專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)電致發(fā)光元件制程中的光刻掩膜板的清洗方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光元件制程中所用的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相關(guān)的清洗設(shè)備的技術(shù)。 背錄技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(0LED)作為平板顯示器的一大分支，具有面板厚度薄 (小于2mm),自發(fā)光，低操作電壓(3-IOV)，可制作大尺寸面板及制程簡(jiǎn)單等特性， 成為極具潛力的一項(xiàng)平面顯示技術(shù)，而在OLED行業(yè)中其制造過(guò)程中需用到的大面積 高精度鉻版掩膜板已成為重要的光刻治具。由于在制造有機(jī)電致發(fā)光元件的過(guò)程中 需要經(jīng)過(guò)多次光刻用于制造ITO像素，金屬電極，絕緣層和陰極隔離層， 一旦所使 用的光刻掩膜板受到污染，就會(huì)對(duì)光刻圖形造成非常不利的影響。所以必須每天在 每一道0LED器件的光刻過(guò)程前都需要對(duì)光刻掩膜板進(jìn)行徹底的清洗，以保證良品 率。但是由于反復(fù)的徹底清洗鉻版MASK，對(duì)MASK上的圖案邊緣和膜質(zhì)本身都產(chǎn)生 了不可挽回的損傷，使得MASK的使用壽命大大縮短，導(dǎo)致制造成本顯著增加。從而 要求有一種可以盡量減少M(fèi)ASK損傷的專(zhuān)用清洗方法和相關(guān)的清洗設(shè)備。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于光刻掩膜板(MASK)的清洗多使用手工方法，操作人員用潔凈 布沾著有機(jī)溶劑或氫氧化鉀擦去MASK上的沾污物后，再用大量純水沖洗，最后用手 持式氣槍吹干。這種方法的整個(gè)過(guò)程MASK都由人手來(lái)清潔，很容易受到外界環(huán)境(手 套，衣物)的影響，而且無(wú)法確保純水的沖洗是否全面、徹底以及氣槍的氣流是否 真正吹干了 MASK (水跡殘留)，容易造成二次污染。這種手工操作的清洗光刻掩膜 板的方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力，而且不能達(dá)到理想的清洗效果。目前， 一些國(guó)外的設(shè)備廠(chǎng)商也設(shè)計(jì)了用旋轉(zhuǎn)的(SPIN)的方式來(lái)清洗MASK的專(zhuān) 用的的設(shè)備，但需要的清洗試劑量大且設(shè)備的使用和保養(yǎng)也很煩瑣，最重要的是增 加一臺(tái)進(jìn)口的專(zhuān)用設(shè)備就意味著制造成本的大大增加，潔凈房?jī)艋h(huán)境的巨大改變。發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能降 低成本，縮短清洗時(shí)間，減少操作人員，提高清洗效果的有機(jī)電致發(fā)光元件制程中 光刻掩膜板的清洗方法及裝置。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所提供的一種有機(jī)電致發(fā)光元件制程中光刻掩 膜板的清洗裝置，由裝置的輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一 段、清洗單元的第二段、二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用于吹 干、清潔的風(fēng)刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特征在于，所 述清洗單元的第一段使用第一 (獨(dú)立的)循環(huán)純水系統(tǒng)，所述清洗單元的第二段、 二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環(huán)純水系統(tǒng)，所述二流體沖洗單元的 二流體為純水和氣，所述溫水洗單元使用加熱后淋洗并直接排放的純水系統(tǒng)。進(jìn)一步的，所述投片口設(shè)有能取放的保護(hù)罩。進(jìn)一步的，所述傳送單元不設(shè)置壓輥。進(jìn)一步的，所述第一和第二循環(huán)純水系統(tǒng)之間設(shè)有閥門(mén)。進(jìn)一步的，所述光刻掩膜板的清洗裝置為經(jīng)過(guò)改造的0LED基板清洗設(shè)備的后段 流水線(xiàn)設(shè)備。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所提供的一種有機(jī)電致發(fā)光元件制程中光刻掩 膜板的清洗方法，其特征在于，方法的步驟包括1) 光刻掩膜板送入投片口；2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送到設(shè)有獨(dú)立循環(huán)純水系統(tǒng)的清洗單元的第一段進(jìn)行清洗；3) 再次清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板進(jìn)入清洗單元的第二段、二流體沖洗單元 和淋式超聲洗單元進(jìn)行清洗，經(jīng)過(guò)這三單元的清洗光刻掩膜板的正反兩面的附著的 污染物已基本洗凈；4) 溫水(去除油脂)清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經(jīng)使用溫純水的溫水洗單元 清洗；完全去除油脂的附著；5) 吹干光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送至風(fēng)刀單元進(jìn)行吹干；6) 光刻掩膜板去除靜電。