專利名稱:透反型液晶顯示設備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及液晶顯示(LCD)設備,更具體地,涉及一種可使像素區(qū)的透射部分的光利用效率最大化的透反(transflective)型LCD設備及其制造方法。
背景技術(shù):
在包括厚度為幾厘米的顯示面板的超薄平板顯示裝置之中,LCD設備被用于各種產(chǎn)品,例如,筆記本計算機、監(jiān)視器、航天器、飛機等。
LCD設備包括第一基板和第二基板、以及形成在第一基板和第二基板之間的液晶層。第一基板包括選通線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極。第二基板包括防止漏光的遮光層、形成在遮光層上的濾色器層、以及形成在濾色器層上的公共電極。
可將LCD設備分為透射型LCD設備,其利用背光單元作為光源;反射型LCD設備,其利用環(huán)境光(ambient light)而不是背光單元作為光源;以及透反型LCD設備,其克服了與透射型LCD設備的高功耗以及使用反射型LCD設備時的環(huán)境限制有關(guān)的問題。即,由于使用背光單元,透射型LCD設備消耗大量的功率,而在黑暗的環(huán)境中無法使用反射型LCD設備。為了克服透射型LCD設備和反射型LCD設備的這些缺陷,透反型LCD設備包括設置在一個單位像素中的透射部分和反射部分兩者。因此,透反型LCD設備根據(jù)需要用作透射型LCD設備或反射型LCD設備。
透反型LCD設備包括像素電極和反射板,從而提高了亮度。即,像素電極使從背光單元發(fā)出并穿過第一基板的光入射到液晶層上。此外,在明亮的環(huán)境中,反射板反射透過第二基板入射的環(huán)境光。
在下文中,將參照附圖來說明現(xiàn)有技術(shù)的透反型LCD設備。
圖1A是示出了現(xiàn)有技術(shù)的LCD設備的第一基板的平面圖,而圖1B是沿圖1A的I-I’的截面圖。
如圖1A和1B所示,第一基板包括選通線10、數(shù)據(jù)線20和薄膜晶體管40。此時,選通線10和數(shù)據(jù)線20彼此垂直從而限定了像素區(qū)。此外,在鄰近選通線10和數(shù)據(jù)線20的各個交叉部分處形成有薄膜晶體管40。
在薄膜晶體管40上存在鈍化層70,鈍化層70包括與各個像素區(qū)相對應地設置在預定部分處的接觸孔26。通過接觸孔26,像素電極30與薄膜晶體管40的漏極24相連接。然而,在像素電極30的預定部分上形成有反射板(reflective plate)35。在此情況下,像素電極30由透明導電材料形成。反射板35由具有良好反射性的金屬材料形成,其中,僅在反射部分中形成反射板35。
薄膜晶體管40包括柵極12,其從選通線10分叉;柵絕緣層60,其形成在包括柵極12的第一基板的整個表面上;半導體層19,其形成在柵極12上的柵極絕緣層60上;以及源極22和漏極24,其從數(shù)據(jù)線20分叉并且位于半導體層19的兩端上。此時,漏極24通過接觸孔26與像素電極30電連接。
上述透反型LCD設備包括波片53和偏振片56,偏振片56控制光的入射和出射。即,波片53和偏振片56形成在第一基板和第二基板(未示出)的各個外表面上,以控制環(huán)境光的入射和出射。
波片53改變光的偏振狀態(tài),其中波片53對應于具有λ/4的相位差的四分之一波片(QWP)。即,波片53將線偏振光改變?yōu)闄E圓偏振光,或者將橢圓偏振光改變?yōu)榫€偏振光。
此外,偏振片56粘附于波片53的外表面。偏振片56僅使平行于透光軸的光透射,由此環(huán)境光通過偏振片56而線偏振。
然后,背光80位于偏振片56之下。當從背光80發(fā)射的光通過導光板85入射到第一基板時,入射到反射部分的光在被反射板35反射后被第一基板的波片53完全阻擋。因此,反射光難以去往透射部分。
如果在像素區(qū)中反射板的面積增加,則在關(guān)閉背光的反射模式下可以提高反射亮度。然而,由于透射從背光發(fā)射的光的透射部分的孔徑比變小,所以在開啟背光的透射模式下透射亮度降低。
為了提高透射部分的光利用效率,需要使透射部分變大。如果減小設置有反射板35的反射部分的大小,則即使在明亮的環(huán)境中反射量度也會降低。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明致力于一種LCD設備及其制造方法,其基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而造成的一個或更多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種LCD設備及其制造方法,其中在反射部分和透射部分之間的邊界上形成有第二反射板,以將從背光發(fā)出并入射到反射部分的光反射到透射部分,從而使透射部分的光利用效率最大化。
