專利名稱：薄膜積層基板、其制造方法及設(shè)有該基板的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜積層基板及其制造方法，以及設(shè)有該薄膜積層基板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置一般采用2塊帶電極的基板間挾持具有液晶的液晶層的結(jié)構(gòu)。在該2塊基板的上下還設(shè)有偏振片。透射型液晶顯示裝置的場合，在背面設(shè)有背光源(back light)。從背光源通過偏振片的入射光因液晶的雙折射而變化為橢圓偏振光，入射到相反側(cè)的偏振片。在該狀態(tài)下，一旦在上下電極間施加電壓，液晶的取向矢(director)的排列狀態(tài)就發(fā)生變化，使液晶層的雙折射變化，并入射到相反側(cè)的偏振片的橢圓偏振光狀態(tài)變化。結(jié)果，能夠得到透過液晶顯示裝置的光強(qiáng)度及光譜(spectrum)變化的電光效應(yīng)。
液晶顯示裝置可分為透射型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置。透射型液晶顯示裝置在其背面或側(cè)面設(shè)置背光源(背面光源)進(jìn)行圖像顯示。
反射型液晶顯示裝置在基板上設(shè)置反射片，通過在反射片表面反射周圍光來進(jìn)行圖像顯示。圖11示出傳統(tǒng)反射型液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管陣列(transistor array)基板(以下也稱為“TFT陣列基板”)的主要部分的剖視圖(專利文獻(xiàn)1)(以下稱為“第一傳統(tǒng)例”)。該TFT陣列基板100具備絕緣性基板101、柵極布線102、柵極絕緣層104、半導(dǎo)體膜105、漏電極107、源電極108、層間絕緣膜109、平坦化膜110、兼具反射片作用的透明電極111等。
該TFT陣列基板100在形成層間絕緣膜109后，形成接觸孔115，同時(shí)如圖11所示，設(shè)置多個(gè)開口部117。然后，在其上層形成平坦化膜110。這樣就得到在表面具有凹凸形狀118的平坦化膜110。然后，將形成透明電極111的金屬成膜，如圖11所示，在所期望的位置形成透明電極111。結(jié)果，能夠在與層間絕緣膜109的開口部117對應(yīng)的位置得到具有凹凸圖案的透明電極111。
另外，有這樣的記載在上述層間絕緣膜109及柵極絕緣膜層104形成的開口部117為不使位于開口部117下方的絕緣膜或玻璃基板同時(shí)蝕刻，以不跨越布線群、薄膜晶體管及輔助電容部之上的方式構(gòu)成。若位于開口部117下方的絕緣膜或玻璃基板同時(shí)被蝕刻，則布線下方成為空洞或布線缺口而增加布線電阻的危險(xiǎn)。
半透射型液晶顯示裝置(專利文獻(xiàn)2～4)是使一部分光透過、一部分光反射的類型。因而，用以彌補(bǔ)當(dāng)周圍光非常亮?xí)r因顯示光比周圍光暗而難以觀察其顯示的透射型液晶顯示裝置和周圍光較暗時(shí)辨認(rèn)性極低的反射型液晶顯示裝置的缺點(diǎn)。
圖12是傳統(tǒng)例的半透射型液晶顯示裝置的TFT陣列基板200的一個(gè)像素部分的平面圖，圖13是圖12的IV-IV切斷部的剖視圖(以下稱為第二傳統(tǒng)例)。該TFT陣列基板200具備絕緣性基板201、柵極布線202、輔助電容布線203、柵極絕緣層204、作為第一半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體活性膜205、作為第二半導(dǎo)體膜的歐姆接觸(ohmic contact)膜206、漏電極207、源電極208、層間絕緣膜209、平坦化膜210、兼具反射片作用的像素電極211等。
該TFT陣列基板200例如可按以下方式制造。首先，在玻璃基板等的透明絕緣性基板201上形成用以通過濺鍍(sputtering)等方法形成柵極布線202、柵電極(未圖示)、輔助電容布線203等的金屬薄膜。接著，利用第一光刻(photolithography)工序形成柵極布線、柵電極及柵極端子。
接著，用等離子CVD法連續(xù)形成SiN等的柵極絕緣膜404、a-Si等的半導(dǎo)體活性膜205、n型a-Si等的歐姆接觸膜206。接著，用第二光刻工序?qū)雽?dǎo)體活性膜205及歐姆接觸膜206至少在形成有TFT部的部分圖案化(patterning)。柵極絕緣膜404整個(gè)殘留。
接著，用濺鍍等方法形成漏電極207及源電極208等形成用的金屬薄膜。然后，利用第三光刻工序?qū)⒃摻饘俦∧D案化，形成源電極208及漏電極207。然后，進(jìn)行歐姆接觸膜206的蝕刻。通過該工藝去除TFT部的歐姆接觸膜206的中央部分，使半導(dǎo)體活性膜205露出。
而且，通過等離子CVD法形成用以形成層間絕緣膜209的膜。然后，作為平坦化膜210，涂覆感光性樹脂組成物并形成感光性有機(jī)膜。其后，利用光刻工藝，形成平坦化膜210的所期望的圖案形狀及平坦化膜210的凹凸形狀。首先，用具有圖14所示的遮光部222的遮光掩模(mask)(光掩模(photomask))220，以低照度均勻?qū)D案形成前的平坦化膜210進(jìn)行曝光。接著，用如圖1所示的接觸孔215、透射區(qū)域216對應(yīng)的部分開口的遮光掩模(未圖示)，均勻地以高照度曝光。
遮光掩模220如圖14所示，具有相同的圓型形狀的光透射部221。用該遮光掩模220，對TFT陣列基板200進(jìn)行低照度的曝光，使平坦化膜210不致開口到其下層。由此，在平坦化膜210表面能夠得到如圖13所示的凹凸形狀。然后，分別形成具有透明性的像素電極211和具有反射性的反射電極212形成用的導(dǎo)電膜，形成期望的圖案。從而，得到在表面具有凹凸形狀的像素電極211及反射電極212。具備該凹凸圖案的像素電極211的區(qū)域R1起反射片的作用，可通過在反射片表面反射周圍光來進(jìn)行圖像顯示。另一方面，在使光透過的區(qū)域R2中，如圖13所示，去除柵極絕緣膜404、層間絕緣膜209、平坦化膜210而形成透明電極211等(例如專利文獻(xiàn)5)。
如上述形成的TFT陣列基板與具備對置電極的對置基板粘接，其中間注入液晶。而且，安裝于面狀光源裝置的發(fā)光面?zhèn)?。這樣就制成了半透射型的液晶顯示裝置。
