專利名稱：液晶裝置和其制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置和其制造方法以及電子設(shè)備。
技術(shù)背景以往，對于液晶裝置，作為改善狹窄視場角的結(jié)構(gòu)，提出了橫電場方 式的液晶裝置。另外，作為橫電場方式的液晶裝置，已知有邊緣場切換(FFS)模式的液晶裝置。在FFS模式的液晶裝置中，在夾持液晶層的一 對^之中的一方的M上配置有第1電極和第2電極，利用這些發(fā)生在 第l、第2電極之間的電場(橫電場)驅(qū)動(dòng)液晶層(例如，參照專利文獻(xiàn)l、 2)。在這樣的FFS模式的液晶裝置中，要求高開口率且高透過率的像素設(shè) 計(jì)。因此，為了減少對透過沒有貢獻(xiàn)的暗區(qū)域，作為4象素電極的結(jié)構(gòu)，采 用一端開放的梳齒狀電極，提高該區(qū)域的高開口率和高透過率。在專利文獻(xiàn)l中，公開了具有在相互鄰接的4象素的邊界上未形成信號 線的結(jié)構(gòu)(單側(cè)開放^象素)的液晶裝置。在專利文獻(xiàn)2中，公開了將偏振光軸和摩擦軸的方向規(guī)定為規(guī)定的角 度、以在低灰度和暗狀態(tài)下除去由向面板施加的電壓產(chǎn)生的摩擦不均勻和 殘像的液晶裝置.專利文獻(xiàn)1:特開2003 - 308951號z〉報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2005 - 234527號^>報(bào)但是，在具有一端開放的梳齒狀電極的液晶裝置中，如果向液晶施加 電壓，則由于摩擦的不均勻性，產(chǎn)生顯示不均勻、取向不良等問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明考慮到上述的問題點(diǎn)而提出，目的在于提供在具有單側(cè)開放的 梳齒狀電極的液晶裝置中，抑制取向不良的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)高開口率化的液晶 裝置和液晶裝置的制造方法。本發(fā)明者，關(guān)于具有一端開放的梳齒狀電極的液晶裝置，發(fā)現(xiàn)在形 成于取向膜的傾斜面上，對液晶分子有作用的預(yù)傾斜(pretilt)變得過大， 由此產(chǎn)生取向不良，成為光泄漏的原因。因此，本發(fā)明者提出具有以下的 構(gòu)成的本發(fā)明。本發(fā)明的液晶裝置具備具備夾持液晶層而相對的第1基板和第2 在所述笫1 M的所述液晶層側(cè)形成的第1電極；隔著絕緣膜在所 述第1電極上形成的第2電極；和覆蓋所述絕緣膜和所述笫2電極的取向 膜；其特征在于，所述第2電極具備在基板面方向延伸并且使復(fù)伸方向 的一方的端部為連結(jié)端、另一方的端部為開放端的多個(gè)帶狀電極部；和分 別連接所述多個(gè)帶狀電極部的各所述連結(jié)端的連結(jié)部；其中，對所述取向 膜，在從所述連結(jié)端朝向所述開放端的方向上，實(shí)施摩擦處理。在這里，在第2電極的上表面和絕緣膜的上表面之間形成有臺階，所 述取向膜具有以順著所述臺階的方式形成的傾斜面。如果這樣，則對連結(jié)端的附近的取向膜的傾斜面，在沿著該傾斜面向 下的方向?qū)嵤┠Σ撂幚?。在該傾斜面上，液晶分子在從傾斜面向著絕緣膜 的上表面的方向(向下的方向)祐賦予預(yù)傾斜。因此，能夠抑制取向不良 的發(fā)生，防止光泄漏，提供實(shí)現(xiàn)了高開口率化的液晶裝置。本發(fā)明的液晶裝置優(yōu)選具備平面看線對稱地配置的第1帶狀電極部組 和第2帶狀電極部組。另外，對所述取向膜實(shí)施摩擦處理的方向優(yōu)選與所 述第1帶狀電極部組和所述第2帶狀電極部組的對稱軸平行。如果這樣，則能夠?qū)崿F(xiàn)所謂雙疇結(jié)構(gòu)的液晶裝置。本發(fā)明的液晶裝置中，優(yōu)選在與所述連結(jié)部的至少一部分重疊的位置 配置有遮光層。如果這樣，則能夠利用遮光層防止在連結(jié)部附近產(chǎn)生的光泄漏。
