專利名稱：陣列基板及其制造方法以及含有該基板的液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法以及含有該陣列基板的液晶顯示裝置。更具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠簡化其制造工藝的陣列基板、該陣列基板的制造方法以及含有該陣列基板的液晶顯示裝置。
背景技術：
與比如陰極射線管(CRT)裝置、等離子體顯示板(PDP)裝置等的其他顯示裝置相比，在各種平板顯示裝置中液晶顯示(LCD)裝置具有各種特性，包括更薄的厚度、更輕的重量、更低的驅動電壓和更低的功耗等。結果，LCD裝置被廣泛用于各種電子裝置。
LCD裝置可以分為透射型LCD裝置、反射型LCD裝置和透射反射型LCD裝置。透射型LCD裝置利用來自背光組件的光顯示圖像，該背光組件位于LCD面板的背面的后面。反射型LCD裝置利用比如日光的環(huán)境光來顯示圖像，該環(huán)境光通過LCD面板的正面進入LCD面板。透射反射型LCD裝置在黑暗環(huán)境中比如室內以透射顯示模式工作，而在明亮環(huán)境中比如室外以反射顯示模式工作。在透射顯示模式下，透射反射型LCD裝置利用背光組件產(chǎn)生的光來顯示圖像。另一方面，在反射顯示模式下，透射反射型LCD裝置利用環(huán)境光來顯示圖像。
反射型LCD裝置和透射反射型LCD裝置包括多個壓紋圖案，其增大了反射率并擴展了視角。通過包括沉積有機層、曝光有機層、顯影有機層和沉積反射層的工藝來形成壓紋圖案。
因此，需要一種簡化反射型LCD裝置和透射反射型LCD裝置的制造工藝的方法。
發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例提供了一種能夠簡化制造工藝的陣列基板、上述陣列基板的制造方法、以及含有上述陣列基板的液晶顯示(LCD)裝置。
在本發(fā)明的一實施例中，陣列基板包括開關元件、絕緣層和像素電極。所述開關元件形成在基板的顯示區(qū)域中。所述絕緣層形成在其上形成有開關元件的基板上。所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的第一光。所述像素電極形成在所述絕緣層上。所述像素電極電連接到所述開關元件。
在本發(fā)明的一實施例中，為了制造陣列基板，在基板的顯示區(qū)域中形成開關元件。在其上形成有開關元件的所述基板上形成絕緣層。所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的第一光。在所述絕緣層上形成像素電極。所述像素電極電連接到所述開關元件。
在本發(fā)明的一實施例中，LCD裝置包括濾色器基板、陣列基板和液晶層。所述陣列基板面對所述濾色器基板。所述陣列基板包括開關元件、像素電極和絕緣層。所述像素電極電連接到所述開關元件。所述絕緣層形成在其上形成有所述開關元件的基板上。所述絕緣層包括透射部分和反射部分，所述透射部分透射入射到下部中的第一光，所述反射部分含有反射通過所述濾色器基板的第二光的反射顆粒。所述液晶層設置在所述濾色器基板和所述陣列基板之間。
根據(jù)所述陣列基板、所述陣列基板的制造方法和含有所述陣列基板的LCD裝置，含有多個反射顆粒的有機絕緣層可以反射并透射光，從而不需要形成常規(guī)反射電極或壓紋圖案的工藝，可以簡化陣列基板的制造工藝。
通過結合附圖的以下描述，能夠更詳細的理解本發(fā)明的示范性實施例，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的液晶顯示(LCD)裝置的一部分的剖面圖；圖2是示出圖1的陣列基板的平面圖；圖3是示出圖1的反射顆粒的剖面圖；圖4A至4D是根據(jù)一示范性實施例，示出了圖1的陣列基板的制造方法的剖面圖；以及圖5A至5C是根據(jù)一示范性實施例，示出了圖1的陣列基板的制造方法的剖面圖。
具體買施方式以下將參照附圖更充分的描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同方式實施，而不應解釋為僅限于在此闡述的以下，將參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的液晶顯示(LCD)裝置的一部分的剖面圖。
