專利名稱：具有可著色有機(jī)層的顯示基板及其制造方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示基板及其制造方法和具有該顯示基板的顯示裝置，
例如液晶顯示器(LCD),尤其涉及一種顯示基板結(jié)構(gòu)，利用該結(jié)構(gòu)，可以 減小顯示器的彩色濾光片和像素電極之間存在的偏移。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的液晶顯示器(LCD)裝置包括含薄膜晶體管(TFT，s)基板和 含彩色濾光片基板，并且該含彩色濾光片基板間隔開含TFT，s基板。含TFT，s 基板和含彩色濾光片基板中的每一個都包含有對應(yīng)于該顯示器的像素區(qū)域 的透明區(qū)域。液晶材料層嵌入在含TFT，s基板和含彩色濾光片基板之間的空隙中。
傳統(tǒng)的含TFT，s基板包括絕緣基板、多條信號線、多個薄膜晶體管 (TFT，s)以及多個像素電極，通過該像素電極，驅(qū)動相鄰的液晶材料使其 成為多個光學(xué)方向中期望的一個方向，從而為相應(yīng)的多個顯示像素產(chǎn)生期望 的光效應(yīng)。
傳統(tǒng)的含彩色濾光片基板包括彩色濾光片層和公用電極。彩色濾光片 層可以包括順次一個挨著一個排列的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)彩色濾光 片，從而定義對應(yīng)于顯示像素的顏色。公用電極間隔開且面對著在含TFT、s 基板上的多個像素電極。
理想地，含彩色濾光片基板的紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)和/或其他彩 色濾光片優(yōu)選排列在含TFT基板的像素電極上方。然而，如果大量生產(chǎn)過程
LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量將隨著含TFT基板和含彩色濾光片基板之間偏移 的程度而發(fā)生惡化。這樣，如果批量生產(chǎn)的差異導(dǎo)致了含TFT基板和含彩色 濾光片基板之間大幅度的未對準(zhǔn)，LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量將明顯惡化。
為了防止這種偏移，開發(fā)了一種新型的LCD裝置，其中彩色濾光片直 接集成配置在含TFT基板上。這種新型的LCD裝置有時被稱之為彩色在陣
列上(Color-On-Array， COA )型裝置。
然而，當(dāng)彩色在陣列上(COA)型裝置的材料直接地提供在像素電極附 近時，雜質(zhì)可從COA型裝置的彩色濾光片流出，從而通過像素電極中的開 口且進(jìn)入到液晶層中，導(dǎo)致液晶材料被這些漏過的雜質(zhì)所污染。此外，如果 有機(jī)層形成在該像素電極下方，從而有助于使含TFT基板平面化，雜質(zhì)可以 通過該有^L絕緣層^^人而污染直"I妻位于該有^L平面化層上方的液晶層。
進(jìn)一步，為了在批量生產(chǎn)中對該偏移進(jìn)行補(bǔ)償，使形成在傳統(tǒng)的含彩色 濾光片基板上的遮光(blackout)矩陣的寬度典型增加了假設(shè)含TFT基板與 含彩色濾光片基板之間可能偏移的容許余量，結(jié)果，不利的是，被稱之為孔 徑率(光穿過像素區(qū)域相對于遮光顯示區(qū)域的比值)的測定值被降低。并且， 傳統(tǒng)的具有與該彩色濾光片集成為一體的遮光矩陣的含彩色濾光片基板為 了使該含彩色濾光片基板的底表面平面化，特別需要一個涂覆層。結(jié)果，不 利的是，穿過該顯示器的光線穿透率則由于該提供平面化的涂覆層的存在而 減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種COA型的顯示基板結(jié)構(gòu)，以使由于雜質(zhì)泄漏造成的缺 陷降低。
根據(jù)本發(fā)明一個方面的顯示基板結(jié)構(gòu)包括含薄膜晶體管層、鈍化層、 可著色的有機(jī)層、無機(jī)絕緣層以及像素電極。該含薄膜晶體管層包括多個 柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和存儲電極。該數(shù)據(jù)線與柵極線相交叉，但是 通過柵絕緣層與該柵極線電絕緣。該薄膜晶體管在所述線的交叉區(qū)域分別與 柵極線和數(shù)據(jù)線電連接。該鈍化層覆蓋在該薄膜晶體管層上。該可著色有機(jī) 層沉積在該鈍化層上。該無機(jī)絕緣層可以是低溫沉積型，且沉積在該有機(jī)層 上用于密封，防止該有機(jī)層的雜質(zhì)漏入到上方的液晶材料中。該無機(jī)絕緣層 可以是在約IOO'C到約250。C的溫度下進(jìn)行的低溫沉積過程形成的。該像素 電極形成在該無機(jī)絕緣層上，從而通過穿過該無機(jī)絕緣層、穿過有機(jī)層以及 穿過該鈍化層限定的接觸孔電連接到該薄膜晶體管，使得直接與薄膜晶體管 (TFT)的漏(極)端相連。
該有機(jī)層還可以在該存儲電極的位置處具有穿過其定義的另一個孔，和 該像素電極可以在該第二個孔的位置與該存儲電極部分重疊，并且為了防止
雜質(zhì)從可著色的有機(jī)層中泄漏，還具有至少配置在其間的無機(jī)絕緣層。
該有機(jī)層可用作平面化層(planarizing layer), 4吏該含TFT基板的表面 平面化?？蛇x地或附加地，為了顯示彩色圖像的目的，該有機(jī)層可用作提供 光學(xué)帶通功能的彩色濾光片以使得光線通過對應(yīng)的像素區(qū)域。
一個實(shí)施例中，該無機(jī)絕緣層可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。該無機(jī) 絕緣層可以在約100。C到約250。C的低溫下通過CVD (化學(xué)氣相沉積法)沉 積。該無機(jī)絕緣層的厚度可以為約500A至約2000A。該有機(jī)層的厚度可為 約2.5,至約3.5,。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的顯示基板結(jié)構(gòu)包括含薄膜晶體管層、鈍化層、 彩色濾光片層、多個像素電極和光阻層(light blocking layer)。該含薄膜晶 體管層包括多個柵極線、多個與該柵極線相交叉但通過柵絕緣層與該柵極 線電絕緣的數(shù)據(jù)線、多個電連接至該柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、以及多 個存儲電極。該鈍化層覆蓋在該薄膜晶體管層之上。該彩色濾光片層設(shè)置在 該鈍化層上。該像素電極設(shè)置在該彩色濾光片層上與每個像素相對應(yīng)的位置 上。該光阻層設(shè)置在該薄膜晶體管層上，并且定位成阻止相鄰像素區(qū)域之間 的區(qū)域中光線通過。
