專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且尤其涉及一種使用激光剝離工藝
(laser ablation process)來制作保護層的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展的趨勢。平 面顯示器主要有以下幾種有機電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)、等離子顯不器(plasma display panel)以及 薄膜晶體管液晶顯示器等(thin film transistor liquid crystal display)。 其中，又以薄膜晶體管液晶顯示器的應(yīng)用最為廣泛。 一般而言，薄膜晶體管液 晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor army substrate)、彩色濾光陣列基板(color filter substrate)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管陣列基板包括多條掃描線(scan lines)、多條數(shù)據(jù)線(data lines)以及多個陣列排列的像素結(jié)構(gòu)(pixel unit)，
且各個像素結(jié)構(gòu)分別與對應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。
圖1A 圖1G為現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。首先，請參照圖 1A，提供一基板IO，并通過第一道光掩模工藝于基板10上形成一柵極20。接 著，請參照圖1B，在基板10上形成一柵介電層30以覆蓋住柵極20。然后， 請參照圖1C，通過第二道光掩模工藝于柵介電層30上形成一位于柵極20上 方的通道層40。 一般而言，通道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphous silicon)。 之后，請參照圖1D，通過第三道光掩模工藝于通道層40的部分區(qū)域以與柵介 電層30的部分區(qū)域上形成一源極50以及一漏極60。由圖1D可知，源極50 與漏極60分別由通道層40的兩側(cè)延伸至柵介電層30上，并將通道層40的部 分區(qū)域暴露。接著，請參照圖1E，于基板10上形成一保護層70以覆蓋柵介 電層30、通道層40、源極50以及漏極60。然后，請參照圖1F，通過第四道 光掩模工藝將保護層70圖案化，以于保護層70中形成一接觸孔H。由圖1F
可知，保護層70中的的接觸孔H會將漏極60的部分區(qū)暴露。之后，請參照圖 1G，通過第四道光掩模工藝于保護層70上形成一像素電極80，由圖1G可知， 像素電極80會透過接觸孔H與漏極60電性連接。在像素電極80制作完成之 后，便完成了像素結(jié)構(gòu)90的制作。
承上述，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)90主要是通過五道光掩模工藝來進行制作，換 言的，像素結(jié)構(gòu)90需采用五個具有不同圖案的光掩模(mask)來進行制作。由 于光掩模的造價十分昂貴，且每道光掩模工藝皆須使用到具有不同圖案的光掩 模，因此，若無法縮減光掩模工藝的數(shù)目，像素結(jié)構(gòu)90的制造成本將無法降 低。
此外，隨著薄膜晶體管液晶顯示面板的尺寸日益增加，用來制作薄膜晶體 管陣列基板的光掩模尺寸亦會隨的增加，而大尺寸的光掩模在造價上將更為昂 貴，使得像素結(jié)構(gòu)90的制造成本無法有效地降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于降 低制作成本。
未實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其先提供一基板， 并形成一柵極于基板上。接著，形成一柵介電層于基板上，以覆蓋柵極。然后， 形成一通道層于柵極上方的柵介電層上。之后，形成一源極以及一漏極于柵極 兩側(cè)的通道層上，其中柵極、通道層、源極以及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。接著， 形成一保護層于柵介電層與薄膜晶體管上，并提供一第一屏蔽于保護層上方， 且第一屏蔽暴露出部分的保護層。接著，使用激光經(jīng)由第一屏蔽照射保護層， 以移除部分保護層而暴露出漏極。然后，形成一導(dǎo)電層以覆蓋保護層與暴露的 漏極，并且通過保護層使導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。
