專利名稱：缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)及缺陷修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)種修補(bǔ)結(jié)構(gòu)以及方法，尤是指種利用有多數(shù)層的結(jié)構(gòu)，以修補(bǔ)具有缺陷的電路以及利用有多數(shù)層結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)基材'接受電磁波光源昭 乂 "、射后產(chǎn)生的碰撞壓力，使材料轉(zhuǎn)移至欲修補(bǔ)的區(qū)域中的種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)及缺陷修補(bǔ)方法。扭旦 冃豕技術(shù)平面顯不器FlPan e 1D:Lsplay, FPD)己是中國(guó)臺(tái)灣最重要的產(chǎn)業(yè)之，隨著大尺寸液晶顯示器面板的發(fā)展量產(chǎn)到七代廠，面板尺寸的大型化及產(chǎn)能需求不斷提咼的趨勢(shì)及市場(chǎng)需求下，使得現(xiàn)有的修補(bǔ)制程面臨極大的瓶頸如圖1所示， 平面顯示器的 z -刖段制程主要為利用光阻蝕刻技術(shù)進(jìn)行線路圖案成型，而在此制程中因污染及本身的蝕刻誤差，導(dǎo)致制程兀成后于線路圖案中產(chǎn)生開路缺陷3pen defect)10以及線缺陷lidef6 Ct)1 1，這些缺陷是不被允許的，因此必須加以修補(bǔ)(repair)。傳統(tǒng)進(jìn)行修補(bǔ)的主要方式為激光化學(xué)氣相沉積S 6r Chemical Vapor Deposition, Laser CVD)，而此修補(bǔ)制程主要是將檢測(cè)后的面板離線送至需特殊氣氛環(huán)境的Laser CVD設(shè)備中，再利用激光光與特殊氣體的光化學(xué)反應(yīng)，使修補(bǔ)的線路材料沉積于具有缺陷的線路上而完成修補(bǔ)制程。因?yàn)樾枰x線進(jìn)行修補(bǔ)處理及制程需要于特殊氣氛環(huán)境下進(jìn)行，導(dǎo)致使用L a_ s srCVD進(jìn)行修補(bǔ)制程的產(chǎn)能較低。另外，現(xiàn)有技術(shù)中如日本公開專利JP.NO. 2000 031 0 1 3號(hào)所揭露的 一 種線路圖案修補(bǔ)裝置與方法，其是利用激光將修補(bǔ)材料轉(zhuǎn)移至具有缺陷的線 路圖案上，以回復(fù)線路圖案的電性。在該技術(shù)中，修 補(bǔ)的線路材料受激光光照射后，修補(bǔ)材料容易受到激 光光的能量而產(chǎn)生熱影響區(qū)的現(xiàn)象，因此會(huì)有材料氧 化及破壞的問題，造成導(dǎo)電性與粘著性不佳。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供 一 種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其 是具有多數(shù)層的結(jié)構(gòu)可以使具有缺陷的線路回復(fù)電性。本發(fā)明的目的在于，提供 一 種缺陷修補(bǔ)方法，其是利用具有多數(shù)層結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)基材接受電磁波光源照射后產(chǎn)生的碰撞壓力，即直接來自光子撞擊所產(chǎn)生的光壓，輔以電磁波能量產(chǎn)生打斷分子鍵結(jié)或爆炸現(xiàn)象，使材料轉(zhuǎn)移至欲修補(bǔ)的區(qū)域中，該多數(shù)層結(jié)構(gòu)除了具有修補(bǔ)缺陷的材料外，更具有粘著材料以提高修補(bǔ)缺陷的材料附著于缺陷線路區(qū)域上。本發(fā)明提供種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:一導(dǎo)電粘著層;以及一修補(bǔ)材料層，其是形成于該導(dǎo)電粘著層上。其中該基板是為具有線路圖案的基板。其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一 。其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一 。其中該導(dǎo)電粘著層的材料是為銀膠。其中該修補(bǔ)材料層上還具有 一 中介層。其中該中介層的材料是可吸收電磁波光源的能量或防止該修補(bǔ)材料層氧化中該中介層的材料是鈦。其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源 以及紫外光波激光其中之一。本發(fā)明提供 一 種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一修補(bǔ)材料層；以及一中介層，其是形成于該修補(bǔ)材料層上。 其中該基板是為具有線路圖案的基板。 其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一 。其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。其中該金屬材料層的材料是可選擇為鎢、金、銀、 銅、銀膠以及鉬其中之一 。其中該中介層的材料是可吸收電磁波光源的能量 或防止該修補(bǔ)材料層氧化'。其中該中介層的材料是為鈦。其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源 以及紫外光波激光其中之一。本發(fā)明提供 一 種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其 是包括有下列步驟提供 一 具有 一 缺陷的基板；提供 一 承載板，該承載板上形成有 一 修補(bǔ)材料層；使該修補(bǔ)材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板 上，使該修補(bǔ)材料轉(zhuǎn)移至該缺陷上。