專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示器，特別是，包含有機(jī)半導(dǎo)體層的平板顯示器。
背景技術(shù)：
平板顯示器包括提供有薄膜晶體管(TFT)的薄膜晶體管基板作為開關(guān)或驅(qū)動(dòng)裝置，用于控制或驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的操作。典型地，TFT包括柵電極、源/漏電極和半導(dǎo)體層，柵電極設(shè)置在源/漏電極之間分隔源/漏電極來界定溝道區(qū)域。半導(dǎo)體層采用非晶硅或多晶硅。近來，有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)用于半導(dǎo)體層。
有利地，有機(jī)半導(dǎo)體可以在通常溫度和壓力下形成，因此降低了制造成本，并且可以應(yīng)用在塑料基板上。作為額外優(yōu)點(diǎn)，有機(jī)半導(dǎo)體因?yàn)槠淇扇坌钥梢酝ㄟ^噴墨方法形成。
為了用噴墨方法形成有機(jī)半導(dǎo)體層，首先用岸件(bank)形成空間，以允許有機(jī)半導(dǎo)體溶液噴入其中，并且在有機(jī)半導(dǎo)體溶液噴入岸件后，通過溶劑消除工藝形成有機(jī)半導(dǎo)體層。
然而，當(dāng)噴入有機(jī)半導(dǎo)體溶液時(shí)，噴入的有機(jī)半導(dǎo)體滴會(huì)反彈，進(jìn)入相鄰像素的岸件。反彈可能是有問題的，因?yàn)樵谙袼刂械挠袡C(jī)半導(dǎo)體層的厚度可能彼此不同，產(chǎn)生不均勻的TFT。在其中帶有高集成度的像素的高精度的平板顯示器的情況下，更難于控制噴墨工藝，給像素也給TFT造成不均勻性。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供具有均勻TFT特性的平板顯示器。
本發(fā)明的前述的和/或其他方面可以通過提供一種平板顯示器予以實(shí)現(xiàn)，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與該柵極線絕緣，其中各自的數(shù)據(jù)線與各自的柵極線相交以界定像素；和多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，每個(gè)TFT包含有機(jī)半導(dǎo)體層，并且設(shè)置在像素中，其中各個(gè)該多個(gè)TFT在沿柵極線的方向上設(shè)置相鄰于其他多個(gè)TFT，其中在沿柵極線上的方向上相鄰的TFT之間的距離大于在沿柵極線的方向上的像素的寬度。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，像素包括在沿柵極線的方向上彼此相鄰的第一和第二像素，而TFT包括第一和第二TFT，他們分別提供在第一和第二像素中；并且其中該第一TFT提供在該第一像素的中間區(qū)域，而相鄰于數(shù)據(jù)線，而該第二TFT提供在該第二像素的下區(qū)域中，而相鄰于柵極線。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該平板顯示器還包括附加?xùn)艠O線，其將像素分成上和下部分，其中該第一TFT連接到該附加?xùn)艠O線上。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該平板顯示器還包括分支柵極線，從柵極線上分出來并且沿著數(shù)據(jù)線延伸，而且相鄰于數(shù)據(jù)線，其中該第一TFT連接到該分支柵極線。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該分支柵極線延伸到該第一像素的中間區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，像素包括在沿柵極線的方向上彼此相鄰的第一和第二像素，而TFT包括第一和第二TFT，他們分別提供在第一和第二像素中；并且其中該第一TFT提供在該第一像素的上區(qū)域而相鄰于數(shù)據(jù)線，而該第二TFT提供在該第二像素的下區(qū)域中而相鄰于該柵極線。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該第一和該第二像素可以彼此交替設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該相鄰TFT之間的距離是該像素寬度的1.2至3.6倍之間。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該有機(jī)半導(dǎo)體層通過噴墨方法形成。