專(zhuān)利名稱(chēng)：改進(jìn)的用于精密切割和對(duì)齊液晶顯示器(lcd)面板的氧化銦錫(ito)的制定圖案的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)，更具體地講，涉及一種LCD面板以及改進(jìn)的用于精確切割和對(duì)齊所述LCD面板的氧化銦錫(ITO)的制定圖案的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種不具有可動(dòng)部分的薄的輕的顯示裝置。其由電控制的偏光液體組成，該偏光液體封閉在兩個(gè)透明偏光片之間的單元內(nèi)。這兩個(gè)偏光片的偏光軸彼此垂直對(duì)齊。每個(gè)單元電接觸，從而將電場(chǎng)施加到內(nèi)部的液體。
關(guān)于具有較少數(shù)目的段的諸如那些用于數(shù)字手表和便攜式計(jì)算器的LCD，對(duì)每個(gè)段提供一個(gè)電接觸。從外部電路提供用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)段的電信號(hào)。小尺寸和中等尺寸的顯示器具有無(wú)源矩陣結(jié)構(gòu)，對(duì)于所述無(wú)源矩陣結(jié)構(gòu)，對(duì)顯示器的每行和列具有一組觸點(diǎn)而非對(duì)每個(gè)像素具有一個(gè)觸點(diǎn)。
傳統(tǒng)的LCD由上玻璃基片和下玻璃基片組成，這兩個(gè)玻璃基片以間隔開(kāi)的平行關(guān)系定位。一個(gè)或多個(gè)透明電極形成于下玻璃基片的上表面上。一個(gè)或多個(gè)透明電極還形成于上玻璃基片的下表面上。液晶材料夾入兩個(gè)玻璃基片之間，并且偏光膜加到每個(gè)基片的外側(cè)。由于LCD需要背光來(lái)對(duì)每個(gè)像素提供光源，所以玻璃基片由諸如玻璃的透明材料形成，并且電極也由諸如ITO的透明導(dǎo)電材料形成。
由于每個(gè)LCD面板由具有透明電極的透明基片形成，所以沒(méi)有用于在LCD面板制造過(guò)程中執(zhí)行精確的切割操作的可見(jiàn)零件，因此，LCD面板的尺寸的準(zhǔn)確度受到限制。此外，缺少可見(jiàn)零件不利于將LCD面板彼此對(duì)齊。
因此，所需要的而現(xiàn)有技術(shù)中未公開(kāi)的方法是提供用于將其上形成有透明ITO線(xiàn)的透明基片準(zhǔn)確切割并研磨成期望的精確尺寸的可見(jiàn)零件以及用于將LCD面板彼此對(duì)齊的可見(jiàn)零件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器(LCD)的面板。所述面板包括電絕緣和透光基片；至少一根導(dǎo)電和透光線(xiàn)，其位于所述基片上；以及導(dǎo)電和不透光觸點(diǎn)，其緊挨著每根線(xiàn)的至少一端而置并且與之進(jìn)行電接觸。
所述基片可以是矩形的并且所述矩形基片的至少一角可以包括導(dǎo)電和不透光的角標(biāo)記。每根線(xiàn)、每個(gè)觸點(diǎn)和每個(gè)角標(biāo)記能夠由沉積在所述基片上的透光金屬形成并且每個(gè)觸點(diǎn)和每個(gè)角標(biāo)記還能夠由沉積在所述透光金屬之上的不透光金屬形成。
所述基片能夠由玻璃構(gòu)成；所述透光金屬能夠由氧化銦錫構(gòu)成；并且所述不透光金屬能夠由鉻、鋁和鎳中的至少一種構(gòu)成。
本發(fā)明還提供了一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法。所述方法包括步驟(a)在電絕緣和透光基片的表面上沉積第一導(dǎo)電和透光材料；(b)在與所述基片相對(duì)的所述第一材料的表面上沉積第二導(dǎo)電和不透光的材料；(c)選擇性地去除所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分，以形成第二材料的至少一根線(xiàn)；(d)選擇性地去除通過(guò)在步驟(c)中去除所述第二材料的覆蓋部分所暴露的所述第一材料的一個(gè)或多個(gè)部分；以及(e)除了緊挨著由所述第二材料形成的線(xiàn)的至少一端的所述第二材料的一部分以外，選擇性地去除所述第二材料中的形成每根線(xiàn)的所述第二材料。
在步驟(b)和(c)之間，所述方法還能夠包括步驟在與所述第一材料相對(duì)的所述第二材料的表面上沉積光致抗蝕劑；以及選擇性地去除所述光致抗蝕劑的一個(gè)或多個(gè)部分從而暴露所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分。
