專利名稱：：圖案形成方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種將由空間光調(diào)制元件等光調(diào)制機構調(diào)制了的光在感光層上成像而將該感光層曝光的圖案形成方法。
背景技術：
：以往提出過各種用由數(shù)字微鏡器件(DMD)等空間光調(diào)制元件(SLM)與圖案信息(圖像數(shù)據(jù))對應地調(diào)制了的光進行曝光的曝光裝置。上述DMD是將反射面的角度與控制信號對應地變化的多個微鏡在硅等半導體基板上二維地排列而成的反射鏡設備。在利用使用了該DMD的以往的數(shù)字曝光方式的曝光裝置的曝光方法中，使用例如具備照射激光的光源、將由該光源照射的上述激光準直的透鏡系統(tǒng)、配置于上述透鏡系統(tǒng)的大約焦點位置的上述DMD及將由上述DMD反射的上述激光在掃描面上成像的透鏡系統(tǒng)的曝光頭，利用與圖案信息等對應地生成的控制信號對上述DMD的各個微鏡進行開關控制而將上述激光調(diào)制，利用調(diào)制了的激光(光束)，對安放在上述曝光裝置的載臺上而沿著掃描方向移動的印刷布線板或液晶顯示元件等的感光材料將圖案掃描曝光。在如上所述的使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光方法中，為了高精度地形成微細的圖案，上述描繪單位的光量均勻是很重要的。但是，實際上，由上述曝光頭照射的光因上述曝光頭內(nèi)的各透鏡系統(tǒng)的要因，會有與光軸的中心部相比周邊部的光強度降低的問題，在照射將各描繪單位的光穿過微透鏡陣列而會聚的光的系統(tǒng)中尤為明顯。針對該問題，本申請人已經(jīng)提出過如下的遮蔭(shading)技術(例如參照專利文獻1及2)，g卩，測定由上述曝光頭照射的光的光強度分布(光量)，通過以與該光強度分布對應地改變上述空間光調(diào)制元件的各描素部的驅動時刻的方式進行驅動控制，而將各描繪單位的光量修正為達到均勻化。但是，上述的專利文獻1及2的技術中，會有因加載在上述空間光調(diào)制元件的驅動控制部上的負載增加而對處理速度造成影響的情況，另外，還會有此種曝光裝置因電路構成或處理軟件復雜化而導致成本上升的情況。由于電氣性的控制系統(tǒng)的成本在裝置整體的成本中占據(jù)很大的比例，因此為了壓縮成本，希望有可以減輕控制系統(tǒng)的負載的新的技術。因而現(xiàn)實狀況是，在使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光中，尚未提供一種可以在壓縮成本的同時，通過將二維地分布的各描繪單位的光量均勻化，而高精度地形成微細的圖案的圖案形成方法，所以期待進一步的改進開發(fā)。專利文獻1:特開2005—22248號公報專利文獻2:特愿2005—22249號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于此種現(xiàn)狀而完成的，其課題是，解決以往的上述諸多問題，實現(xiàn)以下的目的。即，本發(fā)明的目的在于，提供一種圖案形成方法，其在使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光中，可以在壓縮成本的同時，通過將二維地分布的各描繪單位的光量均勻化，而高精度地形成微細的圖案。作為用于解決上述問題的途徑，如下所示。艮P，<1>一種圖案形成方法，其特征是，至少包括如下操作在被處理基體上層疊了在支承體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層后，將從光照射機構中射出的光束經(jīng)由具有光分布修正機構的聚光光學系統(tǒng)，向具有n個(其中n為1以上的自然數(shù))二維排列的描素部并與圖案信息對應地使上述每個描素部改變光調(diào)制狀態(tài)的光調(diào)制機構照射，將被上述光調(diào)制機構調(diào)制的光束向該感光層照射而進行曝光，該曝光如下進行，即，使從上述光照射機構向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量中具有分布，由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光束的光量分布被修正為在上述感光層的被曝光面上達到均勻化。在該<1>中記載的圖案形成方法中，由于利用具有上述光量分布修正機構的上述聚光光學系統(tǒng)，使向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量具有分布，以使由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光束的曝光面上的光量分布達到均勻化的方式進行修正，因此在上述描素部中，將各描繪單位的光量修正為達到均勻化，可以進行高精度的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成高精細的圖案。<2〉根據(jù)上述<1>中記載的圖案形成方法，其中，將從光照射機構中射出的光束利用聚光光學系統(tǒng)作為在主光線的角度中具有分布的光束向光調(diào)制機構照射。在該<2>中記載的的圖案形成方法中，由下將從上述光照射機構中射出的光束利用聚光光學系統(tǒng)作為在主光線的角度中具有分布的光束向光調(diào)制機構照射，因此就會使向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量中具有分布。其結果是，曝光面上的光量分布被均勻化，可以進行極高精度的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成極為高精細的圖案。<3>根據(jù)上述<1>中記載的圖案形成方法，其中，將從光照射機構中射出的光束利用聚光光學系統(tǒng)作為遠心光向光調(diào)制機構照射。在該<3>中記載的的圖案形成方法中，由于將從上述光照射機構中射出的光束利用上述聚光光學系統(tǒng)作為遠心光向上述光調(diào)制機構照射，因此就可以同時實現(xiàn)向上述光調(diào)制機構照射的光的遠心性、由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光在曝光面上的光量分布的均勻性兩方面，可以進行極高精度的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成極為高精細的圖案。<4>根據(jù)上述<3>中記載的圖案形成方法，其中，聚光光學系統(tǒng)具有光分布修正機構，其由具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變小的非球面形狀的第一光學透鏡、具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變大的非球面形狀的第二光學透鏡構成。在該<4>中記載的的圖案形成方法中，由于上述聚光光學系統(tǒng)具有光分布修正機構，其由具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變小的(將平行入射光束會聚的凸透鏡那樣的)非球面形狀的第一光學透鏡、具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變大的(將平行入射光束發(fā)散的凹透鏡那樣的)非球面形狀的第二光學透鏡構成，因此與穿過上述第一光學透鏡的周邊部的光相比，穿過中央附近的光可以實現(xiàn)增強遠離光軸的程度的狀況，另外，通過利用第一光學透鏡和第二光學透鏡來逆轉沿著光軸的透鏡光學能力的變化，就可以實現(xiàn)遠心光學系統(tǒng)。其結果是，對于從該遠心光學系統(tǒng)中射出的光束的光量分布來說，與光軸中心相比，周邊部的分布密度提高，曝光面上的光量分布被均勻化，可以進行極高精度的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成極為高精細的圖案。<5>根據(jù)上述<1>到<4〉中任意一項記載的圖案形成方法，其中，聚光光學系統(tǒng)在由光照射機構向光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)，使周邊部的光量與中心部相比增加。在該<5>中記載的的圖案形成方法中，由于上述聚光光學系統(tǒng)在由上述光照射機構向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)，使周邊部的光量與中心部相比增加，因此在向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域中，原本低于中心部的周邊部的光量被上述聚光光學系統(tǒng)增加，曝光的光利用效率提高。<6>根據(jù)上述<1>到<5>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機構為空間光調(diào)制元件。<7>根據(jù)上述<6>中記載的圖案形成方法，其中，空間光調(diào)制元件為數(shù)字微鏡器件(DMD)。<8>根據(jù)上述<1>到<7>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，在進行了曝光后，進行感光層的顯影。<9>根據(jù)上述<1>到<8>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，在進行了顯影后，進行永久圖案的形成。<10>根據(jù)上述<9>中記載的圖案形成方法，其中，永久圖案為布線圖案，該永久圖案的形成是利用蝕刻處理及鍍膜處理中的至少一種來進行的。<11>根據(jù)上述<1>到<10>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，光照射機構可以將兩條以上的光合成而照射。在該<11>中記載的圖案形成材料中，因上述光照射機構可以將兩條以上的光合成而照射，因而可以用焦深較深的曝光光來進行曝光。其結果是，可以極為高精細地進行對上述圖案形成材料的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成極為高精細的圖案。<12>根據(jù)上述<1>到<11>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，光照射機構具有多個激光器、多模光纖、將從該多個激光器中分別照射的激光束平行光化而聚光并會聚于上述多模光纖的入射端面的光源聚光光學系統(tǒng)。