專利名稱：：一種半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造清洗工藝中的一種清洗液及其使用方法，具體的涉及一種半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液及其使用方法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體元器件制造過程中，光阻層的涂敷、曝光和成像對元器件的圖案制造來說是必要的工藝步驟。在圖案化的最后(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進(jìn)行下一工藝步驟之前，光阻層材料的殘留物需徹底除去。在摻雜步驟中離子轟擊會硬化光阻層聚合物，因此使得光阻層變得不易溶解從而更難于除去。至今在半導(dǎo)體制造工業(yè)中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分。第二步利用緩蝕劑組合物濕蝕刻/清洗工藝除去剩余的光阻層，其具體步驟一般為清洗液清洗/漂洗/去離子水漂洗。在此過程中，只能除去殘留的聚合物光阻層和無機(jī)物，而不能攻擊損害金屬層(如鋁層)。在目前的濕法清洗工藝中，用得較多的清洗液是含羥胺類的清洗液和含氟化物的清洗液。此外，還有少量的既不含羥胺又不含氟的清洗液。羥胺類的清洗液由于其在水中漂洗時(shí)對金屬鋁的腐蝕速率較大，在清洗完等離子蝕刻物后，常采用溶劑漂洗。所用的溶劑主要有異丙醇和N-甲基吡咯垸酮。前者由于閃點(diǎn)比較低、易揮發(fā)，在一些半導(dǎo)體制造公司己經(jīng)逐步被淘汰；而后者由于閃點(diǎn)比較高、不易揮發(fā)在好多半導(dǎo)體制造公司一直使用。但是隨著環(huán)保意識和成本壓力，越來越多的公司希望能用去離子水直接漂洗，而不造成金屬的腐蝕。對于含氟的清洗液，在用去離子水直接漂洗時(shí)，其金屬腐蝕速率存在一個(gè)由低到高又有高到低的一個(gè)曲線(如圖l示)。為了減少漂洗對金屬基材的腐蝕，在實(shí)際的過程中常采用大量的水快速漂洗，以便以較快的速度和較短的時(shí)間通過腐蝕速率較大的區(qū)域，以減少金屬的腐蝕。而這往往帶來漂洗過程操作窗口過小的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是為了解決濕法清洗漂洗步驟中的金屬腐蝕問題，而提供一種具有較低的金屬腐蝕速率，同時(shí)對環(huán)境友好、價(jià)格便宜且使用簡便的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液及其使用方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液含有含羧基聚合物、含顏料親和基團(tuán)的聚合物和水。本發(fā)明中，所述的金屬基材尤其指鋁材，如應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝的標(biāo)準(zhǔn)鋁、鋁硅銅合金或鋁銅合金等鋁合金。本發(fā)明中，所述的含羧基聚合物較佳的選自含羧基的均聚物、含羧基的均聚物鹽、含羧基的共聚物和含羧基的共聚物鹽中的一種或多種。其中，所述的含羧基的均聚物較佳的為聚馬來酸酐(HPMA)、聚丙烯酸(PAA)和聚甲基丙烯酸中的一種或多種，更佳的為聚馬來酸酐和/或聚丙烯酸。其中，所述的含羧基的共聚物較佳的為含羧基單體的共聚物(如丙烯酸與馬來酸的共聚物和/或甲基丙烯酸與馬來酸的共聚物)和/或含乙烯基單體與含羧基單體的共聚物(如苯乙烯與丙烯酸的共聚物、苯乙烯與馬來酸的共聚物、丙烯腈與馬來酸的共聚物、乙烯與丙烯酸的共聚物、丙烯腈與丙烯酸的共聚物、苯乙烯與甲基丙烯酸的共聚物、乙烯與甲基丙烯酸的共聚物和丙烯腈與甲基丙烯酸的共聚物中的一種或多種)。其中，優(yōu)選丙烯酸與馬來酸的共聚物。其中，所述的鹽為銨鹽、鉀鹽和鈉鹽中的一種或多種；優(yōu)選銨鹽，如聚丙烯酸銨(SD)。本發(fā)明中，只要是現(xiàn)有技術(shù)中已有的含羧基的聚合物均可用于本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，前提是該聚合物在水中有一定的溶解度。一般而言，含羧基的聚合物分子量大小并不影響實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。若本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液中具有一定質(zhì)量濃度的聚合物，該半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液中也相應(yīng)地具有一定濃度的羧基。這是因?yàn)閷τ谝欢ㄙ|(zhì)量濃度的聚合物而言，若聚合物的分子量大，半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液中聚合物的摩爾數(shù)就相應(yīng)地少；若聚合物的分子量小，半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液中聚合物的摩爾數(shù)也就相應(yīng)地多。也就是說，組成一定的聚合物，其一定質(zhì)量濃度的聚合物上也就相應(yīng)地含有一定濃度的羧基。不管該聚合物的分子量大小，只要該聚合物上的羧基在緩蝕劑體系中達(dá)到一定的濃度即可。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液中，所述的含羧基聚合物的含量較佳為質(zhì)量百分比0.00013%。本發(fā)明中，所述的顏料親和基團(tuán)較佳的為羥基或氨基。眾所周知，羧基也是一種顏料親和基團(tuán)，但在本發(fā)明中所謂含顏料親和基團(tuán)聚合物中可以含有羧基，也可以不含有羧基。