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      多級低損耗集成光功率分配器的制作方法

      文檔序號:2724699閱讀:265來源:國知局
      專利名稱:多級低損耗集成光功率分配器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型是一種低損耗多級集成光功率分配器,屬于集成光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有的光功率分配器一般都是采用傳統(tǒng)的光纖燒結(jié)工藝制作的,產(chǎn)品制作工藝難度較大、
      穩(wěn)定性和可靠性不夠高,不適合大批量生產(chǎn),更難以實現(xiàn)多級的集成光器件。普通Y型結(jié)構(gòu) 的光功率分配器,其插入損耗比較大,特別在構(gòu)成多級的集成光器件時,該弱點就顯得更加 突出,因此器件的級數(shù)(分路比)受到一定的限制,其應(yīng)用場合也受到很大的影響和局限。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實用新型的目的是提供一種低插入損耗,能夠根據(jù)需要靈活組成多級結(jié)構(gòu)的集成光功 率分配器,并可廣泛地應(yīng)用于光通信系統(tǒng)、光學(xué)儀器設(shè)備和光纖到戶(FTTH)等應(yīng)用場合。
      本實用新型的方案是設(shè)計一個采用硅基沉積二氧化硅的半導(dǎo)體加工技術(shù)和工藝制作的平 面光波導(dǎo),波導(dǎo)光芯沉積于硅基晶圓上,并置于折射率和厚度都不同于光芯的二氧化硅襯墊 和覆蓋包層中,其襯墊和覆蓋包層的折射率略小于光芯的折射率,厚度則是光芯厚度的三到 五倍;而該平面波導(dǎo)光路結(jié)構(gòu)特征是帶階梯光柵的Y型分路器,可以降低光路的插入損耗, 靈活地組成不同分路比的多級結(jié)構(gòu)。
      本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)比較具有如下優(yōu)點
      1由于采用硅基沉積二氧化硅的半導(dǎo)體加工技術(shù)和工藝制作,克服了傳統(tǒng)的光纖燒結(jié)工 藝制作的器件在生產(chǎn)工藝和器件性能上存在的穩(wěn)定性和可靠性問題,提高了器件的生產(chǎn)效率 和性能,使器件適合大批量生產(chǎn),而且體積小,重量輕,集成度高,成本低。
      2由于帶階梯光柵的Y型分路器能夠減小光路的插入損耗,克服了普通光分路器損耗大 的缺點,提高了器件信號傳送的效率。
      3由于采用了低損耗的光分路器單元,使得光功率分配器能夠根據(jù)需要,靈活地組成不 同分路比的光功率分配器,提高了器件的經(jīng)濟性,擴大的器件的應(yīng)用范圍。


      本實用新型有如下附圖
      圖1是本實用新型平面光波導(dǎo)截面結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2是本實用新型帶階梯光柵的Y型分路器單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖3是本實用新型多級低損耗集成光功率分配器結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖中1.硅基晶圓,2.襯墊,3.波導(dǎo)光芯,4.覆蓋包層,5.階梯形光柵
      具體實施方式
      以下結(jié)合附圖闡述本實用新型的具體實施方式
      本實用新型是采用硅基沉積二氧化硅的半導(dǎo)體加工技術(shù)和工藝制作而成的,如圖1平面 光波導(dǎo)截面結(jié)構(gòu)示意圖所示,由硅基晶圓(1),襯墊(2),波導(dǎo)光芯(3)以及覆蓋包層(4)構(gòu)成,其
      工藝步驟為1采用化學(xué)氣相沉積法,在硅基晶圓(1)上,沉積襯墊(2)和波導(dǎo)光芯(3); 2利
