專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)，更具體地講，涉及一種垂直取向的LCD。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器之一。通常，LCD包括設置有場發(fā)生電極如像素電極和共電極的兩個基底以及置于這兩個基底之間的液晶(LC)層。LCD通過向場發(fā)生電極施加電壓以在LC層中產(chǎn)生電場來顯示圖像，在LC層中產(chǎn)生的電場確定LC層的LC分子的取向，從而調(diào)節(jié)入射光的偏振。
在LCD中，垂直排列(VA)模式的LCD由于它的高對比度和寬參考視角(reference viewing angle)而流行，VA模式的LCD在沒有電場的情況下，LC分子取向為LC分子的長軸垂直于基底，參考視角可被定義為使對比度等于1∶10時的視角或者可被定義為灰度間亮度反轉(zhuǎn)的極限角度。
另外，已經(jīng)開發(fā)了疇劃分(domain division)型LCD，在疇劃分型LCD中，疇被劃分成多組，不同的數(shù)據(jù)電壓被施加到各疇組。具體地講，通過連接電極的耦合，一個像素可被劃分成至少兩個疇組，使得不同的數(shù)據(jù)電壓可被施加到各疇組。
在這樣的傳統(tǒng)的LCD中，為了均勻地保持施加到像素電極的電壓電平，像素電極可被形成為與施加有共電壓的存儲電極布線稍微疊置。然而，如果當在存儲電極布線之上形成像素電極時出現(xiàn)疊置誤差，則像素電極和存儲電極布線的疊置面積在疇與疇之間會不期望地出現(xiàn)差異。在這種情況下，在一對相鄰的疇之間的電壓比會不規(guī)則，因而，會在LCD的屏幕上形成黑條紋和白條紋。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種LCD，即使當在存儲電極布線之上形成像素電極時出現(xiàn)疊置誤差，該LCD也可具有優(yōu)良的顯示特性。
在下面的描述中將闡述本發(fā)明的其它特征，部分從描述中將是清楚的，或者部分可通過本發(fā)明的實施來了解。
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，包括柵極線，布置在絕緣基底上；數(shù)據(jù)線，與柵極線絕緣，并與柵極線交叉；像素電極，包括施加有不同的電壓的第一子像素電極和第二子像素電極；薄膜晶體管，與柵極線和數(shù)據(jù)線電連接，以向像素電極施加電壓；存儲電極，與第一子像素電極和第二子像素電極疊置。第一子像素電極布置在除了第二子像素電極的一邊之外的所有邊上，存儲電極的第一側部分與第一子像素電極和第二子像素電極的邊界疊置，存儲電極的第二側部分與第一子像素電極的邊界疊置，存儲電極包括存儲電極延伸部分，存儲電極延伸部分從越過第一子像素電極的存儲電極的第二側突出并與第二子像素電極疊置。
應該理解，上面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，意在提供如權利要求的本發(fā)明的進一步解釋。


附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與描述部分一起用來解釋本發(fā)明的原理，包括這些附圖以提供對本發(fā)明的進一步理解，附圖結合在本說明書中并構成本說明書的一部分。
圖1A是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的薄膜晶體管(TFT)基底的版圖，圖1B是沿著圖1A中的線Ib-Ib′截取的剖視圖，圖1C是沿著圖1A中的線Ic-Ic′和Ic′-Ic″截取的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的共電極基底的版圖；圖3A是包括圖1A中的TFT基底和圖2中的共電極基底的版圖，圖3B是沿著圖3A中的線IIIb-IIIb′截取的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的電路圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的LCD的TFT基底的版圖，圖5B是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括圖5A中的TFT基底的LCD的版圖。
具體實施例方式
通過參照下面對示例性實施例和附圖的詳細描述，本發(fā)明的優(yōu)點和特征及實現(xiàn)其的方法可更易于理解。然而，本發(fā)明可以以多種不同的方式實施，不應理解為限于這里闡述的實施例。提供這些實施例以使本公開是透徹的和完全的，并將本發(fā)明的原理完全傳達給本領域技術人員，本發(fā)明只由權利要求限定。整個說明書中，相同的標號表示相同的元件。