本發(fā)明提出另一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其先提供一基板，并形成一薄膜 晶體管于基板上。接著，形成一保護層于薄膜晶體管上，并提供一第一屏蔽于 保護層上方，且第一屏蔽暴露出部分的保護層。接著，使用激光經(jīng)由第一屏蔽 照射保護層，以移除部分保護層而暴露出漏極。然后，形成一導(dǎo)電層以覆蓋保 護層與暴露的漏極，并且通過保護層使導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包
括在形成圖案化保護層之后，烘烤圖案化保護層，以使圖案化保護層具有一蕈
狀(mushroom)的頂表面，其中圖案化保護層的蕈狀的頂表面略大于其底表面。 在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，上述形成柵極的方法，在一實施例中例 如先形成一第一金屬層于基板上。接著，再圖案化第一金屬層，以形成柵極。 在另一實施例中，形成柵極的方法例如先形成一第一金屬層于基板上。接著， 提供一第二屏蔽于第一金屬層上方，且第二屏蔽暴露出部分的第一金屬層。然 后，使用激光經(jīng)由第二屏蔽照射第一金屬層，以移除第二屏蔽所暴露的部分第 一金屬層。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成通道層的方法例如為先形成一半導(dǎo) 體層于基板上，接著，再圖案化半導(dǎo)體層，以形成通道層。在另一實施例中， 形成通道層的方法例如為先形成一半導(dǎo)體層于基板上。接著，提供一第三屏蔽 于半導(dǎo)體層上方，且第三屏蔽暴露出部分的半導(dǎo)體層。然后，使用激光經(jīng)由第 三屏蔽照射半導(dǎo)體層，以移除第三屏蔽所暴露的部分半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成源極以及漏極的方法例如為先形成 一第二金屬層于通道層與柵介電層上，接著，圖案化第二金屬層，以形成源極 以及漏極。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成導(dǎo)電層的方法包括通過濺鍍形成一 銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，照射于保護層的激光能量例如是介于 10至500mJ/cm2之間。另外，激光的波長例如是介于100 nm至400 nm之間。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，圖案化保護層的蕈狀的頂表面包括圖案 化保護層的頂表面略大于其底表面。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包括在形成像素電極之后，移除圖案 化保護層。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，還包括在形成柵極的同時形成一下層電 容電極，而在形成源極以及漏極的同時形成一上層電容電極，其中下層電容電 極與上層電容電極構(gòu)成一儲存電容器。
本發(fā)明通過保護層的適當(dāng)圖案在形成導(dǎo)電層的同時，即完成像素電極的制 作，因此相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制作方法，可以簡化工藝步驟并減少光掩模的 制作成本。此外，在制作保護層時，激光剝離工藝所使用的屏蔽較現(xiàn)有的光掩
模簡易，故此激光剝離工藝步驟中所使用的屏蔽的造價較為低廉。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配 合所附附圖，作詳細說明如下。


圖1A 圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖2A 圖2G為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖； 圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制作方法示意圖； 圖4A 圖4C為一種形成通道層的制作方法示意圖。 圖5A 圖5C為一種形成源極以及漏極的制作方法示意圖； 圖6A 圖6H為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。 其中，附圖標(biāo)記
10、 200:基板20、 212:柵極
30:柵介電層40、 232:通道層
50、 242:源極60、 244:漏極
70:保護層80、 282:像素電極
90:像素結(jié)構(gòu)210:第一金屬層
216:下層電容電極220:柵介電層
230:半導(dǎo)體層240:第二金屬層
246:上層電容電極250:圖案化光阻層
260:薄膜晶體管270:保護層
272:圖案化保護層280:導(dǎo)電層
280A、 280B:部分導(dǎo)電層282:像素電極
C:儲存電容器L:激光
H:接觸孔M:蕈狀的頂表面
