專(zhuān)利名稱：光學(xué)鄰近修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光學(xué)鄰近修正方法。
技術(shù)背景傳統(tǒng)的制備半導(dǎo)體器件的工藝經(jīng)常采用光刻工藝在半導(dǎo)體襯底上形成預(yù) 期的圖形。在光刻工藝中，所謂曝光設(shè)備的分辨極限是指曝光設(shè)備能夠反復(fù) 地曝光在半導(dǎo)體襯底上最細(xì)微的特征圖形。目前，對(duì)于最先進(jìn)的光學(xué)曝光設(shè)備的分辨極限約為0.05微米，即接近于當(dāng)前許多IC布線設(shè)計(jì)的臨界尺寸(CD )。 因此曝光機(jī)的分辨率會(huì)對(duì)IC電路的最終大小和密度產(chǎn)生影響。代表最小圖形的尺寸分辨率R的極限通過(guò)如下公式(1)反映R:k鋒A ( 1 )1^是與光刻工藝有關(guān)的常數(shù)；X是曝光的光的波長(zhǎng)；NA是曝光系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。數(shù)值孔徑NA越高，分辨率R值越小，即分辨率越高。另一方面，曝光設(shè)備的另一重要特點(diǎn)在于其焦深(DOF, Depth-of-Focus)，曝光設(shè)備的焦深定義為空間圖像(該空間圖像具有接近其分辨率尺 寸的特征圖形)能在焦點(diǎn)內(nèi)的范圍。在圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層上的光刻工藝中 需要有一最小的DOF。該最小的DOF能充分確保遍布在整個(gè)光刻膠層內(nèi)的圖 像保持在焦點(diǎn)內(nèi)，所以最小DOF范圍通常大于或等于光刻膠層的厚度。焦深 由下式(2)表示DOF = k2V(NA)2 (2)k2是與光刻工藝有關(guān)的常數(shù)。因此數(shù)值孔徑NA越大，分辨率iuy、，即分辨率越高。由(2)式看出， 由于對(duì)工藝窗口的影響，分辨率R不可能僅通過(guò)增大數(shù)值孔徑NA來(lái)縮小，因 為曝光設(shè)備DOF決定了曝光設(shè)備所設(shè)定的可用分辨率。例如，若一曝光設(shè)備 具有分辨率0.4微米特征圖形的能力但具有的DOF小于所需要的能在遍布整個(gè) 光刻膠層上將此特征圖形進(jìn)行清晰聚焦的范圍，此種情況下就無(wú)法實(shí)現(xiàn)所設(shè) 定的0.4微米的分辨率?？梢?jiàn)若能延長(zhǎng)曝光設(shè)備的DOF范圍，分辨率可得以縮 小從而可印制更小的圖形。目前為了增大分辨率R同時(shí)不改變NA，主要通過(guò) 添加輔助圖形，尤其是對(duì)于稀疏的線條或者空間來(lái)提高等焦距曲線以達(dá)到提 高分辨率的目的。比如專(zhuān)利號(hào)為6983444的美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)了一種光學(xué)鄰接修正 的掩模版，該發(fā)明通過(guò)在布局主圖形之間加入第一輔助圖形以及在布局主圖 形和第一輔助圖形之間加入第二輔助圖形，所述第一輔助圖形垂直于線狀的 布局主圖形，寬度較大。所述第二輔助圖形具有尺寸小于曝光波長(zhǎng)的2/5但大 于曝光波長(zhǎng)的1/4。采用此方法設(shè)計(jì)的輔助圖形在轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻 膠層時(shí)候不會(huì)被解析出來(lái)，但是可以使得稀疏的布局圖形與高密的布局圖形 具有相同的布局環(huán)境，不但可以增加光刻工藝窗口，也可以提高圖形的對(duì)比 度。但是，隨著圖形臨界尺寸的縮小逐漸接近光刻設(shè)備的分辨率極限，掩模 版上的輔助圖形與轉(zhuǎn)移至掩模版上的圖形的 一致性大大降低。下面參照附圖 加以說(shuō)明，參照?qǐng)D1A給出是德國(guó)捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機(jī)的偏 移量與散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸(4x )(注掩模版上所有圖形的尺寸為形成 在半導(dǎo)體襯底上的圖形的4x )之間的關(guān)系曲線?？梢钥闯?，當(dāng)散射條的最小 尺寸大于200nm (4x )以上時(shí)，在掩模版上形成的散射條輔助圖形的臨界尺 寸與設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形之間的偏移量約為零；但是當(dāng)散射條設(shè)計(jì)的最小 尺寸小于200nm (4x )時(shí)，在掩模版上形成的散射條輔助圖形與設(shè)計(jì)的散射 條輔助圖形之間的偏移量比較大，散射條輔助圖形的最小尺寸越小，偏移量越大，最大可達(dá)-48nm。散射條輔助圖形的最小尺寸的偏移可能導(dǎo)致形成在掩 模版上的散射條輔助圖形的變形甚至缺失，下面參照附圖加以說(shuō)明。圖1 B給出設(shè)計(jì)的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形101 a、 101b、 101c、 101d及102，還包括散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。然后采用德國(guó)捷歐公司(正OL)的JBX30系列曝光機(jī)將設(shè)計(jì)的 布局主圖形與散射條輔助圖形轉(zhuǎn)移至掩模版200上，如圖1C所示。掩模版200 上布局主圖形IOI a、 101 b、 101 c、 101 d及102分別與設(shè)計(jì)的圖1A所示的布 局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102相對(duì)應(yīng);散射條輔助圖形103 a、 104 a、 104 b、 104 c及104 d分別與散射條輔助圖形103a、 104a、 104b、 104c及104d 相對(duì)應(yīng)。可以看出，與"^殳計(jì)的矩形的散射條輔助圖形103a、 104a、 104b、 104c 及104d相比，圖形103a、 104 a、 104 b、 104 c及104 d尺寸有所縮小和變形， 變形為橢圓形，更為嚴(yán)重的是，散射條輔助圖形103b在掩模版上缺失，沒(méi)有 轉(zhuǎn)移上去，如圖1C中虛線所示。由于散射條輔助圖形的缺少，容易導(dǎo)致光刻 工藝窗口的縮小。參照附圖2給出掩模版上沒(méi)有散射條輔助圖形條件下，布局 主圖形的臨界尺寸與德國(guó)捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機(jī)的焦距的關(guān) 系曲線。