本發(fā)明的另外的優(yōu)點、目的和特點將在后面的描述中被部分地闡述,并且對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在檢查以下描述時將部分變得明顯,或者可以通過實踐本發(fā)明而被了解。通過在書面說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu),可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的以及獲得本發(fā)明的其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點,并且根據(jù)本發(fā)明的目的,如在此實施和廣義描述的,一種透反型LCD設備包括基板;選通線和數(shù)據(jù)線,其彼此垂直地排列從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;薄膜晶體管,其形成在鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分處;鈍化層,其形成在所述薄膜晶體管上;像素電極,其形成在所述鈍化層上;第一反射板,其與所述像素電極電連接并形成在所述反射部分中;以及第二反射板,其形成在所述基板的與所述透射部分和所述反射部分之間的邊界相對應的預定部分上。
此時,所述第一反射板形成在所述像素電極上。
此外,所述第一反射板形成在所述像素電極之下。
所述第二反射板與所述薄膜晶體管的柵極形成在同一層上。
此外,僅在所述反射部分中形成有所述鈍化層。
在本發(fā)明的另一方面中,一種透反型LCD設備的制造方法包括在基板上形成彼此垂直的選通線和數(shù)據(jù)線,從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;在鄰近所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管,并在所述基板的與所述透射部分和反射部分之間的邊界相對應的預定部分上形成第二反射板;在包括所述薄膜晶體管和所述第二反射板的所述基板上形成鈍化層;在所述鈍化層上形成像素電極;以及在所述反射部分的所述像素電極上形成第一反射板。
在本發(fā)明的另一方面中,一種透反型LCD設備的制造方法,該方法包括在基板上形成彼此垂直的選通線和數(shù)據(jù)線,從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;在鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管,并在所述基板的與所述透射部分和反射部分之間的邊界相對應的預定部分上形成第二反射板;在包括所述薄膜晶體管和所述第二反射板的所述基板上形成鈍化層;在所述反射部分的所述鈍化層上形成第一反射板;以及在包括所述第一反射板的所述基板的所述像素區(qū)中形成像素電極。
在此情況下,將偏振片粘附于所述基板的下表面,并且將波片插入并粘附在所述偏振片和所述基板的所述下表面之間。
波片改變光的偏振狀態(tài),并且波片可由具有λ/4的相位差的四分之一波片(QWP)形成。
此時,所述鈍化層可以僅僅形成在所述反射部分中。
當環(huán)境光入射到所述反射部分并被所述反射部分反射時,該光穿過液晶層兩次,由此增加了光的傳播距離。
為了使反射部分和透射部分的光利用效率最大化,優(yōu)選地,反射部分的單元間隙(cell gap)為透射部分的單元間隙的一半。例如由于鈍化層僅僅形成在反射部分中,所以優(yōu)選地反射部分的單元間隙為透射部分的單元間隙的一半。
鈍化層可由有機絕緣材料形成。在僅將鈍化層形成在反射部分中以減小單元間隙時,所述鈍化層比通常的圖案厚。為了提供厚鈍化層,提供這樣的有機絕緣材料的鈍化層是有用的,其中該鈍化層可以利用一次淀積工藝而制得。如果提供無機材料的鈍化層,則不必要地需要幾次淀積處理來形成厚鈍化層。
為了引起光的漫反射,鈍化層的上表面被壓紋(emboss)。鑒于此點,因為有機絕緣層適于鈍化層的壓紋工藝,所以優(yōu)選地鈍化層由有機絕緣層形成。
可將像素電極形成在鈍化層上,并且可將第一反射板形成在像素電極上。在另一方面中,可以將第一反射板形成在鈍化層上,并且可將像素電極形成在第一反射板上。
像素電極由透明導電材料形成,并且第一反射板不形成在所述透射部分中。因此,即使像素電極和第一反射板改變了位置,其對反射部分和透射部分的功能也沒有影響。
此時,第一反射板可由良好反射性的材料(例如,鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、或銅(Cu))形成。
可將第二反射板與選通線形成在同一層上。
此外,第二反射板可由良好反射性的材料(例如,鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、或銅(Cu))形成,以將由第一反射板反射的光反射到所述透射部分。
考慮到選通線由良好反射性的材料(例如釹化鋁(AlNd))形成,優(yōu)選地,與第二反射板一起形成選通線。
在另一方面中,一種LCD設備的制造方法包括第一步驟,在第一基板上形成選通線和數(shù)據(jù)線;第二步驟,在鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管;第三步驟,在所述薄膜晶體管上形成鈍化層;第四步驟,在所述鈍化層上形成像素電極;第五步驟,在所述像素電極的預定部分上形成第一反射板;以及第六步驟,在反射部分和透射部分的邊界上形成第二反射板。
此時,可以將第一步驟和第六步驟合并為一個步驟。
此外,該LCD設備的制造方法可包括一附加步驟,即,在所述基板的下表面上形成波長板和偏振片。
應該理解,本發(fā)明的前面的一般性描述和后面的詳細描述都是示例性和說明性的,并且旨在提供對提出的本發(fā)明的進一步解釋。