其中該基板是為具有線路圖案的基板。其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成 其中之一 。其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀 膠以及鉬其中之一 。其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源 以及紫外光波激光其中之一。其中該電磁波光源與該承載板之間還設(shè)置有一光 罩結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供 一 種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其 是包括有下列步驟提供一具有一缺陷的基板；提供一承載板，該承載板上形成有一轉(zhuǎn)移材料層， 該轉(zhuǎn)移材料層上具有 一 修補(bǔ)材料層，其是形成于該承 載板上以及一導(dǎo)電粘著層，其是形成于該修補(bǔ)材料層 上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板 上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。其中該基板是為具有線路圖案的基板。其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成 其中之一 。其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀 膠以及鉬其中之一。其中該導(dǎo)電粘著層的材料是為銀膠。其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源 以及紫外光波激光其中之一。其中該電磁波光源與該承載板之間更設(shè)置有 一 光 罩結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供 一 種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其 是包括有下列步驟提供 一 具有 一 缺陷的基板；提供 一 承載板，該承載板上形成有 一 轉(zhuǎn)移材料層， 該轉(zhuǎn)移材料層上具有一中介層，其是形成于該承載板 上以及一修補(bǔ)材料層，其是形成于該中介層上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷， 以及利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。其中該基板是為具有線路圖案的基板。其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一 。其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。 其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一。其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源以及紫外光波激光其中之一。其中該中介層的材料是可吸收該電磁波光源的能 量或防止該修補(bǔ)材料層氧化。其中該中介層的材料是為鈦。其中該轉(zhuǎn)移材料層更具有一導(dǎo)電粘著層，其是形 成于該修補(bǔ)材料上。其中該導(dǎo)電粘著層是可為銀膠。其中該電磁波光源與該承載板之間還設(shè)置有一光 罩結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供 一 種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其 是包括有下列步驟提供 一 具有 一 缺陷的基板；提供 一 承載板，該承載板上形成有 一 緩沖層以及一轉(zhuǎn)移材料層，其中該轉(zhuǎn)移材料層是形成于該緩沖層 上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板 上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。其中該基板是為具有線路圖案的基板。 其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一 。其中該轉(zhuǎn)移材料層具有 一 修補(bǔ)材料層，其是可為 一金屬材料且形成于該緩沖層上。其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀 膠以及鉬其中之一 。其中該轉(zhuǎn)移材料層具有一修補(bǔ)材料層，其是可為 一 金屬材料且形成于該 緩沖層上；以及一導(dǎo)電粘著層， 其是形成于該修補(bǔ)材料層上g巾該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅及鉬中之一g巾該導(dǎo)電粘著層是可為 一 銀膠g巾該轉(zhuǎn)移材料層有:一中介層， 其是形成于該緩沖層上；一修補(bǔ)材料層，其是中介層上;以及一導(dǎo)電粘著層> 其是g巾該金屬材料是可膠以及鉬g巾之一g巾該導(dǎo)電粘著層是其中該中介層的材料或防止該修補(bǔ)材料層氧其中該中介層的材料g巾該電磁波光源是以及紫外光波激光其中之g巾該緩沖層是可為其中該咼分子材料是其中該轉(zhuǎn)移材料層具一中介層>其是形成一修補(bǔ)材料層，其是中介層上3巾該金屬材料是可膠以及鉬3巾之一其中該中介層的材料或防止該修材料層氧可為一金屬材料且形成于該形成于該修補(bǔ)材料層上。 選擇為鎢、金、銀、銅、銀可為 一 銀膠。是可吸收該電磁波光源的能 化。是為鈦?？蛇x擇為一全波段激光光源一高分子材料。 為聚二甲基硅氧烷。有于該緩沖層上 ，以及可為 一 金屬材料且形成于該選擇為鎢、金、銀、銅、銀是可吸收該電磁波光源的能 化。其中該中介層的材料是為鈦。


