專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及可以確保圖案一致 性的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體器件形成在多層結(jié)構(gòu)中。典型地，通過濺射方法、化學(xué)氣 相淀積方法等等，形成這種多層結(jié)構(gòu)的每一層，并且通過使這些層經(jīng)過刻蝕 工藝而將其圖案化。
然而，由于圖案大小和圖案密度不同，在半導(dǎo)體器件中會出現(xiàn)一些問題， 例如，在半導(dǎo)體器件的襯底上。因此，正在發(fā)展與器件的主圖案一起形成虛 設(shè)圖案的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供可以確保圖案一致性的半導(dǎo)體器件及其制造方法。 本發(fā)明提供包含虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體器件及其制造方法，該虛設(shè)圖案可簡
化設(shè)計工藝和制造工藝。
在一個實施例中，半導(dǎo)體器件包括第一組虛設(shè)圖案，包括以第一間距
彼此分隔開而形成的多個第一虛設(shè)圖案；以及第二組虛設(shè)圖案，以第二間距
與第一組虛設(shè)圖案分隔開而形成，其中第二組虛設(shè)圖案包括以第一間距彼此 分隔開而形成的多個第二虛設(shè)圖案。
在另一實施例中，半導(dǎo)體器件包括第一組虛設(shè)圖案，包括以第一間距 彼此分隔的多個第一虛設(shè)圖案；第二組虛設(shè)圖案，以第二間距與第一組虛設(shè) 圖案分隔開而形成，其中第二組虛設(shè)圖案包括以第一間距彼此分隔開而形成 的多個第二虛設(shè)圖案；以及主圖案，以等于或大于第一間距的間距，與第一 組虛設(shè)圖案和/或第二組虛設(shè)圖案分隔開而形成。
在又一個實施例中，半導(dǎo)體器件包括第一組虛設(shè)圖案，包括以第一間距彼此分隔開而形成的多個第一虛設(shè)圖案以及以第五間距與選中的第一虛 設(shè)圖案分隔開而形成的第五虛設(shè)圖案；以及第二組虛設(shè)圖案，以第二間距與
第一組虛設(shè)圖案分隔開而形成，其中第二組虛設(shè)圖案包括以第一間距彼此分 隔開而形成的多個第二虛設(shè)圖案以及以第五間距與選中的第二虛設(shè)圖案分 隔開而形成的第六虛設(shè)圖案。
在實施例中，半導(dǎo)體器件包括主圖案，形成在襯底上；多個虛設(shè)圖案， 以相同大小形成在除了形成有主圖案的區(qū)域之外的區(qū)域中；以及層間介電 層，形成在主要圖形和多個虛設(shè)圖案上。
根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件制造方法包括在襯底上形成主圖案；在除了 形成有主圖案的區(qū)域之外的區(qū)域中，形成具有相同大小的多個虛設(shè)圖案；以 及在主要圖形和多個虛設(shè)圖案上形成層間介電層。
在實施例中，半導(dǎo)體器件包括第一多邊形虛設(shè)圖案，其至少一個邊的 長度不同于其余邊的長度；以及第二多邊形虛設(shè)圖案，相鄰第一多邊形虛設(shè) 圖案形成，與第一多邊形虛設(shè)圖案相距預(yù)定間距，其中第二多邊形虛設(shè)圖案 具有與第一多邊形虛設(shè)圖案相同的大小。


附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，合并在本申請中并且組成本申請的一 部分，其圖示了本發(fā)明的實施例并且和說明書一起用來解釋發(fā)明原理。在附 圖中
圖1至圖4為示出根據(jù)第一實施例半導(dǎo)體器件的虛設(shè)圖案示例的平面
圖5為根據(jù)第二實施例半導(dǎo)體器件的平面圖； 圖6為根據(jù)第二實施例半導(dǎo)體器件的截面圖； 圖7為根據(jù)第三實施例半導(dǎo)體器件的平面圖； 圖8為根據(jù)第四實施例半導(dǎo)體器件的平面圖； 圖9為根據(jù)第五實施例半導(dǎo)體器件的截面圖；以及
圖io為根據(jù)第六實施例半導(dǎo)體器件的平面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將要詳細(xì)地介紹本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出。 在下文中，將參考附圖，對半導(dǎo)體器件及其制造方法的實施例進(jìn)行描述。 圖1至4為示出根據(jù)第一實施例半導(dǎo)體器件的虛設(shè)圖案示例的平面圖。
