專利名稱：顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)。更具體地說，本發(fā)明是涉及用于提 高圖像顯示質(zhì)量的像素電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，隨著用于處理大量數(shù)據(jù)的信息處理設(shè)備的發(fā)展，用于將經(jīng)信息處 理設(shè)備處理的數(shù)據(jù)顯示成圖像的顯示器件得到了極大的發(fā)展。目前，作為顯示 器件使用的主要是諸如以LCD (液晶顯示)器件，等離子體顯示板(PDP)和 有機發(fā)光器件(OLED)為代表的平板顯示器件。
作為LCD器件的一種，扭曲向列(TN)模式具有諸如響應(yīng)速度快和驅(qū)動 電壓低的優(yōu)點。然而，TN模式LCD器件具有因液晶的折射率各向異性引起的 視角不夠好的缺點，這是因為液晶分子沿著垂直施加給它們的電場取向。
為了克服TN模式LCD器件的缺點，近年來已經(jīng)研究出共平面開關(guān)(IPS) 模式LCD器件。
在IPS模式LCD器件中，由于將平行于基板的電場水平施加給液晶，與 TN模式LCD器件相比，具有能夠獲得優(yōu)異視角特性的優(yōu)點。
為了形成平行于基板的水平電場，IPS模式LCD器件采用梳形像素電極。 圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用于IPS模式LCD器件的像素電極結(jié)構(gòu)。 參照圖l，在基板1上形成公共電極3。公共電極3為透明導電層。 盡管圖中未示出，但是在公共電極3上設(shè)置有覆蓋公共電極3的絕緣層， 并且在絕緣層上設(shè)置像素電極5。在絕緣層的與公共電極3相應(yīng)的位置上設(shè)置 多個像素電極5，使它們彼此平行地排列。設(shè)置在絕緣層上的像素電極5例如
可由透明導電材料形成。
在現(xiàn)有技術(shù)IPS模式LCD中， 一對相鄰像素電極5分別具有相同寬度W。 將具有相同寬度W的相鄰一對像素電極5設(shè)置在絕緣層上，使它們分隔相同 間距L。
具有相同寬度W和間距L的像素電極5，普遍應(yīng)用于IPS模式LCD器件 和邊緣場切換(FFS)模式LCD器件。
通常，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中，圖像的顯示質(zhì)量由 像素電極5的間距L和寬度W決定。
如圖1中的實線所示，如果在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中， 相鄰像素電極5同樣地分隔間距L，并且基本上具有相同寬度W，可提高圖像 的顯示質(zhì)量。
相反，如果如圖1中的虛線所示，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD 器件中相鄰像素電極5之間的間距L和寬度W不均勻，那么圖像的顯示質(zhì)量 會嚴重下降。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明涉及顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)，其基本上可消除由于現(xiàn)有技 術(shù)的限制和缺陷而產(chǎn)生的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的在于提供能夠防止圖像顯示質(zhì)量下降的顯示器件的像素電 極結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征一部分將在隨后的描述中給出， 一部分是 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)后面的說明顯然可以想到或者可由本發(fā)明的實踐而 獲悉的。通過文字描述和權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)和獲得 本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，正如這里具體和廣義 描述的，本發(fā)明提供一種顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在被施加電場以顯
示圖像的第一和第二像素區(qū)域中，該像素電極結(jié)構(gòu)包括平行于第一像素區(qū)域 設(shè)置的第一子像素電極，其中從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，第一子 像素電極具有逐漸增大的寬度和間距;和平行于第二像素區(qū)域設(shè)置的第二子像