假設(shè)臨界尺寸為65nm，在縱坐標(biāo)65nm處畫(huà)一橫線，與臨界尺寸與焦 距的關(guān)系曲線相交于兩點(diǎn)，兩點(diǎn)之間的距離即為焦深DOF。可以看出，沒(méi)有 散射條輔助圖形條件下，焦深DOF為0.15pm， 一般的焦深DOF需要為0.25pm， 如此小的焦深容易導(dǎo)致非常不穩(wěn)定的曝光工藝和較差的布局主圖形的解析 度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問(wèn)題是隨著臨界尺寸越來(lái)越小，用于增大膝光工藝窗口而 設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形臨界尺寸在小于200nm (4x )以下時(shí)，不容易轉(zhuǎn)移至 掩模版上，造成曝光機(jī)的焦深減小以及散射條輔助圖形尺寸縮小甚至缺失。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光學(xué)鄰近修正方法，包括提供布局 主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖 形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正。所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。本發(fā)明還提供一種掩模版的形成方法，包括提供布局主圖形；在布局 主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺 寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正；將布局主圖形及 修正后的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上。所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。所述曝光機(jī)的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應(yīng)地，所述曝光機(jī)偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -2011111或者-1011111;修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分 別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。本發(fā)明還提供一種圖形化方法，包括提供布局主圖形；在布局主圖形 的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去 曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正；將布局主圖形及修正后 的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上；提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體 襯底上形成光刻膠層；將掩模版上的布局主圖形轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻 膠層上。所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。 所述曝光機(jī)的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。 所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、180nm或者200nm;相應(yīng)地，所述曝光機(jī)偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -201^1或者-1011111;修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分 另'J為170nm、 170nm、 190證、200腿或者210nm。本發(fā)明還提供一種掩模版，包括位于掩模版上的布局主圖形；位于布 局主圖形的空白處的散射條輔助圖形；所述散射條輔助圖形的最小尺寸為將 散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量。所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。所述曝光機(jī)的偏移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。所述散射條輔助圖形的最小-沒(méi)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應(yīng)地，所述曝光機(jī)偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -201 11或者-101 11;經(jīng)過(guò)修正，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸 分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過(guò)將散射條輔助圖形 的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正，對(duì) 于因光學(xué)鄰近效應(yīng)造成的散射條輔助圖形的臨界尺寸的縮小進(jìn)行光學(xué)鄰近修 正。本發(fā)明還通過(guò)將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射 條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正，使得轉(zhuǎn)移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸 與設(shè)計(jì)尺寸之間差異減小至零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至 缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩(wěn)定。本發(fā)明還對(duì)散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正， 將設(shè)計(jì)的圖形包括布局主圖形和散射條輔助圖形轉(zhuǎn)移至掩模版上，然后以掩 模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層上， 采用本發(fā)明的圖形化方法增大了曝光工藝窗口 ，使得曝光工藝穩(wěn)定。


