專利名稱：涂敷、顯影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如對半導(dǎo)體晶片或液晶顯示器用的玻璃基板等基板涂敷抗蝕劑并使曝光后的基板顯影的涂敷、顯影裝置。
背景技術(shù)：
通常，使用將曝光裝置連接在進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷和顯影的涂敷、顯影裝置的系統(tǒng)來進(jìn)行在半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)等的基板上得到抗蝕劑圖形的一系列處理。
作為如上所述的那種涂敷、顯影裝置，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了具有如下結(jié)構(gòu)的涂敷、顯影裝置上下配置有容納曝光處理前對晶片實施涂敷處理的組件的涂敷膜形成用模塊(block)和容納曝光處理后對晶片實施顯影處理的組件的顯影用模塊，各模塊的一端與裝載及卸載晶片的端口連接，各模塊的另一端通過接口模塊與曝光裝置連接。該涂敷、顯影裝置中，由于具有這種結(jié)構(gòu)，由此可以使涂敷工序和顯影工序分離進(jìn)行，所以就能夠提高生產(chǎn)率。
近年來，提高了曝光裝置的分辨率，現(xiàn)在，例如通過使用ArF(氟化氬)等作為光源，就能夠以幾十nm(納米)左右的分辨線寬來進(jìn)行曝光處理。但是，因氣壓和氣候等會引起周圍環(huán)境的細(xì)微變化，由此例如光學(xué)系統(tǒng)的保持部件等會膨脹、收縮并敏感地影響到光的聚焦位置，大大地左右了抗蝕劑圖形的精加工。因此，為了始終進(jìn)行穩(wěn)定的曝光處理，就需要例如在一天中頻繁地檢查并調(diào)整曝光裝置。
另一方面，由于存在為了抑制工廠的運行成本而降低超凈間的潔凈等級的傾向，所以就不打開曝光裝置的維護(hù)用門，而通過處理模塊的搬運系統(tǒng)將試驗用的晶片從涂敷、顯影裝置的輸送機(jī)模塊(carrier block)搬運到曝光裝置來進(jìn)行曝光裝置的狀態(tài)檢查。但是，上述專利文獻(xiàn)1中所述的涂敷、顯影裝置中，由于為了將試驗用晶片搬運到曝光裝置就必須利用涂敷膜形成用模塊或顯影用模塊，所以在對涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊進(jìn)行維護(hù)的情況下或在這些模塊產(chǎn)生不合格等情況下，就無法進(jìn)行定期或不定期的曝光裝置的狀態(tài)檢查及調(diào)整。因此，由于在等待涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊的維護(hù)作業(yè)結(jié)束之后，將試驗用的晶片搬運到曝光裝置再進(jìn)行狀態(tài)檢查、調(diào)整，所以不能在模塊維護(hù)后迅速地對產(chǎn)品晶片進(jìn)行處理，結(jié)果就會成為生產(chǎn)率下降的原因之一。
此外還有，在新建半導(dǎo)體的生產(chǎn)線等情況下，縮短裝置的起動是一個重要的課題。但是，專利文獻(xiàn)1的裝置結(jié)構(gòu)中，涂敷膜形成用模塊或顯影用模塊的搬運系統(tǒng)的調(diào)整沒有結(jié)束時，就不能進(jìn)行曝光裝置的調(diào)整，另一方面，由于調(diào)整曝光裝置的調(diào)整項目很多并且需要進(jìn)行微調(diào)整，所以就會花費較長時間，基于此，就存在難于縮短裝置的起動的狀況。
專利文獻(xiàn)1日本專利第3337677號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是在上述情況下作出的，其目的在于，提供一種能夠按所希望的定時進(jìn)行曝光裝置維護(hù)的涂敷、顯影裝置。
本發(fā)明的涂敷、顯影裝置中，將利用輸送機(jī)搬入輸送機(jī)模塊中的基板交付給處理模塊，在此處理模塊中形成含有感光材料膜的涂敷膜，然后，通過接口模塊搬運到曝光裝置，將經(jīng)由上述接口模塊返回來的曝光后的基板在上述處理模塊中進(jìn)行顯影處理，并交付給上述輸送機(jī)模塊，其特征在于，a)上述處理模塊包括分別從輸送機(jī)模塊一側(cè)延伸到接口模塊一側(cè)的、用于形成含有由感光材料形成的涂敷膜的膜的涂敷膜形成用模塊；以及相對于此涂敷膜形成用模塊而層疊的顯影用模塊，b)上述涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊包括用于對基板涂敷藥液的液體處理單元、加熱基板的加熱單元、冷卻基板的冷卻單元、以及在這些單元之間搬運基板的模塊用搬運裝置，c)設(shè)置有直達(dá)搬運裝置，該直達(dá)搬運裝置相對于上述涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊進(jìn)行層疊，用于在輸送機(jī)模塊和接口模塊之間進(jìn)行基板的直達(dá)搬運，d)通過上述直達(dá)搬運裝置，將形成有涂敷膜的基板從輸送機(jī)模塊一側(cè)搬運到接口模塊一側(cè)。
上述涂敷膜形成用模塊也可包含一種層疊體，該層疊體是用于形成抗蝕劑膜的模塊、用于在抗蝕劑膜的下側(cè)形成防反射膜的模塊和用于在上述抗蝕劑膜的上側(cè)形成防反射膜的模塊的層疊體，此外，也可在涂敷膜形成用模塊的下側(cè)設(shè)置顯影用模塊。
上述直達(dá)搬運裝置也可構(gòu)成為在與上述涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊區(qū)分開的搬運模塊內(nèi)移動，在此情況下，例如在顯影用模塊和涂敷膜形成用模塊之間設(shè)置上述搬運模塊。此外，在此搬運模塊中，設(shè)置有例如用于將氣體導(dǎo)入該搬運模塊內(nèi)部并使搬運模塊內(nèi)部成為正壓的氣體導(dǎo)入口。
本發(fā)明的涂敷、顯影裝置也可包括多個交付臺，分別配置并相互層疊成能夠利用涂敷膜形成用模塊中的模塊用搬運裝置、顯影用模塊中的模塊用搬運裝置及直達(dá)搬運裝置來進(jìn)行基板交付；以及升降搬運裝置，進(jìn)行自由升降以便能夠在這些交付臺之間進(jìn)行基板交付；還包括控制基板的搬運的控制部，該控制部構(gòu)成為能夠選擇將用于檢查曝光裝置的狀態(tài)的試驗基板從輸送機(jī)模塊通過直達(dá)搬運裝置搬運到曝光裝置的搬運模式。
此外，在上述處理模塊和接口模塊之間，本發(fā)明的涂敷、顯影裝置設(shè)置有輔助模塊，該輔助模塊包括進(jìn)行涂敷膜形成后曝光處理前和/或曝光處理后顯影處理前的處理的單元、以及用于在這些單元、上述處理模塊及接口模塊之間搬運基板的交付臂；上述直達(dá)搬運裝置包括通過上述處理模塊的第一直達(dá)搬運裝置、以及通過上述輔助模塊的第二直達(dá)搬運裝置；此外，例如在上述輸送機(jī)模塊和處理模塊之間設(shè)置檢查模塊，該檢查模塊包括用于進(jìn)行基板檢查的檢查單元；以及在檢查單元、輸送機(jī)模塊及處理模塊之間搬運基板的交付臂；上述直達(dá)搬運裝置還可包括通過上述檢查模塊的第三直達(dá)搬運裝置和通過上述處理模塊的第一直達(dá)搬運裝置。