本發(fā)明的液晶裝置的制造方法，所述液晶裝置具備夾持液晶層而相 對的第1 J^l和第2 在所述第1 M的所述液晶層側(cè)形成的第1電極；隔著絕緣膜在所述第1電極上形成的笫2電極；和覆蓋所述絕緣膜和 所述第2電極的取向膜；其特征在于，所述方法包括形成第2電極的步 驟，所述第2電極具備在Jj仗面方向延伸并且使延伸方向的一方的端部 為連結(jié)端、另一方的端部為開放端的多個(gè)帶狀電極部，和分別連接所述多 個(gè)帶狀電極部的各所述連結(jié)端的連結(jié)部；和對所述取向膜在從所述連結(jié)端 朝向所述開放端的方向上實(shí)施摩擦處理的步驟，如果這樣，則對連結(jié)端的附近的取向膜的傾斜面，在沿著該傾斜面向 下的方向?qū)嵤┠Σ撂幚?。在該傾斜面上，液晶分子在從傾斜面向著絕緣膜 的上表面的方向(向下的方向)^J賦予預(yù)傾斜。因此，能夠抑制取向不良 的發(fā)生，防止光泄漏，提供實(shí)現(xiàn)了高開口率化的液晶裝置。在本發(fā)明的液晶裝置的制造方法中優(yōu)選在所述第1基敗和用于所^ 擦處理的摩擦輥的接觸位置，所述第1基板的移動(dòng)方向和所述摩擦輥的旋 轉(zhuǎn)方向相同。如果這樣，則能夠一邊旋轉(zhuǎn)摩擦輥， 一邊使摩擦布確切地到達(dá)取向膜 的傾斜面，對取向膜的傾斜面恰當(dāng)?shù)貙?shí)施摩擦處理。本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于具備先前所述的液晶裝置。 根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供具備了實(shí)現(xiàn)了高開口率化的顯示部的電子設(shè)備。


圖l是本發(fā)明的實(shí)施例的液晶裝置的等價(jià)電路圖。圖2是本發(fā)明的實(shí)施例的液晶裝置的1子像素的平面構(gòu)成圖。圖3是沿著圖2的A-A線的剖面構(gòu)成圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施例的液晶裝置的要部放大圖。圖5用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶裝置的制造方法的剖面圖。圖6用于說明以往的摩擦處理工序的圖。圖7是表示電子i殳備的實(shí)例的立體構(gòu)成圖。
符號說明100:液晶裝置；10: TFT陣列M(第1基板)；20:相對基&(第 2J4SL) ; 30: TFT (開關(guān)元件)；9:像素電極(第2電極)；9a:連結(jié) 部；9c:帶狀電極；9d:開放端；9e:連結(jié)端；13:層間絕緣膜(絕緣膜)； 18:第l取向膜；19:共用電極(第l電極)；22: CF層；50:液晶層； BM:遮光層。
具體實(shí)施方式
<液晶裝置>以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例的液晶裝置進(jìn)行說明。本實(shí)施例的液晶裝置是通過對液晶作用基敗面方向的電場(橫電場)、 控制取向，進(jìn)行圖像顯示的橫電場方式的液晶裝置。另外，本實(shí)施例的橫 電場方式的液晶裝置也是采用了被稱為FFS (邊緣場切換)方式的方式的 液晶裝置。另外，是在基板上具備了彩色濾光片的彩色液晶裝置。在這樣 的彩色液晶裝置中，由射出R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的各色光的3個(gè) 子像素構(gòu)成l個(gè)像素。因此，在本實(shí)施例中，將構(gòu)成顯示的最小單位的顯 示區(qū)域稱為"子像素區(qū)域"，將由一組(R、 G、 B)的子像素構(gòu)成的顯示 區(qū)域稱為"像素區(qū)域".圖l是構(gòu)成本實(shí)施例的液晶裝置的形成為矩陣狀的多個(gè)子像素的電路 構(gòu)成圖。圖2是液晶裝置100的任意的1子像素的平面構(gòu)成圖.圖3是沿 著圖2的A-A線的部分剖面構(gòu)成圖。圖4 (a)是將本實(shí)施例的液晶裝置 從鉛直方向進(jìn)行了透視的圖，是為了說明像素電極的要部的平面放大圖。 圖4 (b)是沿著圖4 U)的B-B線的部分剖面構(gòu)成圖。如圖3所示，本實(shí)施例的液晶裝置100具備相互相對配置的TFT陣 列基板(第1141) 10和相對基板(第2基板)20，被夾持在這些基板10、 20間的液晶層50。另外，在TFT陣列基昧10的外面?zhèn)?，設(shè)置有背光90， 由此構(gòu)成透過型的液晶裝置。而且，各圖中，為了使各層、各部件為在圖面上能夠識別的程度的大
