專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，特別涉及垂直取向型的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在垂直取向型的液晶顯示裝置中，利用垂直取向膜使具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶在不施加電壓時(shí)垂直取向，在施加電壓時(shí)傾斜取向。由于垂直取向型的液晶顯示裝置在未施加電壓時(shí)使液晶分子垂直取向，故黑顯示品質(zhì)良好，可以進(jìn)行高對(duì)比度的顯示，同時(shí)具有視角大、響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。
在上述垂直取向型的液晶顯示裝置中，作為液晶的取向控制的方法，例如有特愿2004-266560號(hào)的說(shuō)明書(shū)中所記載的像素結(jié)構(gòu)。圖25為表示該說(shuō)明書(shū)中記載的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖25中，由柵極總線14和漏極總線16所劃定的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域，在該像素區(qū)域內(nèi)形成具有長(zhǎng)方形形狀的3個(gè)電極單元的像素電極20，該長(zhǎng)方形角部帶有圓角。此外，在像素的中央與柵極總線14大致平行地形成存儲(chǔ)電容總線22，經(jīng)過(guò)圖中未示出的絕緣膜在存儲(chǔ)電容總線22上形成存儲(chǔ)電容電極34。通過(guò)液晶與像素區(qū)域?qū)χ玫膶?duì)置襯底上，在各電極單元的大致中心位置上形成點(diǎn)狀的取向控制用構(gòu)造物?；谠摻Y(jié)構(gòu)，如圖26所示，通過(guò)施加電壓時(shí)電極單元端部產(chǎn)生的電場(chǎng)扭曲和對(duì)置襯底的取向控制用構(gòu)造物，與襯底垂直取向的液晶分子76沿從電極單元的外周部向中心部的方向傾斜取向。
但是，如圖27所示，由于上述例子的液晶顯示裝置中的電極單元本身是整個(gè)面的圖形，因此如果圖形變大，則不能由電極單元控制液晶分子的取向方向的區(qū)域?qū)⒃龃?。特別是，在電極單元的外側(cè)，由于沒(méi)有固定液晶取向的奇點(diǎn)(特異點(diǎn))的裝置，故在奇點(diǎn)的產(chǎn)生位置上將產(chǎn)生偏差。因此，令液晶分子從電極單元的外側(cè)向中心部一致取向較為困難，產(chǎn)生如圖所示的取向異常區(qū)域，導(dǎo)致顯示上產(chǎn)生不光滑。
此外，當(dāng)如用手指按壓等外力施加于液晶顯示裝置的面板上時(shí)，一經(jīng)破壞的奇點(diǎn)很難回到原狀態(tài)。
而且，一旦電極單元的邊緣靠近柵極總線和漏極總線，就會(huì)受到與總線的電場(chǎng)的影響，影響原來(lái)的液晶取向。
此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的CF制造方法包括如下工序第1工序，在襯底上形成遮光層，在該遮光層上形成感光性抗蝕劑層，然后，以預(yù)定的圖形對(duì)上述感光性抗蝕劑層進(jìn)行曝光顯影，通過(guò)刻蝕除去露出的遮光層，從而形成由預(yù)定圖形的遮光層構(gòu)成的黑矩陣，此后，固化該黑矩陣上的感光性抗蝕劑層并作為抗蝕劑層；第2工序，按著色層的色數(shù)重復(fù)進(jìn)行在上述襯底上的非黑矩陣框形成區(qū)域內(nèi)的規(guī)定顏色的著色層形成區(qū)域及上述抗蝕劑層的柱狀凸部形成區(qū)域上形成著色層的操作。
然而，在該現(xiàn)有文獻(xiàn)中，以在黑矩陣上的抗蝕劑層上層疊著色層，并形成保持單元間隙的間隔物為目的，該說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)具有以下課題與像素電極單元的中央部對(duì)置的CF襯底的公共電極表面和與電極單元外周的非電極部對(duì)置的CF襯底的公共電極表面高度相同，因此，在電極單元的外側(cè)，由于沒(méi)有固定液晶取向的奇點(diǎn)的裝置，故不能控制液晶分子的取向方向的區(qū)域很大。
