專利名稱：具有浮動電極的液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)面板，且更具體地，本發(fā)明 涉及一種具有^是高的圖^f象質量的LCD面4反。
背景技術：
液晶顯示(LCD)面板包括一對相對的基板，其中液晶層介于 其間。這兩個基板之一是具有共用電極的共用電才及基板，而另一基 板是具有多個薄膜晶體管(TFT)的TFT基板。共用電極基板和 TFT基板由設置在共用電極基板和TFT基板兩者的邊緣處的密封 線組裝。液晶層設置在共用電極基板與TFT基板之間。液晶層的液 晶分子根據分別提供至共用電極基板和TFT基板的電(electricity ) 而排列。TFT基板具有多條柵極線、多條數(shù)據線、和多個像素。每條柵 才及線水平延伸并傳輸4冊4及信號。另一方面，每條凄t據線垂直延伸并 傳輸數(shù)據信號。每個像素可由一條柵極線和一條數(shù)據線限定并具有 開關元件和存儲電容。開關元件可接近一條柵極線和一條凄t據線的交叉點形成。開關 元件為薄膜晶體管(TFT),其中柵電極連接于柵極線，源電極連接 于數(shù)據線，而漏電極連接于像素電極。漏電極可電連接于液晶電容 器以及連4妄于存儲電容。 由于不是自發(fā)射顯示裝置，所以LCD才莫塊具有位于LCD面板 后方的背光單元，該背光單元向LCD面板提供光。使用從背光單 元提供的光，每個像素液晶分子的排列通過選擇性地使光傳遞至顯 示圖像來控制LCD面板的透射率。使用上述結構的傳統(tǒng)LCD模塊，光易于在數(shù)據線與像素電極 之間的間隙中泄漏，4吏得圖^f象質量變差。因此，為了減少光泄漏， 通常調整共用電4及基才反上的黑矩陣。具體地，黑矩陣位于泄漏光經 過之處。然而，黑矩陣可導致整個LCD模塊的孔徑比更小，使得 顯示器亮度降低，從而導致圖像質量變差。此外，使用傳統(tǒng)的LCD才莫塊，數(shù)據信號和^f象素電極可相互影 響。即，在凄t據線和^f象素電4及之間可能發(fā)生電荷耦合(charge coupling),造成沿數(shù)據線的不規(guī)則垂直色度亮度干擾(crosstalk )。發(fā)明內容因此，本發(fā)明的 一個方面在于4是供一種在凄t據線與像素電4及之間具有較少的光泄漏和電荷耦合的LCD模塊，以提高LCD模塊的 圖像質量。本發(fā)明的前述和/或其它方面通過提供具有多條柵極線、多條數(shù) 才居線、多個^f象素和浮動電才及的LCD面才反而實5見。根據本發(fā)明的一個實施例，浮動電極包括阻光圖案，沿數(shù)據 線延伸；像素間(inter-pixd)連接圖案，連接不同像素的阻光圖案； 以及像素內(intra-pixel)連接圖案，連接一個像素內的阻光圖案。根據本發(fā)明的另一實施例，浮動電極包括阻光圖案，沿數(shù)據 線延伸；以及多個像素間連接圖案，每一個連接不同像素的阻光圖案。
根據本發(fā)明的替換實施例，浮動電極包括寬于數(shù)據線并與該數(shù) 據線交疊的阻光圖案。根據本發(fā)明的另 一替換實施例，浮動電極包括阻光圖案以及 連接水平方向鄰近像素的阻光圖案的像素間連接圖案。此外，橋電 才及連4妄一個1象素的阻光圖案和垂直方向鄰近^f象素中的<象素間連4妄 圖案。


