專利名稱：導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、像素結(jié)構(gòu)、顯示面板、光電裝置及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及其形成方法；特別涉及一種用于顯示裝置或光電裝置的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示裝置工藝技術(shù)的發(fā)展，在畫質(zhì)細(xì)致度、耗電量、以及產(chǎn)品壽命等方面在各種顯示技術(shù)中具有優(yōu)勢，所以液晶顯示裝置逐漸取代顯像管顯示裝置。隨著TFT液晶顯示裝置面板尺寸與分辨率的增加，金屬導(dǎo)線信號(hào)傳輸?shù)难舆t現(xiàn)象(RC Delay)將變得嚴(yán)重，如何降低延遲現(xiàn)象成為一大課題。
信號(hào)傳遞的快慢，取決于電阻(R)與電容(C)的乘積，所以解決延遲現(xiàn)象的方法常使用低阻抗的金屬，如鋁，更甚者用銅。目前普遍使用的鋁導(dǎo)線其電阻值約5微歐姆/公分(μΩ/cm)，而銅導(dǎo)線的電阻值可達(dá)2.2微歐姆/公分(μΩ/cm)，若采用銅導(dǎo)線可大幅降低電阻值，即使尺寸增加也不會(huì)產(chǎn)生畫面延遲現(xiàn)象，且材料成本比目前量產(chǎn)技術(shù)更為低廉。
傳統(tǒng)形成銅導(dǎo)線的工藝簡述如下首先，參考圖1A，在玻璃基板10上形成阻障層11及銅金屬層13。接著，沉積光阻層15于玻璃基板10上，并將其圖案化，如圖1B所示。然后，進(jìn)行蝕刻程序，將未被光阻層覆蓋的阻障層11及銅金屬層13除去，如圖1C所示。最后，參考圖1D，將光阻層15除去以完成銅導(dǎo)線的工藝。然而，傳統(tǒng)以銅工藝形成液晶顯示裝置中像素結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)有許多困難的地方，例如不易將銅蝕刻成預(yù)設(shè)的結(jié)構(gòu)即為銅工藝的困難之一。銅工藝無法以傳統(tǒng)工藝的蝕刻液(如鋁蝕刻液)進(jìn)行蝕刻，必須開發(fā)新的蝕刻液，費(fèi)時(shí)耗工。更有甚者，蝕刻銅的蝕刻液壽命(lift-time)短，且在銅/阻障層的結(jié)構(gòu)中常會(huì)有蝕刻液殘留及錐形結(jié)構(gòu)(taper)不佳、或者形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的銅金屬層中的銅易擴(kuò)散于介電層及后續(xù)的半導(dǎo)體層中，從而產(chǎn)生短路或電子遷移等現(xiàn)象，此對生產(chǎn)的成品率影響甚大。
由上述說明可知，在傳統(tǒng)方法中，銅工藝中形成圖案化的銅仍具不易生產(chǎn)的問題為業(yè)界急待解決的問題。有鑒于此，業(yè)界殷切期盼提供一種銅導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；形成圖案化介電層于該基板上，且其上定義第一開口，并暴露出部分該基板；形成圖案化有機(jī)材料層于該圖案化介電層上，其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該基板；形成第一阻障層于該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上；形成金屬層于該暴露出的部分該基板的該第一阻障層上及在該圖案化有機(jī)材料層的該第一阻障層上；以及除去該圖案化有機(jī)材料層及位于其上的該第一阻障層及該金屬層。
上述形成方法中，該第一開口可在接觸該基板一端具有第一寬度，而在遠(yuǎn)離于該基板的另一端具有第二寬度；而且該第二開口可具有第三寬度，其中，該第三寬度實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度及該第二寬度的至少其中之一。
上述形成方法中，該第二寬度可實(shí)質(zhì)上大于該第一寬度。
上述形成方法中，該第一寬度與該第二寬度的差值可實(shí)質(zhì)上大于或等于1微米。
上述形成方法中，還可包含形成第二阻障層于于該第一開口中及該圖案化有機(jī)材料層的該金屬層上。
上述形成方法中，該介電層的上部及下部可具有不同的蝕刻速率。
上述形成方法中，在形成該圖案化介電層于該基板上的步驟中，愈接近該基板的該圖案化介電層的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于愈遠(yuǎn)離該基板的該圖案化介電層的沉積速率。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；形成介電層于該基板上形成圖案化有機(jī)材料層于該介電層上，其中該圖案化有機(jī)材料層具有第一開口，并暴露部分該介電層，其中，該第一開口具有第一寬度；除去位于該第一開口下的部分該介電層，以形成對應(yīng)該第一開口的第二開口，并暴露出部分該基板，其中，該第二開口具有接觸該基板一端的第二寬度及遠(yuǎn)離該基板的另一端的第三寬度；形成第一阻障層于該第二開口中的該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上；形成金屬層于該第二開口中的該阻障層上及該圖案化有機(jī)材料層上；其中該第一寬度實(shí)質(zhì)上小于該第二寬度及該第三寬度的至少其中之一，該第二寬度實(shí)質(zhì)上大于該第三寬度。
上述形成方法中，在該除去位于該第二開口下的部分該介電層的步驟中，可包含以過蝕刻程序，使得該第一開口于該介電層內(nèi)的側(cè)邊內(nèi)縮于該圖案化有機(jī)材料層下。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；形成圖案化有機(jī)材料層于該基板上，其上定義第一開口，且第一開口暴露出部分該基板；形成第一阻障層于該暴露出的部分該基板及該圖案化有機(jī)材料層上；形成金屬層于該暴露出的部分該基板及于該圖案化有機(jī)材料層的該第一阻障層上；以及除去該圖案化有機(jī)材料層及位于其上的該第一阻障層及該金屬層。
上述形成方法中，該第一開口在接觸該基板一端可具有第一寬度，而在遠(yuǎn)離于該基板的另一端具有第二寬度，其中，該第二寬度實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度。
上述形成方法中，該第一寬度與該第二寬度的差值可實(shí)質(zhì)上大于或等于1微米。
上述形成方法還可包含形成第二阻障層于該暴露出的部分該基板及該圖案化有機(jī)材料層的該金屬層上。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；圖案化介電層，形成于該基板上，且具有多個(gè)開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于從所述多個(gè)開口內(nèi)暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板上；絕緣層，形成于該基板上；有源層，形成于該薄膜晶體管區(qū)的該絕緣層上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該有源層的兩端、該數(shù)據(jù)線區(qū)的該絕緣層上；以及圖案化保護(hù)層，覆蓋于該基板上。
上述像素結(jié)構(gòu)還可包含圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且電性連接該有源層兩端的其中一端。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該有源層可包含未摻雜層及摻雜層，且該摻雜層的兩端分別接觸該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述像素結(jié)構(gòu)還可包含蝕刻終止層，在該有源層上。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一可包含阻障層及金屬層。
上述像素結(jié)構(gòu)中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上可具有該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述像素結(jié)構(gòu)中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上可具有該有源層及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一可包含第一阻障層、金屬層及第二阻障層。
上述像素結(jié)構(gòu)還可包含另一圖案化介電層，形成于部分該絕緣層上且其具有多個(gè)另一開口以暴露出該有源層的兩端。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該圖案化介電層可由具可變沉積速率的沉積工藝所形成，較早形成的部分該圖案化介電層所適用的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的部分該圖案化介電層所適用的沉積速率。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；有源層，其中部分該有源層形成于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上；絕緣層，形成于該基板上；第一圖案化介電層，形成于該基板上，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該絕緣層上；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該絕緣層上；第二圖案化介電層，形成于該基板上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上且連接該有源層及該電容區(qū)的該第二圖案化介電層上；圖案化保護(hù)層，形成于該基板上；圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層，且連接該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述像素結(jié)構(gòu)中，另一部分該有源層形成于該電容區(qū)的該基板上。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料可包含阻障層、金屬層或上述的組合。
上述像素結(jié)構(gòu)中，位于該薄膜晶體管區(qū)的部分該有源層可包含重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、未摻雜區(qū)或上述的組合。
上述像素結(jié)構(gòu)中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率可實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
本發(fā)明的又再一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、及至少一個(gè)像素區(qū)；第一圖案化介電層形成于該基板上，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)、及該數(shù)據(jù)線區(qū)；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；有源層，部分該有源層形成于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；第二圖案化介電層，形成于該基板上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上；圖案化保護(hù)層，形成于該基板上；圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且連接該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，并延伸至部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該圖案化保護(hù)層上。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料可包含阻障層、金屬層或上述的組合。
上述像素結(jié)構(gòu)中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率可實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
上述像素結(jié)構(gòu)中，該有源層可包含未摻雜層及至少摻雜層。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，且其具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；形成圖案化介電層于該基板上，且其具有多個(gè)開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板；形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板上；形成絕緣層于該基板上；形成有源層于該薄膜晶體管區(qū)的該絕緣層上；形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該有源層的兩端、該數(shù)據(jù)線區(qū)的該絕緣層上；以及覆蓋圖案化保護(hù)層于該基板上。