另外，作為其它傳統(tǒng)例，公開了在反射片上再現(xiàn)性良好地均勻形成凹凸部的技術(shù)。從而，可獲得良好的反射特性(專利文獻(xiàn)6)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-330827號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平7-333598號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2000-19563號公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開2000-305110號公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本特開2004-294805號公報(bào)專利文獻(xiàn)6日本特開2000-284272號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在上述第一傳統(tǒng)例中，通過在柵極絕緣膜104及層間絕緣膜109形成開口部，在透明電極11上設(shè)置凹凸，因此存在不能在半透射型液晶顯示裝置中應(yīng)用的問題。另外，由于在柵極絕緣膜104及層間絕緣膜109直接設(shè)置開口部形成像素電極111的凹部形狀，其下層的其它層容易受損傷，更不用說提高成品率。
另外，在上述第二傳統(tǒng)例中，可能會(huì)發(fā)生亮點(diǎn)等的顯示缺陷。在液晶顯示裝置的大型化、高精細(xì)化的要求越來越高，抑制該顯示缺陷是極為重要的課題。發(fā)生該顯示缺陷的主要原因是具有凹凸形狀的平坦化膜210的上層與下層上的導(dǎo)電部電氣上相連接。在上述2000-284272號公報(bào)所記載的技術(shù)中，可獲得優(yōu)異的反射特性，但留下了發(fā)生顯示缺陷的問題。
還有，以上就反射型液晶顯示裝置、半透射型液晶顯示裝置中的課題進(jìn)行了描述，但并不限于此，對于具有凹凸形狀的平坦化膜的上層與下層的導(dǎo)電部可能會(huì)發(fā)生電氣連接的薄膜積層基板也可能有同樣的課題。
本發(fā)明鑒于上述背景構(gòu)思而成，其目的在于提供抑制平坦化膜的下層的第一導(dǎo)電部和平坦化膜的上層的第二導(dǎo)電部電氣上相連接而短路的情況的薄膜積層基板、其制造方法及具備該薄膜積層基板的液晶顯示裝置。
本發(fā)明第一形態(tài)的薄膜積層基板，基板設(shè)有上形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，所述平坦化膜的下層設(shè)有具有源極布線、柵極布線、輔助電容布線的第一導(dǎo)電部，且所述平坦化膜的上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，所述薄膜積層基板具有形成薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B，在所述區(qū)域A及區(qū)域B的上層使具有第二導(dǎo)電部的部位中的所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的電位不同的部位錯(cuò)開而形成所述平坦化膜表面的凹凸圖案。還有，所謂“導(dǎo)電部”包含各種布線、各種電極等。
本發(fā)明第二形態(tài)的薄膜積層基板，基板上設(shè)有形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，在其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部，在其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，在形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域且其上層設(shè)有所述第二導(dǎo)電部的部位中所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部電位不同的部位中，所述平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度的至少一部分，小于未形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域的上層的平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度。還有，這里所說的“第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈俊笔侵敢蛐纬闪说谝粚?dǎo)電部而使平坦化膜形成前的表面相對于其它部分凸?fàn)畹匦纬傻膮^(qū)域。
依據(jù)本發(fā)明第二形態(tài)的薄膜積層基板，能夠使平坦化膜本身的膜厚容易變薄的部分比傳統(tǒng)例2的厚。結(jié)果，能夠減少因工藝偏差而造成第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部電氣上相連接的情況。
本發(fā)明第三形態(tài)的薄膜積層基板的特征在于，在上述各方面，形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域設(shè)有形成薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外由源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B；以及在所述區(qū)域B以外形成所述源極布線、所述柵極布線的各布線的區(qū)域C，在所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層具有所述第二導(dǎo)電部的部位的所述平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度，小于所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C以外的區(qū)域的上層的平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度。
本發(fā)明第四形態(tài)的薄膜積層基板的特征在于，在上述第三方面，所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的凹凸圖案的形狀各不相同。