在該<12>中記載的的圖案形成方法中，通過利用上述光照射機構，將從上述多個激光器中分別照射的激光束用上述光源聚光光學系統(tǒng)聚光，會聚于上述多模光纖的入射端面，就可以獲得高亮度并且焦深較深的光束。其結果是，可以極為高精細地進行對上述圖案形成材料的曝光。例如通過在其后將上述感光層顯影，就可以形成極為高精細的圖案。<13>根據(jù)上述<1〉到<12>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，感光層包含粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑。<14>根據(jù)上述<13>中記載的圖案形成方法，其中，粘合劑具有酸性基。<15>根據(jù)上述<13>到<14>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，粘合劑為乙烯基共聚物。<16>根據(jù)上述<13>到<15>中任意一項記載的圖案形成材料，其中，粘合劑含有共聚物，該共聚物具有來源于苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少某種的構造單位。<17>根據(jù)上述<13>到<16>中任意一項記載的圖案形成材料，其中，粘合劑的玻璃化溫度(Tg)在8(TC以上。<18>根據(jù)上述<13>到<17〉中任意一項記載的圖案形成方法，其中，粘合劑的酸值為70250mgKOH/g。<19>根據(jù)上述<13〉到<18>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，聚合性化合物包含具有尿垸基及芳基的至少某種的單體。<20>根據(jù)上述<13>到<18>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，光聚合引發(fā)劑包含選自鹵化烴衍生物、六芳基聯(lián)咪唑、肟衍生物、有機過氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鑰鹽及芳環(huán)烯金屬衍生物類中的至少一種。<21>根據(jù)上述<1>到<20>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，感光層含有1090質量％的粘合劑，含有5卯質量％的聚合性化合物。<22>根據(jù)上述<1>到<21>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，感光層的厚度為1100ym。<23>根據(jù)上述<1>到<22>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，支承體含有合成樹脂，并且是透明的。<24>根據(jù)上述<1>到<23>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，支承體是長條狀的。<25>根據(jù)上述<1>到<24>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，圖案形成材料是長條狀的，被巻繞成巻筒狀。<26>根據(jù)上述<1>到<25>中任意一項記載的圖案形成方法，其中，在圖案形成材料的感光層上形成保護膜。利用本發(fā)明，可以解決以往的問題，可以提供如下的圖案形成方法，即，在使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光中，能夠在壓縮成本的同時，通過將二維地分布的各描繪單位的光量均勻化，而高精度地形成微細的圖案。圖1是表示本發(fā)明的濾色片的制造方法中使用的曝光裝置所具備的曝光頭的光學系統(tǒng)的概略構成圖。圖2是表示數(shù)字微鏡器件(DMD)的構成的局部放大圖的一個例子。圖3A是用于說明圖2所示的DMD的動作的說明圖。圖3B是用于說明圖2所示的DMD的動作的說明圖。圖4A是表示光纖陣列光源的構成的立體圖。圖4B是表示圖4A的激光射出部的發(fā)光點的排列的俯視圖。圖5是表示合波激光源的構成的俯視圖。圖6是表示激光器模塊的構成的俯視圖。圖7是表示圖6所示的激光器模塊的構成的側視圖。圖8是表示圖6所示的激光器模塊的構成的局部側視圖。圖9A是示意性地表示向DMD上照射的激光的主光線的傾斜的示意圖。圖9B是表示向DMD上照射的激光的主光線角度的分布的示意圖。圖10是表示將具有與圖9B所示的向DMD上照射的激光的主光線角度的分布(1)對應的主光線角度的分布的激光向DMD上照射后的光量分布的圖表(2)、表示DMD—微透鏡陣列間的光透過特性的圖表(3)、表示通過用如上述圖表(3)那樣調(diào)整了的激光進行圖像曝光而將曝光區(qū)中的光量分布均勻化地修正后的狀態(tài)的圖表(4)。圖IIA是表示遠心光學系統(tǒng)的構成圖，是表示本發(fā)明的第二實施方式的具有非球面透鏡的遠心光學系統(tǒng)的構成圖。圖UB是表示遠心光學系統(tǒng)的構成圖，是表示具有成為圖IIA的遠心光學系統(tǒng)的基礎的球面透鏡的遠心光學系統(tǒng)的構成圖。具體實施方式(圖案形成方法)本發(fā)明的圖案形成方法至少包括在將圖案形成材料的感光層層疊在被處理基體上后，對該感光層進行曝光的曝光工序，并包括適當?shù)剡x擇的其他的工序。上述曝光工序至少包括如下操作，即，將從光照射機構中射出的光束經(jīng)由具有光分布修正機構的聚光光學系統(tǒng)，向具有n個(其中n為1以上的自然數(shù))二維排列的描素部并與圖案信息對應地使上述每個描素部改變光調(diào)制狀態(tài)的光調(diào)制機構照射，照射被上述光調(diào)制機構調(diào)制的光束而進行、該曝光如下進行，即，使從上述光照射機構向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量中具有分布，由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光束的光量分布被修正為在上述感光層的被曝光面上達到均勻化。作為使從上述光照射機構中向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量具有分布的方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出將從上述光照射機構中射出的光束利用上述聚光光學系統(tǒng)作為在主光線的角度中具有分布的光束向上述光調(diào)制機構照射的第一實施方式；及將從上述光照射機構中射出的光束利用上述聚光光學系統(tǒng)作為遠心光向光調(diào)制機構照射的第二實施方式。對于本發(fā)明的圖案形成方法的曝光工序的曝光裝置的一個例子，以下將在參照附圖的同時進行說明。上述曝光工序中的曝光方法將通過對上述曝光裝置的說明來闡明。[第一實施方式]<曝光裝置的概略構成>圖1中，表示有設于第一實施方式的曝光裝置中的曝光頭100的概略構成。如圖1所示，曝光頭ioo作為將所入射的光束與圖案信息(以下有時稱作「圖像數(shù)據(jù)」)對應地在每個描素部中(以下有時表示為「像素」)進行調(diào)制的光調(diào)制機構，具備屬于空間光調(diào)制元件的數(shù)字微鏡器件(DMD)50。該DMD50與具備數(shù)據(jù)處理部和反射鏡驅動控制部的未圖示的控制器連接。該控制器的數(shù)據(jù)處理部中，基于所輸入的圖案信息(圖像數(shù)據(jù))，生成驅動控制作為描素部(像素)的DMD50的各微鏡的控制信號。另外，反射鏡驅動控制部中，基于在圖像數(shù)據(jù)處理部中生成的控制信號，控制DMD50的各微鏡的反射面的角度。而且，對于反射面的角度的控制將在后面敘述。在DMD50的光入射側，依次配置有具備將光纖的出射端部(發(fā)光點)沿著規(guī)定方向排成一列的激光射出部的光纖陣列光源112、將從光纖陣列光源112中射出的激光修正而聚光在DMD上的聚光光學系統(tǒng)114、將透過了聚光光學系統(tǒng)114的激光向DMD50反射的反射鏡122、124。聚光光學系統(tǒng)114由將從光纖陣列光源112中射出的激光聚光的一對組合透鏡116、將聚光了的激光的光量分布修正為達到均勻化的桿積分器(rodintegrator)118及將修正了光量分布的激光向DMD上聚光的聚光透鏡120。由于桿積分器118是光在積分器內(nèi)全反射的同時導光行進，因此可以按照使光量分布達到均勻化的方式修正激光。另一方面，在DMD50的光反射側設有投影光學系統(tǒng)。上述投影光學系統(tǒng)如下構成，即，為了將光源像向處于DMD50的光反射側的曝光面的感光材料(將上述圖案形成材料中的該感光層層疊于被處理基體上而成的疊層體)134上投影，而從DMD50側朝向感光材料134地依次配置有透鏡系統(tǒng)U6、微透鏡陣列128、物鏡系統(tǒng)130的各曝光用的光學構件。這里，透鏡系統(tǒng)126及物鏡系統(tǒng)130如圖1所示被作為組合了多片透鏡(凸透鏡或凹透鏡等)的放大光學系統(tǒng)構成，通過將由DMD50反射的光束(光線束)的截面積放大，而將由DMD50反射的光束在感光材料134上的曝光區(qū)的面積放大為規(guī)定的大小。而且，感光材料134配置于物鏡系統(tǒng)130的后方焦點位置。微透鏡陣列128如圖1所示，是在反射從光纖陣列光源112中照射的激光的DMD50的各微鏡62(參照圖2)中二維地排列一一對應的多個微透鏡132，一體化成形而制成矩形平板狀的構件，各微透鏡132分別配置于分別透過了透鏡系統(tǒng)126的各激光束的光軸上。該微透鏡陣列128例如可以通過將樹脂或光學玻璃模塑成形而制成。一光調(diào)制機構一作為上述光調(diào)制機構的一個例子的DMD50如圖2所示，是在SRAM單元(存儲器單元)60上利用支柱支承地配置了微小反射鏡(微鏡)62的器件，是將構成描素部(也稱作「像素」或「pixel」)的多個(例如600個X800個)微小反射鏡以格子狀排列而構成的反射鏡器件。在各像素中，在最上部設有由支柱支承的微鏡62，在微鏡62的表面蒸鍍有鋁等反射率高的材料。而且，微鏡62的反射率在90%以上。另外，在微鏡62的正下方，夾隔著包括合頁及支架的支柱配置有利用通常的半導體存儲器的生產(chǎn)線制造的硅柵的CMOS的SRAM單元60，整體被單片(一體型)地構成。當向DMD50的SRAM單元60中寫入數(shù)字信號時，則由支柱支承的微鏡62就會以對角線為中心相對于配置了DMD50的基板側在土a度(例如士10度)的范圍中傾斜。圖3A表示微鏡62以處于開狀態(tài)的+a度傾斜的狀態(tài)，圖3B表示微鏡62以處于關狀態(tài)的一a度傾斜的狀態(tài)。