該彩色濾光片層可以包括多個具有不同顏色的彩色濾光片，和該光阻層 可以位于相鄰彩色濾光片間的邊界部分上。該相鄰彩色濾光片間的邊界部分 可為凹陷形狀。
下面，提供一種根據(jù)本發(fā)明另一方面的顯示基板的制造方法。包括多個 以矩陣排列的像素部分的像素單元層形成在基本透明的絕緣基板上(例如玻
璃或塑料)。有機(jī)層被形成在該像素單元層上。無機(jī)層形成在該有機(jī)層上。 多個像素電極形成在該無機(jī)絕緣層上與每個像素部分對應(yīng)的位置上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的顯示裝置包括顯示基板、對向基板(opposite substrate)和液晶層。該顯示基板包括像素層、彩色濾光片層、低溫沉積 的無機(jī)絕緣層和像素電極。該像素層包括多個以矩陣形排列的像素部分。該 彩色濾光片層在像素層上，并且該彩色濾光片層的厚度為約2.5pm至約 3.5jim。該無機(jī)絕緣層在該彩色濾光片層上，并且該低溫為約500A至約 2000A。該像素電極在該無機(jī)絕緣層上與每個像素部分相對應(yīng)。該對向基板 與該顯示基板相對，/人而與該顯示基板組合成一體。該液晶層嵌入在該顯示 基板和該對向基^反之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的顯示裝置包括顯示基板、對向基板以及液晶
層。該顯示基板包括薄膜晶體管層、鈍化層、彩色濾光片層、像素電極和光 阻層。該薄膜晶體管層包括柵極線、與該柵極線交叉并通過柵絕緣層與該柵 極線電絕緣的數(shù)據(jù)線、電連接至該柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管、以及存儲 電極。該鈍化層覆蓋在該薄膜晶體管層之上。該彩色濾光片層在該鈍化層上。 該像素電極在該彩色濾光片層上，與每個像素相對應(yīng)。該光阻層在該薄膜晶 體管層上。該光阻層位于相鄰像素之間。該對向基板與該顯示基板組合，并 且在與該顯示基板相對的表面上包括公共電極。該液晶層嵌入在該顯示基板 和對向基板之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，由于該無機(jī)層具有不滲透的屏障，使得可能從 該有機(jī)層中漏過的雜質(zhì)被擋住，從而防止其流入液晶材料層中。這樣，就可 以降低可由雜質(zhì)泄漏導(dǎo)致的殘留影象效應(yīng)，和從而提高圖像的顯示質(zhì)量。并
且，由于該光阻層集成地形成在該含TFT基板中與該彩色濾光片嚴(yán)格對準(zhǔn)， 該顯示器的孔徑率相對于傳統(tǒng)的、非COA型的顯示器可有所提高。


本發(fā)明的上述和其他方面將通過結(jié)合附圖對不同的實(shí)施例的詳細(xì)描述 變得更加清楚明白，其中
圖l是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的顯示基板的平面圖2是沿線I-I'的橫截面圖3是根據(jù)另一實(shí)施例的顯示基板的平面圖4是圖1所示的顯示基板的制造方法的流程圖5至9是圖4所示的顯示基板的制造方法的橫截面圖IO是根據(jù)另一實(shí)施例的顯示裝置的橫截面圖11是根據(jù)另一實(shí)施例的顯示裝置的橫截面圖；以及
圖12是圖11所示的顯示基板的平面圖。
具體實(shí)施例方式
附圖中，為了清楚可以將層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸放大，可以理解它 們不必是按比例的。進(jìn)一步可以理解，當(dāng)描述一個元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)?"上"、與另一元件或?qū)?連接，，或者"耦合"，可以是直接在其上、直接與 另一元件或?qū)舆B接或耦合或者是插入元件或?qū)?。相反，?dāng)一個元件被描述為
"直接在上"、"直接連接"或"直接耦合"至另一元件或?qū)樱筒皇遣迦朐?件或?qū)?。同樣的或類似的?shù)字在通篇表示同樣的或類似的元件。正如這里使 用的，術(shù)語"和/或"包括相關(guān)所列術(shù)語中的 一個或多個的任何一個和所有的組合。
可以理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可用來描述不同的元件、組分、 區(qū)域、層和/或部分，這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù) 語的限定。這些術(shù)語僅僅用于將一個元件、組分、區(qū)域、層或部分與其他區(qū) 域、層或部分區(qū)分開來。這樣在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)的情況下，以下討論的第 一元件、組分、區(qū)域、層或部分可以使用術(shù)語第二元件、組分、區(qū)域、層或 部分進(jìn)行描述。
在這里為了描述的筒便，可使用空間相對術(shù)語，例如"之下(beneath)"、 "下方(below )，，、"下面的(lower )，，、"上方(above )，，、"上面(upper)" 等，用來描述正如圖中所表示的一個元件或特征與另 一 (些)元件或特征的 關(guān)系?？梢岳斫猓摽臻g相對術(shù)語除了表示圖中所示的方向外，還包括該裝 置在使用或操作中的不同方向。例如，如果將圖中的裝置倒置，被描述為在 其他元件或特征"下方"或"之下"的元件的方向?qū)⒆優(yōu)樵谄渌蛱卣?"上方"。這樣，示例性的術(shù)語"下方，，可以包括上方和下方兩個方向。該 裝置還可以是其他方向(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)和對此處所使用的該空間 相對的描述語作相應(yīng)的解釋。
這里使用的術(shù)語目的僅僅是為了描述特別的實(shí)施例，并不用于限定本發(fā) 明的保護(hù)范圍。正如這里使用的，單數(shù)形式"一 (a、 an)"和"該(the)" 也將包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地表明了其他情況。還可以理解，術(shù)語 "包含"和/或"包括"，在本說明書中使用時，說明存在特定特征、參數(shù) (integers )、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或附加一個或多 個其他特征、參數(shù)(integers )、步驟、操作、元件、組分、和/或其組合。
