專利名稱：光致抗蝕劑用剝離液的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光致抗蝕劑用剝離液。特別涉及液晶面板的制造工序、半導體元件的組件制造工序中使用的光致抗蝕劑用剝離液。
背景技術：
TFT-LCD等液晶顯示器具有在對置玻璃基板間插入液晶的結構，一般而言，在一側玻璃基板上形成TFT(薄膜晶體管)或像素電極(透明電極)，在其上于基板的整個表面層合方向性涂膜，在另一側玻璃基板上依次層合濾色片、透明電極、方向性涂膜，使上述各方向性涂膜面朝內地對置玻璃基板。此時，由于TFT比其他像素電極等高，因此被上述對置玻璃基板夾持的液晶的厚度不均勻，上述TFT對應部位的液晶的厚度降低相應水平。
因此，為了實現(xiàn)液晶厚度均勻化而采用下述方法在上述一側玻璃基板上形成TFT后，在該玻璃基板的整個表面上設置透明絕緣膜(例如丙烯酸類透明膜)，完全覆蓋上述TFT，吸收TFT的高出部分，將表面平坦化，在表面平坦化的丙烯酸類透明膜上形成像素電極(透明電極)，在其上整個表面層合方向性涂膜。
此處，如下所述地形成上述像素電極(透明電極)在丙烯酸類透明膜上利用濺射法等設置透明導電膜，在其上均勻地涂布光致抗蝕劑，對其進行選擇性曝光、顯影處理，形成光致抗蝕劑圖案，以上述光致抗蝕劑圖案為掩模，選擇性蝕刻上述透明導電膜，形成像素電極(透明電極)后，用剝離液除去光致抗蝕劑圖案形成像素電極(透明電極)。
因此，由于上述剝離液在光致抗蝕劑圖案剝離處理中直接接觸丙烯酸類透明膜，因此必須不對上述丙烯酸類透明膜產生膨潤、著色等不良影響。如果引起膨潤，則出現(xiàn)透明電極被剝離等不良情況，而如果被著色，則影響透明性。
另外，在半導體元件的組件制造工序中，隨著近年元件的微細化、多層化，開始制造在晶片狀態(tài)下一并進行組件化的超小型晶片水平芯片尺寸組件(W-CSP；Wafer level chip size package)。
在W-CSP制造工序中，例如利用濺射法在具有鈍化膜(絕緣膜)的硅晶片等基板上形成導電性金屬膜(例如銅薄膜)，在該銅薄膜上設置正型光致抗蝕劑圖案，以此為掩模，蝕刻銅薄膜，形成銅重布線圖案。形成單層～多層該絕緣膜/重布線圖案。
接下來，在該基板上熱壓合由負型光致抗蝕劑構成的感光性干膜，對其進行選擇性曝光、顯影處理，形成厚膜光致抗蝕劑圖案(光固化圖案)，在未形成光致抗蝕劑圖案的部分，利用電鍍法形成銅端子(凸點)后，用剝離液除去光致抗蝕劑圖案。然后，將基板的整個表面用封固樹脂封固，使銅端子被完全覆蓋后，同時切削封固樹脂上部和銅端子上部。接下來，在切削后露出的銅端子頂部軟釬焊導電性端子(銅端子)后，將晶片單片化為組件，加以制造。
在上述組件制造工序中，負型光致抗蝕劑圖案(光固化圖案)與正型光致抗蝕劑圖案相比難以除去，而且因被用于形成銅端子(凸點)而為厚膜，因此剝離除去更為困難。因此，要求上述難以除去的厚膜負型光致抗蝕劑具有優(yōu)良的除去性。而且還要求防止對金屬(銅)造成損害。
目前，液晶面板、半導體元件的制造中使用的光致抗蝕劑用剝離液主要是含有極性溶劑、胺類(包括季銨鹽)及水的體系的剝離液(例如參見專利文獻1～2)。但是，上述剝離液含水，無法避免對金屬材料造成損害，另外，存在可觀察到對液晶顯示器等中使用的丙烯酸類透明膜造成著色·膨潤等影響的問題。
專利文獻1特開2001-215736號公報專利文獻2特開平10-239865號公報

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種光致抗蝕劑用剝離液，其對液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸類透明膜不產生膨潤·著色等不良情況，也不損害電極材料，且具有優(yōu)良的光致抗蝕劑剝離性，同時對半導體元件的組件(特別是W-CSP)制造工序中使用的厚膜負型光致抗蝕劑的剝離性、抑制對銅造成損害的效果也優(yōu)良。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑用剝離液，實質上由以下部分組成(a)季銨氫氧化物，(b)從二元醇類、二元醇醚類中選出的至少1種水溶性有機溶劑，(c)非胺類水溶性有機溶劑。