Sh第一屏蔽S2:第二屏蔽
S3:第三屏蔽
具體實施例方式
第一實施例
圖2A 圖2G為本發(fā)明的第一實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法示意圖。請參 照圖2A，首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑料等硬質(zhì)或軟 質(zhì)材料。接著，形成一柵極212于基板200上。在本實施例中，還包括在形成 柵極212的同時形成下層電容電極216。
接著，請參照圖2B，形成一柵介電層220于基板200上，以覆蓋柵極212 以及下層電容電極216，其中柵介電層220例如是通過化學(xué)氣相沉積法 (chemical vapor d印osition， CVD)或其它合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而 柵介電層220的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。接著，如 圖2B所示，形成一通道層232于柵極212上方的柵介電層220上。
請接著參照圖2C，形成一源極242以及一漏極244于柵極212兩側(cè)的通 道層232上，其中柵極212、通道層232、源極242以及漏極244構(gòu)成一薄膜 晶體管260。值得注意的是，薄膜晶體管260的制作方式并不限定上述步驟， 薄膜晶體管260也可以是利用其它合適工藝或其它步驟而完成，本發(fā)明的薄膜 晶體管260的制作方式并不以此為限。另外，在本實施例中，還包括在形成源 極242以及漏極244的同時，形成上層電容電極246于下層電容電極216的柵 介電層220上方，如圖2C所示，而下層電容電極216與上層電容電極246構(gòu) 成一儲存電容器C，以維持良好的顯示質(zhì)量。
接著，請參照圖2D，形成一保護層270于柵介電層220、薄膜晶體管260 及上層電容電極246上，保護層270的材質(zhì)可以例如是丙烯酸樹脂、感旋光性 樹脂等有機介電材料所組成，也可以例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等無機 介電材料所組成，而形成保護層270的方法例如是通過光阻涂布或其它合適的 薄膜沉積技術(shù)，如化學(xué)氣相沉積法所形成。接著，提供一第一屏蔽Sl于保護 層270上方，如圖2D所示，第一屏蔽S1暴露出部分的保護層270，并使用激 光L經(jīng)由第一屏蔽Sl照射保護層270。
之后，如圖2E所示，在使用激光L經(jīng)由第一屏蔽S1移除被暴露的部分保 護層270后，經(jīng)激光處理后留下的圖案化保護層272暴露出漏極244、部分柵 介電層220以及部分上層電容電極246。詳言之，經(jīng)激光L照射后的保護層270 會吸收激光L的能量而自柵介電層220與部分薄膜晶體管260表面剝離 (lift-off)，留下被第一屏蔽Sl遮住的保護層270。具體而言，用來剝離 保護層270的激光L的能量例如是介于10至500 mJ/cm2之間。另外，激光L
的波長例如是介于100 rnn至400 nni之間。請繼續(xù)參照圖2E，接著以保護層 270以及第二金屬層240為掩模，進行一蝕刻工藝，以移除暴露出的部分柵介 電層220，以暴露出部分基板200，并同時暴露出柵極焊墊(未繪示)上的第 一金屬層(未繪示)。本發(fā)明利用保護層270對特定激光吸收，但是其它底下 的材料層對特定激光幾乎不吸收的特性，通過激光L與第一屏蔽Sl可以更有 效徹底地移除部分保護層270，又可以避免傳統(tǒng)蝕刻工藝對底下第二金屬層 240表面的破壞，所以可以使薄膜晶體管獲得更佳的電性，進而獲得更佳的顯 示質(zhì)量。
然后，請參考圖2F，形成一導(dǎo)電層280，以覆蓋圖案化保護層272以及暴 露的漏極244、部分基板200與部分上層電容電極246，而形成導(dǎo)電層280的 方法例如是通過濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。在圖2F中，由 于作為導(dǎo)電層280底層的圖案化保護層272具有一適當(dāng)厚度，因此在形成導(dǎo)電 層280時會形成電性絕緣的二部分導(dǎo)電層280A與280B。詳言之，設(shè)計者可以 適當(dāng)控制底層圖案化保護層272的厚度，并利用導(dǎo)電層280的薄膜沉積工藝的 非等向性特性，使得導(dǎo)電層280因應(yīng)底層圖案化保護層272的厚度落差，形成 不連續(xù)的二部分導(dǎo)電層280A與280B。其中， 一部分導(dǎo)電層280A形成于圖案 化保護層272上，而另一部分導(dǎo)電層280B則形成于基板200、漏極244與上 層電容電極246上，而部分與漏極244連接的導(dǎo)電層280B則構(gòu)成像素電極282 ， 像素電極282并同時電性連接上層電容電極246。值得注意的是，不同于現(xiàn)有 技術(shù)，本實施例利用適當(dāng)厚度落差的圖案化保護層272設(shè)計，于形成導(dǎo)電層 280的同時，定義出像素電極282，因此本發(fā)明可以減少一道光掩模工藝，并 降低工藝的復(fù)雜度。