小，按照各層、各部件以不同的縮放比例進(jìn)行表示。如圖1所示，在構(gòu)成液晶裝置100的圖像顯示區(qū)域的形成為矩陣狀的 多個(gè)子像素區(qū)域中，分別形成有像素電極9，和切換控制與像素電極9電 連接的子像素的TFT30，從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101延伸的數(shù)據(jù)線6a與TFT30 的源極電連接。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101經(jīng)由數(shù)據(jù)線6a,向各像素供給圖像信號S1、 S2.....Sn。所述圖像信號Sl~Sn可以以該順序按線順序供給，也可以對相鄰接的多個(gè)數(shù)據(jù)線6a之間，按組進(jìn)行供給，在TFT30的柵極上，電連接有從掃描線驅(qū)動(dòng)電路102延伸的掃描線 3a，從掃描線驅(qū)動(dòng)電路102以規(guī)定的定時(shí)向掃描線3a脈沖地供給掃描信號Gl、 G2.....Gm，以該順序按線順序向TFT30的柵極施加。像素電極9與TFT30的漏極電連接。并且，通過作為開關(guān)元件的TFT30利用掃描信 號G1、 G2、 ...、 Gm的輸入在一定期間成為導(dǎo)通狀態(tài)，從數(shù)據(jù)線6a供給 的圖4象信號S1、 S2..... Sn以規(guī)定的定時(shí)向像素電極9寫入。經(jīng)由像素電極9向液晶寫入的規(guī)定電平的圖像信號S1、 S2、 ...、 Sn， 經(jīng)由液晶在像素電極9和相對的共用電極之間被保持一定期間。另外，形 成有用于將共用電極保持在一定的電位的共用布線3b。如圖2所示，在液晶裝置100的子像素區(qū)域，設(shè)置有像素電極(笫2 電極)9和共用電極(第1電極)19。像素電極9平面看形成為大致梳齒狀。共用電極19與像素電極9平面 地重疊配置，向紙面左右方向(X軸方向)i^f申，在子l象素區(qū)域的圖示左 上端部的角部(或各子像素區(qū)域的間隙)，設(shè)置有用于使TFT陣列^ 10和相對J4120保持離開規(guī)定間隔的狀態(tài)的柱狀隔離物40。而且，在圖2中，定義掃描線3a延伸的方向?yàn)閄軸方向，數(shù)據(jù)線6a 延伸的方向?yàn)閅軸方向。像素電極9由多條帶狀電極9c,和連結(jié)該帶狀電極9c的連結(jié)部9a構(gòu)成。多條帶狀電極9c僅從連結(jié)部9a向連結(jié)部9a的數(shù)據(jù)線6a側(cè)(僅從連 結(jié)部9a向+ X方向側(cè))延伸，而且，在與連結(jié)部9a的數(shù)據(jù)線6a的相反側(cè)(從連結(jié)部9a向-X方向側(cè))，未形成帶狀電極9c。另外，多條帶狀電極9c相對向圖2中的掃描線3a的延伸方向(X軸 方向)延伸的中心線(對稱軸)CL線對稱地配置。如果具體地說明，則在中心線CL的掃描線3a側(cè)(從中心線CL向+ Y方向側(cè))的區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c (在圖示中是6條)，相對于中 心線CL以規(guī)定的銳角向斜向延伸，以相互平行均等的間隔在Y軸方向排 列。在該區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c構(gòu)成本發(fā)明的第1帶狀電極部組。另外，在與中心線CL的掃描線3a相反側(cè)(從中心線CL線-Y方向 側(cè))的區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c (在圖示中是6條)，相對中心線CL 以規(guī)定的銳角線向斜向延伸，以相互平行均等的間隔在Y軸方向排列。在 該區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c構(gòu)成本發(fā)明的第2帶狀電極部組。