專利名稱：：中間轉印體、中間轉印體的制造方法以及具有中間轉印體的圖像形成裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在電子復印機、激光打印機、傳真機等電子照相裝置和靜電記錄裝置中，合成彩色圖像用的各種顏色的調色劑圖像并進行轉印用的中間轉印體，和具有中間轉印體的圖像形成裝置。
背景技術：
：一直以來，作為在記錄材料上轉印電子照相感光體(以下，簡稱為感光體)上的調色劑圖像的方式，已知有使用中間轉印體的圖像形成方式，該方式在將調色劑圖像從電子照相感光體轉印至記錄材料的工序中，加入另一個轉印工序，即從電子照相感光體一次轉印至中間轉印體后，將中間轉印體的一次轉印像二次轉印至記錄材料，并得到最終圖像。該方式多被采用于，使用由黑色、青色、品紅、黃色等調色劑進行減色混合而再現色彩分解的原稿圖像，即所謂全色圖像形成裝置中的各色調色劑圖像的多重轉印方式。然而，在使用該中間轉印體的多重轉印方式中，由于加入了一次轉印和二次轉印這樣的雙重轉印，以及將四色的調色劑在轉印體上重合，因此伴隨有調色劑圖像的轉印不良而容易產生圖像不良。通常，對于調色劑的轉印不良，已知有通過使用二氧化硅等外添加劑對調色劑表面進行表面處理，從而提高轉印效率。然而，由于接受來自顯影裝置內部的調色劑攪拌部件的應力，或接受來自用于在顯影輥形成調色劑層的控制刮刀的應力，以及在感光體和顯影輥之間所受到的應力等，而導致二氧化硅從調色劑表面脫離，并埋沒于調色劑內部，因此存在無法得到足夠轉印效率的問題，并且需要使用刮刀從中間轉印體上掃落殘留在中間轉印體上的調色劑的清潔裝置。對于這些問題，下文已經提出了在中間轉印體表面上形成脫模層的方法。為了提高調色劑從中間轉印體上的脫模性，則在中間轉印體表面上形成氧化硅或氧化鋁層(參見專利文獻1)。文獻2)。專利文獻特開平9-212004號公報專利文獻2:特開2000-206801號公報
發(fā)明內容發(fā)明要解決的問題然而，將根據專利文獻1的方法制造的中間轉印體，在實際的圖像形成裝置中進行耐久試驗時，存在有因反復彎曲而導致氧化物層從表面層上剝離的問題，此外，為了通過蒸鍍形成硅氧化物，或通過濺射形成氧化鋁等，還存在需要真空裝置等大型設備的問題。此外，在專利文獻2的方法中，已知如果大量添加在無機涂布層中添加的膠體二氧化硅，則可提高調色劑的脫模性，轉印效率良好，但由于在耐久試驗中反復彎曲，則在無機涂布層中產生裂紋，因此無法以一定量以上進行添加。因此，存在無法充分發(fā)揮脫模性，并且轉印效率也無法提高到一定程度以上的問題。鑒于上述問題，本發(fā)明的第1目的在于提供一種轉印性更高，清潔性和耐久性也更高的中間轉印體，其第2目的在于提供無需真空裝置等大型設備的中間轉印體的制造裝置，和具有該中間轉印體的圖像形成裝置。解決問題的方法
技術領域：
：本發(fā)明的上述目的通過下述方案完成。(1)一種中間轉印體，其特征在于，該中間轉印體包括基材、在基材上形成的含碳原子的第1無機化合物層、和作為表面層的不含碳原子或含有比上述第1無機化合物層更少量碳原子的第2無機化合物層。(2)上述(1)所述的中間轉印體，其特征在于，上述第1無機化合物層，其碳含量為0.1原子％以上，50原子。/。以下(XPS測定)。(3)上述(1)或(2)所述的中間轉印體，其特征在于，上述第2無機化合物層，其碳含量為20原子％以下(XPS測定)。(4)上述(l)-(3)中任一項所述的中間轉印體，其特征在于，上述第1無機化合物層或上述第2無機化合物層，是含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的化合物。(5)上述(l)-(3)中任一項所述的中間轉印體，其特征在于，上述第l無機化合物層和上述第2無機化合物層，由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的化合物構成。(6)上述(l)-(5)中任一項所述的中間轉印體，其特征在于，上述第l無機化合物層或上述第2無機化合物層，是無機氧化物層。(7)上述(l)-(5)中任一項所述的中間轉印體，其特征在于，上述第l無機化合物層和上述第2無機化合物層，是無機氧化物層。(8)制造上述(l)-(7)中任一項所述的中間轉印體的方法，其特征在于，上述第1無機化合物層和上述第2無機化合物層的至少一層由大氣壓等離子體CVD法形成。(9)一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置包括，將從圖像載體表面轉印的調色劑圖像進一步轉印至記錄介質上的中間轉印體，其特征在于，上述中間轉印體是上述(l)-(7)中任一項所述的中間轉印體。發(fā)明效果本發(fā)明通過在基材表面上設置第1無機化合物層，并在其上形成不含有碳原子，或者，碳原子含量比第1無機化合物層更少的第2無機化合物層，則可以提供與調色劑的脫模性優(yōu)異，轉印效率提高，并且即使在耐久使用中，化合物層也不會從基材表面剝離，并且不會破裂的中間轉印體。此外，通過使用大氣壓等離子體CVD法制造本發(fā)明的中間轉印體，則可以得到無需真空裝置等大型設備而制造具有上述效果的中間轉印體的制造裝置。進一步，通過采用使用本發(fā)明的中間轉印體的圖像形成裝置，則可以提供沒有圖像缺損的高圖像質量的圖像。是示出彩色圖像形成裝置的一例的截面結構圖。是示出中間轉印體的層結構的示意截面圖。是制造中間轉印體的第1制造裝置的說明圖。是制造中間轉印體的第2制造裝置的說明圖。是通過等離子體制造中間轉印體的第1等離子體成膜裝置的說明[圖6]是示出輥電極的一例的簡圖。[圖7]是示出固定電極的一例的簡圖。符號說明1彩色圖像形成裝置2中間轉印體的制造裝置3大氣壓等離子體CVD裝置17中間轉印體單元20輥電極21固定電極23放電空間24混合氣體供給裝置25第1電源26第2電源117二次轉印輥170中間轉印帶175基材176第1無機化合物層177第2無機化合物層201從動輥具體實施例方式以下對實施本發(fā)明的最佳方式進行說明，但本發(fā)明并不限于此。