所以，通過與圖像信號對應地如圖2所示地控制DMD50的各像素的微鏡62的傾角，就可以將射入DMD50的光向各個微鏡62的傾斜方向反射。而且，圖2中將DMD50的一部分放大，給出將微鏡62控制為+a度或一a度的狀態(tài)的一個例子。各個微鏡62的開關控制是利用與DMD50連接的未圖示的控制器進行的。而且，在利用關狀態(tài)的微鏡62反射光束的方向上，配置有光吸收體(未圖示)。一光照射機構一作為上述光照射機構的一個例子的光纖陣列光源112如圖4A所示，具備多個(圖中為25個)激光器模塊64,在各激光器模塊64上，耦合有多模光纖30的一端。在多模光纖30的另一端，耦合有纖芯徑與多模光纖30相同且包層徑小于多模光纖30的光纖31，如圖4B所示，將光纖31的出射端部(發(fā)光點)沿規(guī)定方向排列多列(圖中為3列)而構成激光射出部68。作為多模光纖30及光纖31，無論是階躍型(stepindex)光纖、梯度型(gradedindex)光纖及復合型光纖的哪一種都可以。例如可以使用三菱電線工業(yè)株式會社制的階躍型光纖。本實施方式中，多模光纖30及光纖31為階躍型光纖，多模光纖30的包層徑-125um，纖芯徑-50ym，NA=0.2，入射端面涂層的透過率=99.5%以上，光纖31的包層徑-60lim，纖芯徑-50um，NA=0.2。但是，光纖31的包層徑并不限定于60um。以往的光纖光源中所用的光纖的包層徑為125Pm，然而由于包層徑越小，則焦深就越深，因此多模光纖的包層徑優(yōu)選在S0ixm以下，更優(yōu)選在60um以下，進一步優(yōu)選在40ym以下。另一方面，由于纖芯徑至少需要34um，因此光纖31的包層徑優(yōu)選在10ym以上。激光器模塊64由圖5中所示的合波激光源(光纖光源)構成。該合波激光源由排列固定于加熱組(heatblock)IO上的多個(例如7個)片狀的橫向多?；騿文５腉aN半導體激光器LD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6及LD7;與GaN系半導體激光器LD1LD7分別對應地設置的準直透鏡ll、12、13、14、15、16及17;—個聚光透鏡20;—條多模光纖30構成。而且，半導體激光器的個數(shù)并不限定為7個。例如，在包層徑-60um、纖芯徑=50um、NA=0.2的多模光纖中，甚至能夠射入20個的半導體激光，可以實現(xiàn)照射頭的必需光量，并且進一步減少光纖條數(shù)。LD7的激發(fā)波長全都是共同的(例如405nm),最大輸出也全都是共同的(例如在多模激光器中為100mW，在單模激光器中為30mW)。而且，作為GaN系半導體激光器LDlLD7，也可以使用在350nm450nm的波長范圍中具備上述405nm以外的激發(fā)波長的激光器。而且，對于優(yōu)選的波長范圍將在后面敘述。上述的合波激光源如圖6及圖7所示，被與其他的光學要素一起收納于上方開口的箱狀的封裝體40內(nèi)。封裝體40具備為了將其開口封閉而制成的封裝體蓋41，通過在脫氣處理后導入密封氣體，將封裝體40的開口用封裝體蓋41封閉，就可以在由封裝體40和封裝體蓋41形成的密閉空間(密封空間)內(nèi)將上述合波激光源氣密性地密封。在封裝體40的底面固定有基座板42，在該基座板42的上面，安裝有上述加熱組IO、保持光源聚光透鏡20的聚光透鏡夾具45、保持多模光纖30的入射端部的光纖夾具46。多模光纖30的出射端部被從形成于封裝體40的壁面上的開口中向封裝體外拉出。另外，在加熱組10的側面安裝有準直透鏡夾具44，保持著準直透鏡1117。在封裝體40的橫壁面上形成有幵口，穿過該開口將向GaN系半導體激光器LD1LD7供給驅動電流的布線47向封裝體外來處。而且，圖6中，為了避免圖的煩雜化，僅對多個GaN系半導體激光器中的GaN系半導體激光器LD7標記了編號，并僅對多個準直透鏡中的準直透鏡17標記了編號。圖8是表示上述準直透鏡1117的安裝部分的正面形狀的圖。準直透鏡1117分別被制成將具備非球面的圓形透鏡的包括光軸的區(qū)域用平行的平面細長地切取的形狀。該細長形狀的準直透鏡例如可以通過將樹脂或光學玻璃模塑成形而制成。準直透鏡1117被以使長度方向與GaN系半導體激光器LD1LD7的發(fā)光點的排列方向(圖8的左右方向)正交的方式，密接地配置于上述發(fā)光點的排列方向上。另一方面，作為GaN系半導體激光器LDlLD7，可以使用如下的激光器，即，具備發(fā)光寬度為2ixm的活性層，在與活性層平行的方向、成直角的方向的束散角分別例如為10°、30°的狀態(tài)下，分別發(fā)出激光束B1B7。這些GaN系半導體激光器LD1LD7被以在與活性層平行的方向上將發(fā)光點排成一列的方式配設。所以，從各發(fā)光點中發(fā)出的激光束B1B7就會如上所述地在束散角大的方向與長度方向一致、束散角小的方向與寬度方向(與長度方向正交的方向)一致的狀態(tài)下射入細長形狀的各準直透鏡1117。也就是說，各準直透鏡1117的寬度為Umm，長度為4.6mm，射入它們的激光束B1B7的水平方向、垂直方向的束徑分別為0.9mm、2.6mm。另夕卜，準直透鏡1117各自的焦點距離f產(chǎn)3mm，NA-0.6,透鏡配置間距4.25mm。光源聚光透鏡20是將具備非球面的圓形透鏡的包括光軸的區(qū)域用平行的平面細長地切取，而制成在準直透鏡1117的排列方向，也就是水平方向上長，在與之成直角的方向上短的形狀。該光源聚光透鏡20的焦點距離ff23mm，NA=0.2。光源聚光透鏡20也與上述準直透鏡相同，例如可以通過將樹脂或光學玻璃模塑成形來制成。如此構成的光纖陣列光源112中，從構成合波激光源的各個GaN系半導體激光器LD1LD7中以發(fā)散光狀態(tài)射出的激光束B1、B2、B3、B4、B5、B6及B7分別被對應的準直透鏡1117平行光化。平行光化了的激光束B1B7被光源聚光透鏡20聚光，會聚在多模光纖30的纖芯30a的入射端面上。由準直透鏡1117及光源聚光透鏡20構成光源聚光光學系統(tǒng)，由該光源聚光光學系統(tǒng)和多模光纖30構成合波光學系統(tǒng)。即，由光源聚光透鏡20如上所述地聚光了的激光束B1B7射入多模光纖30的纖芯30a而在光纖內(nèi)傳播，合波為一條激光束B，從與多模光纖30的出射端部耦合的光纖31中射出。在各激光器模塊中，激光束B1B7與多模光纖30的耦合效率為0.85，在GaN系半導體激光器LD1LD7的各輸出為30mW的情況下(使用單模激光器的情況下)，對于各條排列成陣列狀的光纖31，可以獲得輸出為180mW(=30mWX0.85X7)的合波激光束B。所以，將25條光纖31排列成陣列狀的激光射出部68處的輸出約為4.5W(=180mWX25)。在光纖陣列光源112的激光射出部68，沿著主掃描方向排列有像這樣高亮度的發(fā)光點。由于將來自單一的半導體激光器的激光與一條光纖耦合的以往的光纖光源的輸出低，因此如果不排列多列，則無法獲得所需的輸出，然而本實施方式中所使用的合波激光源由于輸出高，因此即使是少數(shù)的列，例如即使是l列，也可以獲得所需的輸出。例如，在將半導體激光器與光纖一一耦合的以往的光纖光源中，通常來說，作為半導體激光器可以使用輸出為30mW(毫瓦)左右的激光器，作為光纖可以使用纖芯徑為50um、包層徑為125ym、NA(數(shù)值孔徑)為0.2的多模光纖，如果想要獲得約4.5W(瓦)的輸出，則必須將225條(15X15)多模光纖結束，由于發(fā)光區(qū)域的面積為3.6mm2(1.9mmX1.9mm)，因此激光射出部68處的亮度為1.25(W/mm2)，每一條光纖的亮度為10(W/mm2)。與之不同，本實施方式中，如上所述，由于可以用25條多模光纖獲得約4.5W的輸出，激光射出部68處的發(fā)光區(qū)域的面積為0.2mm2(0.18mmX1.13mm)，因此激光射出部68處的亮度就變?yōu)?2.5(W/mm2),與以往相比可以實現(xiàn)約18倍的高亮度化。另外，每一條光纖的亮度為90(W/mm2)，與以往相比可以實現(xiàn)約9倍的高亮度化。作為構成上述合波激光源的半導體激光器，優(yōu)選具有400nm附近的激發(fā)波長的藍色激光器。使用藍色激光器的話可以將微透鏡陣列128的各微透鏡132的聚光光束收縮。一具有光分布修正機構的聚光光學系統(tǒng)一作為第一實施方式的本實施方式的曝光頭100中，由于上述的聚光光學系統(tǒng)114與桿積分器118所具備的光量分布修正功能不同，將由DMD50調(diào)制了的曝光光束的曝光面上的光量分布以更高的精度均勻化地修正，因此具備使向DMD50照射的激光的照射區(qū)域內(nèi)的光量具有規(guī)定的分布的功能，具體來說，具備對于從光纖陣列光源112中射出的激光，射出在主光線的角度中具有規(guī)定的分布的激光而向DMD50照射的功能。這里，使用圖9對將該在主光線的角度中具有分布的激光向DMD50照射的例子進行說明。而且，所謂主光線(principlemy/chiefray)是指，在光學系統(tǒng)中穿過物體空間的入射光瞳(或孔徑光闌)的中心的光線(即使將孔徑光闌設為最小也不會散射地存在的光線)，廣義地是指斜光線束的中心的光線，這里使用后者的意思。圖9A是示意性地表示向DMD50上照射的激光的主光線的傾斜的圖。如圖9A所示，在向DMD50上的特定的位置P照射的激光LB中，在激光LB的主光線向負(一)側傾斜的情況下，如箭頭一PR所示，主光線向靠近激光的光軸(光軸中心)X的方向傾斜，在向正(+)側傾斜的情況下，如箭頭+PR所示，向遠離激光的光軸X的方向傾斜。圖9B是表示從本實施方式的聚光光學系統(tǒng)114中射出的激光在與距光軸中心的距離對應地在主光線的角度中具有分布的狀態(tài)下向DMD50上的照明區(qū)域照射的例子的圖。如圖9B所示，對于向DMD50上的照明區(qū)域(激光照射區(qū)域)照射的激光的主光線角度的分布，在激光的光軸中心處主光線不傾斜而與光軸平行，隨著從光軸中心向照明區(qū)域的周邊部行進，主光線慢慢地向+側傾斜，并且其傾角慢慢地變大，當?shù)竭_規(guī)定距離YA時，主光線向+側的傾角達到最大(最大傾角A)，當超過規(guī)定距離YA時，則主光線向+側的傾角慢慢地變小，當?shù)竭_照明區(qū)域的周邊端部時，則與光軸中心相同成為沒有主光線的傾斜的分布。通過使激光的主光線的角度中具有此種分布，就可以向DMD50上的照明區(qū)域照射與光軸中心相比提高了周邊部的光密度的激光，即，照射與光軸中心相比提高了周邊部的光亮度的激光。而且，在使激光的主光線角度中具有上述的分布的情況下，由主光線的最大傾角A決定的分布量的大小最好設為周邊部的光量降低量以上，并且設為滿足由曝光面要求的曝光光束的遠心性(主光線與光軸的平行度)的量以下。在本實施方式的曝光頭100的情況下，由于曝光面的曝光光束的周邊部的光量降低主要是由配置于DMD50的光反射側的投影光學系統(tǒng)的微透鏡陣列128(參照圖1)引起的，因此最好將上述的分布量的大小例如設定為因該微透鏡陣列128而產(chǎn)生的周邊部的光量降低量以上。