專(zhuān)利名稱(chēng)：相位調(diào)制元件及其制造方法、結(jié)晶化裝置及結(jié)晶化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠進(jìn)行均勻結(jié)晶化等退火處理的相位調(diào)制元件、相位調(diào)制元件的制造方法、結(jié)晶化裝置及結(jié)晶化方法。
背景技術(shù)：
薄膜半導(dǎo)體技術(shù)是一種用于在絕緣基板上形成薄膜晶體管(TFTThin Film Transistor)、密接傳感器、光電轉(zhuǎn)換元件等半導(dǎo)體元件的重要的技術(shù)。薄膜晶體管是一種MOS(MIS)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還可以應(yīng)用在液晶顯示器件這種平板顯示器中(例如，參照“表面科學(xué)Vol.21，No.5，p.278-p.287”)。
液晶顯示器件一般具有薄、輕、低耗電且容易進(jìn)行彩色顯示這樣的特點(diǎn)。由于具有這些特點(diǎn)，所以正廣泛地將液晶顯示器件用作個(gè)人計(jì)算機(jī)或各種便攜式信息終端的顯示器。液晶顯示器件是有源矩陣型的情況下，薄膜晶體管可作為像素開(kāi)關(guān)元件使用。
此薄膜晶體管的有源層(載流子移動(dòng)層)，例如由硅半導(dǎo)體薄膜形成。硅半導(dǎo)體薄膜分為非晶硅(amorphous硅a-Si)及具有微細(xì)晶相的多晶質(zhì)硅(非單晶的結(jié)晶硅)。多晶質(zhì)硅主要是多晶硅(Poly-Si)。眾所周知，微晶硅(μc-Si)也作為多晶質(zhì)硅。作為硅以外的半導(dǎo)體薄膜材料，可列舉出例如SiGe、SiO、CdSe、Te、CdS等。
在多晶質(zhì)硅上形成薄膜晶體管時(shí)的有源層內(nèi)的載流子遷移率，是在非晶硅上形成薄膜晶體管時(shí)的載流子遷移率的10倍到100倍左右大小。此載流子遷移率特性在作為用于在多晶質(zhì)硅薄膜上形成TFT結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)元件的半導(dǎo)體薄膜材料時(shí)是一種非常優(yōu)良的特性。近年來(lái)，使用多晶質(zhì)硅作為有源層的薄膜晶體管，由于工作的高速性而受到關(guān)注。由于工作的高速性，這種薄膜晶體管例如作為能構(gòu)成多米諾電路及CMOS傳輸門(mén)這樣的邏輯電路的開(kāi)關(guān)元件而受到關(guān)注。在構(gòu)成液晶顯示器件及有機(jī)電致顯示器件的驅(qū)動(dòng)電路、多路轉(zhuǎn)換器、EPROM、EEPROM、CCD及RAM等時(shí)需要這種邏輯電路。
在此，說(shuō)明形成多晶質(zhì)硅的半導(dǎo)體薄膜的現(xiàn)有的代表性工藝。用此工藝處理的被處理基板的結(jié)構(gòu)如下。最初準(zhǔn)備玻璃等絕緣基板。作為下部涂層(或者緩沖層)，例如在此絕緣基板上形成氧化硅膜(SiO2)。并且，作為半導(dǎo)體薄膜，在下部涂層上形成厚約50nm左右的非晶硅膜(a-Si)。此后，為了降低非晶硅膜中的氫濃度，進(jìn)行脫氫處理。接著，在非晶硅膜上，形成例如氧化硅膜(SiO2)作為覆蓋膜，然后構(gòu)成被處理基板。接著，利用受激準(zhǔn)分子激光器結(jié)晶法等進(jìn)行上述非晶硅膜的熔融再結(jié)晶。具體地，通過(guò)對(duì)非晶硅膜照射受激準(zhǔn)分子激光，使此被照射區(qū)域的非晶硅膜變化成結(jié)晶硅膜。
現(xiàn)在，將這樣制造的多晶質(zhì)硅的半導(dǎo)體薄膜作為n溝道型或p溝道型薄膜晶體管的有源層(溝道區(qū)域)而進(jìn)行使用。此時(shí)，薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率(場(chǎng)效應(yīng)所引起的電子或空穴的遷移率)，n溝道型晶體管為100～150cm2/V·sec左右，p溝道型晶體管為100cm2/V·sec。通過(guò)使用這樣的薄膜晶體管，信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路這樣的驅(qū)動(dòng)電路能夠與像素開(kāi)關(guān)元件一起形成在同一基板上。因此，能夠獲得驅(qū)動(dòng)電路一體化的顯示器件。結(jié)果，能夠降低顯示器件的制造成本。
同時(shí)，越是能夠在顯示器件的基板上使將數(shù)字影像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬影像信號(hào)的DA轉(zhuǎn)換器和處理數(shù)字影像數(shù)據(jù)的門(mén)陣列等信號(hào)處理電路一體化，在絕緣基板上形成的薄膜晶體管的電氣性能就越不好。此時(shí)，在薄膜晶體管中，需要現(xiàn)在的2倍到5倍的電流驅(qū)動(dòng)能力。此外，此薄膜晶體管中，場(chǎng)效應(yīng)遷移率也需要在300cm2/V·sec左右以上。為了顯示器件的高功能化及高附加值化，需要進(jìn)一步提高薄膜晶體管的電氣性能。例如，為了具有存儲(chǔ)功能而在各像素上附加由薄膜晶體管構(gòu)成的靜態(tài)存儲(chǔ)器時(shí)，對(duì)此薄膜晶體管要求與使用單晶半導(dǎo)體的情況相同的電氣性能。為此，重要之處在于提高半導(dǎo)體薄膜的特性。
作為提高半導(dǎo)體薄膜性能的策略，例如，可考慮使半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶性接近單晶體。實(shí)際上，如果在絕緣基板上使半導(dǎo)體薄膜整體成為單晶化，作為下一世代LSI，能夠獲得與使用正在研討的SOI基板的器件相同的特性。已在10年以前進(jìn)行了作為三維器件研究方案的這種嘗試。但是，還沒(méi)有確立半導(dǎo)體薄膜整體的單晶化技術(shù)。即使到現(xiàn)在，也只期待半導(dǎo)體薄膜中的半導(dǎo)體粒子是單晶體。
過(guò)去，在非晶半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶化中，提出了一種增大地生長(zhǎng)單晶體的半導(dǎo)體粒子的技術(shù)(例如，參照“表面科學(xué)Vol.21，No.5，p.278-p.287”)。作為松村等竭力持續(xù)研究的成果，在“表面科學(xué)Vol.21，No.5，p.278-p.287”中進(jìn)行了發(fā)表。在此文獻(xiàn)中，公開(kāi)了一種使用對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的移相器對(duì)非晶半導(dǎo)體薄膜照射空間地強(qiáng)度調(diào)制的受激準(zhǔn)分子激光。并且在此文獻(xiàn)中，公開(kāi)了一種對(duì)非晶硅薄膜的被受光區(qū)域進(jìn)行熔融再結(jié)晶，轉(zhuǎn)換成多晶質(zhì)硅薄膜的相位調(diào)制受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶法。常規(guī)的激光結(jié)晶法的激光光束可采用使用稱(chēng)為光束均質(zhì)器的光學(xué)系統(tǒng)(均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng))，使硅薄膜平面上的受激準(zhǔn)分子激光強(qiáng)度平均(均勻)的光束(例如，參照“平板顯示器96p.174-p176”)。相對(duì)于此，“表面科學(xué)Vol.21，No.5，p.278-p.287”的相位調(diào)制受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶法的激光光束通過(guò)移相器，使硅薄膜平面上的受激準(zhǔn)分子激光強(qiáng)度具有強(qiáng)弱，在硅薄膜內(nèi)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于此光強(qiáng)度分布的溫度梯度。在平行于硅薄膜平面的橫方向中，此溫度梯度從低溫部分向高溫部分可促進(jìn)單晶硅粒子的生長(zhǎng)。其結(jié)果，相比于上述“平板顯示器96p.174-p176”的激光結(jié)晶法，此相位調(diào)制受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶法能夠使結(jié)晶區(qū)域的大單晶硅粒子生長(zhǎng)為大粒徑。此相位調(diào)制受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶法，能夠在非晶硅膜上晶體生長(zhǎng)單晶硅粒子為可制造(容納)1個(gè)或多個(gè)例如薄膜晶體管這樣的有源元件的約幾微米粒徑的晶粒。由此，由于在如此晶體生長(zhǎng)的此單晶硅粒子內(nèi)形成薄膜晶體管，因此能夠獲得滿(mǎn)足上述要求的電氣性能的薄膜晶體管。
“表面科學(xué)Vol.21，No.5，p.278-p.287”的相位調(diào)制受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶法是一種能夠在預(yù)定位置形成大粒徑的單晶硅粒子的有效的技術(shù)。本發(fā)明者們正專(zhuān)心進(jìn)行此技術(shù)的工業(yè)化的研究開(kāi)發(fā)。