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該TFT包括形成在絕緣基板上的柵極，其中該源極和漏極被分開以界定溝道，柵極設(shè)置于其之間，其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該溝道區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該平板顯示器還包括岸件，用于圍繞該溝道區(qū)域和暴露每一個(gè)源極和漏極的至少一部分，其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該岸件內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，每個(gè)該源極和漏極由ITO和IZO之一形成。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該岸件的表面具有抗水性和抗油性。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該TFT包括形成在絕緣基板上的光屏蔽膜；其中絕緣膜覆蓋該光屏蔽膜；其中該源極和漏極分開以界定出溝道區(qū)域，該光屏蔽膜設(shè)置在其之間；并且其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該溝道區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該平板顯示器還包括形成在該有機(jī)半導(dǎo)體層上對應(yīng)于該光屏蔽膜的位置上的柵極，并且介于該有機(jī)半導(dǎo)體層和該柵極之間的第一保護(hù)膜。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例，該有機(jī)半導(dǎo)體層包括含有并四苯或并五苯基取代物的衍生物之一；通過噻吩環(huán)的2和5位置相互連接的4到8噻吩環(huán)的寡聚噻吩的一種衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)或者是其酰亞胺衍生物；萘四羧酸二酐(NTCDA)或者其酰亞胺衍生物；金屬化的有機(jī)染料(pthalocyanine)或者是其鹵化衍生物；二萘嵌苯或者六苯并苯和含有其取代物的衍生物；噻吩基和亞乙烯基的共-低聚物或者共-聚合物；噻吩烯或者六苯并苯及含有其取代物的衍生物；和在所述材料的芳香環(huán)或者雜環(huán)中含有1到30個(gè)碳的一個(gè)或多個(gè)烴鏈的衍生物。
結(jié)合附圖，通過詳細(xì)描述其中的示范性實(shí)施例，本發(fā)明上述及其它的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯易懂，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的TFT基板的布局圖；圖2是圖1中‘Q’區(qū)域的放大平面圖；圖3是沿著圖2中III-III線截取的橫截面視圖；圖4是示出本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例效果的視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的TFT基板的布局圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的TFT基板的布局圖；和圖7是根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施例的TFT基板的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出了其示例，其中相同的參考標(biāo)記始終代表相同的元件。下面參照附圖描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明。應(yīng)該理解的是，如果一個(gè)膜(層)形成在(位于)另一個(gè)膜(層)上，則這不僅表示兩個(gè)膜(層)相互接觸的一種情況，還意味著另一個(gè)膜(層)插入到兩個(gè)膜(層)之間的情況。此外，顯明的是，下面雖然用液晶顯示器描述此范例，但它并不局限于此，還適用在其它的平面顯示器，如OLEDs和PDPs.
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)的布局圖，圖2是圖1中‘Q’區(qū)域的放大平面圖，而圖3是沿著圖2中III-III線截取的橫截面視圖。
根據(jù)本發(fā)明，平面顯示器10包括薄膜晶體管(TFT)基板100、濾色器基板200和介于基板100和200之間的液晶層300。TFT基板100提供有TFT，其能夠用作控制像素操作的開關(guān)器件；或者作為驅(qū)動(dòng)像素操作的驅(qū)動(dòng)裝置。濾色器基板200面對TFT基板100且與TFT基板100結(jié)合。
首先，現(xiàn)將描述TFT基板100。TFT基板100包括絕緣基板110；多條柵極布線120和數(shù)據(jù)布線140，以矩陣的形式形成在絕緣基板110上；用作開關(guān)器件的薄膜晶體管(TFT)T，形成在柵極布線120和數(shù)據(jù)布線140的相交處；和像素電極190，連接到TFT T上。通過TFT T將信號電壓施與到像素電極190和濾色器基板200的公共電極250之間的液晶層300上，液晶層300按照信號電壓排列，從而形成了光的透射率。