附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解,其被并入并構(gòu)成本申請的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實施例并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1A是示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的LCD設備的第一基板的平面圖,而圖1B是沿圖1A的I-I’的截面圖;圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD設備的截面圖;圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD設備的截面圖;圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的LCD設備的截面圖;以及圖5A至5D是示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的制造LCD設備的步驟的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例,其示例在附圖中示出。只要可能,就在所有附圖中使用相同的標號來表示相同或相似的部分。
在下文中,將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的透反型LCD設備及其制造方法。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的透反型LCD設備的截面圖。
參照圖2,根據(jù)本發(fā)明第一實施例的透反型LCD設備設置有多個像素區(qū)。每個像素區(qū)都包括限定在其中的透射部分和反射部分。此外,在第一基板500的各個像素區(qū)上形成有薄膜晶體管400。然后,在薄膜晶體管400上形成鈍化層700,而在鈍化層700上形成像素電極300,其中像素電極300與薄膜晶體管400電連接。
此時,鈍化層700的上表面被壓紋(emboss),即,鈍化層700具有壓紋上表面。因此,入射光在鈍化層700的壓紋上表面上被漫反射,從而實現(xiàn)了均勻亮度。像素電極300由透明導電材料形成。
薄膜晶體管400包括柵極120,其從選通線(未示出)分叉;柵絕緣層600,其形成在包括柵極120的第一基板的整個表面上;半導體層190,其形成在柵極120上的柵極絕緣層600上;以及源極220和漏極240,其從數(shù)據(jù)線200分叉并且位于半導體層190的兩端上。此時,鈍化層700包括位于漏極240上的預定部分處的接觸孔,其中像素電極300通過該接觸孔與漏極240電連接。
在與反射部分相對應的像素電極300上存在第一反射板350。第一反射板350與像素電極300電連接。第一反射板350由具有良好反射性的金屬材料(諸如鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、銅(Cu)等)形成。
在第一基板500上,與反射部分和透射部分之間的邊界相對應地存在第二反射板370。第二反射板370由具有良好反射性的金屬材料(諸如鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、銅(Cu)等)形成。為了方便,將第二反射板370與柵極120形成在同一層上,柵極120也是由具有良好反射性的金屬材料(諸如鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、銅(Cu)等)形成的。
然后,將偏振片560粘附于第一基板500的下表面。偏振片560僅使平行于透光軸的光透射,由此環(huán)境光通過偏振片560而線偏振。
此外,將波片530設置在偏振片560和第一基板500的下表面之間,其中波片530對應于具有λ/4的相位差的四分之一波片(QWP)。波片530改變光的偏振狀態(tài),即,波片530將線偏振光改變?yōu)闄E圓偏振光,或者將橢圓偏振光改變?yōu)榫€偏振光。
第二反射板370位于這樣的預定部分處,該預定部分適于在從背光800發(fā)出的光通過導光板850入射到第一基板500時,將入射到反射部分并依次被第一反射板350和第二反射板370反射的光導向透射部分。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,因為在沒有改變透射部分和反射部分的孔徑比的情況下,被波片530阻擋的光被反射到透射部分,所以根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD設備可以據(jù)此提高光利用效率。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備的截面圖。
如圖3所示,除了鈍化層700之外,根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備中設置的其他部件與本發(fā)明第一實施例的部件相同。
在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備中,鈍化層700僅形成在反射部分中。即,該透反型LCD設備使用環(huán)境光和從背光800發(fā)出的光兩者。當環(huán)境光入射到反射部分時被反射部分反射,光穿過液晶層兩次,由此增加了光的傳播距離。
為了使透射部分和反射部分的光利用效率最大化,在透射部分和反射部分之間形成階差,以減少從外部入射到反射部分的光的傳播距離。為了形成階差,僅在反射部分中形成鈍化層700。優(yōu)選地,反射部分的單元間隙是透射部分的單元間隙的一半。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備的截面圖。
