專利名稱：主動組件數(shù)組基板及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種組件數(shù)組基板及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種主動組件數(shù)組基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)主要由薄膜晶體管數(shù)組基板、彩色濾光數(shù)組基板和液晶層所構(gòu)成，其中薄膜晶體管數(shù)組基板是由多個數(shù)組排列的薄膜晶體管以及與每一個薄膜晶體管對應配置的畫素電極(pixel electrode)所組成。而薄膜晶體管是用來作為液晶顯示單元的開關(guān)組件。此外，為了控制個別的畫素單元，通常會經(jīng)由掃描線(scan line)與數(shù)據(jù)線(date line)以選取特定的畫素，并通過由提供適當?shù)牟僮麟妷?，以顯示對應此畫素的顯示資料。另外，上述的畫素電極的部分區(qū)域通常會覆蓋于掃描線或是共享線(common line)上，以形成儲存電容?，F(xiàn)有技術(shù)中，常見的儲存電容可區(qū)分為金屬層-絕緣層-金屬層(metal-insulator-metal，MIM)以及金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(metal-insulator-ITO，MII)兩種架構(gòu)，以下將針對上述兩種架構(gòu)的儲存電容結(jié)構(gòu)進行詳細的說明。
圖1繪示為現(xiàn)有金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。請參照圖1，在現(xiàn)有的畫素結(jié)構(gòu)中，金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容Cst通常是通過由掃描線或共享線100與其上方的上電極120耦合而成。值得注意的是，在金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容中，掃描線或共享線100與上電極120是通過由柵極絕緣層110彼此電性絕緣，因此儲存電容值Cst與柵極絕緣層110的厚度有關(guān)。換言之，柵極絕緣層110的厚度越小，儲存電容值Cst就越大。此外，畫素電極140是通過由保護層130中的接觸窗132與上電極120電性連接。
圖2繪示為現(xiàn)有金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。請參照圖2，在現(xiàn)有的畫素結(jié)構(gòu)中，金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容通常是通過由掃描線或共享線200與其上方的畫素電極230耦合而成。與金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構(gòu)不同的處在于，金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容中的掃描線或共享線200與畫素電極230是通過由柵極絕緣層210與保護層220彼此電性絕緣，因此儲存電容值Cst與柵極絕緣層210及保護層220的總厚度有關(guān)。換言之，柵極絕緣層210及保護層220的總厚度越小，儲存電容值Cst就越大。
隨著面板尺寸的增加，掃描線所傳輸?shù)男盘栐饺菀滓騌C效應而產(chǎn)生電壓波形的延遲(delay)與失真(distortion)。此時，部分畫素電極會有充電不足或因回踢電壓(feed-through voltage)而得到錯誤的數(shù)據(jù)信號，因此畫面兩側(cè)便出現(xiàn)亮度不均的情形以及閃爍(flicker)。為了解決上述的問題，儲存電容值Cst就必須進行調(diào)整。然而，在現(xiàn)有的薄膜晶體管數(shù)組基板中，若要在不影響開口率的前提下增加儲存電容值Cst，則必須直接縮減柵極絕緣層210及/或保護層220的整體厚度。特別地，若直接縮減柵極絕緣層210及/或保護層220的整體厚度則有可能使得薄膜晶體管的組件可靠性(reliability)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種主動組件數(shù)組基板的制造方法，以形成出具有兩種以上的儲存電容的主動組件數(shù)組基板。
此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種主動組件數(shù)組基板，其具有兩種以上的儲存電容。
