分，和抑制腐蝕量的具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物組分，其為下式的化合物T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2，一般約0.1～15％的具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物。在本說明書中提供的重量百分比是基于清潔組合物的總重量。
本發(fā)明的不含氨基酸的、非水的、基本上無腐蝕性的剝離/清潔組合物還可以任意地包含其它相容的組分，包括但不限于組分如鰲合劑，含羥基的有機(jī)共溶劑，穩(wěn)定劑和金屬鰲合劑或絡(luò)合劑，其它金屬腐蝕抑制劑，及表面活性劑。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物是由不含氨基酸的、非水的組合物提供的，該清潔組合物對銅及鋁基本上無腐蝕性，并包括一種或多種極性有機(jī)溶劑，一種或多種有機(jī)羥基化的胺，和一種或多種具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物，其為下式的化合物T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一個(gè)為OH，如果R1和R2中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，m為1或更大的整數(shù)，R3和R4選自H、烷基或烷氧基，n為0或更大的正整數(shù)，p為1或更大的整數(shù)；R5和R6中的至少一個(gè)為OH，如果R5和R6中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，q為1或更大的整數(shù)；T1和T2選自H、烷基，羥基烷基，多羥基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被連接形成選自脂環(huán)結(jié)構(gòu)或稠環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。“非水的”是指組合物基本不含水并一般將僅含有作為其它組分中的雜質(zhì)而存在的水，然后一般不超過組合物的約3％重量。
本發(fā)明的清潔組合物可以用在各種范圍的pH和溫度的加工/操作條件，并可以用于有效地除去光致抗蝕劑，后期等離子體蝕刻/灰化殘余物，犧牲光吸收材料和抗反射涂層(ARC)。此外，發(fā)現(xiàn)利用本發(fā)明的清潔組合物可以容易清潔非常難于清潔的試樣，如包含鈦(如鈦，氧化鈦和氮化鈦)或鉭(如鉭，氧化鉭和氮化鉭)的高度交聯(lián)的或硬化的光致抗蝕劑和結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的不含氨基酸的、非水的、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物一般包含約60～90％，優(yōu)選約75～90％，更優(yōu)選約80～90％的有機(jī)極性溶劑組分；約1～20％，優(yōu)選約3～12％，更優(yōu)選約5～10％的有機(jī)羥基化的胺組分，及抑制腐蝕量的腐蝕抑制劑組分，一般為約0.1～15％，優(yōu)選為約1～12％，更優(yōu)選為約3～10％。本發(fā)明提供的重量百分比是基于清潔組合物的總重量。
本發(fā)明的組合物可以包含一種或多種任何適宜的有機(jī)極性溶劑，優(yōu)選包括酰胺、砜、亞砜、飽和醇等的有機(jī)極性溶劑。該有機(jī)極性溶劑包括，但不限于，有機(jī)極性溶劑如環(huán)丁砜(四氫噻吩-1，1-二氧化物)，3-甲基環(huán)丁砜，正丙砜，二甲亞砜(DMSO)，甲砜，正丁砜，3-甲基環(huán)丁砜，酰胺如1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)，二甲基哌啶酮(DMPD)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，二甲基乙酰胺(DMAc)，及二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物。特別優(yōu)選的有機(jī)極性溶劑為N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，DMSO和這三種溶劑的兩種或多種的混合物。
有機(jī)羥基化的胺組分可以是一種或多種任何適宜的羥基化的胺，優(yōu)選羥胺或鏈烷醇胺，優(yōu)選為鏈烷醇胺。用于本發(fā)明組合物中的適宜有機(jī)羥基化的胺包括，但不限于羥胺，單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，具體地2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，二乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙胺等，及其混合物。最優(yōu)選有機(jī)羥基化的胺組分為單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，及1-氨基-2-丙醇及其混合物。
