專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，并尤其涉及一種可防止半導(dǎo)體層被激發(fā)的LCD器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常LCD器件通過用電場控制液晶的透光率的方法顯示圖像。為此，液晶顯示器件包括LCD面板，提供按陣列結(jié)構(gòu)排列的液晶單元；驅(qū)動電路，用來驅(qū)動LCD面板；以及背光單元，用來向LCD面板發(fā)射光。
LCD面板上設(shè)置有薄膜晶體管基板、濾色片基板、襯墊料和液晶層。其中，薄膜晶體管基板和濾色片基板相對設(shè)置。同時，提供襯墊料以保持兩基板之間的預(yù)定的盒間隙并且液晶層形成在兩基板之間的盒間隙內(nèi)。
薄膜晶體管基板包括大量柵線、大量數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極和定向?qū)印Ｃ扛鶘啪€和每根數(shù)據(jù)線垂直交叉限定單位像素。薄膜晶體管在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉部分附近形成。同時，還按液晶單元形成像素電極，并且像素電極與薄膜晶體管相連。然后，在其上涂覆定向?qū)?。這時，柵線和數(shù)據(jù)線通過使用各焊盤接收到來自驅(qū)動電路的信號。薄膜晶體管響應(yīng)柵線的掃描信號向像素電極提供數(shù)據(jù)線的像素電壓信號。
濾色片基板包括分別提供給各液晶單元的大量濾色片；黑矩陣，用來劃分濾色片并防止漏光；公共電極，用于向液晶單元公共地提供參考電壓；以及涂覆到其上的定向?qū)印?br>
在薄膜晶體管基板和濾色片基板分別形成后，兩基板彼此粘接在一起，并將液晶注入到兩基板的盒間隙中，從而最終形成LCD器件。
LCD面板中薄膜晶體管基板是通過多輪掩模步驟以及半導(dǎo)體工藝步驟制造的，從而需要復(fù)雜的工序且成本高。為了克服這些問題，有必要減少所使用的掩模的數(shù)量。每次掩模步驟包括以下工序沉積，清洗，光刻，蝕刻，光刻膠剝離以及檢查。通常使用五輪掩模形成薄膜晶體管基板。近些年，出現(xiàn)了只需四輪掩模就形成薄膜晶體管基板的方法。
在最近采用四輪掩模的工序中，半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線是同時形成的，所以省略了一輪掩模步驟。
在通過采用四輪掩模的工序制造的薄膜晶體管基板中，由于半導(dǎo)體層位于數(shù)據(jù)線下方，從而產(chǎn)生以下問題。
圖1A是以連續(xù)模式驅(qū)動的背光單元的驅(qū)動波長的波形圖。圖1B是以脈沖模式驅(qū)動的背光單元的驅(qū)動波長的波形示意圖。
如圖1A所示，相關(guān)技術(shù)的背光單元以連續(xù)模式驅(qū)動。在這種情況下，背光單元連續(xù)保持在開啟狀態(tài)下，從而增加了功耗。為了降低功耗，可以脈沖模式驅(qū)動背光單元。
如圖1B所示，對于背光單元的脈沖模式，驅(qū)動背光單元從而使每個預(yù)定的時間周期重復(fù)開啟/關(guān)閉狀態(tài)。在以脈沖模式驅(qū)動的背光單元的開啟/關(guān)閉狀態(tài)下產(chǎn)生的光電流的作用下，位于LCD面板中數(shù)據(jù)線部分的半導(dǎo)體層14受到激發(fā)，從而變?yōu)閷?dǎo)體或者絕緣體。
對于采用四輪掩模制造的LCD面板，半導(dǎo)體層的部分大于數(shù)據(jù)線部分。因此，當(dāng)背光單元處于開啟狀態(tài)時由于背光單元發(fā)出的光產(chǎn)生光電流，從而半導(dǎo)體層變?yōu)閷?dǎo)體。同樣，當(dāng)背光單元保持在關(guān)閉狀態(tài)時，半導(dǎo)體層為絕緣體。
因此，如果半導(dǎo)體層成為導(dǎo)體，像素電極相對數(shù)據(jù)線更加接近半導(dǎo)體層，從而在半導(dǎo)體層和像素電極之間產(chǎn)生電容。如果半導(dǎo)體層為絕緣體，在數(shù)據(jù)線和像素電極之間產(chǎn)生電容。
由于背光單元的開啟/關(guān)閉頻率會導(dǎo)致在半導(dǎo)體層和像素電極之間產(chǎn)生電容；數(shù)據(jù)信號的驅(qū)動頻率會導(dǎo)致在數(shù)據(jù)線和像素電極之間產(chǎn)生電容；由于兩種電容的不同，會在顯示屏上產(chǎn)生波動的噪聲，從而導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降。
根據(jù)四次掩模工藝的特點，數(shù)據(jù)區(qū)域的半導(dǎo)體層與薄膜晶體管區(qū)域的半導(dǎo)體層作為一體形成。因此，如果數(shù)據(jù)區(qū)域的半導(dǎo)體層在光電流作用下成為導(dǎo)體，則薄膜晶體管導(dǎo)通。