在第一實施例中，在選中層中形成第一組虛設(shè)圖案120。第一組虛設(shè)圖 案120包括多個第一虛設(shè)圖案122。第一組虛設(shè)圖案120的第一虛設(shè)圖案122 以第一間距A與相鄰的第一虛設(shè)圖案122分隔開。
在該選中層中形成第二組虛設(shè)圖案130。第二組虛設(shè)圖案130以第二間 距B與第一組虛設(shè)圖案120分開一段距離。第二組虛設(shè)圖案130包括多個第 二虛設(shè)圖案132。第二組虛設(shè)圖案130的第二虛設(shè)圖案132以第一間距A與 相鄰的第二虛設(shè)圖案132分隔開。
在如圖1中所示的實施例中，第一組虛設(shè)圖案120包括兩個第一虛設(shè)圖 案122，該兩個第一虛設(shè)圖案122形成在一列中，并且以第一間距A彼此分 隔開。另外，第二組虛設(shè)圖案包括兩個第二虛設(shè)圖案132，該兩個第二虛設(shè) 圖案132形成在一列中，并且以第一間距A彼此分隔開。第一虛設(shè)圖案122 與第二虛設(shè)圖案132對準(zhǔn)，使得每個第一虛設(shè)圖案122以第二間距B與對應(yīng) 的第二虛設(shè)圖案132分隔開。盡管圖l示出的示例中，第一組虛設(shè)圖案120 和第二組虛設(shè)圖案130分別由兩個第一虛設(shè)圖案122和兩個第二虛設(shè)圖案 132構(gòu)成，但并不限于此。
在如圖2中所示的實施例中，第一組虛設(shè)圖案120包括多列第一虛設(shè)圖 案122，其中每個第一虛設(shè)圖案122以第一間距A與相鄰的第一虛設(shè)圖案122 分隔開。在一個實施例中，第一組虛設(shè)圖案120包括四個第一虛設(shè)圖案122， 該四個第一虛設(shè)圖案122形成四邊形的第一組虛設(shè)圖案120，該四邊形具有 邊長C。第二組虛設(shè)圖案包括兩個第二虛設(shè)圖案132，該兩個第二虛設(shè)圖案 132形成在一列中，并且以第一間距A彼此分隔開。最靠近第二組虛設(shè)圖案 130的第一虛設(shè)圖案122與第二虛設(shè)圖案132對準(zhǔn)，使得最靠近第二組虛設(shè) 圖案130的每個第一虛設(shè)圖案122，以第二間距B與對應(yīng)的第二虛設(shè)圖案132 分隔開。
在實施例中，第一間距A等于或大于特定半導(dǎo)體制造工藝中圖案之間的 最小設(shè)計規(guī)則間距。
在實施例中，第一組虛設(shè)圖案120和第二組虛設(shè)圖案130為執(zhí)行相同作用的一層的層圖案，例如有源層圖案、金屬圖案或多層(poly layer)圖案。
在一個實施例中，第一組虛設(shè)圖案122和第二組虛設(shè)圖案132為有源層 圖案，但是不限于此。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案122和/或第二虛設(shè)圖案132以"的數(shù)目形 成(其中n為等于或大于1的整數(shù))。
在一個實施例中，如圖1中圖示，第一虛設(shè)圖案122以兩個虛設(shè)圖案(21) 形成，但是實施例不限于此。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案122和第二虛設(shè)圖案132具有相同形狀。虛 設(shè)圖案以相同形狀形成，從而改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及半導(dǎo)體制造工藝的 速度和精確度，并且最大化了圖案一致性和圖案密度。
同樣，在實施例中，第一虛設(shè)圖案122和第二虛設(shè)圖案132具有相同大 小。當(dāng)虛設(shè)圖案具有相同形狀和大小時，進(jìn)一步改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及 半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度，并且最大化了圖案一致性和圖案密度。
虛設(shè)圖案具有相同形狀和大小，從而在最大化了圖案一致性和圖案密度 的同時，改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案122和第二虛設(shè)圖案132的數(shù)量可以是相同 的，例如，如圖1中所示，或者是不同的，例如，如圖2中所示。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案122是多邊形的。例如，第一虛設(shè)圖案122 是具有邊長X的正方形，但是不限于此。