在步驟(d)和(e)之間，所述方法還能夠包括步驟除了覆蓋緊挨著所述線(xiàn)的一端的所述第二材料的剩余光致抗蝕劑以外，去除覆蓋所述第二材料的每根線(xiàn)的剩余光致抗蝕劑。
所述方法還能夠包括步驟(f)去除覆蓋緊挨著所述線(xiàn)的一端的所述第二材料的剩余光致抗蝕劑。
當(dāng)所述光致抗蝕劑是正性光致抗蝕劑時(shí)，在去除之前，要被去除的光致抗蝕劑能夠可選擇性地呈現(xiàn)為可溶解。
步驟(c)到(e)還能夠形成緊挨著所述基片的至少一角的角標(biāo)記。每個(gè)角標(biāo)記能夠包括覆蓋第一材料的沉積的第二材料的沉積，該第一材料覆蓋緊挨著所述基片的角的基片。
本發(fā)明還提供了一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法。所述包括(a)在透明電絕緣基片上沉積透明導(dǎo)電材料；(b)在所述透明導(dǎo)電材料上沉積非透明導(dǎo)電材料；(c)在所述非透明導(dǎo)電材料上沉積光致抗蝕劑；(d)選擇性地去除所述光致抗蝕劑的一部分；(e)選擇性地去除步驟(d)中去除的所述光致抗蝕劑部分之下的所述非透明導(dǎo)電材料從而留下其上具有所述光致抗蝕劑的非透明導(dǎo)電層的第一部分；(f)選擇性地去除在步驟(e)中去除的所述非透明導(dǎo)電材料之下的所述透明導(dǎo)電材料的一部分從而留下其上具有所述光致抗蝕劑的所述非透明導(dǎo)電材料的第一部分之下的所述透明導(dǎo)電材料的第一部分；(g)選擇性地去除所述非透明導(dǎo)電材料的第一部分上的剩余光致抗蝕劑的一部分從而留下其上具有所述光致抗蝕劑的所述非透明導(dǎo)電材料的第二部分；(h)選擇性地去除步驟(g)中去除的所述光致抗蝕劑部分之下的所述非透明導(dǎo)電材料的一部分從而暴露所述透明導(dǎo)電材料的第一部分的表面；以及(i)去除非透明導(dǎo)電材料的第二部分上的剩余光致抗蝕劑從而暴露材料堆疊的下表面，所述材料包括覆蓋透明導(dǎo)電材料的非透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料覆蓋所述基片的一部分。
在步驟(h)中暴露的所述透明導(dǎo)電材料的第一部分能夠形成所述透明導(dǎo)電材料的一根或多根分隔開(kāi)的平行線(xiàn)。步驟(i)中的材料堆疊能夠形成(1)和(2)中的至少一個(gè)，所述(1)為一個(gè)或多個(gè)觸點(diǎn)，該每個(gè)觸點(diǎn)與所述透明導(dǎo)電材料的線(xiàn)電連接；所述(2)為一個(gè)或多個(gè)角標(biāo)記，該每個(gè)角標(biāo)記緊挨著所述基片的角而置。每個(gè)角標(biāo)記能夠與每個(gè)其它角標(biāo)記和每根線(xiàn)電絕緣。
在步驟(c)和(d)之間，所述方法還能夠包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述光致抗蝕劑的部分。在步驟(f)和(g)之間，所述方法還能夠包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述剩余光致抗蝕劑的部分。在步驟(h)和步驟(i)之間，所述方法還能夠包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述剩余光致抗蝕劑。
硝酸用于去除所述非透明導(dǎo)電材料。鹽酸用于去除所述透明導(dǎo)電材料。
最后，本發(fā)明還提供了一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法。所述方法包括(a)提供基片，所述基片上具有第一材料層以及所述第一材料層上的第二材料層；(b)去除所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分從而形成第二材料的至少一根線(xiàn)；(c)去除在步驟(b)中去除第二材料所暴露的所述第一材料的一個(gè)或多個(gè)部分從而形成第二材料的每根線(xiàn)之下的第一材料的至少一根線(xiàn)；以及(d)除了緊挨著所述第二材料的每根線(xiàn)的至少一端的所述第二材料的部分以外，去除形成每根線(xiàn)的所述第二材料，從而暴露所述去除的第二材料之下的第一材料的每根線(xiàn)的部分。
步驟(b)到步驟(d)還能夠形成緊挨著所述基片的至少一角的角標(biāo)記。每個(gè)角標(biāo)記能夠包括覆蓋第一材料的沉積的第二材料的沉積，該第一材料覆蓋緊挨著所述基片的角的基片。


