專利名稱：半穿透半反射式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半穿透半反射式液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置因具有低輻射性、整體輕薄和耗電低等特點(diǎn)，被 廣泛應(yīng)用于手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記本電腦和電視等領(lǐng)域。根據(jù) 液晶顯示裝置所利用光源的不同，傳統(tǒng)液晶顯示裝置通?？梢苑譃?穿透式液晶顯示裝置與反射式液晶顯示裝置。
穿透式液晶顯示裝置須在液晶顯示面板背面設(shè)置 一 背光源以實(shí) 現(xiàn)圖像顯示，然而，背光源的耗能約占整個(gè)穿透式液晶顯示裝置耗 能的一半，因而穿透式液晶顯示裝置的耗能較大。反射式液晶顯示 裝置能解決穿透式液晶顯示裝置耗能大的問題，然而在光線微弱的 環(huán)境下很難實(shí)現(xiàn)圖像顯示。因此業(yè)界提出 一種半穿透半反射式液晶 顯示裝置，當(dāng)外界環(huán)境的光線較強(qiáng)的情況下，通過外界環(huán)境的光線
實(shí)現(xiàn)顯示；當(dāng)外界環(huán)境的光線較弱的情況下，通過自身的背光源實(shí) 現(xiàn)顯示。然而，傳統(tǒng)的半穿透半反射式液晶顯示裝置由于其內(nèi)液晶 分子的取向單一，存在視角問題，影響其顯示品質(zhì)。
請(qǐng)參閱圖1,是一種現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的 結(jié)構(gòu)示意圖。該半穿透半反射式液晶顯示裝置100包括一第 一基板 110、一與該第一基板IIO相對(duì)設(shè)置的第二基板120和一夾于該第一、 第二基板110、 120之間的液晶層130。該液晶層130包括多個(gè)介電 常數(shù)為正且各向異性的液晶分子131。該第一基板110包括一第一 基底111和一設(shè)置在該第 一基底111鄰近該液晶層130 —側(cè)的公共 電極113。該第二基板120包括一第二基底121和多個(gè)設(shè)置在該第 二基底121鄰近該液晶層130 —側(cè)的像素電極123。該像素電極123包括間隔設(shè)置的穿透電極125和反射電極127。該反射電極127包 括一鈍化層1271和設(shè)置在該鈍化層1271上的反射層1273,該反射 層1273的材料通常為金屬鋁。
該第一、第二基板110、 120經(jīng)過配向處理，當(dāng)該公共電極113 與該像素電極123未#皮施加電壓時(shí)，該多個(gè)液晶分子131呈扭轉(zhuǎn)向 列式的排列。
請(qǐng)參閱圖2,是該半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài) 時(shí)的側(cè)面示意圖。當(dāng)該公共電極113與像素電極123之間被施加電 壓時(shí)，該第一、第二基板110、 120之間產(chǎn)生一垂直于該第一、第二 基板110、 120的電場，該液晶分子131在該電場的作用下朝著其長 軸與該電場一致的方向扭轉(zhuǎn)，且所有液晶分子131都沿同 一方向排 列。
然而，由于該液晶分子131的長軸與短軸的折射率不同，而所 有液晶分子131都取向于同一方向，在沿不同方向觀察該半穿透半 反射式液晶顯示裝置100時(shí)，受到不同光程差的影響，將得到不同 的顯示效果，導(dǎo)致該半穿透半反射式液晶顯示裝置100視角較窄、 顯示品質(zhì)較差。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置視角較窄、顯示 品質(zhì)較差的問題，有必要提供一種視角較寬、顯示品質(zhì)較好的半穿 透半反射式液晶顯示裝置。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、 一與 該第 一基板相對(duì)的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶 層。該第一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個(gè)像素電極， 該液晶層包括多個(gè)液晶分子。該第一基板、第二基板和該液晶層構(gòu) 成多個(gè)像素單元，每一像素單元包括至少 一 區(qū)域分割件和多個(gè)該區(qū) 域分割件劃分的區(qū)域，該多個(gè)區(qū)域分為穿透區(qū)和反射區(qū)，與該區(qū)域 分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極之間的距離和該穿透區(qū)的像素電極與公共電極之間的距離相異，其也和該反射區(qū)的像素電極與公共 電極之間的距離相異，使該穿透區(qū)和該反射區(qū)的液晶分子都呈軸對(duì) 稱排列。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、 一與 該第一基板相對(duì)的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶 層。該第一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個(gè)像素電極， 該液晶層包括多個(gè)液晶分子。該第一基板、第二基板和該液晶層構(gòu) 成多個(gè)像素單元，每一像素單元包括多個(gè)穿透區(qū)和多個(gè)反射區(qū)，通 過改變?cè)摴搽姌O和像素電極之間的距離產(chǎn)生傾斜電場，使該穿透 區(qū)和該反射區(qū)的液晶分子都具多個(gè)取向。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置的像 素單元被劃分為多個(gè)包括穿透區(qū)和反射區(qū)的區(qū)域，且該穿透區(qū)和反 射區(qū)的液晶分子都呈軸對(duì)稱排列，即該多個(gè)液晶分子均勾排布于多 個(gè)方向，取向均勻多元，該半穿透半反射式液晶顯示裝置的視角較 寬、顯示品質(zhì)較好。
圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1所示半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí) 的側(cè)面示意圖。
圖3是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的結(jié) 構(gòu)示意圖。
圖4是圖3所示半穿透半反射式液晶顯示裝置的處于工作狀態(tài) 的平面示意圖。
圖5是圖3所示半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí) 的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的處 于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是圖6所示半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí) 的平面示意圖。
圖8是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的處 于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9是圖8所示半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí) 的平面示意圖。
圖10是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的 處于工作狀態(tài)時(shí)的平面示意圖。
圖11是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的 處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖12是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的 處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖3，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施 方式的結(jié)構(gòu)示意圖。該半穿透半反射式液晶顯示裝置200包括一第 一基板210、 一與該第 一基板210相對(duì)設(shè)置的第二基板220和一夾 于該第一、第二基板210、 220之間的液晶層230。該液晶層230包 括多個(gè)介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶分子231。該第一基板210 包括一第一基底211和一設(shè)置在該第一基底211鄰近該液晶層230 —側(cè)的公共電極213。該第二基板220包括一第二基底221、 一設(shè)置 在第二基底221鄰近該液晶層230 —側(cè)的絕緣層222和多個(gè)設(shè)置在 該絕緣層222鄰近該液晶層230 —側(cè)的像素電極223。該絕緣層222 包括多個(gè)凹陷部2221，該像素電極223覆蓋該絕緣層222，并于該 凹陷部2221凹陷形成多個(gè)區(qū)域分割件224。
請(qǐng)參閱圖4,是該半穿.透半反射式液晶顯示裝置200的平面示 意圖，也是該半穿透半反射式液晶顯示裝置200處于工作狀態(tài)的示 意圖。該第二基板220進(jìn)一步包括多條相互平行的掃描線201和多 條與該掃描線201垂直絕緣相交的數(shù)據(jù)線203。該像素電極223是形成于該掃描線201和該數(shù)據(jù)線203相交構(gòu)成的最小矩形區(qū)域內(nèi)(圖 4僅示其一)。
該掃描線201與該數(shù)據(jù)線203相交界定多個(gè)像素單元240(圖4 僅示其一)。每一像素單元240包括一區(qū)域分割件224，該區(qū)域分割 件224包括兩個(gè)平行于該掃描線201且等距間隔設(shè)置的第一部分 2241和一垂直于該掃描線201且與該第一部分2241相交的第二部 分2242。該第 一部分2241與該第二部分2242將該像素單元240均 勻劃分為多個(gè)大小相等的矩形的區(qū)域241 。
該多個(gè)區(qū)域241分為穿透區(qū)T和反射區(qū)R。該像素單元240中， 該穿透區(qū)T成列排布，該反射區(qū)R成列排布，每列反射區(qū)R將兩列 穿透區(qū)T間隔。其中，該穿透區(qū)T對(duì)應(yīng)的像素電極223為穿透電極 225,該反射區(qū)R對(duì)應(yīng)的像素電極223為反射電極227。