選擇第一間距A以提高圖案密度。在實施例中，當(dāng)?shù)谝惶撛O(shè)圖案122是 正方形時，第一間距A為第一虛設(shè)圖案122寬度X的1/16至3/4。
在一個實施例中，例如，第一虛設(shè)圖案122間的第一間距A是第一虛設(shè) 圖案122寬度X的1/2，但是不限于此。
第一虛設(shè)圖案122的寬度X等于或大于特定半導(dǎo)體制造工藝中的最小設(shè) 計規(guī)則線寬或最小設(shè)計規(guī)則圖案寬度。
此外，在實施例中，第二間距B不同于第一間距A。當(dāng)然，第二間距B 可以等于第一間距A。
在實施例中，當(dāng)?shù)诙g距B與第一間距A不同時，第二間距B比第一 間距A更長或者更短。
在實施例中，第二間距B比第一間距A長時，第二間距B是第一間距A的1至10倍。例如，第二間距B是第一間距A的3倍，但是不限于此。
圖3示出了第一組虛設(shè)圖案120和第二組虛設(shè)圖案130以相同大小、形 狀和圖案來形成的示例實施例。特別地，圖3示出的實施例中，第一組虛設(shè) 圖案120和第二組虛設(shè)圖案130分別包括四個第一虛設(shè)圖案122和四個第二 虛設(shè)圖案132。
在這樣的實施例中，排列虛設(shè)圖案，使得具有相同形狀和大小的虛設(shè)圖 案的圖案密度提高。
接下來，圖4示出了利用另一形狀虛設(shè)圖案的實施例。
圖4示出了第一虛設(shè)圖案222和第二虛設(shè)圖案232以相同形狀和大小例 如矩形形成的情況示例。
參考圖4，另外，第二組虛設(shè)圖案包括兩個第二虛設(shè)圖案132，該兩個 第二虛設(shè)圖案132形成在一列中，并且以第一間距A彼此分隔開。第一虛設(shè) 圖案122與第二虛設(shè)圖案132對準(zhǔn)，使得每個第一虛設(shè)圖案122以第二間距 B與相應(yīng)的第二虛設(shè)圖案132分隔開。第一組虛設(shè)圖案220包括多個第一虛 設(shè)圖案222，該多個第一虛設(shè)圖案222形成在一行中，并且以第一間距A分 隔開。另外，第二組虛設(shè)圖案230包括多個第二虛設(shè)圖案232，該多個第一 虛設(shè)圖案232形成在一行中，并且以第一間距A彼此分隔開。第二組虛設(shè)圖 案230在與第一組虛設(shè)圖案230相距第二間距B處形成。
根據(jù)實施例，形成具有相同形狀和大小的虛設(shè)圖案，使得實現(xiàn)圖案一致 性成為可能。
同樣，根據(jù)實施例，通過確保圖案一致性，使得每個圖案的臨界直徑(CD) 為不變的。
因此，提供了并入一個或多個上述實施例的虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體器件。 圖5是根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖，以及圖6是沿圖5的I-I' 的截面圖。
根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件300包括在襯底50上形成的主圖案510、第 一組虛設(shè)圖案320以及第二組虛設(shè)圖案330。第一組虛設(shè)圖案320包括多個 第一虛設(shè)圖案322，其中相鄰的第一虛設(shè)圖案322以第一間距A彼此分隔開 而形成。第二組虛設(shè)圖案330以與第一組虛設(shè)圖案320相距第二間距B而形 成。第二組虛設(shè)圖案330包括多個第二虛設(shè)圖案332，其中相鄰的第二虛設(shè)圖案332以第一間距A彼此分隔開而形成。在實施例中，主圖案510以等于 或大于第一間距A的距離，與第一組虛設(shè)圖案320和/或第二組虛設(shè)圖案330 分隔開。
對于一層，在半導(dǎo)體襯底50上，形成多個主圖案510、多個第一組虛設(shè) 圖案320以及多個第二組虛設(shè)圖案330。在實施例中，多個第一組虛設(shè)圖案 320和多個第二組虛設(shè)圖案330由可變數(shù)量的多個第一虛設(shè)圖案322和第二 虛設(shè)圖案332形成，從而在第一間距A和第二間距B保持為恒定間距的同時， 虛設(shè)圖案不會與主圖案510交疊。
如圖6中所示，在實施例中，層間介電層圖案600形成在主圖案510和 虛設(shè)圖案320、 330上，而主圖案510和虛設(shè)圖案320、 330形成在襯底50 上。