一般而言，在形成像素電極282之后，還可以將圖案化保護層272移除， 如圖2G所示。移除圖案化保護層272的方法例如使用一剝離液于圖案化保護 層272的表面，使得圖案化保護層272的底表面因剝離液的侵入而自薄膜晶體 管260表面或上層電容電極246表面剝離，并可一并移除圖案化保護層272 上方的部分導(dǎo)電層280A。
此外，上述形成柵極212(繪示于圖2A)的方法例如可以使用激光剝離工藝 來進行制作。圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制作方法示意圖。請先 參照圖3A，形成一第一金屬層210于基板200上。接著參照圖3B，提供一第
二屏蔽S2于第一金屬層210上方，且第二屏蔽S2暴露出部分的第一金屬層 210。然后，使用激光L經(jīng)由第二屏蔽S2照射第一金屬層210，以移除第二屏 蔽S2所暴露的部分第一金屬層210。最后如圖3C所示，剩余的第一金屬層210 構(gòu)成柵極212以及下層電容電極216。在另一實施例中，形成柵極212的方法 也可以是先形成一第一金屬層210于基板220上。之后再將第一金屬層210 圖案化，以形成柵極212以及下層電容電極216。第一金屬層210例如是通過 濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation)或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，而第 一金屬層210的圖案化例如是通過微影與蝕刻工藝來進行。
另外，上述形成通道層232(繪示于圖2B)的方法也可以例如是使用激光剝 離工藝來進行制作。圖4A 圖4C為一種形成通道層的制作方法示意圖。請先 參照圖4A，形成一半導(dǎo)體層230于柵介電層220上。接著，如圖4B所示，提 供一第三屏蔽S3于半導(dǎo)體層230上方，且第三屏蔽暴露出部分的半導(dǎo)體層 230。然后，使用激光L經(jīng)由第三屏蔽S3照射半導(dǎo)體層230，以移除第三屏蔽 S3所暴露的部分半導(dǎo)體層230。然后，如圖4C所示，于柵極212上方的柵介 電層220上形成通道層232。在另一實施例中，形成通道層232的方法例如為 先形成一半導(dǎo)體層230于柵介電層220上，再圖案化半導(dǎo)體層230，以形成通 道層232，而半導(dǎo)體層230的圖案化例如是通過微影與蝕刻工藝來進行。在本 實施例中，半導(dǎo)體層230的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)、復(fù)晶硅 (polysilicon)或其它半導(dǎo)體材料。此外，在其它實施例中，可先在半導(dǎo)體層 230的表面形成一歐姆接觸層(未示出)，接著，再通過一蝕刻工藝移除部分 的歐姆接觸層(未示出)。舉例而言，可利用離子摻雜(ion doping)的方式于 半導(dǎo)體層230的表面形成N型摻雜區(qū)，以減少通道層232與源極242之間以及 通道層232與漏極244之間的接觸阻抗。
另外，上述形成源極242以及漏極244(繪示于圖2C)的方法也可以例如是 使用微影與蝕刻工藝來進行制作。圖5A 圖5C為一種形成源極以及漏極的制 作方法示意圖。請先參照圖5A，形成一第二金屬層240于通道層232與柵介 電層220上。接著請參照圖5B，圖案化第二金屬層240。詳言之，圖案化第二 金屬層240例如是在柵極212兩側(cè)的通道層232上形成一圖案化光阻層250， 并以此圖案化光阻層250為掩模進行一蝕刻工藝，以去除未被圖案化光阻層 250覆蓋的第二金屬層240。移除圖案化光阻層250之后，如圖5C所示，在柵
極212兩側(cè)的通道層232上分別形成源極242以及漏極242。在本實施例中， 圖案化光阻層250還包括形成于下層電容電極216上方的第二金屬層240上， 以于進行蝕刻工藝后，形成上層電容電極246。第二金屬層240的材質(zhì)例如為 鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化物如氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、 其迭層、上述的合金或是其它導(dǎo)電材料。在本實施例中，蝕刻工藝例如為進行 一濕式蝕刻，在其它實施例中，蝕刻工藝也可以是干式蝕刻。另外，去除圖案 化光阻層250的工藝例如是濕式蝕刻工藝。 第二實施例
圖6A 圖6H為本發(fā)明的第二實施例中像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。由 于圖6A 圖6E的步驟與第一實施例的圖2A 圖2E相似，且其中相同組件符 號表示相同組件，故此處省略其描述。
