專利名稱：光學(xué)近距修正及制作光掩模版的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及光學(xué)近距修正(OPC， Optical Proximity Correction)及制作光掩才莫版的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了半導(dǎo)體器件達(dá)到更快的運(yùn)算速度、 更大的資料存儲量以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片向更高集成度方向發(fā)展。而 半導(dǎo)體芯片的集成度越高，則半導(dǎo)體器件的臨界尺寸(CD ， Critical Dimension) 越小。
為了實(shí)現(xiàn)微小的CD，必須使光掩模版上更加精細(xì)的圖像聚焦在半導(dǎo)體襯 底的光刻膠上，并且必須增強(qiáng)光學(xué)分辨率，以制造接近光掩模工藝中光學(xué)分 辨率極限的半導(dǎo)體器件。分辨率增強(qiáng)技術(shù)包括利用短波長光源、相移掩模方 法和利用軸外照射(OAI, Off-Axis Illumination)的方法。申請?zhí)枮?2131645.7 的中國專利申請公開了一種軸外照射方法，理論上講，在利用OAI的情況下， 分辨率大約比利用傳統(tǒng)照射時的分辨率高約1.5倍，并且能夠增強(qiáng)聚焦深度 (DOF, depth of focus )。通過OAI技術(shù)，由光學(xué)系統(tǒng)印制在半導(dǎo)體襯底上 CD的最小空間周期可以被進(jìn)一步縮短，但是會產(chǎn)生光學(xué)近距效應(yīng)(OPE, Optical Proximity Effect)。光學(xué)近距效應(yīng)源于當(dāng)光掩模上節(jié)距非?？拷碾娐?圖形以微影方式轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底的光刻膠上時，由于相鄰圖形的光波互相 作用，亦即干涉，而造成最后轉(zhuǎn)移到光刻膠上的圖形扭曲失真，產(chǎn)生依圖形 形狀而定的變動。在深亞微米器件中，由于電路圖形非常密集，光學(xué)近距效 應(yīng)會降低光學(xué)系統(tǒng)對于曝光圖形的分辨率。
現(xiàn)行的半導(dǎo)體器件制作工藝均是先利用計算機(jī)系統(tǒng)來對布局電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正以消除光學(xué)近距效應(yīng)，然后再依據(jù)修正過的布局電路圖形制 作電路圖形，形成于光掩模版上。如圖1所示，在布局電路圖形100的各邊
上形成分割點(diǎn)w2、 w3、 w4、 w5、 w6、 w7、 w8、 w9、 w1(),將各邊分
成長度接近曝光工藝臨界尺寸的分割邊，其中分割點(diǎn)Wi和W2之間的是第一 分割邊Up分割點(diǎn)W2和W3之間的是第二分割邊U2，分割點(diǎn)W3和W4之間 的是第三分割邊U3，分割點(diǎn)W4和W5之間的是第四分割邊U4，分割點(diǎn)Ws和 W6之間的是第五分割邊Us，分割點(diǎn)W6和W7之間的是第六分割邊U6，分割 點(diǎn)W7和Ws之間的是第七分割邊U7,分割點(diǎn)Wg和W9之間的是第八分割邊
u8,分割點(diǎn)W9和W!o之間的是第九分割邊U9,分割點(diǎn)W1()和之間的是第 十分割邊Uu)。
在第一分割邊U！上選取第一評估點(diǎn)Sp其中第一評估點(diǎn)sw立于第一分割 邊中間點(diǎn)士第一分割邊長10%;用OPC模型對第一評估點(diǎn)Si進(jìn)行光強(qiáng)計算， 如果第一評估點(diǎn)S!上的光強(qiáng)值正好等于與具體工藝相關(guān)的光強(qiáng)閾值，就不需 要移動第一分割邊Up將第一分割邊U—見為第一邊一次修正邊Uu，所述光 強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量；而當(dāng)評估點(diǎn)Si光強(qiáng)值小于光強(qiáng) 閾值，那么就需要將第一分割邊Ui向外移動，形成第一邊一次修正邊U ; 評估點(diǎn)S,光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一分割邊Ui向內(nèi)移動，形成 第一邊一次修正邊Un;計算第一邊一次修正邊Un的邊緣設(shè)置誤差(EPE), 所述邊緣設(shè)置誤差為晶圓上實(shí)際電路圖形的臨界尺寸與在計算機(jī)運(yùn)用光學(xué)臨 近修正模型模擬出的電路圖形臨界尺寸的誤差。
用上述方法，在第二分割邊U2選取第一評估點(diǎn)S2后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成
第二邊一次修正邊1112,計算第二邊一次修正邊U!2的邊緣設(shè)置誤差；在第三
分割邊U3選取第一評估點(diǎn)S3后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第三邊一次修正邊Uu,
計算第三邊一次修正邊U13的邊緣設(shè)置誤差；在第四分割邊U4選取第一評估 點(diǎn)S4后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第四邊一次修正邊U14，計算第四邊一次修正邊Uw的邊緣設(shè)置誤差；在第五分割邊Us選取第一評估點(diǎn)Ss后進(jìn)行光強(qiáng)計算， 形成第五邊一次修正邊1115，計算第五邊一次修正邊1115的邊緣設(shè)置誤差；在
第六分割邊U6選取第一評估點(diǎn)S6后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第六邊一次修正邊
U16，計算第六邊一次修正邊U!6的邊緣設(shè)置誤差；在第七分割邊U7選取第一 評估點(diǎn)S7后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第七邊一次修正邊Un，計算第七邊一次修正 邊U17的邊緣設(shè)置誤差；在第八分割邊U8選取第 一評估點(diǎn)S8后進(jìn)行光強(qiáng)計算， 形成第八邊一次修正邊U,8，計算第八邊一次修正邊Uis的邊緣設(shè)置誤差；在
第九分割邊U9選取第一評估點(diǎn)S9后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第九邊一次修正邊
U19，計算第九邊一次修正邊Uw的邊緣設(shè)置誤差；在第十分割邊Uu)選取第 一評估點(diǎn)Sn)后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第十邊一次^^正邊U2。，計算第十邊一次 修正邊U加的邊緣設(shè)置誤差。