眾所周知，從激光光源射出的激光的面內(nèi)光強(qiáng)度分布顯示出在光軸附近的光強(qiáng)度最高、在周邊方向變低的分布。因此，一般在結(jié)晶化裝置中，可設(shè)置使激光的二維平面內(nèi)的面內(nèi)光強(qiáng)度分布均勻的光學(xué)系統(tǒng)(均化(homogenize)光學(xué)系統(tǒng))。
但是，使用均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行受激準(zhǔn)分子激光強(qiáng)度的平均化，在照射區(qū)域的周邊部，光照射強(qiáng)度依然低下。利用這種光束照射區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶的情況，存在由于其照射強(qiáng)度的不同而結(jié)晶粒徑的尺寸在中央部和周邊部會(huì)產(chǎn)生不同的這種問(wèn)題。
并且，在上述光照射強(qiáng)度下降的周邊部的照射區(qū)域，在照射強(qiáng)度變得過(guò)低的區(qū)域，硅膜沒(méi)有達(dá)到熔融溫度，會(huì)導(dǎo)致環(huán)狀地殘留非結(jié)晶區(qū)域。
判斷為在這樣的照射區(qū)域內(nèi)進(jìn)行多次照射的情況下，即使使鄰接的各照射區(qū)域間的光照射強(qiáng)度下降部重合，由于不能充分地進(jìn)行重復(fù)照射區(qū)域結(jié)晶部，會(huì)導(dǎo)致在此區(qū)域形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域時(shí)薄膜晶體管的特性劣化。因此，在使基板整體結(jié)晶的情況下，要求對(duì)通過(guò)反復(fù)照射形成的鄰接的各照射區(qū)域間進(jìn)行致密照射。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行本發(fā)明，其目的在于，提供一種能夠提高照射區(qū)域內(nèi)的晶粒尺寸的均勻性的移相器、移相器的制造方法及激光退火裝置。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明按如下方式進(jìn)行。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的相位調(diào)制元件，具有透光性基板和設(shè)置在此透光性基板上的對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的凹凸圖形，在上述透光性基板的入射面?zhèn)燃俺錾涿鎮(zhèn)鹊闹辽僖粋€(gè)側(cè)面上，具備對(duì)入射到上述凹凸圖形的預(yù)定的周邊部及上述透光性基板的周邊部的上述入射光進(jìn)行遮蔽的遮光體。
優(yōu)選上述遮光體是反射體、吸收體、散射體及或薄膜中的至少一種。優(yōu)選上述遮光體為鋁、鋁合金及鉻中的至少一種。并且優(yōu)選上述鋁合金為Al-Si合金。
上述薄膜的膜厚優(yōu)選在30至2000的范圍內(nèi)。此外，在上述遮光體為鋁的情況下，上述薄膜的膜厚優(yōu)選在50至2000nm的范圍內(nèi)。此外，在上述遮光體為Al-Si膜的情況下，上述薄膜的膜厚優(yōu)選在80至2000nm的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，一種具有透光性基板和在此透光性基板上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的調(diào)制部的相位調(diào)制元件的制造方法，包括在上述透光性基板上設(shè)置對(duì)射向上述透光性基板的上述入射光的照射面內(nèi)周邊部的光進(jìn)行遮蔽的遮光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式，一種具有透光性基板和在此透光性基板上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的凹凸圖形的相位調(diào)制元件的制造方法，在上述透光性基板的入射面或出射面形成在上述凹凸圖形的預(yù)定的周邊部及上述透光性基板的外周部對(duì)入射光具有遮光性的遮光體。
優(yōu)選在上述遮光體的中央部以濕蝕法形成通孔部。上述遮光體優(yōu)選為環(huán)狀遮光體。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)晶化裝置，將來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，使照射面結(jié)晶；該結(jié)晶化裝置包括在從上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)的入射面的光路中設(shè)置的用于遮蔽上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)射出光的周邊部光的遮光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)晶化裝置，將來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，使照射面結(jié)晶；該結(jié)晶化裝置包括在透光性基板上設(shè)置的相位調(diào)制部以及在從上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)的入射面的光路中設(shè)置并遮蔽射向上述相位調(diào)制元件的上述入射光引起的照射面內(nèi)的周邊部的光的遮光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)晶化裝置，將來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，使照射面結(jié)晶；該結(jié)晶化裝置包括在上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面和成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)之間的光路中設(shè)置且遮蔽上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面的光強(qiáng)度下降的周邊部的光的遮光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)晶化方法，將來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，使照射面結(jié)晶；該結(jié)晶化方法還包括在上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面和成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)入射面之間的光路中形成遮蔽了在上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面中上述激光的光強(qiáng)度下降的周邊部的光的激光的工序。
優(yōu)選上述遮光體的開(kāi)口的上述凹凸圖形的周期方向的長(zhǎng)度，是為了形成由上述凹凸圖形形成的三角波的一個(gè)周期而所需的上述凹凸圖形的周期的整數(shù)倍。
優(yōu)選由上述遮光體進(jìn)行遮光且由上述凹凸圖形進(jìn)行了相位調(diào)制的入射光的光強(qiáng)度分布是上述入射光端部的強(qiáng)度為最小的這種結(jié)構(gòu)的三角波。
優(yōu)選上述凹凸圖形對(duì)上述入射光的光強(qiáng)度賦予周期的空間分布。
根據(jù)本發(fā)明，能夠使照射區(qū)域內(nèi)的晶粒尺寸均勻化。此外，由于能夠正確地規(guī)定照射區(qū)域，所以在進(jìn)行多次照射時(shí)能夠致密排列并形成照射區(qū)域。
在隨后的說(shuō)明書(shū)中將闡述本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，并且從說(shuō)明書(shū)中本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將局部變得明顯、或者通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐可以了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。利用此后具體提出的各輔助方法和組合能夠?qū)崿F(xiàn)并獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。


引入且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖與用于解釋本發(fā)明原理的以上給出的一般性描述和以下給出的各實(shí)施例的詳細(xì)描述一起將說(shuō)明本發(fā)明的各實(shí)施例。
圖1A是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的實(shí)施方式的圖。