這里，參照本發(fā)明理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的結(jié)構(gòu)示意圖的橫截面圖， 對實(shí)施例進(jìn)行描述。同樣地，對于這些圖的形狀的變化，例如由制造技術(shù)和 /或7>差造成，也可以想到。這樣，實(shí)施例不應(yīng)該祐:構(gòu)造成限定這里圖示區(qū)域 的特定形狀，而是包括由于例如制造產(chǎn)生的形狀偏差。例如，用矩形圖示的 注入?yún)^(qū)域典型具有圓形或曲線特征和/或在其邊鄉(xiāng)彖具有注入濃度(implant concentration)的梯度，而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域呈二元變化。同樣地，
由注入(implantation)形成的埋入?yún)^(qū)域可以導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)域和該注入發(fā)生表 面之間的區(qū)域中的某種注入。這樣，圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它 們的形狀并不解釋為裝置區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不會限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
除非有其他定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科技術(shù)語)與本發(fā) 明所屬4支術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還可以理解，例如那 些用詞典通常定義的術(shù)語，應(yīng)該被解釋為其含義與相關(guān)技術(shù)的上下文中的含 義相一致，并且不用理想地或極度形式的含義作解釋，除非有明確定義。
參照圖1和2,根據(jù)本發(fā)明的顯示基板100包括像素單元層200、有機(jī) 層300、無機(jī)絕緣層400及像素電極層500。
該像素單元層200包括多個像素部分220，其按照矩陣分布在該絕緣基 板210上。該絕緣基板210包括透明材料。該透明材料例如可以是玻璃。
該像素單元層200包括含薄膜晶體管層230和鈍化層240。該含薄膜晶 體管層230形成在該絕緣基板上。該鈍化層240覆蓋在該含薄膜晶體管層230 上。
該含薄膜晶體管層230包括薄膜晶體管(TFT)和電荷存儲電極231。 該圖示的薄膜晶體管TFT和存儲電極231對應(yīng)于像素部分220中的一個。
該含薄膜晶體管層230可以進(jìn)一步包括柵極線232和數(shù)據(jù)線233。該柵 極和數(shù)據(jù)線232和233可以為相應(yīng)的^^素部分220限定一^f象素區(qū)域邊界。該 數(shù)據(jù)線233用柵絕緣層234與4冊極線232電絕緣。該數(shù)據(jù)線233與該4冊極線 232相交叉。
該柵極線232形成在該絕緣基板210上，并且限定出該相應(yīng)^f象素區(qū)域部 分220的上邊界部分或下邊界部分中的至少一個。
該柵絕緣層234形成在具有柵極線232的絕緣基板210上，以覆蓋該柵 極線232。能夠用于該柵絕緣層234的絕緣材料的例子包括硅氮化物、硅氧 化物等中的一個或多個。該柵絕緣層234可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法 形成。例如，該4冊絕纟彖層234的厚度可以為約3000A至約4500A。
該數(shù)據(jù)線233形成在該柵絕緣層234上，并與該棚-極線232交叉，/人而 限定出每個像素區(qū)域部分220的左邊界部分和右邊界部分中的至少 一個。
該薄膜晶體管TFT電連接至該柵極線232和數(shù)據(jù)線233,并形成在每個 像素部分220中。該薄膜晶體管TFT作為一開關(guān)，用來基于通過該柵極線
232傳遞的柵電壓，選擇性地施加從數(shù)據(jù)線233傳遞的數(shù)據(jù)電壓到該像素電 極500。
該薄膜晶體管(TFT)包括柵電極235，有源層(active layer) 236、源 電極237以及漏電極238。
該柵電極235電連接至該柵極線232,并且用作薄膜晶體管TFT的控制 柵極部分。
該有源層236形成在該4冊絕緣層234上，以覆蓋該4冊電極235。該有源 層236包括半導(dǎo)體層236a和歐姆接觸層236b。例如，該半導(dǎo)體層236a包括 導(dǎo)電摻雜無定形硅(a-Si),和歐姆接觸層236b包括n+摻雜無定形硅(n+ a-Si)。 n+雜質(zhì)可以被注入到無定形硅層的上部，從而形成歐姆接觸層236b。
源電極237形成在有源層236上，并與該數(shù)據(jù)線233電連接。該源電極 237用作該薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域。
該漏電極238與該源電才及237相隔開地分布在該有源層236上。該漏電 極238用作該薄膜晶體管TFT的漏極區(qū)域。該漏電極238通過接觸孔CNT 電連接至像素電極500,該接觸孔CNT通過鈍化層240、有機(jī)層300和無機(jī) 絕緣層400形成。
該源電極237與該漏電才及238相隔開地分布在該有源層236上，并且在 該源和漏電極237和238之間的有源層236中形成溝道區(qū)(channel region )。
例如，有源層236的邊緣可與該數(shù)據(jù)線233、源電極237和漏電極238 的外邊緣基本上相同，從而使得有源層236的邊緣可以與該數(shù)據(jù)線233、源 電極237和漏電極238的外邊緣重疊。
存儲電極231與存儲線239電連接，并且形成在每個像素部分220中。
的層構(gòu)成。該存儲電極231和存儲線239可以包括與柵極線232和柵電極235 基本上相同的材料。該存儲電極231、柵絕緣層234、鈍化層240、無機(jī)絕緣 層400以及像素電極500構(gòu)成存儲電容器Cst。該l象素電極500與該存儲電 極231近距離隔開并相對。該柵絕緣層234、鈍化層240以及無機(jī)絕緣層400 嵌入在像素電極500和存儲電極231之間，從而限定電荷存儲電容器。在一 個圖像定義幀(frame)階段，該存儲電容器Cst有助于維持通過該薄膜晶體 管TFT施加在像素電極500上的圖像電壓。
該鈍化層240形成在具有薄膜晶體管TFT和存儲電極231的薄膜晶體管