另外，由于像素電極9形成為梳齒狀，所以多個(gè)帶狀電極9c的每一個(gè) 具備與梳齒的頂端對應(yīng)的開放端9d和與連結(jié)部9a連結(jié)的連結(jié)端9e,連結(jié)部9a在子像素區(qū)域，在形成有數(shù)據(jù)線6a的區(qū)域的相反側(cè)的區(qū)域 形成，并向Y軸方向延伸。另外，連結(jié)部9a與多個(gè)帶狀電極9c的連結(jié)端 9e連接。在具有這樣的像素電極9的子像素區(qū)域中，在中心線CL的掃描線3a 側(cè)(從中心線CL向+Y方向側(cè))的區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c相對于中 心線CL以規(guī)定的銳角傾斜并延伸，另外，雖然在與中心線CL的掃描線 3a相反側(cè)(從中心線CL向-Y方向側(cè))的區(qū)域形成的多個(gè)帶狀電極9c, 與中心線CL的掃描線3a側(cè)的帶狀電極9c傾斜方向不同，但以相同的銳 角傾斜并延伸。具有這樣的多個(gè)帶狀電極9c的子像素區(qū)域具有能夠在各區(qū) 域驅(qū)動(dòng)液晶的所謂雙疇結(jié)構(gòu)。共用電極19經(jīng)由后述的層間絕緣膜，在像素電極9的下層形成。換言 之，在J41本體10A和像素電極9之間形成，另夕卜，共用電極19是由ITO (銦錫氧化物)等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜。在子像素區(qū)域，形成有在Y軸方向延伸的數(shù)據(jù)線6a，在X軸方向延 伸的掃描線3a，和以橫切子像素中央部的方式與掃描線3a平行地延伸的共用布線3b。與數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a的交叉部對應(yīng)在其附近設(shè)置有 TFT30。 TFT30具備在掃描線3a的平面區(qū)域內(nèi)部分地形成的島狀的非 晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層35;與半導(dǎo)體層35部分平面地重疊形成的源極電 極6b;和漏極電極32。掃描線3a具有在與半導(dǎo)體層35平面地重疊的位置 作為TFT30的柵極電極的功能。TFT30的源極電極6b形成為從數(shù)據(jù)線6a分支向半導(dǎo)體層35延伸的 平面看大致L形，漏極電極32從半導(dǎo)體層35向像素電極9側(cè)(從半導(dǎo)體 層35向-Y方向側(cè))延伸。漏極電極32的一部分具有平面看大致矩形的 形狀。另外，在漏極電極32的一部分上配置有像素電極9的接觸部9b， 經(jīng)由在兩者平面地重疊的位置上設(shè)置的像素接觸孔45，漏極電極32和像 素電極9電連接。如果觀察圖3所示的剖面結(jié)構(gòu)，則液晶裝置100具備相互相對配置 的TFT陣列&^ (第1基板)10和相對141 (第2 20，在兩 110、 20之間被夾持的液晶層50,液晶層50利用沿著TFT陣列基板10和相對基板20相對的區(qū)域的緣 端設(shè)置的密封材料(圖示略)被密封在所述兩基板10、 20間。在TFT陣 列基板10的外面?zhèn)?配置有液晶層50的側(cè)的相反側(cè))設(shè)置有偏振iUl 14， 在相對基長20的外面?zhèn)仍O(shè)置有偏振ib板24。在TFT陣列基板10的背面 側(cè)(圖示下面?zhèn)?設(shè)置有具備光源、導(dǎo)光板91和反射板92的背光(照明 裝置)90。TFT陣列 1 10作為基體具有由玻璃、石英、塑料等構(gòu)成的M本 體IOA。在l^l本體10A的內(nèi)面?zhèn)?配置液晶層50側(cè))，形成有掃描線 3a和共用布線3b。另外，以覆蓋共用布線3b的方式，形成有由ITO等的 透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的共用電極19。以覆蓋掃描線3a和共用電極19的方式， 形成柵極絕緣膜ll。在柵極絕緣膜ll上，形成非晶硅的半導(dǎo)體層35，以 搭在半導(dǎo)體層35的一部分上的方式，形成源極電極6b和漏極電極32。半 導(dǎo)體層35經(jīng)由柵極絕緣膜11與掃描線3a相對配置，在該相對區(qū)域，掃描 線3a構(gòu)成TFT30的柵極電極。