本發(fā)明第五形態(tài)的薄膜積層基板，在基板上設(shè)有形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，在其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部，在其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，在形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域的上層的所述平坦化膜表面的凹凸形狀的底部的至少一部分不形成所述第二導(dǎo)電部。
依據(jù)本發(fā)明第五形態(tài)的薄膜積層基板，通過在平坦化膜本身的膜厚容易變薄的部分不設(shè)置第二導(dǎo)電部，與上述傳統(tǒng)例2相比，可有效減少第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部電氣上相連接的情況，從而能夠提供抑制亮點(diǎn)等顯示缺陷并提高成品率的薄膜積層基板。
本發(fā)明第六形態(tài)的薄膜積層基板的特征在于，在上述第五形態(tài)中設(shè)有形成薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B；以及在所述區(qū)域B以外形成所述源極布線、所述柵極布線的各布線的區(qū)域C，在所述區(qū)域A、區(qū)域B及所述區(qū)域C的所述平坦化膜表面的凹凸形狀的底部不設(shè)置所述第二導(dǎo)電部。
本發(fā)明第七形態(tài)的液晶顯示裝置，具有上述第一～第六形態(tài)的任一形態(tài)的薄膜晶體管基板。
本發(fā)明第八形態(tài)的薄膜積層基板的制造方法，是在基板上設(shè)有形成了凹凸圖案表面的平坦化膜、在其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部、在其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部的薄膜積層基板的制造方法，在所述基板上形成所述第一導(dǎo)電部，在所述第一導(dǎo)電部的上層涂覆所述平坦化膜，根據(jù)在所述平坦化膜的下層形成的所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康男螤钫{(diào)整所述平坦化膜的厚度，使所述第一導(dǎo)電部不與所述第二導(dǎo)電部電氣上相連接，在調(diào)整了所述厚度的平坦化膜的上層形成所述第二導(dǎo)電部，所述平坦化膜的厚度調(diào)整，通過根據(jù)所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康男螤罡淖兯銎教够け砻娴陌纪箞D案的形狀來進(jìn)行。
依據(jù)本發(fā)明第八形態(tài)的薄膜積層基板的制造方法，能夠使平坦化膜本身的膜厚容易變薄的部分比傳統(tǒng)例2的厚。結(jié)果，能夠提供可減少因工藝偏差而造成第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部電氣上相連接的情況的薄膜積層基板的制造方法。
本發(fā)明具有如下的優(yōu)異效果能夠提供抑制形成凹凸圖案的平坦化膜下層的第一導(dǎo)電部與平坦化膜上層的第二導(dǎo)電部電氣上相連接而短路的情況的薄膜積層基板、其制造方法及具有該薄膜積層基板的液晶顯示裝置。


圖1是實(shí)施例1的TFT基板的一個(gè)像素的平面圖。
圖2是圖1的I-I切斷部的剖視圖。
圖3是實(shí)施例1的遮光掩模的平面圖。
圖4是實(shí)施例2的TFT基板的一個(gè)像素的平面圖。
圖5是圖4的II-II切斷部的剖視圖。
圖6是實(shí)施例2的遮光掩模的平面圖。
圖7是實(shí)施例3的遮光掩模的平面圖。
圖8是實(shí)施例4的TFT基板的一個(gè)像素的平面圖。
圖9是圖8的III-III切斷部的剖視圖。
圖10(a)是實(shí)施例4的透明電極形成用遮光掩模的平面圖，圖10(b)是反射電極形成用遮光掩模的平面圖。
圖11是傳統(tǒng)例1的TFT陣列基板的剖視圖。
圖12是傳統(tǒng)例2的TFT基板的一個(gè)像素的平面圖。
圖13是傳統(tǒng)例2的TFT陣列基板的剖視圖。
圖14是傳統(tǒng)例2的遮光掩模的平面圖。
(附圖標(biāo)記說明)
1絕緣性基板，2柵極布線，3輔助電容布線，4柵極絕緣膜，5半導(dǎo)體活性膜，6歐姆接觸膜，7漏電極，8源電極，8a源極布線，9層間絕緣膜，10、10a、10b、10c平坦化膜，11、11a、11b、11c 透明電極，12、12a、12b、12c反射電極，15接觸孔，16透射區(qū)域，20、20a、20b、20c遮光掩模，21、21a、21b、21c光透射部，23透明電極形成用遮光掩模，24反射電極形成用遮光掩模。
具體實(shí)施例方式
以下就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。以下說明本實(shí)施例，但本發(fā)明并限于以下的實(shí)施例。為明確說明，以下的描述適當(dāng)進(jìn)行省略及簡化。并且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在本發(fā)明的范圍內(nèi)容易變更、追加、變換以下實(shí)施例的各要素。還有，各圖中采用同一附圖標(biāo)記的表示相同的要素，適當(dāng)省略其說明。
實(shí)施例1圖1是本實(shí)施例1的半透射型液晶顯示裝置的TFT陣列基板50的一個(gè)像素的平面圖，圖2是圖1的I-I切斷部的剖視圖。該TFT陣列基板50具有玻璃基板等的絕緣性基板1、第一導(dǎo)電部、層間絕緣膜9、平坦化膜10、第二導(dǎo)電部等。第一導(dǎo)電部具有柵極布線2、輔助電容布線3、柵極絕緣層4、第一半導(dǎo)體層即半導(dǎo)體活性膜5、第二半導(dǎo)體層即歐姆接觸膜6、漏電極7、源電極8、源極布線8a等，第二導(dǎo)電部具有透明電極11、反射電極12等。
在該TFT陣列基板50中，設(shè)有反射區(qū)域R1和透射區(qū)域R2，其表面形成凹凸形狀的圖案。在反射區(qū)域R1設(shè)有各像素中的透明電極11和反射電極12，在透射區(qū)域R1設(shè)有各像素中的透明電極11。該反射電極12和透明電極11構(gòu)成各像素的像素電極。