另外，本發(fā)明提供上述光致抗蝕劑用剝離液，是液晶面板的制造工序中使用的光致抗蝕劑用剝離液，用于剝離在設置于玻璃基板上的透明絕緣膜面上形成的光致抗蝕劑圖案。
另外，本發(fā)明提供上述光致抗蝕劑用剝離液，是半導體元件的組件制造工序中使用的光致抗蝕劑用剝離液，用于剝離在具有金屬薄膜的基板上未形成光致抗蝕劑圖案的部分(金屬薄膜露出部)形成導電層后的該光致抗蝕劑圖案。
具體實施例方式
下面詳細說明本發(fā)明。
作為(a)成分的季銨氫氧化物優(yōu)選使用下述通式(I)表示的化合物。
上式中，R1、R2、R3和R4分別獨立地表示碳原子數(shù)為1～6的烷基或羥烷基。
具體而言，上述季銨氫氧化物可以舉出氫氧化四甲基銨(＝TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四戊基銨、氫氧化一甲基三丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥基丙基)三甲基銨等。其中，從容易獲得、而且安全性優(yōu)良等方面考慮，優(yōu)選TMAH、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化一甲基三丙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨等。(a)成分可以使用1種、2種或2種以上。
(b)成分可以使用二元醇類、二元醇醚類。具體而言，可以舉出乙二醇、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二甘醇、二甘醇一甲基醚、二甘醇一乙基醚、二甘醇一丙基醚、二甘醇一丁基醚(＝丁基卡必醇)等二甘醇一烷基醚(烷基為碳原子數(shù)1～6的低級烷基)、丙二醇等，但是并不限定于上述例子。其中，從高防膨潤能力、高防腐蝕能力、低價等方面考慮，優(yōu)選使用乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚。(b)成分可以使用1種、2種或2種以上。
(c)成分可以使用非胺類水溶性有機溶劑。具體而言，可以舉出二甲基亞砜等亞砜類；二甲基砜、二乙基砜、二(2-羥基乙基)砜、四亞甲基砜等砜類；N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺等酰胺類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、N-羥甲基-2-吡咯烷酮、N-羥乙基-2-吡咯烷酮等內酰胺類；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，3-二乙基-2-咪唑烷酮、1，3-二異丙基-2-咪唑烷酮等咪唑烷酮類等，但是并不限定于上述示例。(c)成分可以使用1種、2種或2種以上。
本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液實質上由上述(a)～(c)成分3種成分構成，不含水。如果含有水作為配合成分，則布線材料(金屬)的防腐性變差，另外，光致抗蝕劑剝離性也降低。另外，作為水溶性有機溶劑，不包括胺類(鏈烷醇胺類等)。
需要說明的是，本發(fā)明的光致抗蝕劑用涂布液中，可以在不影響本發(fā)明效果的范圍內，根據(jù)需要配合表面活性劑、防腐劑等添加成分。作為表面活性劑，可以舉出碳原子數(shù)至少為10或10以上的烷基或烷氧基取代的胺類活性劑、炔屬醇類活性劑及至少1個或1個以上碳原子數(shù)為7或7以上的烷基取代的二苯基醚類活性劑等，但并不限定于上述示例。另外，作為防腐劑，可以舉出芳香族羥基化合物(例如鄰苯二酚、叔丁基鄰苯二酚、連苯三酚、沒食子酸等)、三唑類化合物(例如苯并三唑等)、含巰基的化合物(例如1-硫甘油、2-巰基乙醇等)、糖醇類(例如木糖醇、山梨醇等)等，但并不限定于上述示例。
本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液包含負型及正型光致抗蝕劑，可在堿水溶液中有效用作能顯影的光致抗蝕劑。作為上述光致抗蝕劑，可以舉出(i)含有重氮基萘醌化合物和酚醛清漆樹脂的正型光致抗蝕劑，(ii)含有通過曝光而產生酸的化合物、在酸的作用下分解而對堿水溶液的溶解性增大的化合物及堿可溶性樹脂的正型光致抗蝕劑，(iii)含有通過曝光而產生酸的化合物、具有在酸的作用下分解而對堿水溶液的溶解性增大的基團的堿可溶性樹脂的正型光致抗蝕劑，及(iv)含有在光的作用下產生酸或自由基的化合物、交聯(lián)劑及堿可溶性樹脂的負型光致抗蝕劑等，但是并不限定于此。