覆蓋半導(dǎo)體層35、源極電極6b、和漏極電極32形成層間絕緣膜13。 在層間絕緣膜13的液晶層側(cè)的表面上，形成有由ITO等的透明導(dǎo)電材料 構(gòu)成的像素電極9。另外，覆蓋像素電極9、和層間絕緣膜13形成由聚酰 亞胺構(gòu)成的第1取向膜18。在這里，第1取向膜18順著像素電極9的表面形狀和層間絕緣膜13 的表面形狀形成。具體地、第1取向膜18順著從層間絕緣膜13的上表面 到像素電極9的上表面的臺階形成。因此，在形成有像素電極9的部分和 露出有層間絕緣膜13的部分之間，在第1取向膜18上形成傾斜面。貫通層間絕緣膜13形成有到達(dá)漏極電極32的像素接觸孔45。像素接 觸孔45在漏極電極32的連接部31的位置上形成。在該像素接觸孔45內(nèi)， 埋入有像素電極9的接觸部9b的一部分，像素電極9和漏極電極32電連 接。一方面，相對基板20具有由玻璃、石英、塑料等構(gòu)成的J4l本體20A 作為基體。在J^L本體20A的內(nèi)面?zhèn)?配置有液晶層50的側(cè))，形成有 CF層22、遮光層BM。 CF層22具有按照子像素透過不同的色光的彩色 濾光片》而且，CF層22也可以在TFT陣列基板10側(cè)形成。從鉛直方向觀察液晶裝置100，遮光層BM配置在至少與TFT30重疊 的位置。另外，遮光層BM不僅配置在與TFT30重疊的位置，還形成在鄰 接的子像素區(qū)域之間，防止在該鄰接的子像素區(qū)域，不同色的CF層22混 色。進(jìn)一步，如圖4(a)所示，遮光層BM在比連結(jié)部9a的中心更靠近 左側(cè)(比連結(jié)部9a的中心更靠近-X方向側(cè))的區(qū)域，覆蓋連結(jié)部9a。另夕卜，以覆蓋CF層22和遮光層BM的方式，形成由聚酰亞胺構(gòu)成的 第2取向膜28。對第2取向膜28實(shí)施與后述的第1取向膜18的摩擦方向 相反方向的摩擦處理。即，與對第1取向膜18實(shí)施從連結(jié)部9a向數(shù)據(jù)線 6a側(cè)(從連結(jié)部9a向+ X方向側(cè))的摩擦處理相對，對第2取向膜28在 其相反方向?qū)嵤┠Σ撂幚?，在本?shí)施例中，構(gòu)成液晶層50的液晶具有正的介電常數(shù)各向異性。
例如，使用具有An = 0.1的折射率各向異性，具有介質(zhì)各向異性s//是10、 s丄=4的正的各向異性的液晶。如圖4 (a)所示，遮光層BM覆蓋包括像素電極9的連結(jié)部9a的左 半部分的區(qū)域的連結(jié)部9a的左側(cè)(比連結(jié)部9a的中心更靠近-X方向側(cè)) 的區(qū)域。而且，遮光層BM沒有覆蓋包括帶狀電極9c的連結(jié)端9e的連結(jié)部9a 的右側(cè)(比連結(jié)部9a的中心更靠近+ X方向側(cè))的區(qū)域。如圖4 (b)所示，第1取向膜18順著層間絕緣膜13的上表面13a， 連結(jié)部9a的上表面和連結(jié)部9a的側(cè)面(斜面)形成。因此，第1取向膜 18具有在連結(jié)部9a的側(cè)方形成的傾斜面18a。該傾斜面18a在圖4(a) 的符號C所示的區(qū)域形成。而且，在圖4 (b)中，僅示出了層間絕緣膜13、像素電極9和第1 配光膜18。其它的構(gòu)成要素由于與圖3的剖面圖所示相同，所以在圖4(b) 中省略。對第1取向膜18，在圖4(a)中符號60所示的箭頭的方向?qū)嵤┠Σ?處理。該摩擦方向大致是從帶狀電極9c的連結(jié)端9e朝向開放端9d的方向。 在本實(shí)施例中，雖然帶狀電極9c延伸的方向和摩擦方向60以銳角交叉， 但該交叉角度如果不是直角，也可以設(shè)定為規(guī)定的角度。如圖4 (b)所示，利用上述的摩擦處理，在第1取向膜18上的液晶 分子在相對第1取向膜18的表面的角度6的斜向上被賦予預(yù)傾斜。在這里， 摩擦處理由于對露出第1取向膜18的整個(gè)面實(shí)施，所以不僅第1取向膜 18的平坦面，對傾斜面18a也實(shí)施同樣的處理。如果對傾斜面18a實(shí)施摩 擦處理，則傾斜面18a的液晶分子朝向傾斜面18a的向下的方向凈iL^予預(yù) 傾斜。換言之，在傾斜面18a的液晶分子在從傾斜面18a朝向?qū)娱g絕緣膜 13的上表面13a的方向(向下方向)被賦予預(yù)傾斜。而且，傾斜面18a在帶狀電極9c的開放端9d的附近也形成。在本實(shí)施例的液晶裝置中，各光學(xué)部件的光學(xué)軸配置能夠采用例如如 下的構(gòu)成。 