為達上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種主動組件數(shù)組基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，提供一基板，且基板上已形成多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件、多條共享線、一第一介電層與一第二介電層。這些掃描線與這些數(shù)據(jù)線在基板上定義出多個畫素區(qū)域，而這些共享線配置于基板上，各主動組件分別通過由相對應的掃描線與數(shù)據(jù)線控制，且第一介電層由各主動組件中延伸至這些畫素區(qū)域上方，而第二介電層覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線、共享線、主動組件與第一介電層。然后，提供一半色調(diào)光罩(half tone mask)，并利用此半色調(diào)光罩移除部分第二介電層，以形成多個接觸窗，并在部分各畫素區(qū)域上的共享在線方形成一凹陷。再來，在各畫素區(qū)域上方形成一畫素電極，而畫素電極與共享線耦合成一儲存電容，且各畫素電極經(jīng)由相對應的接觸窗電性連接至主動組件，其中這些儲存電容區(qū)分為兩種以上。
在本發(fā)明的一實施例中，各畫素區(qū)域上方的凹陷與共享線的重迭面積可以是自這些共享線的一端往另一端逐漸減少。
在本發(fā)明的一實施例中，各共享線可以是具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且這些分支與這些數(shù)據(jù)線平行。
在本發(fā)明的一實施例中，形成這些接觸窗與凹陷的步驟可以是利用半色調(diào)光罩在第二介電層上形成一圖案化光阻層。然后，以圖案化光阻層為罩幕，移除部分第二介電層，以形成這些接觸窗，并在部分共享在線方形成凹陷。接著，移除圖案化光阻層。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成凹陷的步驟可以是移除部分共享線上方的第二介電層的部分厚度。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成凹陷的步驟可以是完全移除部分共享線上方的第二介電層。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的形成凹陷的步驟可以是完全移除部分共享線上方的第二介電層與移除第一介電層的部分厚度。
為達上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種主動組件數(shù)組基板，其上述的主動組件數(shù)組基板的制造方法所制成。此主動組件數(shù)組基板包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多條共享線、多個主動組件、多個畫素電極、一第一介電層與一第二介電層，其中掃描線、數(shù)據(jù)線與共享線均配置于基板上，且掃描線與數(shù)據(jù)線在基板上定義出多個畫素區(qū)域。此外，共享線與掃描線交替配置于基板上。這些主動組件分別配置于這些畫素區(qū)域上，且各主動組件通過由相對應的掃描線與數(shù)據(jù)線控制。這些畫素電極分別配置于畫素區(qū)域上，而各畫素電極與相對應的主動組件電性連接，且各畫素電極與相對應的共享線耦合成一儲存電容。第一介電層由各主動組件中延伸至這些畫素電極下方，而第二介電層覆蓋這些主動組件，并由這些主動組件上方延伸至這些畫素電極下方，且第二介電層具有多個凹陷，其位于部分共享線上方。再者，上述的儲存電容區(qū)分為兩種以上，且各凹陷與共享線之間的最小距離小于相對應的主動組件中第一介電層與第二介電層的厚度總和。
在本發(fā)明的一實施例中，各畫素區(qū)域上方的凹陷與共享線的重迭面積可以是自這些共享線的一端往另一端逐漸減少。
在本發(fā)明的一實施例中，各共享線可以是具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且這些分支與這些數(shù)據(jù)線平行。
在本發(fā)明的一實施例中，凹陷與共享線之間的最小距離大于主動組件中第一介電層的厚度。
在本發(fā)明的一實施例中，凹陷與共享線之間的最小距離等于主動組件中第一介電層的厚度。
在本發(fā)明的一實施例中，凹陷與共享線之間的最小距離小于主動組件中第一介電層的厚度。
基于上述，本發(fā)明采用半色調(diào)光罩同時形成接觸窗與凹陷，因此通過由調(diào)整凹陷的深度或凹陷與畫素電極之間的重迭面積便能在同一基板上形成出兩種以上的儲存電容，以改善大尺寸面板所產(chǎn)生的RC延遲效應。
綜上所述，本發(fā)明的主動組件數(shù)組基板及其制造方法至少具有下列優(yōu)點一、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明利用半色調(diào)光罩同時形成接觸窗與凹陷，而畫素電極覆蓋于凹陷上，因此通過由調(diào)整凹陷的深度或凹陷與畫素電極之間的重迭面積便能在同一基板上形成出兩種以上的儲存電容，以改善大尺寸面板所產(chǎn)生的RC延遲效應。
二、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在不增加光罩數(shù)的情況下能夠增加單位面積的儲存電容值。