本發(fā)明的中間轉印體，適合用于電子照相方式的復印機、打印機、傳真機等圖像形成裝置，并且只要可以將負載在感光體表面上的調色劑圖像一次轉印至其表面，保持轉印的調色劑圖像，并將保持的調色劑圖像二次轉印至記錄紙等被轉印物的表面上即可，該中間轉印體可以是帶狀的轉印體，也可以是鼓狀的轉印體。首先，對于具有本發(fā)明中間轉印體的圖像形成裝置，以串聯型全色復印機為例進行說明。圖l是示出彩色圖像形成裝置的一例的截面結構圖。該彩色圖像形成裝置l，可稱作串聯型全色復印機，并且由自動原稿傳送裝置13、原稿圖像讀取裝置14、多個曝光設備13Y、13M、13C、13K、多組圖像形成部10Y、IOM、IOC、IOK、中間轉印體單元17、進紙設備15和定影設備124形成。在彩色圖像形成裝置的本體12的上部，配置有自動原稿傳送裝置13和原稿圖像讀取裝置14,并且由自動原稿傳送裝置13搬送的原稿d的圖像，通過原稿圖像讀取裝置14的光學系統(tǒng)反射'成像，并通過聯機圖像傳感器(，爿-^七》廿)CCD讀取。將通過聯機圖像傳感器CCD讀取的原稿圖像進行光電轉換的模擬信號，在未圖示的圖像處理部，進行模擬處理、A/D轉換、黑斑補償、圖像壓縮處理等后，作為各色的數字圖像數據送至曝光設備13Y、13M、13C、13K，并通過曝光^殳備13Y、13M、13C、13K在作為對應的第1圖像載體的鼓狀感光體(以下，還記作感光體)11Y、IIM、IIC、IIK上形成各色的圖像數據的潛像。圖像形成部IOY、IOM、IOC、10K在垂直方向上以縱列配置，并在感光體11Y、IIM、IIC、IIK的圖示左側方，配置巻繞輥171、172、173、174且可轉動地架設的半導電性且為環(huán)形帶狀的第2圖像載體，即本發(fā)明的中間轉印體170。而且，本發(fā)明的中間轉印體170,由未圖示的驅動裝置，通過旋轉驅動的輥171沿箭頭方向驅動。形成黃色圖像的圖像形成部IOY，具有配置在感光體IIY周圍的帶電設備12Y、曝光設備13Y、顯影設備14Y、作為一次轉印設備的一次轉印輥15Y、清潔設備16Y。形成品紅色圖像的圖像形成部IOM，具有感光體11M、帶電設備12M、曝光設備13M、顯影設備14M、作為一次轉印設備的一次轉印輥15M、清潔設備16M。形成青色圖像的圖像形成部IOC，具有感光體11C、帶電設備12C、曝光設備13C、顯影設備14C、作為一次轉印設備的一次轉印輥15C、清潔設備16C。形成黑色圖像的圖像形成部IOK，具有感光體11K、帶電設備12K、曝光設備13K、顯影設備14K、作為一次轉印設備的一次轉印輥15K、清潔設備16K。調色劑補給設備141Y、141M、141C、141K，分別將新調色劑補給至顯影裝置14Y、14M、14C、14K。此處，一次轉印輥15Y、15M、15C、15K，通過未圖示的控制設備并根據圖像種類選擇性地工作，將中間轉印體170擠壓至各自對應的感光體11Y、IIM、IIC、IIK上，由此轉印感光體上的圖像。如此，通過圖像形成部IOY、IOM、IOC、IOK在感光體IIY、IIM、IIC、IIK上形成的各色圖像，通過一次轉印輥15Y、15M、15C、15K,逐次轉印到旋轉的中間轉印體170上，并形成合成的彩色圖像。即，中間轉印體170將負載在感光體IIY、IIM、IIC、IIK表面上的調色劑圖像一次轉印至其表面上，并保持轉印的調色劑圖像。此外，收容在進紙盒151內作為記錄介質的記錄紙P，通過進紙設備15進紙，接著經過多個中間輥122A、122B、122C、122D、阻擋輥(k-^卜口-，)123,搬送至作為二次轉印設備的二次轉印輥117，并通過二次轉印輥117將中間轉印體170上合成的調色劑圖像一次性地轉印至記錄紙P上。即，將保持在中間轉印體170上的調色劑圖像二次轉印至被轉印物的表面上。此處，作為二次轉印設備的二次轉印輥117，僅在記錄紙P通過它而進行二次轉印時，將記錄紙P壓接在中間轉印體170上。轉印彩色圖像的記錄紙P，通過定影裝置124進行定影處理，并通過夾持在排紙輥125中而放置在機外的排紙盤126上。另一方面，通過二次轉印輥117將彩色圖像轉印至記錄紙P后，彎曲分離記錄紙P的中間轉印體170,通過清潔設備8除去殘留的調色劑。此處，中間轉印體170還可以換成上述的旋轉鼓狀中間轉印鼓。接著，對與中間轉印體170相連的作為一次轉印設備的一次轉印輥15Y、15M、15C、15K,和二次轉印輥117的結構進行說明。一次轉印輥15Y、15M、15C、15K,通過在例如外徑為8mm的不銹鋼等導電性芯棒的圓周面上，包覆半導電彈性橡膠而形成，所述半導電彈性橡膠，是通過在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠材料中，分散炭黑等導電性填料，或含有離子性導電材料，而形成的體積電阻為1()SQ'cm-l(^Q'cm左右的固體狀態(tài)或發(fā)泡海綿狀態(tài)，并且厚度為5mm,橡膠硬度為2(T-70。左右(ASK硬度C)的半導電彈性橡膠。二次轉印輥117,通過在例如外徑為8mm的不銹鋼等導電性芯棒的圓周面上，包覆半導電彈性橡膠而形成，所述半導電彈性橡膠，是通過在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠材料中，分散炭黑等導電性填料，或含有離子性導電材料，而形成的體積電阻為1()SQ'cm-10A'cm左右的固體狀態(tài)或發(fā)泡海綿狀態(tài)，并且厚度為5mm，橡膠硬度為2(T-70。左右(ASK硬度C)的半導電彈性橡膠。