TFT陣列基板10側(cè)的偏振光板14的透過軸和相對基板20側(cè)的偏振 24的透過軸以相互正交的方式配置，偏振光板24的透過軸與第1取 向膜18的摩擦方向平行。另外，使第1取向膜18的摩擦方向?yàn)榕c像素電 極9和共用電極19之間產(chǎn)生的電場的主方向(與帶狀電極9c的延伸方向 正交的方向)和大致交叉的方向。并且，在初始狀態(tài)沿著摩擦方向平行取 向的液晶通過在像素電極9和共用電極19之間施加的電壓，向上述電場的 主方向側(cè)旋轉(zhuǎn)并取向。才艮據(jù)該初始取向狀態(tài)和電壓施加時(shí)的取向狀態(tài)的差 異進(jìn)行明暗顯示。在本實(shí)施例的液晶裝置中，通過在從帶狀電極9c的連結(jié)端9e朝向開 放端9d的方向?qū)嵤┠Σ撂幚?，傾斜面18a處的液晶分子，朝向傾斜面18a 的向下方向被賦予預(yù)傾斜。因此，與以從傾斜面18a液晶分子立起的角度被賦予預(yù)傾斜的情況相 比較，能夠抑制取向不良，防止背光90的照明光的光泄漏，實(shí)現(xiàn)高開口率 化。另外，在本實(shí)施例的橫電場方式的液晶裝置中，是僅在一方基板上形 成電極9、 19U象素電極9、共用電極19)的構(gòu)成，利用向電極9、 19施 加的電壓驅(qū)動(dòng)液晶。在形成有電極9、 19的TFT陣列J4110上設(shè)置的第 1取向膜18需要良好的取向控制能力，另一方面，在未形成電極的相對基 板20上設(shè)置的第2取向膜28即使與第1取向膜18相比取向控制能力差一 些，對顯示品質(zhì)也幾乎沒有影響。因此，本發(fā)明是能夠適用于僅在一方基 板上設(shè)置驅(qū)動(dòng)液晶的電極的橫電場方式的液晶裝置的技術(shù)。在上述實(shí)施例中，雖然采用了^皮稱為FFS方式的方式，但同樣以J4！ 面方向的電場使液晶動(dòng)作的IPS (平面內(nèi)切換)方式等也能夠得到同樣的 效果。作為把本發(fā)明應(yīng)用為IPS方式的結(jié)構(gòu)，以平面看梳齒狀的像素電極 9和梳齒狀的共用電極19相互嚙合的方式進(jìn)行配置，采用以剖面看在像素 電極9和共用電極19之間形成層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)。而且，在上述實(shí)施例的像素電極9中，采用了連結(jié)部9a在Y軸方向 延伸，帶狀電極9c在連結(jié)部9b的數(shù)據(jù)線6a側(cè)延伸的結(jié)構(gòu)，但并不局限于
此。也可以采用連結(jié)部9a在X軸方向延伸，帶狀電極9c在與該連結(jié)部9a 的掃描線3a相反側(cè)(在X軸方向延伸的連結(jié)部9a的-Y方向側(cè))延伸的 結(jié)構(gòu)。此時(shí)，對第1取向膜18的摩擦處理從連結(jié)部9a朝向與掃描線3a 相反側(cè)(在X軸方向延伸的連結(jié)部9a的-Y方向側(cè))實(shí)施。 <液晶裝置的制造方法>下面，參照圖5和圖6對本實(shí)施例的液晶裝置的制造方法進(jìn)行說明。 圖5是表示摩擦處理液晶裝置100中的第1取向膜18的工序的剖面圖， 是沿著圖4 (a)的B-B線的部分剖面圖。圖6是表示在與本發(fā)明的實(shí)施例相反的方向進(jìn)行摩擦處理的情況的圖。首先，對實(shí)施摩擦處理前的工序進(jìn)行說明。如圖5所示，在層間絕緣膜13上形成像素電極9。像素電極9的形成 方法是在層間絕緣膜13的整個(gè)面上利用成膜法形成ITO等的透明導(dǎo)電材 料后，利用公知的光刻技術(shù)構(gòu)圖成膜的透明導(dǎo)電膜。由此，在像素電極9 上形成上述平面形狀的連結(jié)部9a和帶狀電極9c。另外，在透明導(dǎo)電膜祐: 除去的部分露出層間絕緣膜13。而且，在透明導(dǎo)電材料的成膜工序中，相對于層間絕緣膜13，在預(yù)先 形成的像素接觸孔45中埋設(shè)透明導(dǎo)電材料，形成像素電極9的接觸部9b。下面，對包括像素電極9的上表面和側(cè)面的露出面和未形成像素電極 9的層間絕緣膜13的露出面，以覆蓋這些露出面的方式，形成第l取向膜 18。作為第1取向膜18的形成方法，可以采用通過脫水聚酰胺酸并進(jìn)行閉 環(huán)形成聚酰亞胺膜的方法、或通過使可溶性聚酰亞胺溶液的溶劑蒸發(fā)形成 聚酰亞胺膜的方法。作為具體的形成方法，例如，可以舉出在基仗上利用 印刷法、旋涂法涂覆包含聚酰胺酸或可溶性聚酰亞胺的取向膜形成材料后， 經(jīng)由預(yù)燒制工序和主燒制工序形成聚酰亞胺膜的方法。在對第1取向膜18實(shí)施摩擦處理的工序中，采用使剖面看圓形的摩擦 輥80向符號61所示方向旋轉(zhuǎn)， 一邊使摩擦輥80和形成有第1取向膜18