另外，對于規(guī)定距離YA，可以根據(jù)該周邊部的光量降低量及光量降低區(qū)域(修正光量的區(qū)域)適當?shù)卦O定，然而在圖9B所示的例子中，當將從光軸中心到照明區(qū)域的周邊端部(DMD50的外周端部)的距離設為YS時，則設定為YS>YA>YS/2。<曝光裝置的動作>對上述曝光裝置的動作進行說明。該曝光裝置中，當向未圖示的控制器輸入圖像數(shù)據(jù)時，則控制器就會基于所輸入的圖像數(shù)據(jù)，生成驅動控制設于曝光頭100中的DMD50的各微鏡62的控制信號，基于所生成的控制信號來控制DMD50的各微鏡62的反射面的角度。從光纖陣列光源112經(jīng)由聚光光學系統(tǒng)114向DMD50照射的照明光(激光)被與各微鏡62的反射面的角度對應地向規(guī)定方向反射而調(diào)制，調(diào)制了的光束被透鏡系統(tǒng)126放大而向設于微透鏡陣列128中的各個微透鏡132射入聚光。此后，該聚光了的光束由物鏡系統(tǒng)130成像于感光材料134的曝光面上，這樣，由光纖陣列光源112照射的激光就被對每個像素進行開關(調(diào)制)，將感光材料134以與DMD35的使用像素數(shù)大致相同的數(shù)目的像素單位(曝光區(qū))曝光。通常來說，該光束的光量(光強度)分布因透鏡系統(tǒng)的要因而使得光軸的周邊部與中心部相比降低，然而本實施方式的曝光頭100中，為了將從光纖陣列光源112中射出的激光的光量分布均勻化而向DMD50照射，在配置于DMD50的光入射側的光路上的聚光光學系統(tǒng)114中設有桿積分器118。但是，即使利用該桿積分器118，在像本實施方式那樣將各描繪單位利用微透鏡陣列128聚光的系統(tǒng)中，光軸周邊部相對于中心部的光強度降低也變得很明顯，在以更高精度進行圖像曝光的情況下，很難將光量分布修正到所需精度。為了提高該光量分布的修正精度，雖然也可以考慮加長桿積分器118的尺寸，但是由于桿積分器118是非常昂貴的光學部件，因此會有裝置成本上升以及曝光頭mo大型化的缺點。針對于此，本實施方式的曝光頭100中，如前所述，由于將從光纖陣列光源112向聚光光學系統(tǒng)114射入的激光如圖10中的(1)所示那樣，在主光線的角度中具有分布，變成與光軸中心相比提高了周邊部的光亮度的激光而從聚光光學系統(tǒng)114中射出，向DMD50照射，因此DMD50的激光照射區(qū)域中的光量分布如圖10中的(2)所示，與光軸中心相比周邊部的光量得到提高。由此，當利用DMD50對每個像素進行了調(diào)制的光束透過如圖10中的(3)所示那樣具有隨著從光軸中心向周邊部行進而降低光的透過量的特性的微透鏡陣列128向感光材料134的曝光面照射時，則如圖10中的(4)所示，曝光面上的光束的光量分布就被修正為達到均勻化。如上說明所示，第一實施方式的曝光裝置中，在二維地分布的多個像素部中，可以將各描繪單位的光量修正為達到均勻化，進行高精度的圖像另外，即使在組合使用以與光量分布對應地改變DMD50的各微鏡62的驅動時刻的方式驅動控制的技術的情況下，由于各描繪單位的光量被預先修正為達到均勻化，因此可以減輕加在DMD50的驅動控制部上的負載而減少對處理速度的影響，另外可以將電路構成或處理軟件簡化，從而可以壓縮成本。另外，如果是由本實施方式中所用的光學系統(tǒng)(聚光光學系統(tǒng)114)構成的光量分布修正機構，則可以利用簡單并且廉價的構成來實現(xiàn)上述的修正光量分布的機構。[第二實施方式]第二實施方式是如下的技術，即，在上述的第一實施方式的曝光裝置的曝光頭100中，通過在聚光光學系統(tǒng)114中，作為上述光分布修正機構設置具有非球面透鏡的遠心光學系統(tǒng)，而與第一實施方式相同地將曝光面上的光束的光量分布均勻化。該第二實施方式的曝光頭中，例如在聚光光學系統(tǒng)114中作為上述光分布修正機構設置如圖11A所示的由2片一組的平凸透鏡152、154構成的遠心光學系統(tǒng)150，該遠心光學系統(tǒng)150例如配置于桿積分器118與聚光透鏡120之間。平凸透鏡152、154被設為將凸面?zhèn)戎瞥煞乔蛎鏍畹姆乔蛎嫱哥R，是具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變小的(將平行入射光束聚光的凸透鏡那樣的)非球面形狀的第一光學透鏡及具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變大的(將平行入射光束發(fā)散的凹透鏡那樣的)非球面形狀的第二光學透鏡的組合。配置于激光的入射側(光纖陣列光源112側)的平凸透鏡152將入射面S2的面形狀設為曲率半徑隨著遠離光軸(光軸中心)X而變大的非球面，換言之，設為曲面隨著遠離光軸X而變小的非球面，將出射面S3設為平面狀。另外，配置于激光的出射側(DMD50側)的平凸透鏡154將入射面S4設為平面狀，將出射面S5的面形狀設為曲率半徑隨著遠離光軸而變小的非球面，換言之，設為曲率隨著遠離光軸X而變大的非球面。以下，在表1中給出本實施方式的遠心光學系統(tǒng)150的透鏡數(shù)據(jù)的一個例子，在表2中給出本實施方式的入射面S2及出射面S5的非球面數(shù)據(jù)的一個例子。[表l]透鏡數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>另外，上述的非球面數(shù)據(jù)可以用表示非球面形狀的下述式(1)的系數(shù)來表示。[數(shù)1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>上述式(1)中將各系數(shù)如下所示地定義。Z:從處于距離光軸高度h的位置的非球面上的點起向非球面的頂點的切平面(與光軸垂直的平面)下拉的垂線的長度(mm)h:距光軸的距離(mm)(h2=x2+y2)R:曲率半徑(曲率1/R)A:非球面數(shù)據(jù)利用以上的構成，第二實施方式的曝光裝置中，如圖11A所示，從平凸透鏡125中射出的激光LB2中，焦點距離隨著遠離光軸X而變長。這樣，在激光LB2到達平凸透鏡154的入射面S4時，與穿過平凸透鏡152的周邊部的光相比，穿過中央附近的光遠離光軸X的傾向加強。這樣，與透鏡的中央附近相比，周邊部的光亮度提高。另外，由于平凸透鏡154與平凸透鏡152相反，焦點距離隨著遠離光軸X而變短，因此當將這2片平凸透鏡152、154組合時，則可以組成遠心光學系統(tǒng)。這樣，對于從該具有平凸透鏡152、154的遠心光學系統(tǒng)150中平行化地射出的激光LB3的光量分布，光軸周邊部的分布密度相對于中心來說變高，在被照射該激光LB3的DMD50中，激光照射區(qū)域的周邊部的光量與中心部(光軸中心)相比得到增加。圖11B中，表示成為采用了非球面透鏡系統(tǒng)的本實施方式的遠心光學系統(tǒng)150的基礎的球面透鏡系統(tǒng)的遠心光學系統(tǒng)160的光線圖。該遠心光學系統(tǒng)160中，配置于激光(LB1)的入射側的平凸透鏡162的入射面S2'被設為球面，配置于激光(LB3')的出射側的平凸透鏡164的出射面S5，被設為球面，所以，該遠心光學系統(tǒng)160中，從出射面S5'射出的激光LB3'的光量分布就如圖IIB所示，成為從光軸中心到周邊部大致上均等的分布。像這樣，在第二實施方式的非球面透鏡系統(tǒng)(遠心光學系統(tǒng)150)中，從與使用了上述的球面透鏡系統(tǒng)(遠心光學系統(tǒng)160)時的光量分布的比較可知，所射出的激光的光量分布在周邊部的分布密度相對于光軸中心來說提高，周邊部的光量與光軸中心相比得到增加。所以，與第一實施方式相同，即使因由DMD50調(diào)制了的光束透過微透鏡陣列128，而產(chǎn)生周邊部相對于光軸中心部的光量降低，也可以向曝光面照射將光量分布修正為達到均勻化的光束，利用具備該遠心光學系統(tǒng)150的曝光裝置也可以進行高精度的圖像曝光。另外，如上所述，由于從遠心光學系統(tǒng)150中射出的激光被作為遠心光射出而向DMD50照射，因此可以同時實現(xiàn)向DMD50照射的激光的遠心性和由DMD50調(diào)制的光束在曝光面上的光量分布的均勻性兩方面。另外，與第一實施方式相同，第二實施方式如果是由具有2片一組的平凸透鏡152、154(遠心光學系統(tǒng))的聚光光學系統(tǒng)構成的光量分布修正機構，則也可以利用簡單的構成來實現(xiàn)上述的修正光量分布的機構。另外，第二實施方式中，通過使用遠心光學系統(tǒng)150來增加激光的周邊部的光量，則可以抑制曝光中的光利用效率的降低。這樣，由于也可以使從光纖陣列光源112中射出的激光的輸出降低，因此還可以實現(xiàn)光纖陣列光源112的長壽命化、對由高亮度光造成的光學系統(tǒng)的污染/老化的抑制。另外，還可以減少光纖陣列光源112或光學系統(tǒng)的維修次數(shù)，從而可以降低曝光裝置的維修成本。以上雖然利用第一及第二實施方式對曝光工序進行了詳細說明，但是本發(fā)明并不限定于它們，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以實施其他的各種方式。例如，上述曝光裝置中，作為上述光調(diào)制機構，雖然對具備了屬于空間調(diào)制元件的DMD的曝光頭進行了說明，但是除了此種反射型空間光調(diào)制元件以外，也可以使用透過型空間光調(diào)制元件(LCD)。例如，也可以使用MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)類型的空間光調(diào)制元件(SLM;SpecialLightModulator)、利用電光學效應將透過光調(diào)制的光學元件(PLZT元件)、液晶光閘(FLC)等液晶光閘陣列等MEMS類型以外的空間光調(diào)制元件。而且，所謂MEMS是指利用以IC制造工藝為基礎的微細加工技術得到的微米尺寸的傳感器、促動器以及將控制電路集成化了的微細系統(tǒng)的總稱，所謂MEMS類型的空間光調(diào)制元件是指由利用了靜電力的電氣機械動作驅動的空間光調(diào)制元件。另外，也可以使用將GratingLightValve(GLV)排列多個而二維地構成的機構。在這些使用反射型空間光調(diào)制元件(GLV)或透過型空間光調(diào)制元件(LCD)的構成中，除了上述的激光源以外，作為光源也可以使用燈等。另外，作為上述光調(diào)制機構，可以使用具備多個合波激光源的光纖陣列光源、將具備一條將從具有一個發(fā)光點的單一的半導體激光器射入的激光射出的光纖的光纖光源陣列化了的光纖陣列光源、將多個發(fā)光點二維地排列的光源(例如LD陣列、有機EL陣列等)等。