專利名稱：：低衰減非零色散位移光纖的制作方法低衰減非零色散位移光纖
背景技術(shù)：
：1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及非零色散位移光纖(NZDSF)或NZDS光纖或NZ-DSF。2.
背景技術(shù)：
：在水下和陸上使用的通信系統(tǒng)需要能夠在信號降級盡可能小的情況下遠(yuǎn)距離發(fā)送信號的光纖。隨著新技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，諸如波分復(fù)用(WDM)和較高信道速度，對網(wǎng)絡(luò)帶寬的要求不斷提高。然而，諸如衰減和彎曲損耗的光纖屬性是信號降級的主要因素。這些因素中的一個或多個的減小會有助于降低、甚至消除網(wǎng)絡(luò)中所需的信號放大次數(shù)，這樣可以降低網(wǎng)絡(luò)成本并增加網(wǎng)絡(luò)效率。波分復(fù)用(WDM)系統(tǒng)在本文中定義為包括C-帶以及包括1565nm至1625nm之間的波長的L-帶的1550nm波長范圍附近操作。某些已知光纖具有位于操作窗口之外的零色散波長，這有助于防止諸如四波混頻(FWM)和交叉相位調(diào)制(XPM)的非線性損失。然而，已知NZDSF光纖的衰減不在最低衰減光纖之列。較佳地，粗波分復(fù)用(CWDM)系統(tǒng)和應(yīng)用在WDM1550nm窗口(即C和L-帶)中、S-帶中(在約1450nm至1525nm之間)、以及1310nm窗口(在約1280nm至約1330nm之間)中操作。發(fā)明概述本文所公開的光波導(dǎo)光纖是低衰減、適度色散的光纖。這些光纖是非零色散位移光纖(NZDSF)、或NZDS光纖或NZ-DSF。這些光纖包括被選擇成提供以下各項的相對折射率分布零色散波長小于1450nm，較佳地小于1430nm，更佳地在1340與1430nm之間，還要更佳地在1340與1420nm之間；1550nm波長處的色散斜率小于0.06ps/nm2/km，較佳地在0.050與0.060ps/nm2/km之間；以及在1550nm波長處的衰減小于0.190dB/km，較佳地小于0.185dB/km，更佳地小于0.180dB/km。較佳地，光纖在1550nm波長處呈現(xiàn)大于50pm2、較佳地大于55pm2的有效面積。在某些較佳實施方式中，波長1550nm波長處的有效面積在55^0112與70^11112之間；在其它較佳實施方式中，波長1550nm波長處的有效面積在55nm2與65pm2之間。較佳地，1550nm波長處的色散在5與15ps/nm-km之間，較佳地在6與13ps/nm-km之間，在某些較佳實施方式中在6與10ps/nm-km之間。較佳地，1625nm波長處的色散小于20ps/nm-km，較佳地小于18ps/nm-km,在某些較佳實施方式中小于17.0ps/nm-km。較佳地，1440nm波長處的色散大于1.0ps/nm-km，較佳地在1.0與8.0ps/nm-km之間，在某些較佳實施方式中在1.0與7.0ps/nm-km之間。較佳地，1400nm波長處的色散絕對值小于5.0ps/nm-km，在某些較佳實施方式中小于4.0ps/nm-km。較佳地，1310nm波長處的色散絕對值小于8.0ps/nm-km，在某些較佳實施方式中小于7.0ps/nm-km。較佳地，在1310run波長處色散斜率小于0.080ps/mn2-km。較佳地，在1310nm波長處的模場直徑大于7.0pm2，較佳地大于7.2,2。較佳地，光纖呈現(xiàn)小于1550nm、較佳地小于1500nm的纜線截止。在某些較佳實施方式中，纜線截止小于1450nm。在其它較佳實施方式中，纜線截止小于1400nm。在另外的較佳實施方式中，纜線截止小于1300nm。在其它較佳實施方式中，纜線截止小于1260nm。較佳地，本文所述和所公開的光纖允許在從約1260nm至約1650nm的多個波長處有合適性能。在較佳實施方式中，本文所述和所公開的光纖是能夠適應(yīng)在至少1310nm窗口和1550nm窗口中操作的多窗口光纖。