圖1A是根據(jù)本發(fā)明的ITO面板的俯視圖；圖1B是沿圖1A中的線(xiàn)IB-IB剖開(kāi)的截面圖；圖1C是沿圖1A中的線(xiàn)IC-IC剖開(kāi)的截面圖；圖1D是沿圖1A中的線(xiàn)ID-ID剖開(kāi)的截面圖；圖2是制造根據(jù)本發(fā)明的ITO面板的方法的流程圖；圖3A到圖9C是根據(jù)本發(fā)明形成的ITO面板的各個(gè)步驟的示圖；圖10A和10B分別是由一對(duì)根據(jù)本發(fā)明的ITO面板形成的LCD組件的頂視圖和端視圖；以及圖11A和11B分別是包括一組接觸片的圖10A和10B中的LCD組件的頂視圖和端視圖。
具體實(shí)施例方式
對(duì)照?qǐng)D1A，ITO面板100包括基片110和多根ITO線(xiàn)112，該基片110由諸如玻璃之類(lèi)的透明材料形成，該多根ITO線(xiàn)112位于基片110之上并且平行布置以形成一組透明導(dǎo)電電極。多個(gè)觸點(diǎn)114形成于ITO線(xiàn)112的相對(duì)端之上。觸點(diǎn)114由非透明材料形成，將在圖1C和1D中進(jìn)行更加詳細(xì)描述，并且向ITO線(xiàn)112提供電接觸裝置。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，ITO線(xiàn)112的寬度是20密耳并且間隔10密耳，制定基片110的尺寸從而使得能夠以平鋪方式左右布置兩個(gè)ITO面板100同時(shí)仍然能夠?qū)囊粋€(gè)ITO面板100到另一個(gè)ITO面板的跨越邊界的ITO線(xiàn)112之間的間隔保持為10密耳。上述尺寸僅僅是示例性的，這是因?yàn)镮TO線(xiàn)112能夠由任何期望長(zhǎng)度、寬度和間隔形成并且能夠據(jù)此制定基片110的尺寸。
對(duì)照?qǐng)D1B以及繼續(xù)對(duì)照?qǐng)D1A，多根ITO線(xiàn)112期望地均勻間隔而置在基片110上。基片110的厚度期望在例如0.5到1.0毫米的范圍內(nèi)。ITO線(xiàn)112的厚度期望例如在100到500納米的范圍內(nèi)。
對(duì)照?qǐng)D1C和1D以及繼續(xù)對(duì)照?qǐng)D1A和1B，每個(gè)觸點(diǎn)114由沉積在各根ITO線(xiàn)112之上的電鍍材料116層形成。電鍍材料116期望是諸如鉻、鋁、鎳或其它合適金屬的非透明導(dǎo)電材料。然而，這不應(yīng)該解釋為限制本發(fā)明。電鍍材料116的厚度期望在例如50到200納米的范圍內(nèi)。
圖1A到1D示出了完成尺寸的基片110，而圖2到圖9D示出了形成ITO面板100的詳細(xì)細(xì)節(jié)，該ITO面板100初始包括未完成尺寸的基片110。
對(duì)照?qǐng)D2，現(xiàn)在將對(duì)照?qǐng)D3A到9C來(lái)描述形成ITO面板100的方法。
圖3A和3B分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖和沿圖3A中的線(xiàn)IIIB-IIIB線(xiàn)剖開(kāi)的截面圖。對(duì)照?qǐng)D3A和圖3B，該方法在步驟210開(kāi)始，其中，形成粗切割多層結(jié)構(gòu)300。多層結(jié)構(gòu)300包括未完成尺寸的基片110。多層結(jié)構(gòu)300還包括沉積在基片110上的ITO層310、沉積在ITO層310上的電鍍層312和沉積在電鍍層312上的光致抗蝕劑層314。ITO層310是期望厚度在100到500納米之間的氧化銦錫(ITO)層。電鍍層312是期望厚度在50到200納米之間的不受限制的諸如鉻、鋁、鎳或其它合適金屬的非透明導(dǎo)電材料層。能夠通過(guò)諸如濺鍍或蒸發(fā)的任何合適技術(shù)將ITO層310和電鍍層312進(jìn)行沉積。光致抗蝕劑層314是光敏材料，用于光刻過(guò)程中在表面上形成圖案。通常，通過(guò)諸如旋轉(zhuǎn)涂覆、噴濺涂覆或沉浸涂覆的任何標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)以液體形式沉積光致抗蝕劑層314。