根據(jù)本發(fā)明，由于由從各輸送機(jī)模塊一側(cè)延伸到接口模塊一側(cè)的涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊的層疊體構(gòu)成處理模塊，所以實現(xiàn)了設(shè)置空間的減少，并且，由于設(shè)置有用于在輸送機(jī)模塊和接口模塊之間專門進(jìn)行基板的直達(dá)搬運的直達(dá)搬運裝置，所以就能夠同時進(jìn)行曝光裝置、涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊的維護(hù)，實現(xiàn)維護(hù)時間的縮短。此外，由于涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊即使在維護(hù)中，或即使是例如因排氣系統(tǒng)產(chǎn)生故障等引起這些模塊故障時，也能夠?qū)⒂糜跈z查曝光裝置的狀態(tài)的試驗基板通過直達(dá)搬運裝置從輸送機(jī)模塊一側(cè)搬運到曝光裝置，所以就能夠以所希望的定時實施曝光裝置的狀態(tài)檢查。因此，在涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊處于可運轉(zhuǎn)的狀態(tài)后，就能夠快速地轉(zhuǎn)到產(chǎn)品基板的處理，能夠抑制生產(chǎn)率的下降。此外，在裝置的安裝起動時，如果進(jìn)行直達(dá)搬運裝置的調(diào)整，就能夠通過利用此直達(dá)搬運裝置進(jìn)行試驗基板的搬運，從而能使涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊的各搬運裝置的調(diào)整作業(yè)分開地來進(jìn)行曝光裝置的調(diào)整，如果結(jié)束了曝光裝置的調(diào)整，就能夠繼續(xù)設(shè)定顯影條件，結(jié)果就能夠縮短裝置安裝起動的時間。


圖1是表示將本發(fā)明的涂敷、顯影系統(tǒng)適用于涂敷、顯影裝置的實施方式的平面圖。
圖2是表示上述涂敷、顯影裝置的立體圖。
圖3是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)剖圖。
圖4是表示上述涂敷、顯影裝置中的DEV層的顯影單元、棚單元(shelfunit)、主臂及排氣單元的立體圖。
圖5是表示上述涂敷、顯影裝置中的顯影單元的平面圖及縱剖圖。
圖6是上述DEV層的縱斷側(cè)面圖。
圖7是表示上述DEV層中的穿梭臂(shuttle arm)的移動部結(jié)構(gòu)的一個例子的立體圖。
圖8是表示上述涂敷、顯影裝置中的接口臂的一個例子的立體圖。
圖9是表示上述涂敷、顯影裝置中的晶片的搬運路線的示意圖。
圖10是表示本發(fā)明的另一涂敷、顯影裝置結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖11是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)剖圖。
圖12是表示在上述涂敷、顯影裝置中設(shè)置的檢查模塊結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖13是表示在上述涂敷、顯影裝置中設(shè)置的輔助模塊的各個部分的配置的縱斷平面圖。
圖14是表示在上述檢查模塊中設(shè)置疏水化單元的涂敷、顯影裝置結(jié)構(gòu)的一個例子的平面圖。
圖15是上述涂敷、顯影裝置的縱斷平面圖。
具體實施例方式
下面，說明在本發(fā)明的涂敷、顯影裝置上連接有曝光裝置的系統(tǒng)的實施方式。圖1表示此系統(tǒng)的一個實施方式的平面圖，圖2是同一系統(tǒng)的簡略立體圖、圖3是同一系統(tǒng)的簡略側(cè)面圖。此涂敷、顯影裝置設(shè)置在大氣氣氛中的超凈室內(nèi)，包括用于搬入搬出密封容納了13片基板例如作為晶片的晶片W的輸送機(jī)20的輸送機(jī)模塊S1、縱向排列多個例如四個模塊B1～B4及搬運模塊M1所構(gòu)成的處理模塊S2、接口模塊S3和曝光裝置S4。
上述輸送機(jī)模塊S1中設(shè)置有能承載多個上述輸送機(jī)20的承載臺21、自此承載臺21看去設(shè)置在前方壁面上的開閉部22和用于通過開閉部22從輸送機(jī)20取出晶片W的轉(zhuǎn)送臂C。此轉(zhuǎn)送臂C被構(gòu)成為自由進(jìn)退、自由升降、繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)、在輸送機(jī)20的排列方向自由移動，以便在與后述模塊B1及B2的交付臺TRS1～2之間進(jìn)行晶片W的交付。
在輸送機(jī)模塊S1的后側(cè)連接有用殼體24包圍其四周的處理模塊S2。在此例中，處理模塊S2從下側(cè)方向起被分配為用于進(jìn)行顯影處理的第一模塊(DEV層)B1；搬運模塊M1；用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層一側(cè)形成的防反射膜(以下稱為“下部防反射膜”)的形成處理的第二模塊(BCT層)B2；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第三模塊(COT層)B3；以及用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層一側(cè)形成的防反射膜(以下稱為“上部防反射膜”)的形成處理的第四模塊(TCT層)B4。這些模塊B1～B4及搬運模塊M1從輸送機(jī)模塊S1向接口模塊S3延伸。在此，上述DEV層B1相當(dāng)于顯影用模塊，BCT層B2、COT層B3、TCT層B4相當(dāng)于用于形成由感光材料例如由抗蝕劑構(gòu)成的涂敷膜的涂敷膜形成用模塊。再有，各模塊間通過隔離板(基底體)加以區(qū)分。
接著，說明第一～第四模塊B(B1～B4)的結(jié)構(gòu)，在本實施方式中，這些模塊B1～B4包含許多通用部分，各模塊B由大致相同的布局構(gòu)成。因此，參照圖1以DEV層B1為例來進(jìn)行說明。在此DEV層B1的中央部，在橫向上、詳細(xì)地是在DEV層B1的長度方向(圖中Y方向)上，形成用于連接輸送機(jī)模塊S1和接口模塊S3的晶片W的搬運用通路R1。
從此搬運用通路R1的輸送機(jī)模塊S1一側(cè)觀看，在從靠近這一側(cè)(輸送機(jī)模塊S1一側(cè))向后側(cè)的右側(cè)，沿搬運用通路R1設(shè)置有作為液體處理單元的包括用于進(jìn)行顯影液涂敷處理的多個涂敷部的顯影單元3。此外，從輸送機(jī)模塊S1一側(cè)觀看，在從靠近這一側(cè)向后側(cè)的左側(cè)，沿搬運用通路R1順序設(shè)置有使加熱·冷卻系統(tǒng)的熱系統(tǒng)處理單元多級化后的四個棚單元U1、U2、U3、U4。即顯影單元3和棚單元U1～U4隔著搬運用通路R1相對地進(jìn)行排列。棚單元U1～U4按兩級層疊用于在利用顯影單元3中進(jìn)行處理的前處理及后處理的熱系統(tǒng)處理單元，此外，在此棚單元U1～U4的下部層疊設(shè)置有排氣單元5(圖4)。
在上述熱系統(tǒng)處理單元中，包含例如或?qū)ζ毓夂蟮木琖 進(jìn)行加熱處理或為了干燥顯影處理后的晶片W而進(jìn)行加熱處理的加熱單元4、以及用于在此加熱單元4中處理后將晶片W調(diào)整到規(guī)定溫度的冷卻單元等。再有，在本實施方式中，按兩級層疊加熱單元4作為該DEV層B1中的棚單元U1、U2、U3，按兩級層疊冷卻單元作為棚單元U4。
使用圖5簡單地說明上述顯影單元3的結(jié)構(gòu)，在構(gòu)成該顯影單元的殼體30的內(nèi)部排列有作為三個晶片保持部的旋轉(zhuǎn)夾具31，各旋轉(zhuǎn)夾具31構(gòu)成靠驅(qū)動部32繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)且自由升降的結(jié)構(gòu)。此外，在旋轉(zhuǎn)夾具31的周圍設(shè)置杯狀物(cup)33，在該杯狀物33的底面設(shè)置包含排氣管和排水管等的排液部(未圖示)。圖中34是藥液供給噴嘴，此藥液供給噴嘴34被設(shè)計成自由升降，并且被構(gòu)成為通過驅(qū)動部35沿導(dǎo)桿36在Y方向自由移動。