為使審査員能對(duì)本發(fā)明的特征、目的及功能有更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，下文特將本發(fā)明的裝置的相關(guān)細(xì)部結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)的理念原由進(jìn)行說明，以使得審查員可以了解本發(fā)明的特點(diǎn)，詳細(xì)說明陳述如下，其中圖1是為線路圖案的缺陷示意圖。圖2A是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第 一 實(shí)施例示意2B是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例示意2C是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例示意圖。圖3 A至圖 施例示意圖。圖3 D至圖 施例示意圖。圖4 A至圖 施例示意圖。圖4 D至圖3 C是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第 一 實(shí)3 E是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第二實(shí)4 C是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第三實(shí) 4 E是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第四實(shí)施例示意圖。圖5A至圖5C是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第五實(shí)施例示意圖。圖5D至圖5E是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第六實(shí)施例示意圖。圖5F至圖5G是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第七實(shí)施例示意圖。圖5H至圖5I是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第八實(shí)施例示意圖。圖6是為本發(fā)明的第八實(shí)施例與光罩結(jié)構(gòu)5口 o示意圖具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2 A所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例示意圖。缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2員有導(dǎo)電粘著層2 3，而在該導(dǎo)電粘著層2 3上形成有修補(bǔ)材料層2 2 。該導(dǎo)電粘著層2 3的材料特性為員有導(dǎo)電性以及粘著性，使得該修補(bǔ)材料層22可以容易附著于該缺陷線路2 1上。該導(dǎo)電粘著層23在本實(shí)施例中是為銀膠。該修補(bǔ)材料層2 2是為金屬材料層，該金屬材料可選擇鎢、金、銀、銅、銀膠或者是鉬等類的材料，但不在此限。請(qǐng)參閱圖2B所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第—實(shí)施例示意圖。該缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2 b具有 一 修補(bǔ)材料層22，而在該修補(bǔ)材料層2 2上形成有 一 中介層24該中介層2 4的材料特性為具有能量吸收的功能，以保護(hù)修補(bǔ)材料層2 2在受電磁波光源的照射而轉(zhuǎn)移到缺陷線路時(shí)，不受電磁波照射而產(chǎn)生熱影響區(qū)該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源以及紫外光波激光其中之 一 。使得該修補(bǔ)材料層2 2可以維持導(dǎo)電特性，以及避免因受熱而氧化。該中介層24的材料是為鈦，但不以此為限。該修補(bǔ)材料層22是為金屬材料層，該金屬材料可選擇鎢、金、銀、銅、銀膠或者是鉬材料，但不在此限。請(qǐng)參閱圖2C所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例示意圖。該缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2 c是為結(jié)合前述的第實(shí)施例以及第二實(shí)施例，亦即在該修補(bǔ)材料層22下方有一導(dǎo)電粘著層2 3 。另外在該修補(bǔ)材料層22的上有 一 中介層2 4 。該修補(bǔ)材料層2 2 、導(dǎo)電粘著層23以及該中介層2 4的材料選擇以及功效如刖所述，在此不作贅述。;生 i冃參閱圖3A至圖3C所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第~■實(shí)施例示意圖。本實(shí)施例的修補(bǔ)方法，是為形成修補(bǔ)么士構(gòu)以修補(bǔ)缺陷線路的方法。首先如圖3 A所示，提供 一 具有缺陷線路21的基板20 。該缺陷線路21是可為線缺陷或者是開路缺陷，在本實(shí)施例是以開路缺陷作說明。該基板2 0可是玻璃基板或者是硅基板，該線路圖案在本實(shí)施例中是為應(yīng)用于平面顯不器的線路圖案，但不在此限。