現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的較佳實施方式，其實例在附圖中示出。附圖簡述圖1示出與如本文所公開的光波導(dǎo)光纖第一較佳實施方式相對應(yīng)的相對折射率分布。圖2-10示出與如本文所公開的光波導(dǎo)光纖替換較佳實施方式相對應(yīng)的相對折射率分布。圖11是采用如本文所公開的光纖的光纖通信系統(tǒng)的示意圖。較佳實施方式的詳細(xì)描述本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點將在以下詳細(xì)描述中得到闡述，并且基于描述而對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言變得顯而易見或者可以通過實踐以下描述以及權(quán)利要求書和附圖中所描述的本發(fā)明而獲知。"折射率分布"是折射率或相對折射率與波導(dǎo)光纖半徑之間的關(guān)系。"相對折射率百分比"被定義成^%=100x(ni、n)/2ni2,其中nj是區(qū)域i中的最大折射率，除非另行指出，且ne是純(未摻雜)二氧化硅的折射率。如本文所使用的，相對折射率由A表示，其值以"％"為單位給出，除非另行指出。在一區(qū)域的折射率小于純二氧化硅的折射率的情況下，相對折射率百分比為負(fù)，并被稱為具有下陷區(qū)域或下陷折射率。在一區(qū)域的折射率大于純二氧化硅的折射率的情況下，相對折射率百分比為正，且該區(qū)域被稱為具有上升區(qū)域或具有正折射率。在本文中，"上摻雜物(updopant)"或折射率增加摻雜物被視為傾向于升高相對于純的未摻雜Si02的折射率的摻雜物。在本文中，下?lián)诫s物(downdopant)或折射率減小摻雜物被視為傾向于降低相對于純的未摻雜Si02的折射率的摻雜物。當(dāng)伴隨有一種或多種不是上摻雜物的其它摻雜物時，上摻雜物可能出現(xiàn)在光纖的具有負(fù)相對折射率的區(qū)域中。同樣，不是上摻雜物的一種或多種其它摻雜物可能出現(xiàn)在光纖的具有正相對折射率的區(qū)域中。當(dāng)伴隨有一種或多種不是下?lián)诫s物的其它摻雜物時，下?lián)诫s物可能出現(xiàn)在光纖的具有正相對折射率的區(qū)域中。同樣，不是下?lián)诫s物的一種或多種其它摻雜物可能出現(xiàn)在光纖的具有負(fù)相對折射率的區(qū)域中。波導(dǎo)光纖的"色散"是材料色散、波導(dǎo)色散和模間色散之和。在單模波導(dǎo)光纖的情形中，模間色散為零。零色散波長是色散值為零的波長。色散斜率是色散相對于波長的變化率。"有效面積"被定義為A,2兀(Jf2rdr)2/(Jf4rdr)，其中，積分極限是O至oo，而f是與在波導(dǎo)中傳播的光相關(guān)聯(lián)的電場橫向分量。如本文中所使用的，"有效面積"或"Aeff"是指1550nm波長處的光學(xué)有效面積，除非另行指出。術(shù)語"oc-分布"是指遵循以下方程的相對折射率分布，由單位為"％"的A(r)表示，其中r是半徑，△(!)=A(r0)(l-[lr-rj/(r,Or)，其中r。是A(r)最大的點，r,是A(r)n/。為零的點，而r在rj￡r￡rf范圍內(nèi)，其中A定義如上，ri是a-分布的起點，rf是a-分布的終點，且a是實數(shù)指數(shù)。使用PetermanII方法來度量模場直徑(MFD)，其中2w=MFD，且w2=(2^rdr/化df/drfrdr)，積分極限為0至oo。波導(dǎo)光纖的抗彎強(qiáng)度可在預(yù)定測試條件下由所引發(fā)衰減來計量。一類彎曲測試是橫向負(fù)載微彎曲測試。在所謂的"橫向負(fù)載"測試中，將預(yù)定長度的波導(dǎo)光纖置于兩個平板之間。將#70線網(wǎng)附加到板之一上。將已知長度的波導(dǎo)光纖夾在兩板之間，并且在用30牛頓力將兩個板壓在一起的同時測量參考衰減。然后，向板施加70牛頓的力，測量以dB/m為單位的衰減增加。衰減增加是波導(dǎo)的橫向負(fù)載衰減。"針腳陣列"彎曲測試用于比較波導(dǎo)光纖對彎曲的相對強(qiáng)度。