的TFT陣列基板10相對移動(dòng)， 一邊使在摩擦輥80的表面設(shè)置的摩擦布 81在第1取向膜18的表面摩擦的方法。在本實(shí)施例中，如圖4 (a)所說明的那樣，在從帶狀電極9c的連結(jié) 端9e朝向開放端9d的方向?qū)嵤┠Σ撂幚怼Ａ硗?，在進(jìn)行摩擦處理時(shí)，在 摩擦輥柳和第1取向膜18接觸的位置，使摩擦輥80的旋轉(zhuǎn)方向61和相 對摩擦輥80的TFT陣列基板10的相對移動(dòng)方向62為相同方向。由此， 能夠一邊^(qū)*擦輥80旋轉(zhuǎn)， 一邊使摩擦布81的毛確切地到達(dá)第1取向膜 18的傾斜面18a，能夠在第1取向膜18的傾斜面18a實(shí)施摩擦處理。在通過以上的工序制作TFT陣列基板10后，利用>^知的制造方法通 過密封材料粘合制作的TFT陣列141 10和所述相對基板20。其后，在 TFT陣列基板10和相對基板20和密封材料圍起來的空間充填液晶并進(jìn)行 密封。并且，能夠通過在14^本體10A的外面?zhèn)群?41本體20A的外面?zhèn)?分別^1置偏振;^14、 24，在TFT陣列基板10的外面?zhèn)仍O(shè)置背光90，制 造上述實(shí)施例的液晶裝置100。而且，粘合TFT陣列a 10和相對基&20的工序、封入液晶的工序， 設(shè)置偏振iUl14、 24的工序，背光90的制造工序等，可以利用公知的制 造工序。另外，在粘合TFT陣列基板10和相對基板20時(shí)，也可以應(yīng)用預(yù) 先在兩基&的相對面配置液晶，利用不具有密封口的框狀的密封材料封入 液晶的工序。根據(jù)本實(shí)施例的液晶裝置的制造方法，由于圖5說明的摩擦處理對第 1取向膜18實(shí)施，所以傾斜面18a上的液晶分子，朝向圖4(b)所示的傾 斜面18a的向下方向拔賦予預(yù)傾斜。相反，在從帶狀電極9c的開放端9d朝向連結(jié)端9e的方向?qū)嵤┠Σ撂?理的情況下，即，如圖6所示，對第1取向膜18在符號63所示的旋轉(zhuǎn)方 向?qū)嵤┠Σ撂幚淼那闆r下，不能夠向液晶分子賦予圖4(b)所示那樣的預(yù) 傾斜。在如圖6所示的情況下，第1取向膜18的傾斜面18a上的液晶分子 朝向傾斜面18a的向上方向拔陚予預(yù)傾斜。換言之，傾斜面18a上的液晶 分子在從傾斜面18a朝向第1取向膜18的上面方向(向上方向)被賦予預(yù)
傾斜。該情況下，容易產(chǎn)生基于取向不良的光泄漏。比較圖4 (b)和圖6可知，在本實(shí)施例中，在從帶狀電極9c的連結(jié) 端9e朝向開放端9d的方向?qū)嵤┠Σ撂幚?，所以能夠?qū)?取向膜18的傾 斜面18a上的液晶分子賦予向下方向的預(yù)傾斜。由此，能夠防止傾斜面18a 的附近的取向不良、光泄漏等，實(shí)現(xiàn)高開口率化。而且，雖然在連結(jié)部9a的傾斜面18a的相反側(cè)的斜面的附近，液晶分 子在立起的方向祐賦予預(yù)傾斜，但由于配置有圖4(a)所示的遮光膜BM， 所以能夠防止光泄漏。<電子設(shè)備>圖7是表示本發(fā)明的電子i殳備的實(shí)例的立體圖。圖7所示的移動(dòng)電話 1300具備將本發(fā)明的液晶裝置作為小尺寸的顯示部1301，還具備多個(gè)操 作掩睫1302、聽筒1303和話筒1304。由此，能夠提供具備由本發(fā)明的液 晶裝置構(gòu)成的顯示品質(zhì)優(yōu)良的顯示部的移動(dòng)電話1300。上述實(shí)施例的液晶裝置不限于上述移動(dòng)電話，還可以作為電子書、個(gè) 人計(jì)算機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、液晶電視、取景器型或監(jiān)視器直視型錄像機(jī)、車 輛導(dǎo)航裝置、傳呼機(jī)、電子記事本、電子計(jì)算器、文字處理器、工作站、 可視電話、POS終端、具備觸摸面板的設(shè)備等等的圖像顯示手段被合理利 用，在任何電子設(shè)備中，都能夠進(jìn)行高對比度、大視場角的顯示。