上述形成方法還可包含，形成圖案化像素電極于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且該圖案化像素電極電性連接該有源層兩端其中一端的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，該有源層可包含未摻雜層及摻雜層，且該摻雜層的兩端可分別接觸該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法還可包含，形成蝕刻終止層于該有源層上。
上述形成方法中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一可包含阻障層及金屬層。
上述形成方法還可包含在該基板上的部分該像素區(qū)形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包含阻障層。
上述形成方法還可包含位于該電容區(qū)的該絕緣層上具有該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上可具有該有源層及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一可包含第一阻障層、金屬層及第二阻障層。
上述形成方法還可包含形成另一圖案化介電層于部分該絕緣層上，且該另一圖案化介電層具有多個(gè)另一開口以暴露出該有源層的兩端。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該圖案化介電層上，且該圖案化有機(jī)材料層上定義多個(gè)第二開口，所述多個(gè)第二開口對應(yīng)于部分所述多個(gè)開口并暴露出已暴露的部分該基板；形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，形成該圖案化像素電極的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該基板上，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；形成像素電極于該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該基板上及該圖案化介電層上；以及除去位于該圖案化介電層及其上的該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；形成有源層，部分該有源層位于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上；形成絕緣層于該基板上；形成第一圖案化介電層于該基板上，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)上的該絕緣層；形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于暴露出該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該絕緣層上；形成第二圖案化介電層于該基板上；形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上且連接該有源層及該電容區(qū)的該第二圖案化介電層上；形成圖案化保護(hù)層于該基板上；形成圖案化像素電極于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層，且連接于該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，還可包含在該電容區(qū)的該基板上形成該有源層。
上述形成方法中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料可包含阻障層、金屬層或上述的組合。
上述形成方法中，位于該薄膜晶體管區(qū)的部分該有源層可具有重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、或上述的組合。
上述形成方法中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率可實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該第一圖案化介電層上，且其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該絕緣層；形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該絕緣層上及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該絕緣層上及該圖案化介電層上；以及除去該圖案化介電層及位于其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，形成該圖案化像素電極的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該基板上，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；形成像素電極于該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，具有至少薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、及至少一個(gè)像素區(qū)；形成第一圖案化介電層于該基板上，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出該薄膜晶體管區(qū)及該數(shù)據(jù)線區(qū)；形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于暴露出該薄膜晶體管區(qū)、及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；形成有源層，部分該有源層位于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；形成第二圖案化介電層于該基板上；形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上；形成圖案化保護(hù)層于該基板上；以及形成圖案化像素電極于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且連接于該薄膜晶體管區(qū)的該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，并延伸至部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該圖案化保護(hù)層上。
上述形成方法中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料可包含阻障層、金屬層或上述的組合。
上述形成方法中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率可實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
上述形成方法中，該有源層可包含未摻雜層及至少摻雜層。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該第一圖案化介電層上，且其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該基板；形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟可包含形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)于該暴露出的部分該基板上及該圖案化介電層上；以及除去該圖案化介電層及位于其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
上述形成方法中，形成該圖案化像素電極的步驟可包含形成圖案化有機(jī)材料層于該基板上，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；形成像素電極于該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
上述形成方法中，還可包含使用具有不同透光度光掩模的黃光程序。
上述形成方法中，還可包含使用具有不同透光度光掩模的黃光程序。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種顯示面板，包含前述的任一像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種光電裝置，包含前述的顯示面板所構(gòu)成。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種顯示面板的形成方法，包含前述的任一像素結(jié)構(gòu)的形成方法。
本發(fā)明的又再另一目的在于提供一種光電裝置，包含前述的顯示面板的形成方法。
本發(fā)明具有有效形成金屬導(dǎo)線的效果。
為讓本發(fā)明的上述目的、技術(shù)特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文以實(shí)施例配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1A至圖1D為現(xiàn)有技術(shù)形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖2A至圖2E為本發(fā)明形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖2F至圖2H為本發(fā)明形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖3A至圖3D為本發(fā)明形成另一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖4A至圖4G為本發(fā)明形成像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖4H為圖4G的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖4F為沿AA’線的剖面圖；圖5A至圖5D為本發(fā)明另一形成像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖5E為圖5D的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5D為沿BB’線的剖面圖；圖6A及圖6B為本發(fā)明再一形成像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖6C為圖6B的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖6B為沿CC’線的剖面圖；圖7A至圖7D為本發(fā)明再另一形成像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖7E為圖7D的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖7D為沿DD’線的剖面圖；圖8A至圖8F為本發(fā)明形成另一像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；圖9A至圖9D為本發(fā)明形成又一像素結(jié)構(gòu)方法的示意圖；
圖9E為圖9D的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖9D為沿EE’線的剖面圖；以及圖10為應(yīng)用本發(fā)明的光電裝置示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下10 玻璃基板11 阻障層13 銅金屬層15 光阻層101、401、501、601、701、801、901基板103、403、503、603介電層107、407、707有機(jī)材料層111 第一阻障層113 金屬層4011、5011、6011、7011、8011、9011薄膜晶體管區(qū)4013、8013掃描線區(qū)4015、8015、9015數(shù)據(jù)線區(qū)4017、5014、6017、7017、8017、9017像素區(qū)4019、5019、6019、7019、8019、9019電容區(qū)4131、5131、6131、7131、8131、9131第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)411、511、611、711透明導(dǎo)電層415、515、615、815絕緣層417、517、617、717、817、917有源層4171、5171、6171、7171、8171摻雜層4173、5173、6173、7173未摻雜層419、519、619、719、819、919第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4191源/漏電極4193數(shù)據(jù)線421、521、621、721、821、921保護(hù)層423 像素電極5012、6012、7012掃描線接觸墊區(qū)