而且，由于二次轉印輥117和一次轉印輥15Y、15M、15C、15K不同，并且在沒有記錄紙P的狀態(tài)下，存在有和調色劑接觸的可能性，因此最好在二次轉印輥117的表面上包覆半導電性的氟樹脂或聚氨酯樹脂等脫模性好的物質，并且通過在不銹鋼等導電性芯棒的圓周面上，包覆厚度為0.05mm-0.5mm左右的半導電性材料而形成二次轉印輥117,其中所述半導電性材料，是通過在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡膠或樹脂材料中，分散炭黑等導電性填料，或含有離子性導電材料而形成的半導電性材料。下面，以上述的中間轉印體170為例，對本發(fā)明的中間轉印體進行說明。圖2是示出本發(fā)明的中間轉印體170的截面圖。本發(fā)明的中間轉印體170,是在基材175表面上依次設置第l無機化合物層176,以及第2無機化合物層177的結構，所謂第2無機化合物層177是設在該第1無機化合物層176的表面上的不含有碳原子，或者，碳原子含量比第1無機化合物層176更少的無機化合物層。通過形成這種結構，可以得到和調色劑的脫模性優(yōu)異，轉印效率好的中間轉印體170,并且即使在反復的耐久使用中，也可以長期使用。這一點可以認為是，通過在作為轉印調色劑面的第2無機化合物層177中不含有碳原子，或者，減少碳原子的含量，可維持高脫模性，并且通過使第1無機化合物層176的碳含量比第2無機化合物層177的碳含量更多，可維持基材175和第1無機化合物層176的粘合性，從而即使在反復彎曲動作中，也^f艮難產生裂紋或剝離。此外，通過XPS法測定第2無機化合物層177的碳含量優(yōu)選為20原子%以下，可以得到脫模性更優(yōu)異的中間轉印體170。此外，通過使由XPS法測定第1無機化合物層176的碳含量為0.1原子％以上50原子％以下，可以得到耐久性更優(yōu)異的中間轉印體170。下面，對本發(fā)明的中間轉印體170的構成要件進行說明。(基材)作為本發(fā)明的中間轉印體170的基材175，可以使用在樹脂材料或彈性體材料中分散導電劑而形成的帶或鼓的外周所形成的部件。它們可以單獨使用，也可以兩種以上組合使用，并且還可以使用由這些樹脂材料和彈性體材料的疊層體進行組合所形成的帶。作為樹脂材料，可以使用聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺和聚苯硫醚等，所謂的工程塑料材料。作為彈性體材料，可以使用異戊二烯橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯'丁二烯橡膠、丙烯腈.丁二烯橡膠、丁腈橡膠、氫化丁腈橡膠、氟橡膠、硅橡膠、乙烯-丙烯橡膠、氯丁橡膠、丙烯酸橡膠、丁基橡膠、聚氨酯橡膠、氯磺化聚乙烯橡膠、表氯醇橡膠、天然橡膠、聚醚橡膠等橡膠材料，或聚氨酯、聚苯乙烯.聚丁二烯嵌段聚合物、聚烯烴、聚乙烯、氯化聚乙烯、乙烯.乙酸乙烯酯共聚物等彈性體。為了使硬度降低，彈性體層還可以是發(fā)泡體，這時，密度適合為0.1g/cm3-0.9g/cm3。此外，作為導電劑，可以使用炭黑。作為炭黑，可以沒有特別限制地使用，并且使用中性炭黑也是可以的。導電劑的使用量，根據所用導電劑的種類而不同，并且只要添加至使中間轉印體170的體積電阻值和表面電阻值處于規(guī)定范圍即可，通常，相對于100質量份樹脂材料，添加4-40質量份。本發(fā)明中所用的基材175,可以通過以往公知的常規(guī)方法制造。例如，可以通過使用擠出機熔融形成材料的樹脂，并使用環(huán)狀模頭或T型模頭擠出，再急冷而制造。(第1無機化合物層和第2無機化合物層)接著，在該基材175上形成本發(fā)明的第1無機化合物層H6和第2無機化合物層177。作為本發(fā)明的第1無機化合物層176和第2無機化合物層H7中所用的無機化合物，可以列舉無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物以及它們的復合物。作為本發(fā)明的第1無機化合物層176和/或第2無機化合物層n7中所用的無機化合物，可以列舉氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化鋅、氧化鐵、氧化釩、氧化鈹、鈦酸鋇鍶、鋯酸鈦酸鋇、鋯酸鈦酸鉛、鈦酸鉛鑭、鈦酸鍶、鈦酸鋇、鈦酸鉍、鈦酸鍶鉍、鉭酸鍶鉍、鉭酸鈮酸鉍、三氧化釔等。其中，更優(yōu)選的是氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯。本發(fā)明中的第1無機化合物層176的材料和第2無機化合物層177的材料，可以相同，也可以不同。此外，本發(fā)明中的第1無機化合物層176的材料或第2無機化合物層177的材料，可以是一種無機化合物，也可以具有2種以上的化合物。在基材175上形成本發(fā)明的第1無機化合物層176之前，還可以進行電暈處理、火焰處理、等離子體處理、輝光放電處理、表面粗糙化處理、藥品處理等表面處理。此外，在本發(fā)明的第1無機化合物層176和基材175之間，以及在本發(fā)明的第1無機化合物層176和第2無機化合物層177之間，為了提高粘合性，可以形成增粘涂覆劑層。作為該增粘涂覆劑層中所用的增粘涂覆劑，可以使用聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯-乙烯醇樹脂、乙烯基改性樹脂、環(huán)氧樹脂、改性苯乙烯樹脂、改性聚硅氧烷樹脂和烷基鈦酸酯等，或將1種或2種以上結合使用。在這些增粘涂覆劑中，還可以添加以往公知的添加劑。而且，上述增粘涂覆劑，可以通過輥涂法、照相凹版涂覆法、刮涂法、浸涂法、噴涂法等公知方法在基材上進行涂覆，并通過干燥除去溶劑、稀釋劑等而進行增粘涂覆。作為上述增粘涂覆劑的涂布量，優(yōu)選為0.0001g/m、5g/m、干燥狀態(tài))左右。本發(fā)明的第1無機化合物層176的膜厚，較好為lnm-5000nm，并優(yōu)選為3nm-3000nm。