應該理解，當元件諸如層、膜、區(qū)域或基底稱為“在”另一元件“上”時，這個元件可以直接在另一元件上，或者也可存在中間元件。相反，當元件稱為“直接”在另一元件“上”時，不存在中間元件。
現(xiàn)在，將參照附圖更加全面地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD。
LCD包括TFT基底，包括由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素和TFT；共電極基底，面對TFT基底并包括濾色器。液晶層置于TFT基底和共電極基底之間。液晶層包括其長軸基本上垂直于TFT基底和共電極基底取向的液晶分子。
首先，現(xiàn)在將參照圖1A、圖1B和圖1C來更加詳細地描述TFT基底。
圖1A是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的薄膜晶體管(TFT)基底的版圖，圖1B是沿著圖1A中的線Ib-Ib′截取的剖視圖，圖1C是沿著圖1A中的線Ic-Ic′和Ic′-Ic″截取的剖視圖。
參照圖1A、圖1B和圖1C，柵極線22沿著水平方向形成在絕緣基底10上，柵電極26從柵極線22突出地形成。從另一層或外部電路接收柵極信號的柵極線端部24形成在柵極線22的一端。為了有效地將柵極線22與外部電路結合，柵極線端部24比柵極線22寬。柵極線22、柵電極26和柵極線端部24構成柵極布線。
此外，存儲電極線28沿著水平方向形成在絕緣基底10上，并基本上平行于柵極線22。多個存儲電極29a、29b、29c和29d沿著第一子像素電極82a和第二子像素電極82b的邊緣形成為存儲電極線28的分支。例如，存儲電極包括存儲電極垂直圖案29a和29b，沿著數(shù)據(jù)線62從存儲電極線28延伸，并與第一子像素電極82a和第二子像素電極82b疊置；存儲電極傾斜圖案29c和29d，沿著第一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間相應的間隙83形成。存儲電極傾斜圖案29c和29d連接存儲電極垂直圖案29a和29b。存儲電極垂直圖案29a和29b可通過使用從存儲電極垂直圖案29a延伸的存儲電極延伸部分27與第一子像素電極82a和第二子像素電極82b疊置。存儲電極線28和存儲電極29a、29b、29c、29d以及存儲電極延伸部分27構成存儲電極布線。
在本實施例中，為了增大LCD的開口率，存儲電極布線27、28、29a、29b、29c和29d沿著第一子像素電極82a和第二子像素電極82b的邊布置。然而，存儲電極布線27、28、29a、29b、29c和29d可具有各種形狀和布局，只要滿足與第一子像素電極82a和第二子像素電極82b相關的預定存儲電容形成條件。
柵極布線22、24、26和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d可由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ti或Ta制成。此外，柵極布線22、24、26和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d可具有多層結構，該多層結構包括具有不同物理特性的兩個導電膜(未示出)。所述兩個膜之一可由低阻金屬制成，以減小信號延遲或電壓降，所述低阻金屬包括Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu和Cu合金。另一膜可由具有良好的物理特性、化學特性以及具有與其它材料諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的良好的電接觸特性的材料諸如Mo、Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。所述多層結構的示例包括下Cr膜和上Al膜，以及下Al膜和上Mo膜。然而，柵極布線22、24、26和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d可由各種金屬或?qū)w制成。
柵極絕緣層30形成在柵極布線22、24、26和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d上。
可由氫化非晶硅或多孔硅形成的半導體層40形成在柵極絕緣層30上。半導體層40可具有各種形狀如島狀或線狀。例如，圖1A示出了島狀的半導體層40。當半導體層40為線狀時，它可位于數(shù)據(jù)線62的下面并延伸到柵電極26。