5014、6014、7014 數(shù)據(jù)線接觸墊區(qū)823、923 像素電極825、925 第一圖案化介電層827、927 第二圖案化介電層1001 光電裝置1003 顯示面板1005 電子元件1007 像素具體實(shí)施方式
本發(fā)明主要利用剝離(lift-off)方式形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第一實(shí)施例概述如下。首先參考圖2A，在基板101上形成圖案化介電層103?；?01一般常為玻璃基板，尤其不含堿金屬離子(如鈉、鉀離子)且低熱膨脹率的玻璃，但不限于此，也可選擇性地使用透明材料、不透明材料或可撓性材料。其中，透明材料可為但不限于石英、其它玻璃、或其它透明材料；不透明材料可為但不限于陶瓷、硅片、或其它不透明材料；可撓性材料可為但不限于聚酰類、聚酯類、聚烯類、聚醇類、聚甲基丙酰酸甲酯類、聚碳酸酯類、其它熱固性聚合物、其它熱塑性聚合物、或前述材料的組合。
圖案化介電層103的材料可選擇性地使用無機(jī)材料、有機(jī)材料、或上述的組合。其中，無機(jī)材料可為但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟氧化硅、氟硅玻璃(fluorinated silicate glass；FSG)、摻雜碳的氟硅玻璃(carbon-doped FSG)、其它無機(jī)材料、或前述的組合；有機(jī)材料可為但不限于苯并環(huán)丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚對二甲苯基-N(Parylene-N，PA)、氟化聚亞酰胺(Fluorinated Polyimide，F(xiàn)P)、碳氧氫的硅化合物(SiOC-H)、聚芳香族醚類(poly aryl-ethers)、氫硅酸鹽類(hydrogensilsesqioxane；HSQ)、甲基硅酸鹽類(methylsilsesquioxane；MSQ)、其他有機(jī)材料、或前述的組合。
圖案化介電層103具有第一開口105，其中第一開口105暴露出部分基板101。第一開口105在接觸基板101的一端具有第一寬度W1，同時(shí)在遠(yuǎn)離基板101的一端具有第二寬度W2，其中第二寬度W2實(shí)質(zhì)上與第一寬度W1不同。為利于后續(xù)程序，優(yōu)選使得第二寬度W2實(shí)質(zhì)上大于該第一寬度W1。具體地說，第二寬度W2與第一寬度W1的差值實(shí)質(zhì)上大于或?qū)嵸|(zhì)上等于1微米(μm)為較佳，但不限于此。為達(dá)此較佳結(jié)構(gòu)，通?？刂菩纬蓤D案化介電層103時(shí)的沉積條件，例如越接近基板101的圖案化介電層103的沉積速率，實(shí)質(zhì)上小于越遠(yuǎn)離基板101的圖案化介電層103的沉積速率，使圖案化介電層103的上部及下部具有不同的蝕刻速率，但上部及下部的材料實(shí)質(zhì)上可相同或不同。也可視工藝的需求改而采用其他方法，例如干式蝕刻，以達(dá)到令第二寬度W2實(shí)質(zhì)上大于該第一寬度W1的目的。
接下來參考圖2B，圖案化有機(jī)材料層107形成于該圖案化介電層103上。圖案化有機(jī)材料層107材料通常包含光阻材料、感光材料、苯并環(huán)丁烯、聚對二甲苯基-N、氟化聚亞酰胺、碳、氧、氫的硅化合物、聚芳香族醚類、氫硅酸鹽類、甲基硅酸鹽類、其他材料、或上述的組合。本實(shí)施例以正光阻材料為實(shí)施范例，但并不限于此，也可選擇性地使用其它光阻材料，如負(fù)光阻材料、或其它光阻材料。本實(shí)施例的正光阻材料通常是由感光劑(Sensitizer)、樹脂(Resin)及溶劑(Solvent)混合而成的一種感光材料，其受特定光照射后分子鍵被剪斷(Chain scission)，因而易溶于顯影液(developer solution)中。
圖案化有機(jī)材料層107定義第二開口109，其對應(yīng)于部分第一開口105并繼續(xù)暴露出已暴露的部分基板101。第二開口109的一端，位于有機(jī)材料層107與介電層103接觸面，具有第三寬度W3。優(yōu)選使得第三寬度W3實(shí)質(zhì)上小于或?qū)嵸|(zhì)上等于第一寬度W1及第二寬度W2的至少其中之一。本實(shí)施例中第三寬度W3將用以定義出導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的寬度，但不限于此。
其后，視使用上的需求或設(shè)計(jì)決定是否使用阻障材料，例如若后續(xù)工藝中使用銅，則需要在其下形成阻障層。阻障材料可選擇性地包含金屬材料，例如鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銅(Cu)、其他金屬、前述金屬的氮化合物、前述金屬的氧化合物、前述金屬的氮氧化合物、前述金屬的合金、鋁合金(Al alloy)、銅合金(Cu alloy)、或上述的組合；也選擇性地包含透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(indium tinoxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋁鋅氧化物(AluminumZinc Oxide，AZO)及鎵鋅氧化物(Gallium Zinc Oxide，GZO)、鎘錫氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、其它材料、或上述的組合；也可依需求選擇其他適當(dāng)?shù)牟牧?。為便于說明，本實(shí)施例將對于形成阻障層的方式進(jìn)行說明。
參考圖2C，第一阻障層111形成于從第一開口105及第二開口109中暴露出的部分基板101上及圖案化有機(jī)材料層107上。續(xù)參考圖2D，金屬層113形成于第一開口105及第二開口109中的第一阻障層111上及圖案化有機(jī)材料層107上的第一阻障層111上。金屬層113的材料可為鋁、銅、銀、金、鉬、釹、鋁、其他金屬材料、前述金屬的合金、或前述金屬的組合。為保護(hù)金屬層113不被后續(xù)工藝所影響，優(yōu)選進(jìn)一步形成第二阻障層(圖未示出)于該第一開口105內(nèi)及圖案化有機(jī)材料層107上的該金屬層113上。
最后，使用適當(dāng)?shù)娜軇?，如顯影液或其它溶劑，使其經(jīng)由第一開口105與圖案化有機(jī)材料層107接觸，并進(jìn)一步溶解及除去圖案化有機(jī)材料層107。在除去圖案化有機(jī)材料層107的同時(shí)，由于第三寬度W3小于第二寬度W2的緣故，溶劑可滲入第一開口105中，圖案化有機(jī)材料層107以及其上的第一阻障層111及金屬層113將因此被剝離，如圖2E所示。經(jīng)由前述方法將在基板101上形成金屬層113，以作為后續(xù)使用的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
另外，形成圖2B結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)選方法概述如下。參考圖2F，先形成介電層123于基板121上。再參考圖2G，形成具有第一開口129的圖案化有機(jī)材料層127于介電層123上，其中第一開口129暴露出部分介電層123，此第一開口129具有第一寬度W4。然后，除去位于第一開口129下的部分介電層123，以形成與第一開口129對應(yīng)的第二開口125，并暴露出部分基板121，形成如圖2H所示的結(jié)構(gòu)，此第二開口125具有接觸基板121的一端的第二寬度W5，及遠(yuǎn)離基板121的另一端的第三寬度W6，第二寬度W5實(shí)質(zhì)上不同于第三寬度W6，且第一寬度W4實(shí)質(zhì)上小于或?qū)嵸|(zhì)上等于第二寬度W5及第三寬度W6其中之一。其中，在除去位于第一開口129下的部分介電層123的步驟中，優(yōu)選為，以過蝕刻程序使該第二開口125在該介電層123內(nèi)的側(cè)邊內(nèi)縮于該圖案化有機(jī)材料層127下，也就是說，使得第三寬度W6實(shí)質(zhì)上大于第一寬度W4。具體地說，第二寬度W5與第三寬度W6的差值實(shí)質(zhì)上大于或?qū)嵸|(zhì)上等于1微米(μm)為較佳，但不限于此。為達(dá)此較佳結(jié)構(gòu)，通常控制形成圖案化介電層123時(shí)的沉積條件，例如越接近基板121的圖案化介電層123的沉積速率，實(shí)質(zhì)上小于越遠(yuǎn)離基板121的圖案化介電層123的沉積速率，使圖案化介電層123的上部及下部具有不同的蝕刻速率，但上部及下部的材料實(shí)質(zhì)上可相同或不同。也可視工藝的需求改采用其他的方法，例如干式蝕刻，以達(dá)到令第三寬度W6實(shí)質(zhì)上大于該第二寬度W5的目的。比較圖2B及圖2H可發(fā)現(xiàn)圖2H所示結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上等同于圖2B所示結(jié)構(gòu)，因此接續(xù)圖2H的其后步驟也同于圖2C至圖2E所述，在此不再贅言。再者，此方法因僅使用一次黃光蝕刻工藝，相對于圖2A至圖2E所示需使用二次黃光蝕刻工藝的方法而言，能進(jìn)一步降低成本。
另一形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例概述如下。參考圖3A，在基板301上形成圖案化有機(jī)材料層307，在圖案化有機(jī)材料層307中定義第一開口305，且第一開口305暴露出部分基板301，第一開口305在接觸基板301的一端具有第一寬度W7，同時(shí)在遠(yuǎn)離基板301的一端具有第二寬度W8。有機(jī)材料層307的材料包含光阻材料、感光材料、苯并環(huán)丁烯、聚對二甲苯基-N、氟化聚亞酰胺、碳氧氫的硅化合物、聚芳香族醚類、氫硅酸鹽類、甲基硅酸鹽類、其他材料或前述的組合。
在第二實(shí)施例中，圖案化有機(jī)材料層307的材料以負(fù)光阻材料為實(shí)施范例，但并不限于此，也可選擇性地使用其它光阻材料，如正光阻材料、或其它光阻材料。本實(shí)施例的負(fù)光阻材料，其受光照射后其分子鍵則會(huì)產(chǎn)生交聯(lián)(cross linking)因而難溶于溶劑。通常，為有利于后續(xù)程序，優(yōu)選使得第二寬度W8實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度W7。換言之，圖案化有機(jī)材料層307的邊緣，優(yōu)選使其邊緣為倒角，如圖3A所示。具體而言，第二寬度W8與該第一寬度W7的差值，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上大于或?qū)嵸|(zhì)上等于1微米(μm)，但不限于此。為達(dá)此目的，除了利用本實(shí)施例所述的負(fù)光阻形成作為有機(jī)材料層307外，也可控制形成有機(jī)材料層307時(shí)的沉積條件，使得有機(jī)材料層307的上部及下部具有不同的蝕刻速率。當(dāng)然，也可視工藝的需求，使用其他方法來達(dá)到令第二寬度W8實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度W7的目的。
其后，視使用上的需求或設(shè)計(jì)來決定是否使用阻障材料形成阻障層。例如若后續(xù)工藝中使用銅，則可能需要在其下形成阻障層，用以形成阻障層的阻障材料例如為鉬、鈦、鉭、鎢、鉻、鋁、銅、其他金屬、前述金屬的氮化合物、前述金屬的氧化合物、前述金屬的氮氧化合物、前述金屬的合金、鋁合金、銅合金、或前述的組合；也可為透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物、鎘錫氧化物、或其它材料或前述的組合；也可依需求選擇其他適當(dāng)?shù)牟牧?。為便于說明，本實(shí)施例將對形成阻障層的方式進(jìn)行說明。
參考圖3B，形成第一阻障層311于該暴露出的部分基板301及圖案化有機(jī)材料層307上。之后，參考圖3C，在從第一開口305內(nèi)暴露出的部分基板301及在圖案化有機(jī)材料層307上的第一阻障層311上形成金屬層313。金屬層313的材料可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。當(dāng)然，為保護(hù)金屬層313不受后續(xù)工藝所影響，優(yōu)選進(jìn)一步形成第二阻障層(圖未示出)于該第一開口305內(nèi)及圖案化有機(jī)材料層307上的該金屬層313上。