本發(fā)明的上述和/或其它方面和優(yōu)點將乂人下面結合附圖對示例性實施例的詳細描述而變得更容易理解，附圖中圖1A是根據本發(fā)明示例性實施例的薄膜晶體管(TFT)基板 的像素布局圖；圖1B是沿4艮據本發(fā)明的圖1A的示例性實施例的線Ib-Ib'截 取的像素的橫截面圖；圖1C是沿根據本發(fā)明的圖1A的示例性實施例的線Ic-Ic'截 取的4象素的橫截面圖；圖1D是形成在根據本發(fā)明的圖1A的示例性實施例的TFT基 才反上的浮動電才及的布局圖；圖2是才艮據本發(fā)明示例性實施例的共用電4及基4反的^f象素布局圖；圖3A是根據本發(fā)明示例性實施例的液晶顯示(LCD )面板(其 作為圖1A的TFT基板的組件)的4象素和圖2的共用電極基4反的結 合布局圖3B是沿根據本發(fā)明的圖3A的示例性實施例的線mb-IIIb'截 取的像素的橫截面圖；圖4是根據本發(fā)明的示例性實施例的TFT基板的簡化整體布局圖；圖5A是才艮據本發(fā)明的示例性實施例的TFT基板的像素布局圖；圖5B是形成在才艮據本發(fā)明的圖5A的示例性實施例的TFT基 板上的浮動圖案的布局圖；圖6A是根據本發(fā)明示例性實施例的TFT基板的像素布局圖；圖6B是沿4艮據本發(fā)明的圖6A的示例性實施例的線VIb-VIb'截 取的像素的橫截面圖；圖6C是形成在才艮據本發(fā)明的圖6A的示例性實施例的TFT基 板上的浮動圖案的布局圖；圖7A是4艮據本發(fā)明示例性實施例的TFT基板的像素布局圖；圖7B是沿4艮據本發(fā)明的圖7A的示例性實施例的線VDb-VHb'截 取的像素的橫截面圖；圖7C是形成在根據本發(fā)明的圖7A的示例性實施例的TFT基 板上的浮動圖案和橋電極的布局圖；圖7D是根據本發(fā)明的圖7A的示例性實施例的TFT基板的簡 化整體布局圖8A是根據本發(fā)明示例性實施例的TFT基板的像素布局圖；圖8B是形成在根據本發(fā)明的圖8A的示例性實施例的TFT基 板上的浮動圖案和橋電才及的布局圖；圖9A是根據本發(fā)明示例性實施例的TFT基板的像素布局圖；圖9B是形成在4艮據本發(fā)明的圖9A的示例性實施例的TFT基 板上的浮動圖案和橋電極的布局圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，附圖中示出了本發(fā)明 的實例，其中相同參考標號通篇表示相同元件。下面通過參照附圖 來描述實施例，以使z說明本發(fā)明。根據本發(fā)明的一個實施例說明圖1A至圖4中所示的LCD面 板。LCD面板包括TFT基板、共用電極基板以及介于TFT基板與 共用電極基板中間的液晶層。TFT基板包括多條柵極線、多條數(shù)據 線、以及電連接于柵極線和數(shù)據線以便向像素電極傳輸電壓的多個 TFT。共用電極基板面對TFT基板并包括共用電極，以控制液晶層。圖1A是TFT基板的像素布局圖。圖1B是沿圖1A的線I b-1 b' 截取的像素的橫截面圖。圖1C是沿圖1A的線Ic-Ic'截取的像素 的橫截面圖。最后，圖1D是形成在圖1A的TFT基板上的浮動電 才及的布局圖。在絕緣基板10上，形成有柵極配線，該棚-極配線包括柵極線 22以及/人斥冊才及線22突出的4冊電才及26。浮動電極21形成在絕緣基 板10上并沿水平方向排列，其中垂直延伸的阻光圖案21a位于數(shù) 據線62附近。在整個TFT基板中，每個像素的浮動電才及21彼此相 互連接并與TFT基板的外部電壓電源電絕緣?？商鎿Q地，只要浮動 電極對于垂直色度亮度干擾是有效的，就對整個TFT基板中的相互 連接的浮動電極21 ^是供預定電壓。具體地，浮動電才及21包4舌阻光圖案21a、 1象素內連4妄圖案21b、 以及像素間連接圖案21c。阻光圖案21a沿數(shù)據線62設置，以防止 數(shù)據線62與像素電極82之間的光泄漏。阻光圖案21a可與數(shù)據線 62交疊或不交疊。此外，阻光圖案21a可與^f象素電才及82交疊或不 交疊。多個阻光圖案21a可形成在一個像素內。