這樣，當(dāng)電極單元的尺寸增大時(shí)，奇點(diǎn)的控制更加困難。因此，實(shí)際上，電極單元的大小被限制在規(guī)定的尺寸內(nèi)。
特開(kāi)平10-177109號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠充分進(jìn)行奇點(diǎn)的控制并得到良好的顯示品質(zhì)的液晶顯示裝置及其制造方法。
為了解決該課題，提供一種具有如下部分的液晶顯示裝置第一襯底，具有由電連接的1個(gè)或者1個(gè)以上電極單元構(gòu)成的像素電極；第二襯底，具有與所述像素對(duì)置并且由金屬膜構(gòu)成的遮光部和在其開(kāi)口部具有色分解濾光器、在其表面具有公共電極；封入到上述第一襯底和上述第二襯底之間且具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶層，其中，與電極單元外周的非電極部的至少1/4對(duì)置的公共電極表面，比和電極單元的大致中央部分對(duì)置的公共電極表面高0.2μm或者0.2μm以上，可能的話，高出0.4～1.5μm。
另外，如果在公共電極上設(shè)置液晶取向控制用突起，將更有效果，該公共電極位于和上述電極單元的大致中央對(duì)置的上述第2襯底上。
此外，在金屬遮光膜上依次層疊光致抗蝕劑、色分解濾光層，從而可以在公共電極的下面形成該臺(tái)階差。
這種情況下，在形成金屬遮光膜時(shí)，利用光刻和刻蝕來(lái)燒制構(gòu)圖用光致抗蝕劑，并殘留在金屬遮光膜上，從而通過(guò)對(duì)公共電極的表面高度進(jìn)行調(diào)整，可以簡(jiǎn)化工序。
此外，在金屬遮光膜上，通過(guò)層疊不同顏色的色分解濾光層也可以得到同樣的效果。
依據(jù)本發(fā)明，大致與電極單元外周的非電極部分對(duì)置的公共電極表面比與電極單元的大致中央部分對(duì)置的公共電極表面高0.2μm或者0.2μm以上，可能的話，高0.4～1.5μm，據(jù)此，由于電極單元外周的電場(chǎng)作用而引起的液晶取向控制力將增強(qiáng)，可以得到更穩(wěn)定的液晶取向，并可以對(duì)因外力產(chǎn)生的取向混亂進(jìn)行修正，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)較高的穩(wěn)定的液晶顯示裝置。
此外，在金屬遮光膜上依次層疊光致抗蝕劑、色分解濾光層，或者在金屬濾光膜上對(duì)不同顏色的色分解濾光層進(jìn)行層疊，據(jù)此，不要的圖形不會(huì)露出而在透射部上形成公共電極的臺(tái)階差，并且不增加形成工序而可以提供廉價(jià)且高品質(zhì)的液晶顯示裝置。
另外，可以在形成金屬遮光膜過(guò)程中，利用光刻和刻蝕燒制構(gòu)圖用的光致抗蝕劑，并殘留在金屬遮光膜上，由此，可在理想的位置調(diào)整公共電極的表面高度，無(wú)需增加工序而提供高精度且高品質(zhì)的液晶顯示裝置。


圖1是本發(fā)明第1實(shí)施方式的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。
圖2是本發(fā)明第1實(shí)施方式的液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖3是本發(fā)明第1實(shí)施方式的液晶顯示裝置(平面圖)的示意圖。
圖4是本發(fā)明第1實(shí)施方式的液晶顯示裝置(剖面圖)的示意圖。
圖5是本發(fā)明第1實(shí)施方式的TFT襯底(平面圖)的示意圖。
圖6A至圖6C是本發(fā)明第1實(shí)施方式的TFT襯底(剖面圖)的示意圖。
圖7是本發(fā)明第1實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(A-A’剖面圖)。
圖8是本發(fā)明第1實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(A-A’剖面圖)。
圖9是本發(fā)明第1實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(A-A’剖面圖)。
圖10是本發(fā)明第1實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(A-A’剖面圖)。
圖11是本發(fā)明第1實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(A-A’剖面圖)。