接著，就本實(shí)施例1的TFT陣列基板50的制造方法進(jìn)行描述。還有，以下說明的是典型例，只要與本發(fā)明的宗旨一致，當(dāng)然可采用其它制造方法。
首先，將用作絕緣性基板1的玻璃基板清洗，使其表面清潔。絕緣性基板1采用玻璃基板等透明的絕緣性基板。另外，絕緣性基板1的厚度可為任意厚度，為減薄液晶顯示裝置的厚度最好在1.1mm以下。若絕緣性基板1過薄，則由于各種成膜或工藝的熱處理而產(chǎn)生基板的翹曲，因此發(fā)生圖案化精度下降等的不良。因此，絕緣性基板1的厚度需要考慮所使用的工藝而選擇。另外，當(dāng)絕緣性基板1由玻璃等的脆性破壞材料構(gòu)成時(shí)，最好對基板的端面進(jìn)行倒角處理，這有利于防止因端面破碎(chipping)造成的異物混入。另外，最好在絕緣性基板1的一部分設(shè)置切口，以指定基板的方向，通過指定各工藝中基板處理的方向，可容易進(jìn)行工藝管理。
接著，通過濺鍍等方法形成柵極布線2、柵電極(未圖示)、輔助電容布線3等形成用的金屬薄膜。該金屬薄膜可采用例如鉻、鉬、鉭、鈦、鋁、銅或采用在其中微量地添加其它物質(zhì)的合金等，且可采用膜厚約為100nm到500nm的薄膜。在最佳實(shí)施例中采用200nm膜厚的鉻。
接著，用第一光刻工藝(照相工序)將上述金屬薄膜圖案化，形成柵電極(未圖示)、柵極布線2、輔助電容電極(未圖示)、輔助電容布線3及柵極端子(未圖示)等。例如，將TFT陣列基板清洗后，將感光性抗蝕劑(resist)涂覆并干燥，然后通過形成預(yù)定圖案的掩模圖案而曝光、顯影。由此照相制版地形成在TFT陣列基板上轉(zhuǎn)印掩模圖案的抗蝕劑。然后，將感光性抗蝕劑加熱固化后進(jìn)行蝕刻，并剝離感光性抗蝕劑。這樣，實(shí)施光刻工藝。由于感光性抗蝕劑和TFT陣列基板的潤濕性不良而發(fā)生感光性抗蝕劑的凹陷時(shí)，在涂覆前進(jìn)行UV清洗或者為改善潤濕性而蒸氣涂覆HMDS(hexamethyldisilazane六甲基二硅氮烷)等的處理。
另外，由于感光性抗蝕劑和TFT陣列基板的密合性不良而發(fā)生剝離時(shí)，可適當(dāng)進(jìn)行提高加熱固化溫度或者延長時(shí)間等的處理。上述金屬薄膜的蝕刻可采用公知的蝕刻劑(etchant)(例如，金屬薄膜由鉻形成時(shí)，可采用混合硝酸高鈰銨(ammonium ceric)及硝酸而成的水溶液)進(jìn)行濕法蝕刻(wet)。另外，該金屬薄膜的蝕刻最好將圖案邊緣(edge)蝕刻成為錐形(taper)形狀，這有利于防止因與其它布線的臺階差而造成短路。這里，錐形形狀指的是剖面成為梯形地蝕刻圖案邊緣。該工序中，描述了形成柵電極(未圖示)、柵極布線2、輔助電容電極(未圖示)、輔助電容布線3、柵極端子部(未圖示)，但并不限定于此，也可形成制造其它TFT陣列基板所需的各種標(biāo)記(mark)類或布線。
接著，通過等離子CVD法連續(xù)地形成柵極絕緣膜4、半導(dǎo)體活性膜5、歐姆接觸膜6形成用的薄膜。構(gòu)成柵極絕緣膜4的薄膜可采用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜或它們的積層膜(還有，x、y、z、w分別為正數(shù))。構(gòu)成柵極絕緣膜4的薄膜的膜厚為從300nm到600nm的程度。當(dāng)膜厚較薄時(shí)，在柵極布線與源極布線的交叉部容易發(fā)生短路，因此最好設(shè)為柵極布線2或輔助電容布線3等的膜厚以上。另一方面，當(dāng)膜厚較厚時(shí)，TFT的導(dǎo)通電流變小，可能會(huì)降低顯示特性。作為最佳例，在形成300nm的SiN膜后，形成100nm的SiN膜。
半導(dǎo)體活性膜5采用非晶硅(amorphous silicon)(a-Si)膜、多晶硅(polysilicon)(p-Si)膜。半導(dǎo)體活性膜5的膜厚為從100nm到300nm的程度。當(dāng)膜厚較薄時(shí)，在后述的歐姆接觸膜6的干法蝕刻(dry ecthing)時(shí)容易發(fā)生消失，反之較厚時(shí)，TFT的導(dǎo)通電流可能會(huì)變小。因而，經(jīng)考慮這些因素，根據(jù)歐姆接觸膜6干法蝕刻時(shí)的蝕刻深度的控制性和所需的TFT的導(dǎo)通電流的狀況來選擇膜厚。
當(dāng)半導(dǎo)體活性膜5采用a-Si膜時(shí)，與柵極絕緣膜4的a-Si膜的界面最好為SiNx膜或SiOzNw膜。從而，能夠提高TFT成為導(dǎo)通狀態(tài)的柵極電壓即TFT的Vth的控制性及可靠性。另外，當(dāng)半導(dǎo)體活性膜5采用a-Si膜時(shí)，最好將柵極絕緣膜4的界面附近以成膜速率小的條件成膜，而上層部以成膜速率大的條件成膜。從而，在較短的成膜時(shí)間內(nèi)得到遷移率大的TFT特性，并可減小TFT截止時(shí)的泄漏電流。在最佳實(shí)施例中，作為半導(dǎo)體活性膜5形成150nm的a-Si膜。另一方面，當(dāng)半導(dǎo)體活性膜5采用p-Si膜時(shí)，與柵極絕緣膜4的p-Si膜的界面最好為SiOy膜或SiOzNw膜。從而，可提高TFT的Vth的控制性及可靠性。
作為歐姆接觸膜6，采用向a-Si或p-Si微量摻雜(doping)磷(P)的n型a-Si膜、n型p-Si膜。歐姆接觸膜6的膜厚可為20nm到70nm的程度。這些SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜、a-Si膜、p-Si膜、n型a-Si膜、n型p-Si膜采用公知的氣體(SiH4、NH3、H2、NO2、PH3、N2及它們的混合氣體)，可通過干法蝕刻來形成圖案。在最佳實(shí)施例中，作為歐姆接觸膜6形成30nm的n型a-Si膜。
接著，通過第二光刻工序?qū)雽?dǎo)體活性膜5及歐姆接觸膜6在至少形成TFT部的部分圖案化。柵極絕緣膜4整個(gè)殘留。半導(dǎo)體活性膜5及歐姆接觸膜6最好也在形成TFT部的部分以外的、源極布線與柵極布線2或輔助電容布線3平面交叉的部分經(jīng)圖案化而殘留。從而，交叉部的耐壓變大。另外，最好將TFT部的半導(dǎo)體活性膜5及歐姆接觸膜6以連續(xù)形狀殘留到源極布線的下部。從而，源電極不會(huì)跨越半導(dǎo)體活性膜5及歐姆接觸膜6的臺階差，在臺階差部難以發(fā)生源電極的斷線。
半導(dǎo)體活性膜5及歐姆接觸膜6的蝕刻可采用公知的氣體組成(例如，SF6和O2的混合氣體或CF4和O2的混合氣體)進(jìn)行干法蝕刻。