第2無機化合物層177的膜厚，較好為lnm-5000nm,并優(yōu)選為3nm-3000nm。當第1無機化合物層176的膜厚不足lnm或超過5000nm時，在反復使用中，產生了裂紋或剝離。此外，當第2無機化合物層177不足lnm時，容易產生擦傷，并且調色劑的脫模性或轉印效率的持續(xù)性不足，當其超過5000nm時，在反復使用中，產生了膜破裂和剝離。本發(fā)明的第2無機化合物層177的碳含量,優(yōu)選比第1無機化合物層176的碳含量更少。第2無機化合物層177，從和調色劑的脫模性以及轉印效率方面考慮，優(yōu)選碳含量少。但是，在基材175的表面上形成碳量少的無機化合物層的結構，在反復使用中，產生了無機化合物層剝離或破裂的問題。因此，通過在基材175和不含碳原子，或者，碳原子含量少的第2無機化合物層177之間，形成碳含量比第2無機化合物層多的第1無機化合物層176,即使在反復使用中，也不會產生破裂或剝離，并且可以得到能長期使用的中間轉印體170。這可以認為，第1無機化合物層176，起到了提高基材175和第2無機化合物層177的粘合性，并且緩和施加在第2無機化合物層177上的彎曲應力，以及防止擦傷的作用。此外，通過XPS法測定第1無機化合物層176的碳含量優(yōu)選為0.1原子%以上50原子％以下。進一步，通過XPS法測定第2無機化合物層177的碳含量更優(yōu)選為20原子％以下。接著，對本發(fā)明的第1無機化合物層176和第2無機化合物層177的形成方法進行說明。作為本發(fā)明的第無機化合物層176和第2無機化合物層77的形成方法，可以列舉真空蒸鍍法、分子射線外延生長法、離子束射線法、低能離子束法、離子鍍法、CVD法、濺射法、大氣壓等離子體CVD法等干法，或噴涂法、旋涂法、刮涂法、浸涂法、澆鑄法、輥涂法、棒涂法、模涂法等涂布方法，印刷或噴墨等圖案形成方法等濕法，并且可以根據材料進行使用。濕法可以使用，根據需要用表面活性劑等分散助劑，將無機化合物微粒分散在任意有機溶劑或水中，并涂布該液體，干燥的方法，或涂布氧化物前體，例如醇鹽的溶液，并干燥的所謂溶膠-凝膠法。其中，優(yōu)選大氣壓等離子體CVD法。大氣壓等離子體CVD法，是不使用減壓室等，并且能夠高速制膜的高生產性制膜方法。此外，通過大氣壓等離子體CVD法形成的膜，均勻并且具有表面平滑性，此外，還可以較容易地形成內部應力也非常小的膜。對于在大氣壓下通過等離子體CVD法形成第1無機化合物層176和第2無機化合物層177(例如無機氧化物Si02、1102等)的方法，如下進行說明。所謂上述在大氣壓下進行的等離子體CVD法，是指在大氣壓或大氣壓附近的壓力下，激發(fā)放電氣體，使其放電，并將原料氣體和/或反應性氣體導入至放電空間，激發(fā)，并在基材上形成薄膜的處理，對于該方法，記載于特開平11-133205號、特開2000-185362號、特開平11-61406號、特開2000-147209號、特開2000-121804號等(以下，也稱作大氣壓等離子體法)。由此能夠以高生產性形成高機能性的薄膜。此處，所謂大氣壓附近，表示20kPa-110kPa的壓力，并優(yōu)選為93kPa-104kPa。接著，對通過大氣壓等離子體CVD形成本發(fā)明的中間轉印體的無機化合物層時的裝置和方法，以及所用的氣體進行說明。圖3是制造中間轉印體的第1制造裝置2的說明圖。中間轉印體的制造裝置2(放電空間和薄膜堆積區(qū)域是大致相同的直接方式)，是在基材175上形成第1無機化合物層176，第2無機化合物層177的裝置，并且是由巻繞架設環(huán)形帶狀的中間轉印體170的基材175并沿箭頭方向旋轉的輥電極20和從動輥201,以及作為在基材175表面上形成第1無機化合物層176，第2無機化合物層177的成膜裝置的大氣壓等離子體CVD裝置3所構成。大氣壓等離子體CVD裝置3,具有沿輥電極20外周配置的至少一個固定電極21、在固定電極21和輥電極20的對置區(qū)域并且進行放電的放電空間23、至少生成原料氣體和放電氣體混合氣G并將混合氣G供給至放電空間23的混合氣供給裝置24、在放電空間23等中減少空氣流入的放電容器29、連接至輥電極20的第1電源26、連接至固定電極21的第2電源25，和將使用完的排出氣G'排出的排氣部28。混合氣供給裝置24，將形成選自無機氧化物層、無機氮化物層、無機碳化物層中的至少一層的膜的原料氣體，和氮氣或氬氣、氦氣等稀有氣體，以及控制原料氣體分解的氣體供給至放電空間23。此處，所謂控制原料氣體分解的氣體(原料分解控制氣體)，表示在分子結構中含有具有活性元素的氣體，例如，可以列舉含有H、O、N、S、F、B、Cl、P、Br、I、As、Se等的氣體。含有具有活性元素的氣體，可以單獨使用，也可以多種混合使用。此外，在含有具有活性元素的氣體的分子結構中，還可以含有C。此外，也可以和分子結構中含有C的氣體混合。此外，從動輥201，由張力賦予設備202沿箭頭方向牽引，并在基材175上施加規(guī)定的張力。張力賦予設備202在基材175更換時等解除張力的賦予，并且可以很容易地進行基材175的更換等。第1電源25輸出頻率為col的電壓，第2電源26輸出頻率為①2的電壓，并通過這些電壓在放電空間23中產生頻率col和co2重疊的電場V。而且，通過電場V使放電氣體等離子體化，并使對應于混合氣G中所含的原料氣體的膜(第1無機化合物層176,第2無機化合物層177)堆積在基材175的表面上。另外，在多個固定電極中，在位于輥電極旋轉方向下游側的多個固定電極和混合氣供給裝置中以積累堆積的方式堆積無機化合物層，并且還可以調整無機化合物層的厚度。此外，在多個固定電極中，在位于輥電極旋轉方向最下游側的固定電極和混合氣供給裝置中堆積第1無機化合物層176，并且，還可以在位于更上游側的其它固定電極和混合氣供給裝置中，形成其它層，例如提高第l無機化合物層176和基材175粘合性的粘合層等。