由上述(a)～(c)成分組成的本發(fā)明光致抗蝕劑用剝離液特別優(yōu)選用于液晶面板的制造工序、半導體元件的組件(特別是W-CSP)制造工序。
在液晶面板的制造工序中，作為光致抗蝕劑，優(yōu)選上述(i)所述酚醛清漆樹脂類正型光致抗蝕劑。
在半導體元件的組件(特別是W-CSP)制造工序中，作為光致抗蝕劑，優(yōu)選使用上述(iv)所述光固化型負型光致抗蝕劑等通過照射放射線發(fā)生聚合而變得對堿不溶的負型光致抗蝕劑。
在液晶面板的制造工序中使用本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液時，特別優(yōu)選使用TMAH作為(a)成分、使用乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚中的任意1種或1種以上作為(b)成分、單獨使用二甲基亞砜(DMSO)作為(c)成分。
液晶面板的制造工序中優(yōu)選使用的光致抗蝕劑用剝離液各成分的優(yōu)選配合量如下所述。
(a)成分的配合量優(yōu)選為0.1～10質量％、更優(yōu)選為1～10質量％。如果(a)成分的配合量過少，則存在光致抗蝕劑溶解·剝離的效果變差的傾向，另外，即使過多，也無法獲得與配合量增加相適應的效果，或者可能促進金屬布線材料溶解。
(b)成分的配合量優(yōu)選為5～40質量％、更優(yōu)選為15～40質量％。如果(b)成分的配合量過少，則存在無法有效抑制透明絕緣膜(丙烯酸類透明膜)膨潤的傾向，另外，如果過多，則存在光致抗蝕劑的溶解性能不足、光致抗蝕劑殘留顯著的傾向。
(c)成分的配合量優(yōu)選為50～95質量％、更優(yōu)選為50～80質量％。如果(c)成分的配合量過少，則光致抗蝕劑的剝離性可能降低，另外，如果過多，則透明絕緣膜可能發(fā)生膨潤。
在TFT-LCD等液晶面板的制造工序中使用光致抗蝕劑用剝離液時，例如如下所述地進行使用。
即，在玻璃基板上形成具備門電極、漏電極、源電極等的TFT(薄膜晶體管)后，在該玻璃基板整個表面上設置透明絕緣膜，完全覆蓋上述TFT，形成平坦化層。
上述透明絕緣膜只要能用于制造液晶面板即可，沒有特別限定，優(yōu)選使用丙烯酸類透明膜。
接下來，在表面平坦化的透明絕緣膜上，利用濺射法等形成透明導電層。作為透明導電層，例如可以舉出ITO、ITO/IZO等優(yōu)選例。
然后，在其上涂布、干燥光致抗蝕劑涂布液，設置光致抗蝕劑層，將其曝光、顯影，形成光致抗蝕劑圖案后，以該光致抗蝕劑圖案為掩模，蝕刻透明導電層，形成像素電極(透明電極)圖案。
光致抗蝕劑層的形成、曝光、顯影及蝕刻處理均為慣用方法，沒有特別限定。蝕刻可以使用濕式蝕刻、干式蝕刻中的任一種。
光致抗蝕劑涂布液沒有特別限定，優(yōu)選使用上述酚醛清漆類正型光致抗蝕劑。
然后，利用本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液對上述光致抗蝕劑圖案進行剝離處理。使用本發(fā)明剝離液的剝離處理通常利用浸漬法、噴淋法等加以實施。剝離處理時間只要是足以完成剝離的時間即可，沒有特別限定，優(yōu)選1～20分鐘左右。
需要說明的是剝離處理后，也可以實施慣用的使用純水或低級醇等的淋洗處理及干燥處理。
上述剝離處理中，光致抗蝕劑用剝離液接觸丙烯酸類透明膜，但是，本發(fā)明的剝離液對丙烯酸類透明膜無膨潤、著色等不良影響，可以有效地剝離除去光致抗蝕劑圖案。因此，無透明電極被剝離等不良情況，另外，也不損害透明性。