圖12是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖13是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖14是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖15是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖16是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖17是本發(fā)明第2實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(剖面圖)。
圖18是本發(fā)明第3實(shí)施方式的液晶顯示裝置(剖面圖)的示意圖。
圖19是本發(fā)明第3實(shí)施方式的液晶顯示裝置(平面圖)的示意圖。
圖20是本發(fā)明第3實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(B-B’剖面圖)。
圖21是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(B-B’剖面圖)。
圖22是本發(fā)明第3實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(B-B’剖面圖)。
圖23是本發(fā)明第3實(shí)施方式的CF制造方法的說(shuō)明圖(B-B’剖面圖)。
圖24是本發(fā)明第3實(shí)施方式的CF剖面圖液晶顯示裝置(A-A’剖面圖)。
圖25是表示現(xiàn)有液晶顯示裝置(TFT側(cè)正面剖面圖)的圖。
圖26是表示理想的液晶取向的圖。
圖27是表示異常的液晶取向的圖。
具體實(shí)施例方式用圖1至圖11對(duì)本發(fā)明第1實(shí)施方式的液晶顯示裝置及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施方式的液晶顯示裝置如圖1所示，具有如下結(jié)構(gòu)形成TFT(Thin Film Transistor薄膜晶體管)等的TFT襯底10和形成了CF(Color Filter彩色濾光片)等的CF襯底12相對(duì)置地貼合，并在兩襯底10、12間封入了液晶。
圖2模式地示出TFT襯底10上形成的元件的等效電路。在TFT襯底10上相互平行地形成多個(gè)沿圖中左右方向延伸的柵極總線14。經(jīng)由絕緣膜與柵極總線14交叉，相互平行地形成多個(gè)沿圖中的上下方向延伸的漏極總線16。由多個(gè)柵極總線14和漏極總線16包圍的各區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域。在陣列狀配置的各像素區(qū)域中形成TFT18和像素電極20。各TFT18的漏電極連接至相鄰的漏極總線16，柵電極連接至相鄰的柵極總線14，源電極連接至像素電極20。在各像素區(qū)域的大致中央處與柵極總線14平行地形成了存儲(chǔ)電容總線22。
返回到圖1，在TFT襯底10上設(shè)置了安裝有驅(qū)動(dòng)多個(gè)柵極總線14的驅(qū)動(dòng)器IC(Integrated Circuit集成電路)的柵極總線驅(qū)動(dòng)電路24a和安裝有驅(qū)動(dòng)多個(gè)漏極總線16的驅(qū)動(dòng)器IC的漏極總線驅(qū)動(dòng)電路24b。這些驅(qū)動(dòng)電路24a、24b根據(jù)控制電路26輸出的預(yù)定信號(hào)，向預(yù)定的柵極總線14或者漏極總線16輸出掃描信號(hào)或者數(shù)據(jù)信號(hào)。與TFT襯底10的元件形成面相反一側(cè)的襯底面上配置偏光板28，偏光板28的與TFT襯底10相反一側(cè)的面上安裝有背光單元30。另一方面，CF襯底12的CF形成面相反一側(cè)的面上粘貼有偏光板32。
以下對(duì)構(gòu)成液晶顯示裝置的襯底及單元進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖3為本實(shí)施例的液晶顯示裝置的像素部分的正面圖。圖4表示圖3的沿A-A’線的剖面圖。如圖4所示，具有如下結(jié)構(gòu)使形成了TFT等的TFT襯底10和形成了CF等的CF襯底12對(duì)置地貼合，并在兩襯底10、12間封入液晶。