該穿透電極225為透明導(dǎo)電層。該反射電極227包括一鈍化層 2271和設(shè)置在該鈍化層2271上的反射層2273。該反射層2273的材 料為金屬鋁。與該區(qū)域分割件240對(duì)應(yīng)的像素電極223與公共電極 213之間的距離dl大于該穿透電極225與公共電極213之間的距離 d2，也大于該反射電極227與公共電才及213之間的距離d3。該穿透 電極225與/>共電極213之間的距離d2大于該反射電極227與/>共 電極213之間的距離d3，使得該穿透區(qū)T與反射區(qū)R的液晶層厚度 不同。
該第一、第二基板210、 220經(jīng)過垂直配向處理，當(dāng)該7>共電極 213和像素電極223未^皮施加電壓時(shí)，該多個(gè)液晶分子231都沿其 長軸垂直于該第一、第二基板210、 220的方向排列。
請(qǐng)參閱圖5，是該半穿透半反射式液晶顯示裝置200處于工作 狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)該公共電極213與像素電極223之間被施 加電壓時(shí)，該第一基板210與該第二基板220之間將產(chǎn)生一垂直于 該第一、第二基板210、 220的電場。然而，在該像素單元240中， 由于與該區(qū)域分割件224對(duì)應(yīng)的像素電極223與公共電極213之間 的距離dl大于該穿透電極225與公共電極213之間的距離d2,也
8大于該反射電極227與公共電極213之間的距離d3，該區(qū)域分割件 224處的電場強(qiáng)度較該穿透區(qū)T和反射區(qū)R的電場強(qiáng)度弱，使得鄰 近該區(qū)域分割件224的電場發(fā)生傾斜，并非垂直于該第一、第二基 板210、 220;特別地，由于該多個(gè)像素電極223并非一連續(xù)層狀結(jié) 構(gòu)，即該多個(gè)像素電極223之間是無電極區(qū)，從而其附近的電場也 會(huì)發(fā)生傾斜，并非垂直于該第一、第二基板210、 220，而該液晶分 子231朝著其長軸垂直于該電場的方向排列，因此對(duì)于該穿透區(qū)T 和反射區(qū)R的液晶分子231,將以其中心處的垂直于該第一、第二 基板210、 220的中心軸線大致呈一正立張開的傘狀的軸對(duì)稱排列。
另外，由于該穿透區(qū)T和反射區(qū)R周圍的傾斜電場分別由該像 素電極223邊緣和該區(qū)域分割件224產(chǎn)生，而該像素電極223邊緣 和該區(qū)域分割件224產(chǎn)生的傾斜電場稍有不同，因此該穿透區(qū)T和 反射區(qū)R的液晶分子231僅大致呈正立張開的傘狀的軸對(duì)稱排列， 并非完全對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
此外，該穿透電極225與公共電極213之間的距離d2大于該反 射電極227與公共電極213之間的距離d3，該穿透區(qū)T和反射區(qū)R 的電場強(qiáng)度稍有不同，使得該穿透區(qū)T和反射區(qū)R的液晶分子231 的傾斜角度稍有不同，即該穿透區(qū)T和反射區(qū)R的液晶分子231的 取向稍有不同，該像素單元240達(dá)到其內(nèi)液晶分子231的兩重軸對(duì) 稱排列。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置200 通過該區(qū)域分割件224將每一像素單元240分為該多個(gè)包括穿透區(qū) T和反射區(qū)R的區(qū)域，并且該區(qū)域分割件224與該^象素電極223的 邊緣配合，使該區(qū)域分割件224附近和像素電極223邊緣產(chǎn)生傾斜 電場，該穿透區(qū)T和反射區(qū)R的液晶分子231都呈軸對(duì)稱排列，即 該多個(gè)液晶分子231均勻排布于多個(gè)方向，取向均勻多元，有效改 善現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置100因液晶分子取向單一 導(dǎo)致的視角較窄、顯示品質(zhì)較差的現(xiàn)象，該半穿透半反射式液晶顯 示裝置200的視角較寬、顯示品質(zhì)較好。另夕卜，該穿透電極225與公共電極213之間的距離d2大于該反 射電極227與公共電極213之間的距離d3，進(jìn)一步使得該像素單元 240達(dá)到其內(nèi)液晶分子231的兩重軸對(duì)稱排列，也使該液晶分子231 的取向更多元。
請(qǐng)參閱圖6,是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施 方式的處于工作狀態(tài)時(shí)的平面示意圖。該液晶顯示裝置300與第一 實(shí)施方式的液晶顯示裝置200大致相同，其主要區(qū)別在于該像素 單元340中，每一行和每一列上的穿透區(qū)T和反射區(qū)R間隔排布， 可改善穿透區(qū)T過于集中或者反射區(qū)R過于集中而造成的亮度差異 過于明顯的現(xiàn)象。