光致抗蝕劑分為兩類(lèi)正性抗蝕劑和負(fù)性抗蝕劑。光致抗蝕劑層314可以是正性抗蝕劑，其中，曝光區(qū)域?qū)τ诨瘜W(xué)蝕刻變得更加敏感，從而在顯影過(guò)程中能夠去除該曝光的區(qū)域。正性抗蝕劑是一種光致抗蝕劑，其中，暴露于諸如紫外(UV)光的光的光致抗蝕劑的部分變得可溶于光致抗蝕劑顯影劑，而未曝光的光致抗蝕劑的部分仍然不可溶于光致抗蝕劑顯影劑?；蛘?，光致抗蝕劑層314可以是負(fù)性抗蝕劑，其中，曝光的區(qū)域變得能夠抵抗化學(xué)蝕刻，從而在顯影過(guò)程中能夠去除未曝光的區(qū)域。負(fù)性抗蝕劑是一種光致抗蝕劑，其中，曝光的光致抗蝕劑的部分變得相對(duì)不可溶于光致抗蝕劑顯影劑，而未曝光的光致抗蝕劑的部分能夠由光致抗蝕劑顯影劑溶解。
圖4A、4B和4C分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖、沿圖4A中的線(xiàn)IVB-IVB剖開(kāi)的截面圖以及光致抗蝕劑角標(biāo)記412d的細(xì)節(jié)。對(duì)照?qǐng)D4A、4B和4C，該方法進(jìn)入步驟212，其中，制定并曝光光致抗蝕劑層314的圖案以形成多根光致抗蝕劑線(xiàn)410和多個(gè)光致抗蝕劑角標(biāo)記412即光致抗蝕劑角標(biāo)記412a、412b、412c和412d。通過(guò)經(jīng)由公知的光掩膜(未示出)將光致抗蝕劑層314暴露于UV光，光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412形成在光致抗蝕劑層314的表面上。在光致抗蝕劑層314是正性抗蝕劑的情況下，形成有光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412的光致抗蝕劑層314的部分由光掩膜(未示出)保護(hù)，從而不暴露于UV光。
該方法然后進(jìn)入步驟214，其中，多層結(jié)構(gòu)300暴露于標(biāo)準(zhǔn)光致抗蝕劑顯影劑，該光致抗蝕劑顯影劑是一種溶液，用于在圖像曝光之后通過(guò)溶解按照選擇性照射的光致抗蝕劑的所選擇的部分來(lái)還原圖像。在光致抗蝕劑層314是正性抗蝕劑的情況下，在步驟212中暴露于UV光的光致抗蝕劑層314的部分變得可溶于光致抗蝕劑顯影劑，即被化學(xué)蝕刻掉。結(jié)果，形成光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412的區(qū)域之外的光致抗蝕劑層314的部分的光致抗蝕劑材料被剝離，從而在多層結(jié)構(gòu)300的電鍍層312之上形成了光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412。
該方法然后進(jìn)入步驟216，其中，在多層結(jié)構(gòu)300的有源區(qū)域414中，光致抗蝕劑線(xiàn)410經(jīng)由光掩膜(未示出)而暴露于UV光。有源區(qū)域414是其中形成顯示像素陣列的區(qū)域的代表例子。在光致抗蝕劑層314是正性抗蝕劑的情況下，有源區(qū)域414之外的光致抗蝕劑線(xiàn)410的部分由光掩膜保護(hù)，從而不暴露于UV光。
圖5A、5B和5C分別示出了多層結(jié)構(gòu)300、沿圖5A中的線(xiàn)VB-VB剖開(kāi)的截面圖以及電鍍角標(biāo)記512d。對(duì)照?qǐng)D5A、5B和5C，該方法然后進(jìn)入步驟218，其中，電鍍層312被蝕刻從而形成多根電鍍線(xiàn)510和多個(gè)電鍍角標(biāo)記512即電鍍角標(biāo)記512a、512b、512c和512d。在步驟218中，多層結(jié)構(gòu)300的全部表面即有源區(qū)域414內(nèi)部和外部被化學(xué)蝕刻。如果電鍍層312由例如鉻形成，則采用例如硝酸來(lái)對(duì)多層結(jié)構(gòu)300的全部表面進(jìn)行化學(xué)蝕刻。沒(méi)有受到光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412保護(hù)的電鍍層312的部分暴露于硝酸，從而光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412之間的電鍍層312的部分被剝離，從而在多層結(jié)構(gòu)300的ITO層310之上形成了一組電鍍線(xiàn)510和電鍍角標(biāo)記512。重要的是，在步驟216中暴露于UV光的光致抗蝕劑線(xiàn)410沒(méi)有被用于剝離光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412之間的電鍍層312的部分的硝酸剝離。