圖1A是曝光機(jī)的偏移量與設(shè)計(jì)的散射條尺寸(4x )之間的關(guān)系曲線；圖1B是現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖1C是現(xiàn)有技術(shù)形成在掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖2是掩模版上沒(méi)有散射條輔助圖形條件下，臨界尺寸與膝光機(jī)的焦距 的關(guān)系曲線；圖3A是本發(fā)明的光學(xué)鄰近修正方法實(shí)施例的對(duì)圖1A的散射條輔助圖形 修正后結(jié)果；圖3B是本發(fā)明的掩模版形成方法實(shí)施例的采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上 的布局主圖形與散射條輔助圖形；圖3C是本發(fā)明的掩模版形成方法實(shí)施例的散射條輔助圖形的尺寸偏移 量與散射條設(shè)計(jì)尺寸(4x )之間的關(guān)系曲線；圖3D是本發(fā)明的圖形化方法實(shí)施例的半導(dǎo)體襯底以及形成在半導(dǎo)體襯 底上的光刻膠層；圖3E是本發(fā)明的圖形化方法實(shí)施例的轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層上 的布局主圖形；圖4是本發(fā)明的掩模版上帶有散射條輔助圖形條件下，布局主圖形的臨 界尺寸與曝光機(jī)的焦距的關(guān)系曲線。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的實(shí)質(zhì)是提供一種光學(xué)鄰近修正方法，包括提供布局主圖形； 在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正。本發(fā)明首先提供一種光學(xué)鄰近修正方法實(shí)施例，包括提供布局主圖形； 在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小 尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正。繼續(xù)參照?qǐng)D1B，為現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括 布局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102,還包括在相鄰的布局主圖形的 間隙中形成的散射條輔助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。參照?qǐng)D3A，是本發(fā)明的光學(xué)鄰近修正方法實(shí)施例的對(duì)圖1A的散射條輔 助圖形修正后結(jié)果。通過(guò)將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量 對(duì)散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正。修正后，散射條輔助圖形的最 小尺寸比最小設(shè)計(jì)尺寸有所增大。作為本實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施方式，本發(fā)明設(shè) 計(jì)的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者 200nm (4x ),根據(jù)圖1A的德國(guó)捷歐公司(JEOL)的JBX30系列的曝光機(jī) 的偏移量曲線，偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm，對(duì) 散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正，修正后散射條輔 助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。如圖 3A所示，為了便于對(duì)照，現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形以虛線圖示于本實(shí) 施例的散射條輔助圖形303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d中。圖3A中 的布局主圖形101a、 101b、 101c及102與原來(lái)設(shè)計(jì)的布局主圖形一樣，未作 改動(dòng)?；谏鲜霾襟E完成本發(fā)明的對(duì)散射條輔助圖形的光學(xué)鄰近修正，本發(fā)明 通過(guò)對(duì)設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正，對(duì) 于因光學(xué)鄰近效應(yīng)造成的散射條輔助圖形的歪曲進(jìn)行了光學(xué)鄰近修正。本發(fā)明還提供一種掩模版的形成方法實(shí)施例，包括提供布局主圖形； 在相鄰的布局主圖形的間隙中形成散射條輔助圖形；將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形的最小尺寸進(jìn)行修正；將 布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上。繼續(xù)參照1A，為提供的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102,還包括位于相鄰布局主圖形之間的散射條輔 助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。繼續(xù)參照?qǐng)D3A，是本發(fā)明的光學(xué)鄰近修正方法實(shí)施例的對(duì)圖1A的散射 條輔助圖形修正后結(jié)果。所述修正為將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去 曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形的最小尺寸進(jìn)行修正。具體內(nèi)容請(qǐng)見(jiàn)上述 對(duì)圖3A的描述。參照?qǐng)D3B，為本發(fā)明采用德國(guó)捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機(jī) 轉(zhuǎn)移至掩模版上的布局主圖形與散射條輔助圖形。掩模版400上包括布局主 圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102與設(shè)計(jì)的圖3A所示的布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102相對(duì)應(yīng)；掩才莫版400上的散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b及404c與散射條輔助圖形與設(shè)計(jì)的圖3A的303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d相對(duì)應(yīng)?？