接著如圖3B所示，提供一承載板4，該承載板4上形成有一修補(bǔ)材料層2 2 ，其是在轉(zhuǎn)移前與缺陷線路21保持適當(dāng)間隙。該修補(bǔ)材料層2 2的材料是為金屬材料，例如鉤、金、銀、銅、銀膠或者是鉬材料，但不在此限。該承載板4的 一 側(cè)具有 一 電磁波光源3該電磁波光源3是可選擇為一全波段激光光源或者是紫外光波激光。然后，使該修補(bǔ)材料層22對(duì)應(yīng)該缺陷線路2 1的位置。最后，如圖3 C所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上使該修補(bǔ)材料2 2轉(zhuǎn)移至該缺陷線路21上由于該修補(bǔ)材料2 2接受電磁波光源照射后產(chǎn)生的碰扭 里壓力，亦即，直接來自光子撞擊所產(chǎn)生的光壓，輔以激光能量產(chǎn)生打斷分子鍵結(jié)或爆炸現(xiàn)象使修補(bǔ)材料22轉(zhuǎn)移至欲修補(bǔ)的缺陷線路2 1上。請(qǐng)參閱圖3D至圖3E所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第二實(shí)施例示意圖。如圖3 D所示，在本實(shí)施伊J中，該修補(bǔ)材料層2 2與該承載板4之間還形成有 一 緩沖層25 。然后使該修補(bǔ)材料層22對(duì)應(yīng)缺陷線路2 1。如圖3 E所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上，使該修補(bǔ)材料層2 2轉(zhuǎn)移至該缺陷線路21上。在轉(zhuǎn)移過程中，緩沖層25不轉(zhuǎn)移至缺陷線路2 1上，該緩沖層25的目的在于吸收電磁波光源的能量并傳導(dǎo)部分的電磁波能量給該修補(bǔ)材料層22 a如此一來>一方面可以避免該修補(bǔ)材料層2 2因受執(zhí) ,、、、而氧化，進(jìn)而影響導(dǎo)電的特性；另一方面也可以藉由該緩沖層25與修補(bǔ)材料層2 2之間的低粘著性，以使得修補(bǔ)材料層22容易從緩沖層25轉(zhuǎn)移至該缺陷線路21上該緩沖層2 5是可選擇為高分子材料，在本實(shí)施例中，該咼分子材料是選擇為聚二甲基硅氧烷(Polydimethyls;il(PDMS)，但不在此限。請(qǐng)參閱圖4A至圖4C所示:，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第三實(shí)施例示意圖。在本實(shí)施例中，是制作如圖2A所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2 a 。首先如圖4A所示，提供一具有缺陷線路2 1的基板20然后如圖4 B所示，提供 一 承載板4:，該承載板4上形成有一轉(zhuǎn)移材料層2 6，，其是在轉(zhuǎn)移前與缺陷線路2i保持適當(dāng)間隙，該轉(zhuǎn)移材料層2 6具有一修補(bǔ)材料層22以及 一 導(dǎo)電粘著層2 3 。該修補(bǔ)材料層22是形成于該承載板4上，而該導(dǎo)電粘著層2 3則形成于該修補(bǔ)材料層22上。至于形成該轉(zhuǎn)移材料層2 6的方法，是可利用現(xiàn)有的技術(shù)來制作，這是熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人所熟悉的，在此不作贅述。該修補(bǔ)材料層2 2的材料是為金屬材料，例如:鎢、金、銀、銅、銀膠或者是鉬材料，但不在此限該承載板4的 一 側(cè)具有 一 電磁波光源3。該電磁波光源3是可選擇為一全波段激光光源或者是紫外光波激光然后，使該轉(zhuǎn)移材料層2 6對(duì)應(yīng)該缺陷線路21的位置最后，如圖4 C所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層26 (包括2 2以及2 3 )同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路21上。該導(dǎo)電粘著層2 3的材料是可選擇同時(shí)員有導(dǎo)電性以及粘著性的材料，在本實(shí)施例中是使用銀膠，但不在此限。請(qǐng)參閱圖4D至圖4E所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第四實(shí)施例示意圖。如圖4D所示，在本實(shí)施例中，該修補(bǔ)材料層2 2與該承載板4之間還形成有一層緩沖層2 5 。然后使該轉(zhuǎn)移材料層26對(duì)應(yīng)缺陷線路21。如圖4 E所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層26(包括2 2以及2 3 )同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路2 1上。該緩沖層2 5的目的以及材料選擇如前所述，在此不作贅述。請(qǐng)參閱圖5 A至圖5 C所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第五實(shí)施例示意圖。在本實(shí)施例中，是為形成如圖2 B的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2 b的方法。首先如圖5A所示，提供 一 具有缺陷線路2 1的基板20然后如圖5 B所示，提供一承載板4 ，該承載板4上形成有一轉(zhuǎn)移材料層2 7 ，其是在轉(zhuǎn)移前與缺陷線路21保持一適當(dāng)間隙，該轉(zhuǎn)移材料層2 7具有 一 修補(bǔ)材料層22以及一中介層2 4。該中介層2 4是形成于該承載板4上，而該修補(bǔ)材料層2 2則形成于該中介層2 4上。至于形成該轉(zhuǎn)移材料層2 7的方法，是可利用現(xiàn)有的技術(shù)來制作，這是熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人所熟悉的，在此不作贅述。