在此顯影單元3中，利用后述的主臂A1，將晶片W通過面向搬運用通路R1設(shè)置的搬運口37搬入殼體30內(nèi)，并交付給旋轉(zhuǎn)夾具31。再有，圖中38是為了防止微粒流入到殼體30內(nèi)而設(shè)置在搬運口37的自由開關(guān)的開閉器。并且，從供給噴嘴34對該晶片W的表面供給顯影液，在晶片W的表面形成顯影液的液膜，此后，利用來自未圖示出的清洗液供給機(jī)構(gòu)的清洗液來沖洗掉晶片W表面的顯影液，此后使晶片W旋轉(zhuǎn)進(jìn)行干燥，由此結(jié)束顯影處理。
接著，簡單說明構(gòu)成棚單元U1～U3的加熱單元4，圖6中40是殼體，在殼體40的內(nèi)部設(shè)置有基臺41。圖中42是晶片W的搬運口，面向搬運用通路R1設(shè)置此搬運口42。圖中43是粗熱拾取用冷卻板，圖中44是熱板。冷卻板43被構(gòu)成為在基臺41處能夠移動到熱板44上。圖中45是整流用板。47、48是由升降機(jī)構(gòu)47a、48a驅(qū)動的升降桿。構(gòu)成如下結(jié)構(gòu)通過升降升降桿47，在主臂A1和冷卻板43之間交付晶片W；利用升降桿48，在熱板44和冷卻板43之間交付晶片W。
再有，雖然省略了對構(gòu)成棚單元U4的冷卻單元的詳細(xì)說明，但其與加熱單元4相同，包括面向搬運用通路R1開有搬運口42的殼體40，并且使用在此殼體40內(nèi)部例如具備水冷方式的冷卻板結(jié)構(gòu)的裝置。
此外，排氣單元5通過使包括在殼體50中面向搬運用通路R1開口的吸引口51和對殼體內(nèi)部的排氣室53內(nèi)部進(jìn)行吸引排氣的排氣管54的排氣室53變成負(fù)壓，由此吸引搬運用通路R1中的氣體，實現(xiàn)微粒的去除。
接著，說明設(shè)置在上述搬運用通路R1中的作為模塊用搬運裝置的主臂A1。此主臂A1被構(gòu)成為在棚單元U1～U4的各處理單元、顯影單元3、后述的棚單元U5的交付臺及棚單元U6的交付臺之間進(jìn)行晶片W的交付。例如，主臂A1包括用于支持晶片W背面一側(cè)周邊區(qū)域的兩根臂體61、62，這些臂體61、62被構(gòu)成為相互獨立地在搬運基體63上自由進(jìn)退。此外，搬運基體63被設(shè)計成在升降基體64上繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)。
圖中65是用于在橫向上對主臂A1進(jìn)行導(dǎo)向的導(dǎo)軌。再有，圖中66是設(shè)置在導(dǎo)軌65上的用于進(jìn)行上述搬運用通路R1排氣的孔，與上述吸引口51重疊進(jìn)行穿孔。圖中67是升降導(dǎo)軌，升降基體64為沿該升降導(dǎo)軌67自由升降的結(jié)構(gòu)。此升降導(dǎo)軌67的下端部潛入例如導(dǎo)軌65的下方，并卡止于用于使該升降導(dǎo)軌67在上述排氣單元5的排氣室53內(nèi)沿上述導(dǎo)軌65移動的驅(qū)動帶55。
在此，參照圖2、圖6及圖7說明搬運模塊M1。在DEV層B1和BCT層B2之間形成有從輸送機(jī)模塊S1向接口模塊S3直行搬運晶片W的搬運模塊M1。此搬運模塊M1包含有通過隔離板70a與DEV層B1的搬運用通路R1隔離開的搬運區(qū)域M2和作為直達(dá)搬運裝置的穿梭臂7。該穿梭臂7由移動部7A和驅(qū)動部7B構(gòu)成，移動部7A被設(shè)計成能夠沿搬運區(qū)域M2進(jìn)行移動。移動部7A例如包括用于支持晶片W的背面一側(cè)周邊區(qū)域的臂體71，此臂體71被構(gòu)成為在搬運基體72上自由進(jìn)退。此外，搬運基體72被設(shè)計為在移動基體73上繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)。再有，此例中，由臂體71、搬運基體72、及移動基體73構(gòu)成移動部7A。再有，如果不限定大小，也可設(shè)置使搬運基體72升降的機(jī)構(gòu)。
驅(qū)動部7B包括殼體70，在殼體70內(nèi)部的排氣室70a中含有用于使上述移動部7A移動的驅(qū)動部(未圖示)。在殼體70的前面設(shè)置有在橫向上延伸的、用于在橫向上對上述移動部7A進(jìn)行導(dǎo)向的導(dǎo)軌74，通過這種結(jié)構(gòu)，穿梭臂7就被構(gòu)成為在設(shè)置于后述棚單元U5的交付臺TRS1B和設(shè)置于棚單元U6的交付臺TRS5B之間直行搬運晶片W，并進(jìn)行交付。
此外，該殼體70包括面向搬運區(qū)域M2開口的吸引口75，在上述導(dǎo)軌74中在橫向隔出間隔設(shè)置孔74a并使其與該吸引口75重疊。當(dāng)面向搬運區(qū)域M2一側(cè)為靠近的一側(cè)時，在上述排氣室70a后側(cè)，在橫向上隔出間隔，并在多個位置開出排氣口77。在排氣口77連接有用于對排氣室70a內(nèi)進(jìn)行吸引排氣的排氣管78。通過該排氣管78，使排氣室70a負(fù)壓化，從而使搬運區(qū)域M2中的氣體流入排氣室70a。
此外，在搬運區(qū)域M2中，在橫向上設(shè)置具備例如角型殼體的氣體導(dǎo)入部79，以便例如覆蓋該搬運區(qū)域M2整個區(qū)域。在該殼體中，例如，在橫向上隔出一定間隔設(shè)置面向搬運區(qū)域M2的氣體導(dǎo)入口(未圖示)，被構(gòu)成為將在氣體導(dǎo)入部79中流通的清潔氣體，通過該氣體導(dǎo)入口例如以放射狀供給到搬運區(qū)域M2。如此，從氣體導(dǎo)入口向搬運區(qū)域M2供給清潔氣體，另一方面，通過上述排氣室70a進(jìn)行搬運區(qū)域M2的排氣，由此可實現(xiàn)搬運區(qū)域M2中的微粒的去除。此外，例如使這種清潔氣體的供給和排氣平衡，通過進(jìn)行使搬運區(qū)域M2中的壓力成為比超凈間內(nèi)的壓力高出一些的壓力(正壓)的控制，就能夠抑制微粒從該涂敷、顯影裝置的外部借助于氣流流入該搬運區(qū)域M2。
與搬運用通路R1及搬運區(qū)域M2中的輸送機(jī)模塊S1鄰接的區(qū)域成為第一晶片交付區(qū)域R2，此區(qū)域R2中，如圖1及圖3所示，在主臂A1、穿梭臂7及轉(zhuǎn)送臂C可訪問(access)的位置處設(shè)置棚單元U5，并且配備用于對此棚單元U5進(jìn)行晶片W交付的升降搬運裝置即交付臂D1。
在此棚單元U5中，從上級起順序在模塊B1中設(shè)置交付臺TRS1B、交付臺TRS1，轉(zhuǎn)送臂C、上述穿梭臂7及交付臂D1可以訪問交付臺TRS1B。主臂A1、轉(zhuǎn)送臂C及交付臂D1可以訪問交付臺TRS1。作為該交付臺TRS1及交付臺TRS1B的結(jié)構(gòu)，例如包括在方形殼體內(nèi)，在該殼體內(nèi)設(shè)置有具備承載晶片W從而將晶片W的溫度調(diào)節(jié)為預(yù)定溫度的機(jī)構(gòu)的臺，此外，設(shè)置自由突沒于在該臺上的桿。例如具備下述這種結(jié)構(gòu)通過在面向殼體的各臂的側(cè)面上設(shè)置的搬運口，各臂進(jìn)入上述殼體內(nèi)，各臂能夠保持通過上述桿從臺上浮起的晶片W的背面，或者通過上述桿將由各臂搬運的晶片W放置在板上。
再有，在此例中，如圖3所示，在模塊B2～B4中設(shè)置各2座交付臺TRS2～TRS4，各TRS總體具有如前所述的結(jié)構(gòu)，交付臺TRS2～TRS4被構(gòu)成為能夠與設(shè)置在各層的主臂A2～A4及交付臂D1進(jìn)行晶片W的交付。此外，TRS2中，還被構(gòu)成為除與這些臂外，還能夠與轉(zhuǎn)送臂C進(jìn)行晶片交付。順便提一下，并不限定各TRS的數(shù)量，可對應(yīng)各模塊設(shè)置為2座以上。