為了執(zhí)行該測試，對本質(zhì)上沒有引起彎曲損耗的波導(dǎo)光纖測量衰減損耗。然后，繞針腳陣列編織波導(dǎo)光纖，再次測量衰減。由彎曲引起的損耗是兩次測量衰減之差。針腳陣列是在平面上排列成單行并保持在固定垂直位置上的一組10個圓柱針腳。針腳的中心間距為5mm。針腳直徑為0.67mm。在測試中，施加足夠的張力以使波導(dǎo)光纖順應(yīng)針腳表面的一部分。對于給定模式，理論光纖截止波長或"理論光纖截止"或"理論截止"是在其上導(dǎo)光無法以該模式傳播的波長。數(shù)學(xué)定義可以在Jeunhomme的"SingleModeFiberOptics(單模光纖光學(xué))"(MarcelDekker，NewYork,1990)第39_44頁中找到，其中理論光纖截止被描述為模式傳播常數(shù)變成等于外包層中平面波傳播常數(shù)時所處的波長。該理論波長適于較佳地直徑?jīng)]有變化的無限長直光纖。由于彎曲和/或機(jī)械壓力引起的損耗，有效光纖截止小于理論截止。在這種上下文中，截止是指LPll和LP02模式中較高的一個。LP11和LP02通常在測量中不能區(qū)分，但是兩者在光譜測量中作為階躍則很明顯，即在該模式中在大于所測量截止的波長處觀測不到功率。可以使用標(biāo)準(zhǔn)的2m光纖截止測試，F(xiàn)OTP-80(EIA-TIA-455-80),測量實際光纖截止以提供"光纖截止波長"，也稱為"2m光纖截止"或"所測量的截止"。執(zhí)行FOTP-80標(biāo)準(zhǔn)測試以使用受控彎曲量剔除較高階模式，或者將光纖的光譜響應(yīng)對多模光纖的光譜響應(yīng)歸一化。由于纜線環(huán)境中更高的彎曲和機(jī)械壓力水平，纜線截止波長或"纜線截止"甚至小于所測量的光纖截止。實際纜線條件可以通過EIA-445光纖光學(xué)測試程序中所述的纜線截止測試來近似，該程序是EIA-TIA光纖光學(xué)標(biāo)準(zhǔn)、即電子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟-通信產(chǎn)業(yè)協(xié)會光纖光學(xué)標(biāo)準(zhǔn)、通常稱為FOTP的一部分。纜線截止測量在通過所發(fā)射功率的單模光纖EIA-455-170纜線截止波長或"FOTP-170"中有描述。除非本文中另行指出，否則光學(xué)特性(諸如色散、色散斜率等)是對LP01模報告的。波導(dǎo)光纖通信鏈路(或簡單地稱為鏈路)是由光信號發(fā)送器、光信號接收器、以及相應(yīng)末端光學(xué)連接到發(fā)送器和接收器以在其間傳播光信號的一段波導(dǎo)光纖構(gòu)成的。該段光纖可以由以首尾相連的串聯(lián)排列接合或連接的多個較短的段構(gòu)成。鏈路可以包括附加光學(xué)部件，諸如光學(xué)放大器、光學(xué)衰減器、光學(xué)隔離器、光學(xué)開關(guān)、濾光器、或復(fù)用或解復(fù)用器件。可以將一組相互連接的鏈路記為通信系統(tǒng)。本文所使用的光纖跨度包括在諸如兩個光學(xué)放大器之間或復(fù)用器件與光學(xué)放大器之間的光學(xué)設(shè)備之間延伸的一段光纖或串聯(lián)熔合在一起的多個光纖?？缍瓤梢园ㄈ绫疚乃龅墓饫w的一個或多個片段，并且可以進(jìn)一步包括其它光纖的一個或多個片段，例如被選擇成實現(xiàn)諸如跨度末端剩余色散的期望系統(tǒng)性能或參數(shù)的片段。各種波長帶、或工作波長范圍或波長窗口可以定義如下"1310nm帶"是1260至1360nm;"E-帶"是1360至1460nm;"S-帶"是1460至1530nm;"C-帶"是1530至1565nm;"L-帶"是1565至1625nm;而"U-帶"是1625至1675nm。本文所述的光纖包括芯層和圍繞芯層并與之直接相鄰的包層(或覆層)。該包層具有折射率分布A^(r)。芯層包括折射率分布A^(r)。在某些較佳實施方式中，本文所述光纖的芯層具有非正的相對折射率分布。在某些較佳實施方式中，芯層不包含鍺，即非鍺摻雜的二氧化硅。