此外，為了提高第1無機化合物層176和基材175的粘合性，可以在形成第1無機化合物層176的固定電極和混合氣供給裝置的上游，設置供給氮氣、氦氣、氬氣或氧氣、氫氣等氣體的氣體供給裝置和固定電極而進行等離子體處理，從而使基材175的表面活性化。如上說明，將作為環(huán)狀帶的中間轉印體架設在1對輥上，并將1對輥中的一個作為l對電極中的一個電極，沿著作為一個電極的輥的外周面的外側設置作為另一個電極的至少一個固定電極，并在這些l對電極間，在大氣壓或大氣壓附近進行產生電場的等離子體放電，得到在中間轉印體表面上堆積.形成無機化合物薄膜的結構，并在形成第1無機化合物層176后，在其上形成第2無機化合物層177，由此可以制得轉印性高、清潔性和耐久性高的中間轉印體。作為第1無機化合物層176和第2無機化合物層177的形成方法，只要是在基材175上形成第1無機化合物層176后，形成第2無機化合物層177的方法，則并不特別限定形成方法，并且可以在大氣壓等離子體CVD裝置的上游側形成第1無機化合物層176,在其下游側，連續(xù)形成第2無機化合物層177。通過這樣連續(xù)制膜，可以提高生產性，并提高第l無機化合物層176和第2無機化合物層177的密合性，進一步，可以制造具有耐久性的中間轉印體。此外，作為其它方式，還可以是在輥電極和固定電極中，將一個電極接地，將另一個電極接電源。這時的電源，優(yōu)選使用第2電源進行細致薄膜的形成，特別是在放電氣體中使用氬氣等稀有氣體時優(yōu)選。圖4是制造中間轉印體的第2制造裝置的說明圖。中間轉印體第2制造裝置2b,在多個基材上同時形成第1或第2無機化合物層，并且主要是由在基材表面形成無機化合物層的多個成膜裝置2bl和2b2所構成。第2制造裝置2b(是直接方式的變形，在對置的輥電極間進行放電和堆積薄膜的方式)，具有和第1成膜裝置2bl隔有規(guī)定間隙，并大致配置為鏡像關系的第2成膜裝置2b2、配置在第1成膜裝置2bl和第2成膜裝置2b2之間，并至少生成原料氣體和放電氣體混合氣G且將混合氣G供給至放電空間23b的混合氣供給裝置24b。第l成膜裝置2bl，具有巻繞架設環(huán)形帶狀的中間轉印體的基材175并沿箭頭方向^:轉的輥電極20a和從動輥201、沿箭頭方向牽引從動輥201的張力賦予設備202、和連接至輥電極20a的第1電源25,并且第2成膜裝置2b2,具有巻繞架設環(huán)形帶狀的中間轉印體的基材175并沿箭頭方向旋轉的輥電極20b和從動輥201、沿箭頭方向牽引從動輥201的張力賦予設備202、和連接至輥電極20b的第2電源26。此外，第2制造裝置2b在輥電極20a和輥電極20b的對置區(qū)域中具有進行放電的放電空間23b?；旌蠚夤┙o裝置24b，將形成選自無機氧化物層、無機氮化物層、無機碳化物層中的至少一層的膜的原料氣體，和氮氣或氬氣、氦氣等稀有氣體，以及控制原料氣體分解的氣體供給至放電空間23b。第1電源25輸出頻率為1的電壓，第2電源26輸出頻率為2的電壓，并通過這些電壓在放電空間23b中產生頻率col和(o2重疊的電場V。而且，通過電場V使混合氣G等離子體化(激發(fā))，將等離子體化(激發(fā))的混合氣暴露在第1成膜裝置2bl的基材175和第2成膜裝置2b2的基材175的表面上，并使對應于等離子體化(激發(fā))的混合氣中所含的原料氣體的膜(無機化合物層)同時堆積.形成在第1成膜裝置2bl的基材175和第2成膜裝置2b2的基材175的表面上。此處，對置的輥電極20a和輥電極20b隔著規(guī)定的間隙配置。此外，作為其它方式，還可以是在輥電極20a和輥電極20b中，將一個輥電極接地，將另一個輥電極接電源。這時的電源，優(yōu)選使用第2電源進行細致薄膜的形成，特別是在放電氣體中使用氮氣或氬氣、氦氣等稀有氣體時優(yōu)選。下面，對在基材175上形成無機化合物層的大氣壓等離子體CVD裝置的形態(tài)進行詳細說明。另外，下述圖5是在圖3的第l等離子體成膜裝置2中，主要切除虛線部分的圖。圖5是通過等離子體制造中間轉印體的第1等離子體成膜裝置的說明圖。參照圖5，對適合用于形成第1無機化合物層176的大氣壓等離子體CVD裝置的一例進行說明。大氣壓等離子體CVD裝置3，是具有可以裝卸地巻繞架設基材并使之旋轉驅動的至少l對輥，和進行等離子體放電的至少l對電極，并且在上述l對電極中，一個電極是上述1對輥中的一個輥，另一個電極是通過上述基材與上述一個輥對置的固定電極，以及使上述基材暴露在上述一個輥和上述固定電極的對置區(qū)域中所產生的等離子體中，堆積'形成上述無機化合物層的中間轉印體的制造裝置，并且由于，例如在^f吏用氮氣作為方文電氣體的情況下，通過一個電源施加高電壓，并通過另一個電源施加高頻率，而穩(wěn)定地開始放電并持續(xù)放電，因此適合使用。大氣壓等離子體CVD裝置3，如前所述具有混合氣供給裝置24、固定電極21、第1電源25、第l濾波器25a、輥電極20、使輥電極沿箭頭方向驅動旋轉的驅動設備20a、第2電源26、和第2濾波器26a，并且在放電空間23中進行等離子體放電，從而使含有有機物的原料氣體和放電氣體混合的混合氣G激發(fā)，再將激發(fā)的混合氣G1暴露于基材表面175a，并在該表面上堆積.形成含有碳的無機化合物層。然后，由第1電源25向固定電極21施加頻率為co,的第1高頻電壓，并由第2電源26向輥電極20施加頻率為0)2的高頻電壓，由此，在固定電極21和輥電極20之間產生在電場強度V中頻率為co,和在電場強度V2中頻率為①2重疊的電場，并且在固定電極21中流過電流I,,在輥電極20中流過電流12,以及在電極間產生等離子體。此處，頻率C^和頻率C02的關系，以及，電場強度V!與電場強度V2和放電氣體開始放電的電場強強度IV的關系，滿足0)！〈(02，V^IV>V2，或者，V^IV^V2，并且上述第2高頻電場的輸出功率密度為lW/cn^以上。