如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備中設置的部件與本發(fā)明第二實施例的部件相似。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備中,基于與本發(fā)明第二實施例的方法相同的方法,鈍化層700僅形成在反射部分中,從而使反射部分和透射部分的光利用效率最大化。
在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備中,像素電極300形成在鈍化層上,并且第一反射板350形成在像素電極300上。然而,在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備的情況下,第一反射板350形成在鈍化層700上,而像素電極300形成在第一反射板350上。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備中,僅在反射部分中形成鈍化層700,在鈍化層700的在薄膜晶體管400的漏極240上的預定部分處形成有接觸孔。然后,第一反射板350形成在反射部分中,其中第一反射板350通過所述接觸孔與漏極240電連接。此外,像素電極300形成在包括反射部分和透射部分的像素區(qū)中,其中像素電極300與第一反射板350電連接。
像素電極300由透明導電材料形成。因此,根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備可以實現(xiàn)高的光利用效率,而無需考慮像素電極300和第一反射板350的位置。
將如下說明根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三實施例的透反型LCD設備的制造方法。如上所述,本發(fā)明的第一、第二和第三實施例在結(jié)構(gòu)上相似。這里,將如下說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備的制造方法。
圖5A至5D是示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的制造LCD設備的步驟的截面圖。
首先,如圖5A所述,在第一基板500上形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線200,并在鄰近選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管400。此時,選通線和數(shù)據(jù)線彼此垂直,從而限定了像素區(qū)。每個像素區(qū)都包括透射部分和反射部分。
薄膜晶體管400包括柵極120,其從選通線(未示出)分叉;柵絕緣層190,其形成在柵極120上;源極,其形成在柵絕緣層190上并從數(shù)據(jù)線200分叉;以及漏極240,其形成在距源極預定間隔處。
在形成柵極120的同一步驟中形成第二反射板370,即,第二反射板370和柵極120是同時形成的。例如,金屬材料首先被淀積以形成柵極,然后通過光刻進行構(gòu)圖。在通過光刻對金屬材料進行構(gòu)圖時,用于第二反射板的金屬材料也被構(gòu)圖,從而形成第二反射板370以及柵極120。
優(yōu)選地,第二反射板370由具有良好反射性的材料形成。例如,柵極120和第二反射板370由鋁(Al)或釹化鋁(AlNd)形成。因此,因為第二反射板370和柵極120被同時形成,所以形成第二反射板370不需要增加工藝。
如圖5B所示,將有機絕緣材料的鈍化層700形成在薄膜晶體管400上。在此情況下,鈍化層700的上表面被壓紋,從而環(huán)境光在第一反射板上被漫反射。
如上所述,在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的透反型LCD設備中,將鈍化層700形成在基板的整個表面上。如圖5B所示,在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反型LCD設備的情況下,選擇性地從透射部分去除鈍化層700。同時,將接觸孔260也形成在鈍化層700中,以使薄膜晶體管的漏極240露出。
如圖5C所示,將像素電極300形成在鈍化層700上,其中像素電極300通過接觸孔260與漏極240電連接。
如圖5D所示,與反射部分相對應地將第一反射板350形成在像素電極300上,其中第一反射板350與像素電極300電連接。
與柵極120以及第二反射板370相同,第一反射板350也由具有良好反射性的金屬材料(例如鋁(Al)或釹化鋁(AlNd))形成。
之后,將波片530和偏振片560粘附于第一基板的下表面。然后,將包括波片530和偏振片560的第一基板設置在包括背光800和導光板850的背光單元上,從而完成了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的LCD設備。
在圖5C和5D中,通過在形成第一反射板350之后再形成像素電極300,來制造根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反型LCD設備。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的透反型LCD設備具有以下優(yōu)點。