在其它較佳實施方式中，可以在芯層內(nèi)，尤其是本文所公開光纖的中心線處或附近單獨(dú)或結(jié)合使用與鍺不同的摻雜物。參照圖1，本文公開光波導(dǎo)光纖100，包括中心芯層區(qū)域10、包圍中心芯層區(qū)域10并與之直接相鄰的環(huán)形區(qū)域30、以及包圍環(huán)形區(qū)域30并與之直接相鄰的外包層40。中心芯層區(qū)域0包括中心部分12和圍繞中心部分12并與之直接相鄰的外層部分4，中心部分12從中心線向外徑向延伸到中心部分外半徑RO并具有包含最大相對折射率百分比A(MAX的相對折射率百分比AQ%(r)，并且外層部分14從中心部分12向外徑向延伸到芯層半徑R,，外層部分14具有包含最大相對折射率百分比A,MAx的相對折射率百分比A^/。(r)。環(huán)形區(qū)域30包圍中心芯層區(qū)域10的外層部分14并與之直接相鄰，并具有包含最大相對折射率百分比A2MIN的負(fù)相對折射率百分比△2%(r)，其中A2M,n〈A,MAxSAomax且-O.P/。SA。maxS+0.10/。。外包層40具有包含最大相對折射率百分比A3MAx的相對折射率百分比A3%(r)，其中△3max與厶2max之差的絕對值小于或等于0.05%,即|A2MIN—厶3max|^0.05%。在所有實施方式中，包層40徑向延伸超過附圖所示的20pm，如圖1中超過20pm半徑的虛線所示。在較佳實施方式中，-0.15%S(A1MAX-Aomax)^-0.05%，且-0.50%^(厶2max_厶1max)1-0.40%。較佳地，-0.60%S(A2MAX-A。MAX)S-0.45%。在某些較佳實施方式中，Aqmax是非正的，較佳地-0.1。/。SA()MAxS00/0。在其它較佳實施方式中，A()max為0%。在另外的較佳實施方式中，A。MAX是非負(fù)的，較佳地0。/o5厶OMAxS0.10/0。較佳地，A,max是非正的。在某些具有非正A,max的較佳實施方式中，-0.20%SA1MAX^0%。在某些較佳實施方式中，AoMAx為正并且中心芯層區(qū)域10的外層部分14的至少一部分具有相對于純(未摻雜)二氧化硅基本上為0。/。的A。在其它較佳實施方式中，中心芯層區(qū)域IO的中心部分12的至少一部分具有相對于純(未摻雜)二氧化硅基本上0。/。的A，且-0.20%^厶imax<0%,較佳地-0.15%SA1MAX<0%。在另外的較佳實施方式中，Aomax為0%，并且中心芯層區(qū)域10的外層部分14的至少一部分包括純(未摻雜)二氧化硅。在其它較佳實施方式中，A。max是非負(fù)的，校佳地0。/qSAomaxS0.1%。較佳地，0.2jum三Ro^1.5pm。較佳地，3jxm^R1fim。在較佳實施方式中，中心芯層區(qū)域IO的外層部分14具有a,分布形狀的相對折射率，如圖1中箭頭16附近所示，并且較佳地12Sa,S20。較佳地，-0.60%SA2M,NS-0.40%。較佳地，Aomax與厶2mw之差的絶對值在0.40%與0.60%之間，即0.40%SIA0MAX-A2MIN|^0.60%;更佳地，0.45%SI△,-A2,I^0.55%。較佳地，與(A2M1N-A1MAX)/2相對應(yīng)的相對折射率值在本文中定義為半高半徑RlHH的半徑處出現(xiàn)，其中2.7pmSR1HH$3.4|am。較佳地，13nmSR2S29pm，更佳地14^im^R2^20pm。較佳地，-0.65%SA3MAX$-0.45%。在某些較佳實施方式中，-0.60%S△3max^-0.45%。在某些較佳實施方式中，A3MAX=A2MIN，并且環(huán)形區(qū)域的折射率與外包層40匹配。環(huán)形區(qū)域30可被稱為內(nèi)包層，得到由中心區(qū)域IO構(gòu)成的芯層以及由內(nèi)、外包層構(gòu)成的包層。環(huán)形區(qū)域30從R,延伸到外半徑R2。寬度\￥2被定義為R,與112之間的徑向距離。中點R2M,d在R,與R2的中間出現(xiàn)。本文所公開的光纖較佳地包括含有Si02、氟、和從K、Na、Li、Cs和Rb構(gòu)成的組中選擇的堿金屬的芯層。較佳地，堿金屬可以以堿金屬氧化物摻雜物的形式提供，較佳地以至少20ppmwt.%的量在芯層中提供。