由于開始氮氣放電的電場強度IV是3.7kV/mm,因此優(yōu)選至少由第1電源25所施加的電場強度V！為3.7kV/mm或其以上，并且由第2電源26所施加的電場強度V2為3.7kV/mm或比其小。此外，作為可用于第1大氣壓等離子體CVD裝置3中的第1電源25(高頻電源)，可以列舉所加電源記號制造商頻率制品名Al^H岡電斗幾3kHzSPG3-4500A2#^岡電氺幾5kHzSPG5-4500A3春日電機15kHzAGI-023A4碎申^岡電斗幾50kHzSPG50-楊0A5高強度鋼(Haiden。、<f'>))研究所100kHz*PHF-6kA6pearl(一A)工業(yè)200kHzCF-2000-200kA7pearl("—A)工業(yè)400kHzCF-2000-400k等市售物，并且可以任意使用。此外，作為第2電源26(高頻電源)，可以列舉所加電源i己號制造商頻率制品名Blpearl(乂《一A)工業(yè)800kHzCF-2000—800kB2pearl(,—A)工業(yè)2MHzCF-2000-2MB3pearl(,—A)工業(yè)13.56MHzCF-5000-13MB4pearlO《一/"工業(yè)27顧zCF-2000-27MB5pearlO《一A)工業(yè)150MHzCF-2000-150M等市售物，并且可以任意使用。另外，在上述電源中，H己號是高強度鋼(Haiden(,、4f》))研究所的脈沖(4》^久)高頻電源(在連續(xù)模式下為100kHz)。除此之外，是可以僅加上連續(xù)正弦波的高頻電源。本發(fā)明中，由第1和第2電源供給至對置電極間的電力，向固定電極21供給了1W/cm2以上的電力(輸出功率密度)，并激發(fā)了放電氣體，由此產生等離子體，并形成薄膜。作為供給至固定電極21的電力上限值，優(yōu)選為50W/cm2。下限值優(yōu)選為1.2W/cm2。另外，放電面積(cm2)，是指在電極中產生放電的范圍的面積。此外，在輥電極20中，通過供給lW/cn^以上的電力(輸出功率密度)，可以維持高頻電場的均勻性，并且提高輸出密度。由此，可以進一步產生均勻的高密度等離子體，并且可以進一步兼顧制膜速度的提高和膜質的提高。其優(yōu)選為2W/cn^以上。供給至輥電極20的電力上限值，優(yōu)選為50W/cm2。此處，作為高頻電場的波形，沒有特別限制。有稱為連續(xù)模式的連續(xù)正弦波狀的連續(xù)振蕩模式，和稱為脈沖模式的間斷進行ON/OFF的間斷振蕩模式等，并且可以采用其中任一種，但由于至少向輥電極20供給的高頻為連續(xù)正弦波時，可以得到更致密的優(yōu)質膜，因此優(yōu)選。在固定電極21和第1電源25之間，設置第l濾波器25a,使從第1電源25到固定電極21的電流容易通過，并使來自第2電源26的電流接地，以使從第2電源26到第1電源25的電流難以通過。此外，在輥電極20和第2電源26之間，設置第2濾波器26a，使從第2電源26到輥電極20的電流容易通過，并使來自第1電源25的電流接地，以使從第1電源25到第2電源26的電流難以通過。優(yōu)選采用可以通過在電極上施加上述強電場，而均勻地保持穩(wěn)定的放電狀態(tài)的電極，并且在固定電極21和輥電極20中，為了耐受由強電場產生的放電，而在至少一個電極表面上包覆下述的電介質。在上述說明中，電極和電源的關系，可以是將第2電源26連接至固定電極21，并將第1電源25連接至輥電極20。此外，作為其它方式，還可以是在固定電極21和輥電極20中，將一個電極接地，將另一個電極接電源。這時的電源，優(yōu)選使用第2電源進行細致薄膜的形特別是在放電氣體中使用氬氣等稀有氣體時優(yōu)選。圖6是示出輥電極的一例的簡圖。對輥電極20的結構進行說明，在圖6(a)中，輥電極20，是對金屬等導電性母材200a(以下，也稱為"電極母材")熱噴鍍陶f:,然后通過包覆使用無機材料進行了封孔處理的陶瓷包覆處理電介質200b(以下，也簡稱為"電介質，，)的組合而構成的。此外，作為在熱噴鍍中使用的陶瓷材料，可以優(yōu)選使用氧化鋁.氮化硅等，其中，由于氧化鋁容易加工，因此更優(yōu)選使用。此外，如圖6(b)所示，通過襯涂而將設置無機材料的襯涂處理電介質200B包覆在金屬等導電性母材200A上的組合，也可以構成電極20，。作為襯涂材料，可以優(yōu)選使用硅酸鹽類玻璃、硼酸鹽類玻璃、磷酸鹽類玻璃、鍺酸鹽類玻璃、亞碲酸鹽玻璃、鋁酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃等，其中，由于硼酸鹽類玻璃容易加工，因此更優(yōu)選使用。作為金屬等導電性母材200a、200A,可以列舉銀、柏、不4秀鋼、鋁、鐵等金屬，并且從加工的觀點考慮，優(yōu)選不銹鋼。此外，在本實施方式中，輥電才及的母材200a、200A,4吏用具有通過冷卻水進行的冷卻設備的不銹鋼制夾套輥母材(未圖示)。圖7是示出固定電極的一例的簡圖。在圖7(a)中，方柱或方筒柱的固定電極21與上述的輥電極20—樣，是在對金屬等導電性母材210c熱噴鍍陶瓷后，通過包覆使用無機材料涂覆進行了封孔處理的陶瓷包覆處理電介質210d的組合而構成的。此外，如圖7(b)所示方式，方柱或方筒柱型的固定電極21，，也可以是對金屬等導電性母材210A包覆通過襯涂而設置無機材料的襯涂處理電介質210B的組合而構成的。以下，參照圖3、5，對中間轉印體制造方法的工序中，在基材175上堆積-形成無機化合物層的成膜工序的例子進行說明。圖3和5中，在輥電極20和從動輥201上架設基材175后，通過張力賦予設備202的運行，在基材175上施加規(guī)定的張力，接著以規(guī)定旋轉數旋轉驅動輥電極20。由混合氣供給裝置24生成混合氣G,并排放至放電空間23。由第1電源25輸出頻率為col的電壓并施加在固定電極21上，由第2電源26輸出頻率為co2的電壓并施加在輥電極20上，并由這些電壓在放電空間23中產生頻率①1和①2重疊的電場V。