上述交付臂D1被構(gòu)成為自由進(jìn)退及自由升降，以便能夠在B1到B4的各層間移動，相對于設(shè)置在各層中的交付臺TRS1～TRS4及交付臺TRS1B進(jìn)行晶片W的交付。此外，上述交付臺TRS1、TRS2及交付臺TRS1B，在此例中，也能夠被構(gòu)成為與轉(zhuǎn)送臂C之間進(jìn)行晶片W交付。
并且，與DEV層B1的搬運用通路R1及搬運模塊M1的搬運區(qū)域M2的接口模塊S3鄰接的區(qū)域作為第二晶片交付區(qū)域R3，此區(qū)域R3中，如圖3所示，設(shè)置有棚單元U6。如圖3所示，棚單元U6結(jié)構(gòu)為從上起順序設(shè)置交付臺TRS5B、TRS5，交付臺TRS5B能夠在穿梭臂7和接口臂B之間執(zhí)行晶片W的交付。此外被構(gòu)成為交付臺TRS5在主臂A1和接口臂B之間執(zhí)行晶片W的交付。交付臺TRS5B、TRS5的結(jié)構(gòu)為例如具有與前述的交付臺TRS1B相同的結(jié)構(gòu)，具備晶片W的冷卻功能，能夠進(jìn)行交付后的晶片W的溫度調(diào)節(jié)管理。
此外，在處理模塊S2中的棚單元U6的后側(cè)，通過接口模塊S3連接有曝光裝置S4。接口模塊S3中，包括用于相對于處理模塊S2的棚單元U6和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交付的接口臂B。此接口臂B例如如圖8所示，設(shè)置成用于支持晶片W的背面?zhèn)戎醒雲(yún)^(qū)域的一根臂201沿基臺202自由進(jìn)退。上述基臺202被設(shè)計成以下結(jié)構(gòu)安裝在升降臺203上，靠旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)204繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)，沿升降軌道205自由升降。如此這樣，臂201的結(jié)構(gòu)為自由進(jìn)退、自由升降、繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)。
再有，已敘述的交付臂D1的結(jié)構(gòu)為除了不繞垂直軸旋轉(zhuǎn)之外，其余與接口臂B相同。
此接口臂B作為插入處理模塊S2和曝光裝置S4之間的晶片W的搬運裝置，在此實施方式中結(jié)構(gòu)為從單元U6的交付臺TRS5B接收晶片W，并將其搬入曝光裝置S4，另一方面，從曝光裝置S4接收晶片W，交付給臺TRS5。
接著，簡單地說明其它模塊。BCT層B2、COT層B3、TCT層B4的結(jié)構(gòu)與DEV層B1大致相同，作為差異，可列舉出可使用防反射膜用藥液或抗蝕劑膜形成用的藥液(抗蝕劑液)作為液體處理單元的藥液來代替顯影液、藥液的涂敷方法不同，此外還可列舉出構(gòu)成棚單元U1～U4的加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)單元中的處理條件不同、進(jìn)而在接口S3一側(cè)沒有配置棚單元U6。此外，例如，在模塊B2～B4中的任意一個當(dāng)中設(shè)置有使晶片W的周邊部曝光的周邊曝光單元，COT層B3的棚單元U1～U4中，含有對晶片W進(jìn)行疏水化處理的單元。
此外，此涂敷、顯影裝置包括具有例如由計算機(jī)形成的程序存儲部的控制部100。程序存儲部中，存儲有編入了命令的例如由軟件構(gòu)成的程序，以便實施后述的該涂敷、顯影裝置的作用、即實施晶片W的處理、晶片W的交付、排氣及氣流的控制、搬運路徑的方案管理等。并且，通過將該程序讀出到控制部100中，從而由控制部100進(jìn)行該涂敷、顯影裝置的作用的控制。再有，此程序例如以容納在硬盤、小型激光唱片、磁光盤等記錄媒體中的狀態(tài)被存儲在程序存儲部。
再有，上述搬運路徑的方案是指定根據(jù)處理種類的晶片W的搬運路徑(放置晶片W的交付臺和單元等組件的順序號)，構(gòu)成為按其每一處理種類作成搬運路徑方案，操作人員可選擇此處理種類，將選擇的方案從程序中讀出到控制部100。此外，除了對產(chǎn)品晶片的處理種類之外，還能夠選擇將用于檢查曝光裝置的晶片W搬運到曝光裝置的處理模式，選擇此處理模式(曝光檢查模式)時，能夠通過穿梭臂7將晶片W從輸送機(jī)模塊S1搬運到接口模塊S3，此外通過穿梭臂7從接口模塊S3送回輸送機(jī)模塊S1。
在此，對于此涂敷、顯影裝置中的作用，首先對在抗蝕劑膜上下分別形成防反射膜的情況中的晶片W的流程實例進(jìn)行說明。從外部將輸送機(jī)20搬入輸送機(jī)模塊S1，通過轉(zhuǎn)送臂C從該輸送機(jī)20內(nèi)取出晶片W。晶片W從轉(zhuǎn)送臂C、通過棚單元U5的交付臺TRS2被交付給BCT層B2的主臂A2。并且，在BCT層B2中，通過主臂A2以冷卻單元→防反射膜形成單元(未圖示，是對應(yīng)于圖5中的顯影單元3的單元)→加熱單元→棚單元U5的交付臺TRS2的順序進(jìn)行搬運晶片W，并形成下部防反射膜。
接著，交付臺TRS2的晶片W通過交付臂D1被搬運到COT層B3的交付臺TRS3，接著交付給該COT層B3的主臂A3。并且，在COT層B3中，通過主臂A3以冷卻單元→抗蝕劑涂敷單元(未圖示，是對應(yīng)于圖5中的顯影單元3的單元)→加熱單元順序搬運晶片W，在下部防反射膜的上層形成抗蝕劑膜，然后，將晶片W搬運到周邊曝光單元進(jìn)行周邊部曝光，進(jìn)而搬運到棚單元U5的交付臺TRS3。
接著將交付臺TRS3的晶片W通過交付臂D1搬運到TCT層B4的交付臺TRS4，交付給該TCT層B4的主臂A4。并且，在TCT層B4中，通過主臂A4以冷卻單元→第二防反射膜形成單元(未圖示，是對應(yīng)于圖5中的顯影單元3的單元)→加熱單元的順序搬運晶片W，在抗蝕劑膜的上層形成上部防反射膜，然后搬運到棚單元U5的交付臺TRS4。
交付臺TRS4的晶片W通過交付臂D1被搬運到交付臺TRS1B。接著在穿梭臂7的移動部7A轉(zhuǎn)向接收晶片W的接口模塊S3一側(cè)的同時，向接口模塊S3一側(cè)移動，將晶片W搬運到交付臺TRS5B。此交付臺TRS5B上承載的晶片W通過接口臂B被搬運到曝光裝置S4，在此進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
曝光處理后的晶片W通過接口臂B被搬運到棚單元U6的交付臺TRS5，此臺TRS5上的晶片W由DEV層B1的主臂A1所接收，在該DEV層B1中，以棚單元U1～U4中所包含的加熱單元→冷卻單元→顯影單元3→加熱單元→冷卻單元的順序進(jìn)行搬運，執(zhí)行規(guī)定的顯影處理。如此這樣，經(jīng)過顯影處理的晶片W被搬運到棚單元U5的交付臺TRS1，通過轉(zhuǎn)送臂C，返回載置在輸送機(jī)模塊S1上的原輸送機(jī)20。
圖9示意性地示出了上述說明的晶片W的搬運路徑。晶片W在涂敷膜形成用模塊B2～B4間移動，形成涂敷膜(步驟1)，此后，通過穿梭臂7從處理模塊S2中的輸送機(jī)模塊S1一側(cè)經(jīng)過搬運模塊M1向接口一側(cè)S3搬運，進(jìn)而被搬運到曝光裝置S4(步驟2)。完成曝光處理的晶片W從曝光裝置S4通過DEV層B1，接受顯影處理，返回輸送機(jī)模塊S1(步驟3)。
接著，說明為了進(jìn)行曝光裝置S4的維護(hù)不通過模塊B2～B4各層而將晶片W直接搬運至該曝光裝置S4的情況下的搬運路徑。首先，通過控制部100選擇曝光檢查模式。選擇模式之后，從外部將輸送機(jī)20搬入輸送機(jī)模塊S1，通過轉(zhuǎn)送臂C從此輸送機(jī)20內(nèi)取出例如涂敷了抗蝕劑的測試晶片W。將該測試晶片W從轉(zhuǎn)送臂C交付給交付臺TRS1B，通過穿梭臂7的移動部7A直達(dá)搬運到交付臺TRS5B。此交付臺TRS5B上的測試晶片W由接口臂B搬運到曝光裝置S4，使用該測試晶片W對曝光裝置S4進(jìn)行例如聚焦精度校正、位置精度校正、透鏡變形確認(rèn)、透鏡透過率確認(rèn)、光學(xué)系統(tǒng)灰塵附著確認(rèn)等維護(hù)作業(yè)。