素電極，其中從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，第二子像素電極具有逐 漸增大的寬度和間距。 應(yīng)當理解:，本發(fā)明前面的概括描述和后面的詳細描述是示例性和解釋性 的，意在提供對如所要求保護的發(fā)明的進一步解釋。


用于提供對本發(fā)明進一步理解且包含在本申請中并構(gòu)成本申請一部分的 附圖用來說明本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附
圖中
圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用于共平面開關(guān)(IPS)模式LCD器件的像素電極 結(jié)構(gòu)的平面圖2為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖3為沿圖2中線I-I'作出的剖面圖;和
圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中表示出其示例。如果可能， 在附圖中盡量使用相同附圖標記表示相同或相似部件。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3 為沿圖2中線I-I'作出的剖面圖。
參照圖2和3，在基板10上形成公共電極30。公共電極30可包括透明導 電層。公共電極可以設(shè)置在像素區(qū)域35中。
在公共電極30上可以設(shè)置覆蓋公共電極30的絕緣層36。在絕緣層36的 頂面上設(shè)置像素電極50。在本實施例中，像素電極50可包括多個子像素電極 55。在像素區(qū)域35中沿彼此平行的方向并置子像素電極55。
可用作子像素電極55的材料的例子包括氧化銦錫(ITO),氧化銦鋅(IZO) 或非晶氧化銦錫(a-ITO)等?；蛘撸酉袼仉姌O55可包括鋁或鋁合金等。
在平面圖中，處于絕緣層36上的子像素電極55基本上具有直線形狀。
具體地說，可以將子像素電極55形成為彎曲成鈍角的彎曲圖案形狀。例 如，在平面圖中，子像素電極55基本上具有'V，形形狀?；蛘?，子像素電極 55基本上可具有包含拐點的彎曲形狀?；蛘撸酉袼仉姌O55基本上可具有多 種形狀，諸如W形等。此外，可以對子像素電極55的彎曲角度作出多種改
變。
下面，為了說明方便，將像素區(qū)域35的一側(cè)和另一側(cè)分別表示為附圖標 記32和34，其中像素區(qū)域35的一側(cè)和另一側(cè)彼此相對。
在本發(fā)明該實施例中，子像素電極35的寬度W1以及相鄰兩個子像素電 極35之間的間距Ll非常重要，因為圖像的顯示質(zhì)量是由寬度Wl和間距Ll 決定的。在本實施例中，確定子像素電極35的寬度W1以及相鄰兩個子像素 電極35之間的間距Ll以即使在子像素電極55具有不同寬度Wl和間距Ll 情況下，圖像的顯示質(zhì)量也不會下降。
在本實施例中，可依次改變各個子像素電極55的寬度Wl。例如，隨著 子像素電極55離像素區(qū)域的一側(cè)32的距離的增加，子像素電極55的寬度 Wl趨于逐漸增大。
在本實施例中，最窄的子像素電極55的寬度W1為大約3nm，最寬的子 像素電極55的寬度Wl為大約13pm。即，子像素電極55的寬度W1可以在 大約3nm到大約13pm的范圍內(nèi)依次改變。
此外，從像素區(qū)域35的一側(cè)32到另一側(cè)34，包含在像素區(qū)域50中的相 鄰兩個子像素電極55之間的間距Ll可依次改變。
在本實施例中，子像素電極55之間的最窄間距L1為大約3]Lim，相鄰子 像素電極55之間的最寬間距Ll為大約13pm。 g卩，相鄰子像素電極55之間 的間距L1可以在大約3)iim到大約13pm的范圍內(nèi)依次改變。
在本實施例中，由于包含在像素區(qū)域50中的子像素電極55的寬度Wl和 間距Ll可以依次改變，即使子像素電極55的形成位置被意外改變，也能防 止圖像的顯示質(zhì)量下降。
根據(jù)本發(fā)明，子像素電極55的寬度Wl和間距L1可以影響提高圖像顯示 質(zhì)量的光透射率，影響圖像顯示質(zhì)量變差的圖像顯示不均勻性(mura)，薄膜晶 體管的閾值電壓Vth以及薄膜晶體管的驅(qū)動電壓Vop。
當子像素電極55的寬度Wl和間距Ll依次增大時，光透射率和驅(qū)動電壓 Vop增大。而當子像素電極55的寬度W1和間距L1依次減小時，有可能發(fā)生 諸如圖像顯示不均勻性的質(zhì)量缺陷，并且光透射率和閾值電壓Vth可能會進一 步減小。
同時，將子像素電極55制造成在平面視圖中彎曲成鈍角的彎曲形狀，從
而本發(fā)明與形成多疇的情形具有同樣的效果。S卩，可改善圖像的視角性。
圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的平面圖。 參照圖4，在基板10上形成公共電極30。公共電極30可包括透明導電層。
公共電極30設(shè)置在包括第一和第二像素區(qū)域38和39的像素區(qū)域35上。在本
實施例中，第一和第二像素區(qū)域38和39順序設(shè)置。
在公共電極30上設(shè)置覆蓋公共電極30的絕緣層(未示出)。在絕緣層上
設(shè)置像素電極50。在另一實施例中，像素電極50包括多個在第一像素區(qū)域38
上平行設(shè)置的第一子像素電極56，和多個在第二像素區(qū)域39上平行設(shè)置的第
二子像素電極57。
設(shè)置在第一和第二像素區(qū)域38和39上的多個第一和第二子像素電極56 和57，可包括氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)或非晶氧化銦錫(a-ITO) 等?；蛘撸谝缓偷诙酉袼仉姌O56和57可包括鋁或鋁合金。
第一和第二子像素電極56和57可具有彎曲成鈍角的彎曲形狀。此外，第 一和第二子像素電極56和57可具有多種形狀和多種彎曲角度。或者，第一和 第二子像素電極56和57可具有V形或W形。
在平面圖中，第一子像素電極56的彎曲部分與第二子像素電極57的彎曲 部分相對。第一子像素電極56與第二子像素電極57相對于第一和第二像素區(qū) 域38和39之間的邊界0是對稱的。
隨著第一和第二子像素電極56和57遠離第一與第二像素區(qū)域38與39之 間的邊界O，它們具有逐漸增大的寬度Wl。在本實施例中，在第一或第二子 像素電極55中最窄的子像素電極55的寬度Wl為大約3|im，第一或第二子像 素電極55中最寬的子像素電極55的寬度Wl為大約13|_im。 g卩，第一或第二 子像素電極55可具有處于大約3nm到大約13nm范圍內(nèi)的寬度Wl。
同時，隨著遠離邊界O，兩相鄰的第一或第二子像素電極56或57之間的 間距L1變大。在本實施例中，兩相鄰的第一或第二子像素電極56或57之間 的最小間距L1為大約3pm，之間的最大間距為大約13pm。艮卩，兩相鄰的第 一或第二子電極56或57之間的間距Ll處于大約3pm到大約13pm的范圍內(nèi)。
在本實施例中，具有最小寬度Wl和間距L1的一個第一子像素電極56， 處于邊界0附近。同樣，具有最小寬度Wl和間距Ll的一個第二子像素電極 57處于邊界0附近。隨著子像素電極56和57遠離邊界0，第一或第二子像素
電極56或57的寬度Wl以及兩相鄰的第一或第二子像素電極56或57之間的 間距L1變大。
如上所述:,從邊界0開始依次調(diào)整第一和第二子像素電極56和57的寬度 W1和間距L1，從而可提高圖像的顯示質(zhì)量。
換言之，由于包含在像素電極50中的第一和第二子像素電極56和57的 寬度Wl和間距Ll依次改變，即使子像素電極55的形成位置被意外改變，也 能防止圖像的顯示質(zhì)量下降。
根據(jù)本實施例，第一和第二子像素電極56和57的寬度Wl和間距Ll影 響提高圖像顯示質(zhì)量的光透射率，影響圖像顯示質(zhì)量變差的圖像顯示不均勻性 (mura)，閾值電壓Vth以及驅(qū)動電壓Vop。
當?shù)谝缓偷诙酉袼仉姌O56和57的寬度Wl和間距Ll依次增大時，可 增大光透射率和驅(qū)動電壓V叩。相反，當?shù)谝缓偷诙酉袼仉姌O56和57的寬 度Wl和間距Ll依次減小時，有可能發(fā)生諸如圖像顯示不均勻性的質(zhì)量缺陷， 并且可減小透射率和閾值電壓Vth。
同時，將第一和第二子像素電極56和57制造成在平面視圖中彎曲成鈍角 的彎曲形狀，從而本發(fā)明與形成多疇的情形具有同樣的效果。即，可改善圖像 的視角性。
根據(jù)上述說明，通過從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，依次改變像 素電極的間距和寬度，可任意改變像素電極的臨界尺寸(CD)。從而，可防止 圖像的顯示質(zhì)量下降。
本領(lǐng)域技術(shù)人員易于想到對本發(fā)明作出多種修改和改進。因此，本發(fā)明旨 在覆蓋包括所有落入所附權(quán)利要求及其等效物范圍內(nèi)的對本發(fā)明進行的修改 和改進。
權(quán)利要求