歐姆接觸層55和56可由例如硅化物或以高濃度n型雜質(zhì)摻雜的n+氫化硅形成在半導體層40上。歐姆接觸層55和56可具有各種形狀如島狀或線狀。例如，圖1B示出了位于漏電極66和源電極65的下面的島狀的歐姆接觸層55和56。線狀的歐姆接觸層可在柵電極26的上面延伸。
數(shù)據(jù)線62和漏電極66形成在歐姆接觸層55、56和柵極絕緣層30上。數(shù)據(jù)線62在縱向上延伸，以與柵極線22交叉，從而限定像素。源電極65從數(shù)據(jù)線62分支并在半導體層40的上面延伸。從另一層或從外部電路接收數(shù)據(jù)信號并將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線62的數(shù)據(jù)線端部68形成在數(shù)據(jù)線62的一端。為了有效地將數(shù)據(jù)線62與外部電路結合，數(shù)據(jù)線端部68比數(shù)據(jù)線62寬。漏電極66和源電極65彼此分開，并位于柵電極26的相對側。
漏電極66包括形成在半導體層40上的條型圖案和從條形圖案延伸并通過接觸孔76部分地暴露的漏電極延伸部分67。以與漏電極66相同的材料形成并與漏電極66形成在相同的層上的耦合電極69從漏電極66分支。耦合電極69與第二子像素電極82b疊置，從而與第二子像素電極82b形成耦合電容。為了提高開口率并防止紋理和光泄漏，耦合電極69可沿著共電極的切口(圖2和圖3A的92)形成。數(shù)據(jù)線62、數(shù)據(jù)線端部68、源電極65、包括漏電極延伸部分67的漏電極66、耦合電極69構成數(shù)據(jù)布線。
數(shù)據(jù)布線62、65、66、67、68和69可由難熔金屬如Cr、Mo、Ti、Ta或它們的合金制成。另外，數(shù)據(jù)布線62、65、66、67、68和69可具有包括低阻膜(未示出)和優(yōu)良接觸膜(未示出)的多層結構。該多層結構的示例包括下Cr膜和上Al膜的雙層結構、下Al膜和上Mo膜的雙層結構以及下Mo膜、中Al膜和上Mo膜的三層結構。
源電極65與半導體層40至少部分地疊置，漏電極66和源電極65至少部分覆蓋半導體層40地位于柵電極26的相對側。這里，歐姆接觸55置于半導體層40和源電極65之間，歐姆接觸56置于半導體層40和漏電極66之間，以減小半導體層40和源電極65之間以及半導體層40和漏電極66之間的接觸電阻。
用作絕緣層的鈍化層70形成在數(shù)據(jù)線62、漏電極66和半導體層40上。這里，鈍化(保護)層70可由通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成的低介電絕緣材料如a-Si:C:O和a-Si:O:F、具有良好平坦性的光敏有機材料或者無機絕緣體如氮化硅或二氧化硅制成?？蛇x擇地，為了在保持有機層特性的同時保護暴露的半導體層40，鈍化層70可具有下無機膜和上有機膜的雙層結構。
穿過鈍化層70形成接觸孔76和接觸孔78，以分別暴露漏電極66和數(shù)據(jù)線端部68。穿過鈍化層70和柵極絕緣層30形成接觸孔74，以暴露柵極線端部24。
像素電極82與像素的形狀相對應地形成在鈍化層70上。像素電極82包括被間隙83分開的第一子像素電極82a和第二子像素電極82b。間隙與偏振片的透射軸1形成大約45度或-45度的角度。第二子像素電極82b形成旋轉(zhuǎn)的‘V’形，并位于像素區(qū)域的中間。第一子像素電極82a形成在像素區(qū)域沒有第二子像素電極82b的部分上。這里，多個切口(未示出)可沿著傾斜的方向形成在第一子像素電極82a和第二子像素電極82b中，或者多個突出(未示出)可沿著傾斜的方向形成在第一子像素電極82a和第二子像素電極82b上?？紤]到當向液晶層施加電場時液晶分子的指向矢的方向，可將像素電極82的顯示區(qū)域劃分成多個疇。使用形成在像素電極82中的切口或形成在像素電極82上的突出，每個疇可被劃分成多個子疇。
第一子像素電極82a通過接觸孔76電連接到漏電極66，通過從漏電極66延伸的耦合電極69，第二子像素電極82b耦合到漏電極66，但不直接與漏電極66連接。
輔助柵極線端部86和輔助數(shù)據(jù)線端部88形成在鈍化層70上，并通過接觸孔74與柵極線端部24連接，通過接觸孔78與數(shù)據(jù)線端部68連接。此外，穿過鈍化層70形成接觸孔77，以暴露存儲電極布線27、28、29a、29b、29c和29d。連接元件84形成在鈍化層70上，并電連接相鄰的像素區(qū)域的存儲電極布線27、28、29a、29b、29c和29d。這里，第一子像素電極82a、第二子像素電極82b和輔助柵極線端部86、輔助數(shù)據(jù)線端部88可由透明導體如ITO、IZO或反射型導體如Al制成。輔助柵極線端部86將柵極線端部24與外部器件電連接，輔助數(shù)據(jù)線端部88將數(shù)據(jù)線端部68與外部器件電連接。