這樣，由于在TFT基 板的一條水平線內的每個像素可具有相同或相似的結構，因此每個 1象素可具有多個阻光圖案21a。此處，多個阻光圖案21a通過浮動 電極21的像素內連接圖案21b而連接。類似地，不同像素的阻光 圖案21a通過浮動電極21的像素間連接圖案21c而連接。因此，在沿棚4及線22的一條水平線內，每個阻光圖案21a通 過像素間連接圖案21c和像素內連接圖案21b而電連接。另 一方面， 整個浮動電纟及21不與外部電壓電源電連4妄。對于LCD模塊的存儲電容的設計而言，已經介紹了之前的電 容類型和獨立電容線類型。通過使像素電極82與之前的柵極的延 伸寬度交疊，之前的電容類型使用存儲電容，而通過使像素電極82 與相同柵極金屬的特別增加的共用電極電壓(Vcom)線交疊，獨 立電容線類型使用存儲電容。盡管示出了具有之前的電容類型的本 發(fā)明，但是在本發(fā)明的范圍內還可使用獨立電容線類型。在TFT基板上，柵-極配線22、 26和浮動電極21可包括Al、 Al合金、Ag、 Ag合金、Cu、 Cu合金、Mo、 Mo合金、Cr、 Ti和 Ta的至少一種。棚4及配線22、 26和浮動電才及21可具有包含不同物
理特性的導電層的多層結構。多層結構的至少一個可以是Al、 Al 合金、Ag、 Ag合金、Cu、或Cu合金形成的低電阻系數(shù)導電金屬， 以降低柵極配線22、 26和浮動電極21的信號延遲或電壓降。相反， 多層結構的至少一層可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)， 其中諸如Mo、 Mo合金、Cr、 Ti、或Ta的材料與其是友好的。低 電阻系數(shù)與良好的接觸特性的示例性組合是Cr下層和Al上層或者 Al下層和Mo上層。然而，柵極配線和浮動電極材料并不限于已介 紹的實例，而是可以是各種導電材料的任意組合。
在柵極配線和浮動電極21上，柵極絕纟彖層30由諸如SiNx的 絕纟彖材料形成。在柵極絕緣層30上，半導體層40由諸如氫化非晶 硅或多晶硅的材料形成。半導體層40可以是線路(line)圖案或絕 緣圖案。如本發(fā)明所示，絕緣圖案半導體層形成在棚-才及線22上， 而線^各圖案半導體層可形成在^據線62下面并延伸至具有ft據線 62的形一犬的棚-4及線22。
在半導體層40上，電阻接觸層55、 56由高度摻雜的氫化非晶 硅或硅化物形成。電阻接觸層55、 56可以是線路圖案或絕緣圖案。 例如，在本發(fā)明中，絕^彖圖案電阻4妄觸層可位于源電才及和漏電才及下 面，而線3各圖案電阻4妄觸層可在數(shù)據線62下面延伸。
在電阻接觸層55、 56和柵極絕緣層30上形成數(shù)據線62、源電 極65和漏電極66。數(shù)據線62垂直延伸以與柵極線22交叉。源電 極65從數(shù)據線62伸出并延伸至半導體層40,而半導體層上的漏電極66與源電極65分離并面對該源電極，其中4冊電極26位于二者 中間。TFT由4冊電極22、源電極65和漏電極6組成，并且當4冊電 極26接收棚極電壓時，TFT將電/人源電4及65傳輸至漏電極66。漏電極66包括形成在半導體層40上的條形圖案以及從具有接 觸孔76的條形圖案延長的外延區(qū)域。數(shù)據線62、源電4及65和漏電 極66統(tǒng)稱為凄t據配線。此外，與數(shù)據線62具有相同材料并且處于相同層的電容電極 67可形成為，通過經由接觸孔77與像素電4及82電連4妄，而與之前 的柵極線22交疊。電容電極67、之前的柵極線22以及介于其間的 柵才及絕纟彖層30的組合能夠存^f諸液晶層的電容。