專利名稱：布局、光掩模版的制作及圖形化方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，特別涉及布局、光掩模版的制作及圖 形化方法。
背景技術：
隨著半導體制造技術的飛速發(fā)展，半導體器件為了達到更快的運算速度、
更大的資料存儲量以及更多的功能，半導體芯片向更高集成度方向發(fā)展；而 半導體芯片的集成度越高，則半導體器件的臨界尺寸(CD, Critical Dimension) 越小。
然而，由于受到曝光機臺(optical exposure tool)的分辨率極限(resolution limit)的影響，在對光掩模版上的高密度排列的掩模版線路圖形進行曝光工藝 時，很容易產(chǎn)生光學近距效應(OPE, optical proximity effect)，例如直角轉(zhuǎn) 角圓形4匕(right-angled corner rounded)、 直線末端緊縮(line end shortened) 以及直線線寬增力口/縮減(line width increase/decrease )等都是常見的光學近距 效應所導致的掩;^莫版圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的缺陷。
美國專利US6042973揭露在光掩模版上的多個掩模版線路圖形邊緣分別 形成近似圓形的次解析柵欄(sub-resolution grating),因此當該掩模版線路圖 形轉(zhuǎn)移至晶圓時，該線路圖形邊緣的分辨率可以提高，然而該次解析柵欄并 無法避免該線路圖形轉(zhuǎn)移時發(fā)生光學近距效應。因此，為了避免上述光學近 距效應造成掩模版線路圖形轉(zhuǎn)移失真，而無法將線路圖形正確地轉(zhuǎn)移至晶圓 上，現(xiàn)行的半導體工藝均是先利用計算機系統(tǒng)來對該線路圖形的布局線路圖 形進行光學近距修正(OPC, Optical Proximity Correction),以消除光學近距 效應，然后再依據(jù)修正過的布局線路圖形制作掩模版線路圖形，形成于光掩模版上。因此，光學近距修正的基本原理就是對于布局線路圖形進行預先的 修正，使得修正量正好能夠補償光學近距效應造成的缺陷，從而經(jīng)過光學近 距修正而形成的掩模版線路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上后，就能達到曝光工藝的要求。
然而，現(xiàn)有光學近距修正模型只能對有限范圍(l微米 2微米)的光線交
互影響進行修正，然而在使用微影(lithography)技術將光掩模版上的掩模版 線路圖形轉(zhuǎn)移至晶圓的光刻膠膜上時，曝光過程中的光斑效應(flare effect) 對光刻系統(tǒng)的成像質(zhì)量影響也變得越來越突出，光斑效應的影響范圍大于IO 微米，且光斑效應會導致不同器件密集度區(qū)域的相同線路圖形的臨界尺寸一 致性降低。其中，在器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)受光斑效應的影響大，在器件 密集區(qū)受光斑效應的影響小，因此器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的線路圖形臨界 尺寸比器件密集區(qū)同類型的線路圖形臨界尺寸小。
如圖1和圖2所示，將兩個相同掩模版線路圖形12、 22放置于同一個光掩 模版上，其中圖1中的掩模版線路圖形12位于器件密集區(qū)10，而圖2中的掩模 版線路圖形22位于器件孤立區(qū)20，在將光掩模版上的掩模版線路圖形12與掩 模版線路圖形22轉(zhuǎn)移至晶圓光刻膠膜上后，由于在曝光過程中器件孤立區(qū)20 的掩模版線路圖形22受光斑效應影響大，最終在器件孤立區(qū)形成于晶圓光刻 膠膜上的線路圖形24的臨界尺寸為94納米，而在器件密集區(qū)的晶圓光刻膠膜 上的線路圖形14的臨界尺寸為96納米，器件孤立區(qū)的線路圖形與器件密集區(qū) 的線路圖形的臨界尺寸相差2納米。
根據(jù)晶圓上半導體器件的密集度可分為器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)和器件 孤立區(qū)，在光刻工藝中，由于光斑效應對不同區(qū)域的線路圖形的影響不一致， 造成相同線路圖形轉(zhuǎn)移至晶圓光刻膠膜上以后，在不同區(qū)域的線路圖形臨界 尺寸也不一致，最大相差可達2納米 3納米，從而影響了半導體器件的成像質(zhì) 量
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種布局、光掩模版制作及圖形化方法，防止 器件密集度不同區(qū)域的相同電路圖形臨界尺寸不一致。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種布局方法，包括將光掩模版分成若 干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域