<疊層體>作為上述曝光的對象，只要是將在支承體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層層疊于被處理基體上而成的疊層體的感光層，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇。作為上述疊層體，例如也可以是層疊了上述圖案形成材料中的感光層以外的其他的層而成的部分。<圖案形成材料>作為上述圖案形成材料，只要是在支承體上具有感光層，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇。作為上述感光層，沒有特別限制，可以從公知的圖案形成材料中適當?shù)剡x擇，然而例如包含粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑，最好包含適當?shù)剡x擇的其他的成分。另外，作為感光層的層疊數(shù)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如既可以是l層，也可以是2層以上。粘合劑>>作為上述粘合劑，例如優(yōu)選對堿性水溶液是膨脹性的，更優(yōu)選對堿性水溶液是可溶性的。作為對堿性水溶液顯示出膨脹性或溶解性的粘合劑，例如可以優(yōu)選地舉出具有酸性基的粘合劑。作為上述酸性基，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出羧基、磺酸基、磷酸基等，它們當中優(yōu)選羧基。作為具有羧基的粘合劑，例如可以舉出具有羧基的乙烯基共聚物、聚氨酯樹脂、聚酰胺酸樹脂、改性環(huán)氧樹脂等，它們當中，從向涂布溶劑中的溶解性、向堿性顯影液中的溶解性、合成適應性、膜物性調(diào)整的容易度等觀點考慮，優(yōu)選具有羧基的乙烯基共聚物。另外，從顯影性的觀點考慮，還優(yōu)選苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少某種的共聚物。上述具有羧基的乙烯基共聚物可以利用至少(1)具有羧基的乙烯基單體及(2)可以與它們共聚的單體的共聚來獲得。作為這些單體，具體來說，例如可以舉出特開2005—258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。上述感光層中的上述粘合劑的含量沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選為1090質量％，更優(yōu)選為2080質量％，特別優(yōu)選為4080質量％。當上述含量小于10質量％時，則會有堿性顯影性或與印刷布線板形成用基板(例如鍍銅膜疊層板)的密接性降低的情況，當超過90質量％時，則會有相對于顯影時間的穩(wěn)定性、硬化膜(遮蓋膜)的強度降低的情況。而且，上述含量也可以是上述粘合劑與根據(jù)需要并用的高分子粘結劑的合計的含量。在上述粘合劑是具有玻璃化溫度(Tg)的物質的情況下，作為該玻璃化溫度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如從抑制上述圖案形成材料的過粘(tack)及熔邊(edgefosion)以及提高上述支承體的剝離性的至少某個觀點考慮，優(yōu)選為8(TC以上，更優(yōu)選為10(TC以上，特別優(yōu)選為12(TC以上。當上述玻璃化溫度小于8(TC時，則會有上述圖案形成材料的過粘或熔邊增加、上述支承體的剝離性惡化的情況。上述粘合劑的酸值沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選為70250mgKOH/g，更優(yōu)選為90200mgKOH/g，特別優(yōu)選為100180mgKOH/g。當上述酸值小于70mgKOH/g時，則顯影性不足或析像性變差，從而會有無法高精細地獲得布線圖案等永久圖案的情況，當超過250mgKOH/g時，則圖案的耐顯影液性及密接性的至少某種惡化，從而會有無法高精細地獲得布線圖案等永久圖案的情況。<<聚合性化合物>>作為上述聚合性化合物，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如可以優(yōu)選地舉出具有尿烷基及芳基的至少某種的單體或低聚物。另外，它們優(yōu)選具有兩種以上的聚合性基。作為上述聚合性基，例如可以舉出乙烯性不飽和鍵(例如(甲基)丙烯?；?、(甲基)丙烯酰胺基、苯乙烯基、乙烯基酯或乙烯基醚等的乙烯基、烯丙基醚或烯丙基酯等的烯丙基等)、可以聚合的環(huán)狀醚基(例如環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基等)等，它們當中優(yōu)選乙烯性不飽和鍵。一一具有尿烷基的單體一一作為上述具有尿垸基的單體，只要具有尿烷基，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出特開2005—258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。一一具有芳基的單體一一作為上述具有芳基的單體，只要具有芳基，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出具有芳基的多元醇化合物、多元胺化合物及多元氨基醇化合物的至少某種與不飽和羧酸的酯或酰胺等。具體來說，例如可以舉出特開2005—258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。一一其他的聚合性單體一一本發(fā)明的圖案形成方法中，在不使作為上述圖案形成材料的特性惡化的范圍中，也可以并用上述含有尿烷基的單體、具有芳基的單體以外的聚合性單體。作為上述含有尿垸基的單體、含有芳香環(huán)的單體以外的聚合性單體，例如可以舉出不飽和羧酸(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、異巴豆酸、馬來酸等)與脂肪族多元醇化合物的酯、不飽和羧酸與多元胺化合物的酰胺等。具體來說，例如可以舉出特開2005—258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。上述感光層中的聚合性化合物的含量例如優(yōu)選為590質量％，更優(yōu)選為1560質量％，特別優(yōu)選為2050質量％。當上述含量小于5質量％時，則會有遮蓋膜的強度降低的情況，當超過90質量％時，則會有保存時的熔邊(從輥端部滲出的故障)惡化的情況。另外，在聚合性化合物中具有2個以上上述聚合性基的多官能單體的含量優(yōu)選為5100質量％，更優(yōu)選為20100質量％，特別優(yōu)選為40100質量％。光聚合引發(fā)劑>>作為上述光聚合引發(fā)劑，只要是具有引發(fā)上述聚合性化合物的聚合的能力，就沒有特別限制，可以從公知的光聚合引發(fā)劑中適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選對從紫外線區(qū)域到可見的光線具有感光性的材料，既可以是與被光激發(fā)的敏化劑產(chǎn)生某種作用，生成活性自由基的活化劑，也可以是與單體的種類對應地引發(fā)陽離子聚合的引發(fā)劑。另外，上述光聚合引發(fā)劑優(yōu)選含有至少一種在波長約300800nm的范圍內(nèi)具有至少約為50的分子吸光系數(shù)的成分。上述波長特別優(yōu)選330500nm。作為上述光聚合引發(fā)劑，例如可以舉出鹵化烴衍生物(例如具有三嗪骨架的物質、具有噁二唑骨架的物質等)、六芳基聯(lián)咪唑、肟衍生物、有機過氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鑰鹽、芳環(huán)烯金屬衍生物類等。它們當中，從感光層的靈敏度、保存性及感光層與印刷布線板形成用基板的密接性等觀點考慮，優(yōu)選具有三嗪骨架的鹵化烴、肟衍生物、酮化合物、六芳基聯(lián)咪唑系化合物。作為上述優(yōu)選的光聚合引發(fā)劑，具體來說，例如可以舉出特開2005一258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。上述感光層中的光聚合引發(fā)劑的含量優(yōu)選為0.130質量％，更優(yōu)選為0.520質量％，特別優(yōu)選為0.515質量％。其他的成分》作為上述其他的成分，例如舉出特開2005—258431號公報的段落編號中所記載的化合物等。通過適當?shù)睾羞@些成分，就可以調(diào)整所需的圖案形成材料的穩(wěn)定性、照片性、烘干性、膜物性等性質。上述感光層的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選為l100um，更優(yōu)選為250"m，特別優(yōu)選為430iim。[圖案形成材料的制造]上述圖案形成材料例如可以如下所示地制造。首先，將上述的各種材料溶解、乳化或分散于水或溶劑中，配制感光性樹脂組合物溶液。作為上述感光性樹脂組合物溶液的溶劑，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、仲丁醇、正己醇等醇類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、二異丁基酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸正戊酯、硫酸甲酯、丙酸乙酯、酞酸二甲酯、苯甲酸乙酯及甲氧基丙基乙酸酯等酯類；甲苯、二甲苯、苯、乙基苯等芳香族烴類；四氯化碳、三氯乙烯、氯仿、1,1，l一三氯乙烷、二氯甲烷、單氯苯等鹵化烴類；四氫呋喃、二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、l一甲氧基一2—丙醇等醚類；二甲替甲酰胺、二甲替乙酰胺、二甲亞砜、環(huán)丁砜等。它們既可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。另外，也可以添加公知的表面活性劑。然后，通過將上述感光性樹脂組合物溶液涂布于支承體上，將其千燥，就可以形成感光層，制成圖案形成材料。作為上述感光性樹脂組合物溶液的涂布方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出噴霧法、輥涂法、旋轉涂布法、狹縫涂布法、擠涂法、淋涂法、模具涂布法、照相凹版涂布法、線錠涂布法、刮刀涂布法等各種涂布方法。作為上述千燥的條件，雖然根據(jù)各成分、溶劑的種類、使用比例等而不同，然而通常來說是在6011(TC的溫度下30秒15分鐘左右?！