將為維護(hù)所使用的測試晶片W從曝光裝置S4由接口臂B搬運到交付臺TRS5B，由穿梭臂7的移動部7A直達(dá)搬運到交付臺TRS1B。承載在此交付臺TRS1B上的測試晶片W通過轉(zhuǎn)送臂C被送回輸送機(jī)20。
由于處理模塊S2由從各輸送機(jī)模塊S1一側(cè)延伸到接口模塊S3一側(cè)的涂敷膜形成用模塊B2～B4和顯影用模塊B1的層疊體構(gòu)成，所以，本實施方式的涂敷、顯影裝置能夠減少設(shè)置空間，并且，由于在DEV層B1和BCT層B2之間設(shè)置搬運模塊M1，在此搬運模塊M1內(nèi)設(shè)置有專門用于在輸送機(jī)模塊S1和接口模塊S3之間進(jìn)行晶片W直達(dá)搬運的穿梭臂7，所以能夠同時進(jìn)行曝光裝置S4、涂敷膜形成用模塊B2～B4及顯影用模塊B1的維護(hù)，實現(xiàn)了維護(hù)時間的縮短。此外，由于即使涂敷膜形成用模塊B2～B4和顯影用模塊B1在維護(hù)中，或例如排氣系統(tǒng)中發(fā)生故障等而在這些模塊中引發(fā)故障時，也能夠?qū)⒂糜跈z查曝光裝置S4的狀態(tài)的晶片W通過搬運模塊M1的穿梭臂7，從輸送機(jī)模塊S1一側(cè)搬運到曝光裝置S4，所以就能夠以所希望的定時實施曝光裝置S4的狀態(tài)檢查。為此，在變成涂敷膜形成用模塊B2～B4和顯影用模塊B1能夠運轉(zhuǎn)的狀態(tài)后，就能快速地轉(zhuǎn)向制品晶片W的處理，能夠抑制生產(chǎn)率的下降。此外，在裝置的安裝起動時，如果先行完成直達(dá)穿梭臂7的調(diào)整，就能夠通過利用此穿梭臂7進(jìn)行試驗晶片W的搬運，來與涂敷膜形成用模塊B2～B4和顯影用模塊B1中包括的主臂A1～A4的調(diào)整作業(yè)分離地進(jìn)行曝光裝置S4的調(diào)整，如果完成曝光裝置S4的調(diào)整，就能夠繼續(xù)設(shè)定顯影條件，其結(jié)果是能夠縮短裝置起動的時間。
此外，在本實施方式中，在涂敷膜形成用模塊B2～B4的下方一側(cè)設(shè)置有顯影用模塊B1，由于在此模塊B1和模塊B2之間設(shè)置有具備穿梭臂7的搬運模塊M1，因此能夠減少接口模塊S3的接口臂B的升降行程。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)由此接口臂B構(gòu)成的搬運裝置的小型化。
本發(fā)明中，各模塊的層疊數(shù)和層疊順序不限于上述例子，例如也可以這樣排列涂敷膜形成用模塊，從下方一側(cè)向上方一側(cè)順序為TCT層、COT層、BCT層。此外，也可以在下方一側(cè)配置涂敷膜形成用模塊，在其之上配置顯影處理用模塊。此外，例如在晶片W上不形成防反射膜而只形成抗蝕劑膜的情況下也可被構(gòu)成為僅設(shè)置COT層作為涂敷膜形成用模塊。再有，涂敷膜形成用模塊也可以是在一層中進(jìn)行下側(cè)防反射膜的形成、抗蝕劑膜的形成、上側(cè)防反射膜的形成，也可多級層疊這種層來構(gòu)成涂敷、顯影裝置。此外，DEV層B1中，已述的顯影單元3例如也可以兩級層疊。
順便說一下，在已述的實施方式中，為了防止向搬運通路R1散落微粒，利用隔板70a將DEV層B1的搬運通路R1和搬運模塊M1的搬運區(qū)域M2區(qū)分開，但也可以不設(shè)置此隔板70a。此情況下，例如，可將該移動部7A的移動區(qū)域(搬運區(qū)域)設(shè)定在比上述主臂A1可移動區(qū)域(搬運區(qū)域)的上限位置中的該主臂A1的上端部分還要稍上面一點，構(gòu)成主臂A1和移動部7A互不干涉的結(jié)構(gòu)。
此外，直達(dá)搬運裝置即穿梭臂7的結(jié)構(gòu)不限于已述的實施例中所示的結(jié)構(gòu)，例如穿梭臂7的結(jié)構(gòu)也可以這樣不設(shè)置使臂體71在搬運基體72上進(jìn)退的機(jī)構(gòu)，通過使搬運基體72旋轉(zhuǎn)，在TRS1B或TRS5B中，使臂體71潛入由桿舉起的晶片W的下面，通過降下桿而使臂體71接收晶片W，并在TRS1B和TRS5B之間搬運晶片W。
此外，作為直達(dá)搬運裝置，如果能夠從輸送機(jī)模塊S1一側(cè)到接口模塊S3一側(cè)不通過用于進(jìn)行涂敷或顯影的單元就直接地搬運晶片W，就不限于以上所說明的這種臂搬運，可通過例如使用環(huán)狀帶的帶式輸送機(jī)構(gòu)成直達(dá)搬運裝置，并且對交付臺TRS1B和TRS5B進(jìn)行開槽，例如形成コ字形，使帶式輸送機(jī)的兩端部位于此缺口空間內(nèi)，將在這些一方交付臺上承載的晶片W裝載在上述環(huán)狀帶上，搬運到另一方的交付臺上?；蛘咭部沙蔀檫@種結(jié)構(gòu)，將在沿橫向的兩側(cè)具備防止晶片W落下用的導(dǎo)軌的斜坡按TRS5B一側(cè)變低這樣設(shè)置在交付臺TRS1B和TRS5B之間，在該斜坡的臺面中在TRS5B一側(cè)排列噴出空氣的孔，靠該空氣的壓力和晶片W的自重將晶片W推向TRS5B一側(cè)。
再有，雖然本發(fā)明的直達(dá)搬運裝置可用于從輸送機(jī)模塊到接口模塊不通過用于進(jìn)行涂敷或顯影的單元進(jìn)行直達(dá)地搬運，但即使在此直達(dá)搬運裝置的搬運路徑中插入例如周邊曝光裝置和檢查單元等的情況下，也意味著包含例如通過這些裝置內(nèi)，在直達(dá)搬運裝置和輸送機(jī)模塊一側(cè)的搬運裝置或接口模塊一側(cè)的搬運裝置之間進(jìn)行基板的交付的情況。
此外，本發(fā)明的涂敷、顯影裝置也可按以下這樣構(gòu)成。使用圖10～圖13說明此實施方式，此涂敷、顯影裝置101在輸送機(jī)模塊S1和處理模塊S2之間設(shè)置用于對晶片W進(jìn)行規(guī)定的檢查的檢查模塊S5，并且在處理模塊S2和接口模塊S3之間設(shè)置輔助模塊S6。在此輔助模塊S6內(nèi)，設(shè)置有涂敷用于防止浸液曝光時的液體浸入抗蝕劑內(nèi)的保護(hù)膜的撥水性保護(hù)膜涂敷單元(ITC)(以下稱“保護(hù)膜涂敷單元(ITC)”)、以及用于去除此撥水性保護(hù)膜的撥水性保護(hù)膜去除單元(ITR)(以下稱“保護(hù)膜去除單元(ITR)”)。此外，在接口模塊S3中設(shè)置用于在浸液曝光前后清洗晶片W的清洗單元(RD)。
在此，簡單地說明浸液曝光，由于此浸液曝光是在基板表面形成透光液層的狀態(tài)下進(jìn)行曝光，所以其目的在于提高曝光的分辨率；例如使光從純水中透過，由于在水中光的波長變短，所以193nm的ArF的波長在水中實質(zhì)上變?yōu)?34nm，利用這種特征進(jìn)行曝光。
順便提一下，浸液曝光中，由于在抗蝕劑的表面形成液層，所以抗蝕劑就在液相側(cè)析出，且此析出成分就會殘留在晶片W上，就會擔(dān)心在曝光處理結(jié)束后，將形成在晶片W表面的液層從晶片W上排出時，在晶片表面殘留液滴即微小的水滴。如此，當(dāng)抗蝕劑的析出成分和液滴殘留在晶片W上時，上述析出成分附著在晶片W上，作為成為缺陷原因的微粒產(chǎn)生的主要因素，就會在曝光處理后的加熱處理時，引起從上述析出成分中產(chǎn)生的微粒固著并粘附，影響圖形的線寬，由于液滴的存在，就會存在在曝光處理后的加熱處理時在晶片W的面內(nèi)產(chǎn)生溫度差，使熱處理的面內(nèi)均勻性變差，成為液滴與空氣反應(yīng)并在晶片W表面產(chǎn)生水印的原因這種問題。