圖1B是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的實(shí)施方式的圖。
圖1C是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的實(shí)施方式的圖。
圖1D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的實(shí)施方式的圖。
圖2A是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖2B是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖2C是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖2D是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的移相器的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖3A是用于說(shuō)明圖1A～1D或圖2A～圖2D的移相器的特性的圖。
圖3B是用于說(shuō)明圖1A～1D或圖2A～圖2D的移相器的特性的圖。
圖4是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的流程圖。
圖5A是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的相移的制造方法的圖。
圖5B是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的相移的制造方法的圖。
圖5C是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的相移的制造方法的圖。
圖5D是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的相移的制造方法的圖。
圖6A是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖6B是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖6C是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖6D是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖6E是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖6F是用于按工序順序說(shuō)明圖1A～圖1D的移相器的制造方法的剖面圖。
圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的結(jié)晶化裝置的實(shí)施方式的剖面圖。
圖8A是用于說(shuō)明照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
圖8B是用于說(shuō)明照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
圖9A是用于說(shuō)明圖1A～圖1D及圖2A～圖2D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖9B是用于說(shuō)明圖1A～圖1D及圖2A～圖2D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖9C是用于說(shuō)明圖1A～圖1D及圖2A～圖2D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖9D是用于說(shuō)明圖1A～圖1D及圖2A～圖2D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖10A是用于說(shuō)明圖1A～圖1D、圖2A～圖2D及圖9A～9D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖10B是用于說(shuō)明圖1A～圖1D、圖2A～圖2D及圖9A～9D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖10C是用于說(shuō)明圖1A～圖1D、圖2A～圖2D及圖9A～9D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖10D是用于說(shuō)明圖1A～圖1D、圖2A～圖2D及圖9A～9D的另一個(gè)實(shí)施方式的圖。
圖11A是表示光強(qiáng)度分布為逆峰值圖形時(shí)的每1次發(fā)射(shot閃光)的光強(qiáng)度分布和對(duì)應(yīng)于此光強(qiáng)度分布的部分通過(guò)SEM觀察的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的示意圖的圖。
圖11B是表示光強(qiáng)度分布為順?lè)逯祱D形時(shí)的每1次發(fā)射的光強(qiáng)度分布和對(duì)應(yīng)于此光強(qiáng)度分布部分通過(guò)SEM觀察的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的示意圖的圖。
具體實(shí)施例方式
接著，參照?qǐng)D1A～圖1D、圖2A～圖2D，說(shuō)明本發(fā)明的相位調(diào)制元件例如移相器的實(shí)施方式。移相器1具有對(duì)入射光具有透光性的透光性基板2，例如合成石英基板；在此透光性基板2上設(shè)置且用于使上述入射光衍射、折射、干涉來(lái)調(diào)制入射光的相位的相位調(diào)制部3；用于遮蔽此相位調(diào)制部3中預(yù)定的照射面內(nèi)周邊部光的遮光體，例如遮光部4。上述入射光是激光，例如是脈沖激光。
相位調(diào)制部3是進(jìn)行用于使入射光衍射、折射、干涉來(lái)調(diào)制入射光的相位的處理的區(qū)域，例如是凹凸圖形。例如，此凹凸圖形是線(xiàn)與間隔(line and space)和占空(duty)調(diào)制型。相位調(diào)制部3在透光性基板2例如合成石英基板的一個(gè)面上設(shè)置有階差(高度差)，利用此凹5凸6產(chǎn)生入射激光10的衍射、折射、干涉，對(duì)此結(jié)果入射的激光強(qiáng)度賦予空間分布例如周期的空間分布。凹凸圖形的階差按如下方式設(shè)計(jì)。入射激光10的波長(zhǎng)為λ、基板2的折射率為n時(shí)，由于具有θ的相位差，凹凸的階差t由t＝λθ/2π(n-1)計(jì)算出。
例如，具有180°的相位差時(shí)，由t＝λ/2(n-1)計(jì)算出。此凹凸圖形能夠通過(guò)例如蝕刻基板2來(lái)形成。
在透光性基板的入射面?zhèn)燃俺錾涿鎮(zhèn)鹊闹辽僖粋€(gè)面設(shè)置遮光體。例如，遮光部4設(shè)置在基板2的入射面上。遮光體可以是相對(duì)于入射光具有反射、吸收、散射的至少一種特性的抑制透光量的例如反射體、吸收體、散射體。此外，遮光體的實(shí)施方式也可以是薄膜。例如，上述薄膜是金屬膜。例如，此金屬膜可以是鋁膜、鋁合金膜、及鉻膜中的至少一種膜。
金屬膜的膜厚例如鉻膜時(shí)為30至2000nm的范圍內(nèi)最佳，鋁膜時(shí)為50至2000nm的范圍內(nèi)最佳，鋁合金膜例如Al-Si膜時(shí)為80至2000nm的范圍內(nèi)最佳。在透光性基板2的至少一個(gè)面?zhèn)壤缧纬捎邪纪箞D形的表面上設(shè)置遮光部4。
接著，說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)的移相器1和入射激光10的關(guān)系。作為入射至移相器1的入射激光10的例子是通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行均勻化處理的激光。圖1A是表示由均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)均勻化的入射激光10的光強(qiáng)度分布13的概況圖。并且，各位置處的光強(qiáng)度用縱線(xiàn)14的長(zhǎng)度表示。圖1A表示入射激光10由光強(qiáng)度均勻的激光15和周邊部光11構(gòu)成。此周邊部光11是入射激光10的光強(qiáng)度為不均勻的區(qū)域。圖1A示出了即使使用均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)在入射激光10的剖面內(nèi)也并不是進(jìn)行完全的光強(qiáng)度均勻化。此說(shuō)明書(shū)中，所謂周邊部11是在激光10的照射面內(nèi)光強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上下降了的區(qū)域。圖1A圖示出通過(guò)遮光部4遮蔽周邊部光11的例子。雖然遮光部14的遮光區(qū)域是光強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上下降的區(qū)域，但由于還包含超過(guò)可結(jié)晶的閾值12′的部分，所以實(shí)際上也包含可結(jié)晶的區(qū)域。