該承載板4的 一 側(cè)具有 一 電磁波光源3。該電磁波光源3是可選擇為一全波段激光光源或者是紫外光波激光。然后，使該轉(zhuǎn)移材料層2 7對(duì)應(yīng)該缺陷線路2 1的位置。最后，如圖5 C所示;，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 Q照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層2 7 (包括2 2以及2 4 )同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路2 1上。該中介層24是為可吸收電磁波能量的材料，以保護(hù)該修補(bǔ)材料層2 2免于直接受到該電磁波光源的影響而產(chǎn)生熱影響區(qū)，以避免該修補(bǔ) 材料層因受熱而氧化，進(jìn)而影響導(dǎo)電的特性。該修補(bǔ) 材料層2 2的材料是為金屬材料，例如鎢、金、銀、 銅、銀膠或者是鉬材料，但不在此限。該中介層2 4 的材料是為鈦，但不以此為限。請(qǐng)參閱圖5D至圖5E所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第六實(shí)施例示意圖。如圖5 D所示，在本實(shí)施例中，該中介層2 4與該承載板4之間更形成有層緩沖層2 5 。然后使該轉(zhuǎn)移材料層2 7對(duì)應(yīng)缺陷線路21。如圖5 E所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層27(包括2 2以及2 4)同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路2 1上。該緩沖層2 5的目的以及材料選擇如前所述，在此不作贅述。請(qǐng)參閱圖5F至圖5G所示，該圖是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第七實(shí)施例示意圖。在本實(shí)施例中，是為制作如圖2 C的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)2 c的方法。首先如圖5F所示:，提供 一 承載板4 ，該承載板4上形成有轉(zhuǎn)移材料層2 8 ，該轉(zhuǎn)移材料層2 8具有 一 修補(bǔ)材料層22 、導(dǎo)電粘著層2 3以及一中介層2 4。該中介層2 4是形成于該承載板4上，而該修補(bǔ)材料層22則形成于該中介層2 4上，該導(dǎo)電粘著層2 3則形成于該修補(bǔ)材料層2 2上。至于形成該轉(zhuǎn)移材料層28的方法，是可利用現(xiàn)有的技術(shù)來制作，這是熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人所熟悉的，在此不作贅述。該承載板4的 一 側(cè)具有 一 電磁波光源3。該電磁波光源3是可選擇為一全波段激光光源或者是紫外光波激光。然后，使該轉(zhuǎn)移材料層28對(duì)應(yīng)該缺陷線路21的位置。最后，如圖5 G所示，再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束9 0照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層28 (包括22、 23以及24同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路2 1上。該修補(bǔ)材料層22、導(dǎo)電粘著層2 3以及中介層2 4的功效以及百的如、'-刖所述，在此不作贅述。請(qǐng)參閱圖5 H至圖5 I是為本發(fā)明的缺陷修補(bǔ)方法第八實(shí)施例示意圖。如圖5 H所示，在本實(shí)施例中，《中介層2 4與該承載板4之間還形成有一層緩沖層25然后使該轉(zhuǎn)移材料層2 8對(duì)應(yīng)缺陷線路21。如圖5I所示:,再利用該電磁波光源3提供的電磁波光束90照射于該承載板4上，使該轉(zhuǎn)移材料層28包括22 、 23以及2 4 )同時(shí)轉(zhuǎn)移至該缺陷線路21上該緩沖層2 5的目的以及材料選擇如、/ -刖所述'在此不作贅述請(qǐng)參閱圖6所示，本實(shí)施例是將本發(fā)明的第八實(shí)施例中的電磁波光源3以及承載板4之間設(shè)置 一 光罩結(jié)構(gòu)5，以對(duì)不同的缺陷線路圖案進(jìn)行修補(bǔ)，增加可修補(bǔ)缺陷線路的多樣性。雖然在本實(shí)施例中是將光罩結(jié)構(gòu)5與本發(fā)明的第八實(shí)施例結(jié)合，但實(shí)際上應(yīng)用時(shí)，該光罩結(jié)構(gòu)5可與本發(fā)明所提供的其它實(shí)施例相互結(jié)合應(yīng)用惟以上所述的，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，當(dāng)不能以的限制本發(fā)明范圍。即凡是依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化及修飾，仍將不失本發(fā)明的要義所在，亦不脫離本發(fā)明的精神和范圍，故都應(yīng)視為本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施狀況。綜合上述，本發(fā)明提供的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)及缺陷修補(bǔ)方法，其是利用多層的修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，以有效解決修補(bǔ)材料易氧化及應(yīng)力破壞的問題以維持修補(bǔ)材料導(dǎo)電特性，另外也可以增加修補(bǔ)材料與缺陷線路的附著性，因此可以滿足業(yè)界的需求，進(jìn)而提高該產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力以及帶動(dòng)周遭產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，誠(chéng)已符合發(fā)明專利法所規(guī)定申請(qǐng)發(fā)明所需員備的條件，故爰依法呈提發(fā)明專利的中請(qǐng)