圖2是示出圖1的陣列基板的平面圖。
參照圖1和圖2，LCD裝置包括顯示圖像的LCD面板100和向LCD面板100提供光的背光組件(未示出)。
LCD面板100包括陣列基板200，面對陣列基板200的濾色器基板300，以及設置在陣列基板200和濾色器基板300之間的液晶層400。
LCD面板100包括顯示圖像的顯示區(qū)域DA，設置在顯示區(qū)域DA的第一側的第一周邊區(qū)域PA1，以及設置在顯示區(qū)域DA的第二側的第二周邊區(qū)域PA2。
在顯示區(qū)域DA中形成有多個像素區(qū)域。像素區(qū)域由沿著第一方向D1延伸的多條柵極線GL以及沿著與第一方向基本垂直的第二方向D2延伸的多條數(shù)據(jù)線DL限定。
陣列基板200包括薄膜晶體管(TFT)220，鈍化層230，柵極絕緣層222，有機絕緣層240和像素電極250。TFT220、鈍化層230、有機絕緣層240和像素電極形成在第一絕緣基板210的每個像素區(qū)域中。
TFT220可以包括柵電極221、半導體層223、歐姆接觸層224、源電極225和漏電極226。柵電極221可以電連接到柵極線GL，源電極225可以電連接到數(shù)據(jù)線DL。漏電極226可以電連接到像素電極250。
柵極絕緣層222形成在其上形成有柵電極221的第一絕緣基板210上。例如，柵極絕緣層222可以包括氮化硅(SiNx)。半導體層223和歐姆接觸層224順序形成在柵極絕緣層222上。半導體層223可以包括非晶硅。歐姆接觸層224可以包括通過以高濃度注入N+雜質而形成的N+非晶硅。例如，可以將磷(P)注入到半導體層223的上部中以形成歐姆接觸層224。部分地去除歐姆接觸層224從而部分地暴露半導體層223。
鈍化層230和有機絕緣層240形成在其上形成有TFT220的第一絕緣基板210上。鈍化層230和有機絕緣層240具有部分地暴露TFT220的漏電極226的接觸孔245。也就是說，鈍化層230和有機絕緣層240被部分地去除從而形成暴露漏電極226的接觸孔245。
像素電極250形成在有機絕緣層240上。像素電極250傳輸通過背光組件(未示出)產(chǎn)生并通過第一絕緣基板210進入的第一光L1。像素電極250通過接觸孔245電連接到TFT220的漏電極226。
有機絕緣層240包括有機材料242和多個反射顆粒244。也就是說，有機絕緣層240是反射顆粒244和有機材料242的混合物。
有機材料242可以包括當光施加到其上時其特性被改變的光敏有機材料?；蛘?，有機材料242可以包括即使當光施加到其上時其特性也不會改變的非光敏有機材料。反射顆粒244可以包括要被著色的介質，以及涂敷在要被著色的介質上的珠光顏料。例如，珠光顏料可以是珠光(有珍珠光澤的)顏料，該顏料是用于模仿金屬外觀的視覺效果的一種特定類型的顏料。
圖3是示出圖1的反射顆粒的剖面圖。
參照圖1和3，每個反射顆粒244包括硅酸鹽(MICA)244a和氧化物涂層244b。氧化物涂層244b涂敷在硅酸鹽(MICA)244a上。每個反射顆粒244的直徑(d)在約0.1μm至約5μm的范圍內。每個反射顆粒244的折射率在約1至約2的范圍內。
例如，氧化物涂層244b可以包括氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O30或氧化錫(SnO2)。
由于硅酸鹽(MICA)244a和氧化物涂層244b之間的折射率差異，施加到反射顆粒244上的入射光被反射。當每個反射顆粒244的直徑(d)減小時，反射光的反射比率增大。此外，當表面的折射率增大時，反射光的反射比率增大。
參照圖1和2，通過利用反射顆粒244，有機絕緣層240反射通過濾色器基板300進入到LCD面板100的第二光L2。有機絕緣層240被部分地去除從而形成透射窗500。透射窗500和接觸孔245可以通過相同的工藝形成。此外，像素電極250形成在透射窗500中。