第二實施例可并入結(jié)合第一實施例的實施例表述的技術(shù)特征。 在第二實施例的半導(dǎo)體器件300中，第一組虛設(shè)圖案320和第二組虛設(shè)
圖案330為執(zhí)行相同作用的一層的層圖案。
例如，第一組虛設(shè)圖案320和第二組虛設(shè)圖案330為有源層圖案，但是
實施例不限于此。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案322和/或第二虛設(shè)圖案332以2"的數(shù)目形 成(其中n為等于或大于1的整數(shù))。例如，如參照圖1所述，第一虛設(shè)圖 案322以兩個虛設(shè)圖案(21)形成，但是實施例不限于此。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案322和第二虛設(shè)圖案332具有相同形狀。虛 設(shè)圖案以相同形狀形成，從而改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及半導(dǎo)體制造工藝的 速度和精確度，并且最大化了圖案一致性和圖案密度。
同樣，在實施例中，第一虛設(shè)圖案322和第二虛設(shè)圖案332具有相同大 小。當(dāng)虛設(shè)圖案具有相同形狀和大小時，進(jìn)一步改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及 半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度，并且最大化了圖案一致性和圖案密度。
虛設(shè)圖案具有相同形狀和大小，從而在最大化了圖案一致性和圖案密度 的同時，改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案322和第二虛設(shè)圖案332的數(shù)量可以是相同 或者是不同的。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案322是多邊形的。例如，第一虛設(shè)圖案322是正方形的，但是不限于此。
在實施例中，當(dāng)?shù)?- 虛設(shè)圖案322是正方形時，第一間距A是第一虛設(shè) 圖案322寬度的1/16至3/4。
在實施例中，第二間距B與第一間距A不同。當(dāng)然，第二間距B可以 與第一間距A相同。
在使得第二間距B長于第一間距A的實施例中，第二間距B是第一間 距A的1至10倍。例如，第二間距B是第一間距A的3倍，但是不限于此。
通過根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件，形成具有相同形狀和大小的虛設(shè)圖 案，使得實現(xiàn)圖案一致性成為可能。
同樣，根據(jù)實施例，通過確保圖案一致性，使得每個圖案的臨界直徑(CD)恒定。
由此，提供了并入一個或多個上述實施例的虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體器件。
同時，在根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件300中，與第一組虛設(shè)圖案320 以及第二組虛設(shè)圖案330 —起，形成主圖案510。
同時形成虛設(shè)圖案和主圖案。因此，改進(jìn)了數(shù)據(jù)量的縮減以及半導(dǎo)體制 造工藝的速度和精確度。
圖7是根據(jù)第三實施例半導(dǎo)體器件400的平面圖。
根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件400包括第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖 案430，該第二組虛設(shè)圖案430與第一組虛設(shè)圖案420以第二間距B分隔開。 第一組虛設(shè)圖案420包括多個第一虛設(shè)圖案422，其中相鄰的第一虛設(shè)圖案 422以第一間距A彼此分隔開而形成。第二組虛設(shè)圖案430包括多個第二虛 設(shè)圖案432，其中相鄰的第二虛設(shè)圖案432以第一間距A彼此分隔開而形成。 在這個實施例中，第二間距B比第一間距A長。
在另一實施例中，在第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖案430之間， 形成第三虛設(shè)圖案450。