三、相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在不改變開口率的情況下具有較高的儲存電容值。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1繪示為現(xiàn)有金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖；圖2繪示為現(xiàn)有金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖；圖3A至圖3I繪示依照本發(fā)明第一較佳實施例的主動組件數(shù)組基板的制造方法的剖面示意圖；圖4繪示依照本發(fā)明第一較佳實施例的主動組件數(shù)組基板的俯視示意圖；
圖5繪示依照本發(fā)明第二實施例的主動組件數(shù)組基板的剖面示意圖；圖6繪示依照本發(fā)明第三實施例的主動組件數(shù)組基板的剖面示意圖。
主要組件符號說明100共享線110柵極絕緣層120上電極130保護層132接觸窗200共享線210柵極絕緣層220保護層230畫素電極310半色調(diào)光罩310a不透光區(qū)310b部分透光區(qū)310c完全透光區(qū)320圖案化光阻層410基板410a畫素區(qū)域420掃描線430資料線440共享線440a分支450主動組件452柵極
454a半導體層454b奧姆接觸層456源極/漏極460接墊470第一介電層480第二介電層480a、480b接觸窗480c、480c’、480c”凹陷490a畫素電極490b透明導電層具體實施方式
本發(fā)明利用半色調(diào)光罩同時形成接觸窗與凹陷，而畫素電極覆蓋于凹陷上，因此畫素電極與共享線便能耦合成一儲存電容。通過由調(diào)整凹陷的深度或凹陷與畫素電極之間的重迭面積便能在同一基板上形成出兩種以上的儲存電容，因此本發(fā)明能夠提高大尺寸的主動組件數(shù)組基板的電性性質(zhì)。以下將以數(shù)個實施例說明本發(fā)明，但其并非用以限定本發(fā)明，熟習此技藝者可依照本發(fā)明的精神對下述各實施例做適當?shù)男揎?，惟其仍屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
第一實施例圖3A至圖3I繪示依照本發(fā)明第一較佳實施例的主動組件數(shù)組基板的制造方法的剖面示意圖。請先參照圖3A，本實施例的主動組件數(shù)組基板的制造方法包括下列步驟首先，在基板410上形成多條掃描線420(如圖4所示)、多個柵極452、多條共享線440與多個接墊460，其中各掃描線420連接接墊460與柵極452之間，而接墊460適于與驅(qū)動芯片(未繪示)電性連接。此外，掃描線420、柵極452、共享線440與接墊460例如是同時形成。舉例而言，形成掃描線420、柵極452、共享線440與接墊460的步驟例如是先以濺鍍(sputtering)工藝或物理氣相沉積(physicsvapor deposition，PVD)工藝在基板410上形成一導體材料層(未繪示)。此導體材料層的材質(zhì)例如是鉻、鋁、鋁合金或其它材質(zhì)。然后，再對于此導體材料層進行圖案化工藝(包括微影工藝與蝕刻工藝)，以形成掃描線420、柵極452、共享線440與接墊460。另外，基板410例如為玻璃基板、塑料基板或是其它材質(zhì)基板。
請參照圖3B，在基板410上形成一第一介電層470，其中第一介電層470是覆蓋掃描線420、柵極452、共享線440與接墊460。此外，形成第一介電層470的方法例如是化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)工藝或電漿加強化學氣相沉積(plasma enhanced CVD，PECVD)工藝。另外，第一介電層470的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或是其它介電材質(zhì)。
請參照圖3C，在第一介電層470上依序形成一半導體材料層(未繪示)與一奧姆接觸材料層(未繪示)，然后對于此半導體材料層與奧姆接觸材料層進行圖案化工藝(包括微影工藝與蝕刻工藝)，以形成半導體層454a與奧姆接觸層454b。此外，半導體層454a的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)，而奧姆接觸層454b的材質(zhì)例如為n型摻雜的非晶硅(n-type doped amorphous silicon)。
請參照圖3D，在基板410上形成多個源極/漏極456與多條資料線430(如圖4所示)，其中源極/漏極456位于奧姆接觸層454b上，并與數(shù)據(jù)線430電性連接。更詳細而言，形成源極/漏極456與數(shù)據(jù)線430的步驟例如是先以濺鍍工藝或物理氣相沉積工藝在基板410上形成一導體材料層(未繪示)。然后，再對于此導體材料層進行圖案化工藝，以形成源極/漏極456與資料線430。此外，源極/漏極456與數(shù)據(jù)線430的材質(zhì)例如是鉻、鋁、鋁合金或其它導體材質(zhì)。