數(shù)據配線和電容電極67可以是包括A、Cr、 Mo、 Ta和Ti的 至少一種的單一層或多層。例如，數(shù)據配線和電容電極可以是Cr、 Mo基材料、Ta或Ti處于一層的多層，其中下層為Cr、 Mo基材泮+、 Ta或Ti以及上層為低電阻系數(shù)。更具體地，Cr下層和Al上層、 Al下層和Mo上層、或Mo下層、Al中層和Mo上層可用作多層凝: 據配線和電容電才及。在TFT中，面對面(confronting )的源電才及65和漏電才及66與 才冊電才及26和半導體層40兩者至少部分地交疊，以傳IIH象素驅動電 壓。此外，電阻接觸層55、 56夾在半導體層與源電極65或漏電極 66之間，以降^[氐4妄觸電阻。在凄t據配線62、 65、 66、存4諸電容半導體67、和露出的半導 體層40上，設置鈍化層70。該鈍化層可由諸如無機材料、有機材 料、或具有低介電常數(shù)的絕緣材料的各種材料制成。此處，無機材 料可以是SiNx或SiOx，而有 f幾材料可以是感光性的并用于形成平 坦表面。具有低介電常數(shù)的絕緣材料通過等離子增強化學氣相沉積 (PECVD)工藝i殳置并可以是a-Si:C:O或a-Si:O:F。多于兩種的不 同材料可用于形成鈍化層70。例如，當應用有機材料時，可使用無 才幾材料形成的輔助底層以防止有才幾材料與露出的TFT半導體層直 接接觸。
形成4矣觸3L 76、 77以4吏漏電才及66或存^f諸電容電才及67部分i也 露出。在鈍化層上，像素電極82沿每個像素的內邊形成。像素電 才及82經由漏電才及4妄觸孑L 76電連孑矣于漏電才及66。此外，像素電才及 82經由存儲電容電極接觸孔77電連接于存儲電容電極67。因此，具有像素驅動電壓的像素電極82可通過與共用電極基 板的共用電極90共同作用產生電場而控制液晶分子的排列。此處， 像素電極82由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明導 電材料或諸如Al的反射導電材料制成。在像素電極82或鈍化層70 上，可設置定向層(未示出)以建立液晶分子的基本方向?，F(xiàn)在，參照圖1A、 1C和1D，詳細描述浮動電才及21。在圖1A 中，浮動電極21以至少部分交疊的關系沿凄t據線62延伸。另外， 像素電極的最接近數(shù)據線的部分還與浮動線交疊。更具體地，浮動 電極21的阻光圖案21a沿數(shù)據線62設置并與像素電極82的部分 交疊。此外，^f象素間連才妄電才及21c與凄t才居線62部分交疊。由此開始，i兌明阻光電才及的功能。由于來自凄t據線62的電場 比來自像素電極的電場更明顯，從而圍繞數(shù)據線的液晶分子可能會 被不期望地排列。因此，圍繞數(shù)據線的光沿錯誤的方向穿過并且從 LCD面板外可看到光泄漏。然而，誤導的光可被圍繞數(shù)據線的圖案 遮擋。在圖1A中，阻光圖案21a遮擋誤導的光并防止光泄漏。然而，浮動的阻光電極21a可能與數(shù)據線62電耦合并可能造 成LCD面板的不規(guī)則垂直色度亮度干擾。為解決這個潛在問題， 在該實施例中，阻光圖案21a的每一個通過^f象素間連4妻圖案21c和 像素內連接圖案21b與鄰近的阻光電極21a互相電連接?，F(xiàn)在，由 于統(tǒng)一標準的浮動電才及不受特定ft據線的影響或不專禹合于具體凄史 據線，因而不會看到不規(guī)則的垂直色度亮度干擾。1