的圖形密集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬 圖形轉(zhuǎn)移至控片上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片 主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸， 將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；在后續(xù) 修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨 界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量。
可選的，所述掩模版主要圖形的臨界尺寸為l微米 3微米。 可選的，所述掩模版虛擬圖形的臨界尺寸為8微米 12微米。 可選的，所述最密集區(qū)的密集度為90%~95°/0。
本發(fā)明提供一種光掩模版的制作方法，包括將光掩模版分成若干區(qū)域， 所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密 集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移 至控片上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形 的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū) 域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移 至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸， 形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量；將修正后的布局線路圖形 轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版線路圖形。
可選的，所述掩模版主要圖形的臨界尺寸為l微米 3微米。
可選的，所述掩模版虛擬圖形的臨界尺寸為8微米 12微米。
可選的，所述最密集區(qū)的密集度為90% 95%。本發(fā)明提供一種圖形化方法，包括將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每
個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不
同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片 上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界 尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控 片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓 上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸，形成修 正后布局線路圖形，增大量為所述差值量；將修正后的布局線路圖形轉(zhuǎn)移至 光掩模版上，形成掩模版線路圖形；將掩模版線路圖形轉(zhuǎn)移至晶圓光刻膠膜 上，形成光刻膠線路圖形，所述各區(qū)域的光刻膠線路圖形臨界尺寸一致。 可選的，所述掩模版主要圖形的臨界尺寸為l微米 3微米。 可選的，所述掩模版虛擬圖形的臨界尺寸為8微米~12微米。 可選的，所述最密集區(qū)的密集度為90%~95%。
與現(xiàn)有技術相比，上述方案具有以下優(yōu)點將光掩模版分成圖形密集度 不同的若干區(qū)域；將光掩模版上的各區(qū)域的圖形轉(zhuǎn)移至控片的光刻膠膜上； 測量各區(qū)域的光刻膠主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的主要圖形的臨界尺 寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的主要圖形臨界尺寸與之相減，得到差值；增大 非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量 為差值量。最后轉(zhuǎn)移至晶圓上的不同密集度區(qū)域的相同線路圖形的臨界尺寸 一致，提高了半導體器件的成像質(zhì)量。


圖1是現(xiàn)有將光掩模版上器件密集區(qū)的掩模版線路圖形及轉(zhuǎn)移至晶圓光 刻膠膜上線路圖形的示意圖2是現(xiàn)有將光掩模版上器件孤立區(qū)的掩模版線路圖形及轉(zhuǎn)移至晶圓光刻膠膜上線路圖形的示意圖3是本發(fā)明降低降光斑效應的布局的具體實施方式
流程圖4至圖7是本發(fā)明降低降光斑效應的布局的實施例示意圖8是本發(fā)明制作光掩模版的具體實施方式
流程圖9是本發(fā)明圖形化的具體實施方式
流程圖。
具體實施例方式
根據(jù)晶圓上半導體器件的密度可分為器件密集區(qū)、器件半密集區(qū)和器件 孤立區(qū)，器件密集區(qū)的線路圖形間的距離等于1CD，器件半密集區(qū)的線路圖 形間的距離大于1CD且小于等于3CD,器件孤立區(qū)的線路圖形間的距離大于 3CD。