圖6A、6B和6C分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖、沿圖6A中的線(xiàn)VIB-VIB剖開(kāi)的截面圖以及角標(biāo)記610d的細(xì)節(jié)C。對(duì)照?qǐng)D6A、6B和6C，該方法然后進(jìn)入步驟220，其中，ITO層310被蝕刻以形成多根ITO線(xiàn)112和多個(gè)ITO角標(biāo)記610即角標(biāo)記610A、610B、610C和610D。在步驟220中，采用例如鹽酸來(lái)對(duì)多層結(jié)構(gòu)300的全部表面即有源區(qū)域414的內(nèi)部和外部進(jìn)行化學(xué)蝕刻。沒(méi)有受到光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412保護(hù)的ITO層310的部分暴露于鹽酸，從而光致抗蝕劑線(xiàn)410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412之間的ITO層310的部分被剝離，從而在多層結(jié)構(gòu)300的基片110之上形成了一組ITO線(xiàn)112和角標(biāo)記610。例如，緊挨著多層結(jié)構(gòu)300的角通過(guò)包括ITO角標(biāo)記612d、電鍍角標(biāo)記512d和光致抗蝕劑角標(biāo)記412d的材料的堆疊形成角標(biāo)記610d。按照相似方式，緊挨著多層結(jié)構(gòu)300的其它3個(gè)角形成角標(biāo)記610a、610b和610c的結(jié)構(gòu)。重要的是，在步驟216中暴露于UV光的光致抗蝕劑線(xiàn)410不會(huì)由用于剝離光致抗蝕劑410和光致抗蝕劑角標(biāo)記412之間的ITO層310的部分的鹽酸剝離。
圖7A、7B和7C分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖、沿圖7A的線(xiàn)VIIB-VIIB剖開(kāi)的截面圖以及沿圖7A的線(xiàn)VIIIC-VIIIC剖開(kāi)的截面圖。對(duì)照?qǐng)D7A、7B和7C，該方法然后進(jìn)入步驟222，其中，僅僅在有源區(qū)域414中對(duì)光致抗蝕劑線(xiàn)410進(jìn)行剝離。在步驟222中，多層結(jié)構(gòu)300暴露于標(biāo)準(zhǔn)的光致抗蝕劑顯影劑。在光致抗蝕劑線(xiàn)410由正性抗蝕劑形成的情況下，在步驟216中暴露于UV光的光致抗蝕劑線(xiàn)410的部分對(duì)于光致抗蝕劑顯影劑變得可溶。結(jié)果，有源區(qū)域414內(nèi)的光致抗蝕劑線(xiàn)410的部分的光致抗蝕劑材料被剝離，從而在多層結(jié)構(gòu)300的電鍍線(xiàn)510的每個(gè)端部之上形成了光致抗蝕劑710的區(qū)域。結(jié)果，在有源區(qū)域414的外部形成ITO線(xiàn)112、電鍍線(xiàn)510和光致抗蝕劑710的堆疊。
圖8A、8B和8C分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖、沿圖8A中的線(xiàn)VIIIB-VIIIB剖開(kāi)的截面圖以及沿圖8A中的線(xiàn)VIIIC-VIIIC剖開(kāi)的截面圖。對(duì)照?qǐng)D8A、8B和8C，該方法進(jìn)入步驟224，其中，僅僅在有源區(qū)域414中將電鍍線(xiàn)510進(jìn)行剝離。在步驟224中，僅僅在有源區(qū)域414中對(duì)多層結(jié)構(gòu)300進(jìn)行化學(xué)蝕刻。如果電鍍線(xiàn)510由例如鉻形成，則采用硝酸對(duì)多層結(jié)構(gòu)300的全部表面進(jìn)行化學(xué)蝕刻。沒(méi)有受到光致抗蝕劑710保護(hù)的電鍍線(xiàn)510的部分暴露于硝酸，從而有源區(qū)域414內(nèi)的電鍍線(xiàn)510的部分被剝離，從而在有源區(qū)域414內(nèi)形成了ITO線(xiàn)112。結(jié)果，有源區(qū)域414之外的區(qū)域包括如圖8C所示的ITO線(xiàn)112、電鍍線(xiàn)510和光致抗蝕劑710的堆疊以及如圖6C所示的包括ITO角標(biāo)記612、電鍍角標(biāo)記512和光致抗蝕劑角標(biāo)記412的每個(gè)角標(biāo)記610。同時(shí)，如圖8B所示，僅僅ITO線(xiàn)112保留在有源區(qū)域414的內(nèi)部。