接著，用濺鍍等方法形成漏電極7及源電極8形成用的金屬薄膜。該金屬薄膜采用例如鉻、鉬、鉭、鈦、鋁、銅或在這些金屬中微量添加其它物質(zhì)的合金或者它們的積層膜。顯然，也可將上述的材料積層形成。作為最佳實(shí)施例，例如可形成具有200nm膜厚的鉻膜。
接著，通過第三光刻工序進(jìn)行圖案化，以使該金屬薄膜形成源極布線8a(參照圖1)、源極端子(未圖示)、源電極8及漏電極7。源電極8形成在源極布線和柵極布線交叉的部分。漏電極7形成在反射區(qū)域R1。接著，進(jìn)行歐姆接觸膜6的蝕刻。通過該工藝去除TFT部的歐姆接觸膜6的中央部，半導(dǎo)體活性膜5露出。歐姆接觸膜6的蝕刻可采用公知的氣體組成(例如，SF6和O2的混合氣體或CF4和O2的混合氣體)。從而，可將歐姆接觸膜6干法蝕刻。
接著，通過等離子CVD法形成層間絕緣膜9形成用的膜。其上形成平坦化膜10。用以形成層間絕緣膜9的膜可采用與柵極絕緣膜4同樣的材料形成。在最佳實(shí)施例中，采用100nm膜厚的SiN。另外，平坦化膜10為感光性有機(jī)膜，可采用公知的膜。例如，可采用JSR公司制PC335或PC405等的正型感光性樹脂組成物。顯然，可采用負(fù)型感光性樹脂組成物。平坦化膜10以3.0～4.0μm程度的厚度、最好以3.2～3.9μm程度的厚度形成。當(dāng)然，也可采用這以外的厚度。
接著，通過第四光刻工序?qū)⑵教够?0形成為期望的圖案形狀。在該工序中，在平坦化膜10的反射區(qū)域R1表面形成凹凸形狀。首先，對圖案形成前的平坦化膜10，用具有圖3所示的光透射部21的遮光掩模(光掩模)20均勻地以低照度進(jìn)行曝光。接著，用如圖1所示的將與接觸孔15、透射區(qū)域16對應(yīng)的部分開口的遮光掩模(未圖示)，均勻地以高照度進(jìn)行曝光。遮光掩模20中的光透射部21可為例如具有如圖3所示的圓形形狀。其直徑可設(shè)為例如3～20μm的程度。
在上述曝光工序后，用顯影液進(jìn)行顯影。從而，完全去除高照度曝光區(qū)域的平坦化膜10，而低照度曝光部的平坦化膜10比最初的膜厚稍微減少。結(jié)果，在平坦化膜10的表面形成凹凸圖案15。在形成薄膜晶體管的區(qū)域A(以下只稱為“區(qū)域A”)和以源極布線8、柵極布線2、輔助電容布線3的任意組合而相互交叉的區(qū)域B(以下只稱為“區(qū)域B”)的上層，隔著平坦化膜10設(shè)有透明電極11及反射電極12。位于上述區(qū)域A及區(qū)域B的上層的平坦化膜10的表面，通過采用如圖3所示的遮光掩模20來不形成凹凸圖案。因而，位于上述區(qū)域A和區(qū)域B的上層的平坦化膜10成為平坦。結(jié)果，在透明電極11及反射電極12中也不形成凹凸形狀。還有，也可以涂覆兩個(gè)不同的平坦化膜，并按順序進(jìn)行曝光、顯影并圖案化，以取代這樣改變照度來控制平坦化膜的圖案形狀的方法。
接著，根據(jù)需要進(jìn)行加熱處理。然后，在與接觸孔13對應(yīng)的區(qū)域，由蝕刻工序去除層間絕緣膜9而露出漏電極7。另外，在與透射區(qū)域14對應(yīng)的區(qū)域，用蝕刻工序去除層間絕緣膜9及柵極絕緣膜4而露出絕緣性基板1。
接著，通過濺鍍等方法，為形成透明電極11而形成透明導(dǎo)電性薄膜。透明導(dǎo)電性薄膜可采用ITO、SnO2、IZO等。尤其從化學(xué)穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看最好采用ITO。在最佳實(shí)施例中，作為透明導(dǎo)電性薄膜，采用具有80nm膜厚的ITO。
接著，通過第六光刻工序?qū)⑼该鲗?dǎo)電性薄膜形成圖案，以獲得透明電極11的期望的圖案形狀。透明導(dǎo)電性薄膜的蝕刻可根據(jù)所使用的材料采用公知的濕法蝕刻(例如，當(dāng)透明導(dǎo)電性薄膜由結(jié)晶化ITO構(gòu)成時(shí)采用混合鹽酸及硝酸的水溶液)。當(dāng)透明導(dǎo)電性薄膜為ITO時(shí)，可進(jìn)行在公知的氣體組成(例如HI、HBr)中的干法蝕刻。另外，在該工序中，不僅形成透明電極，也在TFT陣列基板上形成將對置基板的對置電極與TFT陣列基板的公共布線電氣連接的轉(zhuǎn)接焊盤(transferpad)。
接著，通過濺鍍等方法形成反射電極12構(gòu)成用的金屬薄膜。該金屬薄膜可采用例如鋁等的具有反射功能的金屬。膜厚可采用例如從100nm到500nm程度的膜厚的薄膜。顯然，也可將上述材料淀積而形成。
接著，通過第七光刻工序進(jìn)行圖案形成，以獲得反射電極12的期望的圖案形狀。
在其上涂覆取向膜，按一定方向摩擦(rubbing)來制造TFT陣列基板。這樣制造的TFT陣列基板隔著襯墊(spacer)與設(shè)有對置電極的CF基板粘貼，其中間流入液晶。將挾持了該液晶層的液晶面板(panel)安裝到背光源裝置，從而制成液晶顯示裝置。還有，液晶面板上可安裝偏振片或相差片。
在TFT陣列基板上將薄膜晶體管或柵極布線2、源極布線等的第一導(dǎo)電部多層淀積時(shí)，不能避免在其上層淀積的平坦化膜的膜厚上產(chǎn)生偏差的情況。這是因?yàn)闀?huì)根據(jù)由薄膜晶體管部、源極布線、柵極布線等淀積的部位形成的第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康某潭榷l(fā)生臺階差。因此，在平坦化膜形成凹凸形狀時(shí)，若平坦化膜的膜厚較薄的部分和凹凸形狀的凹部的位置重疊，則有隔著平坦化膜對置的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部電氣上相連接而短路的危險(xiǎn)。結(jié)果，會(huì)發(fā)生亮點(diǎn)等的顯示缺陷。