對應于透射窗500的有機絕緣層240被去除從而部分地暴露鈍化層230。對應于透射窗500的區(qū)域限定了透射區(qū)域，而對應于設置在像素電極250之下的有機絕緣層240的區(qū)域限定了反射區(qū)域。從背光組件產(chǎn)生的第一光L1穿過透射區(qū)域，由此顯示圖像。已從外部進入的第二光L2穿過濾色器基板300并被有機絕緣層240的反射顆粒244反射，由此顯示圖像。
第一光L1通過透射窗500透射，第二光L2被反射顆粒244反射。換言之，有機絕緣層240具有透射功能和反射功能。因此，有機絕緣層240可以被稱為透射反射膜。
從柵極線GL延伸的柵電極焊盤260具有比柵極線GL的寬度更大的寬度，并形成在第一周邊區(qū)域PA1中。部分地暴露柵電極焊盤260的第一通孔265形成在第一周邊區(qū)域PA1中。通過去除設置在柵電極焊盤260之上的有機絕緣層240、鈍化層230和柵極絕緣層222的一部分來形成第一通孔265。
在柵電極焊盤260上形成第一透明電極270。第一透明電極270通過第一通孔265電連接到柵電極焊盤260。第一透明電極270和像素電極250可以由同一層形成。例如，第一透明電極270和像素電極250可以通過相同的工藝形成。
從數(shù)據(jù)線DL延伸的數(shù)據(jù)電極焊盤280具有比數(shù)據(jù)線DL的寬度更低的寬度，并形成在第二周邊區(qū)域PA2中。去除設置在數(shù)據(jù)電極焊盤280之上的部分有機絕緣層240和鈍化層230從而形成第二通孔285。部分地暴露數(shù)據(jù)電極焊盤280的第二通孔285形成在第二周邊區(qū)域PA2中。
通過第二通孔285電連接到數(shù)據(jù)電極焊盤280的第二透明電極290形成在數(shù)據(jù)電極焊盤280上。第二透明電極290和像素電極250可以由同一層形成。例如，第二透明電極290和像素電極250可以通過相同的工藝形成。
柵電極焊盤260和數(shù)據(jù)電極焊盤280中的每一個通過各向異性導電膜(AFC，未示出)電連接到柔性印刷電路板(PCB)(未示出)。因此，柵電極焊盤260將從柔性PCB接收到的柵極信號輸出到柵極線(GL)，數(shù)據(jù)電極焊盤280將從柔性PCB接收到的數(shù)據(jù)信號輸出到數(shù)據(jù)線(DL)。
濾色器基板300包括形成在第二絕緣基板310上的光屏蔽層320，濾色器330和公共電極340。濾色器330包括紅色像素、綠色像素和藍色像素。光屏蔽層320形成在濾色器330之間，使得光屏蔽層320屏蔽從濾色器330中的間隙泄漏的光。公共電極340面對形成在陣列基板200上的像素電極250。
在上述LCD裝置中，第二光L2被有機絕緣層240的反射顆粒244反射。因此，常規(guī)的反射電極是不必要的。并且，通過反射顆粒244中光的分散和干涉，增大了第二光L2的反射量，并增大了視角。因此，用于分散和干涉的壓紋圖案是不必要的。
圖4A至4D是示出根據(jù)圖1中陣列基板的一示范性實施例的陣列基板的制造方法的剖面圖。
參照圖4A，在第一絕緣基板210上形成第一金屬層(未示出)，然后構圖第一金屬層以形成柵電極221和柵電極焊盤260。柵電極221形成在顯示區(qū)域DA上，而柵電極焊盤260形成在第一周邊區(qū)域PA1上。
然后，在其上形成有柵電極221和柵電極焊盤260的第一絕緣基板210上形成氮化硅層，以形成柵極絕緣層222。在柵極絕緣層222上順序形成非晶硅層和N+非晶硅層，從而分別形成半導體層223和歐姆接觸層224。
在其上形成有半導體層223和歐姆接觸層224的第一絕緣基板210上沉積第二金屬層(未示出)，然后在顯示區(qū)域DA中構圖第二金屬層從而形成源電極225和漏電極226。此外，可以在第二周邊區(qū)域PA2中形成數(shù)據(jù)電極焊盤280。
因此，在第一絕緣基板210的顯示區(qū)域DA上形成了TFT220，該TFT含有柵電極221、半導體層223、歐姆接觸層224、源電極225和漏電極226。而且，在第一周邊區(qū)域PA1中形成了柵電極焊盤260，并在第二周邊區(qū)域PA2中形成了數(shù)據(jù)電極焊盤280。
