專利名稱：光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術(shù)。所述光刻工藝通 常包括如下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后， 通過曝光機將光掩;f莫版上的掩模圖形以特定光源曝在所述的感光材料上，隨 后，再以顯影劑將感光材料顯影，并利用顯影出來的圖形作為屏蔽，進行蝕 刻等工藝，并最終完成掩才莫圖形的轉(zhuǎn)移。
隨著集成電路制造工藝中器件的尺寸的越來越小，對于光刻工藝的要求 也越來越高。目前， 一般都是通過縮小曝光光源的曝光波長來達到曝出更小 尺寸圖形的目的。然而，這種僅僅借由縮小曝光波長的方式，通常會出現(xiàn)光 刻分辨率不足的問題。為了增加光刻分辨率，如今的集成電路制造工藝已發(fā) 展出光學(xué)鄰近修正以及相位移掩模等分辨率增強技術(shù)。最近，還出現(xiàn)了另一 種提高分辨率的技術(shù)一 "兩次曝光技術(shù)"，所述"兩次曝光技術(shù)"是將需要 進行曝光的電路圖形分解成兩部分，首先爆光一部分電路圖形，然后將已曝 光圖形移到鄰近地方，再對剩下的一部分電路圖形進行曝光。采用這一技術(shù) 能夠提高光刻分辨率。而當(dāng)前在"兩次曝光技術(shù)，，中使用的是基于雙極照明
的兩次曝光技術(shù)。所述兩次曝光是先把布局圖形分解成X極和Y極兩套，并 寫入光掩模版形成掩模圖形，再分別對掩模圖形進行曝光。在例如專利申請 號為03128638.0的中國專利申請中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于利用雙極照明來得到具 有較小特征尺寸的電路圖形的方法。并且，目前的工藝是采用既定的規(guī)則(X極和Y極有兩套不同的規(guī)則)，
針對布局圖形中每條邊進行不同的移動，以形成分別對應(yīng)于X極和Y極的兩 套布局圖形，再對兩套布局圖形進行光學(xué)修正后寫入兩張光掩模版中。然后 進行兩次曝光，曝光后圖形在晶圓上疊加從而得到實際的器件圖形的。然而， 由于對應(yīng)于X極和Y極的布局圖形是寫在兩張光掩模版上的，因而在兩次曝 光之間需要轉(zhuǎn)換光掩模版，并對光掩模版的位置作出校準(zhǔn)，而這樣的校準(zhǔn)往 往會給曝光過程帶來誤差，降低了曝光精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法，來解決 現(xiàn)有技術(shù)曝光精度不高的問題。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種光掩模版，包括基板、位于同一基板 上的至少一個對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模圖形和至少一個對應(yīng)于Y極曝 光光源的第二掩才莫圖形，其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
所述第一掩模圖形位于基板的上半部，所述第二掩模圖形位于基板的下 半部。
所述第 一掩模圖形位于基板的左半部，所述第二掩模圖形位于基板的右 半部。
所述第一掩模圖形和第二掩模圖形間隔排列于基板上。 本發(fā)明還提供一種制作光掩模版的方法，包括下列步驟， 將布局圖形分解成對應(yīng)于X極曝光光源和Y極曝光光源的兩套布局圖
形；
對所述分解后的兩套布局圖形進行光學(xué)修正，以分別獲得第 一布局修正
圖形和第二布局修正圖形；選定第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形在同 一基板上的寫入?yún)^(qū)域；
將所述第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形轉(zhuǎn)移至基板上所對應(yīng)的寫 入?yún)^(qū)域，形成第一掩模圖形和第二掩模圖形，
其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
選定第 一布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的上半部，選定第二 布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的下半部。
選定第 一布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的左半部，選定第二 布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的右半部。
選定第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為間隔 排列。
本發(fā)明還提供一種曝光方法，包括下列步驟，
提供光掩模版，包括基板和形成于基板上對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩 模圖形和對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形；
根據(jù)光掩模版上的掩模圖形的位置，分別對光掩模版上對應(yīng)于X極曝光 光源的第 一掩模圖形和Y極曝光光源的第二掩模圖形進行曝光，