請參照圖3E，然后，以源極/漏極456為屏蔽移除部分奧姆接觸層454b，也就是進行背通道蝕刻(Back Channel Etching，BCE)工藝。至此，大致完成主動組件450的制作。
請參照圖3F，在基板410上形成一第二介電層480，以覆蓋源極/漏極456、數(shù)據(jù)線430與接墊460。舉例而言，形成第二介電層480的方式例如是化學氣相沉積工藝或電漿加強化學氣相沉積工藝。此外，第二介電層480的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或是其它介電材質(zhì)。
值得注意的是，雖然本實施例以3道光罩形成圖3F所示的結(jié)構(gòu)，然而本發(fā)明并不限定形成圖3F所示的結(jié)構(gòu)所需的光罩數(shù)。
請參照圖3G，然后，利用一半色調(diào)光罩310在第二介電層480上形成一圖案化光阻層320。更詳細而言，圖案化光阻層320的步驟例如是在基板410上形成一光阻材料層(未繪示)。然后，利用于此半色調(diào)光罩310對于此光阻材料層進行曝光工藝與顯影工藝，以形成圖案化光阻層320。
由于半色調(diào)光罩310可以區(qū)分為不透光區(qū)310a、部分透光區(qū)310b、完全透光區(qū)310c，其中部分透光區(qū)310b的透光率介于不透光區(qū)310a與完全透光區(qū)310c的透光率之間，因此各區(qū)域上的圖案化光阻層320的厚度便不相同。舉例而言，圖案化光阻層320便暴露出源極/漏極456上方的第二介電層480的部分表面與接墊460上方的第二介電層480的部分表面。
值得注意的是，由于部分透光區(qū)310b的位置對應于共享線440，因此在共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度小于其它部分的圖案化光阻層320的厚度。此外，本實施例的半色調(diào)光罩310也可是可調(diào)變透過率的光罩(transmittance modulation mask)或其它能夠形成出不同厚度的圖案化光阻層(如圖3G所示)的光罩。
請參照圖3H，以圖案化光阻層320為罩幕，進行蝕刻工藝直到形成出凹陷480c、接觸窗480a與480b。此時，接觸窗480a暴露出源極/漏極456的部分表面，且接觸窗480b暴露出接墊460的部分表面，其中接墊460作為蝕刻終止層。此外，凹陷480c位于共享線440上方，且在本實施例中，在共享線440上方尚有第一介電層470。值得注意的是，本實施例并不限定所有的共享線440上方都需形成凹陷480c，且這些凹陷480c的面積與深度也不限定均需相同，其詳述如后。
請參照圖3I，在移除圖案化光阻層320之后，在基板410上形成畫素電極490a與透明導電層490b，其中畫素電極490a經(jīng)由接觸窗480a電性連接至源極/漏極456，且畫素電極490a與共享線440耦合為一儲存電容。此外，透明導電層490b經(jīng)由接觸窗480b電性連接至接墊460。
由上述工藝可知，共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度將決定凹陷480c的深度。此外，凹陷480c的深度或凹陷480c與畫素電極490a的重迭面積將可形成具有不同儲存電容。換言之，本實施例所制造出的主動組件數(shù)組基板能夠區(qū)分出兩種以上的儲存電容。
圖4繪示依照本發(fā)明第一較佳實施例的主動組件數(shù)組基板的俯視示意圖。請同時參考圖4與圖3I，主動組件數(shù)組基板400包括一基板410、多條掃描線420、多條資料線430、多條共享線440、多個主動組件450、多個畫素電極490a、一第一介電層470與一第二介電層480，其中掃描線420、數(shù)據(jù)線430與共享線440均配置于基板410上，且掃描線420與數(shù)據(jù)線430在基板410上定義出多個畫素區(qū)域410a。此外，共享線440與掃描線420大致平行，且共享線440與掃描線420交替配置于基板410上。在本實施例中，各共享線440可以是具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支440a，且這些分支440a與這些資料線430大致平行。然而，本發(fā)明并不限定共享線440需具有分支440a。這些主動組件450分別配置于這些畫素區(qū)域410a上，且各主動組件450通過由相對應的掃描線420與數(shù)據(jù)線430控制。另外，雖然本實施例以主動組件450為薄膜晶體管為例進行說明，但主動組件450并不限定為薄膜晶體管。