如圖2所示，對各一次修正邊的邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較，無論相鄰一次 修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值是否小于等于預(yù)定值(0 5納米)，對每條第一 次修正邊都進(jìn)行進(jìn)一步修正；首先在第一邊一次修正邊Uu上選取第二評估點(diǎn) S ，所述第二評估點(diǎn)Sn位于第一邊一次修正邊Uu中間點(diǎn)士第一邊一次修正 邊11 長度10%，用OPC模型對第二評估點(diǎn)Su進(jìn)行光強(qiáng)計算，并將光強(qiáng)值 與光強(qiáng)閾值比較，通過比較結(jié)果移動第一邊一次修正邊Uu,形成第一邊二次 修正邊Uu,計算第一邊二次修正邊Uu的邊緣設(shè)置誤差；在第二邊一次修正
邊Uu選取第二評估點(diǎn)Si2后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第二邊二次修正邊U22,計
算第二邊二次修正邊u22的邊緣設(shè)置誤差；在第三邊一次修正邊U13選取第二
評估點(diǎn)Su后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第三邊二次修正邊U23，計算第三邊二次修
正邊U23的邊緣設(shè)置誤差；在第四邊一次修正邊Ui4選取第二評估點(diǎn)Sw后進(jìn)
行光強(qiáng)計算，形成第四邊二次修正邊U24,計算第四邊二次^修正邊U24的邊緣
設(shè)置誤差；在第五邊一次修正邊Ut5選取第二評估點(diǎn)Su后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形
成第五邊二次修正邊U25，計算第五邊二次修正邊U25的邊緣設(shè)置誤差；在第六邊一次修正邊Ui6選取第二評估點(diǎn)S16,后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第六邊二次修正邊U26,計算第六邊二次修正邊U26的邊緣設(shè)置誤差；在第七邊一次修正
邊Un選取第二評估點(diǎn)Sn后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第七邊二次修正邊U27,計算第七邊二次修正邊U27的邊緣設(shè)置誤差；在第八邊一次修正邊1118選取第二評估點(diǎn)S,8后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形成第八邊二次修正邊U28，計算第八邊二次修正邊U28的邊緣設(shè)置誤差；在第九邊一次修正邊Ui9選取第二評估點(diǎn)Sw后進(jìn)
行光強(qiáng)計算，形成第九邊二次修正邊U29,計算第九邊二次修正邊U29的邊緣
設(shè)置誤差；在第十邊一次修正邊U2。選取第二評估點(diǎn)S2o后進(jìn)行光強(qiáng)計算，形
成第十邊二次修正邊u3。，計算第十邊二次修正邊u3。的邊緣設(shè)置誤差。
循環(huán)上述圖2步驟，直至修正至預(yù)定次數(shù)，即大概循環(huán)6 8次，結(jié)束修正。
然后，將修正后的布局電路圖形的按照每條修正邊一個一個片斷轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模電路圖形。
現(xiàn)有技術(shù)由于對每條分割邊進(jìn)行多次修正后，形成對應(yīng)的修正邊，然后將每條修正邊分別轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模電路圖形。因此轉(zhuǎn)移布局電路圖形至光掩模版上花費(fèi)時間長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種光學(xué)近距修正及制作光掩模版的方法，節(jié)省將布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩;^莫版上的時間。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種光學(xué)近距修正的方法，包括下列步驟將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80°/。~120%的第 一分割邊、第二分割邊......第N分割邊；分別對第一分割邊、第二分割邊......第
N分割邊進(jìn)行修正，獲得對應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差；將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的修正邊的邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較；如果所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行再
次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差；如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差；重復(fù)上述步驟，至修正滿足預(yù)定次數(shù)，結(jié)束修正。
可選的，所述修正包括如下步驟在第一分割邊上選取第一評估點(diǎn)，并對第一評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對第 一分割邊進(jìn)行修正形成第 一分割邊對應(yīng)修正邊；以此類推修正第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應(yīng)的修正邊。
可選的，所述修正還包括如下步驟第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向外移動，形成對應(yīng)的修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向內(nèi)移動，形成對應(yīng)修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將分割邊作為對應(yīng)的修正邊。
可選的，第一評估點(diǎn)位置=分割邊中間點(diǎn)±分割邊長10%?？蛇x的，所述光強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量。本發(fā)明提供一種制作光掩模版的方法，包括將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80%~120%的第一分割邊、第二分割邊......第N
分割邊；分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進(jìn)行修正，獲得對
應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差；將第一分割邊、第二分割邊......