圖1A是用虛線(xiàn)表示從移相器1的側(cè)面看的剖面圖、入射激光10的光強(qiáng)度分布13與照射激光20的光強(qiáng)度分布21的位置關(guān)系。在此，照射激光20意味著用遮光體遮蔽周?chē)墓獠⑶彝ㄟ^(guò)相移進(jìn)行相位調(diào)制的、照射被處理基板的激光。
并且，在圖1B中，示出了從上面看移相器1的平面圖。記載了沒(méi)有用遮光部4遮光的照射區(qū)域12，此意味著照射激光進(jìn)行照射的區(qū)域。為了通過(guò)反復(fù)照射在基板整體上形成致密的結(jié)晶，優(yōu)選遮光部4的開(kāi)口部的形狀為方形或多角形。例如，此方形為正方形。
所謂“反復(fù)照射”是在使比照射區(qū)域12大的基板整體結(jié)晶化的情況下，通過(guò)順序移動(dòng)被結(jié)晶基板來(lái)改變被結(jié)晶基板上的照射位置來(lái)執(zhí)行結(jié)晶工序。此照射法能夠照射例如順序入射到被結(jié)晶基板上的激光10，以使后面的激光10與前面的激光照射區(qū)域12的周邊部相鄰接。對(duì)于前后的激光10的照射位置，其它照射法既可以多次同一位置地進(jìn)行照射，也可以部分重合地進(jìn)行照射。
例如，移相器1的透光性基板2由合成石英基板形成，在此合成石英基板的一個(gè)面例如入射面上，設(shè)置例如改變?nèi)肷浼す?0的相位的凹凸圖形的相位調(diào)制部3。
與作為入射激光10的均勻部分的照射區(qū)域12相對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度分布根據(jù)相移的效果具有具備連續(xù)的剖面三角形狀的強(qiáng)度分布的良好的光強(qiáng)度分布。
例如，移相器1形成的光強(qiáng)度分布21具有圖1A所示的逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布。所謂逆峰值圖形是指在光強(qiáng)度分布21的端部強(qiáng)度變?yōu)樽畲蟮慕Y(jié)構(gòu)的三角波。
利用遮光部4能夠去除與作為周邊不均勻部分的周邊部光11相對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)度分布區(qū)域。在不具備遮光部4的情況下，通過(guò)照射來(lái)自此周邊部光11部分的激光10形成非單晶半導(dǎo)體膜。此非單晶半導(dǎo)體膜和由作為均勻部分的照射區(qū)域12所結(jié)晶的單晶半導(dǎo)體膜22的晶粒比較，其粒徑、取向性完全不同。由此，形成晶體管時(shí)的晶體管的電氣性能也劣化。
在此，所謂單晶半導(dǎo)體膜22并不意味著完全地跨整個(gè)表面進(jìn)行單晶化，而意味著通過(guò)結(jié)晶形成的晶粒的粒徑增大，使取向性某種程度地一致，相比于在非單晶半導(dǎo)體膜22上形成的TFT，此單晶半導(dǎo)體膜22是一種電氣性能良好的半導(dǎo)體膜。
詳細(xì)地說(shuō)明此實(shí)施方式的相位調(diào)制元件例如移相器1。移相器1是在合成石英基板的相位調(diào)制部3的凹凸圖形5、6的形成面上形成圖1A所示的遮蔽周邊部的光的遮光體例如遮光部4的例子。如圖1B所示，上述遮光部4具有使光強(qiáng)度分布均勻的照射區(qū)域12的光透過(guò)的方形通孔(透孔)。入射激光10入射到移相器1，變成光強(qiáng)度分布均勻的激光15或其一部分被相位調(diào)制的照射激光20。此照射激光20照射非單晶半導(dǎo)體膜使其結(jié)晶。如圖1D所示，形成連續(xù)的結(jié)晶區(qū)域的情況，在前后處于照射關(guān)系的鄰接的照射面的結(jié)合部，此移相器1能夠形成圖1C所示的連續(xù)的三角形狀的光強(qiáng)度分布。為了形成連續(xù)的三角形狀，遮光部4的開(kāi)口的凹凸圖形的周期方向的長(zhǎng)度必須具有為了形成三角波的一個(gè)周期所需的凹凸圖形的周期的整數(shù)倍的長(zhǎng)度。
接著，參照?qǐng)D2A～圖2D，說(shuō)明遮蔽上述周邊部光11的光的另一個(gè)實(shí)施方式。對(duì)于與圖1A～圖1D相同的部分賦予相同的符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖2A所示，此實(shí)施方式的移相器1在與圖1A相反側(cè)的面即透光性基板2例如合成石英基板的背面(出射面)上形成遮光部4。如圖2B所示，上述遮光部4具有使光強(qiáng)度分布均勻的激光15或其一部分透過(guò)的方形通孔。此實(shí)施方式的移相器1入射圖2A所示的入射激光10，接受相位調(diào)制。在已進(jìn)行相位調(diào)制的入射激光10之內(nèi)，光強(qiáng)度分布均勻的激光15或其一部分透過(guò)移相器1，形成照射區(qū)域12。
與圖1A～圖1D相同，此移相器1在處于前后照射關(guān)系的鄰接的照射面的結(jié)合部，顯示出如圖2C所示的連續(xù)的三角形狀的光強(qiáng)度分布，形成如圖2D所示的連續(xù)的結(jié)晶區(qū)域。
圖1A～圖1D及圖2A～圖2D的兩個(gè)實(shí)施方式都需要在對(duì)應(yīng)于移相器的凹凸圖形的部分精度優(yōu)良地形成遮光部4。并且，如圖1C、圖1D、圖2C、圖2D所示，能夠獲得良好的光強(qiáng)度分布21連續(xù)，不會(huì)產(chǎn)生不一致點(diǎn)的光學(xué)特性。這些實(shí)施方式的移相器1在使大的基板整體結(jié)晶的情況下，能夠使處于前后照射關(guān)系的鄰接的照射面重合，容易形成結(jié)晶區(qū)域。由于這些實(shí)施方式的移相器1僅透過(guò)照射區(qū)域12的激光10照射非單晶半導(dǎo)體膜，所以能夠提高晶粒的均勻性。換言之，由于透過(guò)移相器1的激光10能夠使多晶區(qū)域?yàn)镺或變窄，所以如圖1D、2D所示，能夠連續(xù)地跨寬范圍均勻地形成規(guī)定大的結(jié)晶區(qū)域。并且，不產(chǎn)生不一致點(diǎn)地連續(xù)形成具有良好的晶粒粒徑、取向性、電特性的單晶型半導(dǎo)體膜，以使圖1C、圖2C所示的光強(qiáng)度分布連續(xù)。
在此，遮光部4必須按預(yù)定的凹凸圖形形成。在此，所謂預(yù)定是指如圖1B、圖2B所示的光強(qiáng)度分布在處于前后照射關(guān)系的鄰接的照射面的交界處沒(méi)有產(chǎn)生不一致點(diǎn)、三角形狀的強(qiáng)度分布連續(xù)連接。即，這意味著在凹凸圖形上或在對(duì)應(yīng)凹凸圖形的相反面上按照設(shè)計(jì)形成遮光部4。具體地，遮光部4必須具有為了形成連續(xù)的三角形狀的三角波的一個(gè)周期所需的凹凸圖形的周期的整數(shù)倍的開(kāi)口。
由此形成有遮光部4的移相器1能夠獲得在順序照射的照射面的鄰接部分的光強(qiáng)度分布20沒(méi)有不連續(xù)點(diǎn)地連接的效果。
接著，參照?qǐng)D3，說(shuō)明具有上述特征的遮光體的具體例子。圖3示出了遮斷其透過(guò)具有用于結(jié)晶化能量的激光10的遮光部4，改變鋁膜、鉻膜、Al-Si膜3種膜厚時(shí)的遮光部4的遮光性。利用通過(guò)透過(guò)此遮光部4的激光10照射的非單晶半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性(利用透過(guò)型電子顯微鏡TEM，由占整體的結(jié)晶區(qū)域的面積比來(lái)測(cè)量)評(píng)價(jià)遮光性。其結(jié)果，由圖3可判定出，遮光體4為鋁膜50nm、鉻膜30nm、Al-Si膜80nm時(shí)，結(jié)晶性表現(xiàn)為0，在這些膜厚以上表現(xiàn)出良好的遮光性。
在上述實(shí)施方式中，雖然記載了具有遮光性的薄膜的遮光裝置，但遮光性并不需要完全的遮光，也可以是光減弱到不會(huì)引起結(jié)晶的程度。
根據(jù)此實(shí)施方式，利用移相器1的遮光部4來(lái)規(guī)定照射區(qū)域12的情況與未利用遮光部4來(lái)進(jìn)行規(guī)定的情況相比，雖然被結(jié)晶基板上的照射區(qū)域變窄，但由于提高了此照射區(qū)域的能量的均勻性，所以仍能夠提高照射區(qū)域中的晶粒的均勻性。此外，使被結(jié)晶基板整體結(jié)晶的情況下，能夠?qū)τ诿恳幻}沖激光照射，在非單晶半導(dǎo)體膜表面上正確地定位相鄰的照射區(qū)域，分別進(jìn)行照射，能夠致密地排列形成照射區(qū)域。并且，由于對(duì)應(yīng)于照射區(qū)域的光強(qiáng)度分布21變得明確，所以容易進(jìn)行重合照射區(qū)域并進(jìn)行處理。
即，根據(jù)本發(fā)明，即使在更大的基板上，也能夠?qū)Ψ菃尉О雽?dǎo)體膜致密排列并照射均勻性高的照射區(qū)域。
上述實(shí)施方式獲得的晶粒均勻的效果能夠改善薄膜晶體管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的特性的偏差，使由此薄膜晶體管形成的半導(dǎo)體電路、集成電路等半導(dǎo)體器件及電子器件高性能化。并且，上述實(shí)施方式是能夠適用于裝有薄膜晶體管的液晶顯示器件和信息處理器件等電子器件的制造技術(shù)的有效技術(shù)。