圖9A、9B、9C和9D分別示出了多層結(jié)構(gòu)300的俯視圖、沿圖9A中的線(xiàn)IXB-IXB剖開(kāi)的截面圖、沿圖9A中的線(xiàn)IXC-IXC剖開(kāi)的截面圖以及角標(biāo)記610d的細(xì)節(jié)D。對(duì)照?qǐng)D9A、9B、9C和9D，該方法進(jìn)入步驟226，其中，去除位于有源區(qū)域414之外的剩余光致抗蝕劑710。在步驟226中，多層結(jié)構(gòu)300的剩余光致抗蝕劑710被化學(xué)剝離。結(jié)果，有源區(qū)域414之外的區(qū)域包括觸點(diǎn)114以及每個(gè)角標(biāo)記610，該每個(gè)觸點(diǎn)114包括如圖9C所示的ITO線(xiàn)112和電鍍線(xiàn)510的堆疊，該每個(gè)角標(biāo)記610包括ITO角標(biāo)記612和電鍍角標(biāo)記512的堆疊。同時(shí)，如圖9B所示，僅僅ITO線(xiàn)112保留在有源區(qū)域414內(nèi)部。結(jié)果，通過(guò)包括形成觸點(diǎn)114的電鍍線(xiàn)510的部分的電鍍材料116，在每個(gè)觸點(diǎn)114內(nèi)形成可見(jiàn)結(jié)構(gòu)。圖9A、9B、9C和9D所示的多層結(jié)構(gòu)300是粗切割狀態(tài)下圖1的ITO面板100的代表例子。
方法200的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)在步驟216的曝光操作之后而非在步驟216的曝光操作之前執(zhí)行步驟218和220的蝕刻操作，光致抗蝕劑線(xiàn)410的成分不會(huì)被硝酸或鹽酸損壞。損壞光致抗蝕劑線(xiàn)410的成分將使得光致抗蝕劑線(xiàn)410不能夠被正確曝光，因此需要?jiǎng)冸x和重新涂敷光致抗蝕劑線(xiàn)410。
由形成觸點(diǎn)114的電鍍材料116形成的角標(biāo)記610的電鍍角標(biāo)記512和/或電鍍線(xiàn)510的部分提供了用于將ITO面板100切割并研磨成期望的完成尺寸的可見(jiàn)零件。另外，方法200通過(guò)角標(biāo)記610的電鍍角標(biāo)記512和/或觸點(diǎn)114的電鍍材料116來(lái)提供形成可見(jiàn)零件的方法，從而按照左右結(jié)構(gòu)將ITO面板100彼此對(duì)齊以形成可升級(jí)的大面積LCD。
對(duì)照?qǐng)D10A和10B，LCD組件1000由一對(duì)ITO面板100例如面板100a和100b形成，這對(duì)面板彼此面對(duì)而置并且彼此相位相差90度從而ITO面板100a的ITO線(xiàn)112a的方向與ITO面板100b的ITO線(xiàn)112b的方向正交。ITO面板100a的ITO線(xiàn)112a和ITO面板100b的ITO線(xiàn)112b用作透明電極，在它們之間能夠夾入液晶材料。
對(duì)照?qǐng)D11A和11B，通過(guò)在LCD組件1000的邊緣上包括另外的導(dǎo)電材料，能夠?qū)CD組件1000的觸點(diǎn)114做得更大。具體地講，接觸片1010a和1010b能夠分別附到ITO面板100a和ITO面板100b。接觸片1010a和1010b由諸如濺鍍的任何合適方法形成，并且由諸如鉻、鋁、鎳或任何其它合適金屬的導(dǎo)電材料形成。接觸片1010a和1010b的寬度能夠與觸點(diǎn)114的寬度相同，高度可以等于LCD組件100的整體厚度。接觸片1010a和1010b電連接到觸點(diǎn)114的電鍍材料116和ITO線(xiàn)112。接觸片1010a和1010b提供了容易接入的接觸區(qū)域，以用于向接收電刺激的每根ITO線(xiàn)112提供電連接。
已經(jīng)對(duì)照優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明。當(dāng)閱讀和理解前述的詳細(xì)描述時(shí)，會(huì)想到顯然的變型和修改。本發(fā)明應(yīng)該解釋為包括所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的所有這些變型和修改。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示器(LCD)的面板，所述面板包括電絕緣和透光基片；至少一根導(dǎo)電和透光線(xiàn)，其位于所述基片上；以及導(dǎo)電和不透光觸點(diǎn)，其緊挨著每根線(xiàn)的至少一端而置并且與之進(jìn)行電接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的面板，其中所述基片是矩形的；并且所述矩形基片的至少一角包括導(dǎo)電和不透光的角標(biāo)記。