1、一種設(shè)置在顯示器件的像素區(qū)域中的像素電極結(jié)構(gòu)，其中所述像素區(qū)域被施加電場用以顯示圖像，所述像素電極結(jié)構(gòu)包括在像素區(qū)域中平行設(shè)置的多個子像素電極，其特征在于，從像素區(qū)域的一側(cè)到另一側(cè)，所述子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，在平面視圖中所 述子像素電極具有彎曲形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極具有處于大約3pm到大約13|im范圍內(nèi)的寬度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰子像素電極 之間的間距為大約3pm到大約13|im。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極 包括從氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)和非晶氧化銦錫(a-ITO)組成的 組中選擇出的一種材料。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極 包括從鋁和鋁合金組成的組中選擇出的一種材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述寬度和間距 是依次改變的。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極 具有V形或W形。
9、 一種設(shè)置在顯示器件的第一和第二像素區(qū)域中的像素電極結(jié)構(gòu)，其中 所述像素區(qū)域被施加電場用以顯示圖像，所述像素電極結(jié)構(gòu)包括在第一像素區(qū)域中平行設(shè)置的第一子像素電極，其中，從第一與第二像素 區(qū)域之間的邊界幵始，所述第一子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距；以及在第二像素區(qū)域中平行設(shè)置的第二子像素電極，其中，從第一與第二像素 區(qū)域之間的邊界開始，所述第二子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，在平面視圖中所 述第一和第二子像素電極具有彎曲形狀。
11、 根據(jù)權(quán)利要求io所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二子像素電極彎曲成鈍角。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一子像 素電極的彎曲部分與第二子像素電極的彎曲部分關(guān)于第一與第二像素區(qū)域之 間的邊界是相對的。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二 子形素電極的寬度為大約3nm到大約13,。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰第一子像素 電極之間的間距和相鄰第二子像素電極之間的間距為大約3pm到大約13pm。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二 子像素電極包括從氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)和非晶氧化銦錫(a-ITO) 組成的組中選擇出的一種材料。
16、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二 子像素電極包括從鋁和鋁合金組成的組中選擇出的一種材料。
17、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素 電極與第二子像素電極相對于第一和第二像素區(qū)域之間的邊界是對稱的。
全文摘要
本發(fā)明提供顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)。顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)處于被施加電場用于顯示圖像的第一和第二像素區(qū)域中，所述像素電極結(jié)構(gòu)包括在第一像素區(qū)域中平行設(shè)置的第一子像素電極，其中，從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，所述第一子像素電極具有逐漸增大的寬度，從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，所述第二子像素電極具有逐漸增大的寬度。
文檔編號G02F1/1341GK101097307SQ200610145260
公開日2008年1月2日 申請日期2006年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者宋武炯, 沈桓秀 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社