絕緣基板110可以包括絕緣材料，其包括但不限于玻璃、石英、陶瓷和塑料。有利的是，塑料基板TFT T3可以用在柔性平板基板10的制造中。因此，塑料基板可以由合適的塑料材料形成，該塑料材料包括但不限于PC(聚碳酸酯)、PI(聚酰亞胺)、PNB(聚降冰片烯)、PES(聚醚砜)、PAR(聚丙烯酸脂)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)和PET(聚乙烯對苯二酸酯)塑料材料之一。
例如導(dǎo)電金屬膜的柵極布線120形成在絕緣基板110上，使用合適的導(dǎo)電金屬膜，其包括但不限于Au、Pt、Pd、Al、Cr、Al/Cu，或者M(jìn)oW導(dǎo)電金屬膜中的一種。方便地，柵極布線120能夠形成單層導(dǎo)電金屬膜或者形成雙層導(dǎo)電金屬膜。柵極布線120包括柵極線121、柵極墊123和柵電極122。柵電極122是成為TFT T部件的柵極線121的一部分。柵極墊123能夠使施加的外部信號傳輸經(jīng)柵極線121到柵電極122。通常，柵極布線120包括橫向延伸的多條柵極線121。
通常，柵極線連接到多個(gè)柵電極上，各自柵極線的柵電極以交互的方式設(shè)置于由各自的柵極線橫過的像素上。例如，就圖1和圖2而言，第一像素P1設(shè)置鄰近于像素P2。第一柵極線121a延伸橫過第二像素P2和相鄰的第一像素P1。第二柵極線121b延伸到第二像素P2和相鄰的第一像素P1的下周邊并沿其延伸。第二柵極線121b通常沿著平行于第一柵極線121a的方向延伸。第一柵極121a連接到柵電極122a、122c上，其以交互方式設(shè)置于由各自的柵極線橫過的每隔一個(gè)的像素上。如柵電極122b的另外的柵電極連接到第二柵極線121b，并以交互的方式設(shè)置到鄰近于第一柵極線的像素上。第一柵極線121a給例如設(shè)置在像素P1的上部分的柵電極122提供柵極信號，且第二柵極線121b給例如鄰近像素P2的下部分的柵電極122提供柵極信號。以交互方式，第一柵極線121a也連接到通過柵極線121a橫過的像素上，其鄰近于第二像素P2，但通常相對于第二像素P2的位置與像素P1相對。以類似的交互方式，第二柵極線121b也連接到沿第二柵極線121b設(shè)置的像素上，其鄰近于第一像素P1，但通常相對于第一像素P1的位置與第二像素P2相對。
絕緣膜130是柵極布線120和數(shù)據(jù)布線140之間的電絕緣層，其覆蓋絕緣基板110上的柵極布線120。絕緣膜130可以由無機(jī)材料形成，如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)。另外，圖中雖未顯示，但由有機(jī)材料制成的薄膜可以形成在無機(jī)絕緣膜130上。厚的有機(jī)膜可以理想地保護(hù)隨后沉積的有機(jī)半導(dǎo)體層170免于受到殘余化學(xué)物質(zhì)或者在隨后的工藝中使用的等離子體的攻擊，所述工藝諸如接觸孔181的形成，或者用以露出形成于絕緣膜130上的柵極墊123的接觸孔131。在其中絕緣膜130是有機(jī)膜的實(shí)施例中，其期望是包括至少如BCB(苯并環(huán)丁烯)、硅聚合物或者PVV(聚對苯乙烯)的有機(jī)材料的至少一種。
數(shù)據(jù)布線140包括數(shù)據(jù)線141，在絕緣膜130上沿著一個(gè)方向延伸；數(shù)據(jù)墊142，其形成在數(shù)據(jù)線141的一端用以接收來自外界的驅(qū)動(dòng)或者控制信號；源電極143，其從數(shù)據(jù)線141分出且延伸至柵電極122上；和漏電極144，與源電極143相對。柵電極122設(shè)置在源電極143和漏電極144之間。數(shù)據(jù)布線140包括廉價(jià)的具有良好導(dǎo)電性的金屬，其包括但不限于Al、Cr或Mo金屬，以及更貴的但導(dǎo)電性更好的金屬，其包括但不限于Au，Pt，andPd。另外，為了簡單，數(shù)據(jù)布線140可以用和柵極布線120相同的材料制成。方便地，數(shù)據(jù)布線140可以形成為單金屬層或者雙金屬層。數(shù)據(jù)線141與柵極線121相絕緣。像素可以通過使柵極線121和數(shù)據(jù)線141相交來界定。例如，在圖2中，源電極143和最接近柵電極122的漏電極144之間的區(qū)域被界定為溝道區(qū)‘C’。
期望地，源電極143和漏電極144可以由導(dǎo)電聚合物形成，其包括但不限于ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)，因?yàn)镮TO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)通常都能顯示出很大的功函數(shù)，與金屬相比，傾向于簡化濺射和微圖案(micro-pattern)形成。