吨С畜w》作為上述支承體，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而優(yōu)選能夠將上述感光層剝離并且光的透過性良好的材料，更優(yōu)選表面的平滑性也良好。上述支承體優(yōu)選合成樹脂制且透明的材料，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、三乙酸纖維素、二乙酸纖維素、聚(甲基)丙烯酸烷基酯、聚(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯乙烯、賽璐玢、聚偏氯乙烯共聚物、聚酰胺、聚酰亞胺、氯乙烯'乙酸乙烯酯共聚物、聚四氟乙烯、聚三氟乙烯、纖維素系薄膜、尼龍薄膜等各種塑料薄膜，它們當中，特別優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二醇酯。它們既可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。上述支承體的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選為2150um，更優(yōu)選為5100mm，特別優(yōu)選為850wm。上述支承體的形狀沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為長條狀。上述長條狀的支承體的長度沒有特別限制，例如可以舉出1020，OOOm的長度。保護膜》上述圖案形成材料也可以在上述感光層上形成保護膜。作為上述保護膜，例如可以舉出在上述支承體中所用的材料、紙、層壓了聚乙烯、聚丙烯的紙等，它們當中，優(yōu)選聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜。上述保護膜的厚度沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如優(yōu)選為5100um，更優(yōu)選為850mm，特別優(yōu)選為1030um。在使用上述保護膜的情況下，上述感光層及上述支承體的粘接力A與上述感光層及保護膜的粘接力B優(yōu)選為粘接力A〉粘接力B的關系。作為上述支承體與保護膜的組合(支承體/保護膜)，例如可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯/聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯/聚乙烯、聚氯乙烯/賽璐玢、聚酰亞胺/聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯/聚萘二甲酸乙二醇酯等。另外，通過對支承體及保護膜的至少某方進行表面處理，就可以滿足如上所述的粘接力的關系。上述支承體的表面處理也可以為了提高與上述感光層的粘接力而實施，例如可以舉出底涂層的涂設、電暈放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、高頻照射處理、輝光放電照射處理、活性等離子體照射處理、激光線照射處理等。另外，上述支承體與上述保護膜的靜摩擦系數(shù)優(yōu)選為0.31.4，更優(yōu)選為0.51.2。當上述靜摩擦系數(shù)小于0.3時，則由于過滑，因此在制成巻筒狀的情況下會有產(chǎn)生巻滑移的情況，當超過1.4時，則會有難以巻繞成良好的巻筒狀的情況。上述圖案形成材料例如最好巻繞在圓筒狀的巻芯上，以長條狀巻繞成巻筒狀而保管。上述長條狀的圖案形成材料的長度沒有特別限制，例如可以從1020，OOOm的范圍中適當?shù)剡x擇。另外，為了使用戶容易使用，也可以進行切割加工，將1001，OOOm的范圍的長條狀制成巻筒狀。而且，該情況下，最好以使上述支承體處于最外側的方式巻繞。另外，也可以將上述巻筒狀的圖案形成材料以薄片狀切割。在保管之時，從對端面的保護、防止熔邊的觀點考慮，最好在端面設置隔膜(特別是防濕性的隔膜、加入干燥劑的隔膜)，另外包裝也優(yōu)選使用透濕性低的材料。為了調(diào)整上述保護膜與上述感光層的粘接性，上述保護膜也可以進行表面處理。上述表面處理例如可以在上述保護膜的表面形成由聚有機硅氧烷、氟化聚烯烴、聚氟乙烯、聚乙烯醇等聚合物制成的底涂層。該底涂層的形成可以通過在將上述聚合物的涂布液涂布于上述保護膜的表面后，在30150°C(特別優(yōu)選5012(TC)下干燥130分鐘來形成。另外，除了上述感光層、上述支承體、上述保護膜以外，也可以具有剝離層、粘接層、光吸收層、表面保護層等層。<被處理基體>作為上述被處理基體(以下有時稱作「基體」)，沒有特別限制，可以從公知的材料中適當?shù)剡x擇從表面平滑性高的材料到具有凹凸表面的材料，然而優(yōu)選板狀的基體(基板)，具體來說，可以舉出公知的印刷布線板形成用基板(例如鍍銅膜疊層板)、玻璃板(例如鈉玻璃板等)、合成樹脂性的薄膜、紙、金屬板等。上述基體可以制成在該基體上重合上述圖案形成材料中的感光層地層疊而成的疊層體來使用。即，通過對上述疊層體中的圖案形成材料的上述感光層進行曝光，可以將曝光了的區(qū)域硬化，利用后述的顯影工序就可以形成圖案。上述圖案形成材料可以作為印刷布線板、濾色片或柱材、加強筋材料、間隔物、隔壁等顯示器用構件、全息照相、微型機器、校樣(proof)等圖案形成用途廣泛地使用，尤其可以適用于本發(fā)明的圖案形成方法中。[其他的工序]作為上述其他的工序，沒有特別限制，可以舉出從公知的圖案形成的工序中適當?shù)剡x擇的工序，例如可以舉出顯影工序、蝕刻工序、鍍膜工序等。它們既可以單獨使用，也可以并用兩種以上。上述顯影工序是在利用上述曝光工序將上述感光層曝光，使該感光層的曝光了的區(qū)域硬化后，通過將未硬化區(qū)域除去，而形成圖案的工序。作為上述未硬化區(qū)域的除去方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出使用顯影液來除去的方法等。作為上述顯影液，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以舉出堿性水溶液、水系顯影液、有機溶液等，它們當中，優(yōu)選弱堿性的水溶液。作為該弱堿性水溶液的堿成分，例如可以舉出氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、磷酸鈉、磷酸鉀、焦磷酸鈉、焦磷酸鉀、硼砂等。上述弱堿性的水溶液的pH例如優(yōu)選約812，更優(yōu)選約911。作為上述弱堿性的水溶液，例如可以舉出0.15質量％的碳酸鈉水溶液或碳酸鉀水溶液等。上述顯影液的溫度可以與上述感光層的顯影性匹配地適當選擇，然而例如優(yōu)選約25"C40'C。上述顯影液也可以與表面活性劑、消泡劑、有機堿(例如乙二胺、乙醇胺、氫氧化四甲基銨、二亞乙基三胺、三亞乙基五胺、嗎啉、三乙醇胺等)、用于促進顯影的有機溶劑(例如醇類、酮類、酯類、醚類、酰胺類、內(nèi)酯類等)等并用。另外，上述顯影液既可以是將水或堿性水溶液與有機溶劑混合了的水系顯影液，也可以是單獨的有機溶劑。作為上述蝕刻工序，可以利用從公知的蝕刻處理方法中適當?shù)剡x擇的方法來進行。作為上述蝕刻處理中所用的蝕刻液，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，然而例如在上述金屬層由銅形成的情況下，可以舉出氯化銅溶液、氯化鐵溶液、堿性蝕刻溶液、過氧化氫系蝕刻液等，它們當中，從蝕刻因子的方面考慮，優(yōu)選氯化鐵溶液。通過在利用上述蝕刻工序進行蝕刻處理后將上述圖案除去，就可以在上述基體的表面形成永久圖案。作為上述永久圖案，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如可以優(yōu)選地舉出布線圖案。作為上述鍍膜工序，可以利用從公知的鍍膜處理中適當?shù)剡x擇的方法來進行。作為上述鍍膜處理，例如可以舉出硫酸銅鍍膜、焦磷酸銅鍍膜等銅鍍膜、高流動性焊接鍍膜(highflowsolderplating)等焊鍍、瓦特浴(硫酸鎳一氯化鎳)鍍膜、氨基磺酸鎳等鎳鍍膜、硬金鍍膜、軟金鍍膜等金鍍膜等處理。通過在利用上述鍍膜工序進行鍍膜處理后將上述圖案除去，另外通過根據(jù)需要利用蝕刻處理等將不需要部分除去，就可以在上述基體的表面形成永久圖案。本發(fā)明的圖案形成方法因減輕形成于上述圖案形成材料的被曝光面上的上述圖案的析像度的不均或濃度的不均，抑制所成像的像的失真，而可以高精細并且效率良好地形成圖案，所以可以適用于需要高精細的曝光的各種圖案的形成等中，特別適用于高精細的布線圖案的形成中。[印刷布線板的制造方法]本發(fā)明的圖案形成方法可以適用于印刷布線板的制造，尤其適用于具有通孔(throughhole)或導電孔(viahole)等孔部的印刷布線板的制造。以下將對利用本發(fā)明的圖案形成方法的印刷布線板的制造方法進行說明。特別是作為具有通孔或導電孔等孔部的印刷布線板的制造方法，可以通過進行如下步驟來形成圖案，即，(1)在作為上述基體的具有孔部的印刷布線板形成用基板上，將上述圖案形成材料以使其感光層成為上述基體側的位置關系層疊而形成疊層體，(2)從上述疊層體的與上述基體相反一側開始，向布線圖案形成區(qū)域及孔部形成區(qū)域進行光照射而將感光層硬化，(3)從上述疊層體上除去上述圖案形成材料中的支承體，(4)將上述疊層體中的感光層顯影，將該疊層體中的未硬化部分除去。.而且，上述(3)的上述支承體的除去也可以不是在上述(2)與上述(4)之間進行，而是在上述(1)與上述(2)之間進行。其后，為了獲得印刷布線板，只要使用上述所形成的圖案，對上述印刷布線板形成用基板利用蝕刻處理或鍍膜處理的方法(例如公知的減去法或添加法(例如半添加法、全添加法))進行處理即可。它們當中，為了利用在工業(yè)上有利的遮蓋法(tenting)形成印刷布線板，優(yōu)選上述減去法。通過將上述處理后殘存于印刷布線板形成用基板上的硬化樹脂剝離，另外，在上述半添加法的情況下，通過在剝離后又對銅薄膜部進行蝕刻，就可以制造所需的印刷布線板。另外，多層印刷布線板也可以與上述印刷布線板的制造方法相同地制造。下面，對使用了上述圖案形成材料的具有通孔的印刷布線板的制造方法進行進一步說明。首先，準備具有通孔而將表面用金屬鍍層覆蓋了的印刷布線板形成用基板。作為上述印刷布線板形成用基板，例如可以使用鍍銅膜疊層基板及在玻璃一環(huán)氧樹脂等絕緣基材上形成了銅鍍層的基板或在這些基板上層疊了層間絕緣膜并形成了銅鍍層的基板(疊層基板)。然后，在上述圖案形成材料上具有保護膜的情況下，將該保護膜剝離，以使上述圖案形成材料的感光層與上述印刷布線板形成用基板的表面接觸的方式使用加壓輥壓接(層疊工序)。這樣，就可以得到依次具有上述印刷布線板形成用基板和上述疊層體的疊層體。