梢钥闯?，與設(shè)計(jì)的矩形的散射條輔助圖 形303a、 303b、 304a、 304b及304c相比，散射條輔助圖形403a、 404a、 404b、 404c及404d經(jīng)過(guò)修正的最小尺寸有所縮小，與轉(zhuǎn)移至掩模版400上的最小尺 寸基本一致。同時(shí)可以看出，對(duì)最小尺寸修正后，形成在掩模版400上的散 射條輔助圖形沒(méi)有發(fā)生變形。本實(shí)施例通過(guò)將散射條輔助圖形的最小尺寸減 去德國(guó)捷歐公司(JEOL)的JBX30系列曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正，使得轉(zhuǎn)移 至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間差異減小至零，阻止散 射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失。保證了足夠大的曝光工藝窗口，使 得曝光工藝穩(wěn)定。圖3C是本發(fā)明的掩模版形成方法實(shí)施例的散射條輔助圖形的尺寸偏移量與散射條設(shè)計(jì)尺寸(4x )之間的關(guān)系曲線。圖3C中曲線A為形成在掩模 版上的散射條輔助圖形與設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形之間的偏移量，曲線B為補(bǔ) 償曲線，曲線C為經(jīng)過(guò)補(bǔ)償修正后的散射條輔助圖形的尺寸偏移量，可以看 出修正后的形成于掩模版上的散射條輔助圖形的臨界尺寸與原始設(shè)計(jì)的臨界 尺寸之差即偏移量基本為零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺 失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩(wěn)定?；谏鲜霾襟E實(shí)施后，形成本發(fā)明的掩模版，包括位于掩模版上的布 局主圖形；位于相鄰的布局主圖形的間隙中的散射條輔助圖形；所述散射條 輔助圖形的最小尺寸為根據(jù)曝光機(jī)的偏移量曲線進(jìn)行修正過(guò)。本發(fā)明還提供一種圖形化方法實(shí)施例，包括提供布局主圖形；在布局 主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺 寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形的最小尺寸進(jìn)行修正；將布局主圖 形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上；提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形 轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層上。繼續(xù)參照1A，為提供的布局主圖形與散射條輔助圖形，包括布局主圖形 101a、 101b、 101c、 101d及102，還包括位于相鄰布局主圖形之間的散射條輔 助圖形103a、 103b、 104a、 104b、 104c及104d。繼續(xù)參照?qǐng)D3A,是本發(fā)明根據(jù)圖1A對(duì)圖3A的散射條輔助圖形修正后 結(jié)果。所述修正為將散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修 正。具體內(nèi)容請(qǐng)參見(jiàn)上述對(duì)圖3A的描述。參照?qǐng)D3B，是本發(fā)明的掩^^版形成方法實(shí)施例的采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模 版上的布局主圖形與散射條輔助圖形。掩模版400上包括布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102與圖3A所示的布局主圖形101a、 101b、 101c、101d及102相對(duì)應(yīng)；掩模版400上的散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b 及404c與散射條輔助圖形與圖3A的303a、 303b、 304a、 304b、 304c及304d 相對(duì)應(yīng)?？梢钥闯?，與設(shè)計(jì)的矩形的散射條輔助圖形303a、 303b、 304a、 304b 及304c相比，散射條輔助圖形403a、 404a、 404b、 404c及404d經(jīng)過(guò)修正的 最小尺寸有所縮小，與移至掩模版400上的最小尺寸基本一致。同時(shí)可以看 出，對(duì)最小尺寸修正后，形成在掩模版400上的散射條輔助圖形沒(méi)有發(fā)生變 形。本實(shí)施例通過(guò)將散射條輔助圖形的最小尺寸減去德國(guó)捷歐公司(JEOL) 的JBX30系列曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正，使得轉(zhuǎn)移至掩模版上的散射條輔助 圖形的尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間差異減小至零，防止了散射條輔助圖形最小尺寸 的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩(wěn)定。參照?qǐng)D3D,提供半導(dǎo)體襯底500,在半導(dǎo)體襯底500上形成光刻膠層501, 所述光刻膠層501為通過(guò)旋涂方法制備。形成光刻膠層501為本領(lǐng)域技術(shù)人 員公知技術(shù)。參照?qǐng)D3E，以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯 底上的光刻膠層501上。光刻膠層501上的布局主圖形包括101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102 。所述布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d 及102與掩才莫版上的布局主圖形101 a、 101 b、 101 c、 101 d及102以及 設(shè)計(jì)的布局主圖形101a、 101b、 101c、 101d及102相對(duì)應(yīng)。掩模版上的散射 條散射條輔助圖形403a、 403b、 404a、 404b及404c未^皮解析形成在光刻膠層 501上。