K20是最佳的堿金屬氧化物。較佳地，芯層中堿金屬氧化物濃度的峰基本上與光纖的中心線重合。在較佳實施方式中，在大于10pm的半徑處堿金屬氧化物(諸如K20)的濃度小于峰值濃度的50%。在某些較佳實施方式中，光纖芯層中堿金屬氧化物的峰值濃度在20-1000ppmwt.。/。之間；在其它較佳實施方式中，在50-500ppmwt.%之間；在另外的較佳實施方式中，在50-300ppmwt.%之間；以及在其它較佳實施方式中，在50-200ppmwt.%之間；較佳地，芯層摻雜有氟。較佳地，中心芯層區(qū)域IO的外層部分14摻雜有量大于1000ppmwt.%的氟(0.1wt.%F);更佳地大于2000ppmwt.%(0.2wt.%F);還要更佳地大于3000ppmwt.%(0.3wt.%F);以及在某些較佳實施方式中，在約1000ppmwt.%(0.1wt.%F)與5000(0.5wt.%F)之間。較佳地，包層40以及環(huán)形區(qū)域30摻雜有氟，較佳地量在10,000ppmwt.%(1.0wt.%)與30,000ppmwt.%(3.0wt,%)之間，更佳地在約10,000ppmwt.°/。(1.0wt.%)與20,000ppmwt.%(2.0wt.%)之間，還要更佳地在約12,500ppmwt.%(1.25wt.%)與17,500ppmwt.%(1.75wt.%)之間。在某些較佳實施方式中，光纖從約半徑l)nm到包層40的最外圍包含氟。較佳地，光纖摻雜有氯。較佳地，中心芯層區(qū)域10包括峰值量小于2000ppmwt.%(0.2wt.%)的氯。表1-4列出第一組示例性較佳實施方式，示例1-10。圖1-10分別通過曲線A-J示出示例1-10的對應(yīng)折射率分布。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>于所有半徑，即中心線r=0處至r=RMAX，A。/。(r)小于或等于0%，其中RMAX是光纖基于二氧化硅的部分的最外半徑(包括任何涂敷層)。在較佳實施方式中，R嫩x為約62.5pm。本文所公開的光纖可以通過氣相沉積工藝制成，諸如通過外部氣相沉積(OVD)工藝。因此，例如，已知的OVD沉積、固結(jié)和抽拉技術(shù)可以有利地用于生產(chǎn)本文公開的光波導(dǎo)光纖。也可以使用其它工藝，諸如經(jīng)更改的化學(xué)氣相沉積(MCVD)或軸向氣相沉積(VAD)或等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)。因此，本文所公開的光波導(dǎo)光纖的折射率和橫截面分布可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的制造技術(shù)實現(xiàn)，包括但完全不限于OVD、VAD和MCVD工藝。包層40可以由例如在沉積工藝中沉積的包層材料或以諸如管中棒的光學(xué)預(yù)制棒結(jié)構(gòu)中管的外套形式設(shè)置的包層材料、或者所沉積的材料和外套的組合構(gòu)成。包層40可以包括一種或多種摻雜物。包層40被主涂敷層P和輔涂敷層S包圍。較佳地，本文所公開的光纖具有基于二氧化硅的纖芯和包層。在較佳實施方式中，包層具有約125pm的外圍直徑2*RMAX。較佳地，包層的外徑具有沿光纖長度的恒定直徑。在較佳實施方式中，光纖的折射率呈徑向?qū)ΨQ。較佳地，纖芯的外徑具有沿光纖長度的恒定直徑。較佳地，一個或多個涂敷層圍繞包層并與之接觸。涂敷層較佳地是諸如丙烯酸酯的聚合物涂敷層。較佳地，涂敷層沿光纖長度在徑向上具有恒定直徑。如圖11所示，本文所公開的光纖100可以在光纖通信系統(tǒng)330中實現(xiàn)。系統(tǒng)330包括發(fā)送器334和接收器336，其中光纖100允許光信號在發(fā)送器334與接收器336之間傳輸。系統(tǒng)330較佳地能夠雙向通信，并且發(fā)送器334和接收器336僅為說明而示出。系統(tǒng)330較佳地包括一片段或一跨度的如本文所公開光纖的鏈接。系統(tǒng)330還可以包括光學(xué)連接到一個或多個片段或跨度的本文所述光纖的一個或多個光學(xué)器件，諸如一個或多個再生器、放大器或色散補(bǔ)償模塊。