請(qǐng)參閱圖7和圖8，圖7是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝 置第三實(shí)施方式的處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8是圖7所示 半穿透半反射式液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí)的平面示意圖。該液 晶顯示裝置400與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置200大致相同，其 主要區(qū)別在于/>共電才及413鄰近液晶層430 —側(cè)i殳置多個(gè)點(diǎn)狀突 起415，每一區(qū)域441(穿透區(qū)T或反射區(qū)R)對(duì)應(yīng)一點(diǎn)狀突起415, 并且該點(diǎn)狀突起415位于該區(qū)域441中心。當(dāng)/>共電極413與4象素 電極423被施加電壓時(shí)，該點(diǎn)狀突起415周圍也產(chǎn)生傾斜電場。該 點(diǎn)狀突起415配合區(qū)域分割件424產(chǎn)生效果更佳的傾斜電場，液晶 分子431的軸對(duì)稱排列更整齊規(guī)律。
請(qǐng)參閱圖9和圖10，圖9圖是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示 裝置第四實(shí)施方式的處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖10是圖9 所示液晶顯示裝置處于工作狀態(tài)時(shí)的平面示意圖。該液晶顯示裝置 500與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置200的主要區(qū)別在于區(qū)域分 割件524進(jìn)一步包括位于像素單元540四周邊緣的第三部分5243。 該半穿透半反射式液晶顯示裝置500的像素單元540中，區(qū)域541 (穿 透區(qū)T或反射區(qū)R)四周的傾斜電場都由該區(qū)域分割件524形成，其 較第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置200通過區(qū)域分割件和像素電極邊 緣共同形成的傾斜電場更均勻，該區(qū)域541的液晶分子531呈更對(duì)
10稱的軸對(duì)稱排列。
請(qǐng)參閱圖11，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施
方式的處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置600與第四 實(shí)施方式的液晶顯示裝置500大致相同，其主要區(qū)別在于該區(qū)域 的液晶分子631呈倒立張開的傘狀的軸對(duì)稱排列。絕緣層622包括 多個(gè)突起部6221 ，多個(gè)像素電極623均勻覆蓋該絕緣層622也于該 多個(gè)突起部6221突起從而定義多個(gè)區(qū)域分割件624。該區(qū)域分割件 624對(duì)應(yīng)的^f象素電極623與公共電極613之間的距離dl小于該穿透 電極625與公共電極613之間的距離d2，且該區(qū)域分割件624對(duì)應(yīng) 的像素電極623與公共電極613之間的距離dl大于該反射電極627 與公共電極613之間的距離d3 。
當(dāng)公共電極613與像素電極623被施加電壓時(shí)，該區(qū)域分割件 624附近產(chǎn)生傾斜電場，使穿透區(qū)T的液晶分子631呈一倒立張開 的傘狀的軸對(duì)稱排列，反射區(qū)R的液晶分子631呈一正立張開的傘 狀的軸對(duì)稱排列。
請(qǐng)參閱圖12，是本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置第六實(shí)施 方式的處于工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置700與第一 實(shí)施方式的液晶顯示裝置200大致相同，其主要區(qū)別在于第二基 底721鄰近液晶層730 —側(cè)包括多個(gè)凹陷部7211,像素電極723均 勻覆蓋該第二基底721,也于該多個(gè)凹陷部7211凹陷從而定義多個(gè) 區(qū)域分割件724。
本發(fā)明半穿透半反射式液晶顯示裝置并不限于上述實(shí)施方式所 述，如第一實(shí)施方式的半穿透半反射式液晶顯示裝置200中，該 溝槽結(jié)構(gòu)224可由相同形狀的突起代替；該反射電極227也可省去 該鈍化層2271而使該穿透區(qū)T與反射區(qū)R具有相同的液晶層厚度； 該區(qū)域分割件224也可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)計(jì)將該像素單元240劃分為 四區(qū)域、八區(qū)域或更多區(qū)域，且其分割的區(qū)域的大小可并不相等； 第三實(shí)施方式的半穿透半反射式液晶顯示裝置400中，該點(diǎn)狀突起 415也可由相同形狀的區(qū)域分割件或溝槽結(jié)構(gòu)代替。
權(quán)利要求
1. 一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一與該第一基板相對(duì)的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶層，該液晶層包括多個(gè)液晶分子，該第一基板包括一公共電極；該第二基板包括多個(gè)像素電極；該第一基板、第二基板和該液晶層構(gòu)成多個(gè)像素單元，其特征在于每一像素單元包括至少一區(qū)域分割件和多個(gè)該區(qū)域分割件劃分的區(qū)域，該多個(gè)區(qū)域分為穿透區(qū)和反射區(qū)，與該區(qū)域分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極之間的距離和該穿透區(qū)的像素電極與公共電極之間的距離相異，其也和該反射區(qū)的像素電極與公共電極之間的距離相異，使該穿透區(qū)和該反射區(qū)的液晶分子都呈軸對(duì)稱排列。
2. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于該穿透區(qū)和該反射區(qū)的液晶分子都以其中心處的垂直于該第 一 、第二基板的中心軸線呈正立張開的傘狀或倒立張開的傘狀的軸 對(duì)稱排列。
3. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于與該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)的像素電極為穿透電極，與該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的 像素電極為反射電極。
4. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于與該區(qū)域分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極的距離大于該穿 透區(qū)的像素電極與公共電極的距離，也大于該反射區(qū)的像素電極與 公共電極的距離。
5. 如權(quán)利要求4所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于該第二基板進(jìn)一步包括一絕緣層，該絕緣層包括多個(gè)凹陷部， 該像素電極均勻^隻蓋該絕緣層，并于該凹陷部凹陷定義該區(qū)域分割 件。
6. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于與該區(qū)域分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極的距離小于該穿透區(qū)的像素電極與公共電極的距離，也小于該反射區(qū)的像素電極與 公共電極的距離。
7. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于與該區(qū)域分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極的距離小于該穿 透區(qū)像素電極與公共電極的距離，但大于該反射區(qū)的像素電極與公 共電極的距離。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其 特征在于該第二基板進(jìn)一步包括一絕緣層，該絕緣層包括多個(gè)突 出部，該像素電極均勻覆蓋該絕緣層，并于該突出部突出定義該區(qū) 域分割件。
9. 如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征 在于該區(qū)域進(jìn)一 步包括一位于該區(qū)域中心的第 一基板鄰近該液晶 層一側(cè)的點(diǎn)狀突起、溝槽結(jié)構(gòu)、電極凹陷部或電極突出部，用于配 合該區(qū)域分割件使該區(qū)域的液晶分子呈軸對(duì)稱排列。
10. —種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一 與該第 一基板相對(duì)的第二基板和 一 夾于該第 一 、第二基板之間的液 晶層，該液晶層包括多個(gè)液晶分子，該第一基板包括一公共電極； 該第二基板包括多個(gè)像素電極；該第一基板、第二基板和該液晶層 構(gòu)成多個(gè)像素單元，每一像素單元包括多個(gè)穿透區(qū)和多個(gè)反射區(qū)， 其特征在于通過改變?cè)摴搽姌O和像素電極之間的距離產(chǎn)生傾斜 電場，使該穿透區(qū)和該反射區(qū)的液晶分子都具多個(gè)取向。
全文摘要
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一與該第一基板相對(duì)的第二基板和一夾于該第一、第二基板之間的液晶層，該第一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個(gè)像素電極，該液晶層包括多個(gè)液晶分子。該第一基板、第二基板和該液晶層構(gòu)成多個(gè)像素單元，每一像素單元包括至少一區(qū)域分割件和多個(gè)該區(qū)域分割件劃分的區(qū)域，該多個(gè)區(qū)域分為穿透區(qū)和反射區(qū)，與該區(qū)域分割件對(duì)應(yīng)的像素電極與公共電極之間的距離和該穿透區(qū)的像素電極與公共電極之間的距離相異，其也和該反射區(qū)的像素電極與公共電極之間的距離相異，使該穿透區(qū)和反射區(qū)的液晶分子都呈軸對(duì)稱排列。該半穿透半反射式液晶顯示裝置視角較寬、顯示品質(zhì)較好。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101452160SQ20071012482
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者向瑞杰, 姚怡安, 林志隆, 陳鵲如 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司