3.如權(quán)利要求2所述的面板，其中每根線(xiàn)、每個(gè)觸點(diǎn)和每個(gè)角標(biāo)記由沉積在所述基片上的透光金屬形成；并且每個(gè)觸點(diǎn)和每個(gè)角標(biāo)記還由沉積在所述透光金屬之上的不透光金屬形成。
4.如權(quán)利要求3所述的面板，其中所述基片由玻璃構(gòu)成；所述透光金屬由氧化銦錫構(gòu)成；并且所述不透光金屬由鉻、鋁和鎳中的至少一種構(gòu)成。
5.一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法，包括步驟(a)在電絕緣和透光基片的一個(gè)表面上沉積第一導(dǎo)電和透光材料；(b)在與所述基片相對(duì)的所述第一材料的表面上沉積第二導(dǎo)電和不透光的材料；(c)選擇性地去除所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分，以形成第二材料的至少一根線(xiàn)；(d)選擇性地去除通過(guò)在步驟(c)中去除所述第二材料的覆蓋部分所暴露的所述第一材料的一個(gè)或多個(gè)部分；以及(e)除了緊挨著由所述第二材料形成的線(xiàn)的至少一端的所述第二材料的一部分以外，選擇性地去除所述第二材料中的形成每根線(xiàn)的所述第二材料。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，在步驟(b)和(c)之間，所述方法還包括步驟在與所述第一材料相對(duì)的所述第二材料的表面上沉積光致抗蝕劑；以及選擇性地去除所述光致抗蝕劑的一個(gè)或多個(gè)部分從而暴露所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，在步驟(d)和(e)之間，所述方法還包括步驟除了覆蓋緊挨著所述線(xiàn)的一端的所述第二材料的剩余光致抗蝕劑以外，去除覆蓋所述第二材料的每根線(xiàn)的剩余光致抗蝕劑。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括步驟(f)去除覆蓋緊挨著所述線(xiàn)的一端的所述第二材料的剩余光致抗蝕劑。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述光致抗蝕劑是正性光致抗蝕劑；以及在去除之前，要被去除的光致抗蝕劑可選擇性地呈現(xiàn)為可溶解。
10.如權(quán)利要求5所述的方法，其中步驟(c)到(e)還形成了緊挨著所述基片的至少一角的角標(biāo)記；以及每個(gè)角標(biāo)記均包括覆蓋第一材料的沉積的第二材料的沉積，該第一材料覆蓋緊挨著所述基片的角的基片。
11.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述基片由玻璃構(gòu)成；所述第一材料由氧化銦錫構(gòu)成；以及所述第二材料由鉻、鋁和鎳中的至少一種構(gòu)成。
12.一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法，包括(a)在透明電絕緣基片上沉積透明導(dǎo)電材料；(b)在所述透明導(dǎo)電材料上沉積非透明導(dǎo)電材料；(c)在所述非透明導(dǎo)電材料上沉積光致抗蝕劑；(d)選擇性地去除所述光致抗蝕劑的一部分；(e)選擇性地去除步驟(d)中去除的所述光致抗蝕劑部分之下的所述非透明導(dǎo)電材料從而留下其上具有所述光致抗蝕劑的非透明導(dǎo)電層的第一部分；(f)選擇性地去除在步驟(e)中去除的所述非透明導(dǎo)電材料之下的所述透明導(dǎo)電材料的一部分從而留下其上具有所述光致抗蝕劑的所述非透明導(dǎo)電材料的第一部分之下的所述透明導(dǎo)電材料的第一部分；(g)選擇性地去除所述非透明導(dǎo)電材料的第一部分上的剩余光致抗蝕劑的一部分從而其上留下具有所述光致抗蝕劑的所述非透明導(dǎo)電材料的第二部分；(h)選擇性地去除步驟(g)中去除的所述光致抗蝕劑部分之下的所述非透明導(dǎo)電材料的一部分從而暴露所述透明導(dǎo)電材料的第一部分的表面；以及(i)去除非透明導(dǎo)電材料的第二部分上的剩余光致抗蝕劑從而暴露材料堆疊的下表面，所述材料包括覆蓋透明導(dǎo)電材料的非透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料覆蓋所述基片的一部分。