最后，參考圖3D，使用適當(dāng)?shù)娜軇?，如顯影液或其它溶劑，使其經(jīng)由第一開口305與圖案化有機(jī)材料層307接觸，并進(jìn)一步溶解及除去圖案化有機(jī)材料層307。在除去該圖案化有機(jī)材料層307的同時(shí)，位于圖案化有機(jī)材料層307上的第一阻障層311及金屬層313也將被剝離。經(jīng)由前述方法將可在基板301上形成金屬層313，以作為后續(xù)使用的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述實(shí)施例也可用于形成像素結(jié)構(gòu)，其第三實(shí)施例即為用本發(fā)明來形成像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，概述如下。請一并參考圖4A至圖4H，其中圖4G是沿著圖4H中AA’線取得的剖面圖。首先參考圖4A，在基板401上規(guī)劃至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)4011、至少一個(gè)掃描線區(qū)4013、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)4015、至少一個(gè)像素區(qū)4017及至少一個(gè)電容區(qū)4019。為便于說明，圖4A至圖4H中所標(biāo)示的掃描線區(qū)4013僅例示部分掃描線區(qū)，數(shù)據(jù)線區(qū)4015僅例示部分?jǐn)?shù)據(jù)線區(qū)。其中，數(shù)據(jù)線區(qū)4015及掃描線區(qū)4013的末端均具有接觸墊區(qū)(圖未標(biāo)示)，而其他元件(如外部元件，未示出)可通過接觸墊區(qū)與數(shù)據(jù)線區(qū)4015及掃描線區(qū)4013電性連接。接著形成圖案化介電層403于基板401上。圖案化介電層403具有多個(gè)開口4051、4053及4059，分別暴露出部分薄膜晶體管區(qū)4011、部分掃描線區(qū)4013、及部分電容區(qū)4019的基板401。圖案化介電層403的材料可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。
接著，參考圖4B，形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131于暴露出的薄膜晶體管區(qū)4011、掃描線區(qū)4013、及電容區(qū)4019的該基板401上?？衫蒙鲜鰧?shí)施例的方法形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131。例如可利用第一實(shí)施例的方法進(jìn)行，簡述如下。先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于圖案化介電層403上，并于圖案化有機(jī)材料層中定義多個(gè)第二開口(圖未示出)，上述多個(gè)第二開口分別對應(yīng)于這些開口4051、4053及4059并暴露出已暴露的部分基板401。之后，形成導(dǎo)線結(jié)構(gòu)(圖未示出)于暴露出的部分基板401上及該圖案化有機(jī)材料層上。最后除去圖案化有機(jī)材料層及其上的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，僅保留這些開口4051、4053及4059內(nèi)的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，以形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131。必須說明的是，這種形成開口從而暴露出部分基板及形成導(dǎo)線構(gòu)的方法，優(yōu)選使用形成第一實(shí)施例中圖2B所示結(jié)構(gòu)的另一方法或形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法，即在基板上不存在圖案化介電層403，在基板上僅有導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
以第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131為例，其包含金屬層，其使用的金屬材料可依使用上的需求而定，如前述第一實(shí)施例中關(guān)于金屬層113的說明。視第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131所使用的金屬材料或設(shè)計(jì)上的需求或后續(xù)使用的需求來決定是否使用阻障材料以形成阻障層。例如若使用銅為第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131的金屬層材料，則可能需要于金屬層下形成阻障層，如鉬層。阻障材料可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。特別是，若需要，也可形成第二阻障層于第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131中。為便于說明起見，圖4B示出不需要阻障層的結(jié)構(gòu)。
之后，參考圖4C，形成絕緣層415于該基板401上。續(xù)參考圖4D，在薄膜晶體管區(qū)4011的絕緣層415上形成有源層417，其包含未摻雜層4171及摻雜層4173。可視使用上的要求于電容區(qū)4019的絕緣層415上形成有源層(圖未示出)，作為電容的部分結(jié)構(gòu)和/或數(shù)據(jù)線區(qū)與掃描線區(qū)交錯(cuò)處之間形成有源層。另外，也可視使用上的需求，形成蝕刻終止層(圖未示出)于薄膜晶體管區(qū)4011的有源層417之上和/或于數(shù)據(jù)線區(qū)與掃描線區(qū)交錯(cuò)處之間。若形成蝕刻終止層(圖未示出)于薄膜晶體管區(qū)4011的有源層417之上，優(yōu)選將蝕刻終止層形成于未摻雜層4171之上，且摻雜層4173覆蓋部分蝕刻終止層。此外，本實(shí)施例是以未摻雜層4171及摻雜層4173的垂直排列作為范例進(jìn)行說明，然而不限于此，上述未摻雜層及摻雜層也可水平排列。另外，未摻雜層4171也可選擇性地被替代為摻雜濃度實(shí)質(zhì)上比摻雜層4173低的至少另一摻雜層(圖未示出)。另外，也可選擇性地增加摻雜濃度實(shí)質(zhì)上比摻雜層4173低的至少另一摻雜層(圖未示出)于摻雜層4173與未摻雜層4173之間。
然后，參考圖4E，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419于有源層417的兩端及數(shù)據(jù)線區(qū)4015的絕緣層415上，第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419包含源/漏電極4191及數(shù)據(jù)線(data line)4193。且使摻雜層4173的兩端分別電性接觸第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419，尤其使源/漏電極4191分別電性接觸摻雜層4173的兩端。當(dāng)然，也可依使用上的要求于電容區(qū)4019的絕緣層415上形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419(圖未示出)，作為電容的部分結(jié)構(gòu)。第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419包含金屬層，其使用的金屬材料可依使用上的需求而定，如前述第一實(shí)施例中關(guān)于金屬層113的說明。
另外，可視第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419所使用的金屬材料或設(shè)計(jì)上的需求或后續(xù)使用的需求決定是否使用阻障材料，以形成阻障層。例如若使用銅為第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419的金屬層材料，則可能需要于金屬層下形成阻障層，如鉬層。特別是，如果需要的話，也可形成第二阻障層于第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419中。阻障材料可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。另外可依需求于電容區(qū)的絕緣層上形成有源層417及第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419。為便于說明起見，圖4E示出不需要阻障層的結(jié)構(gòu)。而第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419的形成方法，也可選擇性使用上述第二實(shí)施例的實(shí)施方式或上述第一實(shí)施例所列舉的實(shí)施方式，在此不再贅言。
續(xù)參考圖4F，形成圖案化保護(hù)層421覆蓋于該基板401上。最后，參考圖4G，形成圖案化像素電極423于該像素區(qū)4017的該圖案化保護(hù)層421上，且圖案化像素電極423電性連接有源層417兩端其中一端上的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)419。而形成圖案化像素電極423的方法，可依工藝上的需求決定，例如使用一般的方法(即形成像素電極423于圖案化保護(hù)層421后，形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于其上，再除去未被圖案化有機(jī)材料層所遮蔽的像素電極423)、形成第一實(shí)施例的方法、形成第二實(shí)施例的方法或其他適當(dāng)?shù)姆椒āＲ允褂眯纬傻诙?shí)施例的方法為例，簡要說明如下。先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于該基板401上，其具有第三開口(圖未示出)，且第三開口暴露出部分圖案化保護(hù)層421。之后，形成像素電極423于從第三開口中暴露出的部分圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上。最后，除去位于圖案化有機(jī)材料層及其上的像素電極。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可知，本實(shí)施例可依應(yīng)用上或設(shè)計(jì)上的需求而具有下列特征。若于前述圖4B的步驟中以透明導(dǎo)電材料于第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)4131下形成阻障層，則該阻障層可被使用為像素電極，即圖案化保護(hù)層421上不需再形成像素電極。因此，請一并參考圖5A至圖5E示出的本實(shí)施例的變形例，其中圖5D是沿著圖5E中BB’線取得的剖面圖。以下簡述此變形例。首先參考圖5A，在基板501上規(guī)劃至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)5011、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)掃描線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)像素區(qū)5017及至少一個(gè)電容區(qū)5019。為便于說明，圖5A至圖5E中所標(biāo)示的像素區(qū)5017僅例示部分像素區(qū)，即本實(shí)施例的像素區(qū)是包含透明導(dǎo)電層511及電容區(qū)5019所存在的位置。另外，數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)的末端均具有接觸墊區(qū)，圖示為數(shù)據(jù)線接觸墊區(qū)5014及掃描線接觸墊區(qū)5012，而其他元件(如外部元件，未示出)可通過接觸墊區(qū)與數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)電性連接。而基板501上具有圖案化介電層503。在各區(qū)域內(nèi)，透明導(dǎo)電層511形成于第一圖案化導(dǎo)電結(jié)構(gòu)5131之下。接著如圖5B所示，在基板上形成絕緣層515。再參考圖5C，在絕緣層515上形成包含未摻雜層5171及摻雜層5173的有源層517，并利用微影及蝕刻工藝除去部分有源層517及部分絕緣層515，形成如圖5C所示的結(jié)構(gòu)。繼續(xù)參考圖5D，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)519。然后，經(jīng)由蝕刻工藝除去部分第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)5131及部分第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)519，其中該蝕刻工藝包含暴露透明導(dǎo)電層511于像素區(qū)5017、數(shù)據(jù)線接觸墊區(qū)5014及掃描線接觸墊區(qū)5012。最后，在基板501上形成圖案化保護(hù)層521，形成如圖5D所示的結(jié)構(gòu)。