本實(shí)施例1的TFT陣列基板50在區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)、區(qū)域B(由源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域)的上層，隔著平坦化膜10而設(shè)有透明電極11及反射電極12。上述區(qū)域A及區(qū)域B因形成多個(gè)積層膜，與積層膜的積層數(shù)較少的區(qū)域相比，平坦化膜10本身的膜厚變小。若在膜厚較小的情況下將凹凸形狀圖案化，則由于工藝偏差而平坦化膜10的上層與下層的導(dǎo)電部可能會(huì)電氣上相連接。因此，位于上述區(qū)域A及區(qū)域B的上層的平坦化膜10的表面，通過采用如圖3所示的遮光掩模20而不形成凹凸圖案。結(jié)果，與圖13所示的形成凹凸圖案的場合相比(圖13的L200)，這些區(qū)域也能達(dá)成厚膜化(圖2中的L)。結(jié)果，能夠減小因工藝偏差導(dǎo)致的膜厚變動(dòng)而布線或TFT等的第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈亢拖袼仉姌O短路的問題。結(jié)果，防止了亮點(diǎn)等的顯示缺陷發(fā)生的問題，并提高顯示質(zhì)量，可提供成品率高的液晶顯示裝置。另外，隨著區(qū)域A及區(qū)域B的上層的平坦化膜10的厚膜化，抑制像素電極的寄生電容，可期待提高顯示質(zhì)量。還有，根據(jù)平坦化膜10的表面形狀，在上述區(qū)域A及區(qū)域B的上層的透明電極11及反射電極12中也不形成凹凸形狀。
還有，在本實(shí)施例1中，以圓形的遮光圖案為例進(jìn)行了說明，但并不限于此，例如可采用三角形狀、四邊形狀、十字形狀等。另外，在本實(shí)施例1中，就位于區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)的上層、區(qū)域B(在區(qū)域A以外的區(qū)域，以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域)的上層的平坦化膜10的表面不形成凹凸圖案的例進(jìn)行了說明，但并不限于此。也可適用于在形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域，其上層形成第二導(dǎo)電部的區(qū)域中所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的電位不同的部位的至少一部分的平坦化膜10的表面。
另外，在本實(shí)施例1中，就半透射型液晶顯示裝置的例進(jìn)行了描述，但并不限于此，也可適用于反射型液晶顯示裝置等的各種顯示裝置。另外，在本實(shí)施例1中，就設(shè)有薄膜晶體管基板為例進(jìn)行了說明，但并不限于此，也可適用于不設(shè)有開關(guān)元件的顯示裝置基板等。而且，還一般地適用于在表面有凹凸形狀的平坦化膜的下層設(shè)第一導(dǎo)電部、其上層設(shè)第二導(dǎo)電部的薄膜積層基板。
實(shí)施例2接著，就與上述實(shí)施例1的TFT陣列基板50不同的實(shí)施例進(jìn)行說明。還有，在以下的說明中，與上述實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)部件采用同一附圖標(biāo)記，適當(dāng)省略其說明。
本實(shí)施例2的TFT陣列基板50a除以下方面外基本結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例1相同。在上述實(shí)施例1中，在區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)的上層及區(qū)域B(從基板的法線方向看第一導(dǎo)電部多處交叉的區(qū)域)的上層，反射電極12的下層的平坦化膜表面未形成凹凸圖案。另一方面，本實(shí)施例2的不同點(diǎn)是在上述區(qū)域A的上層及上述區(qū)域B的上層，平坦化膜表面形成凹凸圖案。另外，在上述實(shí)施例1的反射電極12中，屬于上述區(qū)域A及區(qū)域B的區(qū)域以外一律以同一形狀、同一密度的圖案形成，但本實(shí)施例2的反射電極12中，不同的是上述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部的深度比這以外區(qū)域的凹凸圖案的凹部的深度小。這里，區(qū)域C是在上述區(qū)域A及B以外的區(qū)域，即形成源極布線8a、柵極布線2的各布線的區(qū)域。也就是，在區(qū)域A及區(qū)域B以外的區(qū)域中，形成源極布線8a或柵極布線2的區(qū)域成為區(qū)域C。
圖4是本實(shí)施例2的半透射型液晶顯示裝置的TFT陣列基板50a的一個(gè)像素的平面圖，圖5是圖4的II-II切斷部的剖視圖。如該圖所示，位于區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜10的表面形成較緩和的凹凸圖案。圖6示出在平坦化膜10形成凹凸圖案的遮光掩模20a。如該圖所示，遮光掩模20a形成為區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的光透射部21a的開口部小于其它區(qū)域的光透射部21a的開口部。
依據(jù)本實(shí)施例2，通過采用具有如圖6所示的圖案的遮光掩模20a，能夠使區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C的凹凸的深度淺于其它區(qū)域。因此，可實(shí)現(xiàn)平坦化膜La的厚膜化。因而，可減小因工藝偏差導(dǎo)致的膜厚變動(dòng)而像素電極與布線或TFT短路的問題。結(jié)果，能夠提供抑制亮點(diǎn)等發(fā)生的問題并提高顯示質(zhì)量且成品率高的液晶顯示裝置。另外，在反射電極12的表面，沒有不形成凹凸形狀的區(qū)域，因此與上述實(shí)施例1相比反射有效面積廣，可期待改善反射特性。而且，與傳統(tǒng)例相比，可抑制寄生電容的增加。
還有，本實(shí)施例2中，就將區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)、區(qū)域B(在區(qū)域A以外以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域)及區(qū)域C(上述區(qū)域A及B以外的區(qū)域，形成源極布線、柵極布線2的各布線的區(qū)域)的上層的平坦化膜10表面的凹凸圖案的凹部深度小于位于上述以外區(qū)域的上層的平坦化膜10表面的凹凸圖案的凹部深度的例進(jìn)行了說明，但并不限于此。對于形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域的、其上層形成了第二導(dǎo)電部的區(qū)域中所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的電位不同的部位的至少一部分的平坦化膜10的表面，也同樣適用。