進(jìn)一步的，所述步驟1)之前將光刻掩膜板放入配有5°/。K0H溶液(電子純)的 清潔的容器中先浸泡5分鐘，然后將掩膜板取出再送入投片口。利用本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法及裝置，由 于采用這種改進(jìn)的光刻掩膜板(MASK)的清洗方法和相關(guān)的清洗設(shè)備第一可以在不 增加設(shè)備，不增加制造成本的前提下，盡可能的減少清洗光刻掩膜板所用的時(shí)間和 人員；第二可以切實(shí)去除附著在MASK上的污染物，并吹干MASK，有效提高M(jìn)ASK的 清洗效果。光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻膠的沾污，避免了人員在擦洗過(guò) 程中可能產(chǎn)生的二次污染(如衣服，手套，潔凈布的接觸)；在不增加制造成本的前 提下，本發(fā)明能有效防止從光刻掩膜板上剝離的污染物再次附著，明顯提高掩膜板 的清洗效果，并大大縮短了清洗時(shí)間，減少了操作人員，提高了工作效率。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的光刻掩膜板的清洗裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合

對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但本實(shí)施例并不用于 限制本發(fā)明，凡是采用本發(fā)明的相似結(jié)構(gòu)及其相似變化，均應(yīng)列入本發(fā)明的保護(hù)范圍。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗裝置，由裝置的輸 入端至輸出端依次包括中段投片口 1、清洗單元的第一段2a、清洗單元的第二段2b、 二流體沖洗單元3、淋式超聲洗單元4、溫水洗單元5、用于吹干、清潔的風(fēng)刀單元 6、去靜電單元7，所述各單元由滾輪傳送單元8連接；其特征在于，所述清洗單元 的第一段2a使用第一 (獨(dú)立的)循環(huán)純水系統(tǒng)9，所述清洗單元的第二段2b、 二流 體沖洗單元3、淋式超聲洗單元4使用第二循環(huán)純水系統(tǒng)10，所述溫水洗單元5使 用加熱后淋洗并直接排放的純水系統(tǒng)12，所述二流體沖洗單元3的二流體為純水和 氣11。所述光刻掩膜板的清洗裝置為經(jīng)過(guò)改造的0LED基板清洗設(shè)備的后段流水線(xiàn) 設(shè)備；所述投片口上設(shè)有能取放的保護(hù)罩；所述傳送單元8不設(shè)置壓輥；所述第一 和第二循環(huán)純水系統(tǒng)9、 IO之間設(shè)有閥門(mén)。本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗方法是將光刻掩膜板放入配有 清洗試劑的容器中先浸泡若干時(shí)間后將掩膜板取出，立即投入(膜面朝上)經(jīng)過(guò)改 造的0LED基板清洗設(shè)備的后段流水線(xiàn)設(shè)備中，經(jīng)過(guò)純水的多道沖洗過(guò)程，最后吹干， 去除靜電后取出。其特征一光刻掩膜板以浸泡方式去除表面的光刻膠的沾污，避 免了人員在擦洗過(guò)程中可能產(chǎn)生的二次污染(如衣服，手套，潔凈布的接觸)其特 征二.該方法使用到的清洗設(shè)備是利用了 OLED基板專(zhuān)用清洗設(shè)備(OLED器件對(duì)基板 清洗要求高)的后段純水清洗和風(fēng)刀吹干部分，整套基板清洗設(shè)備的中段被設(shè)計(jì)了 另一個(gè)投片口，投片口的長(zhǎng)度不能太長(zhǎng)，剛好等于MASK的邊長(zhǎng)，這是為了避免基板 清洗流程受到妨礙；在該投片口上安有保護(hù)罩，在平時(shí)進(jìn)行基板清洗的時(shí)候，保護(hù) 罩是放上去的，避免清洗設(shè)備內(nèi)部被污染。在MASK清洗時(shí)取下防護(hù)罩投入MASK進(jìn) 行清洗。其特征三MASK使用到的清洗設(shè)備里不設(shè)置壓在基板上的壓輥，在運(yùn)行中不 會(huì)對(duì)玻璃表面的金屬鉻膜造成損傷，也不會(huì)帶來(lái)二次污染。其特征四在MASK投入的 第一道水洗的水必須直接流掉，不進(jìn)入其他水洗過(guò)程的循環(huán)用水的系統(tǒng)，以免污染純水，這個(gè)可以通過(guò)閥門(mén)控制。其特征五使用片狀風(fēng)刀吹千玻璃，只有使用片狀風(fēng) 刀才能真正完全吹干大尺寸的玻璃表面。