根據(jù)施加至柵極的電壓控制薄膜晶體管的工作。這種情況下，由于光電流的作用，薄膜晶體管會在意想不到的時刻導(dǎo)通。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種LCD器件及其制造方法，其能夠基本上避免由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種通過在半導(dǎo)體層和背光單元之間形成遮光層從而防止半導(dǎo)體層受到激發(fā)的LCD及其制造方法。
本發(fā)明另外的優(yōu)點、目的和特征將在以下描述中加以闡述，其中部分特征和優(yōu)點對于熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說可以從以下描述中顯而易見地看到，或者從本發(fā)明的實踐中得知。通過在本發(fā)明的說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指明的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點會得到了解和實現(xiàn)。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如同這里具體和廣泛描述，一種LCD器件，包括提供有大量像素區(qū)域的基板，所述像素區(qū)域是由垂直交叉的大量柵線和數(shù)據(jù)線限定的；在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處附近形成的薄膜晶體管；在所述像素區(qū)域中形成的像素電極；在所述基板和所述數(shù)據(jù)線之間形成的半導(dǎo)體層；用于向所述基板下表面發(fā)射光線的光源；至少一遮光層，與所述半導(dǎo)體層重疊，在所述光源和所述半導(dǎo)體層之間形成，并與所述數(shù)據(jù)線電相連。
在本發(fā)明的另一方面，一種用于制造LCD器件的方法包括制備包括大量像素區(qū)域的基板；在基板上形成柵線和遮光層；在包括遮光層的基板的整個表面上上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層、金屬層和光刻膠層；通過對光刻膠層實施衍射曝光工序，形成具有第一厚度和第二厚度的光刻膠圖案，其中第一厚度與第二厚度不同；通過使用光刻膠圖案作為掩模去除暴露出的半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層和金屬層形成半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和數(shù)據(jù)線；通過灰化光刻膠圖案暴露出數(shù)據(jù)線的預(yù)定部分；通過使用灰化后的光刻膠圖案作為掩模，蝕刻暴露出的數(shù)據(jù)線，形成預(yù)接觸孔以暴露出半導(dǎo)體層；在包括數(shù)據(jù)線的基板的整個表面上形成鈍化層；通過蝕刻設(shè)置在遮光層上方的鈍化層、半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和柵絕緣層，形成第一接觸孔以暴露出遮光層；以及在第一接觸層內(nèi)側(cè)形成連接層。
應(yīng)該理解，本發(fā)明以上的概述和以下的詳細(xì)描述均是示例性的和解釋性的，旨在對權(quán)利要求所述的內(nèi)容提供進(jìn)一步說明。
所包括用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并包含在說明書中構(gòu)成說明書一部分的附圖描述了本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1A所示為以連續(xù)模式驅(qū)動的背光單元的驅(qū)動波長的波形示意圖；圖1B所示為以脈沖模式驅(qū)動的背光單元的驅(qū)動波長的波形示意圖；圖2所示為依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的薄膜晶體管基板的平面圖；圖3所示為沿圖2中I’-I和II’-II提取的截面圖；圖4A到4G所示為依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的制造方法的截面圖；以及圖5A到5D所示為第三接觸孔位置的平面圖。
具體實施例方式
下面詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，其實施例在附圖中示出。盡可能地，在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或者相似的部件。
以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件。
圖2所示為依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的薄膜晶體管基板的平面圖。圖3所示分別為沿圖2中I’-I和II’-II提取的截面圖。