這些畫素電極490a分別配置于畫素區(qū)域410a上，而各畫素電極490a經(jīng)由接觸窗480a與相對應的主動組件450電性連接，且各畫素電極490a與相對應的共享線440耦合成一儲存電容。此外，第一介電層470由各主動組件450中延伸至這些畫素電極490a下方，而第二介電層480覆蓋這些主動組件450，并由這些主動組件450上方延伸至這些畫素電極490a下方，且第二介電層480具有多個凹陷480c，其位于部分共享線440上方。在本實施例中，所有的儲存電容區(qū)至少分為兩種以上。另外，各凹陷480c與共享線440之間的最小距離小于相對應的主動組件450中第一介電層470與第二介電層480的厚度總和。
值得注意的是，當各畫素區(qū)域410a上的凹陷480c與畫素電極490a的重迭面積不同時，各畫素區(qū)域410a上的儲存電容便不相同。因此，當主動組件數(shù)組基板400的尺寸逐漸加大時，各畫素區(qū)域410a上的儲存電容由掃瞄線420的信號輸入端往另一端的逐漸變大，以改善RC延遲效應。換言之，各畫素區(qū)域410a上方的凹陷480c與共享線440的重迭面積可以是自這些共享線440的一端往另一端逐漸減少。然而，各畫素區(qū)域410a上的儲存電容也可以由不同型態(tài)的分布，以改善RC延遲效應。
此外，本發(fā)明在不增加工藝步驟的情況下能夠形成出具有兩種以上儲存電容的主動組件數(shù)組基板400。另外，在不影響開口率(aperture ratio)的情況下，本發(fā)明能夠提供多種儲存電容。
第二實施例圖5繪示依照本發(fā)明第二實施例的主動組件數(shù)組基板的剖面示意圖。請參照圖5與圖3G，第二實施例與第一實施例相似，故此處僅針對二者的差異處進行詳細的說明。通過由調(diào)整共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度便能決定共享線440上方的凹陷480c’的深度。舉例而言，調(diào)整半色調(diào)光罩310的部分透光區(qū)310b的透光率便能改變共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度?；蛘撸诓蛔兏肷{(diào)光罩310的設計的情況下，改變圖案化光阻層320的整體厚度也能改變共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度。
請參照圖5，在形成接觸窗480a與480b之后，凹陷480c’與共享線440之間的最小距離小于主動組件450中第一介電層470的厚度。換言之，由于畫素電極490a與共享線440之間的距離較短，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)，在不增加光罩數(shù)量下，本實施例能夠制造出較大的儲存電容。同樣地，同一條掃描線420上各畫素區(qū)域410a上的儲存電容也可以是自掃描線420的信號輸入端往另一端逐漸增加。
第三實施例圖6繪示依照本發(fā)明第三實施例的主動組件數(shù)組基板的剖面示意圖。請參照圖6，第三實施例與第一實施例相似，故此處僅針對二者的差異處進行詳細的說明。通過由調(diào)整共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度便能決定共享線440上方的凹陷480c”的深度。舉例而言，調(diào)整半色調(diào)光罩310的部分透光區(qū)310b的透光率便能改變共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度?；蛘?，在不變更半色調(diào)光罩310的設計的情況下，改變圖案化光阻層320的整體厚度也能改變共享線440上方的圖案化光阻層320的厚度。
請參照圖6，在形成接觸窗480a與480b之后，凹陷480c”與共享線440之間的最小距離大于主動組件450中第一介電層470的厚度。換言之，由于畫素電極490a與共享線440之間的距離較短，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)，在不增加光罩數(shù)量下，本實施例能夠制造出較大的儲存電容。同樣地，同一條掃描線420上各畫素區(qū)域410a上的儲存電容也可以是自掃描線420的信號輸入端往另一端逐漸增加。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于包括提供一基板，該基板上已形成多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件、多條共享線、一第一介電層與一第二介電層，其中該掃描線與該數(shù)據(jù)線在該基板上定義出多個畫素區(qū)域，而該共享線配置于該基板上，各該主動組件分別通過由相對應的該掃描線與該數(shù)據(jù)線控制，且該第一介電層由各該主動組件中延伸至該畫素區(qū)域上方，而該第二介電層覆蓋該掃描線、該數(shù)據(jù)線、該共享線、該主動組件與該第一介電層；提供一半色調(diào)光罩，并利用該半色調(diào)光罩移除部分該第二介電層，以形成多個接觸窗，并在部分各該畫素區(qū)域上的該共享在線方形成一凹陷；以及在各該畫素區(qū)域上方形成一畫素電極，而該畫素電極與該共享線耦合成一儲存電容，且各該畫素電極經(jīng)由相對應的該接觸窗電性連接至該主動組件，其中該儲存電容區(qū)分為兩種以上。