TFT襯底10在絕緣膜84上形成漏極總線16，在漏極總線16上的保護(hù)膜36上，在最終保護(hù)膜105上形成像素電極。
在本實(shí)施方式中，CF襯底12的制作工序中，不剝離在用光刻法對(duì)BM圖形構(gòu)圖時(shí)使用的光致抗蝕劑而將BM層10殘留在襯底上，進(jìn)而在其上形成CF層103，從而調(diào)整BM圖形上的公共電極的高度。CF層103上形成了公共電極104。在公共電極104上的像素中央形成了取向控制用構(gòu)造物64。
對(duì)本實(shí)施方式中的TFT襯底10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
圖5至圖6C表示基于本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖6A表示圖5的A-A’線的剖面，圖6B表示圖5的B-B’線的剖面，圖6C表示圖5的沿C-C’線的剖面。如圖所示，在TFT襯底10上，相互平行地以例如300μm的間隔形成多個(gè)沿圖中左右方向延伸的柵極總線14(圖5中表示出2條)。通過(guò)例如硅氧化膜等絕緣膜84與柵極總線14大致垂直地交叉，相互大致平行地以例如100μm的間隔形成多個(gè)沿圖中上下方向延伸的漏極總線16(圖5中表示出2條)。柵極總線14和漏極總線16的寬度分別為例如10μm和7μm。由多個(gè)柵極總線14和漏極總線16圍成的區(qū)域?yàn)橄袼貐^(qū)域。穿過(guò)像素區(qū)域的大致中央，形成與柵極總線14大致平行延伸的存儲(chǔ)電容總線22。在存儲(chǔ)電容總線22上，通過(guò)絕緣膜在每個(gè)像素上形成了存儲(chǔ)電容電極34。漏極總線、漏電極、源電極、以及存儲(chǔ)電容電極一并形成在同一層上，在該層上使用例如SiN形成保護(hù)膜36。在保護(hù)膜36上形成例如3μm厚的透明樹(shù)脂絕緣膜105，通過(guò)設(shè)置于保護(hù)膜36和透明樹(shù)脂絕緣層105上的接觸孔86使設(shè)置于透明設(shè)置絕緣層上的像素電極20和漏電極導(dǎo)通。
接下來(lái)，利用圖7至圖11對(duì)本實(shí)施方式中CF襯底的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。圖7至圖11表示各工序中的CF襯底的剖面圖。在與TFT襯底10對(duì)置配置的CF襯底12側(cè)形成BM(Black Matrix黑矩陣)作為進(jìn)行色間(色同)遮光的遮光層。BM例如以色間為10μm的寬度形成格子狀。
首先，采用圖7至圖9對(duì)BM層的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。在玻璃等透明絕緣襯底60上對(duì)Cr等遮光金屬101等進(jìn)行成膜(圖7)。接下來(lái)以例如5μm的膜厚涂敷正型抗蝕劑102，用光刻法形成所希望的BM圖形(圖8)。然后，用硝酸等對(duì)上述遮光金屬膜進(jìn)行刻蝕后，在220℃的恒溫器中燒制1小時(shí)，從而完成BM層(圖9)。
繼而，在形成了BM層的襯底上利用R、G、B3色的顏料分散型抗蝕劑以例如1.8μm的膜厚分別形成3色的CF層(圖10)。在BM開(kāi)口部形成R、G、B的任意一種CF層103。
由于以大約1.5μm的膜厚形成BM層，故該BM層上涂敷的CF層被抬高，形成距開(kāi)口部的CF層表面約0.8μm的臺(tái)階差。
在上述襯底上，使用例如ITO104在整個(gè)襯底表面設(shè)置公共電極，其上使用抗蝕劑分別形成取向控制用突起物64及保持單元間隙的間隔層(圖中未示出)，從而完成CF襯底(圖11)。
在本實(shí)施例中，將BM圖形構(gòu)圖時(shí)所使用的光致抗蝕劑原封不動(dòng)地殘留于遮光用金屬膜上，并在其上形成CF層，從而形成如下結(jié)構(gòu)與電極單元外周對(duì)置的非公共電極表面比與電極單元的大致中央對(duì)置的部分的公共電極表面高0.8μm。據(jù)此，在電極單元外周和對(duì)置的公共電極間可以施加更強(qiáng)的電場(chǎng)。由于設(shè)置在電極單元中央的取向控制突起在電極單元外周附近的取向控制力較弱，故象本實(shí)施例那樣增強(qiáng)電極單元外周附近的電場(chǎng)，從而該附近處的液晶取向穩(wěn)定下來(lái)。據(jù)此，可以改善不光滑等顯示不良現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的液晶顯示裝置。
