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      光半導(dǎo)體裝置的制作方法

      文檔序號:2731779閱讀:190來源:國知局

      專利名稱::光半導(dǎo)體裝置的制作方法光半導(dǎo)體裝置
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉.半導(dǎo)體裝置-
      背景技術(shù)
      具有利用SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen:注氧隔離)法在硅基板表面的正下方形成光波導(dǎo)路的方法。該方法具有如下的特征,即,可在表面平坦的狀態(tài)下于表面?zhèn)葰埩魡谓Y(jié)晶的硅材料的同時、在內(nèi)部形成成為光波導(dǎo)路的部分(例如,參照非專利文獻l)。因此,是一種能夠?qū)⒐饧呻娐泛碗娂呻娐妨Ⅲw地集成在一個硅基板上的方法,在這一方面,尤為矚目。在此,如圖12所示,基于SIMOX法的光波導(dǎo)路的構(gòu)成例為經(jīng)由第一氧化硅層U2在硅基板111上形成硅層113,在該硅層113中形成有第二氧化硅層114。該第一氧化硅層112與第二氧化硅層114之間的硅層113是形成光波導(dǎo)路的第一硅層115,該第一硅層115的膜厚較厚的部分、即第一氧化硅膜112向硅基板111側(cè)凹陷而形成的部分上成為光波導(dǎo)路121。此時,第二氧化硅層114兩面都形成平坦的面。另外,第二氧化硅層114上的硅層113成為第二硅層116。在形成上述構(gòu)成時,在硅基板lll上、在形成上述光波導(dǎo)路121的區(qū)域上形成開口的掩模(未圖示)之后,例如通過離子注入氧而形成上述第一氧化硅層112,然后在將上述掩模除去之后,例如通過離子注入氧而形成上述第二氧化硅層114。由此,在第一硅層115形成脊?fàn)畹墓獠▽?dǎo)路121。另外,如圖13所示,經(jīng)由第一氧化硅層112在硅基板111上形成有硅層113。在該硅層113中形成第二氧化硅層114,被夾在上述第一氧化硅層112與上述第二氧化硅層114之間的硅層113(第一硅層115)將成為光波導(dǎo)路121的區(qū)域形成得比其他區(qū)域厚。另外,第二氧化硅層114上的硅層13成為第二硅層116。因此,由于將第一硅層115和第二硅層116在同一層形成,故在該硅層113上、在形成上述光波導(dǎo)路的區(qū)域上形成掩模(未圖示)之后,例如通過離子注入氧而形成上述第二硅層116,在第一硅層115形成脊?fàn)畹墓獠▽?dǎo)路121。即,在SOI(Silicononinsulator:絕緣體上珪結(jié)構(gòu))基板的硅層113中,可通過離子注入氧而形成上述構(gòu)成的光波導(dǎo)路121。最近提出有,在利用SIMOX法等方法于硅基板內(nèi)部形成光波導(dǎo)路的基板表面制作MOS器件的方法(例如,參照非專利文獻2)。發(fā)現(xiàn)由該SIMOX法在硅基板內(nèi)部制作的光波導(dǎo)路形成脊型的光波導(dǎo)路。但是,通常,脊型的光波導(dǎo)路由于光的封入不強,故與條型的光波導(dǎo)路相比,存在有使光波導(dǎo)路彎曲時的光的波導(dǎo)損失增大的缺點。非專利文獻1:PrakashKoonath,KoichiroKisima,TejaswiIndukuri,andBahramJalali著〔Sculptingofthree-dimensionalnano-opticalstructuresinsilicon〕APPLIDEPHYSICSLETTERSVOL.83Number24p.4909-49112003年12月15日非專利文南大2:TejaswiIndukuri,PrakashKoonath,andBahramJalali著〔Three-dimensionalIntegrationofmetal-oxide-semiconductortransistorwithsubterraneanphotonicsinsilicon〕APPLIDEPHYSICSLETTERSVOL.88121108-1-32006年