其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
所述第一掩模圖形位于基板的上半部，所述第二掩模圖形位于基板的下 半部。
所述第一掩模圖形位于基板的左半部，所述第二掩模圖形位于基板的右 半部。
所述第 一掩模圖形和第二掩模圖形間隔排列于基板上。
所述分別對第 一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光為先對光掩模版上的所有第 一掩模圖形或第二掩模圖形進行曝光，再對第二掩模圖形或第 一掩模 圖形進行曝光。
所述分別對第 一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光為先對同屬于一個布 局圖形的第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光，再對下一個同屬于一個布 局圖形的第 一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述所公開的光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光
的方法具有以下優(yōu)點上述所公開的光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光 的方法通過在應(yīng)用兩次曝光技術(shù)的光刻工藝中，將經(jīng)X極和Y極分解的兩套 布局圖形制作在同 一光掩模版上，再對光掩模版上相應(yīng)的掩模圖形分別進行 曝光，從而避免了轉(zhuǎn)換光掩模版以及校準(zhǔn)光掩模版給曝光過程帶來的誤差， 提高了曝光的精度。


圖l是本發(fā)明光掩模版的一種實施方式示意圖2是本發(fā)明光掩模版的另一種實施方式示意圖3是本發(fā)明制作光掩模版的方法的一種實施方式示意圖4是本發(fā)明曝光方法的一種實施方式示意圖5是本發(fā)明光掩模版的一種實施方式對應(yīng)的未分解前布局圖形示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所公開的光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法在應(yīng)用兩 次曝光技術(shù)的光刻工藝中，將經(jīng)X極和Y極分解的兩套布局圖形制作在同一 光掩模版上，再對光掩模版上相應(yīng)的掩模圖形分別進行曝光，從而避免了轉(zhuǎn) 換光掩模版以及校準(zhǔn)光掩模版給曝光過程帶來的誤差，提高了曝光的精度。
參照圖l所示，本發(fā)明光掩才莫版的一種實施方式包括基板1、形成于基板1上的兩個對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模圖形10、 11和兩個對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形20、 21,并且所述的兩個第一 掩模圖形10、 11位于基板1的上半部分，所述的兩個第二掩模圖形20、 21 位于基板1的下半部分。其中所述第一掩模圖形IO和第二掩模圖形20對應(yīng) 于同一個布局圖形，而第一掩模圖形11和第二掩模圖形21對應(yīng)于同一個布 局圖形。所述第一掩模圖形和第二掩模圖形的個數(shù)并非限定于兩個，也可以 是一個，具體的數(shù)量可以根據(jù)工藝設(shè)計的要求而定。
所述掩模圖形的間距，例如第一掩模圖形IO和第一掩模圖形11的間距； 第一掩模圖形10和第二掩模圖形20的間距；第二掩沖莫圖形21和第二掩模圖 形20的間距；第二掩模圖形21和第二掩模圖形11的間距， 一般為光掩模版 上分割線的寬度，例如此處所述掩才莫圖形的間距為80um。所述的基板l為光 掩模版上的可透光板， 一般為有機玻璃等可透光材料。而所述第一掩模圖形 10、 11和第二掩模圖形20、 21均位于光掩模版上的不透光區(qū)域，所述不透光 區(qū)域的材質(zhì)一般為鉻，所述鉻位于所述的可透光板上。
參照圖2所示，本發(fā)明光掩^^莫版的另一種實施方式包括
基板1、形成于基板1上的兩個對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模圖形10、 11和兩個對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形20、 21，并且所述的兩個第一 掩模圖形10、 11位于基板1的左半部分，所述的兩個第二掩模圖形20、 21 位于基板1的右半部分。其中所述第一掩模圖形10和第二掩模圖形20對應(yīng) 于同一個布局圖形，而第一掩模圖形11和第二掩模圖形21對應(yīng)于同一個布 局圖形。所述第一掩模圖形和第二掩模圖形的個數(shù)并非限定于兩個，也可以 是一個，具體的數(shù)量可以根據(jù)工藝設(shè)計的要求而定。
所述掩模圖形的間距，例如第一掩模圖形IO和第一掩模圖形11的間距； 第一掩模圖形10和第二掩模圖形20的間距；第二掩模圖形21和第二掩模圖
8形20的間距；第二掩模圖形21和第二掩模圖形11的間距， 一般為光掩模版 上分割線的寬度，例如此處所述掩才莫圖形的間距為80um。所述的基板l為光 掩模版上的可透光板， 一般為有機玻璃等可透光材料。而所述第一掩模圖形 10、 11和第二掩模圖形20、 21均位于光掩模版上的不透光區(qū)域，所述不透光 區(qū)域的材質(zhì)一般為鉻，所述鉻位于所述的可透光板上。