而且，在上述實(shí)施方式中，雖然作為激光退火裝置的例子說(shuō)明了結(jié)晶化裝置的例子，但并不限于此結(jié)晶化裝置，例如，也可以適用于用于活性化的退火裝置中。此外，移相器1不限于結(jié)晶化裝置，也可以適用于用于活性化的退火裝置和曝光裝置中。
并且，在上述實(shí)施方式中，作為上述遮光裝置，說(shuō)明了在透光性基板上形成具有遮光性的薄膜的例子，但也可以是任意的對(duì)射向移相器1的入射激光10的周邊部光11向被處理基板入射進(jìn)行遮蔽的裝置。例如，也可以在與透光性基板的上述低強(qiáng)度部分相當(dāng)?shù)牟糠种行纬砂l(fā)射面加工例如微凹凸面加工、粗糙化加工等來(lái)使入射光散射。
并且，在上述實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了在移相器1的入射面形成相位調(diào)制面的例子，但也可以在出射面上形成相位調(diào)制面。
接著，參照?qǐng)D4、圖5A～圖5D，圖6A～圖6F，說(shuō)明移相器1的制造方法的實(shí)施方式。對(duì)于與圖1A～圖1D、圖2A～圖2D、圖3相同的部分賦予相同的符號(hào)，并省略其詳細(xì)的說(shuō)明。此實(shí)施方式是一種具有透光性基板2和在透光性基板2上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的調(diào)制部的移相器的制造方法，其中該制造方法是一種在透光性基板2的入射光路或出射光路上設(shè)置對(duì)射向透光性基板2的入射光的照射面內(nèi)周邊部的光進(jìn)行遮蔽的遮光裝置的方法。在此，如圖1A所說(shuō)明，所謂“照射面內(nèi)周邊部”是相對(duì)于上述入射光的照射面內(nèi)中央部的光強(qiáng)度均勻的區(qū)域、光強(qiáng)度下降的部分。圖4是用于說(shuō)明移相器1的制造工序的流程圖(工序1ST1)。圖5A～圖5D是用于按工序順序說(shuō)明移相器的制造方法的剖面圖。
首先，說(shuō)明具有對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的相位調(diào)制部3例如凹凸圖形的形成工序(圖4的工序2)的常規(guī)移相器的制造工序。在圖5A～圖5D中，示出了詳細(xì)的凹凸圖形的形成工序。如圖5D所示，利用凹凸圖形形成工序形成的移相器由透光性基板2和此透光性基板2上的透光性膜38形成。此凹凸圖形也可以是占空型調(diào)制型或由相互平行的1個(gè)或多個(gè)條紋構(gòu)成的線(xiàn)與間隔型的凹凸圖形36。
例如，透光性基板2由玻璃、石英、合成石英等制成。透光性膜38由與透光性基板2的材料相同的材料制成。
作為用于相位調(diào)制此入射激光10的裝置，在透光性基板2上形成預(yù)定的凹凸圖形。設(shè)定凹凸圖形36的階差，以便相對(duì)于在激光退火處理中使用的XeCl受激準(zhǔn)分子激光等的波長(zhǎng)具有例如90°的相位差。
接著，具體說(shuō)明具有凹凸圖形36的移相器的制造實(shí)例。最初，如圖5A所示，制備透光性基板2例如5英寸對(duì)角的方型合成石英基板。在透光性基板2上，為了形成相位調(diào)制器3，利用等離子體CVD法形成非晶硅膜37，以覆蓋透光性基板2的一個(gè)表面。考慮到上述相位差，例如，非晶硅膜37的厚度為75nm。
形成上述膜之后，進(jìn)行相位調(diào)制圖形例如線(xiàn)&間隔的光刻后，利用化學(xué)干法蝕刻(CDE)法在透光性基板2上構(gòu)圖非晶硅膜37，如圖5B所示，殘留非晶硅膜37的一部分。
進(jìn)行構(gòu)圖之后，通過(guò)退火處理加熱非晶硅膜37。在此退火處理中，例如，在1050℃下對(duì)非晶硅膜37進(jìn)行60分鐘的濕法氧化，使其變?yōu)閳D5C所示的厚約150nm的作為透光性膜的氧化硅膜38。如此，制造出圖5D所示的移相器。雖然圖5D記載了以矩形劃分的部分作為氧化硅膜38的凸部，但不限于此，也可以例如以矩形劃分的部分作為凹部。此情況，未圖示的矩形的周邊是氧化硅膜38。
上述方法利用非晶硅膜37相對(duì)于作為透光性基板2例如石英獲取大的選擇比，形成具有良好的階差形狀的凹凸圖形。根據(jù)此方法，由于非晶硅膜37與作為透光性基板2的石英的蝕刻選擇比大，即使非晶硅膜37的膜厚分布在透光性基板2上集中在±5％以?xún)?nèi)，伴隨于此的相位差的分布也能集中在±5％以?xún)?nèi)。
此外，形成凹凸圖形的方法不限于此種方法，也可以直接蝕刻處理透光性基板2，形成凹凸圖形。此情況下，需要一種具有在形成所希望的階差形狀時(shí)停止蝕刻的再現(xiàn)性好的蝕刻特性、及跨整個(gè)表面的蝕刻速度均勻的蝕刻方法。
接著，使用圖4、圖6A～圖6F，說(shuō)明帶遮光體的移相器1的制造方法。使用圖5A～圖5D說(shuō)明的移相器的透光性基板2是相對(duì)于入射的激光10具有透光性的材料例如合成石英基板。此合成石英基板的表面上形成使入射激光10的相位移相的凹凸圖形(圖4的工序2)。為去除污染等對(duì)移相器進(jìn)行RCA清洗(圖4工序3)。RCA清洗是利用SC-1處理(85℃的NH3/H2O2/H2O的混合溶液處理)，SC-2處理(85℃的HCl/H2O2/H2O混合溶液處理)的連續(xù)處理而進(jìn)行的清洗方法。雖然RCA清洗是一種有效去除被清洗物的表面污染物質(zhì)(微粒、油脂成分、金屬污染物等)的清洗方法，但處理液的溫度不限定于85℃。此外，前處理也不限定于RCA清洗，也可以是具有被清洗物的清洗能力的清洗方法。
圖6A～圖6F是用于按工序順序說(shuō)明制造通過(guò)上述方法制造的移相器中帶遮光體的移相器1的制造方法的剖面圖。圖6A中，示出了按圖5A～圖5D所示的方法制造后，進(jìn)行了RCA清洗的移相器的剖面圖。圖6B是在移相器的凹凸圖形上設(shè)置遮光裝置的圖。例如，此遮光裝置在移相器上例如進(jìn)行金屬薄膜的成膜(圖4的工序4)。使用成膜法，例如濺射法、蒸鍍法或CVD法，形成作為相對(duì)于合成石英制成的透光性基板2具有高的蝕刻選擇比，且相對(duì)于入射的激光10具有遮光性的膜，例如鋁膜、鋁合金膜、鉻膜或其它金屬膜等。
此外，在此所謂的遮光裝置的遮光并不僅意味完全100％地遮蔽入射光，也可以根據(jù)圖3所示的特性來(lái)選擇并減弱入射光，使入射光的某一固定量透過(guò)。即，在不完全遮光，照射降低了入射光的光強(qiáng)度的激光10，被結(jié)晶基板例如非晶硅膜不熔融而沒(méi)有結(jié)晶的情況下，由于不會(huì)發(fā)生后述的不完全結(jié)晶，所以具有與完全遮光的情況相同的效果。因此，在此所述的遮光并不僅意味完全遮光，還包含使光減弱到不引起結(jié)晶的程度的意義。例如，說(shuō)明在基板2上成膜Al-Si膜的例子。
作為Al-Si膜的成膜工序，記載了例如利用濺射法成膜時(shí)的成膜工序。首先，向安裝了作為靶的Al-Si板的DC磁控濺射器中搬入、安裝作為被處理基板的透光性基板2例如合成石英基板，將氣體例如氬氣的流量設(shè)定在100sccm，將壓力設(shè)定例如為3豪乇(mtorr)。對(duì)此合成石英基板，通過(guò)DC磁控濺射方式，如圖6B所示，在基板2的整個(gè)表面上形成膜厚300nm的膜。
如圖6C所示，在形成作為遮光部4的Al-Si膜后，接著執(zhí)行抗蝕劑涂覆工序(圖4的工序5)。在上述Al-Si膜上，如圖6C的剖面圖所示，例如采用旋涂法涂覆形成抗蝕劑膜39。執(zhí)行用于在Al-Si膜中形成所希望的遮光區(qū)域的曝光工序6。例如，曝光工序6在曝光機(jī)中進(jìn)行定位，設(shè)置合成石英基板。曝光用掩膜具有上述凹凸圖形的預(yù)定的周邊部及相對(duì)于入射光在合成石英基板的周邊部遮蔽光的遮光部，曝光用掩膜是一種用于在除上述周邊部外的中央部形成通孔部的遮光體形成用的掩膜。即，曝光工序6位置對(duì)準(zhǔn)上述通孔部對(duì)抗蝕劑膜39進(jìn)行曝光。
利用曝光工序(圖4的工序6)、顯影工序(圖4的工序7)形成去除不需要的上述通孔部的抗蝕劑膜39的圖6D所示的抗蝕劑膜39的圖形。其結(jié)果，在去除抗蝕劑膜的通孔部中露出Al-Si膜。
將抗蝕劑膜39的圖形作為掩膜，執(zhí)行用于去除露出的Al-Si膜的蝕刻工序(圖4的工序8)，例如反應(yīng)性的等離子體蝕刻和濕法蝕刻(濕法蝕刻)工序。例如，對(duì)圖6A所示的移相器，使用選擇比高的濕法蝕刻液。由此，不對(duì)在移相器表面上形成的相位轉(zhuǎn)移用的凹凸圖形36造成損傷，僅蝕刻去除Al-Si膜的露出部分，能夠形成遮光部4(圖6E)。
使用碘·碘化鉀水溶液進(jìn)行Al-Si膜的濕法蝕刻。雖然此溶液對(duì)鉻膜顯示出強(qiáng)蝕刻性，但對(duì)于合成石英幾乎不會(huì)產(chǎn)生蝕刻。因此，相對(duì)于合成石英具有高選擇比地蝕刻Al-Si膜。此外，濕法蝕刻液并不是限定于碘·碘化鉀水溶液，也可以采用Al-Si膜相對(duì)于合成石英及相移用的凹凸圖形具有選擇比的蝕刻液。
此外，在使用Al-Si膜以外的其它金屬膜、半導(dǎo)體膜、絕緣體膜等作為遮光體的情況下，由于使用相對(duì)于合成石英基板及相移用的凹凸圖形36具有選擇比的蝕刻液，所以能夠形成良好的遮光體。