      發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題點為通常,脊型的光波導(dǎo)路由于光的封入不強,與條型的光波導(dǎo)路相比,存在有使光波導(dǎo)路彎曲時的光的波導(dǎo)損失增大的缺點。本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置包括包括半導(dǎo)體區(qū)域;光波導(dǎo)路,其被夾在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)形成的第一光封入層和第二光封入層之間;絕緣膜區(qū)所述半導(dǎo)體區(qū)域。在本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置中,由于具有在光波導(dǎo)路的彎曲部的中央部的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的所述半導(dǎo)體區(qū)域形成的絕緣膜區(qū)域,故光波導(dǎo)路的彎曲部的波導(dǎo)損失減少。這是由于,在光波導(dǎo)路中導(dǎo)波的光在光波導(dǎo)路的彎曲部,通過絕緣膜區(qū)域而產(chǎn)生使向光波導(dǎo)路外放出的光返回到光波導(dǎo)路中的效果。根據(jù)本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置,由于能夠?qū)⒐獠▽?dǎo)路的彎曲部的波導(dǎo)損失減少,故能夠提高光的波導(dǎo)效率,因此,具有可提供具有高性能的光波導(dǎo)路的光半導(dǎo)體裝置的優(yōu)點。圖1是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第一實施例)的示意構(gòu)成剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第一實施例)的布置圖。圖3是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第二實施例)的示意構(gòu)成剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第三實施例)的示意構(gòu)成剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第四實施例)的示意構(gòu)成剖面圖。圖6是表示模擬的構(gòu)成A(基本結(jié)構(gòu))的示意構(gòu)成剖面圖。圖7是表示模擬的構(gòu)成B的示意構(gòu)成剖面圖。圖8是表示模擬的構(gòu)成C的示意構(gòu)成剖面圖。圖9是表示模擬的構(gòu)成D的示意構(gòu)成剖面圖。圖IO是表示模擬的構(gòu)成E的示意構(gòu)成剖面圖。圖11是表示模擬的構(gòu)成F的示意構(gòu)成剖面圖。圖12是表示現(xiàn)有的光半導(dǎo)體裝置的一例的示意構(gòu)成剖面圖。圖13是表示現(xiàn)有的光半導(dǎo)體裝置的一例的示意構(gòu)成剖面圖附圖標(biāo)記說明1光半導(dǎo)體裝置12第一光封入層14第二光封入層21光波導(dǎo)路22絕緣膜區(qū)域具體實施方式由圖1的示意構(gòu)成剖面圖以及圖2的平面布置圖來說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第一實施例)。如圖1所示,光半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板ll;第一半導(dǎo)體層13,其經(jīng)由第一光封入層12形成在該半導(dǎo)體基板11上,將成為光波導(dǎo)路21的區(qū)域形成得比其他區(qū)域厚;第二半導(dǎo)體層15,其經(jīng)由第二光封入層14形成在第一半導(dǎo)體層13上。上述半導(dǎo)體基板11例如使用硅基板。并且,上述第一光封入層12、第二光封入層14使用折射率比上述半導(dǎo)體層低的絕緣膜,例如由氧化硅膜形成。并且,第一光封入層12靠第一半導(dǎo)體層13的一側(cè)平坦地形成,第二封入層14以向第二半導(dǎo)體層15側(cè)凹入的狀態(tài)形成,以使第一半導(dǎo)體層13的成為光波導(dǎo)路21的部分變厚。另外,上述第一半導(dǎo)體層13、第二半導(dǎo)體層15使用硅層。即,由上述半導(dǎo)體基板ll、第一半導(dǎo)體層13以及第二半導(dǎo)體層15形成半導(dǎo)體區(qū)域16。另外,第一半導(dǎo)體層13和第二半導(dǎo)體層15在同一半導(dǎo)體層形成,在該半導(dǎo)體層上,上述第二光封入層14利用SIMOX法等,例如通過離子注入氧而由氧化硅形成。另外,上述光波導(dǎo)路21成為脊型的光波導(dǎo)路。如圖2所示,上述光波導(dǎo)路21形成在所希望的路徑上,在該路徑中的光波導(dǎo)^^的彎曲部21C,在該彎曲部21C的中央部(中央線C)的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的上述半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15),沿著上述光波導(dǎo)路21形成有絕緣膜區(qū)域22。