岸件160形成在源電極143、漏電極144和源、漏電極沒有覆蓋的絕緣膜130的一部分上。岸件160起框架作用，用以形成有機(jī)半導(dǎo)體層170，通常保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層170免于不規(guī)則地形成，其可能由于在放置、定位或者施加有機(jī)半導(dǎo)體材料的量上不理想的非均勻性引起。
岸件160的一部分形成圍繞溝道區(qū)‘C’的封閉空間，同時(shí)又至少暴露源電極143和漏電極144中每個(gè)的一部分。岸件160可以由含氟聚合物形成。典型地，期望岸件160如此構(gòu)造從而岸件160通常相對于施加或滴落在岸件160上的墨具有潤濕性特性。這樣，墨表現(xiàn)出吸水性，岸件160能夠構(gòu)造成相對于墨表現(xiàn)了疏水性。另一方面，墨表現(xiàn)了疏水性，岸件160能夠形成為相對于墨表現(xiàn)了吸水性。含氟聚合物具有顯為人知的特性，它可以同時(shí)表現(xiàn)出對水和油的排斥性。用作岸件160的合適的含氟聚合物可以包括但不限于PTFE(聚四氟乙烯)、FEP(氟化乙丙烯)、PFA(聚四氟乙基)、ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物)和PVDF(聚偏氟乙稀)。
圍繞溝道區(qū)‘C’的岸件160具有其寬度從其底到頂?shù)姆较蛏献冋男问?，高度約為2.7微米。用以暴露漏電極144的漏接觸孔181形成在岸件160的一部分上。在岸件160感光的地方，可以通過涂層、曝光和顯影工藝來形成，在岸件160不感光的地方，可以采用光致抗蝕劑涂敷之后通過光刻工藝來形成。
有機(jī)半導(dǎo)體層170位于岸件160內(nèi)。有機(jī)半導(dǎo)體層170填充了溝道區(qū)‘C’，覆蓋了暴露的源/漏電極143和144。有機(jī)半導(dǎo)體層170可以通過噴墨方法形成，可以使用溶解在水溶液或者有機(jī)溶劑中的有機(jī)半導(dǎo)體基板。高分子重量的有機(jī)半導(dǎo)體適合使用噴墨工藝，因?yàn)檫@種物質(zhì)通常能夠很好地溶解在溶劑中。但是，能夠很好地溶解在有機(jī)液體的低分子重量的有機(jī)半導(dǎo)體物質(zhì)也可以使用該方法。
在選擇性實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是包含有并四苯或者并五苯取代物，或者是具有通過噻吩環(huán)的2和5位置相互連接的4到8噻吩環(huán)的寡聚噻吩的一種衍生物。
此外，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是有機(jī)半導(dǎo)體材料，比如二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)或者是其酰亞胺衍生物，或者是萘四羧酸二酐(NTCDA)或者其酰亞胺衍生物。
而且，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是金屬化的有機(jī)染料(pthalocyanine)或者是其鹵化衍生物，或者二萘嵌苯或者六苯并苯或者含有其取代物的衍生物。此處，填加到金屬化的有機(jī)染料中的金屬最好是例如銅、鈷或者鋅。
另外，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是噻吩基和亞乙烯基的共-低聚物或者共-聚合物?？蛇x地，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是噻吩烯或者六苯并苯，及含有其取代物的衍生物。此外，有機(jī)半導(dǎo)體層170可以是上述材料的芳香環(huán)或者雜環(huán)中含有1到30個(gè)碳的一個(gè)或多個(gè)烴鏈的衍生物。
第一保護(hù)膜180形成在有機(jī)半導(dǎo)體層170上。第一保護(hù)膜180覆蓋了有機(jī)半導(dǎo)體層170，其可以由例如PVA(聚乙烯醇)、BCB(苯并環(huán)丁烯)、丙烯酸樹脂、或者硅聚合物中至少一種物質(zhì)形成。另外，第一保護(hù)膜180可以由丙烯酸感光有機(jī)膜或者氮化硅膜形成。第一保護(hù)膜180是用來防止有機(jī)半導(dǎo)體層170的特性惡化的層。此外，第一保護(hù)膜180可以通過噴墨方法形成。
另外，第二保護(hù)膜185形成在第一保護(hù)膜180上。第二保護(hù)膜185應(yīng)用于絕緣基板110的整個(gè)表面上，同時(shí)也覆蓋了第一保護(hù)膜180。第二保護(hù)膜185是用與第一保護(hù)膜180相似的方式來防止有機(jī)半導(dǎo)體層170的特性惡化。第二保護(hù)膜185可以用與第一保護(hù)膜180相同或類似的材料形成，但這并不是必需的。此外，將第二保護(hù)膜185從漏接觸孔181上移走以暴露漏電極144。