2.如權(quán)利要求1所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，所述各該畫素區(qū)域上方的該凹陷與該共享線的重迭面積自該共享線的一端往另一端逐漸減少。
3.如權(quán)利要求1所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，所述各該共享線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且該分支與該數(shù)據(jù)線平行。
4.如權(quán)利要求1所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，形成該接觸窗與該凹陷的步驟包括利用該半色調(diào)光罩在該第二介電層上形成一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為罩幕，移除部分該第二介電層，以形成該接觸窗，并在部分該共享在線方形成該凹陷；以及移除該圖案化光阻層。
5.如權(quán)利要求4所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，形成該凹陷的步驟包括移除部分該共享線上方的該第二介電層的部分厚度。
6.如權(quán)利要求4所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，形成該凹陷的步驟包括完全移除部分該共享線上方的該第二介電層。
7.如權(quán)利要求4所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法，其特征在于，形成該凹陷的步驟包括完全移除部分該共享線上方的該第二介電層與移除該第一介電層的部分厚度。
8.一種主動組件數(shù)組基板，依據(jù)權(quán)利要求1所述的主動組件數(shù)組基板的制造方法所制成，其特征在于該主動組件數(shù)組基板包括一基板；多條掃描線，配置于該基板上；多條數(shù)據(jù)線，配置于該基板上，其中該掃描線與該數(shù)據(jù)線在該基板上定義出多個畫素區(qū)域；多條共享線，配置于該基板上，且該共享線與該掃描線交替配置于該基板上；多個主動組件，分別配置于該畫素區(qū)域上，且各該主動組件通過由相對應的該掃描線與該數(shù)據(jù)線控制；多個畫素電極，分別配置于該畫素區(qū)域上，而各該畫素電極與相對應的該主動組件電性連接，且各該畫素電極與相對應的該共享線耦合成一儲存電容；一第一介電層，由各該主動組件中延伸至該畫素電極下方；以及一第二介電層，覆蓋該主動組件，并由該主動組件上方延伸至該畫素電極下方，且該第二介電層具有多個凹陷，位于部分該共享線上方，其中該儲存電容區(qū)分為兩種以上，且各該凹陷與該共享線之間的最小距離小于相對應的該主動組件中該第一介電層與該第二介電層的厚度總和。
9.如權(quán)利要求8所述的主動組件數(shù)組基板，其特征在于，各該畫素區(qū)域上方的該凹陷與該共享線的重迭面積自該共享線的一端往另一端逐漸減少。
10.如權(quán)利要求8所述的主動組件數(shù)組基板，其特征在于，各該共享線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且該分支與該數(shù)據(jù)線平行。
11.如權(quán)利要求8所述的主動組件數(shù)組基板，其特征在于，所述該凹陷與該共享線之間的最小距離大于該主動組件中該第一介電層的厚度。
12.如權(quán)利要求8所述的主動組件數(shù)組基板，其特征在于，所述該凹陷與該共享線之間的最小距離等于該主動組件中該第一介電層的厚度。
13.如權(quán)利要求8所述的主動組件數(shù)組基板，其特征在于，所述該凹陷與該共享線之間的最小距離小于該主動組件中該第一介電層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明一種主動組件數(shù)組基板的制造方法。提供一基板，且基板上已形成多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個主動組件、多條共享線、一第一介電層與一第二介電層。各主動組件通過由掃描線與數(shù)據(jù)線控制，且第一介電層由各主動組件中延伸至畫素區(qū)域上方，而第二介電層覆蓋于基板上。利用一半色調(diào)光罩移除部分第二介電層，以形成多個接觸窗，并在部分各畫素區(qū)域上的共享在線方形成一凹陷。在各畫素區(qū)域上方形成一畫素電極，而畫素電極與共享線耦合成一儲存電容，且這些儲存電容區(qū)分為兩種以上。由于同一基板上能夠形成出兩種以上的儲存電容，因此RC延遲效應能夠獲得改善。
文檔編號G02F1/13GK101090095SQ20061008285
公開日2007年12月19日 申請日期2006年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者劉夢騏, 溫佑良 申請人:中華映管股份有限公司