本發(fā)明中，對含顏料親和基團(tuán)的聚合物的分子量無特別要求。本發(fā)明中，所述的含顏料親和基團(tuán)的聚合物較佳的為含顏料親和基團(tuán)的聚丙烯酸酯類聚合物，優(yōu)選丙烯酸羥乙酯與丙烯酰胺的共聚物、丙烯酸酯類單體與丙烯酸羥乙酯類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體與甲基丙烯酸羥乙酯類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體與丙烯酰胺類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體、丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物，丙烯酸酯類單體、甲基丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物，以及丙烯酸酯類單體、丙烯酰胺類單體和含乙烯基單體的三元共聚物中的一種或多種。其中，所述的丙烯酸酯類單體、丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物優(yōu)選丙烯酸甲酯、丙烯酸羥乙酯和苯乙烯的三元共聚物；所述的丙烯酸酯類單體、丙烯酰胺類單體和含乙烯基單體的三元共聚物優(yōu)選丙烯酸丁酯、丙烯酰胺和丙烯酸的三元共聚物。其中，所述的丙烯酸酯類單體較佳的為丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯或甲基丙烯酸丁酯。本發(fā)明中，所述的含顏料親和基團(tuán)的聚合物的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.0001~3%。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液由上述成分簡單均勻混合即可制得。本發(fā)明還涉及本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法用清洗液去除半導(dǎo)體晶片上經(jīng)蝕刻或者蝕刻/灰化后的殘余物之后，直接用所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗，之后干燥。其中，所述的半導(dǎo)體晶片較佳的為含鋁半導(dǎo)體晶片；在用半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗后，較佳的再用水清洗。使用本發(fā)明的半導(dǎo),晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗的時(shí)間較佳的不超過15分鐘。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片的清洗方式可為溢流浸泡法、快速降液法或旋轉(zhuǎn)噴淋法。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液不僅對金屬(尤其是鋁)具有較低的腐蝕速率，同時(shí)具有環(huán)保、價(jià)格便宜、使用簡便且效果顯著的特點(diǎn)。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液可在采用含羥胺類的清洗液進(jìn)行清洗后，代替常用的溶劑異丙醇和N-甲基吡咯垸酮進(jìn)行漂洗，也可在采用含氟化物的清洗液進(jìn)行清洗后，進(jìn)行漂洗，以提高去離子水直接漂洗時(shí)的操作窗口。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液在金屬清洗和半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。圖1為金屬鋁腐蝕速率與含氟清洗液與水的稀釋比例的關(guān)系圖。具體實(shí)施例方式下面通過實(shí)施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。下述實(shí)施例中，百分比均為質(zhì)量百分比。實(shí)施例1~22表1給出了本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液實(shí)施例122的配方，按表1中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液。表l本發(fā)明半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液122<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>方法實(shí)施例1半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法，具體步驟-1.用表2中羥胺類清洗液(Fl)65t:下清洗等離子體刻蝕后的晶圓20分鐘。2.用表1中金屬腐蝕防護(hù)液8對晶圓進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴淋式清洗10分鐘。3.之后干燥。方法實(shí)施例2半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法，具體步驟1.用表2中羥胺類清洗液(Fl)65'C下清洗等離子體刻蝕后的晶圓15分鐘。2.用表1中金屬腐蝕防護(hù)液8對晶圓進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴淋式清洗5分鐘。3.用去離子水對晶圓進(jìn)行2分鐘旋轉(zhuǎn)噴淋式清洗。