(第2實(shí)施方式)使用圖12至圖17對(duì)本發(fā)明第2實(shí)施方式的液晶顯示裝置及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式中的TFT襯底及CF襯底的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式相同。但是，CF襯底的BM層的制造方法與第1實(shí)施方式不同。因此，使用圖12至圖17對(duì)本實(shí)施方式中的CF襯底的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
在玻璃等透明絕緣襯底60上對(duì)Cr等遮光金屬101等進(jìn)行成膜，在該襯底上以膜厚1.5μm涂敷正型抗蝕劑，在100℃左右的溫度下對(duì)涂膜進(jìn)行干燥后，用接近式曝光機(jī)以70mJ左右的曝光量對(duì)所希望的BM圖形102進(jìn)行曝光，并以堿性濃度為2.38％的TMAH顯影液對(duì)該襯底進(jìn)行沖洗顯影，并用純水清洗。
然后，浸入到以例如8∶2的比例將純水和硝酸混合而成的刻蝕液后，將該遮光金屬膜101刻蝕后，利用剝離液剝離抗蝕劑層102(圖13、圖14)。
然后，在該襯底上再以1.5μm膜厚涂敷正型抗蝕劑102-b，并進(jìn)行干燥烘干(圖15)。
將形成在襯底上的BM圖形的金屬膜作為掩模，從襯底背面照射紫外線100mJ左右(圖16)。繼而對(duì)抗蝕劑進(jìn)行顯影，在220℃左右溫度的恒溫器中燒制1小時(shí)。
此后，與第1實(shí)施方式相同，形成CF層、公共電極層、取向控制突起及間隔層，從而完成CF襯底。將TFT襯底與按上述方式制作成的CF襯底對(duì)置地貼合，封入液晶，并在其上粘貼上偏光板，從而完成液晶顯示用面板(圖17)。
本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式僅BM層的制造方法不同，結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式相同，因此，可以得到與第1實(shí)施方式相同的效果。
而且，在第1一實(shí)施方式中，形成在襯底上的作為BM層的抗蝕劑，在刻蝕遮光膜的金屬時(shí)暴露于刻蝕液中，而本實(shí)施方式中作為BM層而形成的抗蝕劑膜未暴露于刻蝕液中，與第1實(shí)施方式相比，雖然工時(shí)增加，但是，可以實(shí)現(xiàn)可靠性更高的液晶顯示用面板。
使用圖18至圖24對(duì)本發(fā)明第3實(shí)施方式的液晶顯示裝置及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖18表示本實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖面圖。與第1實(shí)施方式相同，具有將TFT襯底和CF襯底對(duì)置貼合，并在兩襯底間封入液晶的結(jié)構(gòu)。TFT襯底具有與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)。CF襯底具有以下說(shuō)明的結(jié)構(gòu)。即在由形成于玻璃等透明絕緣襯底上的金屬遮光膜構(gòu)成的BM層上，通過(guò)層疊不同顏色的色分解濾光器，柵極布線部及存儲(chǔ)電容部的遮光區(qū)域上的公共電極的表面臺(tái)階差調(diào)整至0.4～0.6μm。
使用圖20至圖24對(duì)本實(shí)施方式中的CF襯底的制作方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，在玻璃等透明絕緣襯底上用光刻法等形成由Cr和氧化鉻層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的BM圖形(圖20)。
然后，使用顏料分散型光致抗蝕劑，用光刻法依次在所述BM襯底上形成由R、G、B3色構(gòu)成的CF層。圖21是表示形成著色層的第1層Red層后的剖面。在此處形成第2層的Green層后的剖面圖為圖22。如圖22所示，由于以與第1層的Red層重疊的方式形成第2層的Green層，故層疊在該2色條紋間的部分的表面臺(tái)階差約為0.4μm。繼而形成Blue層作為著色層的第三層，從而完成著色層。