本發(fā)明清潔組合物中的抑制腐蝕化合物為下式的化合物T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一個(gè)為OH，如果R1和R2中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，m為1或更大的整數(shù)，R3和R4選自H、烷基或烷氧基，n為0或更大的正整數(shù)，p為1或更大的整數(shù)；R5和R6中的至少一個(gè)為OH，如果R5和R6中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基或烷氧基，q為1或更大的整數(shù)；T1和T2選自H、烷基，羥基烷基，多羥基烷基，氨基烷基，羰基烷基或酰胺基，或者T1和T2可被連接形成選自脂環(huán)結(jié)構(gòu)或稠環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，烷基，烷氧基，羥基烷基，多羥基烷基，氨基烷基，羰基烷基和酰胺基具有為約1～6，更優(yōu)選為約1～4個(gè)碳原子。適宜的腐蝕抑制劑的實(shí)例包括，但不限于阿糖醇，赤蘚醇，木糖醇，甘露糖醇，山梨糖醇，乙二醇，甘油，1，4-丁二醇，1，2-環(huán)戊二醇，1，2-環(huán)己二醇，及甲基戊二醇。
本發(fā)明的組合物還可以任選地，并且優(yōu)選包含一種或多種任何適宜的含羥基的有機(jī)共溶劑。任何適宜的含羥基的有機(jī)共溶劑可以用在本發(fā)明的組合物中。該適宜的含羥基的有機(jī)共溶劑的實(shí)例包括，但不限于，二甘醇單和二烷基醚，公知為卡必醇(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇)和卡必醇衍生物，及飽和醇如乙醇，丙醇，丁醇，己醇，及六氟代異丙醇，及其混合物。特別優(yōu)選的共溶劑為2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇(卡必醇)。共溶劑可以存在于本發(fā)明的組合物中的量，基于組合物的總重量，為0～約30wt％，優(yōu)選為約0.1～25wt％，最優(yōu)選為約0.5～20wt％，基于組合物的重量。
本發(fā)明的組合物還可以包含一種或多種任何適宜的其它抑制腐蝕劑，優(yōu)選包含兩種或多種直接與芳環(huán)結(jié)合的OH、OR6和/或SO2R6R7基團(tuán)的芳基化合物，式中R6、R7和R8分別獨(dú)立地為烷基或芳基，優(yōu)選含有1～6個(gè)碳原子的烷基，優(yōu)選含有6～14個(gè)碳原子的芳基。作為該優(yōu)選的抑制腐蝕劑的實(shí)例，可以提到兒茶酚，連苯三酚，沒食子酸，間苯二酚等。其它抑制腐蝕劑可以存在的量為0～約15wt％，優(yōu)選為約0.1～10wt％，最優(yōu)選為約0.5～5wt％，基于組合物的重量。
不需要有機(jī)或無機(jī)鰲合劑或者金屬絡(luò)合劑，但是其提供實(shí)質(zhì)的效果，如例如，改進(jìn)的產(chǎn)品穩(wěn)定性。一種或多種無機(jī)鰲合劑或金屬絡(luò)合劑可以用在本發(fā)明的組合物中。適宜的鰲合劑或絡(luò)合劑的實(shí)例包括但不限于反式-1，2-環(huán)己二胺四乙酸(CyDTA)，乙二胺四乙酸(EDTA)，錫酸鹽，焦磷酸鹽，亞烷基-二膦酸衍生物(例如乙烷-1-羥基-1，1-二磷酸鹽)，包含乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺官能部分的膦酸鹽[例如乙二胺四(亞甲基膦羧)(EDTMP)，二亞乙基三胺五(亞甲基膦羧)，和三亞乙基四胺六(亞甲基膦羧)]，及其混合物。鰲合劑存在于組合物中的量為0～約5wt％，優(yōu)選為約0.1～2wt％，基于組合物的重量。各種膦酸鹽，如乙二胺四(亞甲基膦羧)(EDTMP)的金屬鰲合劑或絡(luò)合劑對本發(fā)明包含氧化劑的清潔組合物提供了在酸性和堿性條件下更加改善的清潔組合物穩(wěn)定性，因而一般是優(yōu)選的。
任選的其它不同的金屬腐蝕抑制劑，如苯并三唑，可以使用的量為0～約5wt％，優(yōu)選為約0.1～2wt％，基于組合物的重量。
清潔組合物任選地還可以包含一種或多種適宜的表面活性劑，如例如二甲基己炔醇(Surfynol-61)，乙氧基化四甲基癸炔二醇(Surfynol-465)，聚四氟乙烯十六烷氧基丙基甜菜堿(cetoxypropylbetaine)(Zonyl FSK)，Zonyl FSH等。表面活性劑一般存在的量為0～約5wt％，優(yōu)選0.1～約3wt％，基于組合物的重量。
本發(fā)明的清潔組合物的實(shí)例包括，但不限于，在下面表1和2中提出的組合物。在表1和2中，使用的縮寫如下NMP＝N-甲基吡咯烷酮(pyrolidinone)SFL＝環(huán)丁砜DMSO＝二甲亞砜DEA＝二乙醇胺MIPA＝單異丙醇胺XYL＝木糖醇D-MANN＝D-甘露糖醇D-SORB＝D-山梨糖醇EG＝乙二醇GLY＝甘油BUT＝1，4-丁二醇MPD＝甲基戊二醇CPD＝反式1，2-環(huán)戊二醇表1