參照附圖4給出本發(fā)明的掩模版上帶有散射條輔助圖形條件下，布局主圖 形的臨界尺寸與曝光機(jī)的焦距的關(guān)系曲線，假設(shè)臨界尺寸為65nm,在縱坐標(biāo) 65nm處畫(huà)一橫線，與臨界尺寸與焦距的關(guān)系曲線相交于兩點(diǎn)，兩點(diǎn)之間的距 離即為焦深DOF,可以看出，沒(méi)有散射條輔助圖形條件下，焦深DOF約為 0.25pm，與現(xiàn)有技術(shù)的在65nm處的焦深為0.15nm相比，有所增大。本發(fā)明通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條輔助圖形 的最'J、尺寸進(jìn)行修正，將設(shè)計(jì)的圖形包括布局主圖形和散射條輔助圖形轉(zhuǎn)移 至掩模版上，然后以掩模版為掩模，將掩模版上的布局主圖形轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體 襯底上的光刻膠層上，采用本發(fā)明的圖形化方法增大了曝光工藝窗口，使得 曝光工藝穩(wěn)定，使得曝光工藝比較穩(wěn)定，布局主圖形的解析度較高。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，包括提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正。
2. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于所述散射條輔助 圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。
3. —種掩;^莫版的形成方法，其特征在于，包括 提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的 最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述散射條輔助 圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述爆光機(jī)的偏 移量為布局主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模版的形成方法，其特征在于所述散射條輔助 圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm; 相應(yīng)地，所述爆光才幾偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm; 修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
7. —種圖形化方法，其特征在于，包括 提供布局主圖形；在布局主圖形的空白處形成散射條輔助圖形；通過(guò)將散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量對(duì)散射條的 最小設(shè)計(jì)尺寸進(jìn)行修正；將布局主圖形及修正后的散射條輔助圖形采用曝光機(jī)轉(zhuǎn)移至掩模版上； 提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；將掩模版上的布局主圖形轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體襯底上的光刻膠層上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖形化方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的 最小設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖形化方法，其特征在于所述曝光機(jī)的偏移量為 布局主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖形化方法，其特征在于所述散射條輔助圖形的 最小設(shè)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應(yīng) 地，所述曝光機(jī)偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm; 修正后，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
11. 一種掩模版，包括位于掩^=莫版上的布局主圖形；位于布局主圖形的空白處的散射條輔助圖形；其特征在于，所述散射條輔助圖形的最小尺寸為將散射條輔助圖形的最小 設(shè)計(jì)尺寸減去曝光機(jī)的偏移量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模版，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小 設(shè)計(jì)尺寸范圍為120至200nm。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的掩模版，其特征在于所述曝光機(jī)的偏移量為布局 主圖形的臨界尺寸的函數(shù)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的掩模版，其特征在于所述散射條輔助圖形的最小設(shè)計(jì)尺寸分別為120nm、 140nm、 160nm、 180nm或者200nm;相應(yīng)地， 所述曝光機(jī)偏移量分別為-50nm、 -30nm、 -30nm、 -20nm或者-10nm;經(jīng)過(guò) 修正，形成于掩模版上的散射條輔助圖形的最小尺寸分別為170nm、 170nm、 190nm、 200nm或者210nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)鄰近修正方法，包括提供布局主圖形；在相鄰的布局主圖形的間隙中形成散射條輔助圖形；對(duì)散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正。本發(fā)明還提供一種掩模版、其形成方法以及圖形化方法。本發(fā)明通過(guò)對(duì)設(shè)計(jì)的散射條輔助圖形的最小尺寸減去曝光機(jī)的偏移量進(jìn)行修正，使得轉(zhuǎn)移至掩模版上的散射條輔助圖形的尺寸與設(shè)計(jì)尺寸之間差異減小至零，防止散射條輔助圖形最小尺寸的縮小甚至缺失，保證了足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光工藝穩(wěn)定。
文檔編號(hào)G03F1/36GK101246306SQ20071003744
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2007年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月12日
發(fā)明者王謹(jǐn)恒 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司