在半導體元件的組件(特別是W-CSP)制造工序中使用本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液時，特別優(yōu)選使用TMAH作為(a)成分、使用丙二醇作為(b)成分、使用二甲基亞砜(DMSO)單獨溶劑或由二甲基亞砜(DMSO)和N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)組成的、DMSO/NMP＝1.9或1.9以上(質量比)、優(yōu)選為5.5或5.5以上(質量比)、更優(yōu)選為7.0或7.0以上(質量比)的混合溶劑作為(c)成分。通過單獨使用DMSO、或使用將DMSO按特定配合量或該配合量以上的比例與NMP混合而成的溶劑，使用負型光致抗蝕劑時的光致抗蝕劑剝離性特別優(yōu)良。DMSO/NMP不足1.9(質量比)時，光致抗蝕劑的剝離性差，光致抗蝕劑剝離殘留。
半導體元件的組件制造工序中優(yōu)選使用的光致抗蝕劑用剝離液的各成分的優(yōu)選配合量如下所述。
(a)成分的配合量優(yōu)選為0.5～5質量％、更優(yōu)選為0.5～3質量％。如果(a)成分的配合量過少，則存在光致抗蝕劑溶解·剝離的效果變差的傾向，另外，如果過多，則可能促進銅的溶解。
(b)成分的配合量優(yōu)選為5～30質量％、更優(yōu)選為5～15質量％。如果(b)成分的配合量過少，則存在銅被腐蝕的傾向，而如果過多，則存在光致抗蝕劑的溶解性能不足、光致抗蝕劑殘留顯著的傾向。
(c)成分的配合量優(yōu)選為65～95質量％、更優(yōu)選為70～90質量％。(c)成分的配合量過少或過多，均可能導致剝離性降低。
在半導體元件的組件(特別W-CSP)制造工序中使用光致抗蝕劑用剝離液時，例如如下所述地進行使用。
即，在具有鈍化膜(絕緣膜)的硅晶片等基板上利用濺射法等形成導電性金屬薄膜。特別是在W-CSP制造工序中，導電性金屬薄膜優(yōu)選銅(Cu)薄膜。需要說明的是本發(fā)明中的銅(Cu)不僅包括純銅，也包括以銅為主成分的銅合金中的任一種。
然后，在上述銅薄膜上設置正型光致抗蝕劑圖案，以此為掩模蝕刻銅薄膜，形成銅重布線圖案。形成單層～多層絕緣膜/重布線圖案。
然后，在具有上述銅重布線圖案的基板上熱壓合由負型光致抗蝕劑組成的感光性干膜，對其進行選擇性曝光、顯影處理，形成厚膜光致抗蝕劑圖案(光固化圖案)。然后，利用電鍍法在未形成該光致抗蝕劑圖案的部分形成銅端子(凸點)后，用剝離液除去光致抗蝕劑圖案。上述光固化圖案也取決于形成的銅端子的高度，通常為20～150μm。銅端子的高度通常為20μm或20μm以上。
接下來，利用本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液對上述光致抗蝕劑圖案進行剝離處理。使用本發(fā)明剝離液的剝離處理通常利用浸漬法、噴淋法等加以實施。剝離處理時間只要是足以完成剝離的時間即可，沒有特別限定，由于與正型光致抗蝕劑相比，溶解·剝離困難，而且剝離厚膜光致抗蝕劑圖案，因此優(yōu)選為30～90分鐘左右。
然后，用封固樹脂封固基板整個表面，完全覆蓋銅端子后，一同切削封固樹脂和銅端子上部。接下來，在切削露出的銅端子頂部軟釬焊導電性端子(銅端子)后，將晶片單片化成組件而制成。
在上述剝離處理中，通過使用本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液，即使在使用不易剝離的負型光致抗蝕劑，而且為了形成具有某一特定值或特定值以上高度的銅端子(凸點)而形成更難剝離的厚膜光致抗蝕劑圖案的情況下，光致抗蝕劑剝離性也極其優(yōu)良，且對銅無腐蝕，另外也未見銅的溶解性。
實施例以下通過實施例更詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實施例的任何限定。
實施例1～5、比較例1～4調制下述表1所示組成的剝離液。以其為試料，利用下述試驗方法，評價光致抗蝕劑的剝離性、對丙烯酸類透明膜的損害(膨潤·著色)、金屬布線(Al類布線)材料的腐蝕。結果示于表2。
在硅基板上，利用旋轉器涂布作為由重氮基萘醌化合物和酚醛清漆樹脂組成的正型光致抗蝕劑的TFR-1070(東京應化工業(yè)(株)制)，在110℃下預烘焙90秒鐘，形成膜厚為1.5μm的光致抗蝕劑層。使用曝光裝置NSR-1505G7E((株)尼康制)，經由掩模圖案曝光該光致抗蝕劑層，用2.38質量％氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液進行顯影，形成光致抗蝕劑圖案。然后，在140℃下進行90秒主烘焙。