表2


利用本發(fā)明的含有抑制腐蝕化合物的清潔組合物得到的抗腐蝕結(jié)果，在下面的本發(fā)明組合物的試驗(yàn)中得到。
為實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備好一片銅鍍敷的硅晶片(大約20×20mm)。該片在緩沖的氧化物腐蝕劑中清潔(其包含35w/w％ NH4F和6w/w％ HF)1分鐘，隨后在去離子水中沖洗1分鐘，并在氮?dú)鈬娚?nitrogen spray)中干燥。然后將晶片浸入其中裝有100g試驗(yàn)溶液的150mL燒杯中，并在60℃下加熱溶液，用磁力攪拌器以200rpm的轉(zhuǎn)速攪拌，60分鐘后，從試驗(yàn)溶液中取出該片，用去離子水沖洗1分鐘，并用氮?dú)鈬娚涓稍?。由ResMap(由Creative DesignEngineering，Sunnyvale，CA制造)4-點(diǎn)探測系統(tǒng)測定銅層的厚度(試驗(yàn)前和試驗(yàn)后)。
試驗(yàn)溶液(清潔組合物)為表1和2的發(fā)明組合物1～8。所述組合物的蝕刻速率和光致抗蝕劑剝離試驗(yàn)的結(jié)果列于表3中。
表3

至于光致抗蝕劑剝離，在相同的溫度(60℃)和相同的攪拌速度(200rpm)下使用本發(fā)明相同的試驗(yàn)組合物。將一片其上沉積有正性光致抗蝕劑層(positive photoresist layer)(大概1000埃)的玻璃浸入到試驗(yàn)溶液中，以測定光致抗蝕劑被本發(fā)明的組合物除去。
本發(fā)明的組合物除了基本上對銅金屬化的微電子襯底無腐蝕性并能夠從該襯底上清潔光致抗蝕劑、等離子體和蝕刻殘余物之外，該組合物還能以類似的無腐蝕性方式清潔鋁金屬化的微電子襯底。
還包含含羥基的有機(jī)共溶劑的本發(fā)明優(yōu)選組合物的實(shí)例包括，但不限于，列于表4中的示例性的組合物。在表4中，使用的縮寫與表1和2中使用的相同，此外，CAR＝卡必醇，即(2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
表4

通過下面的試驗(yàn)說明利用這些組合物10～13抑制鋁腐蝕。在第一腐蝕試驗(yàn)中，將具有Mo/Al/Mo三層圖案的玻璃襯底浸入到以200rpm攪拌的熱(70℃)組合物中5分鐘，在襯底上已經(jīng)將光致抗蝕劑覆蓋在金屬上，然后用去離子水沖洗1分鐘，氮?dú)飧稍锛袄帽砻骐娮语@微鏡(SEM)評價(jià)表面。在第二腐蝕試驗(yàn)中，也將與第一試驗(yàn)相同類型的表面浸入到以200rpm攪拌的熱(70℃)組合物中5分鐘。然后將這些襯底轉(zhuǎn)移到包括5重量份的組合物和95份蒸餾水的水溶液中5分鐘，在室溫下不攪拌。然后將襯底用去離子水洗，并利用表面電子顯微鏡(SEM)評價(jià)表面。這一系列試驗(yàn)的目的在于模擬″最壞的條件″其中，在實(shí)際的工業(yè)化生產(chǎn)過程中，在金屬表面上的剝離劑溶液逐漸地由洗滌水替代。認(rèn)為5％溶液/95％水混合物是最極端的情況。因此，如果該配制物″通過″試驗(yàn)，那么就認(rèn)為腐蝕保護(hù)充分。
在下面的光致抗蝕劑清潔試驗(yàn)中評價(jià)這些組合物10～13的清潔能力。利用具有含光致抗蝕劑的金屬表面(多層Mo/Al類型)的玻璃襯底。在室溫下，將襯底表面放在組合物配制物中，以200rpm攪拌。然后將襯底表面從配制物中取出并用去離子水沖洗。利用光學(xué)顯微鏡(放大倍數(shù)1000X)測定在表面上“殘余物”的量。
組合物10～13的腐蝕試驗(yàn)和清潔試驗(yàn)結(jié)果如下。
組合物10腐蝕試驗(yàn)—在任何試驗(yàn)處理后沒有發(fā)現(xiàn)顯著的電化學(xué)腐蝕；清潔試驗(yàn)—清潔低于2分鐘。
組合物11腐蝕試驗(yàn)—在第一腐蝕試驗(yàn)中沒有發(fā)現(xiàn)顯著的電化學(xué)腐蝕；在第二腐蝕試驗(yàn)后仍然可以接受范圍的輕微電化學(xué)腐蝕；清潔試驗(yàn)—清潔低于2分鐘。
組合物12腐蝕試驗(yàn)—在第一腐蝕試驗(yàn)中沒有發(fā)現(xiàn)顯著的電化學(xué)腐蝕；在水溶液處理后電化學(xué)腐蝕侵蝕Al層；清潔試驗(yàn)—清潔低于2分鐘。
組合物13腐蝕試驗(yàn)—在第一腐蝕試驗(yàn)中沒有發(fā)現(xiàn)電顯著的化學(xué)腐蝕；電化學(xué)腐蝕適度侵蝕Al層；在水溶液處理后仍然可以接受；清潔試驗(yàn)—清潔低于2分鐘。