參照圖4B，在其上形成有TFT220的第一絕緣基板210、柵電極焊盤260和數(shù)據(jù)電極焊盤280上形成保護層230。然后，例如通過旋涂工藝或狹縫涂敷工藝在其上形成有TFT220的第一絕緣極板210上沉積一材料，該材料包括與具有光敏特性的有機材料242相混合的反射顆粒244，從而在第一絕緣基板210上形成有機絕緣層240。有機絕緣層240形成在顯示區(qū)域DA以及第一和第二周邊區(qū)域PA1和PA2中。
如圖4C所示，在有機絕緣層240之上設置具有預定圖案的掩模600。掩模600可以包括用于形成接觸孔245的第一開口610，用于形成透射窗500的第二開口620，用于形成第一通孔265的第三開口630和用于形成第二通孔285的第四開口640。
在通過掩模600曝光有機絕緣層240之后，利用顯影劑溶液顯影被曝光的有機絕緣層240。由于有機絕緣層240具有光敏特性，所以曝光的區(qū)域被顯影。因此，去除了對應于第一開口部分610的部分有機絕緣層240和鈍化層230，從而形成了暴露漏電極226的接觸孔245。此外，對應于第二開口部分620的部分有機絕緣層240被曝光，從而形成了暴露鈍化層230的透射窗500。另外，對應于開口部分630的部分有機絕緣層240、鈍化層230和柵極絕緣層222被部分地曝光，從而形成了暴露柵電極焊盤260的第一通孔265。此外，對應于第四開口部分640的部分有機絕緣層240和鈍化層230被曝光，從而形成了暴露數(shù)據(jù)電極焊盤280的第二通孔285。
參照圖4D，在其上形成有接觸孔245、透射窗500以及第一和第二通孔265和285的第一絕緣基板210上形成包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電層，并構圖該透明導電層。結果，在顯示區(qū)域DA上形成像素電極250，在第一周邊區(qū)域PA1上形成第一透明電極270，并在第二周邊區(qū)域PA2上形成第二透明電極290，從而完成陣列基板100。
上述像素電極250通過接觸孔245電連接到漏電極225。第一透明電極270通過第一通孔265電連接到柵電極焊盤260，并且第二透明電極290通過第二通孔285電連接到數(shù)據(jù)電極焊盤。
通過上述制造工藝制造的陣列基板200利用有機絕緣層240的反射顆粒244反射第二光L2。因此，形成常規(guī)反射電極的工藝是不必要的。并且，通過反射顆粒244中光的分散和干涉可以增大第二光L2的反射量，并可以擴大視角。因此，形成常規(guī)壓紋圖案的工藝是不必要的，從而可以簡化陣列基板的制造工藝。
圖5A至5C是示出根據(jù)圖1中陣列基板的一示范性實施例的陣列基板的制造方法的剖面圖。
參照圖1和圖5A，在第一絕緣基板210上形成開關元件220。并在第一和第二周邊區(qū)域PA1和PA2上分別形成柵電極焊盤260和數(shù)據(jù)電極焊盤280。
在其上形成有TFT220、柵電極焊盤260和數(shù)據(jù)電極焊盤280的第一絕緣基板210上形成鈍化層230，從而使鈍化層230覆蓋TFT220、柵電極焊盤260和數(shù)據(jù)電極焊盤280。例如通過旋涂工藝或狹縫涂敷工藝在第一絕緣極板210的鈍化層230上涂敷包括非光敏有機材料242和反射顆粒244的材料，從而在鈍化層230上形成有機絕緣層240。有機絕緣層240形成在顯示區(qū)域DA以及第一和第二周邊區(qū)域PA1和PA2中。
然后，在形成于第一絕緣基板210上的有機絕緣層240上形成具有光敏特性的光致抗蝕劑膜700。
參照圖5B，在光致抗蝕劑膜700之上設置具有圖案形狀的掩模800。掩模800具有第一開口部分810以形成接觸孔245、第二開口部分820以形成透射窗500、第三開口部分830以形成第一通孔265以及第四開口部分840以形成第二通孔285。
然后，通過掩模800曝光光致抗蝕劑膜700，并通過顯影劑溶液顯影被曝光的光致抗蝕劑膜700。因此，在對應于第一至第四開口部分810、820、830和840的區(qū)域部分地去除光致抗蝕劑膜700，從而使有機絕緣層240被圖案化。
參照圖5C，通過掩模利用蝕刻氣體執(zhí)行干式蝕刻工藝，所述掩模是圖案化的光致抗蝕劑膜700。該蝕刻氣體包括氟化硫(SF6)、氧氣(O2)和氮氣(N2)。