第N分割邊的修正邊的邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較；如果所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差；如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的》務(wù)正邊進(jìn)行再次^'務(wù)正，得到對應(yīng)的再次》務(wù)正邊，并計算再次i'務(wù)正邊的邊纟彖
9設(shè)置誤差；重復(fù)上述步驟，至修正滿足預(yù)定次數(shù)，結(jié)束修正；將修正后的布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模電路圖形。
可選的，所述修正包括如下步驟在第一分割邊上選取第一評估點(diǎn)，并對第一評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對第一分割邊進(jìn)行修正形成第一分割邊對應(yīng)修正邊；以此類推修正第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應(yīng)的修正邊。
可選的，所述修正還包括如下步驟第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向外移動，形成對應(yīng)的修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向內(nèi)移動，形成對應(yīng)修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將分割邊作為對應(yīng)的修正邊。
可選的，第一評估點(diǎn)位置=分割邊中間點(diǎn)土分割邊長10%?？蛇x的，所述光強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量。與現(xiàn)有4支術(shù)相比，上述方案具有以下優(yōu)點(diǎn)如果有相鄰^f奮正邊的邊^(qū)^i殳置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。將合并修正邊作為一個片斷轉(zhuǎn)移至光掩模版上，使轉(zhuǎn)移的修正邊數(shù)目減少，因此降低了將布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上的時間，提高了效率。


圖1至圖2是現(xiàn)有技術(shù)對待曝光電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正的示意圖3是本發(fā)明對布局電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正的具體實(shí)施方式
流程圖4至圖6是本發(fā)明對布局電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正的實(shí)施例示意圖7為本發(fā)明對待曝光電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正過程中分割邊及修正邊移動距離同光強(qiáng)與光強(qiáng)閾值差值的關(guān)系10圖8是本發(fā)明制作光掩模版的具體實(shí)施方式
流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)有技術(shù)由于對每條分割邊進(jìn)行多次修正后，形成對應(yīng)的修正邊，然后將每條修正邊分別轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模電路圖形。因此轉(zhuǎn)移布局電路圖形至光掩模版上花費(fèi)時間長。本發(fā)明如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。將合并修正邊作為一個片斷轉(zhuǎn)移至光掩模版上，使轉(zhuǎn)移的修正邊數(shù)目減少，因此降低了將布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上的時間，提高了效率。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。
圖3是本發(fā)明對布局電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正的流程圖。如圖3所示，執(zhí)行步驟S201,將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80% 120%的第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊。
執(zhí)行步驟S202，分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進(jìn)行修
正，獲得對應(yīng)的一次修正邊，并計算一次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。
本步驟中，所述修正包括在第一分割邊上選取第一評估點(diǎn)，并對第一評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對第 一分割邊進(jìn)行修正形成第一分割邊對應(yīng)修正邊；以此類推修正第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應(yīng)的修正邊。
所述修正還包括第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向外移動，形成對應(yīng)的修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向內(nèi)移動，形成對應(yīng)修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將分割邊作為對應(yīng)的》務(wù)正邊。
第一評估點(diǎn)位置=分割邊中間點(diǎn)士分割邊長10%。
ii執(zhí)行步驟S203,將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的修正邊的
邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較。