上述圖案形成材料的層疊溫度沒有特別限制，例如可以舉出室溫G53(TC)或加熱下(30180°C)，它們當中，優(yōu)選加溫下(60140。C)。上述壓接輥的輥壓力沒有特別限制，例如優(yōu)選0.1lMPa。上述壓接的速度沒有特別限制，優(yōu)選l3m/分鐘。另外，也可以對上述印刷布線板形成用基板進行預熱，另外，也可以在減壓下進行。上述疊層體的形成除了在上述印刷布線板形成用基板上層疊上述圖案形成材料的上述感光層而形成的方法以外，也可以是如下的方法，艮P，將用于制造上述圖案形成材料的感光層的感光性樹脂組合物溶液直接涂布于上述印刷布線板形成用基板的表面，通過將其干燥而形成。然后，從上述疊層體的與基體相反一側的面照射光而將感光層硬化。而且，此時，也可以根據(jù)需要(例如在支承體的光透過性不足等情況下)在將支承體剝離后進行曝光。在該時刻，在尚未將上述支承體剝離的情況下，從上述疊層體上將該支承體剝離(支承體剝離工序)。然后，將上述印刷布線板形成用基板上的感光層的未硬化區(qū)域用適當?shù)娘@影液溶解除去，形成布線圖案形成用的硬化層和通孔的金屬層保護用硬化層的圖案，在上述印刷布線板形成用基板的表面露出金屬層(顯影工序)。另外，也可以在顯影后根據(jù)需要利用后加熱處理或后曝光處理進行進一步促進硬化部的硬化反應的處理。顯影既可以是如上所述的濕式顯影法，也可以是干式顯影法。然后，將在上述印刷布線板形成用基板的表面露出的金屬層用蝕刻液溶解除去(蝕刻工序)。通孔的開口部由于被硬化樹脂組合物(遮蓋膜)覆蓋，因此不會有蝕刻液進入通孔內(nèi)而將通孔內(nèi)的金屬鍍膜腐蝕的情況，通孔的金屬鍍膜將會以規(guī)定的形狀殘留。這樣，就可以在上述印刷布線板形成用基板上形成布線圖案。作為上述蝕刻液，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當?shù)剡x擇，例如，在上述金屬層由銅制成的情況下，可以舉出氯化銅溶液、氯化鐵溶液、堿性蝕刻溶液、過氧化氫系蝕刻液等。它們當中，從蝕刻因子的觀點考慮，優(yōu)選氯化鐵溶液。然后，將上述硬化層作為剝離片，用強堿性水溶液等從上述印刷布線板形成用基板上除去(硬化物除去工序)。作為上述強堿性水溶液中的堿成分，沒有特別限制，例如可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀等。上述強堿性水溶液的pH例如優(yōu)選約1214，更優(yōu)選約1314。作為上述強堿性水溶液，沒有特別限制，例如可以舉出110質量％的氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液等。另外，印刷布線板也可以是多層構成的印刷布線板。而且，上述圖案形成材料不僅可以用于上述的蝕刻工藝中，也可以用于鍍膜工藝中。作為上述鍍膜法，例如可以舉出硫酸銅鍍膜、焦磷酸銅鍍膜等銅鍍膜、高流動性焊接鍍膜等焊鍍、瓦特浴(硫酸鎳—氯化鎳)鍍膜、氨基磺酸鎳等鎳鍍膜、硬金鍍膜、軟金鍍膜等金鍍膜等處理。實施例下面，將利用實施例對本發(fā)明進行更為具體的說明，然而本發(fā)明并不限定于它們。(實施例1)一圖案形成材料的制造一作為上述支承體在20ym厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，涂布由下述的組成構成的感光性樹脂組合物溶液并將其干燥，形成15ym厚的感光層，制成上述圖案形成材料。[感光性樹脂組合物溶液的組成]甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物(共聚物組成(質量比):29/19/52，質均分子量60，000，酸值189)11.8質量份以下述結構式(1)表示的聚合性單體5.6質量份六亞甲基二異氰酸酯與五環(huán)氧乙垸單甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比加成物5.0質量份十二丙甘醇二甲基丙烯酸酯0.56質量份.N—甲基喹吖啶酮0.11質量份2，2—雙(鄰氯苯基)一4，4，，5，5'—四苯基聯(lián)咪唑2.17質量份2—巰基苯并咪唑0.23質量份孔雀石綠草酸鹽0.02質量份無色結晶紫0.26質量份甲乙酮40質量份l一甲氧基一2—丙醇20質量份[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>結構式(1)其中，結構式(1)中，m+n表示10。在上述圖案形成材料的感光層之上，作為上述保護膜層疊20um厚的聚乙烯薄膜。然后，作為上述基體，在將表面研磨、水洗、干燥了的鍍銅膜疊層板(無通孔，銅厚度12um)的表面，在將上述圖案形成材料的保護膜剝離的同時，以使該圖案形成材料的感光層與上述鍍銅膜疊層板接觸的方式使用層壓機(MODEL8B—720—PH，大成層壓機(株)制)進行壓接，制成了將上述鍍銅膜疊層板、上述感光層、上述聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支承體)等依次層疊了的疊層體。壓接條件設為壓接輥溫度105°C，壓接輥壓力0.3MPa，層壓速度lm/分鐘。對上述所制成的疊層體的圖案形成材料的感光層使用下述裝置進行曝光，利用以下的方法評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。<(a)析像度>(1)最短顯影時間的測定方法從上述疊層體上剝除上述支承體，在鍍銅膜疊層板上的上述感光層的全面以0.15MPa的壓力噴涂3(TC的1質量％碳酸鈉水溶液，測定從碳酸鈉水溶液的噴涂開始到鍍銅膜疊層板上的感光層被溶解除去所需的時間，將其作為最短顯影時間。其結果是，上述最短顯影時間為IO秒。(2)靈敏度的測定對上述所制成的疊層體的圖案形成材料的感光層，從上述支承體側使用以下所說明的曝光裝置以21/2倍間隔照射從0.1mJ/cr^到100mJ/cm2的光能量不同的光，將上述感光層的一部分的區(qū)域硬化。在室溫下靜置10分鐘后，從上述疊層體上剝除上述支承體，在鍍銅膜疊層板上的感光層的全面，以0.15MPa的噴涂壓力噴涂上述(1)中所求得的最短顯影時間的2倍的時間的3(TC的1質量％碳酸鈉水溶液，將未硬化的區(qū)域溶解除去，測定了殘存的硬化區(qū)域的厚度。然后，將光的照射量與硬化層的厚度的關系繪圖而得到靈敏度曲線。根據(jù)該靈敏度曲線，將硬化區(qū)域的厚度達到與曝光前的感光層相同的15um時的光能量作為為了將感光層硬化而必需的光能量。其結果是，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為3.5mJ/cm2。<<曝光裝置>>使用了具備如下的曝光頭的曝光裝置，其具有作為上述光照射機構的圖4A圖8中所示的合波激光源；作為上述光調(diào)制機構的圖2中給出概略圖的DMD,在主掃描方向上排列了1024個微鏡的微鏡列在副掃描方向上被排列了768組，該DMD以僅驅動其中的1024個X256列的方式控制；圖l所示的光學系統(tǒng)。上述曝光頭中，聚光光學系統(tǒng)與桿積分器118所具備的光量分布修正功能不同，具備對于從光纖陣列光源射入的激光射出在主光線的角度中具有規(guī)定的分布的激光而向DMD照射的功能。另外，光量分布量的大小設定為因微透鏡陣列而產(chǎn)生的周邊部的光量降低量以上，對于距圖9B所示的光軸中心的規(guī)定距離YA，當將從光軸中心到照明區(qū)域的周邊端部(DMD的外周端部)的距離設為YS時，則設定為YS>YA>YS/2。(3)析像度的測定用與上述(1)的最短顯影時間的評價方法相同的方法及條件制作上述疊層體，在室溫(23°C，55%RH)下靜置10分鐘。從所得的疊層體的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支承體)上，使用上述曝光裝置，以行/空隙=1/1的方式以lPm刻度進行各線寬的曝光，直至行寬度為10iim50iim。此時的曝光量是上述(2)中所測定的為了將上述圖案形成材料的感光層硬化而必需的光能量。在室溫下靜置10分鐘后，從上述疊層體上剝除聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支承體)。向鍍銅膜疊層板上的感光層的全面，以0.15MPa的噴涂壓力噴涂上述(1)中所求得的最短顯影時間的2倍的時間的30'C的1質量％碳酸鈉水溶液，將未硬化的區(qū)域溶解除去。利用光學顯微鏡觀察如此得到的帶有硬化樹脂圖案的鍍銅膜疊層板的表面，對硬化樹脂圖案的行測定沒有阻塞、扭曲等異常并且可以形成空隙的最小的行寬度，將其作為析像度。該析像度的數(shù)值越小越好。<(b)邊緣粗糙度>對上述疊層體，使用上述曝光裝置以形成與上述曝光頭的掃描方向正交的方向的橫線圖案的方式照射而曝光，與上述析像度的測定中的(3)相同地將上述感光層的一部分的區(qū)域制成圖案。對所得的圖案中的行寬度為30ym的行的任意的5個部位，使用激光顯微鏡(VK—9500，Kyence(株)制，物鏡50倍)進行觀察，作為絕對值求得視野內(nèi)的邊緣位置中的最為鼓起的部位(山頂部)與最為凹陷的部位(谷底部)的差，算出所觀察的5個部位的平均值，將其作為邊緣粗糙度。由于該邊緣粗糙度的值越小，則顯示出越為良好的性能，因此優(yōu)選。將結果表示于表3中。<(c)蝕刻性>使用在上述析像度的測定中形成的具有圖案的上述疊層體，對該疊層體的露出的鍍銅膜疊層板的表面，以0.25MPa噴涂36秒氯化鐵蝕刻劑(含氯化鐵的蝕刻溶液，40°玻美，液溫40'C)，通過將未被硬化層覆蓋的露出的區(qū)域的銅層溶解除去，而進行了蝕刻處理。然后，通過噴涂2質量％的氫氧化鈉水溶液而將上述所形成的圖案除去，制成在表面作為上述永久圖案具備銅層的布線圖案的印刷布線板。利用光學顯微鏡觀察該印刷布線板上的布線圖案，測定該布線圖案的最小的行寬度。該最小行寬度越小，意味著可以得到越為高精細的布線圖案，在蝕刻性方面越為優(yōu)良。將結果表示于表3中。(實施例2)除了在實施例l中，將曝光裝置替換為下述說明中的裝置以外，與實施例l相同地形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。<<曝光裝置>>使用了具備如下的曝光頭的曝光裝置，其具有作為上述光照射機構的圖4A圖8中所示的合波激光源；作為上述光調(diào)制機構的圖2中給出概略圖的DMD，在主掃描方向上排列了1024個微鏡的微鏡列在副掃描方向上被排列了768組，該DMD以僅驅動其中的1024個X256列的方式控制；圖1所示的光學系統(tǒng)。在圖1所示的上述曝光頭的桿積分器118與聚光透鏡120之間，作為上述光分布修正機構，設有如圖11A所示的由2片一組的平凸透鏡152、154構成的遠心光學系統(tǒng)150。