權(quán)利要求
1. 一種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一導(dǎo)電粘著層；以及一修補(bǔ)材料層，其是形成于該導(dǎo)電粘著層上。
2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，苴 z 中該基板是為具有線路圖案的基板。
3.如權(quán)利要求2項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之
4.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。
5.如權(quán)利要求4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬中之一
6.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，中該導(dǎo)電粘著層的材料是為銀膠。
7.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，中該修補(bǔ)材料層上還具有一中介層。
8.如權(quán)利要求7項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該中介層的材料是可吸收電磁波光源的 能量或防止該修補(bǔ)材料層氧化。
9.如權(quán)利要求8項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特 征在于，其中該中介層的材料是鈦。
10.如權(quán)利要求8項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激 光光源以及紫外光波激光其中之一 。
11.一種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一修補(bǔ)材料層；以及一中介層，其是形成于該修補(bǔ)材料層上。
12.如權(quán)利要求1 1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板是為具有線路圖案的基板。
13.如權(quán)利要求1 2項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)， 其特征在于，其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前 述的組成其中之一。
14.如權(quán)利要求1 3項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)， 其特征在于，其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬 材料。
15.如權(quán)利要求1 4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)， 其特征在于，其中該金屬材料層的材料是可選擇為鎢、 金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一。
16、如權(quán)利要求1 1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，特征在于其中該中介層的材料是可吸收電磁波光源的能或防止該修補(bǔ)材料層氧化。
17、如權(quán)利要求1 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，特征在于，其中該中介層的材料是為鈦。
18、如權(quán)利要求1 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)，特征在于，其中該電磁波光源是可選擇為 一 全波段激光光源以及紫外光波激光其中之一 。
19、種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其是包括有下列步驟:提供一有 一 缺陷的基板；提供—承載板，該承載板上形成有 一 修補(bǔ)材料層；使該修補(bǔ)材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用電,磁波光源提供的光束照射于該承載板上，使該修補(bǔ)材料轉(zhuǎn)移至該缺陷上。
20、如權(quán)利要求1 9項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該基板是為具有線路圖案的基板。
21、如權(quán)利要求2 0項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之一 。
22、如權(quán)利要求1 9項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬 材料。
23 、如權(quán)利要求2 2項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法， 其特征在于，其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、 銅、銀膠以及鉬其中之一。