通過干式蝕刻工藝去除對應于第一開口部分810的有機絕緣層240和鈍化層230，從而形成接觸孔245。通過干式蝕刻工藝去除對應于第二開口部分820的有機絕緣層240，從而形成透射窗500。通過干式蝕刻工藝去除對應于第三開口830的有機絕緣層240、鈍化層230和柵極絕緣層830，從而形成第一通孔265。通過干式蝕刻工藝去除對應于第四開口部分840的有機絕緣層240和鈍化層230，從而形成第二通孔285。
然后，去除光致抗蝕劑膜700。用均勻的厚度涂敷包括ITO或IZO的透明導電層，并對其構圖。因此，像素電極250、第一透明電極270和第二透明電極290分別形成在顯示區(qū)域DA、第一周邊區(qū)域PA1和第二周邊區(qū)域PA2中。因此，完成了陣列基板100。
以上，描述了透射反射型LCD裝置，其具有透射第一光L1的透射區(qū)域和反射第二光L2的反射區(qū)域?；蛘撸陨厦枋龅挠袡C絕緣層240的反射顆粒244也可以用于反射型LCD。也就是說，該反射型LCD含有有機絕緣層240，該有機絕緣層240具有通過有機絕緣層240的反射顆粒244反射第二光L2的反射區(qū)域。因此，在有機絕緣層240中，透射窗500不形成在其上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的陣列基板可以包括有機絕緣層，該有機絕緣層合有有機材料和反射顆粒。可以在有機絕緣層中形成透射窗從而透射光。
有機絕緣層可以透射內部光、即從背光組件通過透射窗輸出的第一光，也可以利用反射顆粒反射環(huán)境光、即第二光比如日光。
因此，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的陣列基板和LCD裝置可以不需要反射環(huán)境光的常規(guī)的反射電極。并且，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的陣列基板和LCD裝置可以利用有機絕緣層的反射顆粒以提高的反射效率來反射環(huán)境光。此外，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的陣列基板和LCD裝置可以具有擴大的視角，從而可以不需要常規(guī)的微透鏡。此外，在該陣列基板的制造工藝中，不需要形成反射電極或壓紋圖案的工藝，從而可以簡化陣列基板或LCD裝置的制造工藝。
盡管此處已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的示例性實施例，但應理解的是，本發(fā)明不應局限于這些確切的實施例，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的前提下，本領域普通技術人員可以對其進行各種其他變化和修改。所有這些變化和修改意于包括在由權利要求限定的本發(fā)明的范圍內。
權利要求
1.一種陣列基板，包括基板；形成在所述基板的顯示區(qū)域中的開關元件；形成在其上形成有所述開關元件的基板上的絕緣層，所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的光；以及形成在所述絕緣層上的像素電極，所述像素電極電連接到所述開關元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中所述絕緣層包括光敏有機材料和所述反射顆粒的混合物。
3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中所述絕緣層包括非光敏有機材料和所述反射顆粒的混合物。
4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中每個所述反射顆粒包括硅酸鹽顆粒和涂敷在所述硅酸鹽顆粒表面上的金屬氧化物涂層。
5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其中所述金屬氧化物涂層包括從氧化鈦、氧化鋁和氧化錫所構成的組中選取的材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中每個所述反射顆粒具有約0.1μm至約5μm的直徑。