如果統(tǒng)一標準的浮動電4及21經過共用電壓，那么由于受共用 電壓的影響而不是像素電極電壓的影響，因而圍繞凄史據線的液晶分 子可能經歷不期望的電場并祐L4昔誤地排列。因此，浮動電極21電 獨立于其它電壓，以防止光泄漏。在圖2中，介紹了根據本發(fā)明一個實施例的共用電極基板的像 素布局圖。另夕卜，在圖3A中，介紹了由TFT基4反、共用電才及基4反 和液晶層組裝的LCD面外反的^f象素布局圖。此外，圖3B示出圖3A 的沿線nib-IIIb'截取的LCD面板的橫截面圖。在整個圖2、圖3A和圖3B中，黑矩陣94形成在透明玻璃基 板96上。還圍繞每一個像素設置黑矩陣94，以防止不期望的光傳 輸。黑矩陣94可由諸如Cr、諸如CrOx的金屬氧化物以及有4幾材 料中的至少一種制成。在相鄰黑矩陣94之間的光經過區(qū)域中，濾色片98設置為傳豐lT 紅、綠或藍光。輔助覆蓋層(未示出)可形成在濾色層98及黑矩 陣94上，以覆蓋不平坦的濾色層并形成一個平坦表面。最終，在 濾色層98或覆蓋層上，形成ITO或IZO制成的透明共用電極層90。 輔助定向層(未示出)可覆蓋在共用電極層卯上，以使液晶分子 圍繞共用電才及90 4非列。如圖3B所示，LCD面板具有液晶層300和結合的TFT基板 100以及共用電極基板200。在組裝中，共用電極基板200的濾色 層98排列為幾乎精確地與TFT基板100的像素電才及82交疊。然后， 通過將一對偏振器垂直地附在TFT基板100和共用電極基板200的 最外層表面上而完成LCD面板。最終，通過組裝LCD面板、LCD 面外反后面的背光單元以及包圍LCD面^反和背光單元的才醫(yī)架而完成 LCD模塊。 參照圖4，詳細說明浮動電極FP。在圖4中，TFT基板具有多 條水平延伸的柵極線(G1、 G2…Gn)、多條垂直延伸的數(shù)據線(D1、 D2…Dm)以及有每條柵極線和數(shù)據線限定的多個l象素PX。遍及整 個LCD面板中，每個浮動電極(FP)沿每條柵極線互連在處于一 個水平線中的像素之間，而這些水平線的每一端點4皮此互連。此夕卜， 整個浮動電極與外部電壓電源絕緣。參照圖5A和圖5B， i兌明本發(fā)明的另一實施例。圖5A是該實 施例的TFT基板的一個像素的布局圖，而圖5B是圖5A的浮動電 極的布局圖。為進行簡要說明，用相同參考標記表示圖1至圖4所 示的相同元件并省略對其的相應說明?；旧希趫D5A和圖5B 中，除了浮動電極之外，每個元件都與圖1至圖4中的相應元件相 同。在圖5A和圖5B中， 一對浮動電^f及的阻光圖案21a通過多個 像素間連接圖案21c而互連。這里，盡管圖5A和圖5B示出兩個4象 素間連接圖案，但是像素間連接圖案的數(shù)量可以多于兩個。當具有多于兩個的^f象素間連^妄圖案21c時，可在凄t據線62與 浮動電4及21之間獲纟尋更大交疊區(qū)i或。擴大的交疊區(qū)域可有助于減少在不同i象素的浮動電極21的相 鄰阻光圖案21a之間的可能的覆蓋(overlay)差異。從而，減少的 覆蓋差異可有助于克服每條數(shù)據線和每個阻光圖案21a的耦合電容 差異。因此，觀看者較少能夠識別不規(guī)則垂直色度亮度干擾。當半導體層在數(shù)據線62下面延伸時，數(shù)據線62與阻光圖案21a 之間的擴大交疊區(qū)域對于圖像質量更加有效。具體地，由于感光半 導體層在數(shù)據線62下面，因此進入數(shù)據線62區(qū)域的光可引起不想 要的光電流(photo current),損壞圖像質量。然而，當具有擴大的 ^象素間連"t妄圖案21c時，由于浮動電才及21形成有棚4及配線以阻牙當 光進入凄t據線62，,人而可抑制光電流。因此，可l是高圖像質量。參照圖6A至圖6C, it明本發(fā)明的另一實施例。圖6A是該實 施例的TFT基才反的一個l象素的布局圖，而圖6B和圖6C分別是沿 圖6A的線VIb-VIb'截取的〗象素的4黃截面圖以及圖6A的浮動電才及的 布局圖。