執(zhí)行步驟S204，判斷是否有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值？
本步驟中，所述預(yù)定值為3 5納米，具體例如3納米、4納米或5納米等。執(zhí)行步驟S205,如果沒有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，即所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差；然后再重復(fù)執(zhí)行步驟S204。
執(zhí)行步驟S206，如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。
執(zhí)行步驟S207,修正滿足預(yù)定次數(shù)？如修正不滿足預(yù)定次數(shù)，則重復(fù)執(zhí)行步驟S203 S206。
執(zhí)行步驟S208,如果修正滿足預(yù)定次數(shù)，則結(jié)束修正。圖4至圖6是本發(fā)明對布局電路圖形進(jìn)行光學(xué)近距修正的實(shí)施例示意圖。如圖4所示，在布局電路圖形200的各邊上形成分割點(diǎn)W101、 W102、 W103、W104、 W朋、W1()6、 W1()7、 W1()8、 W1()9、 W 。，將各邊分成長度4妄近曝光工藝臨界尺寸的分割邊;其中分割點(diǎn)W1()1和W1()2之間的分割邊為第 一分割邊U101 ，分割點(diǎn)W1()2和W1()3之間的分割邊為第二分割邊U1{)2 ，分割點(diǎn)W1()3和W1()4之
間的分割邊是第三分割邊Uu)3,分割點(diǎn)W，和Wu)5之間的分割邊是第四分割邊UuH,分割點(diǎn)Wn)5和Wu)6之間的分割邊是第五分割邊Un)5，分割點(diǎn)W106
和W，之間的分割邊是第六分割邊U1{)6,分割點(diǎn)W1()7和W1()8之間的分割邊是第七分割邊U1Q7,分割點(diǎn)W1G8和W1G9之間的分割邊是第八分割邊U賜，分割點(diǎn)W朋和Wuo之間的分割邊是第九分割邊U1()9，分割點(diǎn)Wno和\￥1()1之間的
12本實(shí)施例中，所述接近曝光工藝臨界尺寸的分割邊為分割邊長度是曝光
工藝臨界尺寸的80% 120°/。，具體第一分割邊Uun......第十分割邊Un。的長
度可以為曝光工藝臨界尺寸的80%、 90%、 100%、 110%或1200/0。
在第一分割邊Uun上選取第一評估點(diǎn)S1Q1,其中第一評估點(diǎn)Shh位于第一分割邊Uun中間點(diǎn)士第一分割邊Unn長度10%;用OPC模型對第一評估點(diǎn)S101進(jìn)行光強(qiáng)計算，如果第一評估點(diǎn)S1Q1上的光強(qiáng)值正好等于與具體工藝相關(guān)的光強(qiáng)閾值，就不需要移動第一分割邊U1G1,將第一分割邊Unn作為第一邊一次修正邊Um,所述光強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量；而當(dāng)評估點(diǎn)Sun光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一分割邊Unn向外移動，形成第一邊一次修正邊U川；當(dāng)評估點(diǎn)Snn光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一分割邊UnH向內(nèi)移動，形成第一邊一次修正邊Uni;具體移動距離根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值的比值大小來決定，即移動距離的大小同光強(qiáng)與光強(qiáng)閾值之間的差值成正比(如圖7所示)；計算第一邊一次修正邊Um的邊緣設(shè)置誤差，所述邊緣設(shè)置誤差為電路圖形在晶圓上的臨界尺寸與圖形在光學(xué)近距修正才莫型中的臨界尺寸的誤差。
用上述方法，在第二分割邊Un)2上選取第一評估點(diǎn)S1Q2,對第一評估點(diǎn)
S^進(jìn)行光強(qiáng)計算，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正第二分割邊U股，形成第二邊一次修正邊U112,計算第二邊一次修正邊Un2的邊緣設(shè)置誤差；在第三分割邊UuB上選取第一評估點(diǎn)S朋，對第一評估點(diǎn)Su)3進(jìn)行光強(qiáng)計算，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正第三分割邊U103,形成第三邊一次修正邊U113,計算第三邊一次修正邊U113的邊緣設(shè)置誤差；在第四分割邊Uu)4上選取第一評估點(diǎn)Sn)4，計算第一評估點(diǎn)SuM光強(qiáng)，比較光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值，根據(jù)比較值修正第四分割邊U1Q4，形成第四邊一次修正邊U114,計算第四邊一次修正邊Um的邊緣設(shè)置誤差；在第五分割邊Uu)5上選取
13第一評估點(diǎn)Su)5，計算第一評估點(diǎn)Sn)5光強(qiáng)，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根 據(jù)比較結(jié)果修正第五分割邊Uu)5，形成第五邊一次修正邊Uns，計算第五邊一 次修正邊U115的邊緣設(shè)置誤差；在第六分割邊UK)6上選取第一評估點(diǎn)S106, 計算第一評估點(diǎn)Sk)6光強(qiáng)，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正
第六分割逸Uk)6,形成第六邊一次修正邊U116,計算第六邊一次修正邊U116
的邊緣設(shè)置誤差；在第七分割邊Uu)7上選取第一評估點(diǎn)SH)7，計算第一評估點(diǎn)
Sk)7光強(qiáng)，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正第七分割邊17107， 形成第七邊一次修正邊U117,計算第七邊一次修正邊Um的邊緣設(shè)置誤差；
在第八分割邊Uu)8上選取第一評估點(diǎn)Su)8，計算第一評估點(diǎn)Sn)8光強(qiáng)，并將光
強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正第八分割邊U1Q8,形成第八邊一次