參照圖3所示，本發(fā)明制作光掩模版的方法的一種實施方式包括下列步
驟，
步驟sl，將布局圖形分解成對應(yīng)于X極曝光光源和Y極曝光光源的兩套 布局圖形；
步驟s2，對所述分解后的兩套布局圖形進行光學(xué)修正，以分別獲得第一 布局修正圖形和第二布局修正圖形；
步驟s3,選定第一布局修正圖形和第二布局修正圖形在同一基板上的寫 入?yún)^(qū)域；
步驟s4,將所述第一布局修正圖形和第二布局修正圖形轉(zhuǎn)移至基板上所 對應(yīng)的寫入?yún)^(qū)域，形成第一掩模圖形和第二掩模圖形，所述第一掩模圖形對 應(yīng)于第一布局修正圖形，第二掩模圖形對應(yīng)于第二布局修正圖形，其中，所 述第 一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
選定第 一布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的上半部，選定第二 布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的下半部。
選定第 一布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的左半部，選定第二 布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的右半部。
選定第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為間隔 排列。所述掩模圖形的間距一般為光掩模版上分割線的寬度，例如此處所述掩
模圖形的間距為80um。所述的基板為光掩模版上的可透光板， 一般為有機玻 璃等可透光材料。而所述第一掩模圖形和第二掩模圖形均位于光掩模版上的 不透光區(qū)域，所述不透光區(qū)域的材質(zhì)一般為鉻，所述鉻位于所述的可透光板 上。
參照圖4所示，本發(fā)明曝光方法的一種實施方式包括下列步驟，
步驟s10，提供光掩模版，包括基板和形成于基板上對應(yīng)于X極曝光光源 的第一掩模圖形和對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形；
步驟s20,根據(jù)光掩模版上的第一掩模圖形和第二掩模圖形的位置，移動 光掩模版分別對第 一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光，
其中，所述第一掩模圖形和第二掩才莫圖形成對出現(xiàn)。
所述第 一掩模圖形位于基板的上半部，所述第二掩模圖形位于基板的下 半部。
所述第一掩模圖形位于基板的左半部，所述第二掩模圖形位于基板的右 半部。
所述第一掩模圖形和第二掩模圖形間隔排列于基板上。
所述掩模圖形的間距一般為光掩模版上分割線的寬度，例如此處所述掩 模圖形的間距為80um。所述的基板為光掩模版上的可透光板， 一般為有機玻 璃等可透光材料。而所述第一掩模圖形和第二掩模圖形均位于光掩模版上的 不透光區(qū)域，所述不透光區(qū)域的材質(zhì)一般為鉻，所述鉻位于所述的可透光板 上。
所述分別對第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光為，先對光掩模版上 的所有第 一掩模圖形或第二掩模圖形進行曝光，再對第二掩模圖形或第 一掩
10模圖形進行曝光。
所述對第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光為，先對同屬于一個布局 圖形的第 一掩模圖形和第二掩才莫圖形進行曝光，再對下 一個同屬于一個布局 圖形的第 一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光。
下面以一個從制作光掩模版到所述的曝光過程為例，進行詳細說明，以 使得上述的光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法更加清楚。
繼續(xù)參照圖3所示，當(dāng)需要在光刻工藝中應(yīng)用兩次曝光技術(shù)時，首先就 需要對所要進行光刻工藝的布局圖形進行分解。例如，參照圖5所示，所述 布局圖形為一組互相平行的折線圖形，所述折線圖形包括沿與X極曝光光源
對應(yīng)的x方向的第一線段(圖1中未標(biāo)示)和沿與Y極曝光光源對應(yīng)的y方 向的第二線段(圖1中未標(biāo)示)，第一線段和第二線段垂直相交。那么所述的 布局圖形就可以分解為兩套布局圖形， 一套布局圖形包括第一線段，而另一 套布局圖形包括第二線段。