請參照圖6F，接著烘烤圖案化保護層272，以使圖案化保護層272具有一 蕈狀的頂表面M。烘烤后的圖案化保護層272會呈現(xiàn)圖案化保護層272的頂表 面略大于其底表面的圖案，使得圖案化保護層272的頂表面實質(zhì)上呈現(xiàn)上述的 蕈狀的頂表面M。值得一提的是，在實務(wù)上必須考慮實際烘烤工藝的溫度、加 熱速度、加熱時間等工藝誤差，因此圖案化保護層272的形狀可能因工藝誤差 而有些許變異，但大致上呈現(xiàn)頂表面略大于其底表面的蕈狀圖案，本發(fā)明的圖 案化保護層272的頂表面形狀并不以此為限。
然后，請參考圖6G，形成一導(dǎo)電層280，以覆蓋圖案化保護層272與暴露 的漏極244，而形成導(dǎo)電層280的方法例如是通過濺鍍形成一銦錫氧化物層或 一銦鋅氧化物層。在圖6G中，由于圖案化保護層272具有頂表面略大于其底 表面的蕈狀的頂表面M，因此在形成導(dǎo)電層280時會形成電性絕緣的二部分導(dǎo) 電層280A與280B。其中， 一部分導(dǎo)電層280A形成于圖案化保護層272上， 另一部分導(dǎo)電層280B則形成于基板200、漏極244與部分上層電容電極246 上。其中，部分與漏極244連接的導(dǎo)電層280B則構(gòu)成像素電極282，并同時 電性連接上層電容電極246。值得注意的是，不同于現(xiàn)有，本發(fā)明利用圖案化 保護層272的蕈狀頂表面M的設(shè)計，于形成導(dǎo)電層280時即同時定義出像素電 極282，因此本發(fā)明可以減少一道光掩模工藝，并降低工藝的復(fù)雜度。
一般而言，在形成像素電極282之后，還可以將圖案化保護層272移除， 如圖6H所示。移除圖案化保護層272的方法例如使用一剝離液于圖案化保護
層272的表面，使得圖案化保護層272的底表面因剝離液的侵入而自薄膜晶體 管260表面或上層電容電極246表面剝離，并同時移除圖案化保護層272上方 的部分導(dǎo)電層280A。
基于上述，本發(fā)明在像素電極的制作上，不同于現(xiàn)有使用一道光掩模來進 行像素電極的的制作，而是在形成導(dǎo)電層的同時，通過適當(dāng)圖案的圖案化保護 層直接圖案化導(dǎo)電層，以形成像素電極，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)具有減少工藝步 驟的優(yōu)點。并且，本發(fā)明采用激光剝離的方式形成保護層，而非采用現(xiàn)有的微 影與蝕刻工藝，因此本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具有下列優(yōu)點
1. 本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其像素電極工藝采用激光剝離的方 式而不需使用微影工藝，故相較于微影工藝所使用的高精度光掩模工藝，能降 低光掩模的制作成本。
2. 由于制作像素結(jié)構(gòu)的工藝較少，可以減少冗長的光掩模工藝(如光阻涂 布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、光阻剝除等)制作像素結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生缺 陷。
3. 本發(fā)明所提出的激光剝離保護層的方法可以應(yīng)用于像素修補中的像素 電極的修補，以在像素結(jié)構(gòu)工藝中，移除可能殘留的像素電極(IT0residue)， 解決像素電極之間的短路問題，進而增加生產(chǎn)良率。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變 形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1、一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括提供一基板；形成一柵極于該基板上；形成一柵介電層于該基板上，以覆蓋該柵極；形成一通道層于該柵極上方的該柵介電層上；形成一源極以及一漏極于該柵極兩側(cè)的該通道層上，其中該柵極、該通道層、該源極以及該漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；形成一保護層于該柵介電層與該薄膜晶體管上；提供一第一屏蔽于該保護層上方，且該第一屏蔽暴露出部分該保護層；使用激光經(jīng)由該第一屏蔽照射該保護層，以剝離所暴露出的部分該保護層，形成一暴露出該漏極的圖案化保護層；以及形成一導(dǎo)電層，以覆蓋該圖案化保護層與暴露的該漏極，并且通過該圖案化保護層使該導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括在 使用激光照射該保護層之后，烘烤該圖案化保護層，以使該圖案化保護層具有 一蕈狀的頂表面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該圖案化 保護層的該蕈狀的頂表面略大于該圖案化保護層的底表面。