層230上。該鈍化層240包括絕緣材料?？捎糜谠撯g化層240的絕緣材料的 例子包括硅氮化物、硅氧化物等。該鈍化層240可以通過約250。C的高溫沉 積方法形成。該鈍化層240的厚度可以為約500A至約2000A。
該有機(jī)層300形成在鈍化層240上。例如，該有機(jī)層300使顯示基板100 的表面平面化。該有機(jī)層300可以包括非敏感性的光刻膠有機(jī)材料。可選地 或附加地，該有機(jī)層300可包括有色的染料(coloring dye)以便顯示彩色圖 像。該有機(jī)層300的彩色濾光片層可以包括色素(pigment )或著色劑。例如， 該有機(jī)層300的彩色濾光片層可以包括含有紅色著色劑的紅色濾光片、含有 綠色著色劑的綠色濾光片以及含有藍(lán)色著色劑的藍(lán)色濾光片。該紅、綠和藍(lán) 色濾光片可以一個挨著一個地排列在像素層200上。例如，該紅、綠和藍(lán)色 濾光片可以對應(yīng)于三個矩形的^^素部分220,分別#:此相鄰排列>^人而限定出 方形形狀和彩色像素區(qū)域。
該有機(jī)層300的厚度可以增加，從而使顯示基板100的表面平面化。例 如，有機(jī)層300的厚度可以為約2.5jum至約3.5jum。
有機(jī)層300具有穿過其限定的第 一個孔Hl和第二個孔H2。該第 一個孔 Hl與漏電極238對應(yīng)，從而形成接觸孔CNT。第二個孔H2與存儲電極231 對應(yīng)，從而形成存儲電容器Cst。
無機(jī)絕緣層400橫跨具有有機(jī)層300的絕緣基板210的基本上整個表面 的以趁覆的方式而形成，從而密封該有機(jī)層300。該無機(jī)絕緣層400基本防 止雜質(zhì)從該有機(jī)層300中漏出并通過像素電極500的開口部分(例如通過在 像素電極中或圍繞像素電極邊緣的針孔缺陷)，從而感染上面區(qū)域。
該無機(jī)絕緣層400嵌入在有機(jī)層300和像素電極500之間。該無機(jī)絕緣 層400通過像素電極500的開口部分將取向?qū)?alignment layer)和有機(jī)層 300分開，使得該取向?qū)硬恢苯优c有機(jī)層300相接觸。取向?qū)釉跓o機(jī)絕緣層 400上。這樣，從含有光刻膠有機(jī)材料的有機(jī)層300中漏過的雜質(zhì)不會通過 取向?qū)尤肷涞揭壕又校沟迷撚袡C(jī)層300的雜質(zhì)不與取向?qū)影l(fā)生作用。
無機(jī)絕緣層400包括具有與有機(jī)材料反應(yīng)性低的無機(jī)材料，以防止雜質(zhì) 的泄漏?？捎糜谠摕o機(jī)絕緣層400的無機(jī)材料的例子包括硅氧化物、硅氮化 物等中的一種或多種。
無才幾絕纟彖層400在例如約IO(TC至約250。C的^氐溫下沉積在有才幾層300 上，以防止含有光刻膠有機(jī)材料的有機(jī)層400受熱變形。例如，該無機(jī)絕緣
層400可以在約16(TC至約180。C的溫度下通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成。
對該無機(jī)絕緣層400的厚度進(jìn)行調(diào)整使得阻擋住來自有機(jī)層300的雜 質(zhì)。例如，無機(jī)絕緣層400的厚度可以為約500A至約2000A。
像素電極500可以形成在無機(jī)絕緣層400上。像素電極500對應(yīng)于各個 像素部分220。像素電極500包括傳遞光的透明導(dǎo)電材料?？捎糜谙袼仉姌O 500的透明導(dǎo)電材料的例子包括銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等。
像素電極500通過接觸孔CNT電連接至漏電極238。該接觸孔CNT包 括通過有機(jī)層300形成的第一個孔Hl，通過無機(jī)絕緣層400形成的第三個 孔H3以及通過鈍化層240形成的第四個孔H4。
在有機(jī)層300的第二個孔H2上，像素電極500與存儲電極231部分重 疊，并且該無機(jī)絕緣層400、鈍化層240以及柵絕緣層234嵌入在像素電極 500和存儲電極231之間。這樣，像素電極500、無機(jī)絕緣層400、鈍化層 240、柵絕緣層234以及存儲電極231構(gòu)成了存儲電容器Cst。
才艮據(jù)圖1和圖2所示的顯示基板，第二個孔H2在存儲電容器Cst上通 過有機(jī)層300形成，從而減小了存儲電極231和像素電極500之間的距離， 因此增加了存儲電容器Cst的電容。此外，柵絕緣層234、鈍化層240以及 無機(jī)絕緣層400嵌入在存儲電極231和像素電極500之間，從而佳_得存儲電 容器Cst具有一三層介電結(jié)構(gòu)。因此，具有三層介電結(jié)構(gòu)的存儲電容器Cst 比具有包括柵極絕緣層和鈍化層的雙層結(jié)構(gòu)的存儲電容器缺陷少。
像素電極500典型地對于各個像素部分220單獨(dú)構(gòu)成，從而使得像素電 極500在相鄰像素部分220之間的邊界處被普遍打開。例如，像素電極500 在對應(yīng)于4冊極和數(shù)據(jù)線232和233的區(qū)域內(nèi) 一皮打開。然而，無才幾絕緣層400 覆蓋住像素電極500的該開口部分，以防止有機(jī)層300的雜質(zhì)通過相鄰像素 電極邊界間的另外開縫泄漏。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示基板的平面圖。除了表示像素電極 的特殊結(jié)構(gòu)外，圖3的顯示基板與圖1和圖2相同。這樣，相同的參考數(shù)字 將用來表示與圖1和圖2中相同或相似的部分，并且將省略有關(guān)上述元件的 進(jìn)一步描述。
參照圖3,圖示的像素電極500包括一開口 510,從而將每個像素部分 220分成了多個區(qū)域。液晶分子在不同區(qū)域(由像素電極500的開口 510分
隔開的)可自身以各種不同方向排列，從而增加了顯示裝置的視角。該開口 510可以具有各種形狀。
無機(jī)絕緣層400覆蓋住相鄰像素電極500之間的開口部分和像素電極 500的開口510,以防止有機(jī)層300的雜質(zhì)泄漏。這樣，除了由像素電極的 外圍邊緣限定的缺口外，在像素電極中還可能具有各種不同的缺口 。
以下將詳細(xì)描述顯示基板的制造方法。
圖4是圖1所示的顯示基板的制造方法的流程圖。
參照圖1、 2和4，在絕緣基板210上形成包括多個像素部分220的像素 層200 (步驟S10 )。像素部分220以矩陣排列。在該像素層200上形成有機(jī) 層300 (步驟S20 )。在該有機(jī)層300上形成無機(jī)絕緣層400 (步驟S30 )。在 該無機(jī)絕緣層400上形成與每個像素部分220相對應(yīng)的像素電極500 (步驟 S40 )。
圖5至9是圖4所示的顯示基板的制造方法的橫截面圖。