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在步驟(h)中暴露的所述透明導(dǎo)電材料的第一部分形成了所述透明導(dǎo)電材料的一根或多根分隔開(kāi)的平行線(xiàn)；步驟(i)中的材料堆疊形成了(1)和(2)中的至少一個(gè)，所述(1)為一個(gè)或多個(gè)觸點(diǎn)，該每個(gè)觸點(diǎn)與所述透明導(dǎo)電材料的線(xiàn)電連接；所述(2)為一個(gè)或多個(gè)角標(biāo)記，該每個(gè)角標(biāo)記緊挨著所述基片的角而置。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，每個(gè)角標(biāo)記與每個(gè)其它角標(biāo)記和每根線(xiàn)電絕緣。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在步驟(c)和(d)之間，所述方法還包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述光致抗蝕劑的部分；在步驟(f)和(g)之間，所述方法還包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述剩余光致抗蝕劑的部分；以及在步驟(h)和步驟(i)之間，所述方法還包括選擇性地呈現(xiàn)可溶解的所述剩余光致抗蝕劑。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中硝酸用于去除所述非透明導(dǎo)電材料；并且鹽酸用于去除所述透明導(dǎo)電材料。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基片由玻璃構(gòu)成；所述非透明導(dǎo)電材料由氧化銦錫構(gòu)成；并且所述透明導(dǎo)電材料由鉻、鋁和鎳中的至少一種構(gòu)成。
18.一種形成用于液晶顯示器(LCD)的面板的方法，包括步驟(a)提供基片，所述基片上具有第一材料層以及所述第一材料層上的第二材料層；(b)去除所述第二材料的一個(gè)或多個(gè)部分從而形成第二材料的至少一根線(xiàn)；(c)去除在步驟(b)中去除第二材料所暴露的所述第一材料的一個(gè)或多個(gè)部分從而在第二材料的每根線(xiàn)之下形成第一材料的至少一根線(xiàn)；以及(d)除了緊挨著所述第二材料的每根線(xiàn)的至少一端的所述第二材料的部分以外，去除形成每根線(xiàn)的所述第二材料，從而暴露所述去除的第二材料之下的第一材料的每根線(xiàn)的部分。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中步驟(b)到步驟(d)還形成了緊挨著所述基片的至少一角的角標(biāo)記；并且每個(gè)角標(biāo)記均包括覆蓋第一材料的沉積的第二材料的沉積，該第一材料覆蓋緊挨著所述基片的角的基片。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述基片由玻璃構(gòu)成；所述第一材料由氧化銦錫構(gòu)成；以及所述第二材料由鉻、鋁和鎳中的至少一種構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種精確切割和對(duì)齊液晶顯示器(LCD)面板的改進(jìn)的氧化銦錫(ITO)的制定圖案的方法，所述方法包括在透明基片上沉積透明ITO層；在所述透明ITO層上沉積非透明電鍍層；以及在所述非透明電鍍層上沉積光致抗蝕劑層。制定、曝光并顯影所述光致抗蝕劑層以形成多根光致抗蝕劑線(xiàn)。僅僅在有源區(qū)域內(nèi)再次曝光所述光致抗蝕劑線(xiàn)并且所述電鍍層被蝕刻掉以形成多根非透明電鍍線(xiàn)。隨后所述ITO層被蝕刻掉以形成多根ITO線(xiàn)。所述光致抗蝕劑線(xiàn)然后被顯影并且僅僅在有源區(qū)域內(nèi)所述非透明電鍍線(xiàn)被蝕刻掉。然后，有源區(qū)域之外的光致抗蝕劑被去除。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101065704SQ200580040112
公開(kāi)日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2005年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月23日
發(fā)明者蒂莫西·A·考恩 申請(qǐng)人:阿德文泰克全球有限公司