像素電極190形成在第二保護(hù)膜185上。像素電極190可以由透明的導(dǎo)電材料，如ITO(氧化銦錫)或者IZO(氧化銦鋅)形成，且通過漏接觸孔181與漏電極144連接。此外，配有的柵極墊接觸元件192和數(shù)據(jù)墊接觸元件191分別用來覆蓋柵極墊接觸孔131和數(shù)據(jù)墊接觸孔183。柵極墊接觸元件192和數(shù)據(jù)墊接觸元件191由與像素電極190相同的透明的導(dǎo)電材料制成。
接下來將描述濾色器基板200。與TFT基板100一樣，濾色器基板200采用含有如玻璃、石英、陶瓷或者塑料材料的絕緣基板210形成。同樣，濾色器基板200包括濾色器230，具有紅、綠和藍(lán)的三原色，或如需要具有青、洋紅和黃的三原色；黑矩陣220，形成濾色器230之間的區(qū)域，提供在絕緣基板210上；和公共電極250，形成在黑矩陣220和濾色器230上。
此外，濾色器基板200還包括介于黑矩陣220和濾色器230與公共電極250之間的保護(hù)(overcoat)層240。
黑矩陣220在具有紅、綠和藍(lán)的三原色的濾色器230，或如需要具有青、洋紅和黃的三原色的濾色器230之間分隔，從而可以防止光從像素之間泄漏，以及防止TFT T上的入射，因此有助于保持圖像質(zhì)量。黑矩陣220可以是由鉻、氧化鉻、或者氮化鉻、或者其有效的組合制成的一層或者多層金屬層。黑矩陣220也可以是具有加入其中的用于屏蔽光的黑色類型的色素的感光有機(jī)材料，碳黑、氧化鈦等適合用作黑色類型色素。
濾色器230形成，以黑矩陣220作為邊界，從而紅、綠和藍(lán)，或如需要青、洋紅和色重復(fù)，且用來對于從背光組件(未顯示)通過液晶層300輻射的光提供顏色。濾色器230可以由感光有機(jī)材料形成，能夠通過已知的像素分散方法采用著色感光有機(jī)材料形成。
保護(hù)層240保護(hù)并平面化濾色器230，其主要使用丙烯酸環(huán)氧材料形成。
公共電極250由透明的導(dǎo)電材料如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)制成。公共電極250和TFT基板100的像素電極190一同直接在液晶層300上施加信號電壓。
TFT基板100和濾色器基板200使用密封劑(未顯示)相互組合。此外，液晶層300通過將液晶注入到基板100和基板200之間的空間內(nèi)形成，例如，通過真空注射法或者液晶滴入法。
依照上述TFT的布局結(jié)構(gòu)，下面將參照圖4描述根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的平板顯示器。
首先，為方便說明，假定連接到橫過像素的附加的柵極線121的TFTT是第一TFT T1，在沿柵極線121的方向上鄰近第一TFT T1并在像素低端連接到另一柵極線121的TFT T是第二TFT T2。此外，假定其內(nèi)具有第一TFTT1的像素是第一像素P1，另一個(gè)其內(nèi)具有第二TFT T2的像素是像素P2。如圖4所示，為說明起見，像素被分成上區(qū)域‘A’、中間區(qū)域‘B’和下區(qū)域‘C’。而且，假定本實(shí)施例中像素的寬度(沿?cái)?shù)據(jù)線的方向)是‘3a’，且像素的長度(在沿柵極線的方向)是‘a(chǎn)’。
根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的TFT T交替排列在每個(gè)像素的中間區(qū)域‘B’和下區(qū)域‘C′內(nèi)，其方向?yàn)檠刈鳛閰⒖嫉臇艠O線121。此外，以沿作為參考的數(shù)據(jù)線141方向，第一TFT T1全部沿一列位于中間區(qū)域‘B’內(nèi)，第二TFT T2全部沿著在像素的行方向相鄰的另一列位于下區(qū)域‘C’內(nèi)。
通過TFT T的這種布局結(jié)構(gòu)，TFT T之間的距離X總是大于像素沿柵極線121的方向的寬度‘a(chǎn)’。如果第一TFT T1位于像素中間，TFT T之間的距離X通過如圖4所示的下面的表達(dá)式計(jì)算。
X2＝a2+(9/4)a2
從該式求得，TFT T之間的距離X約為1.8a。因此，距離X與現(xiàn)有技術(shù)相比變長1.8倍，減小了當(dāng)噴射有機(jī)半導(dǎo)體溶液時(shí)滴在表面上的有機(jī)半導(dǎo)體溶液反彈和進(jìn)入相鄰的岸件160的可能性。就是說，當(dāng)采用噴墨工藝時(shí)，工藝余量增加約80％，因此減小有機(jī)半導(dǎo)體溶液可以進(jìn)入另一個(gè)像素的岸件160的可能性。
相應(yīng)地，各個(gè)像素的厚度幾乎彼此相同，以便每個(gè)像素的TFT特性總體上呈現(xiàn)均勻性。
下面將參照圖5描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的TFT的局部結(jié)構(gòu)。在第二實(shí)施例中，將描述與第一實(shí)施例不同的部分，其余的省略部分與第一實(shí)施例相同。此外，為了方便圖示，相同的標(biāo)號指代相同的元件。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的TFT基板的布局圖。如圖5所示，TFTT交替地排列在每個(gè)像素的上區(qū)域‘A’和下區(qū)域‘C’中，其方向?yàn)檠刈鳛閰⒖嫉臇艠O線121的方向。在這樣的TFT T布局結(jié)構(gòu)的情況下，如圖5所示，相應(yīng)一行的TFT T之間的距離X通過下面的表達(dá)式計(jì)算為3.16a。