眾所周知，在將掩模圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上時，很容易產(chǎn)生光學(xué)臨近效應(yīng) (OPE， optical proximity effect),例如直角專爭角圓形4匕(right-angled corner rounded)、直線末端緊縮(line end shortened)以及直線線寬增加/縮減(line width increase/decrease )等都是常見的光學(xué)臨近效應(yīng)所導(dǎo)致的掩模圖形轉(zhuǎn)移到 晶圓上的缺陷。因而，在將布局圖形寫入光掩模版形成掩模圖形之前，就需 要先對布局圖形進行修正。本例中，所述布局圖形被分解成了對應(yīng)于X極曝 光光源和Y極曝光光源的兩套布局圖形，因而就需要對所述的兩套布局圖形 分別進行修正得到第一布局修正圖形和第二布局修正圖形。而修正的目的就 是補償光學(xué)臨近效應(yīng)帶來的影響， 一般對線性圖形的修正方法有基于規(guī)則的 光學(xué)臨近效應(yīng)修正法、基于模型的光學(xué)臨近效應(yīng)修正法、基于像素的光學(xué)臨 近效應(yīng)修正法等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法，這里就不再對光學(xué)臨近修正的方法作詳細敘述了 。
在得到第一布局修正圖形和第二布局修正圖形后，由于需要將第一布局 修正圖形和第二布局修正圖形寫入同一光掩模版，因而在此之前，就需要先 分別選定第一布局修正圖形和第二布局修正圖形寫入的區(qū)域。如前所述，第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形寫入的區(qū)域分別位于基板的兩側(cè)，參照 圖1所示，第一布局修正圖形和第二布局修正圖形寫入的區(qū)域可以分別位于
基板的上半部分和下半部分；參照圖2所示，第一布局修正圖形和第二布局
修正圖形寫入的區(qū)域也可以分別位于基板的左半部分和右半部分。當(dāng)然，第 一布局^f'務(wù)正圖形和第二布局修正圖形的寫入?yún)^(qū)域也可以間隔排列。
當(dāng)選定了第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形寫入的區(qū)域之后，就可 以通過電子束寫入裝置或激光束寫入裝置將第一布局修正圖形和第二布局修 正圖形寫入基板，形成第一掩模圖形和第二掩模圖形。所述第一掩^t圖形和 第二掩模圖形的材質(zhì)為不透光材質(zhì)， 一般為鉻。至此，光掩模版的制作就完成了。
而在光掩模版制作完成之后，將光掩模版送入曝光系統(tǒng)中進行曝光制程。 在光掩模版被送入曝光系統(tǒng)后，需要先對于光掩模版的位置進行校準(zhǔn)，以使 得光掩模版能夠精確定位于曝光光源下設(shè)定的位置。當(dāng)完成校準(zhǔn)之后，就可
以分別使用X極曝光光源或Y極曝光光源對相應(yīng)的掩模圖形進行曝光了。繼 續(xù)參照圖4所示，所述曝光系統(tǒng)根據(jù)光掩模版上的第一掩模圖形和第二掩模 圖形的位置，移動光掩模版分別對第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光
這里的曝光過程可以有兩種選擇， 一種是先使用 一種單一光源對光掩模 版上所有對應(yīng)的掩模圖形進行曝光，例如使用X極光源對光掩模版上所有的 第一掩模圖形進行曝光，然后再轉(zhuǎn)換另一種單一光源對光掩模版上所有對應(yīng) 的掩模圖形進行曝光，例如使用Y極光源對光掩模版上所有的第二掩模圖形進行曝光；另 一種是根據(jù)各個第 一掩模圖形和第二掩模圖形所對應(yīng)的分解前
的布局圖形進行分別曝光，即輪流使用X極光源和Y極光源對屬于一個布局
圖形的第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光，當(dāng)完成之后，再對屬于另一 個布局圖形的第一掩^t圖形和第二掩模圖形進行曝光，直至完成光掩模版上 所有掩模圖形的曝光。
以下的例子是為了使上述對曝光過程的描述更加清楚，并非用于限定。
例如，繼續(xù)參照圖1所示，第一掩模圖形IO和第二掩模圖形20是一個布局 圖形經(jīng)分解、修正后寫入的掩模圖形；而第一掩模圖形11和第二掩模圖形21 是另一個布局圖形經(jīng)分解、修正后寫入的掩模圖形。那么對所述掩模圖形的 曝光過程，既可以是先使用X極曝光光源對基板1上的所有第一掩模圖形， 即第一掩模圖形IO和第一掩模圖形11進行曝光，再使用Y極曝光光源對基 板1上的所有第二掩才莫圖形，即第二掩模圖形20和第二掩模圖形21進形曝 光；也可以是先對基板l上同屬于一個布局圖形的第一掩模圖形IO和第第二 掩模圖形20輪流使用X極曝光光源和Y極曝光光源進行曝光后，再對基板1 同屬于另一個布局圖形的第一掩模圖形11和第二掩模圖形21輪流使用X極 曝光光源和Y極曝光光源進行曝光。
在上述的兩種曝光過程中，由于X極曝光光源所對應(yīng)的掩模圖形和Y極 曝光光源所對應(yīng)的掩模圖形都形成于同一個光掩模版上，因而在X極曝光和 Y極曝光之間，并不需要再對于光掩模版的位置進行校準(zhǔn)，只需要在完成其 中 一種曝光之后，將另 一種曝光光源對應(yīng)的掩才莫圖形移動到該曝光光源下即 可。這樣就避免了引進新的光掩模版所必需的重新校準(zhǔn)過程，不僅提高了曝 光的效率，也避免了重新校準(zhǔn)給曝光帶來的誤差。并且，由于所需的掩模圖 形都是制作于同 一 張光掩模版上的，相對之前兩次曝光需要兩張光掩模版來 說，也降低了成本。
綜上所述，上述所公開的光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法通過在應(yīng)用兩次曝光技術(shù)的光刻工藝中，將經(jīng)X極和Y極分解的兩套布局圖