如圖2和圖3所示，依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件包括基板100，其中包括大量像素區(qū)域，像素區(qū)域由大量柵線GL和數(shù)據(jù)線DL限定；薄膜晶體管TFT，形成于鄰近柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉處；像素電極116，形成于各像素區(qū)域中；以及至少一遮光層222，與位于數(shù)據(jù)線DL下方的第三半導(dǎo)體層101c重疊并與數(shù)據(jù)線DL電連接。
如圖3所示，薄膜晶體管TFT形成于TFT區(qū)域，其中TFT區(qū)域由第一半導(dǎo)體層101a、第一歐姆接觸層102a、柵極GE、源極SE和漏極DE構(gòu)成。
這時，TFT的源極SE與在數(shù)據(jù)線區(qū)域中形成的數(shù)據(jù)線作為一體形成。第一半導(dǎo)體層101a設(shè)置在TFT區(qū)域內(nèi)，并且與設(shè)置在數(shù)據(jù)線區(qū)域的第三半導(dǎo)體層101c作為一體形成。同時，第一歐姆接觸層102a位于TFT區(qū)域的源極SE下方，并且與設(shè)置在數(shù)據(jù)線區(qū)域中的第三歐姆接觸層102c作為一體形成。
各像素電極116與相鄰像素區(qū)域的柵線GL部分重疊。然后，在像素電極116和柵線GL之間的重疊部分中形成存儲電容。
在這種情況下，柵線GL的預(yù)定部分用作存儲電容的第一存儲電極ST1。同時，金屬層設(shè)置在像素電極116下方并且與像素電極116電連接，其中金屬用作存儲電容的第二存儲電極ST2。
同時，像素電極116的一側(cè)通過暴露出漏極DE的預(yù)定部分的第一接觸孔C1與漏極DE電連接。同時，像素電極116的另一側(cè)通過暴露出第二存儲電極ST2的預(yù)定部分的第二接觸孔C2與第二存儲電極ST2電連接。
另外，第二半導(dǎo)體層101b和第二歐姆接觸層102b形成在第一存儲電極ST1和第二存儲電極ST2之間。第二半導(dǎo)體層101b與第一半導(dǎo)體層101a和第三半導(dǎo)體層101c分開。同時，第二歐姆接觸層102b與第一和第三歐姆接觸層102a和102c分開。
遮光層122形成在設(shè)置在數(shù)據(jù)線區(qū)域中的第三半導(dǎo)體層101c下方。遮光層222防止從背光單元射出的光入射到第三半導(dǎo)體層101c。
遮光層222完全覆蓋第三半導(dǎo)體層101c。即，遮光層222大小可以與第三半導(dǎo)體層101c完全相同，或者可以比第三半導(dǎo)體層101c更大。同時，遮光層222可以比第三半導(dǎo)體層101c更小。
為防止遮光層浮動，以及防止在遮光層222和數(shù)據(jù)線DL之間產(chǎn)生電容，遮光層222電連接到數(shù)據(jù)線DL。即，遮光層222通過暴露出數(shù)據(jù)線DL的預(yù)定部分的第三接觸孔與數(shù)據(jù)線電連接。此時，遮光層222通過使用連接層和數(shù)據(jù)線DL電連接。連接層由與像素電極的材料相同的材料形成。即連接層由氧化銦錫形成。因為遮光層222與數(shù)據(jù)線(DL)電相連，相同的數(shù)據(jù)信號提供至遮光層222和數(shù)據(jù)線DL。
遮光層222由與柵線(GL)相同的材料形成。遮光層222沿第三半導(dǎo)體層101c形成。遮光層222沒有在柵線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉區(qū)域，從而防止遮光層222與柵線GL間發(fā)生短路。
下面將說明依照本發(fā)明制造LCD器件的方法。
圖4A到4G所示為依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件的制造方法的截面示意圖。
首先，制備由TFT區(qū)域，像素區(qū)域，存儲區(qū)域和數(shù)據(jù)線區(qū)域構(gòu)成的基板。
然后，如圖4A所示，將金屬層沉淀到整個基板100，再通過光刻進(jìn)行構(gòu)圖，從而在基板上沿第一方向形成柵線GL。然后，柵極GE與柵線GL作為一體形成，其中柵極形成在基板100的TFT區(qū)域。然后，第一存儲電極ST1在基板100的存儲區(qū)域形成。同樣，遮光層222在基板100的數(shù)據(jù)線區(qū)域形成。此時，第一存儲電極ST1與提供在相鄰像素電極的像素區(qū)域中的柵線GL的預(yù)定的部分相對應(yīng)。
如圖4B所示，在包括柵線GL、第一存儲電極ST1和遮光層222的整個基板100上依次沉積柵絕緣層GI、半導(dǎo)體材料層101、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層102，金屬層103和光刻膠層177。此時，柵絕緣層GI是由硅氧化物SiOx或者硅氮化物SiNx形成的；半導(dǎo)體材料層101是由本征非晶硅形成的；雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層102是由摻雜有雜質(zhì)離子的非晶硅形成的；以及金屬層103是由鉻(Cr)或者鉬(Mo)形成的。