由電場V激發(fā)排放至放電空間23中的混合氣G，并形成等離子體狀態(tài)。然后，將等離子體狀態(tài)的混合氣G暴露于基材表面上，并通過混合氣G中的原料氣體在基材175上形成選自無機氧化物層、無機氮化物層、無機碳化物層中的至少一層的膜，即第1無機化合物層176。在如此形成的第1無機化合物層上，可以同樣設置第2無機化合物層177。所謂放電氣體，是指在上述條件下等離子體激發(fā)的氣體，例如，氮氣、氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣等以及它們的混合物等。作為原料氣體，是含有形成薄膜的成分的物質，例如，可以列舉有機金屬化合物、有機化合物。例如，作為硅化合物，可以列舉硅烷、四曱氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四正丙氧基硅烷、四異丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、二曱基二曱氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、二乙基二曱氧基硅烷、二苯基二曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、(3，3，3-三氟丙基)三曱氧基硅烷、六曱基二硅氧烷、雙(二曱基氨基)二曱基硅烷、雙(二曱基氨基)曱基乙烯基硅烷、雙(乙基氨基)二曱基硅烷、N,O-雙(三曱基甲硅烷基)乙酰胺、雙(三曱基曱硅烷基)碳化二亞胺、二乙基氨基三曱基硅烷、二曱基氨基二曱基硅烷、六曱基二硅氨烷、六曱基環(huán)三硅氨烷、七曱基二硅氨烷、九曱基三硅氨烷、八曱基環(huán)四硅氨烷、四(二曱基氨基)硅烷、四異氰酸酯基硅烷、四曱基二硅氨烷、三(二曱基氨基)硅烷、三乙氧基氟化硅烷、烯丙基二曱基硅烷、烯丙基三曱基硅烷、芐基三曱基硅烷、雙(三曱基曱硅烷基)乙炔、1，4-雙三曱基曱硅烷基-1,3-丁二炔、二叔丁基硅烷、1，3-二硅雜丁烷(1,3-^、>，文夕7,1，3-disilabutane)、雙(三曱基曱硅烷基)曱烷、環(huán)戊二烯基三曱基硅烷、苯基二曱基硅烷、苯基三曱基硅烷、炔丙基三曱基硅烷、四曱基硅烷、三曱基曱硅烷基乙炔、l-(三曱基曱硅烷基)-l-丙烷、三(三曱基曱硅烷基)甲烷、三(三甲基曱硅烷基)硅烷、乙烯基三曱基硅烷、六曱基二硅烷、八曱基環(huán)四硅氧烷、四甲基環(huán)四硅氧烷、六曱基環(huán)四硅氧烷、M硅酸鹽51等，但是并不限定于它們。作為鈦化合物，可以列舉四(二曱基氨基)鈦等有機金屬化合物、單鈦、二鈦等金屬氫化物、二氯化鈦、三氯化鈦、四氯化鈦等金屬卣化物、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四丁氧基鈦等金屬烷氧化物等，但是并不限定于它們。作為鋁化合物，可以列舉正丁氧基鋁、仲丁氧基鋁、叔丁氧基鋁、二異丙氧基乙酰乙酸乙酯合鋁、乙氧基鋁、六氟戊二酸鋁(7VI^、；-，厶、《廿7^才口《7夕乂夕才才-卜)、異丙氧基鋁、2，4-戊二酸鋁III、二曱基鋁氯化物等，但是并不限定于它們。作為鋅化合物，可以列舉二(二(三曱基曱硅烷基)酰胺)鋅、2，4-戊二酸鋅、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸鋅等，但是并不限定于它們。作為鋯化合物，可以列舉叔丁氧基鋯、二(2,2,6，6-四曱基-3，5-庚二酸二異丙氧基鋯、乙氧基鋯、六氟戊二酸鋯、異丙氧基鋯、2-甲基-2-丁氧基鋯、三氟戊二酸鋯等，但是并不限定于它們。此外，只要這些原料是形成具有上述碳含量的無機化合物層的物質，則可以單獨使用，也可以將2種以上成分混合使用。根據上述方法，使基材表面上具有至少2層以上無機化合物層，并依次設置第1無機化合物層和碳含量比該第1無機化合物層更少的第2無機化合物層，可以提供轉印性高，清潔性和耐久性高的中間轉印體。該無機化合物層的碳含量，可以通過原料氣體的量和控制原料氣體分解的氣體的量以及等離子體放電處理裝置的設定條件進行調節(jié)。如此在基材175上形成的第1無機化合物層176的碳含量，可以通過XPS法測定。接著，通過和第1無機化合物層176相同的方法，在第1無機化合物層上形成調節(jié)為規(guī)定碳含量的第2無機化合物層177。本發(fā)明的第1無機化合物層176的碳含量，優(yōu)選為0.1原子％以上，50原子y。以下(XPS測定)。此外，第2無機化合物層177的碳含量，優(yōu)選不含有碳原子，或者，比第1無機化合物層的碳含量更少。特別是第2無機化合物層的碳含量，更優(yōu)選為20原子％以下(XPS測定)。通過形成這種結構，可以是在表面具有不含碳原子，或者是碳原子含量少的第2無機化合物層的中間轉印體170，并且通過在基材和第2無機化合物層之間形成碳含量比第2無機化合物層更多的第1無機化合物層，可以制造即使耐久使用，也不會產生膜破裂或剝離，并且和調色劑的脫模性優(yōu)異的中間轉印體170。實施例以下列舉實施例，具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明的實施方式并不限定于此。1.試樣的制作(基材的制作)如下制作基材。聚苯硫醚樹脂(E2180、東k社制造)100質量份導電填料(fUmace(77—才久)弁3(B0B、三菱化學社制造)16質量份接枝共聚物(modiper(乇f'、—一)A4400、日本油脂社制造)1質量份潤滑劑(二十八碳烷酸鈣)0.2質量份將上述材料投入單軸擠出機，熔融混煉形成樹脂混合物。在單軸擠出機的前端，安裝了具有狹縫狀的無縫帶形狀出料口的環(huán)狀模頭，并將混煉的上述樹脂混合物擠出成為無縫帶形狀。