上文記載了濕法蝕刻，下面將記載通過(guò)干法蝕刻例如反應(yīng)性等離子體蝕刻去除Al-Si膜的情況。將帶有已形成抗蝕劑圖形的Al-Si膜的移相器搬入平行平板RF反應(yīng)性離子蝕刻裝置中，供給以氯氣為原料的蝕刻氣體，例如60sccm的二氯甲烷氣體和40sccm的氧的混合氣體，將壓力設(shè)定為例如10mtorr，對(duì)其進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻處理。利用此蝕刻工藝形成移相器1。作為金屬膜的等離子體蝕刻氣體，不限于以氯類(lèi)氣體為原料的蝕刻氣體，也可以利用其它的蝕刻氣體進(jìn)行等離子體蝕刻。進(jìn)行了以上的濕法蝕刻或干法蝕刻的遮光體，具有例如中央部為透光部的環(huán)狀形態(tài)。
此后，執(zhí)行抗蝕劑剝離工序9。如圖6F所示，進(jìn)行抗蝕劑膜39的剝離及清洗(圖4的工序9)。由此，能夠制造出形成了遮光部4的帶有遮光體的移相器1。
接著，參照?qǐng)D7、圖8A、及圖8B，說(shuō)明使用移相器1的結(jié)晶化裝置的實(shí)施方式。對(duì)于與圖1A至圖6F相同的部分賦予相同符號(hào)進(jìn)行說(shuō)明。此實(shí)施方式的結(jié)晶化裝置是一種使來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)及移相器照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被結(jié)晶基板45而使照射面進(jìn)行結(jié)晶的裝置；上述移相器是在上述透光性基板的入射光路中設(shè)置有在透光性基板上設(shè)置的相位調(diào)制部、以及在上述透光性基板上設(shè)置且遮蔽入射光的照射面內(nèi)周邊部的光的遮光部。
結(jié)晶化裝置41由照明系統(tǒng)42、設(shè)置在此照明系統(tǒng)42的光軸上的相位調(diào)制元件例如移相器1、成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44、支持被結(jié)晶基板45的支持臺(tái)46構(gòu)成。
照明系統(tǒng)42由圖8A所示的光學(xué)系統(tǒng)中的例如光源51和均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52構(gòu)成。光源51具備射出波長(zhǎng)例如308nm的脈沖激光的XeCl受激準(zhǔn)分子激光光源。再有，作為光源51，除上述實(shí)例之外，優(yōu)選例如射出波長(zhǎng)248nm的脈沖激光的KrF受激準(zhǔn)分子激光器，射出波長(zhǎng)193nm的脈沖光的ArF激光器等受激準(zhǔn)分子激光器。光源51還可以是YAG激光光源。光源51也可以使用設(shè)置再被結(jié)晶基板45上的輸出將非單晶半導(dǎo)體膜45C例如非晶硅膜熔融的能量的其它合適的光源。在從光源51射出的激光的光軸上，設(shè)置均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52。
均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52是在來(lái)自光源51的激光的光軸上設(shè)置例如光束擴(kuò)展器52A、第1復(fù)眼透鏡52B、第1聚光光學(xué)系統(tǒng)52C、第2復(fù)眼透鏡52D、第2聚光光學(xué)系統(tǒng)52E的均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)。均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52是對(duì)從光源51射出的激光在光束的剖面內(nèi)進(jìn)行光強(qiáng)度均化處理的均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)。
即，在照明系統(tǒng)42中，從光源51入射的激光，通過(guò)光束擴(kuò)展器52A成型后，入射到第1復(fù)眼透鏡52B。在此第1復(fù)眼透鏡52B的后側(cè)焦點(diǎn)面處形成多個(gè)光源，來(lái)自這些多個(gè)光源的光束通過(guò)第1聚光光學(xué)系統(tǒng)52C，重疊地照明第2復(fù)眼透鏡52D的入射面。其結(jié)果，在第2復(fù)眼透鏡52D的后側(cè)焦點(diǎn)面，形成比第1復(fù)眼透鏡52B的后側(cè)焦點(diǎn)面更多的多個(gè)光源。來(lái)自在第2復(fù)眼透鏡52D的后側(cè)焦點(diǎn)面形成的多個(gè)光源的光束，通過(guò)第2聚光光學(xué)系統(tǒng)52E，入射到移相器1，進(jìn)行重疊照明。
即，均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52的第1復(fù)眼透鏡52B及第1聚光光學(xué)系統(tǒng)52C構(gòu)成第1均質(zhì)器，第2復(fù)眼透鏡52D及第2聚光光學(xué)系統(tǒng)52E構(gòu)成第2均質(zhì)器，進(jìn)行與移相器1上的面內(nèi)各位置的光強(qiáng)度有關(guān)的均勻化。如此，照明系統(tǒng)42形成具有基本上均勻的光強(qiáng)度分布的激光10，此激光10如圖1A所示照射移相器1。
雖然在此成為問(wèn)題的是利用均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52來(lái)實(shí)現(xiàn)關(guān)于來(lái)自光源51的激光的光強(qiáng)度的均勻化處理，但并不是進(jìn)行圖1A所示的完全的均勻化處理。盡管在圖8B中示出了照射移相器1的照射面b的激光強(qiáng)度分布13，但激光強(qiáng)度分布13的周邊部光11與激光10的強(qiáng)度均勻的中央部15相比，光強(qiáng)度下降。此激光強(qiáng)度分布13的周邊部光11的光強(qiáng)度的下降是由于如上所述的粒徑、取向性不同并形成晶體管的情況下，從而導(dǎo)致電性能劣化。
此實(shí)施方式的特征在于，如上所述，通過(guò)遮蔽使電性能劣化的周邊部光11，使其不會(huì)入射到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44，能夠?qū)崿F(xiàn)結(jié)晶區(qū)域中形成的晶粒的均勻化，能夠提高在此結(jié)晶區(qū)域形成的晶體管的電特性的均勻性。作為遮蔽上述周邊部光11而不會(huì)使其入射到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44的裝置，在從均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52的出射部到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44的入射面間的光路上設(shè)置遮光裝置。最佳例子是在移像器1的入射側(cè)面上、出射側(cè)面上的至少一個(gè)側(cè)面上形成遮光體。
相位調(diào)制元件例如移相器1是相位調(diào)制來(lái)自均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52的射出光、射出逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度最小分布的激光光束的光學(xué)元件。逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布的橫軸是位置(被照射面的位置)，縱軸是光強(qiáng)度(能量)。在得到逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布的光學(xué)系統(tǒng)中，具有在透光性基板2例如石英玻璃上形成的凹凸圖形。此圖形中，存在例如線(xiàn)與間隔圖形和面積調(diào)制圖形例如占空調(diào)制型圖形。
此實(shí)施方式的移相器1的階差本身是重復(fù)周期性形成的光學(xué)元件。相移圖形的寬度例如是25μm。相位差并不一定是90°，只要是能夠?qū)す鈱?shí)現(xiàn)強(qiáng)弱的相位差即可。
由移相器1進(jìn)行相位調(diào)制的照射光20通過(guò)成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44，入射到被結(jié)晶基板45。在此，成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44將被結(jié)晶基板45與移相器1的圖形面光學(xué)共軛地配置。換言之，修正支持臺(tái)46的位置高度，以便使被結(jié)晶基板45與移相器1的圖形面設(shè)定為光學(xué)共軛面(成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44的像面)。成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44在正透鏡組44A和正透鏡組44B之間配備有孔徑光闌44C。成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44是將移相器1的影像等倍放大或縮小例如縮小到1/5后在被結(jié)晶基板45上成像的光學(xué)透鏡。
孔徑光闌44C具有開(kāi)口部(透光部)尺寸不同的多個(gè)孔徑光闌，以便可以不利用使正透鏡組44A和正透鏡44B的特性劣化的周邊部的光。