盡管在此已經(jīng)參考其具體實(shí)施方案描述本發(fā)明，但是將會理解可以進(jìn)行變化、修改和變更，而不脫離在此公開的發(fā)明思想的構(gòu)思和范圍。因此，本發(fā)明意在包含落入所附權(quán)利要求書的構(gòu)思和范圍內(nèi)的所有變化、修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種不含氨基酸的、非水的清潔組合物，其用于從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑和殘余物，所述清潔組合物包含一種或多種極性有機(jī)溶劑，一種或多種有機(jī)羥基化的胺，及抑制腐蝕量的一種或多種具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物，其為下式的化合物T1-[(CR1R2)m-(CR3R4)n]p-(CR5R6)q-T2式中R1和R2中的至少一個(gè)為OH，如果R1和R2中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基和烷氧基，m為1或更大的整數(shù)，R3和R4選自H、烷基和烷氧基，n為0或更大的正整數(shù)，p為1或更大的整數(shù)；R5和R6中的至少一個(gè)為OH，如果R5和R6中的一個(gè)不為OH，則它選自H、烷基和烷氧基，q為1或更大的整數(shù)；T1和T2選自H、烷基、羥基烷基、多羥基烷基、氨基烷基、羰基烷基和酰胺基，或者T1和T2可被連接形成選自脂環(huán)結(jié)構(gòu)或稠環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述有機(jī)溶劑組分構(gòu)成組合物的約60～90％重量，有機(jī)羥基化的胺組分構(gòu)成組合物的約1～20％重量，抑制腐蝕的化合物組分存在于組合物中的量為組合物的約0.1～15％重量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述極性有機(jī)溶劑選自環(huán)丁砜，3-甲基環(huán)丁砜，正丙砜，二甲亞砜，甲砜，正丁砜，環(huán)丁砜，3-甲基環(huán)丁砜，1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)，二甲基哌啶酮，N-甲基-2-吡咯烷酮，二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述羥基化的胺選自羥胺和鏈烷醇胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的清潔組合物，其中所述羥基化的胺選自羥胺，單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-氨基乙醇，1-氨基-2-丙醇，1-氨基-3-丙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，和2-(2-氨基乙基氨基)乙胺及其混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的清潔組合物，其中所述羥基化的胺選自單乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，1-氨基-2-丙醇及其混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述有機(jī)極性溶劑選自N-甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜二甲亞砜及其混合物，所述羥基化的胺選自單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和氨基丙醇及其混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和木糖醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和D-甘露糖醇。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和D-山梨糖醇。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和乙二醇。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和甘油。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和1，4-丁二醇。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和甲基戊二醇。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，二甲亞砜，二乙醇胺和反式1，2-環(huán)己二醇。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，二甲亞砜，單異丙醇胺和D-山梨糖醇。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的清潔組合物，包含一種或多種選自下列的附加組分(a)含羥基的共溶劑，(b)抑制腐蝕的芳基化合物，該芳基化合物含有兩個(gè)或多個(gè)直接與芳環(huán)結(jié)合的OH、OR6、和/或SO2R6R7基團(tuán)，式中R6、R7和R8分別獨(dú)立地選自烷基和芳基，(c)金屬絡(luò)合劑，(d)不同的抑制金屬腐蝕的化合物，及(e)表面活性劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，還包含量至多為約30重量％的2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的組合物，包含N-甲基吡咯烷酮，二甲亞砜，單異丙醇胺，D-山梨糖醇和2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。