為此，浸液曝光處理中，在對晶片W涂敷抗蝕劑液后進(jìn)行浸液曝光前，為了在抑制抗蝕劑的析出的同時使浸液曝光時的液體難于殘留在晶片W表面，就在晶片W表面涂敷撥水性的保護(hù)膜，利用保護(hù)膜涂敷單元(ITC)進(jìn)行此處理。此外，在涂敷了此保護(hù)膜的狀態(tài)下進(jìn)行顯影處理時，為了使抗蝕劑不被顯影液溶解，就需要在顯影處理前去除此保護(hù)膜，利用保護(hù)膜去除單元(ITR)進(jìn)行此處理。并且為了更確實地去除附著在晶片W上的抗蝕劑液的析出成分和浸液曝光時的液體即水滴，在進(jìn)行浸液曝光處理后清洗晶片W的表面，此清洗利用清洗單元(RD)進(jìn)行。
此涂敷、顯影裝置101的處理模塊S2中，兩級層疊DEV層B1，將DEV層B1、B1的上級一側(cè)作為搬運模塊M1。再有，圖11中，為便于圖示，在棚單元U5、U6中，按每單位模塊B1～B4僅分別繪出一個上級側(cè)的交付臺TRS1～TRS5。
接著，參照圖12來說明檢查模塊S5的結(jié)構(gòu)。例如，此檢查模塊S5包括殼體111，利用此殼體111與周圍區(qū)域分開。當(dāng)輸送機(jī)模塊S1一側(cè)為靠近一側(cè)，處理模塊S2一側(cè)為后側(cè)時，在殼體111內(nèi)部的靠近一側(cè)中央部設(shè)置有用于從輸送機(jī)模塊S1的轉(zhuǎn)送臂C接收晶片W的交付臺即TRS11。此交付臺TRS11與已述的TRS1～5結(jié)構(gòu)相同。此外，在此臺TRS11的下方例如5級層疊設(shè)置能夠容納規(guī)定片數(shù)的晶片W的緩沖單元BU，使這5個緩沖單元，例如能夠容納約計10～20片左右的晶片W。DEV層B1中，將接受顯影處理的晶片W通過后述110的臂搬入各緩沖單元BU被暫時儲存。此外，轉(zhuǎn)送臂C訪問此緩沖單元BU，就能夠?qū)⑷菁{在此的晶片W向輸送機(jī)20搬運。
在此檢查模塊S5的殼體111內(nèi)，從靠近側(cè)向里側(cè)看，在左右分別設(shè)置檢查單元112、113。在此作為檢查單元112、113，此例中示意地記載有兩個檢查單元，更具體地，能根據(jù)檢查的種類來決定配置數(shù)量。再有，如此例這樣，設(shè)置兩個檢查單元112、113，其一方是例如用于檢查基板表面的狀態(tài)的、用于檢查在基板上形成的涂敷膜的膜厚的膜厚檢查單元，另一方面是通過CCD照相機(jī)等的拍攝裝置對晶片W表面進(jìn)行拍照并解析此圖像的檢查單元。在另一側(cè)的檢查單元中，可檢查顯影缺陷和抗蝕劑圖形的線寬等。
再有，作為這些檢查單元112、113，除已述的檢查單元外，還能夠使用對根據(jù)希望的檢查種類從如下檢查裝置中選擇出的檢查裝置進(jìn)行單元化后的裝置即，用于檢測曝光裝置中產(chǎn)生的圖形位置偏差的散焦檢查裝置；用于檢測抗蝕劑液的涂敷斑點的涂敷斑點檢測裝置；用于檢測顯影處理不良的顯影不良檢測裝置；用于檢測附著在基板上的微粒數(shù)量的微粒數(shù)檢測裝置；用于檢測發(fā)生在抗蝕劑涂敷后的基板上的彗尾(comet)的彗尾檢測裝置；防濺板檢測裝置；用于檢測基板表面的缺陷的缺陷檢測裝置；用于檢測殘留在顯影處理后的基板的抗蝕劑殘渣的渣滓檢測裝置；用于檢測抗蝕劑涂敷處理及/或顯影處理的不符合的不符合檢測裝置；用于測量在基板上形成的抗蝕劑膜的線寬的線寬測量裝置；用于檢查曝光后的基板和光掩膜對準(zhǔn)精度的對準(zhǔn)檢查裝置等。
在檢查模塊S5的殼體111內(nèi)的內(nèi)側(cè)中央部，設(shè)置自由升降、自由進(jìn)退且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)的晶片W的交付臂110，此交付臂110能夠分別訪問檢查單元112、113、緩沖單元BU，在這些各單元之間交付晶片W。此外，交付臂110還能夠訪問處理模塊S2的各交付臺TRS1，利用此交付臂110在檢查模塊S5和處理模塊S2之間進(jìn)行接受過顯影處理的晶片W的交付。
此外，在處理模塊S2的搬運模塊M1中設(shè)置的穿梭臂7為第一穿梭臂時，在交付臂110的上方設(shè)置自由升降、自由進(jìn)退且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)的作為晶片W的搬運機(jī)構(gòu)的第二直達(dá)搬運裝置即穿梭臂120，此第二穿梭臂120是在從方案中選擇曝光檢查模式時用于在上述交付臺TRS11和處理模塊S2的棚單元U5的TRS1B之間搬運晶片W的。再有，在檢查單元112、113上方，設(shè)置有容納了用于使涂敷、顯影裝置101的各單元工作的電裝部件的電裝單元117。
接著說明輔助模塊S6。此輔助模塊S6包括例如殼體400，通過此殼體400與周圍區(qū)分開來。在殼體400的內(nèi)部，從輸送機(jī)模塊S1看時，內(nèi)側(cè)和右側(cè)和左側(cè)中分別設(shè)置棚單元U7、U8、U9。例如，上述棚單元U7中，從下起按順序?qū)盈B用于在與接口模塊S3的接口臂B之間進(jìn)行晶片W交付的交付臺即2個TRS12、TRS13、2個TRS14。再有，這些交付臺TRS12～14例如與交付臺TRS1～5結(jié)構(gòu)相同。
將棚單元U8分割成上下兩部分，例如此棚單元U8的分割后的上部側(cè)，層疊有例如兩個保護(hù)膜涂敷單元(ITC)401。另一方面，在棚單元U8的分割后的下部側(cè)層疊有例如兩個保護(hù)膜去除單元(ITR)402。在棚單元U9中，例如多級層疊設(shè)置有例如用于在涂敷膜形成后曝光處理前進(jìn)行檢查的和曝光處理后顯影處理前、顯影處理后進(jìn)行檢查的檢查單元、已述的冷卻單元(COL)、加熱單元(CHP)等的加熱、冷卻系統(tǒng)的單元等。再有，在圖11中，為便于圖示，棚單元U7的交付臺TRS12、TRS14分別各記載了一個。
例如，此例子中，兩個保護(hù)膜去除單元402分別被設(shè)置在與處理模塊S2的兩個DEV層B1、B1相對應(yīng)的位置，兩個保護(hù)膜涂敷單元401被設(shè)置在與BCT層B2和COT層B3分別對應(yīng)的位置。
此外此例中，棚單元U7的兩個交付臺TRS12被設(shè)置在與保護(hù)膜去除單元402相對應(yīng)的位置，此外兩個交付臺TRS14被設(shè)置在與保護(hù)膜涂敷單元401相對應(yīng)的位置。例如，在將晶片W從輔助模塊S6交付給接口模塊S3時能夠使用交付臺TRS14，例如在將晶片W從接口模塊S3交付給輔助模塊S6時能夠使用交付臺TRS12。此外，交付臺TRS13被設(shè)置在與搬運模塊M1相對應(yīng)的位置，利用后述的穿梭臂F進(jìn)行晶片W的交付。
并且，在輔助模塊S6中，上下兩級地設(shè)置有交付臂F1、F2，上側(cè)的交付臂F1構(gòu)成為能夠相對于輔助模塊S6的棚單元U7～U9的各部進(jìn)行晶片W的交付，例如，構(gòu)成為相對于棚單元U8的兩個保護(hù)膜涂敷單元401、棚單元U7的交付臺TRS14和棚單元U9的對應(yīng)的各部分進(jìn)行晶片W的交付。
此外，下側(cè)的交付臂F2構(gòu)成為在與處理模塊S2的各DEV層B1之間進(jìn)行晶片W的交付，并且相對于該輔助模塊S6的棚單元U7～U9的各部分進(jìn)行晶片W的交付，例如，構(gòu)成為相對于處理模塊S2的棚單元U6的各交付臺TRS5、棚單元U8的兩個保護(hù)膜去除單元402、棚單元U7的交付臺TRS12和棚單元U9的對應(yīng)的各部分進(jìn)行晶片W的交付。
此交付臂F1、F2例如結(jié)構(gòu)與主臂A1～A5相同，被構(gòu)成為沿Y軸軌道405，例如在圖中Y方向自由移動、自由進(jìn)退、自由升降、繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)，該Y軸軌道405安裝在面向支持棚單元U8的未圖示臺部的臂F1、F2的搬運區(qū)域的面上。