將擠出的無縫帶形狀的樹脂混合物，外插至設于出料前的圓筒狀冷卻筒中，冷卻，固化，由此得到無縫圓筒狀的中間轉印體。所得基材的厚度為120pm。(無機化合物層的制作)使用圖3根據等離子體CVD法的中間轉印體制造裝置，在上述所得的基材上形成100nm作為第1無機化合物層。再在其上形成300nm作為第2無機化合物層。這時，包覆根據等離子體CVD法的中間轉印體制造裝置的各電極的電介質與對置的電極，共同由陶資熱噴鍍加工而包;f隻成片狀lmm。包覆后的電極間隙，設定為lmm。此外，包覆電介質的金屬母材，是具有使用冷卻水的冷卻機能的不銹鋼制夾套規(guī)格，并且放電中一邊由冷卻水進行電極溫度控制，一邊實施放電。此處使用的電源是使用神鋼電機制高頻電源(50kHz)，pearl(八一A)工業(yè)制高頻電源(13.56MHz)。按照表1、2所記載的用于形成各層的放電氣體條件、原料分解控制氣體條件、原料氣體條件、高頻電源輸出條件(低頻側電源電力、高頻側電源電力)，制作試樣1-8、11-14、16-19。此外，使用市售的真空蒸鍍裝置，添加含有碳原子的氣體，以使在基材上形成表2所述的碳原子含量地形成100nm第1無機化合物層，并在其上形成300nm第2無機化合物層，制作試樣15。此外，作為比較例，除了表1、2所述的條件外，其余與實施例完全相同地制作試樣9、10。2.碳含量的測定由XPS測定進行的組成分析，通過VGScientific(廿<工>，4:747夕)社制造的X線光電分光分析測定器(ESCALAB200R)測定。3.評價方法(l)轉印效率在打印機中使用柯尼卡美能達(--力、；乂A夕)社制造的magicolor2200,以及使用平均粒徑為6.5pm的聚合調色劑，通過轉印效率評價印刷2色重疊實地(《夕)圖像時一次'二次轉印中的調色劑移動性。一次轉印效率，是指在中間轉印體上轉印的調色劑圖像的質量相對于在感光體上形成的調色劑圖像的質量的比例。二次轉印效率，是指在記錄紙上轉印的調色劑圖像的質量相對于在中間轉印體上形成的調色劑圖像的質量的比例。o:—次、二次轉印效率都為90%以上。△:一次、二次轉印效率的一個為90%以上，另一個為不足90%。x:—次、二次轉印效率都不足90%。(2)清潔性使用上述打印機，并目視觀察使用清潔刮刀清潔中間轉印體表面后的中間轉印體表面狀態(tài)，確認調色劑的附著狀態(tài)。然后，將沒有調色劑附著的記為o,將附著了一點但使用時沒有問題的記為A，并將使用時存在問題的記為x。(3)耐久性試驗使用上述打印機，以5張/分鐘的打印速率印刷全彩色圖像，測定到帶損壞時的全彩色張數。o:即使超過機種的機器壽命，也沒有表面裂縫，膜剝離?！?在以機種的機器壽命的70%以上進行打印時，產生了表面裂縫或膜剝離。x:在不足機種的機器壽命的70%進行打印時，產生了表面裂縫或膜剝離。以上的試樣1-19的測定結果和評價結果如表2所示。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>由以上結果可知，通過使用在基材上具有含碳原子的第1無機化合物層和作為表面層不含碳原子或含有比上述第1無機化合物層更少量石友原子的第2無機化合物層的中間轉印體，可以提供與調色劑的脫模性優(yōu)異，轉印效率提高，并且即使長期耐久使用也不會產生破裂的中間轉印體，以及使用中間轉印體的圖像形成裝置。此外，可知通過使第2無機化合物層的碳含量為20原子％以下(XPS測定)，可以得到轉印效率和清潔性更優(yōu)異的中間轉印體。此外，可知通過使第1無機化合物層的碳含量為0.1原子％以上，50原子％以下(XPS測定)，可以得到耐久性更優(yōu)異的中間轉印體。權利要求1、一種中間轉印體，該中間轉印體含括基材、在基材上形成的含碳原子的第1無機化合物層和作為表面層的不含碳原子或含有比上述第1無機化合物層更少量碳原子的第2無機化合物層。2、權利要求1所述的中間轉印體，其中，上述第1無機化合物層的碳含量為0.1原子％以上，50原子％以下(XPS測定)。3、權利要求1或2所述的中間轉印體，其中，上述第2無機化合物層的碳含量為20原子％以下(XPS測定)。4、權利要求1-3中任一項所述的中間轉印體，其中，上述第1無機化合物層或上述第2無機化合物層是含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的化合物。5、權利要求1-3中任一項所述的中間轉印體，其中，上述第1無機化合物層和上述第2無機化合物層由含有選自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一種原子的化合物構成。6、權利要求1-5中任一項所述的中間轉印體，其中，上述第1無機化合物層或上述第2無機化合物層是無機氧化物層。7、權利要求1-5中任一項所述的中間轉印體，其中，上述第1無機化合物層和上述第2無機化合物層是無機氧化物層。8、制造權利要求1-7中任一項所述的中間轉印體的方法，其中，上述第1無機化合物層和上述第2無機化合物層的至少一層由大氣壓等離子體CVD法形成。9、一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置包括將從圖像載體的表面轉印的調色劑圖像進一步轉印至記錄介質上的中間轉印體而形成的圖像形成裝置，其中，上述中間轉印體是權利要求1-7中任一項所述的中間轉印體。全文摘要本發(fā)明目的在于提供轉印性更高，清潔性和耐久性更高的中間轉印體，無需真空裝置等大型設備的中間轉印體制造裝置，和具有該中間轉印體的圖像形成裝置。因此，中間轉印體在基材上具有含碳原子的第1無機化合物層和作為表面層的不含碳原子或含有比上述第1無機化合物層更少量碳原子的第2無機化合物層。文檔編號G03G15/16GK101292199SQ200680038699公開日2008年10月22日申請日期2006年10月10日優(yōu)先權日2005年10月20日發(fā)明者工藤一良申請人:柯尼卡美能達商用科技株式會社