此外，被結(jié)晶基板45是圖7所示的疊層結(jié)構(gòu)。在例如作為液晶顯示板用玻璃板的玻璃基板45A之上通過(guò)化學(xué)氣相生長(zhǎng)法(CVD)或?yàn)R射法形成作為基底絕緣層45B的氧化硅層。在此基底絕緣層45B上，形成非單晶半導(dǎo)體膜45C例如非晶硅膜，作為用于形成薄膜晶體管的被結(jié)晶對(duì)象層。在此非單晶半導(dǎo)體膜45C上，還順序形成具有儲(chǔ)熱效果的氧化硅層45D作為覆蓋膜。形成基底絕緣層45B，例如膜厚為200～1000nm的SiO2?；捉^緣層45B直接接觸非單晶半導(dǎo)體膜45C例如非晶硅膜和玻璃基板45A，防止從此玻璃基板45A中析出的Na等異物混入到非晶硅膜45C中。并且基底絕緣層45B防止非晶硅膜45C的結(jié)晶工序時(shí)的熔融溫度直接傳熱到玻璃基板45A，利用上述熔融溫度的儲(chǔ)熱效果有助于大粒徑的結(jié)晶化。
非晶硅膜45C是經(jīng)過(guò)光照射來(lái)結(jié)晶化處理的膜，膜厚例如選擇在30～250nm。覆蓋膜45D在結(jié)晶工序時(shí)積聚非晶硅膜45C熔融時(shí)產(chǎn)生的熱，非晶硅膜45C的被照射區(qū)域熔融之后，會(huì)對(duì)激光被遮斷時(shí)急速地降溫進(jìn)行控制，此儲(chǔ)熱作用有助于形成大粒徑的結(jié)晶區(qū)域。此覆蓋膜45D是絕緣膜例如氧化硅膜(SiO2)，膜厚是100～400nm，例如200nm。
形成覆蓋膜之后，為了降低非晶硅膜中的氫濃度，進(jìn)行500℃、2小時(shí)的退火。
接著，參照?qǐng)D7、圖8A及圖8B，說(shuō)明結(jié)晶化工藝。從光源51例如激光光源射出的脈沖激光入射到均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52，在激光的光束孔徑內(nèi)執(zhí)行光強(qiáng)度的均勻化。
激光是波長(zhǎng)308nm的XeCl受激準(zhǔn)分子激光，1次發(fā)射的脈沖持續(xù)時(shí)間是30nsec。上述條件下，對(duì)移相器1照射脈沖激光時(shí)，生成例如周期性變化、逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布。
由于入射到移相器1的激光即均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)52的射出光存在如圖8B所示的周邊部光11，所以在例如移相器1中設(shè)置遮蔽此周邊部光11的裝置。
此逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布優(yōu)選輸出從最小光強(qiáng)度到最大光強(qiáng)度使非晶硅層45C熔融的激光光強(qiáng)度。穿過(guò)移相器1的照射光通過(guò)成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44照射到被結(jié)晶基板45的非晶硅膜45C上。
照射被結(jié)晶基板45的激光透過(guò)覆蓋膜的氧化硅層45D，被非晶硅膜45C吸收。其結(jié)果，加熱、熔融非晶硅膜45C的被照射區(qū)域。此熔融時(shí)的熱被蓄積在氧化硅層45B、45D上。
結(jié)束脈沖激光的照射時(shí)，被照射區(qū)域高速地降溫，但由于蓄積在覆蓋膜45D及基底絕緣層45B的氧化硅膜中的熱，降溫速度會(huì)變得非常緩慢。此時(shí)，被照射區(qū)域的降溫，按照由移相器1生成的逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布，從低光強(qiáng)度部起降溫、凝固，凝固位置向高光強(qiáng)度部順序橫向移動(dòng)，順序進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。
換言之，被照射區(qū)域內(nèi)熔融區(qū)域中的凝固位置順序從低溫側(cè)向高溫側(cè)逐漸移動(dòng)。即，從晶體生長(zhǎng)開(kāi)始位置向晶體生長(zhǎng)結(jié)束位置橫向地進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。如此，利用1個(gè)脈沖中的激光結(jié)束結(jié)晶化工序。如此晶體生長(zhǎng)的結(jié)晶化區(qū)域，對(duì)于形成1個(gè)或多個(gè)薄膜晶體管足夠大。
結(jié)晶化裝置41通過(guò)預(yù)先存儲(chǔ)的程序，自動(dòng)地對(duì)下一非晶硅膜45C的結(jié)晶區(qū)域照射脈沖激光，形成結(jié)晶區(qū)域。向下一個(gè)結(jié)晶位置的移動(dòng)，可以相對(duì)地移動(dòng)被結(jié)晶基板45和光源51例如移動(dòng)樣品支持臺(tái)46，來(lái)進(jìn)行位置選擇。
被結(jié)晶區(qū)域被選擇、位置對(duì)準(zhǔn)結(jié)束時(shí)，射出下一個(gè)脈沖激光。通過(guò)重復(fù)這樣的激光的發(fā)射，能夠進(jìn)行被結(jié)晶基板45的寬范圍的結(jié)晶。如此，結(jié)束了結(jié)晶化工序。
為了遮蔽周邊部光11，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了在移相器1的入射面、出射面設(shè)置直接遮光部4的實(shí)施方式，但遮光裝置也可以在均質(zhì)器52的出射面和成像光學(xué)系統(tǒng)44的入射面間的光路上的任意位置處遮蔽周邊部光11。遮光裝置不限于設(shè)置在移相器1的入射面?zhèn)取⒊錾涿鎮(zhèn)?、即在均質(zhì)器52的出射面和成像光學(xué)系統(tǒng)44的入射面間的光路中的一個(gè)位置，也可以設(shè)置在多個(gè)位置。例如，可以如圖9A所示，設(shè)置在移相器1的光路例如入射到入射光路的激光10。此實(shí)施方式是在從均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)例如均質(zhì)器52的出射面到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)44的入射面之間，設(shè)置至少一個(gè)遮光體25作為遮光裝置的例子。此遮光體25是具有例如方形形狀通孔27的環(huán)狀遮光體25。對(duì)于與圖1A至圖8B相同的部分賦予相同的符號(hào)，省略其重復(fù)的詳細(xì)說(shuō)明。在圖9A中示出了利用遮光體25遮蔽從均質(zhì)器52射入的脈沖激光10的光強(qiáng)度下降了的周邊部光11、透過(guò)通孔27的激光10入射到移相器1的狀態(tài)。圖9B是表示由移相器1規(guī)定的照射區(qū)域12的平面圖。
此情況下，如圖9C、9D所示，在被結(jié)晶基板45中不會(huì)形成呈現(xiàn)出未充分結(jié)晶的照射光區(qū)域，能夠只鄰接、連續(xù)地形成或重合地形成僅良好的結(jié)晶區(qū)域22。
在上述實(shí)施方式中，記載了光強(qiáng)度分布21是逆峰值圖形的情況。接著，參照?qǐng)D10A～圖10D，說(shuō)明光強(qiáng)度分布21為順?lè)逯祱D形的實(shí)施方式。對(duì)于與圖1A～圖1D相同的部分賦予相同符號(hào)，省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖10A及圖10C所示，所謂順?lè)逯祱D形是指在照射激光20的光強(qiáng)度分布21的端部強(qiáng)度變?yōu)樽钚∵@樣結(jié)構(gòu)的三角波。在圖10C中，順?lè)逯祱D形的光強(qiáng)度分布21的鄰接的部分的光強(qiáng)度為最小。在這2個(gè)光強(qiáng)度分布中，進(jìn)行結(jié)晶化實(shí)驗(yàn)，評(píng)價(jià)其晶粒的均勻性時(shí)，確定出光強(qiáng)度分布21的順?lè)逯祱D形優(yōu)于逆峰值圖形。
使用圖11A、圖11B，說(shuō)明其理由。圖11A是表示光強(qiáng)度分布21為逆峰值圖形時(shí)的每1次發(fā)射的光強(qiáng)度分布(圖11A的上部)，和對(duì)應(yīng)于此光強(qiáng)度分布的部分的通過(guò)SEM觀察的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的示意圖(圖11A的下部)的圖。在此示意圖中示出了晶粒32和晶體生長(zhǎng)方向30。在光強(qiáng)度分布21的中央部附近，按照由移相器1生成的逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布，從低的光強(qiáng)度部開(kāi)始降溫、凝固，凝固位置向高的光強(qiáng)度部順序橫向移動(dòng)、進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，致密地形成晶粒32。
但是，端部26的部分成為最大的光強(qiáng)度，但被遮光體的開(kāi)口的端部遮光，所以光強(qiáng)度急劇下降。因此，觀察到以端部26位為起點(diǎn)生長(zhǎng)的晶粒34比晶粒32小一些。