4.之后干燥。方法實(shí)施例3半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法，具體步驟-1.用表2中羥胺類清洗液(Fl)65'C下清洗等離子體刻蝕后的晶圓25分鐘。2.用表1中金屬腐蝕防護(hù)液8對晶圓進(jìn)行溢流浸泡式清洗15分鐘。3.用去離子水對晶圓進(jìn)行5分鐘溢流浸泡式清洗。4.之后干燥。方法實(shí)施例4半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法，具體步驟1.用表2中含氟類清洗液(F2)35t:下清洗等離子體刻蝕后的晶圓20分鐘2.用表1中金屬腐蝕防護(hù)液8對晶圓進(jìn)行快速降液式清洗10分鐘。3.用去離子水對晶圓進(jìn)行8分鐘快速降液式清洗。4.之后干燥。效果實(shí)施例為了說明本發(fā)明的效果，根據(jù)已公開的具有典型意義的專利配制了含羥胺類的清洗液和含氟類的清洗液(詳見表2)，并測試了二者與不同比例的水進(jìn)行稀釋時(shí)的金屬鋁腐蝕速率(詳見表3)。表2兩類常用清洗液及其組成<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>12%醋酸，15.2%醋酸銨，2.5%氟化銨(40%，aq.)金屬鋁腐蝕速率測試方法1)利用Napson四點(diǎn)探針儀測試扭4cm鋁空白硅片的電阻初值(Rsl);2)將該扭4cm鋁空白硅片浸泡在預(yù)先已經(jīng)恒溫到35卩的溶液中30分鐘；3)取出該4*4cm鋁空白硅片，用去離子水清洗，高純氮?dú)獯蹈?，再利用Napson四點(diǎn)探針儀測試4*4cm鋁空白硅片的電阻值(Rs2);4)如有必要，重復(fù)第二和第三步再測試一次，電阻值記為Rs3;5)把上述電阻值和浸泡時(shí)間輸入到合適的程序可計(jì)算出其腐蝕速率。表3兩類常見清洗液與不同比例的水進(jìn)行稀釋時(shí)的金屬鋁腐蝕速率(35<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>由表3可見羥胺類清洗液在水中稀釋時(shí)金屬鋁腐蝕速率較大，這也是該類清洗液不能直接用水漂洗的原因。目前，半導(dǎo)體工業(yè)界在采用羥胺類清洗液清洗后，常用溶劑漂洗。所用的溶劑主要為異丙醇和N-甲基吡咯垸酮。前者由于閃點(diǎn)比較低、易揮發(fā)，曾在個(gè)別半導(dǎo)體制造公司發(fā)生火災(zāi)，故已經(jīng)逐步被淘汰；而后者由于閃點(diǎn)比較高、不易揮發(fā)在好多半導(dǎo)體制造公司一直使用，但其價(jià)格較高。而且隨著環(huán)保意識和成本壓力，越來越多的公司希望在不造成金屬鋁的腐蝕前提下，能用去離子水直接漂洗。而對于含氟的清洗液，在與去離子水稀釋時(shí)，其金屬鋁腐蝕速率隨稀釋比例(稀釋液/含氟清洗液)的增大存在一個(gè)由低到高又有高到低的一個(gè)曲線(如圖l所示)。為了減少漂洗對金屬鋁基材的腐蝕，目前半導(dǎo)體工業(yè)界在實(shí)際的過程中常采用大量的水快速漂洗，以便以較快的速度和較短的時(shí)間通過腐蝕速率較大的區(qū)域，以減少金屬鋁的腐蝕，而這往往帶來漂洗過程操作窗口過小的問題。如能降低圖l所示的峰形高度，將有利于降低漂洗過程中金屬鋁的腐蝕，同時(shí)帶來較大的操作窗口。以本發(fā)明的金屬腐蝕防護(hù)液實(shí)施例8為例，闡明本發(fā)明的金屬腐蝕防護(hù)液的效果，測試方法同上，結(jié)果見表4。表4兩類常見的清洗液用實(shí)施例8的金屬腐蝕防護(hù)液進(jìn)行稀釋時(shí)的金屬鋁腐蝕速率(35'C)清<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表4可見本發(fā)明的金屬腐蝕防護(hù)液實(shí)施例8本身對金屬鋁的腐蝕速率較小(0.53/1.39)。在與不同比例的羥胺類清洗液稀釋時(shí)，都具有較低的腐蝕速率(均小于l.OA/min)。而在與不同比例的含氟類清洗液稀釋時(shí)，與水相比，將腐蝕速率升高的峰由表3中的89~109.36A/min降到表4中56A/min以下(即降低圖1中的峰高)，這可以為采用含氟類清洗液清洗后的漂洗步驟提供更大的操作窗口。綜上，本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于1)提供了一種環(huán)保、價(jià)格便宜、操作簡易且效果顯著的半導(dǎo)體晶圓清洗后的漂洗金屬腐蝕防護(hù)液，其本身對金屬的腐蝕速率較小(如鋁的腐蝕速率〈1.5A/min)。2)在含有羥胺類的清洗液濕法清洗工藝中，可以代替溶劑漂洗而不會造成金屬基材的腐蝕(如金屬鋁的腐蝕速率〈1.0A/min)。3)在含有氟類的清洗液濕法清洗工藝中，可以降低其漂洗時(shí)金屬腐蝕最大速率(即降低圖l中的峰高)，可以為漂洗提供更大的操作窗口。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于含有含羧基聚合物、含顏料親和基團(tuán)的聚合物和水。2.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的金屬基材為鋁材。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的鋁材為應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝的標(biāo)準(zhǔn)鋁、鋁硅銅合金或鋁銅合金。4.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含羧基聚合物選自含羧基的均聚物、含羧基的均聚物鹽、含羧基的共聚物和含羧基的共聚物鹽中的一種或多種。