實(shí)施例3接著，就與上述實(shí)施例2的TFT陣列基板50a不同的實(shí)施例進(jìn)行說明。
本實(shí)施例3的TFT陣列基板50b除以下方面外其基本結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例2相同。即，與上述實(shí)施例2中區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜10表面形成同一的凹凸圖案相比，本實(shí)施例3的不同點(diǎn)是在區(qū)域A的上層、區(qū)域B的上層及區(qū)域C的上層的平坦化膜10表面與各區(qū)域?qū)?yīng)地形成不同的凹凸圖案。
圖7示出本實(shí)施例3的遮光掩模20b的平面圖。如該圖所示，遮光掩模20b形成為區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C中的光透射部21a的開口部小于其它區(qū)域的光透射部21b的開口部。而且，具有分別設(shè)為合適的不同形狀的圖案的光透射部21b，以使區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜的膜厚最佳。例如，形成為使區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部的深度在區(qū)域C＞區(qū)域B＞區(qū)域A。
依據(jù)本實(shí)施例3，通過采用具有如圖7所示的圖案的遮光掩模20b，可將區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的平坦化膜的膜厚最優(yōu)化?？蓽p小因工藝偏差導(dǎo)致的膜厚變動(dòng)而反射電極與布線或TFT短路的問題。因而，能夠提供抑制亮點(diǎn)發(fā)生的問題并提高顯示質(zhì)量且成品率高的液晶顯示裝置。另外，與上述實(shí)施例2相比，在反射電極12的表面，通過將凹凸形狀最優(yōu)化，可期待改善反射特性。而且，與傳統(tǒng)例相比，可抑制寄生電容的增加。
還有，本實(shí)施例3中，就將區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)、區(qū)域B(以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域)及區(qū)域C(在上述區(qū)域A、區(qū)域B、上述區(qū)域A及B以外的區(qū)域，即形成源極布線、柵極布線2的各布線的區(qū)域)的上層的平坦化膜10表面的凹凸圖案的凹部深度小于位于上述以外區(qū)域的上層的平坦化膜10表面的凹凸圖案的凹部深度，且使區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的凹凸圖案的形狀各不相同而最優(yōu)化的例進(jìn)行了說明，但并不限于此。對于形成了所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域的、其上層形成第二導(dǎo)電部的區(qū)域中所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的電位不同的部位的至少一部分的平坦化膜10的表面，也可適用。
實(shí)施例4接著，就與上述實(shí)施例1的TFT陣列基板50不同的實(shí)施例進(jìn)行說明。
本實(shí)施例4的TFT陣列基板50c除以下方面外其基本結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例1相同。即，上述實(shí)施例1中，在區(qū)域A、區(qū)域B的上層的平坦化膜10未形成凹凸形狀。另一方面，本實(shí)施例4的不同點(diǎn)是在區(qū)域A及區(qū)域B的上層的平坦化膜10c中，也一律形成與這些區(qū)域以外的區(qū)域相同形狀的凹凸圖案。另外，在上述實(shí)施例1中，在區(qū)域A及區(qū)域B的上層的平坦化膜10的上層上形成透明電極11及反射電極12，但本實(shí)施例4的不同點(diǎn)是在區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層的平坦化膜10c表面的凹凸圖案的凹部處，不配置透明電極11c和反射電極12c。
圖8是本實(shí)施例4的半透射型液晶顯示裝置的TFT陣列基板54的一個(gè)像素的平面圖，圖9是圖8的III-III切斷部的剖視圖。如圖9所示，在平坦化膜10的凹部位于區(qū)域A的上層、區(qū)域B的上層及區(qū)域C的上層的位置，不設(shè)置透明電極11及反射電極12。
圖10(a)示出將透明電極11圖案形成用的透明電極形成用遮光掩模23，圖10(b)示出將反射電極12圖案形成用的反射電極形成用遮光掩模24。通過在上述實(shí)施例1中描述的光刻工序，用上述透明電極形成用遮光掩模23和反射電極形成用遮光掩模24將抗蝕劑圖案化，分別蝕刻透明電極形成用的金屬薄膜和反射電極形成用的金屬薄膜。從而，可獲得透明電極11c和反射電極12c。
依據(jù)本實(shí)施例4，通過具有如圖8所示的圖案形狀的TFT陣列基板50c，在平坦化膜10c的凹凸形狀的凹部的底部不形成透明電極11c及反射電極12c。因而，可避免因工藝偏差而平坦化膜10c的下層的導(dǎo)電性電極與像素電極之間發(fā)生的短路。并且，在平坦化膜10c變薄的區(qū)域，可使凹凸形狀較深，因此可提高反射率的散射分量，并可期待反射率的改善。
還有，本實(shí)施例4中，就將區(qū)域A(形成薄膜晶體管的區(qū)域)、區(qū)域B(由源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域)及區(qū)域C(在上述區(qū)域A及B以外的區(qū)域，即形成源極布線、柵極布線2的各布線的區(qū)域)的上層的平坦化膜10表面的凹凸形狀的底部不形成第二導(dǎo)電部的例進(jìn)行了說明，但并不限于此。對于形成了所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域的、其上層形成有第二導(dǎo)電部的區(qū)域的至少一部分的平坦化膜10的表面，也可適用。
權(quán)利要求