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括在 形成該導(dǎo)電層之后，移除該圖案化保護層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該柵 極的方法包括形成一第一金屬層于該基板上；以及 圖案化該第一金屬層，以形成該柵極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該柵 極的方法包括形成一第一金屬層于該基板上；提供一第二屏蔽于該第一金屬層上方，且該第二屏蔽暴露出部分的該第一 金屬層；以及使用激光經(jīng)由該第二屏蔽照射該第一金屬層，以移除該第二屏蔽所暴露的 部分該第一金屬層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該通道層的方法包括形成一半導(dǎo)體層于該基板上；以及圖案化該半導(dǎo)體層，以形成該通道層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該通 道層的方法包括形成一半導(dǎo)體層于該基板上；提供一第三屏蔽于該半導(dǎo)體層上方，且該第三屏蔽暴露出部分的該半導(dǎo)體層；以及使用激光經(jīng)由該第三屏蔽照射該半導(dǎo)體層，以移除該第三屏蔽所暴露的部 分該半導(dǎo)體層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該源 極以及該漏極的方法包括形成一第二金屬層于該通道層與該柵介電層上；以及 圖案化該第二金屬層，以形成該源極以及該漏極。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該導(dǎo) 電層的方法包括通過濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該激光的 能量介于10至500 mj/ci^之間。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該激光的 波長介于100 nm至400 nm之間。
13、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括在 形成該柵極的同時形成一下層電容電極，而在形成該源極以及漏極的同時形成 一上層電容電極，其中該下層電容電極與該上層電容電極構(gòu)成一儲存電容器。
14、 一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括-提供一基板；形成一薄膜晶體管于該基板上； 形成一保護層于該薄膜晶體管上；提供一第一屏蔽于該保護層上方，且該第一屏蔽暴露出部分的該保護層；使用激光經(jīng)由該第一屏蔽照射該保護層，以剝離所暴露出的部分該保護層，形成一暴露出該漏極的圖案化保護層；形成一導(dǎo)電層，以覆蓋該圖案化保護層與暴露的該漏極，并且通過該圖案 化保護層使該導(dǎo)電層圖案化，以形成一像素電極。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括在使用激光照 射該保護層之后，烘烤該圖案化保護層，以使該圖案化保護層具有一蕈狀的頂 表面。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該圖案 化保護層的該蕈狀的頂表面略大于該圖案化保護層的底表面。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括 在形成該導(dǎo)電層之后，移除該圖案化保護層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟首先，提供一基板，并形成柵極于基板上。接著，形成柵介電層于基板上以覆蓋柵極。然后，形成通道層于柵極上方的柵介電層上。之后，形成源極與漏極于柵極兩側(cè)的通道層上，柵極、通道層、源極與漏極構(gòu)成薄膜晶體管。接著，形成保護層于柵介電層與薄膜晶體管上，并提供一暴露出部分保護層的第一屏蔽于保護層上方，再使用激光經(jīng)由第一屏蔽照射保護層以去除部分保護層而暴露出漏極。之后，形成導(dǎo)電層以覆蓋保護層與暴露的漏極，并通過保護層使導(dǎo)電層圖案化，以形成像素電極。
文檔編號G02F1/1333GK101114620SQ20071014564
公開日2008年1月30日 申請日期2007年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月6日
發(fā)明者廖達文, 廖金閱, 楊智鈞, 林漢涂, 石志鴻, 蔡佳琪, 黃明遠 申請人:友達光電股份有限公司