第三虛設(shè)圖案450以第三間距D與第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖 案430分隔開。第三間距D等于或大于特定半導(dǎo)體制造工藝的最小設(shè)計規(guī)則 線寬。
第三實施例可并入結(jié)合第二實施例的實施方式描述的技術(shù)特征。 在根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體器件400中，第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖案430為實現(xiàn)相同功能的一層的層圖案。第三虛設(shè)圖案450可形成在 與第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖案430不同的層中。
例如，第一組虛設(shè)圖案420和第二組虛設(shè)圖案430為有源層圖案，以及 第三虛設(shè)圖案450為多層圖案，但是實施例不限于此。
根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體器件400可形成有主圖案(未示出)。
同時形成虛設(shè)圖案和主圖案。虛設(shè)圖案以相同的形狀和大小而形成，從 而改進(jìn)了數(shù)據(jù)量的縮減以及半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度。
圖8是根據(jù)第四實施例的半導(dǎo)體器件600的平面圖。
第四實施例包括第一組虛設(shè)圖案620和第二組虛設(shè)圖案630。第一組虛 設(shè)圖案620包括多個第一虛設(shè)圖案622和第五虛設(shè)圖案625。第五虛設(shè)圖案 625在與第一虛設(shè)圖案622相距第五間距E處形成。第二組虛設(shè)圖案630在 與第一組虛設(shè)圖案620相距第二間距B處形成。第二組虛設(shè)圖案630包括多 個第二虛設(shè)圖案632和第六虛設(shè)圖案635。第六虛設(shè)圖案在與第二虛設(shè)圖案 632相距第五間距E處形成。
圖8示出第一組虛設(shè)圖案620和第二組虛設(shè)圖案630分別包括四個虛設(shè) 圖案的示例，但是實施例不限于此。在實施例中，相鄰的第一虛設(shè)圖案622 以第一間距A分隔開，并且相鄰的第五虛設(shè)圖案625與以第一間距A分隔 開，使得第一虛設(shè)圖案622行與第五虛設(shè)圖案625行之間的間距不同于第一 組虛設(shè)圖案620中虛設(shè)圖案列之間的間距。第二虛設(shè)圖案632和第六虛設(shè)圖 案635之間的間距，等于第一虛設(shè)圖案622與第五虛設(shè)圖案625之間的間距。
第四實施例的特點在于， 一組虛設(shè)圖案的虛設(shè)圖案可以在一組虛設(shè)圖案 內(nèi)的相鄰虛設(shè)圖案之間具有不同的間距。
就是說，在實施例中，第一組虛設(shè)圖案620包括多個第一虛設(shè)圖案622 和第五虛設(shè)圖案625，該多個第一虛設(shè)圖案622以第一間距A彼此分隔開而 形成,該第五虛設(shè)圖案625以第五間距E與第一虛設(shè)圖案622分隔開而形成。
第一間距A和第五間距E等于或大于特定半導(dǎo)體制造工藝中圖案之間的 最小設(shè)計規(guī)則間距。
這時，在實施例中，第一間距A比第五間距E長；然而，實施例不限于 此。就是說，第一間距A可以比第五間距E短。
第四實施例可并入結(jié)合第一、第二和第三實施例的實施方式描述的技術(shù)特征。
就是說，在第四實施例中，第一組虛設(shè)圖案620和第二組虛設(shè)圖案630 為執(zhí)行相同作用的一層的層圖案，例如有源層圖案、金屬圖案或多層圖案。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案622和/或第二虛設(shè)圖案632以2"的數(shù)目形 成(其中n為等于或大于1的整數(shù))。
在實施例中，第一虛設(shè)圖案622、第五虛設(shè)圖案625、第二虛設(shè)圖案632 和第六虛設(shè)圖案635具有相同形狀。虛設(shè)圖案以相同形狀和大小形成，從而 改進(jìn)了虛設(shè)圖案的設(shè)計以及半導(dǎo)體制造工藝的速度和精確度，并且最大化了 圖案一致性和圖案密度。