參照圖1和5，在絕緣基板210上沉積第一金屬層，并且將其部分刻蝕 以形成柵極線232、柵電極235、存儲電極231和存儲線239?？捎糜诘谝唤?屬層的導(dǎo)電材料的例子包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀等。這些可以 單獨(dú)使用，也可以是它們的合金或組合物。第一金屬層可以通過濺射的方法 沉積在絕緣基板210上。可選地，可以在絕緣基板210上沉積多層的金屬層。
柵極線232限定出了每個像素部分220的上部和下部。4冊電才及235電連 接至柵極線232，以作為薄膜晶體管TFT的柵終端。存儲電極231作為存儲 電容器Cst的下電極。
參照圖1和6,在包括柵極線232、柵電極235、存儲電極231和存儲線 239的絕緣基板210上形成4冊絕緣層234?？捎糜?冊絕緣層234的絕緣材料 的例子包括硅氮化物、硅氧化物等。柵絕緣層234的厚度可以為約4500A。
在該柵絕緣層234上陸續(xù)形成無定形硅(a-Si )層、n+無定形硅(n+ a-Si) 層以及第二金屬層。使用狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模通過光刻工藝對該無定形硅 (a-Si)層、n+無定形硅(n+ a-Si)層以及第二金屬層進(jìn)行部分刻蝕，從而 形成有源層236、數(shù)據(jù)線233、源電極237和漏電極238。這樣，有源層236 可以具有與數(shù)據(jù)線233、電源線237以及漏電極238基本相同的輪廓線。
有源層236可以包括半導(dǎo)體層236a和歐姆接觸層236b。該半導(dǎo)體層236a 可以包括無定形硅，和歐姆接觸層236b可以包括n+無定形硅。可用于第二
金屬層的導(dǎo)電材料的例子包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鴒、銅、銀等。這些可 以單獨(dú)使用、也可以是它們的合金或組合物。第二金屬層可以通過濺射的方
法沉積在n+無定形硅層上?？蛇x地，可以在n+無定形硅層上形成多層結(jié)構(gòu)。 數(shù)據(jù)線233限定出了各個像素部分220的左部和右部。源電極237電連
接至數(shù)據(jù)線233，以作為薄膜晶體管TFT的源極終端。漏電極238與源電極
237相互隔開，以作為薄膜晶體管TFT的漏極終端。
有源層236、數(shù)據(jù)線233、源電極237以及漏電極238可以用一個掩模
形成。然而，有源層236、凄t據(jù)線233、源電才及237以及漏電才及238可以用
多個掩模形成。
對嵌入在源電極和漏電極237和238之間的歐姆接觸層236b進(jìn)行刻蝕， 使得在源電極和漏電極237和238之間露出半導(dǎo)體層236a。這樣，可以在源 電才及和漏電極237和238之間的半導(dǎo)體層236a內(nèi)形成溝道。因此，完成薄 膜晶體管層230。
參照附圖7，在薄膜晶體管層230上形成鈍化層240。可用于鈍化層240 的絕緣材料的例子包括硅氮化物、硅氧化物等。鈍化層240可以通過約250 。C的高溫沉積方法形成。例如，鈍化層240可以通過化學(xué)氣相沉積法(CVD) 形成，和鈍化層240的厚度可以為約500A至約2000A。這樣，完成像素層 200。
參照附圖1和8，在鈍化層240上形成光刻膠有才幾膜，并通過光工藝進(jìn) 行構(gòu)圖以形成有機(jī)層300?？蛇x地，有才幾層300可以包括具有光刻膠有機(jī)材 料、紅色著色劑、綠色著色劑、藍(lán)色著色劑等的彩色光刻膠。
對有機(jī)層300的厚度進(jìn)行調(diào)整，以使顯示基板100的表面平面化。例如， 有機(jī)層300的厚度可以為約2.5 jum至約3.5 jum。
通過光工藝在有機(jī)層300中形成第一個孔Hl和第二個孔H2。第一個孔 Hl在漏電極238上，以形成接觸孔CNT。第二個孔H2在存儲電極231上， 以增加存儲電容器Cst的電容。
參照圖1和9，在有機(jī)層300上沉積無機(jī)絕緣層400。該無機(jī)絕緣層400 阻止來自含有光刻膠有機(jī)材料的有機(jī)層300的雜質(zhì)泄漏出去?？捎糜跓o機(jī)絕 緣層400的無機(jī)材料的例子包括硅氮化物、硅氧化物等。
為了防止有機(jī)層300受熱變形，無^L絕緣層400在約100。C至約250°C 的低溫情況下沉積在有機(jī)層300上。例如無機(jī)絕緣層400可以在約160。C至
約18(TC的溫度下通過化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)形成。此外，對無機(jī)絕緣 層400的厚度進(jìn)行調(diào)整，以防止來自有^L層300的雜質(zhì)泄漏出去。例如，無 機(jī)絕緣層400的厚度可以為約500A至約2000A。鈍化層240的厚度和無機(jī) 層400的厚度的和可以為約IOOOA至約3000A，以增加存儲電容器的電容。
通過光刻工藝在無機(jī)絕緣層400和鈍化層240中形成第三個孔H3和第 四個孔H4。第三個孔H3連接至有機(jī)層300的第一個孔H1。這樣，構(gòu)成了 薄膜晶體管TFT的漏電極238通過的接觸孔CNT。
參照附圖1和2，在無機(jī)絕緣層400上形成透明導(dǎo)電層。通過光刻工藝 對像素透明導(dǎo)電層進(jìn)行部分刻蝕，以形成對應(yīng)于各個像素部分220的像素電 極500。
像素電極500包括傳遞光線的透明導(dǎo)電材料。可用于像素電極500的透 明導(dǎo)電材料的例子包括銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等。
像素電極500通過接觸孔CNT電連接至漏電極238。接觸孔包括第一個 孔Hl 、第三個孔H3和第四個孔H4。第 一個孔Hl形成在有機(jī)層300中。 第三個孔H3形成在無機(jī)絕緣層400中。第四個孔H4形成在鈍化層240中。 像素電極500與存儲電極231在有機(jī)層300的第二個孔H2中部分重疊，并 且無機(jī)絕緣層400、鈍化層240以及柵絕緣層234嵌入在^f象素電極500和存 儲電極231之間，從而構(gòu)成存儲電容器Cst。這樣，雖然在存儲電極231和 像素電極500之間沒有形成額外的金屬電極，但是增加了存儲電容器Cst的 電容。
可選地，開口 510 (圖3所示)可以通過光刻工藝形成在^f象素電才及500 中，從而將各個像素部分210劃分成多個區(qū)域，這樣增加了顯示裝置的視角。
根據(jù)圖4至9所示的方法，無機(jī)絕緣層400覆蓋住像素電極500的開口 部分，以防止來自有^L層300的雜質(zhì)泄漏出去。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的另 一個實(shí)施例的顯示裝置的橫截面圖。