接下來，將具有在上述條件下形成的光致抗蝕劑圖案的基板在下述表1所示光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸漬1分鐘后，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察，按下述評價基準評價光致抗蝕劑的剝離性。
(評價)S光致抗蝕劑完全被除去A雖然很少，但是可見光致抗蝕劑殘渣B可見光致抗蝕劑殘留[對丙烯酸類透明膜的損害(膨潤·著色)]在硅基板上，用旋轉器涂布丙烯酸類透明膜，在95℃下預烘焙110秒鐘后，在G線、H線、I線實施全面曝光，再在230℃下烘焙30分鐘。
將上述處理基板在下述表1所示光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸漬5分鐘，用薄膜厚度量測儀測定膨潤程度、著色程度，按下述評價基準進行評價(評價)
S膨潤·著色非常小A膨潤·著色小B可見大的膨潤·著色[Al類布線材料的腐蝕]在硅基板上形成Al-Si-Cu層(150nm厚)后，將該基板在下表1所示光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸漬10分鐘，測定薄層電阻值，由該結果求出Al-Si-Cu層的膜減少量(蝕刻量)，按下述評價基準評價對Al-Si-Cu層的防腐蝕性。
需要說明的是薄層電阻值的測定使用VR-70(國際電氣(株)制)進行測定。
(評價)A未見腐蝕B可見腐蝕表1

注TMAH氫氧化四甲基銨；EG乙二醇；PG丙二醇；DMSO二甲基亞砜；BDG二甘醇一丁基醚(＝丁基卡必醇)
表2

實施例6～10、比較例5～8調制下表3所示組成的剝離液。以其為試料，利用下述試驗方法，評價光致抗蝕劑的剝離性、銅的溶解、銅的氧化。結果示于表4。
在銅濺射膜上形成了銅重布線的晶片上層合由負型光致抗蝕劑組成的感光性干膜(“ORDYL”；東京應化工業(yè)(株)制)。經由掩模圖案將該負型感光性干膜選擇性曝光，用碳酸鈉溶液進行顯影，形成光致抗蝕劑圖案(膜厚120μm)。
然后，通過電解電鍍，在未形成光致抗蝕劑圖案的部分形成銅端子(高度120μm)。
將上述處理基板在下表3所示的光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸潰60分鐘后，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察，基于下述評價基準評價光致抗蝕劑的剝離性。
(評價)S光致抗蝕劑被完全除去A雖然很少，但是可見光致抗蝕劑殘渣B可見光致抗蝕劑殘留[銅的溶解]將形成了銅濺射膜的基板在下表3所示的光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸漬60分鐘后，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察，按下述評價基準評價表面狀態(tài)、溶解程度。
(評價)S未發(fā)生銅溶解A雖然很少，但是可見銅溶解B可見銅溶解[銅的氧化]將形成了銅濺射膜的基板在下表3所示光致抗蝕劑用剝離液(60℃)中浸漬60分鐘后，測定銅濺射膜的薄層電阻值，評價氧化程度。結果示于表4。需要說明的是薄層電阻值的測定使用VR-70(國際電氣(株)制)進行測定。
(評價)S銅氧化少A雖然很少，但是可見銅氧化B可見銅氧化表3

注TMAH氫氧化四甲基銨；PG丙二醇；DMSO二甲基亞砜；NMPN-甲基-2-吡咯烷酮表4

由表2、4的結果可知，本發(fā)明的光致抗蝕劑剝離液對液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸類透明膜不發(fā)生膨潤·著色等不良情況，且光致抗蝕劑剝離性優(yōu)良，同時W-CSP組件制造工序中使用的厚膜負型光致抗蝕劑的剝離也優(yōu)良，另外對銅的防腐性優(yōu)良。
如上所述，本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液可以用于液晶面板的制造工序、半導體元件的組件(特別是W-CSP)制造工序中的任一工序，對液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸類透明膜不發(fā)生膨潤·著色等不良情況，不損害電極材料，且光致抗蝕劑剝離性優(yōu)良，同時對W-CSP制造工序中使用的厚膜負型光致抗蝕劑的剝離性、抑制對銅造成損害的效果也優(yōu)良。