再者，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可知，本實(shí)施例可依應(yīng)用或設(shè)計(jì)的需求，在圖5B之后的工藝中使用半調(diào)(half-tone)光掩模、狹縫圖案(slit pattern)光掩模、繞射(diffraction)光掩模、灰階(gray level)光掩模、或其它可使得有機(jī)材料層(如光阻)曝光后形成不同厚度的光掩模，請一并參考圖6A至圖6C，其中圖6B是沿著圖6C中CC’線取得的剖面圖。以下將簡述此變形例。在基板601上規(guī)劃至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)6011、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)掃描線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)像素區(qū)6017及至少一個(gè)電容區(qū)6019。為便于說明，圖6A至圖6C中所標(biāo)示的像素區(qū)6017僅例示部分像素區(qū)，即本實(shí)施例的像素區(qū)是包含透明導(dǎo)電層611及電容區(qū)6019所存在的位置。另外，數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)的末端均具有接觸墊區(qū)，圖示為數(shù)據(jù)線接觸墊區(qū)6014及掃描線接觸墊區(qū)6012，而其他元件(如外部元件，未示出)可通過接觸墊區(qū)與數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)電性連接。請參考圖6A，完成圖5B的步驟后，在絕緣層615上形成包含未摻雜層6171及摻雜層6173的有源層617，并利用半調(diào)光掩模的微影及蝕刻工藝除去部分有源層617及部分絕緣層615，而基板601上具有圖案化介電層603、第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)6131、透明導(dǎo)電層611以及覆蓋前述各層的絕緣層615。微影及蝕刻工藝結(jié)束后，接續(xù)，參考圖6B，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)619于基板601上。然后，經(jīng)由蝕刻工藝除去部分第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)6131及部分第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)619，其中該蝕刻工藝包含暴露部分透明導(dǎo)電層611。最后在基板上形成圖案化保護(hù)層621。又，用于除去部分第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)6131及部分第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)619的有機(jī)材料層(未圖形)，可選擇性地不除去，可經(jīng)由回流程序，使得該回流后的有機(jī)材料層當(dāng)作圖案化保護(hù)層621，而不需要進(jìn)行圖案化保護(hù)層的步驟。
本實(shí)施例中第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)也可使用上述形成第二實(shí)施例的方法來實(shí)現(xiàn)，簡述如下。請一并參考圖7A至圖7E，其中圖7D是沿著圖7E中DD’線取得的剖面圖。首先參考圖7A，在基板701上規(guī)劃至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)7011、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)掃描線區(qū)(圖未示出)、至少一個(gè)像素區(qū)7017及至少一個(gè)電容區(qū)7019。為便于說明，圖7A至圖7E中所標(biāo)示的像素區(qū)7017僅例示部分像素區(qū)，即本實(shí)施例的像素區(qū)是包含透明導(dǎo)電層711及電容區(qū)7019所存在的位置。另外，數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)的末端均具有接觸墊區(qū)，圖示為數(shù)據(jù)線接觸墊區(qū)7014及掃描線接觸墊區(qū)7012，而其他元件(如外部元件，未示出)可通過接觸墊區(qū)與數(shù)據(jù)線區(qū)及掃描線區(qū)電性連接。圖案化的有機(jī)材料層707形成于基板701，其中有機(jī)材料層707可由例如負(fù)光阻材料所形成。有機(jī)材料層707包含多個(gè)開口7051、7052、7054、7057及7059。之后，依序形成透明導(dǎo)電層711及第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)7131于開口7051、7052、7054、7057及7059中的基板701上及有機(jī)材料層707上。接著利用適當(dāng)?shù)娜軇⒂袡C(jī)材料層707除去并同時(shí)除去有機(jī)材料層707上的透明導(dǎo)電層711及第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)7131，形成如圖7B所示結(jié)構(gòu)。繼續(xù)參考圖7C，依序形成圖案化絕緣層715及包含未摻雜層7171及摻雜層7173的圖案化有源層717于基板701上。最后，參考圖7D，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)719。然后，經(jīng)由蝕刻工藝除去部分第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)7131及部分第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)719于基板701上，其中該蝕刻工藝包含暴露部分透明導(dǎo)電層711。最后，在基板701上形成圖案化保護(hù)層721，形成如圖7D所示結(jié)構(gòu)。此外，用于除去部分第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)7131及部分第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)719的有機(jī)材料層(未圖示)，可選擇性地不除去，可經(jīng)由回流程序，使得該回流后的有機(jī)材料層成為圖案化保護(hù)層721，從而不需要進(jìn)行圖案化保護(hù)層的步驟。
本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)另外應(yīng)用于形成像素結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例，概述如下。請一并參考圖8A至圖8F。首先參考圖8A，在基板801上區(qū)分為至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)8011、至少一個(gè)掃描線區(qū)8013、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)8015、至少一個(gè)像素區(qū)8017及至少一個(gè)電容區(qū)8019。為便于說明，圖8A至圖8F中所示像素區(qū)8017僅是作為示例示出的部分像素區(qū)。然后形成有源層817，部分有源層817位于薄膜晶體管區(qū)8011的基板801上。視使用上的需求，也可在電容區(qū)8019的基板801上形成有源層(圖未示出)。有源層817通常包含有重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、未摻雜區(qū)或上述的組合。之后，形成絕緣層815于基板801上。再在基板801上形成第一圖案化介電層825，其上定義多個(gè)第一開口8051、8053及8059。第一開口8051、8053及8059分別暴露出部分薄膜晶體管區(qū)8011、部分掃描線區(qū)8013、及部分電容區(qū)8019上的部分絕緣層815，如圖8B所示。另外，可視工藝上的需求，控制第一圖案化介電層825的沉積速率，使較早形成的部分第一圖案化介電層825的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的部分第一圖案化介電層825的沉積速率。由此第一圖案化介電層825的上部及下部可具有不同的蝕刻速率。在本實(shí)施例中，第一圖案化介電層825的上部及下部的材料實(shí)質(zhì)上可相同或不同。也可視工藝需求改而采用其他方法，例如干式蝕刻，以達(dá)到上述實(shí)施例所述的目的。有源層817通常包含有可選擇性地同時(shí)形成或不同時(shí)形成的重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、未摻雜區(qū)或上述的組合。必須說明的是，此形成開口暴露出部分基板的方法，優(yōu)選是使用形成如圖2F至圖2H所示結(jié)構(gòu)的方法。
然后，參考圖8C，在薄膜晶體管區(qū)8011、掃描線區(qū)8013、及電容區(qū)8019的絕緣層815上形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131。第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131包含金屬層，其使用的金屬材料可依使用上的需求而定，例如前述第一實(shí)施例中用以形成金屬層113的材料。也可視第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131所使用的金屬材料或設(shè)計(jì)上的需求或后續(xù)使用的需求來決定是否使用阻障材料，以形成阻障層。例如若使用銅為第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131的金屬層材料時(shí)，則可能需要在金屬層下形成阻障層，如鉬層。阻障材料的選擇可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。為便于說明起見，本實(shí)施例將對不需要阻障層的方式進(jìn)行說明。
形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131的方法，可利用類似形成第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行，簡述如下。先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于該第一圖案化介電層825上，且其上定義多個(gè)第二開口(圖未示出)對應(yīng)于部分所述多個(gè)第一開口805并暴露出已暴露的部分基板801。之后，形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)(圖未示出)于暴露出的部分該基板801上及該圖案化有機(jī)材料層上。最后除去圖案化有機(jī)材料層及其上的第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成如圖8C所示的結(jié)構(gòu)。
形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131的另一方法，也可利用類似形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法，在此不再贅述。當(dāng)然，依工藝上的需求，也可使用其他方法形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)8131。為便于說明，本實(shí)施例對前段方法所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，可視工藝上的需求，控制第一圖案化介電層825的沉積速率，使較早形成的第一圖案化介電層825部分的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的第一圖案化介電層825部分的沉積速率。
接續(xù)參考圖8D，形成第二圖案化介電層827于該基板上。之后參考圖8E，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819于數(shù)據(jù)線區(qū)8015、電容區(qū)8019及部分薄膜晶體管區(qū)8011的第二圖案化介電層827上。而部分薄膜晶體管區(qū)8011上的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819電性連接有源層817。另外，較佳地，電容區(qū)8019上的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819電性連接部分薄膜晶體管區(qū)8011上的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819(圖未示出此電性連接結(jié)構(gòu))，但不限于此。
第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819包含金屬層，其使用的金屬材料可依使用上的需求而定，如前述第一實(shí)施例中用以形成金屬層的材料。也可視第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819所使用的金屬材料或設(shè)計(jì)上的需求或后續(xù)使用的需求決定是否使用阻障材料，以形成阻障層。例如若使用銅為第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819的金屬層材料，則可能需要在金屬層下形成阻障層，如鉬層。阻障材料的選擇可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。之后，形成圖案化保護(hù)層821于該基板801上。