參照附圖10，顯示裝置600包括顯示基板100、對向基板700和液晶層 800。該對向基板700與顯示基板100相對，并與顯示基板100組合成一體。 液晶層800嵌入在顯示基板100和對向基板700之間。
圖IO的顯示基板與圖l和圖2的相同。所以，相同的參考數(shù)字將用于 表示與圖1和2中描述的相同或類似的部分，將省略對上述元件的進(jìn)一步描 述。
對向基板700包括絕緣基板710和公共電極720。公共電極720與顯示 基板100的像素電極500相對。液晶層800嵌入在像素電極500和公共電極 720之間。
公共電極720包括透光的透明導(dǎo)電材料。公共電極720可以包括與像素 電極500基本相同的材料?？捎糜诠搽姌O720的透明導(dǎo)電材料的例子包括 銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等。
具有各種特性，例如光學(xué)特性的各向異性的折射率，電學(xué)特性的各向異性的 介電常數(shù)等等。該液晶響應(yīng)于像素電極500和公共電極720之間形成的電場 而變化其排列，并且液晶層的透光率也將改變。公共電極720可以具有開口 ， 以將各個像素部分220分成多個區(qū)域。
圖ll是根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例的顯示裝置的橫截面圖。圖12是圖 11所示的顯示基^1的平面圖。
參照附圖11和12，該顯示裝置包括顯示基板800、對向基板900和液 晶層950。
顯示基板800包括薄膜晶體管層810、鈍化層820、彩色濾光片層830、 像素電極840和光阻擋層850。
該薄膜晶體管層810形成在透明絕緣基板860上。例如，該絕緣基板860 可以包括玻璃。
薄膜晶體管層810包括柵極線811、柵絕緣層812，數(shù)據(jù)線813、薄膜晶 體管(TFT)以及存儲電極814。
柵極線811形成在絕緣基板860中。例如，柵極線811可以在絕緣基板 860的縱向方向進(jìn)行延伸。
柵絕緣層812形成在具有柵極線811的絕緣基板860上，以覆蓋4冊極線 811?？捎糜跂沤^緣層812的絕緣材料的例子包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化 物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等。例如，柵絕緣層812可以通過化學(xué)氣 相沉積(CVD) ^t支術(shù)形成，并且柵絕緣層812的厚度可以為約3000A至約 4500 A。
數(shù)據(jù)線813通過柵絕緣層812與柵極線811電絕緣。例如，數(shù)據(jù)線813 在與柵極線811延伸方向交叉的水平方向延伸。
薄膜晶體管TFT電連接至柵極線811和數(shù)據(jù)線813。至少一個薄膜晶體
管TFT形成在各個像素上。薄膜晶體管TFT基于來自柵極線811的柵電壓
施加來自數(shù)據(jù)線813的數(shù)據(jù)電壓到像素電極840。
薄膜晶體管TFT包括柵電極815、有源層816、源電極817和漏電極818。 柵電極815電連接至柵極線811,和作為薄膜晶體管TFT的柵終端。 有源層816對應(yīng)于^f冊電極815形成在柵絕緣層812上。有源層816包括
半導(dǎo)體層816a和歐姆接觸層816b。例如，半導(dǎo)體層816a包括無定形硅(a-Si),
和歐姆接觸層816b包括以高濃度注入N+雜質(zhì)形成的N+無定形硅(N+ a-Si )。 源電極817形成在有源層816上，并且電連接至數(shù)據(jù)線813。源電極817
作為薄膜晶體管TFT的源極終端。
在有源層816上，漏電極818與源電極817相隔開，并作為薄膜晶體管
的接觸孔CNT電連接至像素電極840。
在有源層816上，源電極817和漏電極818彼此分隔開來，以在有源層 816中形成薄膜晶體管TFT的溝道。
對數(shù)據(jù)線813、源電極817、漏電極818和有源層816使用基本相同的 刻蝕掩模進(jìn)行構(gòu)圖，使得有源層816可以具有與數(shù)據(jù)線8D、源電極817和 漏電極818基本相同的形狀。
存儲電極814由與柵極線811和柵電極815基本相同的層形成，并且包 括與柵極線811和柵電極815基本相同的材料。柵絕緣層812、鈍化層820 和彩色濾光片層830嵌入在存儲電極814和像素電極840之間，從而構(gòu)成存 儲電容器Cst?？蛇x地，對應(yīng)于存儲電極814可以在彩色濾光片830中形成 一孔，使得存儲電極814和像素電極840之間的距離可減小，由此增加了存 儲電容器Cst的電容。通過存儲電容器Cst可以在一幀內(nèi)保持通過薄膜晶體 管TFT施加給像素電極840的數(shù)據(jù)電壓。
鈍化層820形成在包含柵極線811、數(shù)據(jù)線813、薄膜晶體管TFT和存 儲電極814的薄膜晶體管層810上。鈍化層820覆蓋住薄膜晶體管層810, 以保護(hù)和絕緣薄膜晶體管層810。可用于鈍化層820的絕緣材料的例子包括 硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等，并且鈍化層820的厚度可以為約 500A至約2000A。
彩色濾光片層830形成在鈍化層820上。彩色濾光片層830可以包括感 光型有機(jī)材料和添加的著色劑。例如，彩色濾光片層830可以包括具有紅色
著色劑的紅色濾光片、具有綠色著色劑的綠色濾光片以及具有藍(lán)色著色劑的
藍(lán)色濾光片。紅色、綠色和藍(lán)色濾光片均勻地排列在鈍化層820上。例如，
紅色、綠色和藍(lán)色濾光片分別對應(yīng)于細(xì)分方形像素的矩形子區(qū)域。
彩色濾光片層830足夠厚，使得顯示基板800的表面可平面化。例如， 彩色濾光片層830的厚度可以為約2.5 jum至約3.5 jum。
當(dāng)在顯示基板800中形成彩色濾光片層830時，用來使顯示基板800平 面化的涂覆層可以省略，從而使得在顯示基板800中具有彩色濾光片層830 的顯示裝置的透光率比在對向基板900中具有彩色濾光片層的顯示裝置可增 加約7%。
具有不同顏色的彩色濾光片之間的邊界部分832呈 一 凹陷形狀。當(dāng)具有
上的液晶層950的液晶可以垂直排列，,從而使得與光阻層850相鄰的液晶層 950的液晶可以傾#|"于垂直排列的液晶，A^而與光阻層850相鄰的光漏出。 然而，在圖11和圖12中，具有不同顏色的彩色濾光片的側(cè)面彼此分隔開， 以使具有不同顏色的彩色濾光片之間的邊界部分832具有凹陷形狀。這樣， 凹陷邊界部分832上的液晶層950的液晶朝向光阻層850中心排列，使得光 線不會在光阻層850的附近漏出。