此外，在交付臺F1、F2之間，設(shè)置有自由進(jìn)退、自由升降、繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的第三直達(dá)搬運裝置即穿梭臂F，利用此穿梭臂F能夠在處理模塊S2的U6的交付臺TRS5B和此輔助模塊S6的棚單元U8的交付臺TRS13之間進(jìn)行晶片W的交付。
在接口模塊S3中，在接口臂B能夠訪問的位置，層疊設(shè)置有用于浸液曝光后清洗晶片W的、例如兩個清洗單元(RD)403。
并且，在接口模塊S3的上側(cè)，設(shè)置有ULPA過濾器406，利用此ULPA過濾器406就能夠?qū)涌谀KS3內(nèi)供給去除了污物、灰塵等的清潔空氣。
接著，簡單地說明上述保護(hù)膜涂敷單元401、保護(hù)膜去除單元402、清洗單元403的結(jié)構(gòu)。這些各單元，例如與已述的處理模塊S2的抗蝕劑涂敷單元結(jié)構(gòu)大致相同，作為差異，分別在各個單元的殼體內(nèi)設(shè)置有一個成為晶片W的保持部的旋轉(zhuǎn)夾具。此外，作為其它差異，分別代替抗蝕劑液，在保護(hù)膜涂敷單元401中，向晶片W供給保護(hù)膜形成用的藥液；在保護(hù)膜去除單元402中，向晶片W供給用于去除在上述保護(hù)膜涂敷單元401中形成的保護(hù)膜的剝離液；在清洗單元403中，向晶片W供給用于清洗完成了浸液曝光處理的晶片W的清洗液。
如上所述，在圖1的實施方式中，在搬運模塊M1中設(shè)置的穿梭臂7構(gòu)成在輸送機(jī)模塊S 1和接口模塊S3之間進(jìn)行直達(dá)搬運的直達(dá)搬運裝置，但在此實施方式中，由設(shè)置在檢查單元S5的穿梭臂120、設(shè)置在搬運模塊M1的穿梭臂7及設(shè)置在輔助模塊S6的穿梭臂F構(gòu)成直達(dá)搬運裝置。
在具有這樣結(jié)構(gòu)的涂敷、顯影裝置101中，與已述的實施方式的涂敷、顯影裝置相同，被構(gòu)成為按每一個此處理種類作成搬運路徑的方案，操作者能夠選擇此處理的種類，能夠?qū)⑦x擇出的方案從程序中讀出到控制部100。此外，除對產(chǎn)品晶片的處理種類外，能夠選擇用于將用于檢查曝光裝置的晶片W搬運到曝光裝置的處理模式，選擇此處理模式(曝光檢查模式)時，通過三個穿梭臂120、7、F將晶片W從輸送機(jī)模塊S1直達(dá)搬運到接口模塊S3，此外通過這3個穿梭臂120、7、F從接口模塊S3直接將晶片W送回輸送機(jī)模塊S1。
在此，在這樣結(jié)構(gòu)的涂敷、顯影裝置101中，進(jìn)行浸液曝光處理，接著，在該曝光處理后進(jìn)行清洗處理的情況下，例如，晶片W按輸送機(jī)20→輸送機(jī)模塊S1→轉(zhuǎn)送臂C→交付臺TRS11→穿梭臂120→交付臺TRS1B的順序，從輸送機(jī)模塊S1通過檢查模塊S5向處理模塊S2搬運。接著晶片W按交付臂D1→交付臺TRS2→BCT層B2→COT層B3→TCT層B4→TRS4的順序被搬運，接著，按交付臂D1→交付臺TRS1B→穿梭臂7→棚單元U6的交付臺TRS5B→穿梭臂F→交付臺TRS13的順序被搬運到輔助模塊S6，此后接著，按交付臂F1→棚單元U8的保護(hù)膜涂敷單元401→輔助模塊S6的交付臂F1→棚單元U7的交付臺TRS14→接口模塊S3的接口臂B→曝光裝置S4的路徑被搬運，接受曝光處理。
曝光后的晶片W按接口模塊S3的接口臂B→清洗單元403→接口臂B→輔助模塊S6的棚單元U7的交付臺TRS12→交付臂F2→棚單元U8的保護(hù)膜去除單元402→交付臂F2→處理模塊S2的棚單元U6的交付臺TRS5→DEV層B1→棚單元U5的TRS1的路徑被搬運。
接著，晶片W如前所述，由檢查模塊S5的交付臂110通過緩沖單元BU或直接地搬運到各缺陷檢查單元112、113，檢查結(jié)束時，由交付臂110搬運到緩沖單元BU中。并且緩沖單元BU中所容納的晶片W由轉(zhuǎn)送臂C送回輸送機(jī)20。再有，在檢查單元112、113中含有膜厚檢查單元的情況下，借助于COT層B3對涂敷抗蝕劑后的晶片W進(jìn)行膜厚檢查。此外，緩沖單元BU在此例中，除具有用于與輸送機(jī)模塊S1的轉(zhuǎn)送臂C之間進(jìn)行晶片W的交付的功能外，例如還具有在按規(guī)定片數(shù)進(jìn)行晶片W的檢查的情況下等待沒有進(jìn)行檢查的晶片W從而確保批次中的晶片W的搬運順序的功能等。
接著，說明對于為了進(jìn)行曝光裝置S4的維護(hù)就不通過模塊B1～B4的各層而將晶片W直接搬運到該曝光裝置S4的情況下的搬運路徑。首先，利用控制部100選擇曝光檢查模式。選擇模式后，從外部將例如容納已涂敷抗蝕劑的測試晶片W的輸送機(jī)20搬入輸送機(jī)模塊S1。并且，按轉(zhuǎn)送臂C→交付臺TRS11→穿梭臂120→棚單元U5的交付臺TRS1B→穿梭臂7→棚單元U6的交付臺TRS5B→穿梭臂F→棚單元U7的交付臺TRS13→接口臂B→曝光裝置S4的順序交付輸送機(jī)20內(nèi)的測試晶片W，進(jìn)行與已述的實施方式相同的維護(hù)作業(yè)。維護(hù)作業(yè)后的測試晶片W按與將其搬入此曝光裝置S4時的順序相反的順序被送回輸送機(jī)20。
在上述實施方式中，由于構(gòu)成具備檢查模塊S5的涂敷、顯影裝置，在輸送機(jī)模塊S1和處理模塊S2之間設(shè)置此檢查模塊S5，所以就能夠由同一操作者監(jiān)視抗蝕劑的涂敷、曝光、顯影、檢查，由此可實現(xiàn)操作者的減少，此外通過檢查可確認(rèn)任何缺陷時，就能夠快速地開始特定原因、排除原因等的下一操作。
此外，此實施方式中，由于在處理模塊S2和接口模塊S3之間設(shè)置的輔助模塊S6中設(shè)置有在進(jìn)行浸液曝光時所必需的單元即保護(hù)膜涂敷單元401和保護(hù)膜去除單元402，所以通過插入此輔助模塊S6，就能夠不變更處理模塊S2的布局，來對應(yīng)于進(jìn)行浸液曝光的情況和不進(jìn)行浸液曝光的情況。此時在不進(jìn)行浸液曝光的情況下，也可以在輔助模塊S6內(nèi)過而不停地來搬運晶片W。
順便提一下，雖然在上述例子中，利用共同的交付臺TRS1B執(zhí)行檢查模塊S5的第二穿梭臂120和處理模塊S2的第一穿梭臂7之間的交付，但通過第一穿梭臂7進(jìn)行交付的臺和通過第二穿梭臂120進(jìn)行交付的臺互不相同，即使在交付臂D1進(jìn)行互不相同的臺之間的晶片W的搬運的情況下，第一穿梭臂7和第二穿梭臂120也能進(jìn)行直達(dá)搬運。
再有，在已述的涂敷、顯影裝置101中的各模塊中設(shè)置的各交付臺TRS的數(shù)量及各單元的數(shù)量不限定于已述的例子。此外，檢查模塊S5或輔助模塊S6中的任何一個也可被構(gòu)成為設(shè)置在已述的涂敷、顯影裝置中。
在已述的實施方式中，雖然在COT層B3的棚單元U1～U4中，含有對晶片W進(jìn)行疏水化處理的單元(ADH)，但也可以代替將此疏水化單元設(shè)置在COT層B3中，如圖14～圖15所示將其設(shè)置在已述的檢查模塊S5中。具體地說，此圖14～圖15所示的涂敷、顯影裝置102的檢查模塊S5結(jié)構(gòu)與上述涂敷、顯影裝置101的檢查模塊S5大致相同，在交付臺TRS11的上方設(shè)置有例如層疊設(shè)置三個疏水化單元118。此外，從輸送機(jī)模塊S1一側(cè)看時，在靠近此檢查模塊S5的左側(cè)，例如與處理模塊S2的交付臂D1相同，設(shè)置有自由升降、自由進(jìn)退且繞垂直軸自由旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成的交付臂119，此交付臂119被構(gòu)成為能夠訪問交付臺TRS11及各疏水化單元118。