為進行簡要i兌明，用相同參考標記表示圖5A和圖5B中所 示的相同元件并省略相應說明。基本上，在圖6A至圖6C中，除了 浮動電才及之外，每個元件都與圖5A和圖5B中的相應元件相同。具體地，圖6A至圖6C的浮動電極221由與凄U居線62交疊的 阻光圖案221a以及連4妄一個4象素內的一對阻光圖案221a的〗象素內 連4妄圖案21b組成。更具體地，阻光圖案221a可足夠寬，以沿至 少一個水平方向與數(shù)據線62完全交疊。此外，阻光圖案221a可一皮 加寬，以與接近一條數(shù)據線62的一對像素電極82部分交疊。類似 于圖5A和圖5B的實施例，半導體層可位于^:據線62下方。因it匕， 加寬的阻光圖案221a可減少對垂直色度亮度干擾的識別以及出現(xiàn) 在凄t據線62下面的半導體層上的光泄漏。參照圖7A至圖7D,說明本發(fā)明的另一實施例。圖7A是該實 施例的TFT基板的 一個像素的布局圖，而圖7B和圖7C分別是沿 圖7A的線Wb-VDb'截取的像素的橫截面圖以及圖7A的浮動電4及和 橋電極的布局圖。為進一步說明，圖7D示出該實施例的簡化的LCD 面板。為進行簡要說明，用相同參考標記表示圖1A至圖4中所示 的相同元件并省略相應的說明?；旧希趫D7A至圖7D中，除 橋電才及之外的每個元件都與圖1A至圖4中的相應元件相同。在圖7A至圖7D的該實施例中，垂直延伸的橋電極84電連接 不同像素的不同浮動電極21。更具體地，橋電極84電連接一個像 素的像素內連接圖案21b與其它像素的阻光圖案21a。
在圖7B和圖7C中，兩個相鄰像素的鈍化層30下方的浮動電 極21a部分地露出于用于電連接的橋電極84。在該實施例中，橋電 極84可與相同層上的像素電極82是相同材料。參照圖7D的簡化的LCD面板，浮動電極FP覆蓋TFT基才反的 彼此互連所有像素PX，同時浮動電極并與外部電路隔離。更具體 地，浮動電極FP形成在每一行像素上，以平行于TFT基板的棚-才及 線而延伸。各浮動電極的每個端部彼此連接。最終，各浮動電才及在結果，由于水平延伸的浮動電極被垂直延伸的橋電極垂直連 接，所以面板顯示區(qū)域內的每個浮動電極在整個TFT面板上承受均 勻的浮動電勢。平均分布的浮動電勢可防止數(shù)據線與每個像素的浮 動電極之間的不均勻耦合，以通過抑制數(shù)據線與每個像素的像素電 極之間的不同耦合電勢而使不規(guī)則垂直色度亮度干擾最小化。參照圖8A和圖8B，說明本發(fā)明的另一實施例。圖8A是該實 施例的TFT基板的一個像素的布局圖；圖8B是圖8A的浮動電相^ 和橋電極的布局圖。為進4亍筒要說明，使用相同參考標記表示圖7A 至圖7D中所示的相同元件并省略相應的說明?；旧希趫D8A 和圖8B中，除了浮動電極的形狀之外，每個元件都與圖7A至圖 7D中的對目應元4牛才目同。圖8A和圖8B的浮動圖案具有其中間i殳有一條數(shù)據線的一對 阻光圖案21a以及連接該對阻光圖案21a的像素間連接圖案21c。 此處，盡管圖8A和圖8B示出一個^f象素間連4妄圖案，4旦是像素間連 接圖案的數(shù)量可多于一個。由于浮動電4及21與凄t據線62之間具有擴大的交疊區(qū)域，所以 當每個阻光圖案21a與^t據線62不具有相同覆蓋圖(overlay)時，