7.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中每個所述反射顆粒具有約1至約2的折射率。
8.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其中所述絕緣層具有透射窗，所述透射窗透射從所述基板的下部接收到的光。
9.一種陣列基板的制造方法，包括形成基板；在所述基板的顯示區(qū)域中形成開關元件；在其上形成有所述開關元件的基板上形成絕緣層，所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的光；在所述絕緣層上形成像素電極，所述像素電極電連接到所述開關元件。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述絕緣層包括在其上形成有所述開關元件的基板上涂敷混合物材料，所述混合物材料包括光敏有機材料和所述反射顆粒；通過掩模曝光涂敷在其上形成有所述開關元件的基板上的所述混合物材料；以及形成部分地暴露所述開關元件的接觸孔。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中形成所述絕緣層還包括在形成所述接觸孔時，同時形成透射窗，所述透射窗透射從所述基板的下部接收到的光。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述絕緣層還包括在其上形成有所述開關元件的基板上涂敷混合物材料，所述混合物材料包括非光敏有機材料和所述反射顆粒；在所述混合物材料上涂敷光致抗蝕劑膜；通過掩模構圖所述光致抗蝕劑膜從而形成圖案化的光致抗蝕劑膜；通過利用所述圖案化的光致抗蝕劑膜蝕刻所述混合物材料，形成部分地暴露所述開關元件的接觸孔；以及去除所述圖案化的光致抗蝕劑膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中形成所述絕緣層還包括在形成所述接觸孔的步驟同時形成透射窗，所述透射窗透射從所述基板的下部接收到的光。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中每個所述反射顆粒包括硅酸鹽顆粒和涂敷在所述硅酸鹽顆粒表面上的金屬氧化物涂層。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述金屬氧化物涂層包括從氧化鈦、氧化鋁和氧化錫所構成的組中選取的材料。
16.一種液晶顯示裝置，包括濾色器基板；面對所述濾色器基板的陣列基板，所述陣列基板包括基板、形成在所述基板的顯示區(qū)域中的開關元件、形成在其上形成有所述開關元件的基板上的絕緣層和形成在所述絕緣層上的像素電極，所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的光，所述像素電極電連接到所述開關元件；以及設置在所述濾色器基板和所述陣列基板之間的液晶層。
17.根據(jù)權利要求16所述的液晶顯示裝置，其中所述絕緣層包括光敏有機材料和所述反射顆粒。
18.根據(jù)權利要求16所述的液晶顯示裝置，其中所述絕緣層包括非光敏有機材料和所述反射顆粒。
19.根據(jù)權利要求16所述的液晶顯示裝置，其中每個所述反射顆粒包括硅酸鹽顆粒和涂敷在所述硅酸鹽顆粒表面上的金屬氧化物涂層。
20.根據(jù)權利要求19所述的液晶顯示裝置，其中所述金屬氧化物涂層包括從氧化鈦、氧化鋁和氧化錫所構成的組中選取的材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，其包括開關元件、像素電極和絕緣層。所述開關元件形成在基板的顯示區(qū)域中。所述絕緣層形成在其上形成有開關元件的基板上。所述絕緣層包括多個反射顆粒，所述多個反射顆粒反射入射到所述基板上部中的光。因此，含有反射顆粒的有機絕緣層可以反射并透射光，從而不需要形成常規(guī)反射電極或壓紋圖案的工藝，可以簡化陣列基板的制造工藝。
文檔編號G02F1/136GK1953187SQ20061010817
公開日2007年4月25日 申請日期2006年7月31日 優(yōu)先權日2005年10月19日
發(fā)明者尹柱善, 樸源祥 申請人:三星電子株式會社