再有，即使存在晶粒34，也能夠通過(guò)跨整個(gè)面地實(shí)現(xiàn)致密性晶體生長(zhǎng)。這是因?yàn)閳?zhí)行了遮蔽使結(jié)晶性劣化或不使晶體生長(zhǎng)的周邊部光11，用方形形狀鄰接、致密地照射工序。
并且，順?lè)逯祱D形的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)在圖11B中示出。圖11B是表示光強(qiáng)度分布21為順?lè)逯祱D形時(shí)的每1次發(fā)射的光強(qiáng)度分布(圖11B的上部)，和對(duì)應(yīng)于此光強(qiáng)度分布的部分的通過(guò)SEM觀察的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的示意圖(圖11B的下部)的圖。在端部26的部分未發(fā)現(xiàn)晶粒34的生長(zhǎng)，在中央部生長(zhǎng)的晶粒32在端部26處也能觀察到。認(rèn)為這是由于在端部26處的光強(qiáng)度分布最小，不會(huì)產(chǎn)生光強(qiáng)度的急劇下降，即使在端部26中也產(chǎn)生與中央部一樣的晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)(生長(zhǎng)機(jī)理)。
因此，相比于逆峰值圖形狀的光強(qiáng)度分布，順?lè)逯祱D形狀的光強(qiáng)度分布的晶粒的均勻性更優(yōu)良。
上面記載了遮光體開(kāi)口精度正確的情況。但是，在此精度有偏差時(shí)，使用上也沒(méi)有障礙。
上述實(shí)施方式中說(shuō)明的遮光體并不僅限于在移相器1的入射面或出射面設(shè)置的薄膜，也可以是與作為相位調(diào)制元件的移相器1具有固定的間隔，例如插入間隔件28等或使用固定間隔保持器具并保持的遮光體。
而且，根據(jù)上述實(shí)施方式，不僅形成了均勻尺寸的結(jié)晶區(qū)域，而且在此結(jié)晶區(qū)域的周邊幾乎不產(chǎn)生非結(jié)晶區(qū)域。并且，在如此形成的結(jié)晶區(qū)域中形成薄膜晶體管時(shí)，能夠跨寬范圍形成均勻特性的薄膜晶體管。其結(jié)果，例如在構(gòu)成攝像元件和顯示器件例如有源矩陣型液晶顯示器件時(shí)，能夠均勻地制造幾十萬(wàn)個(gè)以上的薄膜晶體管的特性，能夠進(jìn)行均勻的顯示。
對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，將易于發(fā)現(xiàn)附加優(yōu)點(diǎn)并進(jìn)行修改。因此，屬于本發(fā)明的較寬方面的本發(fā)明將不限于在此展示和描述的具體詳細(xì)且代表性的實(shí)施例。因此，在不脫離由權(quán)利要求及其等同含義所限定的本發(fā)明的基本概念的精神和范圍之內(nèi)，可以進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種相位調(diào)制元件，具有透光性基板和設(shè)置在此透光性基板上并對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的凹凸圖形，其中在上述透光性基板的入射面?zhèn)燃俺錾涿鎮(zhèn)鹊闹辽僖粋?cè)面上，具備對(duì)入射到上述凹凸圖形的預(yù)定的周邊部及上述透光性基板的周邊部的上述入射光進(jìn)行遮蔽的遮光體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，上述遮光體是反射體、吸收體、散射體及薄膜中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的相位調(diào)制元件，上述遮光體為鋁、鋁合金及鉻中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相位調(diào)制元件，上述鋁合金為Al-Si合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，上述遮光體的膜厚在30至2000nm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，在上述遮光體為鋁的情況下，上述遮光體的膜厚在50至2000nm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，在上述遮光體為Al-Si膜的情況下，上述遮光體的膜厚在80至2000nm的范圍內(nèi)。
8.一種相位調(diào)制元件的制造方法，該相位調(diào)制元件具有透光性基板和在此透光性基板上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的調(diào)制部，其中該相位調(diào)制元件的制造方法包括以下步驟在上述透光性基板上，設(shè)置對(duì)射向上述透光性基板的上述入射光的照射面內(nèi)周邊部的光進(jìn)行遮蔽的遮光裝置。
9.一種相位調(diào)制元件的制造方法，該相位調(diào)制元件具有透光性基板和在此透光性基板上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的凹凸圖形，其中該相位調(diào)制元件的制造方法包括以下步驟在上述透光性基板的入射面或出射面形成遮光體，該遮光體在上述凹凸圖形的預(yù)定的周邊部及上述透光性基板的外周部對(duì)上述入射光具有遮光性。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的相位調(diào)制元件的制造方法，包括通過(guò)濕蝕法在上述遮光體的中央部形成通孔部的步驟。
11.一種結(jié)晶化裝置，其中來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，以使照射面結(jié)晶，該結(jié)晶化裝置包括設(shè)置在從上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面到成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)的入射面的光路中、且用于對(duì)上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射光的周邊部光進(jìn)行遮蔽的遮光裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)晶化裝置，上述遮光裝置為環(huán)狀遮光體。
13.一種結(jié)晶化方法，其中來(lái)自激光光源的激光通過(guò)均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)、相位調(diào)制元件及成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)照射被設(shè)置在支持臺(tái)上的被處理基板，以使照射面結(jié)晶，該結(jié)晶化方法包括以下步驟在上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面和成像光學(xué)透鏡系統(tǒng)的入射面之間的光路中，形成遮蔽了在上述均質(zhì)光學(xué)系統(tǒng)的出射面中上述激光的光強(qiáng)度下降的周邊部的光的激光。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，上述遮光體的開(kāi)口的上述凹凸圖形的周期方向的長(zhǎng)度是為了形成由上述凹凸圖形所形成的三角波的一個(gè)周期而所需的上述凹凸圖形的周期的整數(shù)倍。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，由上述遮光體遮光且由上述凹凸圖形進(jìn)行了相位調(diào)制的入射光的光強(qiáng)度分布，是被構(gòu)成為上述入射光的端部的強(qiáng)度最小的三角波。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位調(diào)制元件，上述凹凸圖形對(duì)上述入射光的光強(qiáng)度賦予周期的空間分布。
全文摘要
一種對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的移相器(1)，設(shè)置有玻璃基板這樣的透光性基板(2)和在此透光性基板(2)的激光入射面上對(duì)入射光進(jìn)行相位調(diào)制的例如凹凸圖形的相位調(diào)制部(3)，在相位移相器(1)的上述激光入射面或出射面上設(shè)置對(duì)此相位調(diào)制部(3)的光強(qiáng)度分布減少的周邊部光進(jìn)行遮蔽的遮光部(4)，以便對(duì)入射激光的照射面內(nèi)周邊部的光進(jìn)行遮蔽。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1955786SQ20061016461
公開(kāi)日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月22日
發(fā)明者小川裕之, 平松雅人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社液晶先端技術(shù)開(kāi)發(fā)中心