在一個實施例中，虛設(shè)圖案形成為矩形形狀。當(dāng)虛設(shè)圖案為矩形時，虛 設(shè)圖案的水平寬度X和垂直寬度Y彼此不同。因此，水平寬度X比垂直寬 度Y更長或者更短。
虛設(shè)圖案的寬度等于或大于特定半導(dǎo)體制造工藝中的最小設(shè)計規(guī)則線 寬或最小設(shè)計規(guī)則圖案寬度。
圖9是根據(jù)第五實施例的半導(dǎo)體器件700的平面圖。
參考圖9，半導(dǎo)體器件包括形成在襯底50上的主圖案710;在除了形成 有主圖案710的區(qū)域之外的區(qū)域中，形成相同大小的多個虛設(shè)圖案722和 732;以及在主圖案和多個虛設(shè)圖案722和732上形成的層間介電層600。
根據(jù)第五實施例的半導(dǎo)體器件并入結(jié)合第一至第四實施例的實施方式 描述的特征。
例如，在實施例中，虛設(shè)圖案包括第一組虛設(shè)圖案720和第二組虛設(shè) 圖案，該第二組虛設(shè)圖案以第二間距B與第一組虛設(shè)圖案720分隔開。第一 組虛設(shè)圖案包括以第一間距A彼此分隔開而形成的多個第一虛設(shè)圖案722; 第二組虛設(shè)圖案包括以第一間距A彼此分隔開而形成的多個第二虛設(shè)圖案 732。
在根據(jù)第五實施例的半導(dǎo)體器件中，第一虛設(shè)圖案722和第二虛設(shè)圖案 732具有相同形狀。
同樣，在實施例中，虛設(shè)圖案包括第一組虛設(shè)圖案720和第二組虛設(shè)圖 案，該第二組虛設(shè)圖案以第二間距B與第一組虛設(shè)圖案720分隔開。第一組 虛設(shè)圖案720包括多個第一虛設(shè)圖案723和第五虛設(shè)圖案(未示出)，該多個第一虛設(shè)圖案723以第一間距彼此分隔開而形成，該第五虛設(shè)圖案以第五 間距E與第一虛設(shè)圖案723分隔開而形成。第二組虛設(shè)圖案包括多個第二虛 設(shè)圖案732和第六虛設(shè)圖案(未示出)，該多個第二虛設(shè)圖案732以第一間 距彼此分隔開而形成，該第六虛設(shè)圖案以第五間距E與第二虛設(shè)圖案732分 隔開。
在實施例中，第一間距與第五間距不同。
根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件制造方法包括在襯底上形成主圖案；在除了 形成有主圖案的區(qū)域之外的區(qū)域中，形成相同大小的多個虛設(shè)圖案；以及在 主圖案和多個虛設(shè)圖案上形成層間介電層。
根據(jù)第五實施例的半導(dǎo)體器件制造方法并入結(jié)合第一至第四實施例的 實施方式描述的特征。
例如，形成虛設(shè)圖案包括形成第一組虛設(shè)圖案，該第一組虛設(shè)圖案包 括以第一間距彼此分隔開的多個第一虛設(shè)圖案；以及形成第二組虛設(shè)圖案， 該第二組虛設(shè)圖案以第二間距與第一組虛設(shè)圖案分隔開，其中第二組虛設(shè)圖 案包括以第一間距彼此分隔開的多個第二虛設(shè)圖案。
在另一實施例中，形成虛設(shè)圖案包括形成第一組虛設(shè)圖案，該第一組 虛設(shè)圖案包括多個第一虛設(shè)圖案和第五虛設(shè)圖案，該多個第一虛設(shè)圖案以第 一間距彼此分隔開，該第五虛設(shè)圖案以第五間距與第一虛設(shè)圖案分隔開；形 成第二組虛設(shè)圖案，該第二組虛設(shè)圖案以第二間距與第一組虛設(shè)圖案分隔 開，該第二組虛設(shè)圖案包括多個第二虛設(shè)圖案和第六虛設(shè)圖案，該多個第二 虛設(shè)圖案以第一間距彼此分隔開，該第六虛設(shè)圖案以第五間距與第二虛設(shè)圖 案分隔開。
圖io是根據(jù)第六實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。
根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件包括第一組虛設(shè)圖案820，該第一組虛設(shè)圖案 820包括具有多邊形形狀的第一虛設(shè)圖案822，其中至少一邊的長度與其 余邊的長度不同；以及具有多邊形形狀的第二虛設(shè)圖案823，以預(yù)定間距A 與第一虛設(shè)圖案822分隔開而形成，并且與第一虛設(shè)圖案822大小相同。
根據(jù)第六實施例的半導(dǎo)體器件并入結(jié)合第一至第四實施例的實施方式 描述的技術(shù)特征。
例如，虛設(shè)圖案822和823具有相同形狀。同樣，在另一實施例中，包括第二組虛設(shè)圖案(未示出)，該第二組虛