權利要求
1.一種光致抗蝕劑用剝離液，實質上由下述成分組成(a)季銨氫氧化物，(b)從二元醇類、二元醇醚類中選出的至少1種水溶性有機溶劑，(c)非胺類水溶性有機溶劑。
2.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，(a)成分為下述通式(I)表示的化合物， 式中，R1、R2、R3、R4分別獨立地表示碳原子數(shù)1～6的烷基或羥烷基。
3.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，(b)成分為從乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚中選出的至少1種。
4.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，(c)成分為二甲基亞砜。
5.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，(c)成分是二甲基亞砜單獨溶劑、或由二甲基亞砜和N-甲基-2-吡咯烷酮組成的按質量比計DMSO/NMP＝1.9或1.9以上的混合溶劑。
6.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，使用二甲基亞砜(DMSO)作為(c)成分，含有0.1～10質量％的(a)成分、5～40質量％的(b)成分、50～95質量％的(c)成分。
7.如權利要求1所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，作為(c)成分是二甲基亞砜單獨溶劑、或由二甲基亞砜和N-甲基-2-吡咯烷酮組成的按質量比計DMSO/NMP＝1.9或1.9以上的混合溶劑，含有0.5～5質量％的(a)成分、5～30質量％的(b)成分、65～95質量％的(c)成分。
8.如權利要求6所述的光致抗蝕劑用剝離液，所述光致抗蝕劑用剝離液是液晶面板的制造工序中使用的光致抗蝕劑用剝離液，用于剝離在設置于玻璃基板上的透明絕緣膜面上形成的光致抗蝕劑圖案。
9.如權利要求8所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，透明絕緣膜為丙烯酸類透明膜。
10.如權利要求7所述的光致抗蝕劑用剝離液，所述光致抗蝕劑用剝離液是半導體元件的組件制造工序中使用的光致抗蝕劑用剝離液，用于剝離在具有金屬薄膜的基板上未形成光致抗蝕劑圖案的部分即金屬薄膜露出部上形成導電層后的光致抗蝕劑圖案。
11.如權利要求10所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，金屬薄膜及導電層由銅組成。
12.如權利要求10所述的光致抗蝕劑用剝離液，其中，光致抗蝕劑圖案是使用通過照射放射線發(fā)生聚合而對堿不溶的負型光致抗蝕劑組合物形成的光固化圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了由(a)季銨氫氧化物(例如氫氧化四甲基銨等)、(b)從二元醇類、二元醇醚類中選出的至少1種水溶性有機溶劑(例如丙二醇、乙二醇、二甘醇一丁基醚等)、(c)非胺類水溶性有機溶劑(例如二甲基亞砜、N－甲基－2－吡咯烷酮等)組成的光致抗蝕劑用剝離液。本發(fā)明的光致抗蝕劑用剝離液對液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸類透明膜不發(fā)生膨潤·著色等不良情況，對電極材料無損害，且光致抗蝕劑剝離性優(yōu)良，同時對半導體元件的組件(特別是晶片水平芯片尺寸組件(W－CSP))制造工序中使用的厚膜負型光致抗蝕劑(感光性干膜)的剝離性、抑制對銅造成損害的效果也優(yōu)良。
文檔編號G03F7/42GK1873543SQ20061008024
公開日2006年12月6日 申請日期2006年5月12日 優(yōu)先權日2005年5月12日
發(fā)明者橫井滋, 山之內篤史 申請人:東京應化工業(yè)株式會社