5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含羧基的均聚物為聚馬來酸酐、聚丙烯酸和聚甲基丙烯酸中的一種或多種；所述的含羧基的共聚物為含羧基單體的共聚物和/或含乙烯基單體與含羧基單體的共聚物；所述的鹽為銨鹽、鉀鹽和鈉鹽中的一種或多種。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含羧基單體的共聚物為丙烯酸與馬來酸的共聚物和/或甲基丙烯酸與馬來酸的共聚物；所述的含乙烯基單體與含羧基單體的共聚物選自苯乙烯與丙烯酸的共聚物、苯乙烯與馬來酸的共聚物、丙烯腈與馬來酸的共聚物、乙烯與丙烯酸的共聚物、丙烯腈與丙烯酸的共聚物、苯乙烯與甲基丙烯酸的共聚物、乙烯與甲基丙烯酸的共聚物和丙烯腈與甲基丙烯酸的共聚物中的一種或多種；所述的銨鹽為聚丙烯酸銨。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含羧基聚合物的含量為質(zhì)量百分比0.00013%。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的聚合物為含顏料親和基團(tuán)的聚丙烯酸酯類聚合物。9.如權(quán)利要求1或8所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的顏料親和基團(tuán)為羥基或氨基。10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的聚丙烯酸酯類聚合物選自丙烯酸羥乙酯與丙烯酰胺的共聚物、丙烯酸酯類單體與丙烯酸羥乙酯類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體與甲基丙烯酸羥乙酯類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體與丙烯酰胺類單體的共聚物，丙烯酸酯類單體、丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物，丙烯酸酯類單體、甲基丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物，以及丙烯酸酯類單體、丙烯酰胺類單體和含乙烯基單體的三元共聚物中的一種或多種。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的丙烯酸酯類單體、丙烯酸羥乙酯類單體和含乙烯基單體的三元共聚物為丙烯酸甲酯、丙烯酸羥乙酯和苯乙烯的三元共聚物；所述的丙烯酸酯類單體、丙烯酰胺類單體和含乙烯基單體的三元共聚物為丙烯酸丁酯、丙烯酰胺和丙烯酸的三元共聚物。12.如權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于-所述的丙烯酸酯類單體為丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯或甲基丙烯酸丁酯。13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的聚合物的含量為質(zhì)量百分比0.0001~3%。14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液的使用方法，其特征在于用清洗液去除半導(dǎo)體晶片上經(jīng)蝕刻或者蝕刻/灰化后的殘余物之后，直接用所述的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗，之后干燥。15.如權(quán)利要求14所述的使用方法，其特征在于所述的半導(dǎo)體晶片為含鋁半導(dǎo)體晶片。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于在用半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液清洗后，再用水清洗。17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于所述的用半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗的時(shí)間不超過15分鐘。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于所述的用半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗的方式為溢流浸泡式、快速降液式或旋轉(zhuǎn)噴淋式。全文摘要本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液，其含有羧基聚合物、含顏料親和基團(tuán)的聚合物和水。本發(fā)明還公開了其使用方法用清洗液去除半導(dǎo)體晶片上經(jīng)蝕刻或者蝕刻/灰化后的殘余物之后，直接用本發(fā)明的的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗，之后干燥。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓金屬基材腐蝕防護(hù)液不僅對金屬，尤其鋁，具有較低的腐蝕速率；同時(shí)具有環(huán)保、價(jià)格便宜、使用簡便且效果顯著的特點(diǎn)，在金屬清洗和半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。文檔編號G03F7/42GK101424887SQ200710047790公開日2009年5月6日申請日期2007年11月2日優(yōu)先權(quán)日2007年11月2日發(fā)明者兵劉,彭洪修申請人:安集微電子(上海)有限公司