參照圖4C，使用衍射曝光掩模(M)將光刻膠層177選擇性地曝光，從而形成光刻膠圖案PRP。此時，衍射曝光掩模(M)中設(shè)置有大量開口部分ml，用于透過光；大量遮閉部分m2，用于阻擋光；以及提供有狹縫的大量衍射部分m3，用于部分地透過和遮擋光。此時，每個衍射部分m3位于TFT的溝道區(qū)域和數(shù)據(jù)線區(qū)域。
通過上述衍射曝光掩模(M)，通過對光刻膠177施加紫外線(UV)，對光刻膠層177進(jìn)行曝光和處理。光刻膠層177中，對應(yīng)于開口部分m1的部分完全去除；對應(yīng)于遮閉部分m2的部分會保留下來；對應(yīng)于衍射部分m3的部分按照預(yù)定的厚度部分地去除。對應(yīng)于衍射部分m3的預(yù)定的厚度通常為原光刻膠層厚度的一半。
之后，采用構(gòu)圖后的光刻膠圖案PRP作為掩模，通過濕蝕刻工序去除暴露出的金屬層103、半導(dǎo)體材料層101和雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層102。因此，在位于柵極GE上方的柵絕緣層GI上依次形成第一半導(dǎo)體層101a，第一歐姆接觸層102a、源/漏金屬層104。在位于第一存儲電極ST1上方的柵絕緣層GI上，依次為第二半導(dǎo)體層101b、第二歐姆接觸層102b和第二存儲電極ST2。在位于遮光層222上方的柵絕緣層GI上，依次為第三半導(dǎo)體層101c、第三歐姆接觸層102c和數(shù)據(jù)線DL。
如圖4D所示，使用等離子處理光刻膠圖案PRP，從而灰化光刻膠圖案PRP。通過灰化工序，光刻膠圖案PRP的整個表面均勻地去除。在這種情況下，光刻膠圖案PRP中對應(yīng)于衍射部分m3的地方相對較薄，所以暴露出源/漏金屬層104和數(shù)據(jù)線DL預(yù)定的部分。
灰化之后，通過使用留下的光刻膠圖案PRP作為掩模，對源/漏金屬層104、第一歐姆接觸層102a、數(shù)據(jù)線DL和第三歐姆接觸層102c的暴露出的部分進(jìn)行蝕刻。
最后，如圖4E所示，通過暴露出第一半導(dǎo)體層101a形成TFT的溝道區(qū)域。通過分離源/漏金屬層104形成源極和漏極，其中源極SE和漏極DE分別與第一半導(dǎo)體層101a的兩個邊緣(除溝道區(qū)域)重疊。另外，形成一預(yù)接觸孔PC，該孔暴露出數(shù)據(jù)線區(qū)域的第三半導(dǎo)體層101c的預(yù)定部分。
如圖4F所示，在去除光刻膠圖案PRP后，通過在包括源極SE、漏極DE、數(shù)據(jù)線DL和第二存儲電極ST2的整個基板100上沉積有機(jī)絕緣材料，形成鈍化層114。
接下來，去除鈍化層對應(yīng)于漏極DE的一部分，從而形成第一接觸孔C1以暴露出漏極DE的預(yù)定部分。同樣，去除鈍化層對應(yīng)于第二存儲電極ST2的部分，形成第二接觸孔C2以暴露出第二存儲電極ST2的預(yù)定部分。然后，通過去除位于第三半導(dǎo)體層101c上方的鈍化層114，去除由預(yù)接觸孔PC暴露出的第三半導(dǎo)體層101c，去除位于第三半導(dǎo)體層101c和遮光層222之間的柵絕緣層GI，形成第三接觸孔C3。
除有機(jī)絕緣材料外，鈍化層114還可由無機(jī)絕緣材料形成，如硅氧化物(SiOx)或者硅氮化物(SiNx)。
如圖4G所示，在鈍化層114的整個表面上沉積透明導(dǎo)電層，然后使用光刻法構(gòu)圖，從而在像素區(qū)域中形成像素電極116。同時，像素電極116的一邊通過第一接觸孔C1與漏極DE電連接，另一邊通過第二接觸孔C2與第二存儲電極ST2電連接。
同樣，通過使用第三接觸孔C3形成連接層230，其中連接層230電連接數(shù)據(jù)線DL和遮光層222。同時，連接層230與貫穿第三半導(dǎo)體層101c的接觸孔的內(nèi)側(cè)壁(內(nèi)側(cè)壁由數(shù)據(jù)線形成)電連接。
第三接觸孔C3的位置可以變化。
圖5A到5D所示為第三接觸孔C3位置的平面圖。
如圖5A所示，第三接觸孔C3貫穿數(shù)據(jù)線DL的中央。
如圖5B所示，第三接觸孔C3貫穿數(shù)據(jù)線DL的左側(cè)邊緣。
如圖5C所示，第三接觸孔C3貫穿數(shù)據(jù)線DL的右側(cè)邊緣。
在圖5B和5C中，第三接觸孔C3的一邊是開放的。也就是說，在第三接觸孔C3該邊沒有暴露出連接層230的邊的內(nèi)側(cè)壁。
如圖5D所示，第三接觸孔C3位于數(shù)據(jù)線DL的中央。這時，數(shù)據(jù)線DL中具有第三接觸孔C3的預(yù)定部分的尺寸與數(shù)據(jù)線DL其它部分的尺寸不同。也就是說，數(shù)據(jù)線DL具有第一寬度W1和第二寬度W2，其中第一寬度W1與第二寬度W2不同。更具體地說，數(shù)據(jù)線的第一寬度W1形成在具有第三接觸孔C3的預(yù)定部分，而數(shù)據(jù)線的第二寬度W2形成在沒有第三接觸孔C3的其他部分。如圖5D所示，第一寬度W1大于第二寬度W2。
同樣，半導(dǎo)體層101c包括第三寬度W3和第四寬度W4，其中第三寬度W3與第四寬度不同。在這種情況下，半導(dǎo)體層101c的第三寬度W3形成具有第三接觸孔C3的預(yù)定部分，并且第四寬度W4形成在沒有第三接觸孔C3的其它部分。在圖5D中，第三寬度W3大于第四寬度W4。