24、 如權(quán)利要求1 9項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法， 其特征在于，其中該電磁波光源是可選擇為一全波段 激光光源以及紫外光波激光其中之一 。
25 、如權(quán)利要求1 9項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法， 其特征在于，其中該電磁波光源與該承載板之間還設(shè) 置有 一 光罩結(jié)構(gòu)。
26 、一種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其是包 括有下列步驟提供一具有一缺陷的基板；提供 一 承載板，該承載板上形成有 一 轉(zhuǎn)移材料層， 該轉(zhuǎn)移材料層上具有 一 修補(bǔ)材料層，其是形成于該承 載板上以及一導(dǎo)電粘著層，其是形成于該修補(bǔ)材料層 上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及 利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板 上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。
27、如權(quán)利要求2 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該基板是為具有線路圖案的基板。
28、如權(quán)利要求2 7項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成其中之
29、如權(quán)利要求2 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料
30、如權(quán)利要求2 9項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬中之一 。
31、如權(quán)利要求2 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該導(dǎo)電粘著層的材料是為銀膠。
32、如權(quán)利要求2 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源以及紫外光波激光其中之一。
33、如權(quán)利要求2 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該電磁波光源與該承載板之間更設(shè)置有光罩結(jié)構(gòu)
34、種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其是包括有下列步驟:提供有缺陷的基板；提供承載板，該承載板上形成有 一 轉(zhuǎn)移材料層，該轉(zhuǎn)移材料層上具有一中介層，其是形成于該承載板上以及修補(bǔ)材料層，其是形成于該中介層上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用電磁波光源提供的光束照射于該承載板上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。
35.如權(quán)利要求3 4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該基板是為具有線路圖案的基板。
36.如權(quán)利要求3 5項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成中之一 。
37.如權(quán)利要求3 4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該修補(bǔ)材料層的材料是可為 一 金屬材料。
38.如權(quán)利要求3 7項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一 。
39.如權(quán)利要求3 4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源以及紫外光波激光其中之一。
40.如權(quán)利要求3 4項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該中介層的材料是可吸收該電磁波光源的能量或防止該修補(bǔ)材料層氧化。
41、如權(quán)利要求40項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該中介層的材料是為鈦。
42、如權(quán)利要求34項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該轉(zhuǎn)移材料層更具有 一 導(dǎo)電粘著層，是形成于該修補(bǔ)材料上。
43、如權(quán)利要求42項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該導(dǎo)電粘著層是可為銀膠。
44、如權(quán)利要求34項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該電磁波光源與該承載板之間還設(shè)置有光罩結(jié)構(gòu)。
45.一種缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其是包括有下列步驟提供一有 一 缺陷的基板；提供承載板，該承載板上形成有一緩沖層以及一轉(zhuǎn)移材料層，其中該轉(zhuǎn)移材料層是形成于該緩沖層上；使該轉(zhuǎn)移材料層對(duì)應(yīng)該缺陷；以及利用 一 電磁波光源提供的光束照射于該承載板 上，使該轉(zhuǎn)移材料層轉(zhuǎn)移至該缺陷上。