在至少一個較佳實施方式中，根據(jù)本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括由光纖所連接的發(fā)送器和接收器且其間不存在再生器。在另一較佳實施方式中，根據(jù)本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括由光纖所連接的發(fā)送器和接收器且其間不存在放大器。在又一較佳實施方式中，根據(jù)本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括由光纖所連接的發(fā)送器和接收器且其間既沒有放大器也沒有再生器或中繼器。較佳地，本文所公開的光纖具有較低水含量，并且較佳地是低水峰光纖，即具有在特定波長區(qū)域、尤其是E帶中呈現(xiàn)相對較低或沒有水峰的衰減曲線。制造低水峰光纖的方法可以在PCT申請公開No.WO00/64825、WO01/47822和WO02/051761中找到，這些申請的內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本文所公開的所有光纖都可以在光信號傳輸系統(tǒng)中采用，該系統(tǒng)較佳地包括發(fā)送器、接收器和光學(xué)傳輸線。光學(xué)傳輸線光學(xué)耦合到發(fā)送器和接收器。光學(xué)傳輸線較佳地包括較佳地具有至少一個光纖片段的至少一個光纖跨度。該系統(tǒng)較佳地還包括光學(xué)耦合到光纖片段的至少一個放大器，諸如拉曼放大器。該系統(tǒng)還較佳地包括將能夠?qū)⒐庑盘栠\(yùn)送到光學(xué)傳輸線上的多個信道互連的復(fù)用器，其中至少一個、更佳地至少三個、以及最佳地至少十個光信號在約1260nm與1625nm之間的波長下傳播。較佳地，至少一個信號在以下波長區(qū)域的一個或多個中傳播1310nm帶，E帶，S帶，C帶和L帶。在某些較佳實施方式中，該系統(tǒng)能夠在粗波分復(fù)用模式下運(yùn)行，其中一個或多個信號在以下的至少一個、更佳地至少兩個中傳播1310nm帶，E帶，S帶，C帶和L帶。在一個較佳實施方式中，該系統(tǒng)在1530與1565nm之間的一個或多個波長下操作。在一個較佳實施方式中，該系統(tǒng)包括具有本文所公開光纖的不大于20km的片段。在另一較佳實施方式中，該系統(tǒng)包括本文所公開光纖的長度大于20km的片段。在又一較佳實施方式中，該系統(tǒng)包括本文所公開光纖的長度大于70km的片段。在一個較佳實施方式中，該系統(tǒng)在小于等于約1Gb/s下操作。在另一較佳實施方式中，該系統(tǒng)在小于等于約2Gb/s下操作。在又一較佳實施方式中，該系統(tǒng)在小于等于約10Gb/s下操作。在再一較佳實施方式中，該系統(tǒng)在小于等于約40Gb/s下操作。在又一較佳實施方式中，該系統(tǒng)在大于等于約40Gb/s下操作。在較佳實施方式中，本文所公開的系統(tǒng)包括光源、光學(xué)耦合到光源的如本文所公開的光纖、以及光學(xué)耦合到光纖用于接收通過光纖發(fā)送的光信號的接收器，該光源具有高頻振動能力、和/或相位調(diào)制能力、和/或振幅調(diào)制能力，該光信號由光源生成，并且光信號由接收器來接收。應(yīng)該理解，以上描述僅為本發(fā)明的示例，并且旨在為理解如權(quán)利要求書中所定義的本發(fā)明本質(zhì)和特征提供總覽。包括附圖是為了提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖被納入并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出本發(fā)明的各種特性和實施方式，并與其描述一起用于解釋本發(fā)明的原理和操作。對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在不背離如所附權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明精神或范圍的情況下，對如本文所述的本發(fā)明較佳實施方式進(jìn)行各種修改。