盡管未示出，第三歐姆接觸層102c包括第五寬度W5和第六寬度W6，其中第五寬度不同于第六寬度。第三歐姆接觸層102c的第五寬度W5形成為具有第三接觸孔C3的預(yù)定部分，而第六寬度W6形成在沒有第三接觸孔C3的其它部分。第五寬度W5大于第六寬度W6。
如上所述，依照本發(fā)明的LCD及其制造方法具有如下優(yōu)點。
在根據(jù)本發(fā)明的LCD器件中，在背光單元和半導(dǎo)體層之間形成有遮光層，從而防止從背光單元射出的光線照到半導(dǎo)體層。因此，可以防止半導(dǎo)體受到光的激發(fā)。
顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意圖覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效物的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括提供有由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域的基板，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線彼此垂直排列；在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉處附近形成的薄膜晶體管；在像素區(qū)域中形成的像素電極；在所述基板和所述數(shù)據(jù)線之間形成的半導(dǎo)體層；向所述基板的下表面發(fā)射光線的光源；以及遮光層，形成在所述光源和所述半導(dǎo)體之間，并與所述數(shù)據(jù)線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層基本上阻擋從所述光源發(fā)出的光入射到所述半導(dǎo)體上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層部分地覆蓋所述半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層完全地覆蓋所述半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層設(shè)置在所述基板和所述半導(dǎo)體層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括在所述遮光層和所述半導(dǎo)體層之間形成的絕緣層；以及在所述像素電極和所述數(shù)據(jù)線之間形成的鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括接觸孔，通過依次貫穿所述鈍化層、所述數(shù)據(jù)線、所述半導(dǎo)體層和所述絕緣層中的預(yù)定部分暴露出所述遮光層；以及連接層，通過接觸孔電連接所述遮光層和所述數(shù)據(jù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述接觸孔貫穿所述數(shù)據(jù)線的中央。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述接觸孔貫穿所述數(shù)據(jù)線的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述接觸孔的內(nèi)側(cè)壁是開放的。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線包括具有接觸孔的第一部分和不具有接觸孔的第二部分，并且所述第一部分的第一寬度與所述第二部分的第二寬度不同。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一寬度大于所述第二寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括具有接觸孔的第一部分和不具有接觸孔的第二部分，并且所述第一部分的第一寬度與所述第二部分的第二寬度不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一寬度大于所述第二寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括連接層，用于電連接所述遮光層和所述數(shù)據(jù)線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述連接層由所述像素電極相同的材料形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層是由導(dǎo)電金屬材料形成的。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光層是由與所述柵線相同的材料形成的。