第一子像素電極82a通過接觸孔76物理連接且電連接到漏電極66，漏電極66向第一子像素電極82a施加數(shù)據(jù)電壓。第二子像素電極82b電浮置，并通過與漏電極66連接且與第二子像素電極82b疊置的耦合電極69與第一子像素電極82a容性耦合。
換句話講，第二子像素電極82b的電壓根據(jù)第一子像素電極82a的電壓而改變。第二子像素電極82b的電壓的絕對值可總小于第一子像素電極82a的電壓的絕對值?？蛇x擇地，數(shù)據(jù)電壓可施加到第二子像素電極82b，第一子像素電極82a可與第二子像素電極82b容性耦合。
當如上所述地布置像素時，可補償具有不同數(shù)據(jù)電壓的第一子像素電極82a和第二子像素電極82b，因而減小了伽馬曲線扭曲并加寬了參考視角。
如上所述，即使當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極82時出現(xiàn)疊置誤差，也可基本上均勻地保持像素電極82和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之間的疊置面積，從而基本上均勻地保持多個相鄰疇之間的電壓比。例如，像素電極82被形成為它的兩邊都可疊加在存儲電極垂直圖案29a和29b上。因此，即使當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極82時出現(xiàn)疊置誤差，也由于可以補償像素電極82和存儲電極垂直圖案29a、29b的疊置面積而可以基本上均勻地保持像素電極82和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之間的疊置面積。當通過耦合電極69將第二子像素電極82b與第一子像素電極82a容性耦合時，第二子像素電極82b可被形成為它的右側部分與存儲電極垂直圖案29b疊置，而它的左側部分與從存儲電極垂直圖案29a延伸并比存儲電極垂直圖案29a寬的存儲電極延伸部分27疊置。這里，下面將參照圖4來詳細描述第一子像素電極82a和第二子像素電極82b的耦合。
用于使液晶層取向的取向?qū)?未示出)可形成在像素電極82、輔助柵極線端部86、輔助數(shù)據(jù)線端部88和鈍化層70上。
現(xiàn)在將參照圖2、圖3A和圖3B來詳細描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的共電極基底和具有該共電極基底的LCD。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的共電極基底的版圖，圖3A是圖1A中的TFT基底和圖2中的共電極基底的版圖，圖3B是沿著圖3A中的線IIIb-IIIb′截取的剖視圖。
參照圖2、圖3A和圖3B，順序布置在各像素中的濾色器98(例如，紅色、綠色和藍色濾色器)和防止光泄漏的黑色矩陣94形成在可為透明絕緣材料如玻璃的絕緣材料96上。共電極90由透明導電材料如ITO或IZO形成在濾色器98上，共電極90包括傾斜的切口92。每個傾斜的切口92在中間具有凹口91。凹口91可為三角形、矩形、梯形或半圓形。疇邊界附近的液晶分子由于凹口91而可為穩(wěn)定且均勻地排列，因此防止了在疇邊界附近產(chǎn)生暗點或余像。
共電極90面對像素電極82，并包括與偏振片2的透射軸1形成大約45度或-45度的角度的傾斜切口92。共電極90可包括代替傾斜切口92的突出(未示出)。傾斜的切口92和突出可稱為疇劃分件。
用于使液晶分子取向的取向?qū)?未示出)可形成在共電極90上。
參照圖3A，共電極90的傾斜切口92以及使第一子像素電極82a和第二子像素電極82b分開的間隙83可交替地布置。
參照圖3B，TFT基底100和共電極基底200彼此垂直地排列，液晶層300置于其間且彼此耦合，因而形成根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的基本結構。
包括在液晶層300中的液晶分子取向為它們的指向矢可垂直于TFT基底100和共電極基底200，并具有負的介電各向異性。TFT基底100和共電極基底200彼此排列成使得像素電極82和濾色器98彼此精確疊置。然后，像素可被傾斜的切口92和間隙83劃分成多個疇。根據(jù)液晶分子取向的方向，像素可被間隙83劃分成左疇和右疇，也可被劃分成上疇和下疇。換句話講，根據(jù)當電場施加到液晶層時包括在液晶層中的液晶分子的指向矢的方向，像素可被劃分成多個疇。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD不僅可包括在圖3B中示出的基本結構，而且也可包括其它的元件，如偏振片和背光組件。
偏振片2可以以這樣的方式安裝在基本結構的一側上，即，一個透射軸平行于柵極線22，另一透射軸垂直于柵極線22。