像素電極840對應(yīng)于各個像素形成在彩色濾光片層830上J象素電極840 包括透明導(dǎo)電材料。可用于^(象素電極840的透明導(dǎo)電材料的例子包括銦鋅氧 化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等。
像素電極840通過穿過彩色濾光片層830和鈍化層820形成的接觸孔 CNT電連接至漏電極818。此外，鈍化層820和柵絕緣層812嵌入在像素電 極840和存儲電極814之間，以構(gòu)成存儲電容器Cst。
像素電極840具有沿數(shù)據(jù)線813的延伸方向排列的鋸齒形狀，從而提高 孔徑率。這樣，像素電極840與數(shù)據(jù)線路813部分重疊。
像素電極840可以具有開口圖案，以增加視角。此外，像素電極840可 以被分為主電極和次電極，它們分別被施加不同級別電壓。當(dāng)像素電極840 -陂分為主和次電極時，可以在各個像素中形成分別電連4妄至該主和次電才及的 兩個薄膜晶體管。
像素電極840形成在各個像素中，和在相鄰像素電極840之間露出相鄰 像素電極840之間的彩色濾光片層830的部分。可選地，無機(jī)層(未示出)
可以形成在相鄰像素電極840之間的彩色濾光片層830的露出的部分上，使 得雜質(zhì)可不會從彩色濾光片層830向液晶層950泄漏。
光阻層850形成在相鄰像素電極840之間的薄膜晶體管層810中。這樣， 光阻層850位于相鄰像素之間的區(qū)域中，其對應(yīng)于相鄰彩色濾光片之間的邊 界部分832，使得擋住入射到相鄰像素之間區(qū)域中的光線，從而增加了對比 率。例如，當(dāng)相鄰像素電極840之間的距離是約8jum時，光阻層850的厚 度可以僅為約10 u m。當(dāng)在對向基板900中形成黑色矩陣(black matrix)時， 為了補(bǔ)償顯示基板800和對向基板900之間的偏移，與顯示基板800相隔開 的黑色矩陣可需要約12nm的寬度。這樣，具有形成在顯示基板800中的光 阻層850的顯示裝置的孔徑率比具有形成在對向基板900中的黑色矩陣的顯 示裝置高約2%。此外，防止了由顯示基板800和對向基板900之間的不對 準(zhǔn)造成的相鄰區(qū)域之間的光學(xué)差異，從而使得在不同視角上的圖像顯示質(zhì)量 的統(tǒng)一性得到了提高。而且，省略形成在對向基板900上的黑色矩陣，從而 也可省略使具有該黑色矩陣的對向基板900平面化的涂覆層。這樣，降低了 制造成本，并且提高了亮度。
光阻層850可以由與柵極線811和存儲電極814基本相同的層形成?？?選地，光阻層850可以由與數(shù)據(jù)線813基本相同的層形成。
光阻層850可以電連接至施加了公共電壓的存儲電極814?？蛇x地，光 阻層850可以與柵才及線811和存4諸電才及814相隔開，以保持懸浮狀。
對向基板900與顯示基板800組合為一體，從而將液晶層950嵌入在對 向基板900和顯示基板800之間。該對向基板900包括絕緣基板910和與顯 示基板800相對地形成在絕緣基板910表面上的公共電極920。該公共電極 920包括導(dǎo)光的透明導(dǎo)電材料?？捎糜诠搽姌O920的透明導(dǎo)電材料的例子 包括銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)等。該公共電極920可以包括 與像素電極840基本相同的材料。該公共電極920可以具有開口圖案，以增 加視角。
液晶層950包括具有例如折射的各向異性、介電常數(shù)的各向異性等各種 電學(xué)和光學(xué)特性的液晶。該液晶層950的液晶響應(yīng)于像素電極840和公共電 極920間形成的電場而變化排列。從而，液晶層950的透光率得以改變，以 顯示圖像。
根據(jù)本發(fā)明，該無機(jī)絕緣層橫跨該基板而以趙覆的方式形成，從而基本
阻止來自有機(jī)層例如彩色濾光片的雜質(zhì)到達(dá)并污染該液晶。并且，可以減少 余象。這樣，顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量得以提高。
此外，柵絕緣層、鈍化層和無機(jī)絕緣層構(gòu)成三層結(jié)構(gòu)，并且該三層結(jié)構(gòu) 嵌入在存儲電極和像素電極之間。這樣，短路粒子不可能嵌入在像素電極和 存儲電極之間，從而降低了像素電極和存儲電極之間短路的風(fēng)險。這樣，降 低了像素部分的缺陷。
另外，光阻層由與在顯示基板中形成的柵金屬或數(shù)據(jù)金屬基本相同的層 構(gòu)成，并且，對向基板中的黑色矩陣被省略。這樣，孔徑率得以增加，和制 造成本得以降低。
同時，對向基板中的傳統(tǒng)的黑色矩陣和涂覆層可以省略，從而制造成本 大大降低并且亮度得到增加。
此外，相鄰彩色濾光片之間的邊界部分具有凹陷形狀，從而減少了光阻 層附近漏出的光線。
參照不同的示范性實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述。然而，可以理解，在上 述描述的基礎(chǔ)上，多種可選擇的修改或變化對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是顯而 易見的。因此，本發(fā)明包括所有可選擇的修改和變化，以使其落入這里提供 的教導(dǎo)精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括薄膜晶體管層；設(shè)置在該薄膜晶體管層之上的有機(jī)層；以毯覆的方式設(shè)置在該有機(jī)層之上的無機(jī)絕緣層，以基本密封該有機(jī)層并阻止雜質(zhì)由該有機(jī)層泄漏到該無機(jī)絕緣層上方的層中；以及像素電極，設(shè)置在該無機(jī)絕緣層上，并通過經(jīng)由該無機(jī)絕緣層限定的接觸孔的方式電連接至該薄膜晶體管層的相應(yīng)薄膜晶體管。
2. 權(quán)利要求1的顯示基板，其中有機(jī)層具有穿過其限定的孔，用于定 位靠近但是與該像素電極近距離隔開的電荷存儲電極，以及該像素電極在該孔的位置處與該存儲電極部分重疊，并且所述無機(jī)絕緣 層嵌入在該存儲電極和像素電極之間。
3. 權(quán)利要求2的顯示基板，其中該薄膜晶體管包括 柵電極，電連接至柵極線；有源層，設(shè)置在柵絕緣層上以覆蓋該柵電極；源電極，設(shè)置在該有源層上以電連接至數(shù)據(jù)線；以及漏電極，在有源層上與該源電極相隔開，以電連接至該像素電極。
4. 權(quán)利要求2的顯示基板，其中該有機(jī)層作為平面化層，用于將顯示 基板的表面基本平面化。
5. 權(quán)利要求2的顯示基板，其中該有機(jī)層作為彩色濾光片，用于透過 預(yù)定顏色波段的光。