本發(fā)明將光掩模版分成圖形密集度不同的若干區(qū)域；將光掩模版上的各 區(qū)域的圖形轉(zhuǎn)移至控片的光刻膠膜上；測量各區(qū)域的光刻膠主要圖形的臨界 尺寸，以最密集區(qū)的主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的主要圖 形臨界尺寸與之相減，得到差值；增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺 寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為差值量。最后轉(zhuǎn)移至晶圓光刻膠膜 上的不同密集度區(qū)域的相同線路圖形的臨界尺寸一致，提高了半導體器件的 成像質(zhì)量。
下面結合附圖和較佳實施例對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。 圖3是本發(fā)明降低降光斑效應的布局的具體實施方式
流程圖。如圖3所 示，執(zhí)行步驟SIOI，將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主 要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；執(zhí)行步驟S102, 將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片上， 形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；執(zhí)行步驟S103,測量各區(qū)域的控片主要 圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；執(zhí)行步驟 S104,在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局 線路圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量。
在所定義的區(qū)域內(nèi)，確定任一圖形為掩模版主要圖形，將分布其四周的 圖形作為掩模版虛擬圖形。
圖4至圖7是本發(fā)明降低降光斑效應的布局的實施例示意圖。如圖4所 示，首先，在布局軟件100中，形成完全相同的第一布局主要圖形114、第二 布局主要圖形124、第三布局主要圖形134、第四布局主要圖形144...…第N-l 布局主要圖形154、第N布局主要圖形164;在第一布局主要圖形114四周形 成若干第一布局虛擬圖形112,構成第一布局區(qū)IIO，所述第一布局主要圖形 114與第一布局虛擬圖形112的距離為8微米 10微米，且第一布局虛擬圖形 112的總面積占第 一布局區(qū)110總面積為90%時，則圖形之間的密集度為90%; 在第二布局主要圖形124四周形成與第二布局主要圖形124的距離為IO微米 15微米的第二布局虛擬圖形122,構成第二布局區(qū)120，且第二布局虛擬圖 形122的總面積占第二布局區(qū)120總面積為80%,此時圖形之間的密集度為 80%;在第三布局主要圖形134四周形成與第三布局主要圖形134的距離為 15匸微米 2(H鼓米的第三布局虛擬圖形132,構成第三布局區(qū)130，且第三布局 虛擬圖形132的總面積占第三布局區(qū)130總面積為70%,使圖形之間的密集 度為70%;在第四布局主要圖形144四周形成與第四布局主要圖形144的距 離為20微米 25微米的第四布局虛擬圖形142,構成第四布局區(qū)140，且第四 布局虛擬圖形142的總面積占第四布局區(qū)140總面積為60%， 4吏圖形之間的 密集度為60%…...在第N-l布局主要圖形154四周形成與第N-l布局主要圖 形154的距離為50微米 8(H敖米的第N-l布局虛擬圖形152,構成第N-l布 局區(qū)150,且第四布局虛擬圖形152的總面積占第四布局區(qū)150總面積為10%, 使圖形之間的密集度為10%;第N布局主要圖形164單獨構成第N布局區(qū)160，圖形之間的密集度為0%~5%。
如圖5所示，以光學直寫、投影式電子束直寫或掃描電鏡(SEM)直寫 等方式將圖4中的第一布局主要圖形114及第一布局虛擬圖形112,第二布局 主要圖形124及第二布局虛擬圖形122,第三布局主要圖形134及第三布局虛 擬圖形132，第四布局主要圖形144及第四布局虛擬圖形142……第N-1布局 主要圖形154及第N-l布局虛擬圖形152，第N布局主要圖形164轉(zhuǎn)移至同 一光掩模版200上，形成第一掩模版主要圖形214與第一掩模版虛擬圖形212 構成的掩模版圖形密集度為90%的第 一掩模版區(qū)域210 、第二掩模版主要圖形 224與第二掩模版虛擬圖形222構成的掩模版圖形密集度為80%的第二掩模版 區(qū)域220、第三掩模版主要圖形234與第三掩模版虛擬圖形232構成的掩模版 圖形密集度為70°/。的第三掩模版區(qū)域230、第四掩模版主要圖形244與第四掩 模版虛擬圖形242構成的掩模版圖形密集度為60%的第四掩模版區(qū)域240......