在本第一實施方式中,在光波導(dǎo)路21兩側(cè)的傾斜的側(cè)壁上方的第二光封入層14上的半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15),絕緣膜區(qū)域22(22a、22b)沿著光波導(dǎo)路21的兩側(cè)上方形成。另外,如圖1所示,在上述第二半導(dǎo)體層15可以形成有MOS器件。例如,形成有MOS晶體管41、51。MOS晶體管41例如經(jīng)由柵極絕緣膜42在第二半導(dǎo)體層15上形成柵極電極43,在該柵極電極43兩側(cè)的第二半導(dǎo)體層15形成有源極、漏極44、45。同樣地,MOS晶體管51例如在第二半導(dǎo)體層15上經(jīng)由柵極絕緣膜52形成柵極電極53,在該柵極電極53兩側(cè)的第二半導(dǎo)體層15形成有源極、漏極54、55。并且,在MOS晶體管41、51之間,為了減少電氣干擾、通常形成有電氣分離的元件分離區(qū)域,但在此,能夠?qū)⑸鲜鼋^緣膜區(qū)域22兼作該元件分離區(qū)域,該絕緣膜區(qū)域22通過通常的MOS晶體管的元件分離技術(shù)、即淺溝槽隔離(STI:ShallowTrenchIsolation)技術(shù)而形成。例如,在第二半導(dǎo)體層15的形成絕緣膜區(qū)域22的區(qū)域,通過形成通常的抗蝕劑膜、利用刻蝕技術(shù)對抗蝕劑膜進行構(gòu)圖,在形成絕緣膜區(qū)域22的區(qū)域上形成設(shè)有開口的蝕刻掩模,利用該蝕刻掩模將第二半導(dǎo)體層15蝕刻到第二光封入層14而形成槽。將絕緣膜埋入到該槽中,通過研磨、例如化學(xué)機械研磨而將形成于第二半導(dǎo)體層15上的多余絕緣膜除去。由此,能夠在第二半導(dǎo)體層15形成到達第二光封入層14的絕緣膜區(qū)域22。在上述光半導(dǎo)體裝置1中,相對光波導(dǎo)路21的彎曲部21C的曲率半徑方向、在該彎曲部21C的外側(cè)以及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15)形成有絕緣膜區(qū)域22,因此,降低光波導(dǎo)路21的彎曲部21C的波導(dǎo)損失。這是由于,在光導(dǎo)部路21中被導(dǎo)波的光在光波導(dǎo)路21的彎曲部21C,通過絕緣膜區(qū)域22而具有使向光波導(dǎo)路21外放出的光返回光波導(dǎo)路21中的效果。由此,由于能夠降低光波導(dǎo)路的彎曲部21C的波導(dǎo)損失,故能夠提高光的波導(dǎo)效率,因此,可提供具有高性能的光波導(dǎo)路21的光半導(dǎo)體裝置l。另外,在上述構(gòu)成中,將絕緣膜區(qū)域22設(shè)置在光波導(dǎo)路21的兩側(cè)壁部上方,但設(shè)置在一側(cè)也能夠得到上述效果。接著,由圖3的示意構(gòu)成剖面圖對本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第二實施例)進行說明。另外,對與上述第一實施例同樣的構(gòu)成部件標(biāo)注同一附圖標(biāo)記而進行說明。如圖3所示,光半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板ll;第一半導(dǎo)體層13,其經(jīng)由第一光封入層12形成在該半導(dǎo)體基板11上,成為光波導(dǎo)路21的區(qū)域形成得比其他區(qū)域厚;第二半導(dǎo)體層15,其經(jīng)由第二光封入層14形成在上述第一半導(dǎo)體層13上。上述半導(dǎo)體基板11例如使用硅基板。并且,上述第一光封入層12、第二光封入層14使用折射率比上述半導(dǎo)體層低的絕緣膜,例如由氧化硅膜形成。第一光封入層12以向半導(dǎo)體基板11側(cè)凹入的狀態(tài)形成,以使第一半導(dǎo)體層13的成為光波導(dǎo)路21的部分變厚。第二封入層14靠第一半導(dǎo)體層13的一側(cè)平坦地形成。上述第一半導(dǎo)體層13、第二半導(dǎo)體層15使用硅層。即,由上述半導(dǎo)體基板11、第一半導(dǎo)體層13以及第二半導(dǎo)體層15形成半導(dǎo)體區(qū)域16。另外,第一光封入層12利用SIMOX法等,例如通過向半導(dǎo)體基板11離子注入氧,由氧化硅形成。另外,上述光波導(dǎo)路21成為脊型的光波導(dǎo)路。