權(quán)利要求1.一種光波導(dǎo)光纖，包括小于1450nm的零色散波長，1550nm波長處小于0.06ps/nm2/km的色散斜率，以及1550nm處小于0.190dB/km的衰減。2.如權(quán)利要求1所示的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1550nm波長處具有大于50nm2的有效面積。3.如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1550nm波長處具有在5至15ps/nm-km之間的色散。4.如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1440nm波長處具有大于1.0ps/nm-km的色散。5.如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1400nm波長處具有小于5.0ps/nm-km的色散絕對值。6.如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1310nm波長處具有小于8.0ps/nm-km的色散絕對值。7.如權(quán)利要求1所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖在1310nm波長處具有大于7.0pm2的模場直徑。8.如權(quán)利要求l所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述光纖包括中心芯層區(qū)域、包圍所述中心芯層區(qū)域并與之直接相鄰的環(huán)形區(qū)域、以及包圍所述環(huán)形區(qū)域并與之直接相鄰的外包層；其中，所述中心芯層區(qū)域包括中心部分和包圍所述中心部分并與之直接相鄰的外層部分，所述中心部分從中心線向外徑向延伸到中心部分外半徑RO，并具有包含最大相對折射率百分比AoMAx的相對折射率百分比△0%(r);其中所述外層部分從所述中心區(qū)域向外徑向延伸到芯層半徑&，所述外層部分具有包含最大相對折射率百分比A,MAx的相對折射率百分比A,/o(r);其中，所述環(huán)形區(qū)域包圍所述中心芯層區(qū)域的所述外層部分并與之直接相鄰，并具有包含最大相對折射率百分比A2Mw的負(fù)相對折射率百分比△2%(r)。9.如權(quán)利要求8所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，A2M1N<A1MAXS△0MAX°10.如權(quán)利要求8所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，-0.1%￡AQMAXS+0.1%。11.如權(quán)利要求8所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，所述外包層具有包含最大相對折射率百分比A3MAX的相對折射率百分比厶3%(0，其中|A2MIN12.如權(quán)利要求8所述的光波導(dǎo)光纖，其特征在于，-0.60%SA2MIN￡-0.40%。13.—種包括光源、接收器和連接所述光源與所述接收器的如權(quán)利要求1所述的光纖的系統(tǒng)，其中所述光源能夠生成在1530至1565nm波長范圍內(nèi)的光信號。全文摘要一種光波導(dǎo)光纖，具有小于1450nm的零色散波長、1550nm波長處小于0.06ps/nm²/km的色散斜率、以及1550nm波長處小于0.190dB/km的衰減。所公開的光纖在1550nm波長處呈現(xiàn)大于50μm²的有效面積，在1550nm波長處呈現(xiàn)在5至15ps/nm-km之間的色散。文檔編號G02B6/02GK101583891SQ200680051445公開日2009年11月18日申請日期2006年10月26日優(yōu)先權(quán)日2005年11月23日發(fā)明者S·K·米什拉申請人:康寧股份有限公司