最后，參考圖8F，形成圖案化像素電極823于像素區(qū)8017的圖案化保護(hù)層821上，且電性連接薄膜晶體管區(qū)8011的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)819。形成圖案化像素電極823的方法，可依工藝上的需求決定，例如一般的方法，即形成像素電極823于圖案化保護(hù)層821上之后，形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于其上，再除去未被圖案化有機(jī)材料層所遮蔽的像素電極823；或者使用形成第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法、形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法或其他適當(dāng)?shù)姆椒āＲ孕纬傻诙?shí)施例結(jié)構(gòu)的方法為例，簡要說明如下先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于該基板801上，其具有第三開口(圖未示出)，且該第三開口暴露出部分圖案化保護(hù)層821。之后，形成像素電極823于從第三開口中暴露出的部分圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上。最后，除去位于圖案化有機(jī)材料層及其上的像素電極，以形成如圖8F所示的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)另外應(yīng)用于形成像素結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例，概述如下。請參考圖9A至圖9E，其中圖9E為本發(fā)明圖9D的形成像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖9D為沿EE’線的剖面圖。首先，參考圖9A，在基板901上規(guī)劃至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)9011、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)9015、及至少一個(gè)像素區(qū)9017。為便于說明，圖9A至圖9E中所示像素區(qū)9017僅例示部分像素區(qū)，所示數(shù)據(jù)線區(qū)9015僅例示部分?jǐn)?shù)據(jù)線區(qū)。然后形成第一圖案化介電層925于該基板901上，其定義多個(gè)第一開口，圖9A例示第一開口9051及9055。第一開口9051及9055分別暴露出薄膜晶體管區(qū)9011及數(shù)據(jù)線區(qū)9015。另外，可視工藝上的需求，控制第一圖案化介電層925的沉積速率，使較早形成的部分第一圖案化介電層925的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的部分第一圖案化介電層925的沉積速率。由此，第一圖案化介電層925的上部及下部具有不同的蝕刻速率。第一圖案化介電層925的上部及下部的材料實(shí)質(zhì)上可相同或不同。也可視工藝的需求改采用其他的方法，例如干式蝕刻，以達(dá)上述實(shí)施例所述的目的。必須說明的是，此形成開口暴露出部分基板的方法，較佳地，是使用形成如圖2F至圖2H所示結(jié)構(gòu)的方法。
之后，參考圖9B，形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131于從第一開口9051及9055中暴露出的薄膜晶體管區(qū)9011、及數(shù)據(jù)線區(qū)9015的基板901上。第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131包含金屬層，其使用的金屬材料可依使用上的需求而定，例如前述第一實(shí)施例中用以形成金屬層的材料。也可視第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131所使用的金屬材料或設(shè)計(jì)上的需求或后續(xù)使用的需求決定是否使用阻障材料，以形成阻障層。例如若使用銅為第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131的金屬層材料，則可能需要在金屬層下形成阻障層，如鉬層。阻障材料可如前述第一實(shí)施例的說明，依使用上的需求而定。為便于說明起見，本實(shí)施例將對不需要阻障層的方式進(jìn)行說明。
形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131的方法，可利用類似形成第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法進(jìn)行，簡述如下。先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于第一圖案化介電層925上，且其上定義多個(gè)第二開口(圖未示出)對應(yīng)于第一開口9051及9055并暴露出已暴露的部分基板901。之后，形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)(圖未示出)于暴露出的部分該基板901上及該圖案化有機(jī)材料層上。最后除去圖案化有機(jī)材料層及其上的第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131的另一方法，也可利用類似形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法，在此不再贅述。當(dāng)然，依工藝上的需求，也可使用其他方法形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131。為便于說明起見，本實(shí)施例對形成第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131的另一方法，也可利用類似形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法，在此不再贅述。當(dāng)然，依工藝上的需求，也可使用其他方法形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131。為便于說明，本實(shí)施例以前段所述方法所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，可視工藝上的需求，控制第一圖案化介電層925的沉積速率，使較早形成的第一圖案化介電層925部分的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的第一圖案化介電層925部分的沉積速率。
請繼續(xù)參考圖9B，形成有源層917，部分有源層917位于該薄膜晶體管區(qū)9011的基板901上及數(shù)據(jù)線區(qū)9015的基板901上。有源層917可視使用上的需求，包含未摻雜層及摻雜層(圖均未示出)。最后，形成第二圖案化介電層927于該基板901上?？梢暪に嚿系男枨?，控制第二圖案化介電層927的沉積速率，使較早形成的部分第二圖案化介電層927的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的部分第二圖案化介電層927的沉積速率。
接續(xù)參考圖9C，形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)919于薄膜晶體管區(qū)9011、部分?jǐn)?shù)據(jù)線區(qū)9015的該第二圖案化介電層927上。然后，形成圖案化保護(hù)層921于基板901上。
最后，參考圖9D，形成圖案化像素電極923于像素區(qū)9017的該圖案化保護(hù)層921上，且該圖案化像素電極電性連接薄膜晶體管區(qū)9011的該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)9131，并延伸至部分?jǐn)?shù)據(jù)線區(qū)9015的圖案保護(hù)層921上。而形成圖案化像素電極923的方法，可依工藝上的需求決定，例如使用一般的方法(即形成像素電極923于圖案化保護(hù)層921后，形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于其上，再除去未被圖案化有機(jī)材料層所遮蔽的像素電極923)、形成第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法、類似形成第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)的方法或其他適當(dāng)?shù)姆椒?。以形成第二?shí)施例結(jié)構(gòu)的方法為例，簡要說明如下。先形成圖案化有機(jī)材料層(圖未示出)于該基板901上，其具有第三開口(圖未示出)，且第三開口暴露出部分圖案化保護(hù)層921。之后，形成像素電極923于從第三開口中暴露出的部分圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上。最后，除去位于圖案化有機(jī)材料層及其上的像素電極，即可形成如圖9D所示結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所揭示的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、像素結(jié)構(gòu)及其形成方法可應(yīng)用于光電裝置，如圖10所示。光電裝置1001包含顯示面板1003、電子元件1007，顯示面板1003與電子元件1005電性連接，顯示面板1003包含多個(gè)像素1007。電子元件1005可為控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、記憶元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或上述的組合。而光電裝置1001可為可攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子相片、電子信件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、屏幕、電視、戶內(nèi)或戶外看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。另外，顯示面板1003可包含液晶顯示面板(如穿透型面板、半穿透型面板、反射型面板、雙面顯示型面板、垂直配向型面板(VA)、水平切換型面板(IPS)、多域垂直配向型面板(MVA)、扭曲向列型面板(TN)、超扭曲向列型面板(STN)、圖案垂直配向型面板(PVA)、超級圖案垂直配向型面板(S-PVA)、先進(jìn)大視角型面板(ASV)、邊緣電場切換型面板(FFS)、連續(xù)焰火狀排列型面板(CPA)、軸對稱排列微胞面板(ASM)、光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列型面板(OCB)、超級水平切換型面板(S-IPS)、先進(jìn)超級水平切換型面板(AS-IPS)、極端邊緣電場切換型面板(UFFS)、高分子穩(wěn)定配向型面板(PSA)、雙視角型面板(dual-view)、三視角型面板(triple-view)、或其它型面板、或上述的組合。)、有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，視其面板中的像素電極及漏極的至少其中之一所電性接觸的材料，如液晶層、有機(jī)發(fā)光層(如小分子、高分子或上述的組合)、或上述的組合。
再者，本發(fā)明上述實(shí)施例所述的第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及圖案化像素電極其中至少其中之一，依設(shè)計(jì)上的需求(如減少光掩模數(shù)量、降低成本、或其它因素)可選擇性地依照本發(fā)明的第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的方式來形成所需的結(jié)構(gòu)，例如如果第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及圖案化像素電極其中至少其中之一的形成方法需要額外的圖案化介電層，則使用本發(fā)明第一實(shí)施例的形成方法及其變形例。如果第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及圖案化像素電極其中至少其中之一形成方法不需要額外的圖案化介層，則使用本發(fā)明第二實(shí)施例的形成方法。并且第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及圖案化像素電極其中至少其中之一可運(yùn)用于各種包含像素結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。