19.一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括在基板上形成遮光層；在遮光層上方形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上方形成歐姆接觸層；以及在歐姆接觸層上方形成數(shù)據(jù)線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，還包括形成位于遮光層和半導(dǎo)體層之間的柵絕緣層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，還包括電連接所述遮光層至所述數(shù)據(jù)線。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述遮光層是由導(dǎo)電材料形成的。
23.一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括制備包括大量像素區(qū)域的基板；在基板上形成柵線和遮光層；在包括遮光層的基板的整個表面上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層、金屬層和光刻膠層；通過對光刻膠層實施衍射曝光工序，形成具有第一厚度和第二厚度的光刻膠圖案，其中第一厚度與第二厚度不同；通過使用光刻膠圖案作為掩模去除半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層和金屬層的暴露部分形成半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和數(shù)據(jù)線；通過灰化光刻膠圖案暴露出數(shù)據(jù)線的預(yù)定部分；通過使用灰化后的光刻膠圖案作為掩模，蝕刻暴露出的數(shù)據(jù)線，形成預(yù)接觸孔以暴露出半導(dǎo)體層；在包括數(shù)據(jù)線的基板的整個表面上形成鈍化層；通過蝕刻設(shè)置在遮光層上方的鈍化層、半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和柵絕緣層，形成第一接觸孔以暴露出遮光層；以及在第一接觸層內(nèi)側(cè)形成連接層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處附近形成薄膜晶體管；以及在每個像素區(qū)域形成像素電極，其中所述像素電極與所述薄膜晶體管電連接。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述形成所述薄膜晶體管和所述像素電極的工序包括形成與柵線連接的柵極；在包括柵極的基板的整個表面上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層、金屬層和光刻膠層；通過對所述光刻膠層執(zhí)行衍射曝光工序，形成具有厚度不同的第一厚度和第二厚度的光刻膠圖案；通過使用所述光刻膠圖案作為掩模去除半導(dǎo)體材料層、雜質(zhì)半導(dǎo)體材料層和金屬層的暴露部分形成半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和源/漏金屬層；通過灰化光刻膠圖案暴露出薄膜晶體管的溝道區(qū)域上方的源/漏金屬層的預(yù)定部分；通過使用灰化的光刻膠圖案作為掩模蝕刻暴露出的源/漏金屬層，形成薄膜晶體管的源極和漏極；在包括源極和漏極的基板的整個表面上形成鈍化層；通過部分去除鈍化層形成第二接觸孔以暴露出漏極的預(yù)定部分；以及在像素區(qū)域中形成像素電極，其中所述像素電極通過第二接觸孔電連接到漏極。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述像素電極和所述連接層由相同的材料形成。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述連接層由氧化銦錫形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種通過在半導(dǎo)體層和背光單元之間形成遮光層從而防止半導(dǎo)體層受到激發(fā)的液晶顯示器件及其制造方法。其中，液晶顯示器包括提供有大量像素區(qū)域的基板，像素區(qū)域由彼此垂直交叉的大量柵線和數(shù)據(jù)線限定的；在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處附近形成的薄膜晶體管；在每個像素區(qū)域中形成的像素電極；在基板和數(shù)據(jù)線之間形成的半導(dǎo)體層；向基板下表面發(fā)射光線的光源；至少一遮光層，與半導(dǎo)體層重疊、形成于光源和半導(dǎo)體層之間，并與數(shù)據(jù)線電連接。
文檔編號G02F1/133GK101093328SQ20061016820
公開日2007年12月26日 申請日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月19日
發(fā)明者金彬, 趙奕力, 趙南旭 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社