專利名稱：權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種為光刻工藝效果而修正集成電路掩模布局的方法,尤 其涉及一種權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法。
背景技術：
自1958年第一塊集成電路在美國德州儀器公司發(fā)明以來，集成電路產(chǎn)業(yè) 取得了迅猛的發(fā)展，從最初一塊芯片(集成電路)上只有幾個元器件發(fā)展到 現(xiàn)在的一塊芯片上超過百萬甚至千萬個器件。它的性能相應的有了巨大的 提高，被應用在生活中的各個領域。集成電路成為了現(xiàn)代信息社會的核心。 光刻技術是集成電路制造工藝發(fā)展的驅動力，也是其中最復雜的一項技 術。相對于其他的單個制造技術來說，光刻對芯片性能的提高有著革命性 的貢獻。在光刻工藝開始之前，集成電路的結構會先通過特定的設備復制 到一塊較大(相對于生產(chǎn)用的硅片來說)名為掩膜版的石英玻璃片上，然后 通過光刻設備產(chǎn)生特定波長的光(如248微米的紫外線)將掩膜版上集成 電路的結構復制到生產(chǎn)芯片所用的硅片上。在這個從掩膜版復制硅片過程 中，會產(chǎn)生電路結構的失真。尤其是到了現(xiàn)在180微米及以下制造工藝階 段，這種失真如果不去改正的話會造成整個制造技術的失敗。這種失真是 由于光學近似效應(Optical Proximity Effect)造成的。要改正這種失真， 半導體業(yè)界的普遍做法是利用預選在掩膜版上進行結構補償?shù)姆椒?，這項 技術又稱作光學近似效應修正，簡稱OPC(Optical Proximity EffectCorrection)，其通過計算集成電路生產(chǎn)中光刻工藝產(chǎn)生的一些數(shù)據(jù)來進 行預先對掩膜版上電路結構進行補償，從而達到在硅片上芯片電路結構最 小程度的失真，這提高了芯片生產(chǎn)過程中的成品率，保證了集成電路的正 常功能。
光學鄰近修正主要分為兩種， 一種是規(guī)則式光學臨近修正， 一種是模 型式光學臨近修正。隨著集成電路工藝線寬越來越小，光學臨近修正中通 常會先用規(guī)則式光學臨近修正來調整圖形的尺寸，再進行模型式光學臨近 修正。處于對光刻工藝窗口的考慮，孤立圖形的圖形尺寸通常需要通過規(guī) 則式光學臨近修正調整，使其比密集圖形尺寸大。
但一些孤立圖形因處于密集與孤立圖形周期交替中(如圖1橢圓形區(qū) 域部分所示的情形)，原有的規(guī)則式光學臨近修正無法對這種孤立圖形進 行放大，其對交替出現(xiàn)的一個孤立圖形區(qū)域的修正片段(如圖6所示的 c2至c4段)采用的修正方法為測量該修正片段的五個點(片頭c2、片 中c3、片尾c4、及兩端延伸段cl、 c5)的修正量sl s5;然后計算該修 正片段的修正量s為五點修正量的最小值s=min(sl, s2, s3, s4， s5)，其修 正結果如圖2所示，造成整個區(qū)域整體呈一個凹槽狀，其光刻圖形仿真后 的結果如圖3所示。
另外，還可通過減小修正片斷長度，來使處于密集與孤立圖形交替中 的孤立圖形可以得到放大，但這種方法需消耗更多的計算機資源，以及加 長光學修正的運行時間。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種規(guī)則光學臨近修正的方法，它可以有效修正處于密集與孤立圖形周期交替區(qū)域的圖形。
為了解決以上技術問題，本發(fā)明提供了一種權重式測距的規(guī)則光學 臨近修正的方法,對被修正圖形處于密集圖形與孤立圖形交替出現(xiàn)的區(qū)域 進行修正，其中被修正圖形對應任意一段孤立圖形的修正區(qū)域為一個修正 片斷；包括如下步驟
(1 )測量修正片斷的片頭、片中、片尾及其兩端延伸區(qū)對應的修
(2)根據(jù)權重方式計算修正片斷的修正量，其計算公式為 s 二al氺sl+a2氺s2+a3氺s3+a4氺s4+a5氺s55
其中，s為修正片斷的修正量，s2為片頭的修正量，s3為片中的修 正量，s4為片尾的修正量，sl為片頭延伸區(qū)的修正量，s5為片尾延伸區(qū) 的修正量，al至a5分別為sl至s5的權重值。
因為本發(fā)明用權重的方式計算一個修正片斷的修正量，比以最小值 計算修正片斷修正量的方法更加精準有效。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1是未修正的光掩模圖形；
圖2是現(xiàn)有規(guī)則式光學臨近修正后的光掩模圖形；
圖3是現(xiàn)有規(guī)則式光學臨近修正后的光刻圖形仿真圖形；
圖4是本發(fā)明修正后的光掩模圖形；
圖5是本發(fā)明修正后的光刻圖形仿真圖形；圖6是修正片斷示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，是對被修正圖形 處于密集圖形與孤立圖形交替出現(xiàn)的區(qū)域(如圖1的橢圓形區(qū)域)進行修 正，其中被修正圖形對應任意一段孤立圖形的修正區(qū)域為一個修正片斷 (如圖6所示的c2至c4段所示)。