46 、如權(quán)利要求45項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該基板是為具有線路圖案的基板。
47、如權(quán)利要求4 6項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該缺陷是為線缺陷及開路缺陷或前述的組成苴 z 、中之一。
48、如權(quán)利要求4 5項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于中該轉(zhuǎn)移材料層具有 一 修補(bǔ)材料層，是可為金屬材料且形成于該緩沖層上。
49、如權(quán)利要求4 8項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬苴 z 、中之一 。
50、如權(quán)利要求4 5項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，苴中該轉(zhuǎn)移材料層具有修補(bǔ)材料層，其是可為 一 金屬材料且形成于該緩沖層上以及導(dǎo)電粘著層，其是形成于該修補(bǔ)材料層上。
51、如權(quán)利要求5 0項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一 。
52、如權(quán)利要求5 0項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，中該導(dǎo)電粘著層是可為一銀膠。
53、如權(quán)利要求4 5項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該轉(zhuǎn)移材料層具有—中介層，其是形成于該緩沖層上；修補(bǔ)材料層，其是可為一金屬材料且形成于該中介層上以及一導(dǎo)電粘著層，其是形成于該修補(bǔ)材料層上。
54、如權(quán)利要求53項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬其中之一 。
55、如權(quán)利要求53項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于，其中該導(dǎo)電粘著層是可為一銀膠。
56、如權(quán)利要求53項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該中介層的材料是可吸收該電磁波光源的能或防止該修補(bǔ)材料層氧化。
57、如權(quán)利要求56項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該中介層的材料是為鈦。
58、如權(quán)利要求45項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該電磁波光源是可選擇為一全波段激光光源以及紫外光波激光其中之一。
59、如權(quán)利要求45項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，特征在于中該緩沖層是可為 一 高分子材料。
60、如權(quán)利要求59項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該咼分子材料是為聚二甲基硅氧烷。
61、如權(quán)利要求4 5項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該轉(zhuǎn)移材料層具有一中介層，其是形成于該緩沖層上；以及—修補(bǔ)材料層，其是可為一金屬材料且形成于該中介層上
62、如權(quán)利要求6 1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，中該金屬材料是可選擇為鎢、金、銀、銅、銀膠以及鉬中之——o
63、如權(quán)利要求6 1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于其中該中介層的材料是可吸收該電磁波光源的能量或防止該修補(bǔ)材料層氧化。
64、如權(quán)利要求6 1項(xiàng)所述的缺陷修補(bǔ)方法，其特征在于，其中該中介層的材料是為鈦。
全文摘要
本發(fā)明提供一種缺陷修補(bǔ)結(jié)構(gòu)及缺陷修補(bǔ)方法。該修補(bǔ)結(jié)構(gòu)具有多數(shù)層的結(jié)構(gòu)，以修補(bǔ)具有缺陷的線路圖案。另外，本發(fā)明提供的缺陷修補(bǔ)方法主要是利用具有多數(shù)層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移材料接受電磁波光源照射后產(chǎn)生的碰撞壓力，亦即直接來自光子撞擊所產(chǎn)生的光壓，輔以電磁波能量產(chǎn)生打斷分子鍵結(jié)或爆炸現(xiàn)象，使材料轉(zhuǎn)移至欲修補(bǔ)的區(qū)域中。通過本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)與方法可以可解決傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移材料時(shí)，修補(bǔ)材料因受光源照射后產(chǎn)生熱影響的現(xiàn)象，而使得材料易氧化及應(yīng)力破壞的問題。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101276070SQ20071009173
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者廖仕杰, 王儀龍, 陳輝達(dá) 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院