浮動電極的每個阻光圖案21a與數(shù)據線62之間的耦合電容差異可 減少。因此，較少識別到不規(guī)則垂直色度亮度干擾。如果半導體層延伸于數(shù)據線62下面，那么可能由于從背光進 入半導體層的光而發(fā)生光泄漏并造成圖像質量變差。然而，該實施例的擴大交疊區(qū)域可遮擋光進入半導體層并提高圖像質量。參照圖9A和圖9B,-說明本發(fā)明的另一實施例。圖9A是該實 施例的TFT基板的一個像素的布局圖；圖9B是圖9A的浮動電極 和橋電才及的布局圖。為進4亍簡要i兌明，用相同參考標記表示圖8A 至圖8B中所示的相同元件并省略相應說明?；旧希趫D9A和圖 9B中，除浮動電才及的形狀之外，每個元件老卩與圖8A和圖8B中的 才目^it/f牛才目同。圖9A和圖9B的浮動電才及21包括與翁:據線62交疊的阻光圖 案21a以及像素內連接圖案21b。阻光圖案21a可足夠寬，以至少 沿一個水平方向以比數(shù)據線62寬度更大的寬度完全覆蓋該數(shù)據線。 阻光圖案21a還可與沿數(shù)據線62設置的像素電極82部分交疊。因此，擴大的阻光圖案對于控制不規(guī)則垂直色度亮度干擾是有 效的。而且，當TFT基板具有位于數(shù)據線62下方的半導體層時， 擴大的阻光圖案21a更加有效，這是因為半導體層易于引起對圖像 質量產生不利影響的光泄漏電流。本發(fā)明的上述實施例^又用于i兌明性的目的而非限制性的。因 此，對于本領域的那些技術人員來說，很明顯，在不背離本發(fā)明的 前提下，在更廣闊的方面，可以進行各種變化和更改。因此，所附 權利要求包括諸如落入本發(fā)明真實精神和范圍中的所有這種變化 和更改。
權利要求
1.一種液晶顯示面板，包括絕緣基板；多條柵極線，沿第一方向在所述絕緣基板上延伸；多條數(shù)據線，沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一方向在交叉點處交叉，以限定像素；薄膜晶體管，形成在所述柵極線與所述數(shù)據線的所述交叉點附近；像素電極，連接于所述薄膜晶體管并設置在所述像素內；以及浮動電極，包括沿所述第二方向延伸的第一部分以及沿所述第一方向延伸的第二部分，其中，第一像素的所述第二部分與第二像素的所述第二部分互連，并且其中，所述第一像素與所述第二像素沿所述第一方向彼此相鄰。
2. 根據權利要求1所述的液晶顯示面才反，進一步包括所述浮動電 極的第三部分，所述第三部分在所述第一像素內沿所述第一方 向延伸，其中，所述第三部分連接所述第一^^素內的多個所述 第一部分。
3. 根據權利要求2所述的液晶顯示面板，其中，所述第一部分的 數(shù)量多于兩個。
4. 根據權利要求2所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極設 置并互連在所述第一方向的一系列^象素中，以形成第一浮動電 才及線和第二浮動電^F及線，其中，所述第一浮動電極線和所述第 二浮動電極線位于不同系列的像素中，其中，所述第一浮動電 極線具有第一端點和第二端點，并且其中，所述第二浮動電極 線具有第三端點和第四端點。
5. 才艮據權利要求4所述的液晶顯示面^反，其中，所述第一端點和 所述第三端點位于所述基板的第一側并互相連接，并且其中， 所述第二端點和所述第四端點位于所述基^反的第二側并互相 連接。
6. 根據權利要求5所述的液晶顯示面板，其中，所述第一浮動電 極線和所述第二浮動電極線與外部電路電斷開。
7. 根據權利要求1所述的液晶顯示面板，進一步包括橋電極，所 述橋電極連接第三像素的所述第 一部分與第四像素的所述第 二部分，所述第四〗象素沿所述第二方向鄰近所述第三^象素設 置。
8. 根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其中，所述橋電極與柵 電才及交叉。
9. 根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其中，所述第三像素具 有第一接觸孔，所述第一接觸孔露出所述浮動電極的所述第一 部分，并且其中，所述第四像素具有第二4妄觸孔，所述第二4妄 觸孔露出所述浮動電才及的所述第二部分。