X2＝a2+9a2因此，TFT T之間的距離X與現(xiàn)有技術(shù)相比增加約3.16倍，工藝余量增加216％。
同時(shí)，可以看到，排列在兩個(gè)相鄰行中的TFT T之間的距離與現(xiàn)有技術(shù)相比也增加。
下面將參照圖6描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的TFT的布局結(jié)構(gòu)。在第三實(shí)施例中，將描述與第一實(shí)施例不同的部分，其余的省略部分與第一實(shí)施例相同。此外，為了方便圖示，相同的參考標(biāo)號指代相同的元件。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的TFT基板的布局圖。在第三實(shí)施例中，TFT T的布局結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，但是與第一實(shí)施例不同的是，TFT T具有一種結(jié)構(gòu)，其沒有將像素分成上和下部分的附加?xùn)艠O線121。代替附加?xùn)艠O線121的是，提供了分支柵極線125，從柵極線121上分出。此外，位于中區(qū)域‘B’中的TFT T連接到分支柵極線125上。TFT T之間的距離取決于分支柵極線125的延伸長度而定。在分支柵極線125的端部位于中區(qū)域‘B’中的情況下，最大化了每個(gè)TFT T之間的距離，以便可以增加噴墨工藝的余量。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的TFT基板的截面圖。在第一實(shí)施例中，已經(jīng)描述了柵極122位于TFT之下的底柵型(bottom gate type)，但是該TFT的布局結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到頂柵型(top gate type)上，在實(shí)施例中柵極122位于TFT T的頂部。
如圖7所示，TFT基板包括遮光膜115，形成在絕緣基板110上；絕緣膜130，覆蓋該遮光膜115；源電極143和漏電極144，界定溝道區(qū)域，而相對于介于其間的該遮光膜115彼此分隔；岸件160，用于暴露每個(gè)源極143和漏極144的至少一部分，而圍繞該溝道區(qū)域；有機(jī)半導(dǎo)體層170，形成在該岸件160之中；和柵電極122，形成在有機(jī)半導(dǎo)體層170上。同樣，絕緣膜或第一保護(hù)膜180介于柵電極122和有機(jī)半導(dǎo)體層170之間。此外，遮光膜115的作用是遮蔽光而使其不進(jìn)入有機(jī)半導(dǎo)體層170中。
盡管本發(fā)明參照其示范性實(shí)施例已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)地顯示和描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識到，可以對其在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種修改，而不脫離本發(fā)明的原理和精神、其范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
本申請要求于2005年10月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.2005-0098946的優(yōu)先權(quán)，其公開的全部內(nèi)容引入于此作為參考。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與該柵極線絕緣，其中各自的數(shù)據(jù)線與各自的柵極線相交以界定像素；和多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包含有機(jī)半導(dǎo)體層，并且設(shè)置在該像素中，其中各個(gè)該多個(gè)薄膜晶體管設(shè)置在沿該柵極線的方向上相鄰于其它該多個(gè)薄膜晶體管，其中在沿該柵極線的方向上相鄰的薄膜晶體管之間的距離大于在沿該柵極線的方向上的該像素的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該像素包括在沿該柵極線的方向上彼此相鄰的第一和第二像素，而該薄膜晶體管包括分別提供在該第一和該第二像素中的第一和第二薄膜晶體管；并且其中該第一薄膜晶體管提供在該第一像素的中區(qū)域中而相鄰于該數(shù)據(jù)線，而該第二薄膜晶體管提供在該第二像素的下區(qū)域中而相鄰于該柵極線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，還包括輔助