在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD中，當對像素的多個疇的每個中的液晶施加電場時，上述液晶垂直于間隙83或傾斜的切口92傾斜。因此，在每個疇中的液晶與偏振片2的透射軸形成大約45度或-45度的角度。形成在各間隙83或傾斜的切口92中的側向電場有助于在各個疇中的液晶取向。
在這個LCD中，圖像信號電壓可被從TFT施加到第一子像素電極82a，第二子像素電極82b與第一子像素電極82a容性耦合。因此，第二子像素電極82b的電壓根據(jù)施加到第一子像素電極82a的圖像信號電壓而改變。此外，第二子像素電極82b的電壓的絕對值將小于第一子像素電極82a的電壓的絕對值。因此，如上所述，通過以這樣的方式在像素中布置第一子像素電極82a和第二子像素電極82b，使得它們可彼此互補，可減小伽馬曲線扭曲的可能性。
現(xiàn)在將參照圖4來詳細描述第一子像素電極82a和第二子像素電極82b的耦合，圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD的電路圖。
參照圖3A和圖4，Clca是形成在第一子像素電極82a和共電極90之間的液晶電容器，Csta是形成在第一子像素電極82a和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之間的存儲電容器，Cstb是形成在第二子像素電極82b和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之間的存儲電容器，Clcb是形成在第二子像素電極82b和共電極90之間的液晶電容器，Ccp是形成在第一子像素電極82a和第二子像素電極82b之間特別是形成在第二子像素電極82b和耦合電極69之間的耦合電容器。
參照圖4，像素的TFT Q是包括控制端部(例如，柵電極26)、輸入端部(例如，源電極65)和輸出端部(例如，漏電極66)的三端部器件，其中，控制端部與柵極線G(例如，柵極線22)電連接，輸入端部與數(shù)據(jù)線D(例如，數(shù)據(jù)線62)電連接，輸出端部與液晶電容器Clca、Clcb以及存儲電容器Cst電連接。
第一子像素電極82a和第二子像素電極82b的電壓分別以Va和Vb表示。電壓分布規(guī)律為Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb+Cstb)]由于Ccp/(Ccp+Clcb+Cstb)總小于1，所以電壓Vb將小于電壓Va。通過控制電容器Ccp的電容，可調(diào)節(jié)Vb對Va的比，通過調(diào)節(jié)第二子像素電極82b與耦合電極69之間的接觸面積或距離可控制電容器Ccp的電容。如上所述，可以以各種方式布置耦合電極69。
這里，如果當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極82時出現(xiàn)疊置誤差，則電容器Cstb的電容可根據(jù)第二子像素電極82b與存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之間的疊置面積而改變。因此，為了基本上均勻地保持電壓Va與電壓Vb之比，包括電容器Cstb的LCD應該被設計成不管當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極82時是否出現(xiàn)疊置誤差，電容器Cstb都具有預定的電容。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD中，以這樣的方式形成第二子像素電極82b，即，它的右側部分與存儲電極垂直圖案29b疊置，它的左側部分與從存儲電極垂直圖案29a延伸的存儲電極延伸部分27疊置。因此，即使當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極82時出現(xiàn)疊置誤差，也可基本上均勻地保持電容器Cstb的電容。結果，可基本上均勻地保持電壓Va和電壓Vb之比，從而防止LCD的顯示特性劣化。
現(xiàn)在，將參照圖5A和圖5B來詳細描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的LCD。
圖5A是LCD的TFT基底的版圖，圖5B是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括圖5A中的TFT基底的LCD的版圖。如圖5A和圖5B所示，相同的元件分別以相同的標號表示，省略對它們的重復描述。