20.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求1的組合物。
21.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求2的組合物。
22.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求3的組合物。
23.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求4的組合物。
24.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求5的組合物。
25.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求6的組合物。
26.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求7的組合物。
27.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求8的組合物。
28.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求9的組合物。
29.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求10的組合物。
30.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求11的組合物。
31.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求12的組合物。
32.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求13的組合物。
33.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求14的組合物。
34.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求15的組合物。
35.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求16的組合物。
36.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求17的組合物。
37.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求18的組合物。
38.一種從微電子襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括使所述襯底與清潔組合物接觸，接觸時(shí)間足以從襯底上清潔光致抗蝕劑或殘余物，其中所述清潔組合物包含權(quán)利要求19的組合物。
39.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
40.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
41.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
42.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
43.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
44.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
45.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
46.根據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
47.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中所述要清潔的微電子襯底的特征在于存在銅金屬化。
全文摘要
不含氨基酸的、非水的清潔組合物提供了本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物，其基本上對銅及鋁無腐蝕性，并且其包括至少一種極性有機(jī)溶劑，至少一種羥基化的有機(jī)胺，及至少一種具有多個(gè)羥基官能團(tuán)的腐蝕抑制劑化合物，該腐蝕抑制劑化合物為下式的化合物，式中R
文檔編號G03F7/42GK1784487SQ200580000087
公開日2006年6月7日 申請日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者稻岡誠二 申請人:馬林克羅特貝克公司