10. 根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其中，所述橋電極與所 述4象素電才及為同一層。
11. 根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其中，所述第一部分阻 擋所述數(shù)據線與所述第 一<象素的所述像素電才及之間的間隙中 的光泄漏。
12. 根據權利要求11所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極 的所述第一部分與所述數(shù)據線至少部分地交疊。
13. 根據權利要求11所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極 的所述第 一部分與所述像素電極部分地交疊。
14. 一種液晶顯示面外反，包才舌絕緣基板；多條沖冊極線，在所述絕緣基i反上沿第一方向延伸；多條數(shù)據線，沿第二方向延伸，所述第二方向與所述第一 方向在交叉點交叉，以限定^^素；薄膜晶體管，鄰近所述柵極線與所述數(shù)據線的所述交叉點形成；像素電極，連接于所述薄膜晶體管并設置在所述像素內；以及浮動電極，包括沿所述數(shù)據線延伸的阻光圖案以及像素內 連接圖案。
15. 根據權利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所述阻光圖案 至少沿所述第一方向的一個方向具有比所述凄t據線的寬度更 寬的第一寬度。
16. 才艮據片又利要求15所述的液晶顯示面4反，其中，所述阻光圖案 與第五像素的所述數(shù)據線完全交疊。
17. 根據權利要求16所述的液晶顯示面板，其中，所述阻光圖案 與所述4象素電才及部分;也交疊。
18. 根據權利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所迷像素內連 接圖案連接一個像素內的多個阻光圖案。
19. 根據權利要求18所述的液晶顯示面板，進一步包括橋電極， 所述橋電極連接第六像素的阻光圖案與第七像素的像素內連 接圖案，所述第七像素沿所述第二方向鄰近所述第六像素。
20. 根據權利要求19所述的液晶顯示面板，所述橋電極與所述像 素電4及為同一層。
21. 根據權利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極 在顯示區(qū)域內互相電連4妄，其中，所述顯示區(qū)i或用于有歲文的圖 像顯示。
22. 4艮據權利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極 與外部電3各電斷開。
23. 根據權利要求14所述的液晶顯示面板，其中，所述浮動電極 與所述柵4及線為同 一層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有提高的圖像質量的液晶顯示面板。該液晶顯示面板具有多條柵極線、多條數(shù)據線、連接于柵極線和數(shù)據線的多個薄膜晶體管、多個像素電極，以及(多個)浮動電極。浮動電極沿數(shù)據線方向延伸以防止光泄漏和垂直色度亮度干擾。在遍及整個液晶顯示面板中，浮動電極相互電連接，以減少垂直色度亮度干擾。
文檔編號G02F1/1362GK101126874SQ20071013576
公開日2008年2月20日 申請日期2007年8月16日 優(yōu)先權日2006年8月16日
發(fā)明者張鐘雄, 權英根 申請人:三星電子株式會社