第N-l掩模版主要圖形254與第N-l掩模版虛擬圖形252構成的掩模版圖形 密集度為10%的第N-l掩模版區(qū)域250、第N掩模版主要圖形264構成的掩 模版圖形密集度為0% 5%的第N掩模版區(qū)域260。
如圖6所示，將圖5中的光掩模版200放入光刻裝置中，將光掩模版200 上第一掩模版區(qū)域210、第二掩^^莫版區(qū)域220、第三掩^t版區(qū)域230、第四掩 模版區(qū)域240……第N-l掩模版區(qū)域250、第N掩模版區(qū)域260中的掩模版主 要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片300的光刻膠層上，經(jīng)過曝光顯影工藝， 形成位于圖形密集度為90%的第一區(qū)域310中的第一主要圖形314及第一虛 擬圖形312，位于圖形密集度為80°/。的第二區(qū)域320中的第二主要圖形324 和第二虛擬圖形322，位于圖形密集度為700/。的第三區(qū)域330中的第三主要圖 形334和第三虛擬圖形332,位于圖形密集度為60%的第四區(qū)域340中第四主 要圖形344和第四虛擬圖形342......位于圖形密集度為10。/。的第N-1區(qū)域350
中的第N-l主要圖形354和第N-l虛擬圖形352,位于圖形密集度為0% 5%的第N區(qū)域360中的第N主要圖形364和第N虛擬圖形362。測量第一主要 圖形314、第二主要圖形324、第三主要圖形334、第四主要圖形344……第 N-l主要圖形354、第N主要圖形364的臨界尺寸；以圖形密集度為90%的第 一區(qū)域310中的第一主要圖形314的臨界尺寸為目標尺寸，將第二主要圖形 324的臨界尺寸與第一主要圖形314的臨界尺寸進行相減，得到第一差值；將 第三主要圖形334的臨界尺寸與第一主要圖形314的臨界尺寸進行相減，得 到第二差值；將第四方要圖形344的臨界尺寸與第一主要圖形314的臨界尺 寸進行相減，得到第三差值……將第N-l主要圖形354的臨界尺寸與第一主 要314圖形的臨界尺寸進行相減，得到第N-2差值；將第N主要圖形364的 臨界尺寸與第一主要圖形314的臨界尺寸進行相減，得到第N-l差值。
如圖7所示，確定器件布局圖形的密集度，器件布局圖形密集度為90% 區(qū)域400中的器件布局圖形404的臨界尺寸不變，為目標尺寸；將器件布局 圖形密集度為80%區(qū)域410中的器件布局圖形414的臨界尺寸增大，其增加 量為第一差值412;將器件布局圖形密集度為70%區(qū)域420中的器件布局圖形 424的臨界尺寸增大,其增加量為第二差值422;將器件布局圖形密集度為60% 區(qū)域430中的器件布局圖形434的臨界尺寸增大，其增加量為第三差值 432…...將器件布局圖形密集度為10%區(qū)域440中的器件布局圖形444的臨界 尺寸增大，其增加量為第N-2差值442;將器件布局圖形密集度為0% 5%區(qū) 域450中的器件布局圖形454的臨界尺寸增大，其增加量為第N-l差值452。
圖8是本發(fā)明制作光掩模版的具體實施方式
流程圖。如圖8所示，執(zhí)行 步驟S201,將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和 掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；執(zhí)行步驟S202，將光掩模 版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片上，形成控片 主要圖形和控片虛擬圖形；執(zhí)行步驟S203,測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨 界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；執(zhí)行步驟S204,在后 續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的 臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量；執(zhí)行步驟S205, 將修正后的布局線路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版線路圖形。
在執(zhí)行步驟205中，用電子束寫入裝置或激光束寫入裝置將圖7中的器 件布局圖形密集度為90%區(qū)域400中的器件布局圖形404以及經(jīng)過修正的器 件布局圖形密集度為80%區(qū)域410中的器件布局圖形414 、器件布局圖形密集 度為70%區(qū)域420中的器件布局圖形424、器件布局圖形密集度為60%區(qū)域 430中的器件布局圖形434……器件布局圖形密集度為10°/。區(qū)域440中的器件 布局圖形444、器件布局圖形密集度為0% 5%區(qū)域450中的器件布局圖形454 轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成器件掩模版圖形。
圖9是本發(fā)明圖形化的具體實施方式
流程圖。如圖9所示，執(zhí)行步驟S301 ， 將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬 圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；執(zhí)行步驟S302,將光掩模版上的各區(qū) 域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片上，形成控片主要圖形和 控片虛擬圖形；執(zhí)行步驟S303,測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界尺寸，以 最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖 形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；執(zhí)行步驟S304,在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移 至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸， 形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量；執(zhí)行步驟S305,將修正后 的布局線路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版線路圖形；執(zhí)行步驟S306, 將掩模版線路圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上，形成線路圖形，所述各區(qū)域的線路圖形臨 界尺寸一致。