配置于激光的入射側(光纖陣列光源112側)的平凸透鏡152的入射面S2的面形狀被制成曲率半徑隨著遠離光軸(光軸中心)X而變大的非球面，換言之，被制成曲率隨著遠離光軸X而變小的非球面，出射面S3被制成平面狀。另外，配置于激光的出射側(DMD50偵O的平凸透鏡154的入射面S4被制成平面狀，出射面S5的面形狀被制成曲率半徑隨著遠離光軸X而變小的非球面，換言之，被制成曲率隨著遠離光軸X而變大的非球面。通過使用該曝光裝置，從上述遠心光學系統(tǒng)150中平行化地射出的激光束的光量分布在周邊部的分布密度相對于光軸中心來說變高，被照射了該激光束的DMD50中，與激光照射區(qū)域的中心部(光軸中心)相比，周邊部的光量得到增加。其后，因激光束透過微透鏡陣列128，產(chǎn)生相對于光軸中心部的周邊部的光量降低，而可以向曝光面照射將光量分布修正為達到均勻化的光束。(實施例3)除了在實施例1中，將感光性樹脂組合物溶液的六亞甲基二異氰酸酯與五環(huán)氧乙烷單甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比加成物替換為以下述結構式(2)表示的化合物以外，與實施例1相同地制成圖案形成材料及疊層體，形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。而且，最短顯影時間為10秒，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為3.5mJ/cm2。[化2](，^NHC。鄰H2C,礦C^""/QvN力O結構式(2)(實施例4)除了在實施例1中，將感光性樹脂組合物溶液的六亞甲基二異氰酸酯與五環(huán)氧乙垸單甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比加成物替換為以下述結構式(3)表示的化合物以外，與實施例l相同地制成圖案形成材料及疊層體，形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。而且，最短顯影時間為10秒，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為3.5mJ/cm2。[化3]Et—2OCH2CHpCO,-{CH2)rINHCCKHCH2CH20〗8CO結構式(3)(實施例5)除了在實施例1中，將甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物(共聚物組成(質量比)29/19/52，質均分子量60，000，酸值189)替換為甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸節(jié)酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚物組成(質量比)8/30/37/25，質均分子量60，000，酸值163)以外，與實施例l相同地制成圖案形成材料及疊層體，形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。而且，最短顯影時間為10秒，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為4mJ/cm2。(比較例1)除了在實施例1的曝光裝置中，在聚光光學系統(tǒng)中使用了不具備光分布修正機構的構成的曝光頭以外，與實施例l相同地制成圖案形成材料及疊層體，形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。而且，最短顯影時間為10秒，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為3.5mJ/cm2。(比較例2)除了在實施例2的曝光裝置中，在聚光光學系統(tǒng)中使用了不具備光分布修正機構的構成的曝光頭以外，與實施例2相同地制成圖案形成材料及疊層體，形成圖案，評價了(a)析像度、(b)邊緣粗糙度及(c)蝕刻性。將結果表示于表3中。而且，為了將上述感光層硬化而必需的光能量為3.5mJ/cm2。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>根據(jù)表3的結果可知，與比較例l及2的布線圖案相比，使用了具備光分布修正機構的曝光頭的實施例15的布線圖案更為高精細，邊緣粗糙度更小，另外，蝕刻性更為優(yōu)良。另外可知，通過使用具備了光分布修正機構的曝光頭，可以用低成本實現(xiàn)高精細的曝光，另外可以進行效率優(yōu)良的曝光。工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的圖案形成方法由于可以提供如下的圖案形成方法，即，在使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光中，可以在壓縮成本的同時，通過將二維地分布的各描繪單位的光量均勻化，而高精度地形成微細的圖案，因此可以適用于需要高精細的曝光的各種圖案的形成等中，特別可以適用于高精細的布線圖案的形成中。權利要求1.一種圖案形成方法，其特征是，至少包括如下操作在被處理基體上層疊了在支承體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層后，將從光照射機構中射出的光束經(jīng)由具有光分布修正機構的聚光光學系統(tǒng)，向具有n個(其中n為1以上的自然數(shù))二維排列的描素部并與圖案信息對應地使上述每個描素部改變光調(diào)制狀態(tài)的光調(diào)制機構照射，將被上述光調(diào)制機構調(diào)制的光束向該感光層照射而進行曝光，該曝光如下進行，即，使從上述光照射機構向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量中具有分布，由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光束的光量分布被修正為在上述感光層的被曝光面上達到均勻化。2.根據(jù)權利要求1所述的圖案形成方法，其中，將從光照射機構中射出的光束利用聚光光學系統(tǒng)作為在主光線的角度中具有分布的光束向光調(diào)制機構照射。3.根據(jù)權利要求1所述的圖案形成方法，其中，將從光照射機構中射出的光束利用聚光光學系統(tǒng)作為遠心光向光調(diào)制機構照射。4.根據(jù)權利要求3所述的圖案形成方法，其中，聚光光學系統(tǒng)具有光分布修正機構，該光分布修正機構由具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變小的非球面形狀的第一光學透鏡、和具有透鏡光學能力隨著遠離光軸中心而變大的非球面形狀的第二光學透鏡構成。5.根據(jù)權利要求14中任意一項所述的圖案形成方法，其中，聚光光學系統(tǒng)在由光照射機構向光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)，使周邊部的光量與中心部相比增加。6.根據(jù)權利要求15中任意一項所述的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機構為空間光調(diào)制元件。7.根據(jù)權利要求16中任意一項所述的圖案形成方法，其中，在進行了曝光后，進行感光層的顯影。8.根據(jù)權利要求17中任意一項所述的圖案形成方法，其中，在進行了顯影后，進行永久圖案的形成。9.根據(jù)權利要求8所述的圖案形成方法，其中，永久圖案為布線圖案，該永久圖案的形成是利用蝕刻處理及鍍膜處理中的至少一種來進行的。10.根據(jù)權利要求19中任意一項所述的圖案形成方法，其中，光照射機構可以將兩條以上的光合成而照射。11.根據(jù)權利要求110中任意一項所述的圖案形成方法，其中，光照射機構具有多個激光器、多模光纖、將從該多個激光器中分別照射的激光束平行光化而聚光并會聚于上述多模光纖的入射端面的光源聚光光學系統(tǒng)。12.根據(jù)權利要求111中任意一項所述的圖案形成方法，其中，感光層包含粘合劑、聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑。13.根據(jù)權利要求12所述的圖案形成方法，其中，粘合劑具有酸性基。14.根據(jù)權利要求1213中任意一項所述的圖案形成方法，其中，粘合劑為乙烯基共聚物。15.根據(jù)權利要求1214中任意一項所述的圖案形成方法，其中，粘合劑的酸值為70250mgKOH/g。16.根據(jù)權利要求1215中任意一項所述的圖案形成方法，其中，聚合性化合物包含具有尿垸基及芳基中的至少一種的單體。17.根據(jù)權利要求1216中任意一項所述的圖案形成方法，其中，光聚合引發(fā)劑包含選自鹵化烴衍生物、六芳基聯(lián)咪唑、肟衍生物、有機過氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族錄鹽及芳環(huán)烯金屬衍生物類中的至少一種。18.根據(jù)權利要求117中任意一項所述的圖案形成方法，其中，感光層含有1090質量％的粘合劑，含有590質量％的聚合性化合物。19.根據(jù)權利要求118中任意一項所述的圖案形成方法，其中，感光層的厚度為1100lim。20.根據(jù)權利要求119中任意一項所述的圖案形成方法，其中，支承體含有合成樹脂，并且是透明的。21.根據(jù)權利要求120中任意一項所述的圖案形成方法，其中，支承體是長條狀的。22.根據(jù)權利要求121中任意一項所述的圖案形成方法，其中，圖案形成材料是長條狀的，被巻繞成巻筒狀。23.根據(jù)權利要求122中任意一項所述的圖案形成方法，其中，在圖案形成材料的感光層上形成保護膜。全文摘要本發(fā)明提供一種圖案形成方法，其在使用了具備將描繪單位二維地分布的曝光頭的數(shù)字曝光裝置的曝光中，可以在壓縮成本的同時，通過將各描繪單位的光量均勻化，而高精度地形成微細的圖案。為此，至少包括如下操作對該感光層經(jīng)由具有光分布修正機構的聚光光學系統(tǒng)照射從光照射機構中射出的光束而進行曝光，該光束被上述光調(diào)制機構調(diào)制，該曝光如下進行，即，使從上述光照射機構向上述光調(diào)制機構照射的光束的照射區(qū)域內(nèi)的光量中具有分布，由上述光調(diào)制機構調(diào)制了的光束的光量分布被修正為在上述感光層的被曝光面上達到均勻化。文檔編號G03F7/20GK101218545SQ20068002448公開日2008年7月9日申請日期2006年6月16日優(yōu)先權日2005年7月7日發(fā)明者岡崎洋二,大森利彥,小森一樹,石川弘美,高島正伸申請人:富士膠片株式會社