本發(fā)明的修正方法具體包括兩個步驟 (1 )測量修正片斷的片頭、片中、片尾及其兩端延伸區(qū)對應的修 正量。如圖6所示，測量cl c5點所對應的修正量sl s5，本發(fā)明中所 測的兩端延伸區(qū)分別位于所述修正片斷兩端相鄰的密集圖形的修正區(qū)域 內(如圖中cl點和c5點所示)。其中sl=s2=s4=s5，均等于被修正圖形 與密集圖形之間的距離，本實施例中該距離為100nm， s3為中間一段孤立 圖形的修正量，通常為一個極限值常量，本實施例中該修正量為1000nm。 (2)根據(jù)權重方式計算修正片斷的修正量，其計算公式為 s 二3l氺sl+a2氺s2+33氺s3+34氺s4+35氺s55 al+a2+a3+a4+a5=l;
其中，s為修正片斷的修正量，s2為片頭的修正量，s3為片中的修 正量，s4為片尾的修正量，sl為片頭延伸區(qū)的修正量，s5為片尾延伸區(qū) 的修正量，al至a5分別為sl至s5的權重值。
本發(fā)明的權重值al a5的和為1，其分別代表每段修正量的權重， 一般片中修正量s3的權重大于片頭和片尾的修正量s2和s4的權重，即 a3〉=a2， a3〉=a4;片頭和片尾的修正量s2和s4的權重又分別大于其延伸段的修正量sl和s5的權重，即:a2〉=al， a4〉二a5。
該al至a5的值可由實驗數(shù)據(jù)進行調整，其中a3的范圍一般在0. 2 1之間，本實施例中a3=0. 6， al=a2=a4=a5=0. 1，可計算得該修正片斷的修 正量s二 0. l*100nm+0. l*100nm+0. 6*1000nm+0. l*100nm+0. l*100nm=640nm 比常規(guī)計算方法獲得的s=min (sl， s2， s3， s4， s5) =100nm更加準確。采用 本發(fā)明的方法修正后的光掩模圖形如圖4所示，該修正區(qū)域修正后的圖形 呈交替的凸起狀，修正后的光刻圖形仿真圖形如圖5所示，經(jīng)過修正可使 光刻圖形更加精準。
權利要求
1、一種權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，對被修正圖形處于密集圖形與孤立圖形交替出現(xiàn)的區(qū)域進行修正，其中被修正圖形對應任意一段孤立圖形的修正區(qū)域為一個修正片斷；其特征在于，包括如下步驟(1)測量所述修正片斷的片頭、片中、片尾及其兩端延伸區(qū)對應的修正量；(2)根據(jù)權重方式計算所述修正片斷的修正量，其計算公式為s＝a1*s1+a2*s2+a3*s3+a4*s4+a5*s5；a1+a2+a3+a4+a5＝1；其中，s為所述修正片斷的修正量，s2為片頭的修正量，s3為片中的修正量，s4為片尾的修正量，s1為片頭延伸區(qū)的修正量，s5為片尾延伸區(qū)的修正量，a1至a5分別為s1至s5的權重值。
2、 如權利要求1所述的權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，其 特征在于，所述的兩端延伸區(qū)分別位于所述修正片斷兩端相鄰的密集圖形 的修正區(qū)域內。
3、 如權利要求1所述的權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，其 特征在于，步驟(2)所述的計算公式中，0.2=<a3<l。
4、 如權利要求2所述的權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，其 特征在于，步驟(2)所述的計算公式中，a3〉=a2且a3〉=a4。
5、 如權利要求2所述的權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，其 特征在于，步驟(2)所述的計算公式中，a2〉=al且a4〉a5。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種權重式測距的規(guī)則光學臨近修正的方法，對被修正圖形處于密集圖形與孤立圖形交替出現(xiàn)的區(qū)域進行修正，其中被修正圖形對應任意一段孤立圖形的修正區(qū)域為一個修正片斷；包括如下步驟測量修正片斷的片頭、片中、片尾及其兩端延伸區(qū)對應的修正量；根據(jù)權重方式計算修正片斷的修正量。因為本發(fā)明用權重的方式計算一個修正片斷的修正量，比現(xiàn)有以最小值計算修正片斷修正量的方法更加精準有效。
文檔編號G03F1/36GK101452204SQ200710094320
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月28日 優(yōu)先權日2007年11月28日
發(fā)明者斌 張, 芳 魏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司