1.一種薄膜積層基板，基板上具備形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，在所述平坦化膜的下層設(shè)有具備源極布線、柵極布線、輔助電容布線的第一導(dǎo)電部，且在所述平坦化膜的上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，其中，所述薄膜積層基板具備形成了薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外以源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B，在所述區(qū)域A及區(qū)域B的上層將具備第二導(dǎo)電部的部位中的所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的電位不同的部位錯(cuò)開而形成所述平坦化膜表面的凹凸圖案。
2.一種薄膜積層基板，基板上具備形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，在其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部，在其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，其中，在形成了所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域、其上層具備所述第二導(dǎo)電部的部位中的所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部電位不同的部位中，所述平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度的至少一部分小于未形成所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域之上層的平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜積層基板，其特征在于，形成了所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域含有形成了薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外由源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B；以及在所述區(qū)域B以外形成了所述源極布線、所述柵極布線的各布線的區(qū)域C，在所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的上層具備所述第二導(dǎo)電部的部位的所述平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度，比位于所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C以外的區(qū)域之上層的、平坦化膜表面的凹凸圖案的凹部深度小。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜積層基板，其特征在于，所述區(qū)域A、區(qū)域B及區(qū)域C的凹凸圖案的形狀分別不同。
5.一種薄膜積層基板，在基板上具備形成了凹凸圖案表面的平坦化膜，其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部，其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部，其中，位于形成了所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康膮^(qū)域之上層的、所述平坦化膜表面的凹凸形狀的底部的至少一部分不形成所述第二導(dǎo)電部。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜積層基板，其特征在于，設(shè)有形成了薄膜晶體管的區(qū)域A；在所述區(qū)域A以外由源極布線、柵極布線、輔助電容布線的任意組合相互交叉的區(qū)域B；以及在所述區(qū)域B以外形成了所述源極布線、所述柵極布線的各布線的區(qū)域C，在位于所述區(qū)域A、區(qū)域B及所述區(qū)域C的、所述平坦化膜表面的凹凸形狀的底部，不設(shè)置所述第二導(dǎo)電部。
7.一種液晶顯示裝置，具備權(quán)利要求1、2或5所述的薄膜積層基板。
8.一種基板上具備形成了凹凸圖案表面的平坦化膜、其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部、其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部的薄膜積層基板的制造方法，其中，在所述基板上形成所述第一導(dǎo)電部，在所述第一導(dǎo)電部的上層涂覆所述平坦化膜，根據(jù)在所述平坦化膜的下層形成的所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康男螤钫{(diào)整所述平坦化膜的厚度，使所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部電氣上不相連接，在調(diào)整了所述厚度的平坦化膜的上層形成所述第二導(dǎo)電部，通過按所述第一導(dǎo)電部的凸?fàn)畈康男螤顏砀淖兯銎教够け砻娴陌纪箞D案的形狀，進(jìn)行所述平坦化膜的厚度調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制平坦化膜的下層的第一導(dǎo)電部和平坦化膜的上層的第二導(dǎo)電部電氣上相連接而短路的情況的薄膜積層基板等。本發(fā)明第一形態(tài)的薄膜積層基板(50)，基板(1)上具備形成了凹凸圖案表面的平坦化膜(10)，其下層設(shè)有多個(gè)第一導(dǎo)電部(2、3等)，其上層設(shè)有第二導(dǎo)電部(11、12)，在形成有第一導(dǎo)電部(2、3等)的凸?fàn)畈康膮^(qū)域，與其上層具備第二導(dǎo)電部(11、12)的部位中的至少一部分錯(cuò)開而形成平坦化膜(10)表面的凹凸圖案。
文檔編號G02F1/13GK1959992SQ200610143660
公開日2007年5月9日 申請日期2006年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者橋口隆史, 川渕真嗣 申請人:三菱電機(jī)株式會(huì)社