形制作在同一光掩模版上，再對光掩模版上相應(yīng)的掩模圖形分別進行曝光， 從而避免了轉(zhuǎn)換光掩模版以及校準(zhǔn)光掩^^莫版給曝光過程帶來的誤差，提高了 曝光的精度。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種光掩模版，其特征在于，包括基板、位于同一基板上的至少一個對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模圖形和至少一個對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形，其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
2. 如權(quán)利要求1所述的光掩模版，其特征在于，所述第一掩模圖形位于基板 的上半部，所述第二掩模圖形位于基板的下半部。
3. 如權(quán)利要求1所述的光掩模版，其特征在于，所述第一掩模圖形位于基板 的左半部，所述第二掩模圖形位于基板的右半部。
4. 如權(quán)利要求1所述的光掩模版，其特征在于，所述第一掩模圖形和第二掩 模圖形間隔排列于基板上。
5. —種制作光掩模版的方法，其特征在于，包括將布局圖形分解成對應(yīng)于X極曝光光源和Y極曝光光源的兩套布局圖形；對所述分解后的兩套布局圖形進行光學(xué)修正，以分別獲得第 一布局修正 圖形和第二布局修正圖形；選定第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形在同 一基板上的寫入?yún)^(qū)域；將所述第 一布局修正圖形和第二布局修正圖形轉(zhuǎn)移至基板上所對應(yīng)的寫 入?yún)^(qū)域，形成第一掩模圖形和第二掩模圖形，其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
6. 如權(quán)利要求5所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，選定第一布局修 正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的上半部，選定第二布局修正圖形在基板 上的寫入?yún)^(qū)域為基板的下半部。
7. 如權(quán)利要求5所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，選定第一布局修 正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的左半部，選定第二布局修正圖形在基板上的寫入?yún)^(qū)域為基板的右半部。
8. 如權(quán)利要求5所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，選定第一布局修正圖形和第二布局修正圖形在基〖反上的寫入?yún)^(qū)域為間隔排列。
9. 一種曝光的方法，其特征在于，包括提供光掩模版，包括基板和位于基板上對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模 圖形和對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩才莫圖形；根據(jù)光掩模版上的掩模圖形的位置，分別對光掩模版上對應(yīng)于X極曝光 光源的第 一掩模圖形和Y極曝光光源的第二掩模圖形進行曝光；其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。
10. 如權(quán)利要求9所述的曝光的方法，其特征在于，所述分別對第一掩模圖形 和第二掩模圖形進行曝光為先對光掩模版上的所有第 一掩模圖形或第二掩模 圖形進行曝光，再對第二掩模圖形或第 一掩模圖形進行曝光。
11. 如權(quán)利要求9所述的曝光的方法，其特征在于，所述分別對第一掩模圖形 和第二掩模圖形進行曝光為先對同屬于一個布局圖形的第一掩模圖形和第二掩模圖形進行曝光，再對下一個同屬于一個布局圖形的第一掩模圖形和第二 掩模圖形進行曝光。
12. 如權(quán)利要求9所述的曝光的方法，其特征在于，所述第一掩模圖形位于基 板的上半部，所述第二掩模圖形位于基板的下半部。
13. 如權(quán)利要求9所述的曝光的方法，其特征在于，所述第一掩模圖形位于基 板的左半部，所述第二掩模圖形位于基板的右半部。
14. 如權(quán)利要求9所述的曝光的方法，其特征在于，所述第一掩模圖形和第二 掩模圖形間隔排列于基板上。
全文摘要
一種光掩模版，包括基板、位于同一基板上的至少一個對應(yīng)于X極曝光光源的第一掩模圖形和至少一個對應(yīng)于Y極曝光光源的第二掩模圖形，其中，所述第一掩模圖形和第二掩模圖形成對出現(xiàn)。本發(fā)明還公開了一種制作光掩模版的方法及曝光的方法。所述光掩模版、制作光掩模版的方法及曝光的方法，避免了轉(zhuǎn)換光掩模版以及校準(zhǔn)光掩模版給曝光過程帶來的誤差，提高了曝光的精度。
文檔編號G03F1/36GK101446754SQ20071017108
公開日2009年6月3日 申請日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者王謹(jǐn)恒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司