修正邊Un8，計算第八邊一次修正邊Un8的邊緣設(shè)置誤差；在第九分割邊Uu)9 上選取第一評估點(diǎn)S,。9,計算第一評估點(diǎn)S，光強(qiáng)，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比 較，根據(jù)比較結(jié)果修正第九分割邊Uu)9,形成第九邊一次修正邊Uu9，計算第
九邊一次修正邊U119的邊緣設(shè)置誤差；在第十分割邊Uu。上選取第一評估點(diǎn) s110,計算第一評估點(diǎn)s，光強(qiáng)，并將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果 修正第十分割邊u Q，形成第十邊一次修正邊U12Q，計算第十邊一次修正邊
U,20的邊緣設(shè)置誤差。
本實(shí)施例中，第一評估點(diǎn)Sn)2位于第二分割邊U1()2中間點(diǎn)士第二分割邊 U,02長度10%、第一評估點(diǎn)Su)3位于第三分割邊UKB中間點(diǎn)±第三分割邊11103 長度10%、第一評估點(diǎn)Sn)4位于第四分割邊Uu)4中間點(diǎn)土第四分割邊UH)4長度
10%、第一評估點(diǎn)S1()5位于第五分割邊U1()5中間點(diǎn)士第五分割邊U1()5長度10%、
第一評估點(diǎn)S,06位于第六分割邊U賜中間點(diǎn)士第六分割邊U,06長度10%、第一 評估點(diǎn)Su)7位于第七分割邊Un)7中間點(diǎn)土第七分割邊UH)7長度10%、第一評估 點(diǎn)Su)8位于第八分割邊Un)8中間點(diǎn)士第八分割邊UH)8長度10%、第一評估點(diǎn)
14S，位于第九分割邊U1{)9中間點(diǎn)士第九分割邊U!09長度10%、第一評估點(diǎn)S110 位于第十分割邊Q10中間點(diǎn)±第十分割邊U！ 10長度10%。
如圖5所示，計算第 一邊一次修正邊U！ 至第十邊一次修正邊U^的邊緣設(shè)
置誤差，將邊緣設(shè)置誤差的差值在0 5納米之間的相鄰一次修正邊進(jìn)行合并，
作為 一次合并修正邊，與未合并的一次修正邊進(jìn)行進(jìn)一步修正。
由于第一邊一次修正邊Um與第二邊一次修正邊Uu2的邊緣設(shè)置誤差不一 致，因此無需合并，在第一邊一次修正邊Um上選取第二評估點(diǎn)Sm,所述第 二評估點(diǎn)Sm位于第一邊一次修正邊U川中間點(diǎn)士第一邊一次修正邊Um長度 10%;用OPC模型對第二評估點(diǎn)Sm進(jìn)行光強(qiáng)計算，如果第二評估點(diǎn)S川上的光 強(qiáng)值正好等于與具體工藝相關(guān)的光強(qiáng)閾值，就不需要移動第一邊一次修正邊 Um，將第一邊一次修正邊Um作為第一邊二次修正邊Um;而當(dāng)?shù)诙u估點(diǎn) Sm光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一邊一次修正邊Um向外移動，形 成第一邊二次修正邊U^;當(dāng)?shù)诙u估點(diǎn)Sm光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，那么就需 要將第一邊一次修正邊Um向內(nèi)移動，形成第一邊二次修正邊Um;計算第一 邊二次纟務(wù)正邊Um的邊緣設(shè)置誤差。
由于第二邊一次修正邊Un2與第三邊一次修正邊Uu3的邊緣設(shè)置誤差相
同，因此將這兩邊合并，作為第二三邊一次合并修正邊Hm;在第二三邊一次 合并修正邊Hm上選取第二評估點(diǎn)Su2，所述第二評估點(diǎn)Sm位于第二三邊一次 合并修正邊Hm中間點(diǎn)士第二三邊一次合并修正邊Hm長度10。/。；用OPC模型對 第二評估點(diǎn)Sn2進(jìn)行光強(qiáng)計算，如果第二評估點(diǎn)Su2上的光強(qiáng)值正好等于與具 體工藝相關(guān)的光強(qiáng)閾值，就不需要移動二三邊一次合并修正邊Hm,將第二三 邊一次合并修正邊Hm作為第二三邊二次修正邊U,22;而當(dāng)?shù)诙u估點(diǎn)Su2光強(qiáng) 值小于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第二三邊一次合并〗務(wù)正邊Hm向外移動，形成 第二三邊二次修正邊11122;當(dāng)?shù)诙u估點(diǎn)Su2光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，那么就需
15要將第二三邊一次合并修正邊Hm向內(nèi)移動，形成第二三邊二次修正邊U^2;
計算第二三邊二次修正邊11122的邊緣設(shè)置誤差。
由于第四邊一次修正邊Uu4與第三邊一次修正邊Un3及第五邊一次修正邊 Un5的邊緣設(shè)置誤差不一致，因此無需合并，在第四邊一次修正邊11114上選取 第二評估點(diǎn)Sn4,第二評估點(diǎn)Sm位于第四邊一次修正邊Uu4中間點(diǎn)士第四邊一 次修正邊11114長度10%,計算第二評估點(diǎn)Su4的光強(qiáng)，比較光強(qiáng)值與光強(qiáng)闊值， 并才艮據(jù)比較結(jié)果形成第四邊二次修正邊Um,計算第四邊二次修正邊11124的邊
緣設(shè)置誤差；由于第五邊一次修正邊U, 15與其兩邊的一次修正邊的邊緣設(shè)置誤
差不一致，在第五邊一次修正邊Uu5上選取第二評估點(diǎn)Su5，第二評估點(diǎn)S出 位于第五邊一次修正邊Uus中間點(diǎn)±第五邊一次修正邊11115長度10%,計算第二
評估點(diǎn)Sn5的光強(qiáng)，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值的比較結(jié)果形成第五邊二次修正邊
U125，計算第五邊二次修正邊U!25的邊緣設(shè)置誤差。
由于第六邊一次修正邊Uu6與第七邊一次修正邊Un7的邊緣設(shè)置誤差相 同，因此將這兩邊合并，作為第六七邊一次合并{奮正邊11112;在第六七邊一次
合并修正邊Hu2上選取第二評估點(diǎn)Su6,所述第二評估點(diǎn)Su6位于第六七邊一次
合并修正邊Hn2中間點(diǎn)±第六七邊一次合并修正邊11112長度10%;計算第二評估
點(diǎn)Su6的光強(qiáng)，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較結(jié)果形成第六七邊二次修正邊U^6; 計算第六七邊二次修正邊11126的邊緣設(shè)置誤差。
由于第八邊一次修正邊Uu8與第九邊一次修正邊Un9的邊緣設(shè)置誤差相