6. 權(quán)利要求5的顯示基板，其中該無機(jī)絕緣層包括從硅氧化物和硅氮 化物組成的組中選出的至少一種絕緣材料。
7. 權(quán)利要求6的顯示基板，其中該無機(jī)絕緣層的厚度為500A至2000A。
8. 權(quán)利要求7的顯示基板，其中該有機(jī)層的厚度為2.5iJm至3.5jum。
9. 權(quán)利要求6的顯示基板，其中該像素電極具有穿過其限定的開口， 從而可操作性地將該像素部分劃分為多個晶體方向區(qū)域，各個晶體方向區(qū)域 都能支撐不同的液晶方向。
10. —種制造顯示基板的方法，包括在絕緣基板上形成包括多個以矩陣排列的像素部分的像素層； 在該像素層上形成有機(jī)層；在該有機(jī)層上形成無機(jī)層；以及 在該無機(jī)絕緣層上對應(yīng)于各個像素部分形成像素電極。
11. 權(quán)利要求10的方法，其中該像素層的形成通過 在各個像素部分上形成薄膜晶體管層，該薄膜晶體管層包括薄膜晶體管和存儲電極；以及在該薄膜晶體管層上形成鈍化層。
12. 權(quán)利要求10的方法，其中該有機(jī)層的形成通過 在該鈍化層上形成光刻膠有機(jī)膜；以及通過光刻工藝形成對應(yīng)于該薄膜晶體管的漏電極的第 一個孔和對應(yīng)于 該存儲電極的第二個孔。
13. 權(quán)利要求12的方法，其中該光刻膠有機(jī)膜由包括著色劑的彩色光 刻膠組成從而顯示彩色圖像。
14. 權(quán)利要求12的方法，其中該無機(jī)絕緣層的形成通過通過100。C至250。C的^^溫沉積工藝在該有才幾層上沉積該無才幾絕纟彖層；以及在該無機(jī)絕緣層中形成對應(yīng)于該第一個孔的第三個孔和在該鈍化層中 形成第四個孔，從而構(gòu)成接觸孔，通過該接觸孔露出該薄膜晶體管的漏電極。
15. 權(quán)利要求14的方法，其中該無機(jī)絕緣層包括從硅氧化物和硅氮化 物組成的組中選出的無機(jī)材料。
16. 權(quán)利要求14的方法，其中該無機(jī)絕緣層的厚度為500A至2000A。
17. 權(quán)利要求16的方法，其中該有機(jī)層的厚度為2.5nm至3.5jum。
18. 權(quán)利要求14的方法，其中該像素電極的形成通過 在該無^U色緣層上沉積透明導(dǎo)電層；以及通過光刻工藝對該透明導(dǎo)電層構(gòu)圖從而形成該像素電極。
19. 權(quán)利要求18的方法，其中該像素電極具有將各個像素部分分割成 多個區(qū)域的開口。
20. —種顯示裝置，包括 顯示基板，包括包括以矩陣排列的多個像素部分的像素層；在該像素層上的彩色濾光片層，該彩色濾光片層的厚度為2.5jum至3.5 ju m;低溫沉積在該彩色濾光片層上的無機(jī)絕緣層，該低溫為500A至 2000人；以及在該無機(jī)絕緣層上與各個像素部分對應(yīng)的像素電極； 與該顯示基板相對并與該顯示基板組合為一體的對向基板；以及 嵌入在該顯示基板和對向基板之間的液晶層。
21. 權(quán)利要求20的顯示裝置，其中該對向基板包括與該像素電極相對 的公共電極，以插入該液晶層。
22. —種顯示基板，包括 薄膜晶體管層，包括柵極線；數(shù)據(jù)線，與該柵極線交叉并通過柵絕緣層與該柵極線電絕緣； 電連接至該柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；以及 存儲電極；覆蓋住該薄膜晶體管層的鈍化層；在該鈍化層上的彩色濾光片層；在該彩色濾光片層上與各個像素對應(yīng)的像素電極；以及 在該薄膜晶體管層上的光阻層，該光阻層位于相鄰像素之間。
23. 權(quán)利要求22的顯示基板，其中該彩色濾光片層包括多個具有不同 顏色的彩色濾光片，并且該光阻層位于相鄰彩色濾光片之間的邊界部分上。
24. 權(quán)利要求23的顯示基板，其中該相鄰彩色濾光片之間的邊界部分 具有凹陷形狀。
25. 權(quán)利要求24的顯示基板，其中該光阻層由與該柵極線和該存儲電 極基本相同的層構(gòu)成。
26. 權(quán)利要求25的顯示基板，其中該光阻層電連接至該存儲電極。
27. 權(quán)利要求25的顯示基板，其中該光阻層與該柵極線和存儲電極相 隔開，以保持懸浮狀。
28. 權(quán)利要求22的顯示基板，其中該彩色濾光片層的厚度為2.5pm至 3.5 n m。
29. 權(quán)利要求22的顯示基板，其中該像素電極具有在該數(shù)據(jù)線的延伸 方向排列的鋸齒形狀。
30. 權(quán)利要求29的顯示基板，其中該像素電極與該數(shù)據(jù)線重疊。
31. —種顯示裝置，包括顯示基板，包括薄膜晶體管層，包括柵極線；數(shù)據(jù)線，與該柵極線交叉并通過柵絕緣層與該柵極線電絕緣； 電連接至該柵極線和該數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管；以及 存儲電極；覆蓋住該薄膜晶體管層的鈍化層；在該鈍化層上的彩色濾光片層；在該彩色濾光片層上與各個像素對應(yīng)的像素電極；以及 在該薄膜晶體管層上的光阻層，該光阻層位于相鄰像素之間；與該顯示基板組合成一體的對向基板，該對向基板在與該顯示基板相對 的表面上包括公共電極；以及嵌入在該顯示基板和對向基板之間的液晶層。
32. 權(quán)利要求31的顯示裝置，其中該像素電極具有在該數(shù)據(jù)線的延伸 方向排列的鋸齒形狀，從而與該數(shù)據(jù)線重疊。
全文摘要
一種顯示基板，包括TFT層、鈍化層、有機(jī)層、無機(jī)絕緣層和像素電極。該TFT層包括柵極線和數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和存儲電極。該數(shù)據(jù)線與該柵極線相交叉，并通過柵絕緣層與該柵極線電絕緣。該TFT電連接至該柵極線和數(shù)據(jù)線。該鈍化層覆蓋住該TFT層。該有機(jī)層在該鈍化層上。該低溫沉積的無機(jī)絕緣層在該有機(jī)層上，并且該低溫為約100℃至約250℃。該像素電極在該無機(jī)絕緣層上，以通過穿過該無機(jī)絕緣層、有機(jī)層和鈍化層形成的接觸孔電連接至該TFT。該無機(jī)絕緣層有助于阻擋來自該有機(jī)層的雜質(zhì)泄漏到該無機(jī)絕緣層上方的層中。本發(fā)明還涉及一種顯示基板的制造方法和一種具有該顯示基板的顯示裝置。
文檔編號G02F1/13GK101106142SQ200710146458
公開日2008年1月16日 申請日期2007年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者周振豪, 張?jiān)? 昔俊亨, 林淳權(quán), 柳慧英, 梁成勛, 申暻周, 蔡鐘哲, 金彰洙, 金時烈, 金湘甲, 金鎮(zhèn)奭 申請人:三星電子株式會社