綜上所述，本發(fā)明通過剝離手段，可應(yīng)用于導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成工藝，尤其可應(yīng)用于像素結(jié)構(gòu)的形成，取得有效形成金屬導(dǎo)線(尤其是形成銅導(dǎo)線)的效果。而上述所述多個(gè)實(shí)施例用意僅在于例示性說明本發(fā)明的原理及其效果，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，輕易完成屬于本發(fā)明范圍的改變或等效方案，例如本發(fā)明的圖案化像素電極也可置于導(dǎo)線結(jié)構(gòu)之下或取代阻障層，或者在本發(fā)明的方法步驟中可用具有不同透光度光掩模的黃光程序來減少工藝步驟，其中，具有不同透光度光掩模的黃光程序可用于像素結(jié)構(gòu)中的各層，如有源層及第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、有源層及絕緣層、有源層及蝕刻終止層等。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)如所附權(quán)利要求范圍所列。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；在該基板上形成圖案化介電層，且該圖案化介電層具有第一開口，并且該第一開口暴露出部分該基板；在該圖案化介電層上形成圖案化有機(jī)材料層，且該圖案化有機(jī)材料層具有第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該基板；在該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一阻障層；在該暴露出的部分該基板的該第一阻障層上及在該圖案化有機(jī)材料層的該第一阻障層上形成金屬層；以及除去該圖案化有機(jī)材料層及位于其上的該第一阻障層及該金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中，該第一開口具有接觸該基板一端的第一寬度及遠(yuǎn)離于該基板的另一端的第二寬度；以及該第二開口具有第三寬度，其中，該第三寬度實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度及該第二寬度的至少其中之一。
3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其中，該第二寬度實(shí)質(zhì)上大于該第一寬度。
4.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其中，該第一寬度與該第二寬度的差值實(shí)質(zhì)上大于或等于1微米。
5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中還包含在該第一開口中及該圖案化有機(jī)材料層的該金屬層上形成第二阻障層。
6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中該介電層的上部及下部具有不同的蝕刻速率。
7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其中，在該基板上形成該圖案化介電層的步驟中，愈接近該基板的該圖案化介電層的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于愈遠(yuǎn)離該基板的該圖案化介電層的沉積速率。
8.一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；在該基板上形成介電層；在該介電層上形成圖案化有機(jī)材料層，其中該圖案化有機(jī)材料層具有第一開口，并暴露部分該介電層，其中，該第一開口具有第一寬度；除去位于該第一開口下的部分該介電層，以形成對應(yīng)該第一開口的第二開口，并暴露出部分該基板，其中，該第二開口具有接觸該基板一端的第二寬度及遠(yuǎn)離于該基板的另一端的第三寬度；在該第二開口中的該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一阻障層；以及在該第二開口中的該阻障層上及該圖案化有機(jī)材料層上形成金屬層；其中該第一寬度實(shí)質(zhì)上小于該第二寬度及該第三寬度的至少其中之一，該第二寬度實(shí)質(zhì)上小于該第三寬度。
9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其中該除去位于該第二開口下的部分該介電層的步驟中，包含以過蝕刻程序，使得該第一開口于該介電層內(nèi)的側(cè)邊內(nèi)縮于該圖案化有機(jī)材料層下。
10.一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板；在該基板上形成圖案化有機(jī)材料層，其上定義第一開口，且該第一開口暴露出部分該基板；在該暴露出的部分該基板及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一阻障層；在該暴露出的部分該基板及該圖案化有機(jī)材料層的該第一阻障層上形成金屬層；以及除去該圖案化有機(jī)材料層及位于其上的該第一阻障層及該金屬層。
11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中，該第一開口具有接觸該基板一端的第一寬度及遠(yuǎn)離于該基板的另一端的第二寬度，其中，該第二寬度實(shí)質(zhì)上小于該第一寬度。
12.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其中，該第一寬度與該第二寬度的差值實(shí)質(zhì)上大于或等于1微米。
13.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其中還包含在該暴露出的部分該基板及該圖案化有機(jī)材料層的該金屬層上形成第二阻障層。
14.一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；圖案化介電層，在該基板上，且其具有多個(gè)開口，分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)、部分該掃描線區(qū)、及部分該電容區(qū)的該基板；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于從所述多個(gè)開口內(nèi)暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板上；絕緣層，形成于該基板上；有源層，形成于該薄膜晶體管區(qū)的該絕緣層上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該有源層的兩端及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該絕緣層上；以及圖案化保護(hù)層，覆蓋于該基板上。
15.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且電性連接該有源層兩端的其中一端。
16.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，該有源層包含未摻雜層及摻雜層，且該摻雜層的兩端分別接觸該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含蝕刻終止層，在該有源層上。
18.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一包含阻障層及金屬層。
19.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上具有該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上具有該有源層及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一包含第一阻障層、金屬層及第二阻障層。
22.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，還包含另一圖案化介電層，形成于部分該絕緣層上且其具有多個(gè)另一開口以暴露出該有源層的兩端。
23.如權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該圖案化介電層是由具有可變沉積速率的沉積工藝形成的，較早形成的部分該圖案化介電層所適用的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的部分該圖案化介電層所適用的沉積速率。
24.一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；有源層，其中部分該有源層形成于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上；絕緣層，形成于該基板上；第一圖案化介電層，形成于該基板上，且該第一圖案化介電層定義多個(gè)第一開口，以分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)、部分該掃描線區(qū)、及部分該電容區(qū)的該絕緣層；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該絕緣層上；第二圖案化介電層，形成于該基板上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上、以及連接該有源層及該電容區(qū)的該第二圖案化介電層上；圖案化保護(hù)層，形成于該基板上；以及圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且連接該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
25.如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其中另一部分該有源層，形成于該電容區(qū)的該基板上。
26.如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料包含阻障層、金屬層或上述的組合。
27.如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其中位于該薄膜晶體管區(qū)的部分該有源層包含重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、未摻雜區(qū)或上述的組合。
28.如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
29.一種像素結(jié)構(gòu)，包含基板，具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、及至少一個(gè)像素區(qū)；第一圖案化介電層形成于該基板上，該第一圖案化介電層定義多個(gè)第一開口，以分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)、及部分該數(shù)據(jù)線區(qū)；第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；有源層，部分該有源層形成于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；第二圖案化介電層，形成于該基板上；第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，形成于該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上；圖案化保護(hù)層，形成于該基板上；以及圖案化像素電極，形成于該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上，且連接該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，并延伸至部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該圖案化保護(hù)層上。
30.如權(quán)利要求29所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料包含阻障層、金屬層或上述的組合。
31.如權(quán)利要求29所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
32.如權(quán)利要求29所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，該有源層包含未摻雜層及至少摻雜層。
33.一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，且該基板具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；在該基板上形成圖案化介電層，且該圖案化介電層具有多個(gè)開口，分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)、部分該掃描線區(qū)、及部分該電容區(qū)的該基板；在暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該基板上形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；在該基板上形成絕緣層；在該薄膜晶體管區(qū)的該絕緣層上形成有源層；在該有源層的兩端、該數(shù)據(jù)線區(qū)的該絕緣層上形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及在該基板上覆蓋圖案化保護(hù)層。
