專利名稱：全濕法去膠方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工業(yè)中的去膠方法,尤其涉及一種半導(dǎo)體 制造工業(yè)中的全濕法去膠方法。
背景技術(shù)：
在集成電路(IC)制造中，需要多次重復(fù)去除掩模用光刻膠這一步驟，
因此清潔、高效地去膠工藝非常重要。硫酸(H2S04)和雙氧水(H202)的 混合物可以用來去除未經(jīng)注入或小劑量注入的光刻膠。同樣，灰化流程在 去膠過程中也經(jīng)常被使用，在灰化流程中，襯底被加熱，同時將光刻膠暴 露在氧等離子體或臭氧中。然而，在去除大劑量離子注入光刻膠的非晶碳 層時，標(biāo)準(zhǔn)的硫酸(H2S04)和雙氧水(H202)的混合物和灰化流程能起到
的作用都有限。
因此，對于大劑量的離子注入，即離子注入量大于1x1014 ions/cm2 的情況下，現(xiàn)有技術(shù)中的去除光刻膠方法一般如下
(1) 用灰化流程去除絕大部分的光刻膠；
(2) 用硫酸01^04)和雙氧水饑02)的混合物去除殘留的光刻膠；
(3) 用氨水(NH40H)和雙氧水(HA)的混合物去除殘留的硫并減少表 面微粒。
然而，由于灰化流程會導(dǎo)致晶圓表面的氧化和結(jié)構(gòu)錯亂，從而增加藥 液的損失。因此希望能夠?qū)崿F(xiàn)一種全濕法的應(yīng)用硫酸(H2S04)和雙氧水(H202)的混合物進(jìn)行去膠的流程，可以代替干法的灰化流程去除離子注 入的光刻膠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種全濕法去膠方法，可同時對多枚 硅片進(jìn)行全濕法去膠，省去灰化去膠的流程，從而避免由灰化流程所引起 的晶圓表面的氧化和結(jié)構(gòu)錯亂，降低硫酸(H2SO,)和雙氧水(HA)的混合藥 液的消耗量，并能保證硫酸(H2S04)和雙氧水(HA)間的充分反應(yīng)，從而達(dá) 到理想的去膠效果。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種全濕法去膠方法，包括
同時將多枚硅片浸入敞開式濕法藥液槽中，其中所述藥液槽中盛有的 藥液為硫酸和雙氧水的混合物；
將所述濕法藥液槽加蓋密閉，并將所述藥液加溫至180 240。C;
當(dāng)多枚硅片都去膠完畢后，對所述密閉的濕法槽藥液進(jìn)行降溫。
本發(fā)明采用了上述技術(shù)方案，具有如下有益效果，即通過將多枚硅片 浸入濕法槽中，然后對濕法槽進(jìn)行密閉加溫，并提高濕法藥液溫度的方法， 保證了硫酸0^04)和雙氧水饑02)間的充分反應(yīng)，從而實現(xiàn)了可同時對多枚 硅片進(jìn)行浸入式的全濕法無灰化去膠，由此避免了灰化損傷，降低了藥液 的消耗量，節(jié)約了成本；而且，減少了集成電路(IC)整體制造的時間， 提高了產(chǎn)率并降低資金的投入；實現(xiàn)了良好的去膠效果。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明-
圖1是根據(jù)本發(fā)明將多枚硅片浸入敞開式濕法藥液槽中的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明將濕法藥液槽進(jìn)行密閉加溫時的示意圖。
具體實施例方式
在一個實施例中，本發(fā)明所述的去膠方法包括以下步驟
首先，如圖l所示，將多枚硅片浸入一濕法藥液槽中，所述藥液槽為 敞開式的，其中盛有的藥液為硫酸(貼04)和雙氧水饑02)的混合物；通常
情況下，所述藥液的溫度為150士1(TC。
然后，如圖2所示，將濕法藥液槽加蓋密閉，并對所述藥液加溫，其 溫度范圍為1S0 24(TC，而當(dāng)該混合藥液的溫度為200士1(TC時，去膠效 果最佳。
去膠結(jié)束后，如果在高溫環(huán)境下，直接打開密閉槽，降壓后的雙氧水 會迅速揮發(fā)，從而導(dǎo)致硫酸和雙氧水混合藥液的配比迅速變化。
因此當(dāng)多枚硅片都被完全去膠后，需對密閉濕法槽藥液進(jìn)行降溫。
當(dāng)上述過程完成后，就可打開密閉蓋，將硅片從濕法藥液槽中取出， 然后就可進(jìn)入下一工序處理了 。
從上述步驟可知，本發(fā)明所述的全濕法去膠的方法，省去了灰化的步 驟，確保了硫酸0^04)和觀氧水0 )2)混合物間的充分反應(yīng)，達(dá)到了更好 的去膠效果，而且降低了藥液的消耗量，節(jié)約了成本。
權(quán)利要求
1、一種全濕法去膠方法，其特征在于，包括同時將多枚硅片浸入敞開式濕法藥液槽中，其中所述藥液槽中盛有的藥液為硫酸和雙氧水的混合物；將所述濕法藥液槽加蓋密閉，并將所述藥液加溫至180～240℃；當(dāng)所述多枚硅片都去膠完畢后，對所述密閉的濕法槽藥液進(jìn)行降溫。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的全濕法去膠方法，其特征在于，將所述藥液 加溫至200土10。C。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種全濕法去膠方法，包括同時將多枚硅片浸入敞開式濕法藥液槽中，其中所述藥液槽中盛有的藥液為硫酸和雙氧水的混合物；將所述濕法藥液槽加蓋密閉，并將所述藥液加溫至180～240℃；當(dāng)所述多枚硅片都去膠完畢后，對所述密閉的濕法槽藥液進(jìn)行降溫。實現(xiàn)了全濕法無灰化去膠，由此避免了灰化損傷，降低了藥液的消耗量，節(jié)約了成本；而且，減少了集成電路(IC)整體制造的時間，提高了產(chǎn)率并降低資金的投入；實現(xiàn)了良好的去膠效果。
文檔編號G03F7/42GK101169596SQ200610117590
公開日2008年4月30日 申請日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月26日
發(fā)明者劉金秋, 張擎雪, 云 徐 申請人:上海華虹Nec電子有限公司