柵極線，其將該像素分成上和下部分，其中該第一薄膜晶體管連接到該輔助柵極線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，還包括分支柵極線，其從該柵極線分出并且沿著該數(shù)據(jù)線延伸而相鄰于該數(shù)據(jù)線，其中該第一薄膜晶體管連接到該分支柵極線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板顯示器，其中該分支柵極線延伸到該第一像素的中區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該像素包括在沿該柵極線的方向上彼此相鄰的第一和第二像素，而該薄膜晶體管包括分別提供在該第一和該第二像素中的第一和第二薄膜晶體管；并且其中該第一薄膜晶體管提供在該第一像素的上區(qū)域中而相鄰于該數(shù)據(jù)線，而該第二薄膜晶體管提供在該第二像素的下區(qū)域中而相鄰于該柵極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其中該第一和該第二像素彼此交替排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該相鄰薄膜晶體管之間的距離是該像素的寬度的1.2至3.16倍之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該有機(jī)半導(dǎo)體層通過噴墨方法形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該薄膜晶體管包括形成在絕緣基板上的柵電極，其中源電極和漏電極分開而界定溝道區(qū)，該柵電極介于其之間，并且其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該溝道上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的平板顯示器，還包括岸件，其用于圍繞該溝道，并且用于暴露每個(gè)該源電極和該漏電極的至少一部分，其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該岸件之中。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的平板顯示器，其中每個(gè)該源電極和漏電極由氧化銦錫和氧化銦鋅之一制造。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中該岸件的表面具有抗水性和抗油性。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該薄膜晶體管包括遮光膜，其形成在該絕緣基板上；其中絕緣膜覆蓋該遮光膜；其中該源電極和漏電極分開而界定溝道區(qū)，該遮光膜介于其之間；并且其中該有機(jī)半導(dǎo)體層形成在該溝道區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的平板顯示器，還包括柵電極，其形成在該有機(jī)半導(dǎo)體層上對應(yīng)于該遮光膜的位置；以及第一保護(hù)膜，介于該有機(jī)半導(dǎo)體層和該柵電極之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中該有機(jī)半導(dǎo)體層包括含有并四苯或并五苯基取代物的衍生物之一；通過噻吩環(huán)的2和5位置相互連接的4到8噻吩環(huán)的寡聚噻吩的一種衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酐或者是其酰亞胺衍生物；萘四羧酸二酐或者其酰亞胺衍生物；金屬化的有機(jī)染料或者是其鹵化衍生物；二萘嵌苯或者六苯并苯和含有其取代物的衍生物；噻吩基和亞乙烯基的共-低聚物或者共-聚合物；噻吩烯或者六苯并苯及含有其取代物的衍生物；和在所述材料的芳香環(huán)或者雜環(huán)中含有1到30個(gè)碳的一個(gè)或多個(gè)烴鏈的衍生物。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種平板顯示器，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與該柵線絕緣，其中各自的數(shù)據(jù)線與各自的柵極線相交以界定像素；和多個(gè)TFT，包含有機(jī)半導(dǎo)體層，并且設(shè)置在該像素中，其中各個(gè)該多個(gè)TFT設(shè)置在沿該柵極線的方向上相鄰于其他的該多個(gè)TFTs，其中在沿該柵極線的方向上的相鄰TFT之間的距離大于在沿該柵極線的方向上的該像素的寬度。因此，本發(fā)明提供具有均勻TFT特性的平板顯示器。
文檔編號G02F1/133GK1952766SQ20061014168
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月20日
發(fā)明者宋根圭, 李容旭 申請人:三星電子株式會(huì)社