34.如權(quán)利要求33所述的形成方法，還包含，在該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上形成圖案化像素電極，且該圖案化像素電極電性連接該有源層兩端其中一端的第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
35.如權(quán)利要求33所述的形成方法，其中，該有源層包含未摻雜層及摻雜層，且該摻雜層的兩端分別接觸該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
36.如權(quán)利要求35所述的形成方法，還包含，在該有源層上形成蝕刻終止層。
37.如權(quán)利要求33所述的形成方法，其中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一包含阻障層及金屬層。
38.如權(quán)利要求33所述的形成方法，還包含在該基板上的部分該像素區(qū)形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包含阻障層。
39.如權(quán)利要求37所述的形成方法，還包含位于該電容區(qū)的該絕緣層上具有該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
40.如權(quán)利要求37所述的形成方法，其中，位于該電容區(qū)的該絕緣層上具有該有源層及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
41.如權(quán)利要求33所述的形成方法，其中，該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一包含第一阻障層、金屬層及第二阻障層。
42.如請求項(xiàng)33所述的形成方法，還包含在部分該絕緣層上形成另一圖案化介電層，且該另一圖案化介電層具有多個(gè)另一開口以暴露出該有源層的兩端。
43.如權(quán)利要求33所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟，包含在該圖案化介電層上形成圖案化有機(jī)材料層，且該圖案化有機(jī)材料層上定義多個(gè)第二開口，所述多個(gè)第二開口對應(yīng)于部分所述多個(gè)開口并暴露出已暴露的部分該基板；在該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
44.如權(quán)利要求34所述的形成方法，形成該圖案化像素電極的步驟，包含在該基板上形成圖案化有機(jī)材料層，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；在該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上形成像素電極；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
45.如權(quán)利要求33所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟，包含在該暴露出的部分該基板上及該圖案化介電層上形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去位于該圖案化介電層及其上的該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
46.如權(quán)利要求33至45中任一項(xiàng)所述的形成方法，還包含使用具有不同透光度光掩模的黃光程序。
47.一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，該基板具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)掃描線區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、至少一個(gè)像素區(qū)及至少一個(gè)電容區(qū)；形成有源層，部分該有源層位于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上；在該基板上形成絕緣層；在該基板上形成第一圖案化介電層，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)、部分該掃描線區(qū)、及部分該電容區(qū)上的該絕緣層；在暴露出的該薄膜晶體管區(qū)、該掃描線區(qū)、及該電容區(qū)的該絕緣層上形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；在該基板上形成第二圖案化介電層；在該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上、部分該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上且連接該有源層及該電容區(qū)的該第二圖案化介電層上形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；在該基板上形成圖案化保護(hù)層；以及在該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層形成圖案化像素電極，且該圖案化像素電極連接該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
48.如權(quán)利要求47所述的形成方法，其中還包含在該電容區(qū)的該基板上形成該有源層。
49.如權(quán)利要求47所述的形成方法，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料包含阻障層、金屬層或上述的組合。
50.如權(quán)利要求47所述的形成方法，其中位于該薄膜晶體管區(qū)的部分該有源層具有重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、或上述的組合。
51.如權(quán)利要求47所述的形成方法，其中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
52.如權(quán)利要求47所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟，包含在該第一圖案化介電層上形成圖案化有機(jī)材料層，且其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該絕緣層；在該暴露出的部分該絕緣層上及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
53.如權(quán)利要求47所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟，包含在該暴露出的部分該絕緣層上及該圖案化介電層上形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去該圖案化介電層及位于其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
54.如權(quán)利要求47所述的形成方法，形成該圖案化像素電極的步驟，包含在該基板上形成圖案化有機(jī)材料層，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；在該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上形成像素電極；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
55.如權(quán)利要求47至54中任一項(xiàng)所述的形成方法，還包含使用具有不同透光度光掩模的黃光程序。
56.一種像素結(jié)構(gòu)的形成方法，包含提供基板，該基板具有至少一個(gè)薄膜晶體管區(qū)、至少一個(gè)數(shù)據(jù)線區(qū)、及至少一個(gè)像素區(qū)；在該基板上形成第一圖案化介電層，且其上定義多個(gè)第一開口，分別暴露出部分該薄膜晶體管區(qū)及部分該數(shù)據(jù)線區(qū)；在該薄膜晶體管區(qū)暴露出的該基板上及該數(shù)據(jù)線區(qū)暴露出的該基板上形成第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；形成有源層，部分該有源層位于該薄膜晶體管區(qū)的該基板上及該數(shù)據(jù)線區(qū)的該基板上；在該基板上形成第二圖案化介電層；在該薄膜晶體管區(qū)的該第二圖案化介電層上，以及部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該第二圖案化介電層上形成第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；在該基板上形成圖案化保護(hù)層；以及在該像素區(qū)的該圖案化保護(hù)層上形成圖案化像素電極，且該圖案化像素電極連接該薄膜晶體管區(qū)的該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，并延伸至部分該數(shù)據(jù)線區(qū)的該圖案化保護(hù)層上。
57.如權(quán)利要求56所述的形成方法，其中該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)及該第二圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的至少其中之一的材料包含阻障層、金屬層或上述的組合。
58.如權(quán)利要求56所述的形成方法，其中，較早形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率實(shí)質(zhì)上小于較晚形成的該第一圖案化介電層及該第二圖案化介電層的至少其中之一的沉積速率。
59.如權(quán)利要求56所述的形成方法，其中，該有源層包含未摻雜層及至少摻雜層。
60.如權(quán)利要求56所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟包含在該第一圖案化介電層上形成圖案化有機(jī)材料層，且其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該基板；在該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去位于該圖案化有機(jī)材料層及其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
61.如權(quán)利要求56所述的形成方法，形成該第一圖案化導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的步驟包含在該暴露出的部分該基板上及該圖案化介電層上形成第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)；以及除去該圖案化介電層及位于其上的該第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
62.如權(quán)利要求56所述的形成方法，形成該圖案化像素電極的步驟包含在該基板上形成圖案化有機(jī)材料層，其具有第三開口，且該第三開口暴露出部分該圖案化保護(hù)層；在該暴露出的部分該圖案化保護(hù)層及該圖案化有機(jī)材料層上形成像素電極；以及除去位于該圖案化有機(jī)層上的該像素電極。
63.如權(quán)利要求56至62中任一項(xiàng)所述的形成方法，還包含使用具有不同透光度光掩模的黃光程序。
64.一種顯示面板，包含如權(quán)利要求14至23中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
65.一種光電裝置，包含如權(quán)利要求64所述的顯示面板。
66.一種顯示面板的形成方法，包含如權(quán)利要求33至62中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)的形成方法。
67.一種光電裝置的形成方法，包含如權(quán)利要求66所述的顯示面板的形成方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)、像素結(jié)構(gòu)、顯示面板、光電裝置及其形成方法，包含提供基板；形成圖案化介電層于該基板上，且其上定義第一開口，并且第一開口暴露出部分該基板；形成圖案化有機(jī)材料層于該圖案化介電層上，其上定義第二開口，該第二開口對應(yīng)于部分該第一開口并暴露出已暴露的部分該基板；形成第一阻障層于該暴露出的部分該基板上及該圖案化有機(jī)材料層上；形成金屬層于該暴露出的部分該基板的該第一阻障層上及在該圖案化有機(jī)材料層的該第一阻障層上；以及除去該圖案化有機(jī)材料層及位于其上的該第一阻障層及該金屬層。本發(fā)明具有有效形成金屬導(dǎo)線的效果。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101075579SQ200710106689
公開日2007年11月21日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月15日
發(fā)明者林漢涂, 陳建宏 申請人:友達(dá)光電股份有限公司