在執(zhí)行步驟S306中，在曝光機臺中，將光掩模版上器件掩模版圖形轉(zhuǎn)移 至晶圓的光刻膠膜上，經(jīng)過曝光顯影工藝，形成器件圖形。由于光學臨近效應，轉(zhuǎn)移至光刻膠膜上的器件圖形的臨界尺寸比器件掩模版圖形的臨界尺寸 小，但是在不同器件密集度區(qū)的相同器件的臨界尺寸一致。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和 修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以本發(fā)明權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1. 一種布局方法，其特征在于，包括將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量。
2. 根據(jù)權利要求1所述布局方法，其特征在于，所述掩模版主要圖形的臨界 尺寸為l微米 3微米。
3. 根據(jù)權利要求1所述布局方法，其特征在于，所述掩模版虛擬圖形的臨界 尺寸為8孩i米 12孩i米。
4. 根據(jù)權利要求1所述布局方法，其特征在于，所述最密集區(qū)的密集度為 90% 950/0。
5. —種光掩模版的制作方法，其特征在于，包括 將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛 擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片 上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨 界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到 對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量； 將修正后的布局線路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版線路圖形。
6. 根據(jù)權利要求5所述光掩模版的制作方法，其特征在于，所述掩模版主要 圖形的臨界尺寸為1微米~3微米。
7. 根據(jù)權利要求5所述光掩模版的制作方法，其特征在于，所述掩模版虛擬 圖形的臨界尺寸為8微米 12微米。
8. 根據(jù)權利要求5所述光掩模版的制作方法，其特征在于，所述最密集區(qū)的 密集度為90%~95°/0。
9， 一種圖形化方法，其特征在于，包括將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛 擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片 上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨 界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到 對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路 圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量； 將修正后的布局線路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩才莫版線路圖形； 將掩模版線路圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上，形成線路圖形，所述各區(qū)域的線路圖形 臨界尺寸一致。
10. 根據(jù)權利要求9所述圖形化方法，其特征在于，所述掩模版主要圖形的臨 界尺寸為l微米 3微米。
11. 根據(jù)權利要求9所述圖形化方法，其特征在于，所述掩模版虛擬圖形的臨
12.根據(jù)權利要求9所述圖形化方法，其特征在于，所述最密集區(qū)的密集度為 90%~95%。
全文摘要
一種布局方法，包括將光掩模版分成若干區(qū)域，所述每個區(qū)域包含掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形，其中各區(qū)域的圖形密集度不同；將光掩模版上的各區(qū)域的掩模版主要圖形和掩模版虛擬圖形轉(zhuǎn)移至控片上，形成控片主要圖形和控片虛擬圖形；測量各區(qū)域的控片主要圖形的臨界尺寸，以最密集區(qū)的控片主要圖形的臨界尺寸為目標尺寸，將其它區(qū)域的控片主要圖形臨界尺寸與之相減，得到對應的差值量；在后續(xù)修正轉(zhuǎn)移至晶圓上的布局線路圖形時，增大非最密集區(qū)的布局線路圖形的臨界尺寸，形成修正后布局線路圖形，增大量為所述差值量。本發(fā)明還提供光掩模版制作和圖形化方法。本發(fā)明轉(zhuǎn)移至晶圓上的不同密集度區(qū)域的相同線路圖形臨界尺寸一致。
文檔編號G03F1/00GK101458442SQ20071009445
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權日2007年12月13日
發(fā)明者劉慶煒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司