在這樣構(gòu)成的涂敷、顯影裝置102中，接受曝光處理的晶片W按輸送機(jī)20→輸送機(jī)模塊S1→轉(zhuǎn)送臂C→交付臺TRS11→交付臂119→疏水化單元118→交付臂119→交付臺TRS11→穿梭臂120→交付臺TRS1B的順序，從輸送機(jī)模塊S1通過檢查模塊S5被搬運到處理模塊B2。疏水化處理例如在涂敷抗蝕劑前進(jìn)行，此情況下雖能夠適用在不涂敷下側(cè)的防反射膜的工藝中，但也可以在涂敷下側(cè)的防反射膜之前進(jìn)行疏水化處理。晶片W除為了疏水化處理而被搬運外，按與已述的涂敷、顯影裝置101相同路徑被搬運并接受曝光處理。再有經(jīng)過曝光處理的晶片W接受顯影處理并送回輸送機(jī)20時，晶片W按與已述的涂敷、顯影裝置101相同的路徑搬運。
此外，選擇曝光檢查模式時，測試晶片W按與已述的涂敷、顯影裝置101相同的路徑搬運。
如此，在檢查模塊S5設(shè)置疏水化單元118的情況與在各單位模塊B2～B4的棚單元U1～U4設(shè)置疏水化單元的情況相比，能夠減少各單位模塊的主臂A2～A4的負(fù)荷。
在上述實例中，在具備檢查模塊S5及輔助模塊S6中至少一個的涂敷、顯影裝置中，對于檢查模塊S5及輔助模塊S6，在采用不設(shè)置穿梭臂的、即使曝光檢查時也通過通常處理時使用的交付臂進(jìn)行搬運的結(jié)構(gòu)的情況下，設(shè)置在處理模塊S2的穿梭臂7相當(dāng)于用于在輸送機(jī)模塊S1和接口模塊S3之間進(jìn)行基板的直達(dá)搬運的直達(dá)搬運裝置。
權(quán)利要求
1.一種涂敷、顯影裝置，其中將利用輸送機(jī)搬入輸送機(jī)模塊中的基板交付給處理模塊，在此處理模塊中形成含有感光材料膜的涂敷膜，然后，通過接口模塊搬運到曝光裝置，將經(jīng)由上述接口模塊返回來的曝光后的基板在上述處理模塊中進(jìn)行顯影處理，并交付給上述輸送機(jī)模塊，其特征在于，a)上述處理模塊包括分別從輸送機(jī)模塊一側(cè)延伸到接口模塊一側(cè)的、用于形成含有由感光材料形成的涂敷膜的膜的涂敷膜形成用模塊；以及相對于此涂敷膜形成用模塊而層疊的顯影用模塊，b)上述涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊包括用于對基板涂敷藥液的液體處理單元、加熱基板的加熱單元、冷卻基板的冷卻單元、以及在這些單元之間搬運基板的模塊用搬運裝置，c)設(shè)置有直達(dá)搬運裝置，該直達(dá)搬運裝置相對于上述涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊進(jìn)行層疊，用于在輸送機(jī)模塊和接口模塊之間進(jìn)行基板的直達(dá)搬運，d)通過上述直達(dá)搬運裝置，將形成有涂敷膜的基板從輸送機(jī)模塊一側(cè)搬運到接口模塊一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述涂敷膜形成用模塊包含層疊體，該層疊體是用于形成抗蝕劑膜的模塊、用于在抗蝕劑膜的下側(cè)形成防反射膜的模塊和用于在上述抗蝕劑膜的上側(cè)形成防反射膜的模塊的層疊體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在涂敷膜形成用模塊的下側(cè)設(shè)置顯影用模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述直達(dá)搬運裝置構(gòu)成為在與上述涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊區(qū)分開的搬運模塊內(nèi)移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在顯影用模塊和涂敷膜形成用模塊之間設(shè)置上述搬運模塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，還包括將氣體導(dǎo)入上述搬運模塊內(nèi)部從而使搬運模塊內(nèi)部成為正壓的氣體導(dǎo)入部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6中任意一個所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，包括多個交付臺，分別配置并相互層疊成能夠利用涂敷膜形成用模塊中的模塊用搬運裝置、顯影用模塊中的模塊用搬運裝置及直達(dá)搬運裝置來進(jìn)行基板的交付；以及升降搬運裝置，進(jìn)行自由升降以便能夠在這些交付臺之間進(jìn)行基板的交付。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6中任意一個所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，包括控制基板的搬運的控制部，該控制部構(gòu)成為能夠選擇將用于檢查曝光裝置的狀態(tài)的試驗基板從輸送機(jī)模塊通過直達(dá)搬運裝置搬運到曝光裝置的搬運模式。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6中任意一個所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在上述處理模塊和接口模塊之間設(shè)置輔助模塊，該輔助模塊包括進(jìn)行涂敷膜形成后曝光處理前和/或曝光處理后顯影處理前的處理的單元、以及用于在這些單元、上述處理模塊及接口模塊之間搬運基板的交付臂，上述直達(dá)搬運裝置包括通過上述處理模塊的第一直達(dá)搬運裝置、以及通過上述輔助模塊的第二直達(dá)搬運裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6中任意一個所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在上述輸送機(jī)模塊和處理模塊之間設(shè)置檢查模塊，該檢查模塊包括用于進(jìn)行基板檢查的檢查單元；以及在檢查單元、輸送機(jī)模塊及處理模塊之間搬運基板的交付臂，上述直達(dá)搬運裝置包括通過上述檢查模塊的第三直達(dá)搬運裝置；以及通過上述處理模塊的第一直達(dá)搬運裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠按所希望的定時進(jìn)行曝光裝置維護(hù)的涂敷、顯影裝置。該涂敷、顯影裝置在將搬入輸送機(jī)模塊的基板搬運到處理模塊并形成涂敷膜之后，通過接口模塊搬運到曝光裝置，通過上述接口模塊返回來的曝光后的基板在上述處理模塊中進(jìn)行顯影處理并搬運到輸送機(jī)模塊，其中設(shè)置搬運裝置，該搬運裝置相對于上述涂敷膜形成用模塊及顯影用模塊層疊并且在輸送機(jī)模塊和接口模塊之間將形成涂敷膜的基板從輸送機(jī)模塊一側(cè)直達(dá)搬運到接口模塊一側(cè)。通過這種結(jié)構(gòu)，即使涂敷膜形成用模塊和顯影用模塊處于維護(hù)中，由于可以將檢查用基板搬運到曝光裝置中，所以也能夠檢查曝光裝置的狀態(tài)。
文檔編號G03F7/30GK1854898SQ20061008986
公開日2006年11月1日 申請日期2006年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月11日
發(fā)明者松岡伸明, 林伸一, 林田安 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社