與上述圖2說明的同樣,上述光波導(dǎo)路21形成在所希望的路徑上,在該路徑中的光波導(dǎo)路的彎曲部21C,相對該彎曲部21C的曲率半徑方向、在彎曲部的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的上述半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15)上,沿著上述光波導(dǎo)路21而形成有絕緣膜區(qū)域22。在本第二實施例中,在光波導(dǎo)路21兩側(cè)的傾斜側(cè)壁上方的第二光封入層14上的半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15),絕緣膜區(qū)域22(22a、22b)沿著光波導(dǎo)路21的兩側(cè)上方形成。在上述第二半導(dǎo)體層15也可以形成有MOS器件。例如,形成有MOS晶體管41、51。MOS晶體管41例如經(jīng)由柵極絕緣膜42在第二半導(dǎo)體層15上形成柵極電極43,在該對冊極電極43兩側(cè)的第二半導(dǎo)體層15形成有源極、漏極44、45。同樣地,MOS晶體管51例如經(jīng)由柵極絕緣膜52在第二半導(dǎo)體層15上形成柵極電極53,在該柵極電極53兩側(cè)的第二半導(dǎo)體層15形成有源極、漏極54、55。并且,在MOS晶體管41、51之間,為了減少電氣干擾、通常形成有電氣分離的元件分離區(qū)域,但在此,能夠?qū)⑸鲜鼋^緣膜區(qū)域22兼作該元件分離區(qū)域,該絕緣膜區(qū)域22通過通常的MOS晶體管的元件分離技術(shù)、即淺溝槽隔離(STI:ShallowTrenchIsolation)技術(shù)而形成。與上述光半導(dǎo)體裝置1同樣地,在上述光半導(dǎo)體裝置2中,相對光波導(dǎo)路21的彎曲部21C的曲率半徑方向、在該彎曲部21C的外側(cè)以及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的半導(dǎo)體區(qū)域16(第二硅層15)設(shè)有絕緣膜區(qū)域22,故而降低光波導(dǎo)路21的彎曲部21C的波導(dǎo)損失。這是由于,即,在光導(dǎo)部路21中被導(dǎo)波的光在光波導(dǎo)路21的彎曲部21C,通過絕緣膜區(qū)域22而具有使向光波導(dǎo)路21外放出的光返回光波導(dǎo)路21中的效果。因此,由于能夠降低光波導(dǎo)路的穹曲部21C的波導(dǎo)損失,故能夠提高光的波導(dǎo)效率,因此,可提供具有高性能的光波導(dǎo)路21的光半導(dǎo)體裝置2。另外,在上述構(gòu)成中,將絕緣膜區(qū)域22設(shè)置在光波導(dǎo)路21的兩側(cè)壁部上方,但設(shè)置在一側(cè)也能夠得到上述效果。接著,由圖4的示意構(gòu)成剖面圖來說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的一實施方式(第三實施例),由圖5的示意構(gòu)成剖面圖來說明一實施方式(第四實施例)。如圖4所示,除了絕緣膜區(qū)域22以外的結(jié)構(gòu),與上述圖1說明的相同。因此,在此對絕緣膜區(qū)域22進行說明。絕緣膜區(qū)域22,在布局上,以包含光波導(dǎo)路21側(cè)部上面而與光波導(dǎo)路21重疊的方式形成在第二光封入層14上的第二半導(dǎo)體層15中。在該結(jié)構(gòu)中,由于也能夠降低光波導(dǎo)路的彎曲部21C(參照上述圖2)的波導(dǎo)損失,故能夠提高光的波導(dǎo)效率。另外,如圖5所示,除了絕緣膜區(qū)域22以外的結(jié)構(gòu),與上述圖3說明的相同。因此,在此對絕緣膜區(qū)域22進行說明。絕緣膜區(qū)域22,在布局上,以包含光波導(dǎo)路21側(cè)部上面而與光波導(dǎo)路21重疊的方式形成在第二光封入層14上的第二半導(dǎo)體層15中。在該結(jié)構(gòu)中,由于也能夠降低光波導(dǎo)路的彎曲部21C(參照上述圖2)的波導(dǎo)損失,故能夠提高光的波導(dǎo)效率。接著,關(guān)于本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的各種構(gòu)成,說明通過模擬來探究光的波導(dǎo)損失的結(jié)果。在模擬中,通過將構(gòu)成筒化后的模型進行。由圖6的示意構(gòu)成圖對基本構(gòu)成進行說明。該構(gòu)成是不形成絕緣膜區(qū)域22的構(gòu)成,將該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成A。