同，因此將這兩邊合并，作為第八九邊一次合并^務(wù)正邊Hn3;在第八九邊一次 合并修正邊Hn3上選取第二評估點(diǎn)Su8,所述第二評估點(diǎn)Su8位于第八九邊一次 合并修正邊11113中間點(diǎn)士第八九邊一次合并修正邊Hn3長度10。/。；計算第二評估 點(diǎn)Sw的光強(qiáng)，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較結(jié)果形成第八九邊二次修正邊11128;
計算第八九邊二次修正邊11128的邊緣設(shè)置誤差。
16由于第十邊一次修正邊Ui20與其兩邊的一次修正邊的邊緣設(shè)置誤差不一 致，在第十邊一次修正邊U!20上選取第二評估點(diǎn)Si2。，第二評估點(diǎn)S，位于第十 邊一次修正邊11120中間點(diǎn)士第十邊一次修正邊Ui20長度10。/。，計算第二評估點(diǎn)
S!2o的光強(qiáng)，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較結(jié)果形成第十邊二次修正邊Uno,計 算第十邊二次修正邊Uno的邊緣設(shè)置誤差。
除本實(shí)施例外， 一般對第一分割邊111{)1......第十分割邊U，進(jìn)行一次修正
后，所獲得的對應(yīng)一次修正邊中存在相鄰兩條一次修正邊的邊緣設(shè)置誤差的 差值小于等于5納米的情況較少。因此，在對第一分割邊Uun......第十分割邊
Uuo進(jìn)行三次或以上1^正后，在三次Y資正邊中存在相鄰三次f務(wù)正邊的邊緣設(shè)置 誤差的差值小于等于5納米的情況，合并這些三次修正邊，形成三次合并修正 邊，與未合并的三次修正邊進(jìn)行后續(xù)修正。
如圖6所示，在第一邊二次修正邊Um上選取第三評估點(diǎn)Sm，所述第三評 估點(diǎn)8121位于第一邊二次修正邊11121中間點(diǎn)±第一邊二次修正邊1;121長度10%; 用OPC模型對第三評估點(diǎn)Sm進(jìn)行光強(qiáng)計算，如果第三評估點(diǎn)Sm上的光強(qiáng)值 正好等于與具體工藝相關(guān)的光強(qiáng)閾值，就不需要移動第一邊二次修正邊U^， 將第 一邊二次修正邊U^作為第一邊三次修正邊Un!;而當(dāng)?shù)谌u估點(diǎn)Sm光強(qiáng) 值小于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一邊二次修正邊Um向外移動，形成第一邊 三次修正邊Um;當(dāng)?shù)谌u估點(diǎn)S^光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，那么就需要將第一 邊二次修正邊Um向內(nèi)移動，形成第一邊三次修正邊Um;計算第一邊三次修 正邊Um的邊緣設(shè)置誤差。
在第二三邊二次修正邊Um上選取第三評估點(diǎn)S^2，所述第三評估點(diǎn)S！22
位于第二三邊二次修正邊11122中間點(diǎn)±第二三邊二次》務(wù)正邊11122長度10%;用 OPC模型對第三評估點(diǎn)S^進(jìn)行光強(qiáng)計算，將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比 較結(jié)果修正第二三邊二次修正邊Um,形成第二三邊三次修正邊Um;計算第
二三邊三次修正邊U,32的邊緣設(shè)置誤差。
17在第四邊二次修正邊U^4上選取第三評估點(diǎn)Si24,所述第三評估點(diǎn)Sm位于 第四邊二次修正邊11124中間點(diǎn)±第四邊二次修正邊11124長度10%,對第三評估點(diǎn) S!24進(jìn)行光強(qiáng)計算，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值的比較結(jié)果修正第四邊二次修正邊 U124，形成第四邊三次修正邊U！34,并計算第四邊三次修正邊Un4的邊緣設(shè)置 誤差。在第五邊二次修正邊U!25上選取第三評估點(diǎn)S！25,所述第三評估點(diǎn)S！25 位于第五邊二次修正邊11125中間點(diǎn)±第五邊二次修正邊11125長度10%,對第三評 估點(diǎn)Sp5進(jìn)行光強(qiáng)計算，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值的比較結(jié)果修正第五邊二次修 正邊Uu5，形成第五邊三次修正邊U！35,并計算第五邊三次修正邊11135的邊緣 設(shè)置誤差。
在第六七邊二次^修正邊l^26上選取第三評估點(diǎn)S！26,所述第三評估點(diǎn)S！26 位于第六七邊二次〃修正邊Ui26中間點(diǎn)±第六七邊二次修正邊11126長度10%;用 OPC模型對第三評估點(diǎn)S^6進(jìn)行光強(qiáng)計算，將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比 較結(jié)果修正第六七邊二次修正邊11126,形成第六七邊三次修正邊U說；計算第 六七邊三次修正邊U!36的邊緣設(shè)置誤差。在第八九邊二次修正邊U,28上選取第 三評估點(diǎn)Si28,所述第三評估點(diǎn)S^位于第八九邊二次修正邊U!28中間點(diǎn)士第八 九邊二次修正邊11128長度10%;用OPC模型對第三評估點(diǎn)Si28進(jìn)行光強(qiáng)計算，
將光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值比較，根據(jù)比較結(jié)果修正第八九邊二次修正邊U^，形成 第八九邊三次修正邊Um;計算第八九邊三次修正邊Un8的邊緣設(shè)置誤差。
在第十邊二次修正邊U!30上選取第三評估點(diǎn)S，，所述第三評估點(diǎn)Sno位于
第十邊二次修正邊Uno中間點(diǎn)±第十邊二次修正邊1113()長度10%，對第三評估點(diǎn) S，進(jìn)行光強(qiáng)計算，根據(jù)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值的比較結(jié)果修正第十邊二次修正邊 U13。，形成第十邊三次修正邊U，，并計算第十邊三次修正邊U，的邊緣設(shè)置 誤差。
繼續(xù)將第一邊三次修正邊Um、第二三邊三次修正邊Um、第四邊三次修 正邊Um、第五邊三次^修正邊11135、第六七邊三次^修正邊Un6、第八九邊三次
18U14Q進(jìn)行修正.......直到M次修正滿足預(yù)定修
正次數(shù)，結(jié)束修正。
本實(shí)施例中，所述預(yù)定修正次數(shù)為6~8次。