      用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)形成所設(shè)計的平面波導(dǎo)光路;3在襯墊(2)和波導(dǎo)光芯(3)的基礎(chǔ)上,再沉
      積二氧化硅覆蓋包層(4),經(jīng)過高溫退火和高壓處理后,完成晶圓的加工;4晶圓切割,裸片
      拋光打磨,最后完成芯片的封裝。其中波導(dǎo)光芯(3)二氧化硅材料的折射率略大于襯墊(2)和覆 蓋包層(4) 二氧化硅材料的折射率,而襯墊(2)和覆蓋包層(4)的厚度是波導(dǎo)光芯(3)厚度的3-5 倍,以保證光信號高效率地在波導(dǎo)光芯中傳送。為了減小普通Y型結(jié)構(gòu)光分路器的插入損 耗,本實用新型設(shè)計了帶階梯形光柵(5)結(jié)構(gòu)單元的分路器,如圖2所示。其光柵(5)結(jié)構(gòu)始于 Y型分路器的分叉點,并沿著分路器二輸出分叉支路間的三角區(qū)域,按階梯狀由短到長逐漸 向外延伸分布,以抑制電磁場在Y型結(jié)構(gòu)分叉處的發(fā)散效應(yīng)。新的半導(dǎo)體制造技術(shù)和加工工 藝是集成光學(xué)器件的基礎(chǔ),采用圖1所示的平面光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和本實用新型設(shè)計的低損耗Y型 結(jié)構(gòu)光分路器單元,就能靈活地組合成不同分路比(如1:4, 1:8, 1:16, 1:32,...)的光功率 分配器,這種結(jié)構(gòu)的分配器,其每一路的輸出功率都相同。也可以根據(jù)需要組成不同輸出功 率,任意分路比的光功率分配器。如圖3所示,是一個分路比為1:32, 5級低損耗集成光功 率分配器的應(yīng)用實例,其每一路輸出功率的大小都相同,在不考慮損耗的條件下,約為其輸 入功率的1/32。
      權(quán)利要求1.一種多級低損耗集成光功率分配器,由硅基晶圓,襯墊,波導(dǎo)光芯以及覆蓋包層構(gòu)成,其特征在于由沉積在硅基晶圓上折射率及厚度不同的二氧化硅襯墊,波導(dǎo)光芯和覆蓋包層,構(gòu)成平面光波導(dǎo);以帶階梯光柵結(jié)構(gòu)的Y型光分路器為基本單元,構(gòu)成多級集成光功率分配器。
      2. 按權(quán)利要求1所述的光功率分配器,其特征在于最底層是硅基晶圓,在其之上依次 為二氧化硅襯墊,波導(dǎo)光芯和覆蓋包層;襯墊和覆蓋包層的折射率略小于波導(dǎo)光芯的折射率; 襯墊和覆蓋包層的厚度則是波導(dǎo)光芯厚度的三到五倍。
      3. 按權(quán)利要求1所述的光功率分配器,其特征在于以Y型光分路器為其基本光路單 元,按樹狀分支形式,組合成具有不同分路比的多級光分路結(jié)構(gòu)。
      4. 按權(quán)利要求1所述的光功率分配器,其特征在于帶階梯形光柵結(jié)構(gòu)的Y型光分路 器單元,其光柵由處于Y分叉點,按階梯狀,沿二分叉支路由短到長逐漸向外延伸分布的垂 直直線構(gòu)成。
      專利摘要本實用新型涉及集成光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。它提出了一種多級低損耗集成光功率分配器,采用硅基沉積二氧化硅光波導(dǎo)的加工技術(shù)和工藝制成,其帶光柵的Y型光分路結(jié)構(gòu),可以靈活地組成不同分路比的光功率分配器,降低了光器件的插入損耗,提高了光信號的傳送效率。該光器件不但結(jié)構(gòu)靈活、緊湊,集成度高,體積小,重量輕,性能穩(wěn)定可靠,而且適合大批量生產(chǎn),生產(chǎn)效率高、成本低,可廣泛地應(yīng)用于光通信系統(tǒng)、光學(xué)儀器設(shè)備和光纖到戶(FTTH)等應(yīng)用場合。
      文檔編號G02B6/125GK201000497SQ20062004198
      公開日2008年1月2日 申請日期2006年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月23日
      發(fā)明者陳谷紅 申請人:陳谷紅
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