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種光刻掩膜板的清洗方法1) 光刻掩膜板送入投片口將光刻用鉻版掩膜板放入配有5%K0H溶液(電子 純)的清潔的容器中先浸泡5分鐘左右，然后將掩膜板取出，鉻版掩膜板沿著基板 傳送方向A被放入基板清洗設(shè)備的中段投片口 1;2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板被傳送到進(jìn)行二段式清洗單元的第一段 2a，這部分的水直接流掉，不進(jìn)入設(shè)備的水循環(huán)系統(tǒng)，這部分可以設(shè)計(jì)成純水9直 接接入使用后直接排放到掉，也可以設(shè)置閥門(mén)使得這個(gè)清洗單元的第一段2a在平時(shí) 基板清洗的時(shí)候使用循環(huán)水，而在進(jìn)行MASK清洗的時(shí)候水不流入循環(huán)水存放的處理 槽直接排掉；3) 再次清洗光刻掩膜板，接下來(lái)MASK進(jìn)入二段式清洗單元的第二段2b, 二流 體沖洗單元3和淋式超聲洗單元4，這三個(gè)單元用的是循環(huán)水，經(jīng)過(guò)這兒?jiǎn)卧那?洗MASK的正反兩面的附著的污染物己基本洗凈；4) 溫水(去除油脂)清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經(jīng)使用溫純水的溫水洗單 元5，完全去除油脂的附著；5) 吹干光刻掩膜板，掩膜板傳送至風(fēng)刀單元6，經(jīng)過(guò)過(guò)濾的干燥氣體通過(guò)片狀 風(fēng)刀的的出風(fēng)口切過(guò)MASK表面，將表面的水份完全吹干；6) 光刻掩膜板去除靜電，另外出片口安有去靜電單元7，所以從出片口傳送出 的光刻掩膜板是相當(dāng)干凈和干燥的。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光元件制程中光刻掩膜板的清洗裝置，由裝置的輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一段、清洗單元的第二段、二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用于吹干、清潔的風(fēng)刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特征在于，所述清洗單元的第一段使用獨(dú)立的第一循環(huán)純水系統(tǒng)，所述清洗單元的第二段、二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環(huán)純水系統(tǒng)，所述溫水洗單元使用加熱后淋洗并直接排放的純水系統(tǒng)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光刻掩膜板的清洗裝置，其特征在于，所述投片口設(shè) 有能取放的保護(hù)罩。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻掩膜板的清洗裝置，其特征在于，所述第一和第 二循環(huán)純水系統(tǒng)之間設(shè)有閥門(mén)。
4、 一種權(quán)利要求1所述的光刻掩膜板清洗裝置的清洗方法，其特征在于，方法 的步驟包括1) 光刻掩膜板送入投片口；2) 用水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送到設(shè)有獨(dú)立循環(huán)純水系統(tǒng)的清洗單元 的第一段進(jìn)行清洗；3) 再次清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板進(jìn)入清洗單元的第二段、二流體沖洗單元 和淋式超聲洗單元進(jìn)行清洗；4) 溫水清洗光刻掩膜板，光刻掩膜板經(jīng)使用溫純水的溫水洗單元進(jìn)行去除油脂 的清洗；5) 吹干光刻掩膜板，光刻掩膜板傳送至風(fēng)刀單元進(jìn)行吹干；6) 光刻掩膜板去除靜電。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻掩膜板的清洗方法，其特征在于，所述步驟l)之前將光刻掩膜板放入配有電子純的5%K0H溶液的清潔的容器中先浸泡5分鐘，然 后將掩膜板取出再送入投片口 。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種有機(jī)電致發(fā)光元件制程中光刻掩膜板的清洗方法及裝置，涉及電子半導(dǎo)體元器件制造技術(shù)領(lǐng)域；所要解決的是清洗光刻掩膜板的降低成本，提高效果的技術(shù)問(wèn)題；該裝置由輸入端至輸出端依次包括中段投片口、清洗單元的第一段、清洗單元的第二段、二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元、溫水洗單元、用于吹干、清潔的風(fēng)刀單元、去靜電單元，所述各單元由傳送單元連接；其特征在于，所述清洗單元的第一段使用獨(dú)立的第一循環(huán)純水系統(tǒng)，所述清洗單元的第二段、二流體沖洗單元、淋式超聲洗單元使用第二循環(huán)純水系統(tǒng)，所述溫水洗單元使用加熱后淋洗并直接排放的純水系統(tǒng)。本發(fā)明的清洗方法及裝置具有降低成本，縮短時(shí)間，減少操作人員，提高清洗效果的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G03F1/82GK101221355SQ20071017110
公開(kāi)日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者吳玉琦, 剛 周 申請(qǐng)人:上海廣電電子股份有限公司