本實(shí)施例中，M次修正包括如下步驟在M-l次修正邊上選取第M-l評 估點(diǎn)，并對第M-l評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第M-l評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值 進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對相應(yīng)的M-l次修正邊進(jìn)行修正，形成對應(yīng)M次修正 邊，其中M為自然數(shù)。
M次修正還包括如下步驟第M-l評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng) M-l次^務(wù)正邊向外移動，形成對應(yīng)的M次-修正邊；第M-l評估點(diǎn)光強(qiáng)值大于 光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)M-l次》務(wù)正邊向內(nèi)移動，形成對應(yīng)的M次^修正邊；第M-1 評估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將M-1次修正邊作為對應(yīng)的M次修正邊，其中 M為自然數(shù)。
本實(shí)施例中，對4務(wù)正邊進(jìn)行1~2次合并即可，如果進(jìn)行2次以上合并， 會造成修正邊過長，光強(qiáng)分布更不均勻，使前續(xù)部分對布局電路圖形的各邊 進(jìn)行分割就沒有任何意義。
在實(shí)施例中，如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值， 合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到 對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。將合并修正邊作為 一個片斷轉(zhuǎn)移至光掩模版上，使轉(zhuǎn)移的修正邊數(shù)目減少，因此降低了將布局 電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上的時間，提高了效率。
圖8是本發(fā)明制作光掩模版的具體實(shí)施方式
流程圖。如圖8所示，執(zhí)行 步驟S301，將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸 80%~120%的第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊。
執(zhí)行步驟S302,分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進(jìn)行4務(wù)
正，獲得對應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差。
19執(zhí)行步驟S303，將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的修正邊的
邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較。
執(zhí)行步驟S304，判斷是否有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于 預(yù)定值？
執(zhí)行步驟S305,如果沒有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù) 定值，即所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn) 行再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差； 然后再重復(fù)執(zhí)行步驟S304。
執(zhí)行步驟S306，如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定 值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)4于再次修正， 得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差。
執(zhí)行步驟S307,修正滿足預(yù)定次數(shù)？如修正不滿足預(yù)定次數(shù)，則重復(fù)執(zhí) 行步驟S303 S306。
執(zhí)行步驟S308,如果修正滿足預(yù)定次數(shù)，則結(jié)束修正。
執(zhí)行步驟S309，將修正后的布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模 電^各圖形。
用電子束寫入裝置或激光束寫入裝置將布局軟件中的布局電路圖形寫至 光掩模版上。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
20
權(quán)利要求
1. 一種光學(xué)近距修正的方法，其特征在于，包括下列步驟將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80％～120％的第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊；分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進(jìn)行修正，獲得對應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差；將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的修正邊的邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較；如果所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差；如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差；重復(fù)上述步驟，至修正滿足預(yù)定次數(shù)，結(jié)束修正。