設(shè)圖案包括與第一組虛設(shè)圖案820相同形狀和大小的虛設(shè)圖案。
如上所述，根據(jù)實施例，形成具有相同形狀和大小的虛設(shè)圖案，使得實 現(xiàn)圖案一致性成為可能。
同樣，根據(jù)實施例，通過確保圖案一致性，使得每個圖案的臨界直徑(CD) 為不變的。
因此，提供了并入一個或多個上述實施例的半導(dǎo)體器件，這些實施例利 用相同形狀和大小的虛設(shè)圖案。
在實施例中，并入一個或多個上述實施例的半導(dǎo)體器件可簡化設(shè)計和制 造工藝，其中這些實施例利用相同形狀和大小的虛設(shè)圖案。
在實施例中，對于第二虛設(shè)圖案不需要具有不同形狀和/或大小的層，提 供具有相同形狀和大小的虛設(shè)圖案。
關(guān)于實施例的說明，在表述為在每層"上/下"形成的情況下，"上/下" 涵蓋所有的"直接形成"或"通過在之間插入(直接)其它層形成"。
本說明書中對"一個實施例"、"實施例"、"示例實施例"等等的引 用，意味著結(jié)合該實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在本發(fā)明的至少 一個實施例中。在說明書的各個地方出現(xiàn)這樣的短語，不一定全是指同一實 施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為它是在 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合其它實施例實現(xiàn)這樣的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性的范 圍內(nèi)。
盡管通過參考多個示例性實施例對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)該 理解為本領(lǐng)域技術(shù)人員可設(shè)計出許多其它修改和實施例，這些修改和實施例 落入本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。更加特別地，在說明書、附圖和隨附的 權(quán)利要求的范圍之內(nèi)的主題結(jié)合排列的組成部分和/或排列中，可以進(jìn)行各種 各樣的變化和修改。除了組成部分和/或排列的變化和修改之外，對本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言可替代的用途是顯然的。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體器件，包括第一組虛設(shè)圖案，包括至少一個第一虛設(shè)圖案，其中相鄰的第一虛設(shè)圖案以第一間距彼此分隔開；第二組虛設(shè)圖案，包括至少兩個第二虛設(shè)圖案，其中相鄰的第二虛設(shè)圖案以所述第一間距彼此分隔開，其中，所述第二組虛設(shè)圖案與所述第一組虛設(shè)圖案以第二間距分隔開。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一虛設(shè)圖案和所述 第二虛設(shè)圖案具有相同的形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一虛設(shè)圖案和所述 第二虛設(shè)圖案具有相同的大小。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間距比所述第一 間距長。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間距比所述第一 間距短。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一虛設(shè)圖案是多邊形。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括主圖案，所述主圖 案由與所述第一虛設(shè)圖案和所述第二虛設(shè)圖案相同的層形成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括層間介電層，所述 層間介電層位于所述主圖案、所述第一虛設(shè)圖案和所述第二虛設(shè)圖案上。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述主圖案與所述第一組 虛設(shè)圖案和/或所述第二組虛設(shè)圖案以等于或大于所述第一間距的距離分隔 開。