在根據(jù)本發(fā)明的透反型LCD設備中,第二反射板形成在透射部分和反射部分之間的邊界上。因此,從背光發(fā)出并入射到反射部分的光被第一反射板反射到第二反射板上,然后被第二反射板反射到透射部分,從而在不損失反射部分的孔徑比的情況下使透射部分的光利用效率最大化。結(jié)果,可以制造實現(xiàn)了高亮度和小功耗的LCD設備。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應該理解,在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下,可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。因此,本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的這些修改和變型,只要它們落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
本申請要求于2005年12月29日提交的第2005-134120號韓國專利申請的權(quán)益,通過引用將其合并于此,如同在此完全描述。
權(quán)利要求
1.一種透反型液晶顯示設備,該設備包括基板;選通線和數(shù)據(jù)線,其彼此垂直地排列從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;薄膜晶體管,其鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分形成;鈍化層,其形成在所述薄膜晶體管上;像素電極,其形成在所述鈍化層上;第一反射板,其與所述像素電極電連接并形成在所述反射部分中;以及第二反射板,其形成在所述基板的與所述透射部分和所述反射部分之間的邊界相對應的預定部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,所述第一反射板形成在所述像素電極上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,所述第一反射板形成在所述像素電極之下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,所述第二反射板與所述薄膜晶體管的柵極形成在同一層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,僅在所述反射部分中形成有所述鈍化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,所述鈍化層由有機絕緣材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,其中,所述第一反射板和第二反射板由鋁(Al)、釹化鋁(AlNd)、或銅(Cu)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透反型液晶顯示設備,該設備還包括偏振片,該偏振片粘附于所述基板的后表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透反型液晶顯示設備,該設備還包括波片,該波片插入并粘附在所述偏振片和所述基板的所述后表面之間。
10.一種透反型LCD設備的制造方法,該方法包括在基板上形成彼此垂直的選通線和數(shù)據(jù)線,從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分形成薄膜晶體管,并在所述基板的與所述透射部分和所述反射部分之間的邊界相對應的預定部分上形成第二反射板;在包括所述薄膜晶體管和所述第二反射板的所述基板上形成鈍化層;在所述鈍化層上形成像素電極;以及在所述反射部分的所述像素電極上形成第一反射板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,該方法還包括選擇性地將所述鈍化層從所述透射部分去除。
12.一種透反型LCD設備的制造方法,該方法包括在基板上形成彼此垂直的選通線和數(shù)據(jù)線,從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分形成薄膜晶體管,并在所述基板的與所述透射部分和所述反射部分之間的邊界相對應的預定部分上形成第二反射板;在包括所述薄膜晶體管和所述第二反射板的所述基板上形成鈍化層;在所述反射部分的所述鈍化層上形成第一反射板;以及在包括所述第一反射板的所述基板的所述像素區(qū)中形成像素電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,該方法還包括選擇性地將所述鈍化層從所述透射部分去除。
全文摘要
本發(fā)明公開了透反型液晶顯示設備及其制造方法,其可以使像素區(qū)的透射部分的光利用效率最大化,該透反型LCD設備包括基板;選通線和數(shù)據(jù)線,其彼此垂直地排列從而限定了單位像素區(qū),該單位像素區(qū)包括透射部分和反射部分;薄膜晶體管,其形成在鄰近所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉部分處;鈍化層,其形成在所述薄膜晶體管上;像素電極,其形成在所述鈍化層上;第一反射板,其與所述像素電極電連接并形成在所述反射部分中;以及第二反射板,其形成在所述基板的與所述透射部分和所述反射部分之間的邊界相對應的預定部分上。
文檔編號G02F1/1333GK1991503SQ20061013667
公開日2007年7月4日 申請日期2006年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者金東國 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社