此外，圖24示出平面圖19的沿A-A’線的剖面圖。
利用ITO等以覆蓋該整個(gè)襯底表面的方式形成透明公共電極，在此基礎(chǔ)上依次形成取向控制突起物和間隔層，從而完成CF襯底。
如以上所說(shuō)明的那樣，根據(jù)上述實(shí)施方式，與電極單元外周的非電極部對(duì)置的公共電極表面比與電極單元的大致中央部分對(duì)置的公共電極表面高0.2μm或者0.2μm以上，可能的話，高0.4～1.5μm，由此，電極單元外周的電場(chǎng)所引起的液晶取向控制力增強(qiáng)，可以得到更穩(wěn)定的液晶取向，并可以修正因外力引起的取向混亂，從而能夠?qū)崿F(xiàn)顯示品質(zhì)較高的穩(wěn)定的液晶顯示裝置。
此外，在金屬遮光膜上依次層疊光致抗蝕劑、色分解濾光層，或在金屬遮光膜上對(duì)不同顏色的色分解濾光層進(jìn)行層疊，由此，不要的圖形不會(huì)露出而在透過(guò)部上形成公共電極的臺(tái)階差，并且無(wú)需增加形成工序即可提供廉價(jià)且高品質(zhì)的液晶顯示裝置。
此外，在形成金屬遮光膜時(shí)，使用光刻和刻蝕，燒制用于構(gòu)圖的光致抗蝕劑，并將其殘留于金屬遮光膜上，從而可以在理想的位置調(diào)整公共電極表面的高度，并且無(wú)需增加工序，即可提供高精度且高品質(zhì)的液晶顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括第一襯底，具有由電連接的1個(gè)或者1個(gè)以上電極單元所構(gòu)成的像素電極；第二襯底，具有與所述像素對(duì)置并由金屬膜構(gòu)成的遮光部、在其開(kāi)口部具有色分解濾光器、在其表面具有公共電極；封入到所述第一襯底和所述第二襯底之間并具有負(fù)介電常數(shù)各向異性的液晶層，其特征在于和電極單元外周的非電極部的至少1/4對(duì)置的公共電極表面，比和電極單元的大致中央部分對(duì)置的公共電極表面高0.2μm或者0.2μm以上。
2.如權(quán)利要求1中記載的液晶顯示裝置，其特征在于在公共電極上設(shè)有液晶取向控制用突起，其中該公共電極位于與所述電極單元的大致中央對(duì)置的所述第二襯底上。
3.如權(quán)利要求1中記載的液晶顯示裝置，其特征在于在金屬遮光膜上依次層疊光致抗蝕劑、色分解濾光層。
4.如權(quán)利要求3中記載的液晶顯示裝置，其特征在于在形成金屬遮光膜時(shí)，利用光刻和刻蝕燒制用于構(gòu)圖的光致抗蝕劑，并殘留在金屬遮光膜上，從而對(duì)公共電極的表面高度進(jìn)行調(diào)整。
5.如權(quán)利要求1中記載的液晶顯示裝置，其特征在于在金屬遮光膜上層疊不同顏色的色分解濾光層。
6.如權(quán)利要求1中記載的液晶顯示裝置，其特征在于和電極單元外周的非電極部的至少1/4對(duì)置的公共電極表面，比和電極單元的大致中央部分對(duì)置的公共電極表面高0.4～1.5μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及垂直取向型的液晶顯示裝置及其制造方法，其目的在于可以充分進(jìn)行奇點(diǎn)的控制，以獲得良好的顯示品質(zhì)的液晶顯示裝置及其制造方法。該液晶顯示裝置包括第一襯底，具有由電連接的1個(gè)或者1個(gè)以上電極單元構(gòu)成的像素電極；第二襯底，具有與所述像素對(duì)置并且由金屬膜構(gòu)成的遮光部、在其開(kāi)口部具有色分解濾光器、在其表面具有公共電極；封入到所述第一襯底和所述第二襯底之間并具有負(fù)介電常數(shù)各相異性的液晶層，其中，和電極單元外周的非電極部的至少1/4對(duì)置的公共電極表面，比和電極單元的大致中央部分時(shí)置的公共電極表面高0.2μm或者 0.2μm以上，可能的話，高出0.4～1.5μm。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK1841144SQ20061006832
公開(kāi)日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月29日
發(fā)明者澤崎學(xué), 高木孝 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社