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括第三虛設(shè)圖案，所 述第三虛設(shè)圖案形成在所述第一組虛設(shè)圖案與所述第二組虛設(shè)圖案之間的 不同層上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括第三虛設(shè)圖案，所 述第三虛設(shè)圖案形成在所述第一組虛設(shè)圖案與所述第二組虛設(shè)圖案之間的不同層上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一組虛設(shè)圖案進(jìn) 步包括第五虛設(shè)圖案，所述第五虛設(shè)圖案與選中的第一虛設(shè)圖案以第五間距分隔開；以及其中，所述第二組虛設(shè)圖案進(jìn)一步包括第六虛設(shè)圖案，所述第六虛設(shè)圖 案與選中的第二虛設(shè)圖案以所述第五間距分隔開。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一間距、所述第 二間距和所述第五間距具有不同的大小。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一虛設(shè)圖案、所 述第五虛設(shè)圖案、所述第二虛設(shè)圖案和所述第六虛設(shè)圖案具有相同形狀和大 小。
15、 一種半導(dǎo)體器件，包括 主圖案，形成在襯底上；多個虛設(shè)圖案，以相同大小形成在除了形成有所述主圖案的區(qū)域之外的 區(qū)域中，其中所述多個虛設(shè)圖案包括第一組虛設(shè)圖案，包括以第一間距彼此分隔開的多個第一虛設(shè)圖案，以及至少一個第二虛設(shè)圖案，與所述第一組虛設(shè)圖案以不同于所述第一 間距的第二間距分隔開；以及層間介電層，形成在所述主圖案和所述多個虛設(shè)圖案上。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個虛設(shè)圖案中的 每個虛設(shè)圖案具有相同的形狀。
17、 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在襯底上形成主圖案；以及在除了形成有所述主圖案的區(qū)域之外的區(qū)域中，形成多個虛設(shè)圖案，其 中，所述多個虛設(shè)圖案中的每個虛設(shè)圖案具有相同大小。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟 在所述主圖案和所述多個虛設(shè)圖案上形成層間介電層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述形成多個虛設(shè)圖案的步驟 包括形成第一組虛設(shè)圖案，所述第一組虛設(shè)圖案包括以第一間距彼此分隔開 的多個第一虛設(shè)圖案；以及形成第二組虛設(shè)圖案，所述第二組偽虛設(shè)圖案與所述第一組虛設(shè)圖案以 不同于所述第一間距的第二間距分隔開，其中所述第二組虛設(shè)圖案包括至少 一個第二虛設(shè)圖案。
20、根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述主圖案和所述多個虛設(shè)圖 案同時形成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件包括第一組虛設(shè)圖案和第二組虛設(shè)圖案，該第二組虛設(shè)圖案與第一組虛設(shè)圖案以第二間距分隔開。第一組虛設(shè)圖案包括多個第一虛設(shè)圖案，該多個第一虛設(shè)圖案以第一間距彼此分隔開而形成。第二組虛設(shè)圖案包括多個第二虛設(shè)圖案，該多個第二虛設(shè)圖案以第一間距彼此分隔開而形成。第一虛設(shè)圖案和第二虛設(shè)圖案具有相同形狀和大小。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件及其制造方法可以確保圖案一致性以及簡化設(shè)計工藝和制造工藝。
文檔編號G03F1/68GK101295711SQ20071016186
公開日2008年10月29日 申請日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月27日
發(fā)明者曹甲煥, 李相熙 申請人:東部高科股份有限公司