權(quán)利要求
1.一種液晶裝置，具備夾持液晶層而相對的第1基板和第2基板；在所述第1基板的所述液晶層側(cè)形成的第1電極；隔著絕緣膜在所述第1電極上形成的第2電極；和覆蓋所述絕緣膜和所述第2電極的取向膜；其特征在于，所述第2電極具備在基板面方向延伸并且使延伸方向的一方的端部為連結(jié)端、另一方的端部為開放端的多個(gè)帶狀電極部；和分別連接所述多個(gè)帶狀電極部的各所述連結(jié)端的連結(jié)部；其中，對所述取向膜，在從所述連結(jié)端朝向所述開放端的方向上，實(shí)施摩擦處理。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶裝置，其特征在于，在所述第2電極的上表面和所述絕緣膜的上表面之間形成有臺階， 所述取向膜具有以順著所述臺階的方式形成的傾斜面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶裝置，其特征在于，所述第2電極具備平面看線對稱地配置的第1帶狀電極部組和第2帶 狀電極部組。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項(xiàng)所述的液晶裝置，其特征在于， 對所述取向膜實(shí)施摩擦處理的方向，與所迷笫1帶狀電極部組和所述第2帶狀電極部組的對稱軸平行。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任意一項(xiàng)所述的液晶裝置，其特征在于， 在與所述連結(jié)部的至少一部分重疊的位置上，配置有遮光層。
6. —種液晶裝置的制造方法，所述液晶裝置具備夾持液晶層而相對 的第1 a和笫2 在所述笫1 M的所述液晶層側(cè)形成的第1電極； 隔著絕緣膜在所述第1電極上形成的第2電極；和覆蓋所述絕緣膜和所述 第2電極的取向膜；其特征在于，所述方法包括形成笫2電極的步驟，所述第2電極具備在基板面方向延伸并且使 延伸方向的一方的端部為連結(jié)端、另一方的端部為開放端的多個(gè)帶狀電極部，和分別連接所述多個(gè)帶狀電極部的各所述連結(jié)端的連結(jié)部；和對所述取向膜在從所述連結(jié)端朝向所述開放端的方向上實(shí)施摩擦處理 的步驟。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置的制造方法，其特征在于，在所述第l J4l和用于所iL學(xué)擦處理的摩擦輥的接觸位置，所述第l基昧的移動(dòng)方向和所M擦輥的旋轉(zhuǎn)方向相同。
8. —種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1~5中的任意一項(xiàng)所 述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供了液晶裝置和其制造方法以及電子設(shè)備。具體地，本發(fā)明提供了能夠抑制取向不良的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)了高開口率化的液晶裝置和液晶裝置的制造方法。本發(fā)明的液晶裝置具備夾持液晶層而相對的第1基板和第2基板；在第1基板的液晶層側(cè)形成的第1電極；隔著絕緣膜(13)在第1電極上形成的第2電極(9)；和覆蓋絕緣膜(13)和第2電極(9)的取向膜(18)；其中，第2電極(9)具備在基板面方向延伸并且使延伸方向的一方的端部為連結(jié)端(9e)、另一方的端部為開放端(9d)的多個(gè)帶狀電極部(9c)；和分別連接所述多個(gè)帶狀電極部(9c)的各連結(jié)端(9e)的連結(jié)部(9a)；其中，對取向膜(18)在從連結(jié)端(9e)朝向開放端(9d)的方向上實(shí)施摩擦處理。
文檔編號G02F1/1343GK101153998SQ20071016175
公開日2008年4月2日 申請日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月26日
發(fā)明者和田啟志, 比嘉政勝 申請人:愛普生映像元器件有限公司