如圖6所示,光半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板ll;第一半導(dǎo)體層3,其經(jīng)由第一光封入層12形成在半導(dǎo)體基板11上,將成為光波導(dǎo)路21的區(qū)域形成得比其他區(qū)域厚;第二半導(dǎo)體層15,其經(jīng)由第二光封入層14形成在第一半導(dǎo)體層13上。上述半導(dǎo)體基板11為硅基板,第一光封入層12、第二光封入層14為氧化硅膜。另外,第一半導(dǎo)體層13、第二半導(dǎo)體層15為硅層。并且,第一光封入層12靠第一半導(dǎo)體層13的一側(cè)平坦地形成,第二封入層14以向第二半導(dǎo)體層15側(cè)凹入的狀態(tài)形成,以使第一半導(dǎo)體層12的成為光波導(dǎo)路21的部分增厚。另外,為了簡化計算,光波導(dǎo)路21為矩形截面。各部分的尺寸如圖所示,第一光封入層12的膜厚為0.4pm,第一半導(dǎo)體層13的膜厚為0.09pm,光波導(dǎo)路21部分的膜厚為0.19(mi。另外,第二光封入層14的膜厚為0.1|Lim,第二半導(dǎo)體層的膜厚為0.175|im,光波導(dǎo)路21上的膜厚為0.075|im。另外,將光波導(dǎo)路21的寬度設(shè)為l.O(am,光波導(dǎo)路21兩側(cè)的第二光封入層14的臺階形成部14S1、14S2的寬度設(shè)為0.3|mi,其兩側(cè)的第二光封入層14的寬度設(shè)為5.0)um。對于上述基本構(gòu)成,由圖7~圖12的示意構(gòu)成剖面圖說明形成有絕緣膜區(qū)域22的構(gòu)成。如圖7所示,絕緣膜區(qū)域22,在布局上,重疊在光波導(dǎo)路21兩端而形成在光波導(dǎo)路21兩外側(cè)上的第二光封入層14的臺階形成部14Sl、14S2上的第二半導(dǎo)體層15,將該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成B。如圖8所示,絕緣膜區(qū)域22,在布局上,形成在光波導(dǎo)路21上的第二光封入層14以及第二光封入層14的臺階形成部14Sl、14S2上的第二半導(dǎo)體層15上,將該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成C。如圖9所示,絕緣膜區(qū)域22,在布局上,形成在光波導(dǎo)路21上的第二光封入層14的第二半導(dǎo)體層15,該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成D。在該構(gòu)成D中,絕緣膜區(qū)域22不形成在第二光封入層14的臺階形成部14Sl、14S2上。如圖10所示,絕緣膜區(qū)域22,在布局上,重疊在光波導(dǎo)路21—端而形成在光波導(dǎo)路21—側(cè)的第二光封入層14的一個臺階形成部14S1上,此時,光波導(dǎo)路21如上述圖2所示地折曲而形成在光波導(dǎo)路21的彎曲部21C(參照上述圖2)內(nèi)側(cè)上方的第二半導(dǎo)體層15,將該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成E。如圖11所示,絕緣膜區(qū)域22,在布局上,重疊在光波導(dǎo)路21—端而形成在光波導(dǎo)路21—側(cè)的第二光封入層14的一個臺階形成部14S2上,此時,光波導(dǎo)路21如上述圖2所示地折曲而形成在光波導(dǎo)路21的彎曲部21C(參照上述圖2)外側(cè)上方的第二半導(dǎo)體層15,將該構(gòu)成設(shè)為構(gòu)成F。關(guān)于上述構(gòu)成A-F,計算波導(dǎo)損失。在計算中,在將光波導(dǎo)路21的彎曲部21的曲率半徑為10lam和20)im的情況下,計算波導(dǎo)損失L。在此,所謂光波導(dǎo)路21的曲率半徑,是指光波導(dǎo)路21的中央線(由所述圖2的點劃線所示的線)的曲率半徑。另外,上述光波導(dǎo)路21的波導(dǎo)損失L為如下定義的數(shù)值,即,在每導(dǎo)波lcm時,其波導(dǎo)光量為exp(-L)。利用曲率半徑20(mi的彎曲部使光波導(dǎo)路的角度旋轉(zhuǎn)90。時的波導(dǎo)長度為3.14x20x2/4,因此波導(dǎo)長度約為31.4[im,不足lcm,在表l中為了容易地進行波導(dǎo)損失的比較,使用這樣的損失L。另外,在該計算結(jié)果中,如上述圖2所示,在表l中表示光波導(dǎo)路相對紙面向左側(cè)彎曲時的計算結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>在不形成絕緣膜區(qū)域22的構(gòu)成A中,在曲率半徑為20pm時,波導(dǎo)損失為19.45,在曲率半徑為lOiim時,波導(dǎo)損失為50.78。