參照圖5A和圖5B，修改了第二子像素電極582b，使得第二子像素電極582b和存儲電極延伸部分27的疊置面積與第二子像素電極582b和存儲電極垂直圖案29b的疊置面積基本上相同。凹進A形成在第二子像素電極582b的右側上(即，形成在第二子像素電極582b的最長的側邊上)，使得第二子像素電極582b和存儲電極垂直圖案29b的疊置面積與第二子像素電極582b和存儲電極延伸部分27的疊置面積基本上相同。
因此，即使當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成像素電極58，具體地講，當在存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d之上形成第二子像素電極582b時出現(xiàn)疊置誤差，也可基本上均勻地保持第二子像素電極582b和存儲電極布線27、28、29a、29b、29c、29d的疊置面積。因此，可基本上均勻地保持施加到第一子像素電極82a的電壓對施加到第二子像素電極582b的電壓之比，從而改進了LCD的顯示特性。
如上所述，即使當在存儲電極布線之上形成像素電極時出現(xiàn)疊置誤差，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LCD也可基本上均勻地保持像素電極和存儲電極布線的疊置面積，從而改進了LCD的顯示特性。
本領域技術人員將清楚，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明作出各種修改和變化。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們落入權利要求及其等同物的范圍。
權利要求
1.一種液晶顯示器，包括柵極線，布置在絕緣基底上；數(shù)據(jù)線，與所述柵極線絕緣，并與所述柵極線交叉；像素電極，包括施加有不同的電壓的第一子像素電極和第二子像素電極；薄膜晶體管，與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線電連接，以向所述像素電極施加電壓；存儲電極，與所述第一子像素電極和所述第二子像素電極疊置，其中，所述第一子像素電極布置在除了所述第二子像素電極的一邊之外的所有邊上，所述存儲電極的第一側部分與所述第一子像素電極和所述第二子像素電極疊置，所述存儲電極的第二側部分與所述第一子像素電極疊置，所述存儲電極包括存儲電極延伸部分，所述存儲電極延伸部分從越過所述第一子像素電極的所述存儲電極的第二側突出并與所述第二子像素電極疊置。
2.如權利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極被間隙分開，并且所述存儲電極包括一對存儲電極垂直圖案，沿著所述數(shù)據(jù)線布置；一對存儲電極傾斜圖案，沿著所述間隙布置，并連接所述存儲電極垂直圖案。
3.如權利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述存儲電極延伸部分從所述存儲電極垂直圖案中的一個突出，所述存儲電極延伸部分比所述存儲電極垂直圖案中的所述一個寬。
4.如權利要求2所述的液晶顯示器，還包括偏振片，布置在所述絕緣基底上，其中，所述間隙包括與所述偏振片的透射軸形成大約45度的角度的第一間隙和與所述偏振片的透射軸形成大約負45度的角度的第二間隙。
5.如權利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極和所述存儲電極疊置的第一側部分的面積與所述第二子像素電極和所述存儲電極疊置的第二側部分的面積基本上相同。
6.如權利要求5所述的液晶顯示器，其中，凹進形成在所述第二子像素電極靠近所述數(shù)據(jù)線的一側中。
7.如權利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極與所述第一子像素電極容性耦合。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器(LCD)，該LCD包括柵極線、數(shù)據(jù)線和像素電極，像素電極包括施加有不同的電壓的第一子像素電極和第二子像素電極。薄膜晶體管與柵極線和數(shù)據(jù)線結合，以向像素電極施加電壓，存儲電極與第一子像素電極和第二子像素電極部分地疊置。第一子像素電極布置在除了第二子像素電極的一邊之外的所有邊上，存儲電極的第一側部分與第一子像素電極和第二子像素電極的邊界疊置，存儲電極的第二側部分突出并與第二子像素電極部分地疊置，存儲電極包括存儲電極延伸部分，存儲電極延伸部分從越過第一子像素電極的存儲電極的第二側突出并與第二子像素電極疊置。
文檔編號G02F1/133GK1908789SQ20061010836
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優(yōu)先權日2005年8月2日
發(fā)明者郭相基, 樸正浚, 白范基, 李敬弼 申請人:三星電子株式會社