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)近距修正的方法，其特征在于，所述修正包括 如下步驟在第一分割邊上選取第一評估點(diǎn)，并對第一評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第一 評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對第 一分割邊進(jìn)行修正形成 第一分割邊對應(yīng)^^正邊；以此類推^uE第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應(yīng)的^務(wù)正邊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)近矩修正的方法，其特征在于所述修正還包 括如下步驟第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向外移動，形成對應(yīng)的修 正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向內(nèi)移動，形成對 應(yīng)修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將分割邊作為對應(yīng)的修正邊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)近矩修正的方法，其特征在于第一評估點(diǎn)位 置=分割邊中間點(diǎn)±分割邊長10%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4任何一項(xiàng)所述的光學(xué)近距修正的方法，其特征在于 所述光強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量。
6. —種制作光掩模版的方法，其特征在于，包括下列步驟將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80%~120%的第一 分割邊、第二分割邊......第N分割邊；分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進(jìn)行修正，獲得對應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差；將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的修正邊的邊緣設(shè)置誤差進(jìn)行比較；如果所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行 再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差； 如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊， 形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊， 并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差；重復(fù)上述步驟，至修正滿足預(yù)定次數(shù)，結(jié)束修正；將修正后的布局電路圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模電路圖形。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，所述修正包括 如下步驟在第一分割邊上選取第一評估點(diǎn)，并對第一評估點(diǎn)進(jìn)行光強(qiáng)計算；將第一 評估點(diǎn)光強(qiáng)值與光強(qiáng)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較值對第一分割邊進(jìn)行修正形成 第一分割邊對應(yīng)修正邊；以此類推修正第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應(yīng)的修正邊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作光掩模版的方法，其特征在于所述修正還包括如下步驟第一評估點(diǎn)光強(qiáng)值小于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向外移動，形成對應(yīng)的修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值大于光強(qiáng)閾值，將對應(yīng)分割邊向內(nèi)移動，形成對 應(yīng)修正邊；當(dāng)?shù)谝辉u估點(diǎn)光強(qiáng)值等于光強(qiáng)閾值，將分割邊作為對應(yīng)的修正邊。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作光掩模版的方法，其特征在于第一評估點(diǎn)位 置=分割邊中間點(diǎn)土分割邊長10%。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9任何一項(xiàng)所述的制作光掩模版的方法，其特征在于 所述光強(qiáng)閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強(qiáng)劑量。
全文摘要
一種光學(xué)近距修正的方法，包括將布局電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80％～120％的第一分割邊......第N分割邊；分別對第一分割邊......第N分割邊進(jìn)行修正，獲得對應(yīng)的修正邊，并計算修正邊的邊緣設(shè)置誤差；如果所有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值大于預(yù)定值，對各修正邊進(jìn)行再次修正，獲得對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊對應(yīng)邊緣設(shè)置誤差；如果有相鄰修正邊的邊緣設(shè)置誤差的差值小于等于預(yù)定值，合并相鄰修正邊，形成合并修正邊，與未合并的修正邊進(jìn)行再次修正，得到對應(yīng)的再次修正邊，并計算再次修正邊的邊緣設(shè)置誤差；重復(fù)上述步驟，至修正滿足預(yù)定次數(shù)，結(jié)束修正。本發(fā)明降低了制作光掩模版的時間，提高了效率。
文檔編號G03F1/36GK101458448SQ20071009447
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者青 楊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司