以該值為基準(zhǔn)進行探討。設(shè)有絕緣膜區(qū)域22的構(gòu)成表現(xiàn)出最有效的為構(gòu)成F。在構(gòu)成F中,在曲率半徑為20pm時,波導(dǎo)損失為5.81,在曲率半徑為10(im時,波導(dǎo)損失為15.84。另外,在構(gòu)成B中,在曲率半徑為2(Vm時,波導(dǎo)損失為5.95,在曲率半徑為10(im時,波導(dǎo)損失為16.02,可得到與構(gòu)成F大致相同的效果。即,可知,將絕緣膜區(qū)域22形成在光波導(dǎo)路21的彎曲部21C外側(cè)上方的第二半導(dǎo)體層15的結(jié)構(gòu)是最有效的。另一方面,在構(gòu)成D中,在曲率半徑為20(im時,波導(dǎo)損失為20.78,在曲率半徑為10pm時,波導(dǎo)損失為51.08,顯然比構(gòu)成A差。絕緣膜區(qū)域22在布局上重疊在光波導(dǎo)路21上而形成的結(jié)構(gòu),顯示出完全不能夠得到效果。另外,在構(gòu)成C中,在曲率半徑為20|um時,波導(dǎo)損失為8.86,在曲率半徑為10一m時,波導(dǎo)損失為22.20,表現(xiàn)出設(shè)有絕緣膜區(qū)域22的效果,但在布局上重疊在光波導(dǎo)路21上而形成的部分起到負面作用,不能夠達到構(gòu)成F或構(gòu)成B那樣的波導(dǎo)損失水平。另外,在構(gòu)成E中,在曲率半徑為20pm時,波導(dǎo)損失為5.23,在曲率半徑為10pm時,波導(dǎo)損失為51.34,在曲率半徑為20|Lim時表現(xiàn)出設(shè)有絕緣膜區(qū)域22的效果,但在曲率半徑為10(im時,顯然比構(gòu)成A差。因此,構(gòu)成E形成在具有曲率半徑20(im以上大小的曲率半徑的部分上是有效的,但若曲率半徑小于20(im,則其效果降低??芍拾霃綖?0nm時不能夠得到效果。即,波導(dǎo)損失的降低效果依賴于光波導(dǎo)路21的彎曲部21C的曲率半徑。權(quán)利要求1.一種光半導(dǎo)體裝置,其包括半導(dǎo)體區(qū)域;光波導(dǎo)路,其被夾在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)形成的第一光封入層和第二光封入層之間;絕緣膜區(qū)域,其形成在所述光波導(dǎo)路的彎曲部中央部的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的所述半導(dǎo)體區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述絕緣膜區(qū)域自所述光波導(dǎo)路的側(cè)面上方形成在外側(cè)以及內(nèi)側(cè)的一側(cè)上的所述半導(dǎo)體區(qū)域。3.如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述光波導(dǎo)路由脊型的光波導(dǎo)路構(gòu)成。4.如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述絕緣膜區(qū)域兼作為在形成有所述絕緣膜區(qū)域的所述半導(dǎo)體區(qū)域上形成的MOS器件的元件分離區(qū)域。全文摘要本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體裝置。一般,脊型光波導(dǎo)路由于光的封入不強,故與條型的光波導(dǎo)路相比,使光波導(dǎo)路彎曲時的光的波導(dǎo)損失變大,因此,能夠降低在光波導(dǎo)路的彎曲部的光的波導(dǎo)損失。該光半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體區(qū)域(16);光波導(dǎo)路(21),其被夾在所述半導(dǎo)體區(qū)域(16)內(nèi)形成的第一光封入層(12)和第二光封入層(14)之間;絕緣膜區(qū)域(22),其相對于所述光波導(dǎo)路(21)的彎曲部的曲率半徑方向、在該彎曲部的外側(cè)及內(nèi)側(cè)的至少一側(cè)上的所述半導(dǎo)體區(qū)域(16)形成。文檔編號G02B6/10GK101158731SQ20071015320公開日2008年4月9日申請日期2007年9月29日優(yōu)先權(quán)日2006年10月6日發(fā)明者木島公一朗申請人:索尼株式會社
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