專利名稱：用于壓印平版印刷術的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及用于平版印刷術(lithography )的方法和裝置， 特別是涉及一種用于壓印殘余層處理的方法和裝置。
背景技術：
壓印平版印刷術(壓印光刻模版制作技術)介紹了一種平版印刷 方法，其中，平模具10 (例如透明模具或模板)壓入平基板12上的 液體聚合物(抗蝕劑)11中，如圖1A中所示。
然后，如圖1B所示，聚合物11通過暴露于光13 (例如，當使用 透明模具時)或熱中而固化。
然后，如圖1C中所示，除去模具IO,留下在聚合物ll中的模具 IO特征的壓印。實際上，模具10通常為扁平的，并有在它的表面中 蝕刻的細小深度特征。實際上，這些特征的尺寸范圍從幾微米至幾納 米。目的通常是使用蝕刻技術而將聚合物抗蝕劑11中的凹凸圖形15 轉印至基板材料中。
圖1D表示了在蝕刻而暴露基板12表面后聚合物抗蝕劑11的殘 余層16。
希望將模具壓入抗蝕劑中，這樣，非常少的抗蝕劑(例如大約50% 的特征高度或更少)保留在掩模的無特征部分和基板12之間。通常需 要該厚度小至40nm或更小。
而且，對于隨后的蝕刻處理，重要的是使殘余層16的厚度極其均 勻。實際上，由于抗蝕劑的粘性、模具10和基板12的平直度和柔性 以及微粒污染，這很難實現(xiàn)。
這導致需要使用超級清潔、極其精確、緩慢和昂貴的方法來在所 希望的微米至納米的范圍內進行平版印刷。必須花費相當大的成本和 努力來開發(fā)能夠使殘余層減小和均勻的系統(tǒng)。
因此，普通技術中的一個較大問題是獲得殘余層厚度與特征厚度 的合適比例，因此，該比例通常規(guī)定了處理窗口。通常，很難獲得極 薄的殘余層，如上所述。
實際上，人們可以想象掩模為l厘米(或直到幾英寸)的正方形，
且抗蝕劑不是很粘，而是具有有限的粘性，將抗蝕劑壓成50納米很困 難。也就是，當殘余層變得越來越薄時，粘性剪切力因此增大，且最 終需要較大的(按壓)力來獲得合適的厚度。該力將使得掩模和基板 翹曲，從而導致更不均勻。最后，當殘余層變薄時，需要更多時間來 使它移開。
另外，如上所述，均勻性是一個問題，因為當人們希望標稱殘余 層厚度為50納米時，人們希望各處的厚度都為50納米，這需要完美 的掩模，且表面和抗蝕劑必須無顆粒。大于所希望的殘余厚度的任何 顆粒污染都將使得掩模和基板局部變形。這些變形導致最終印刷缺陷， 該缺陷的尺寸大于引起該缺陷的初始顆粒。

發(fā)明內容
考慮到普通方法和結構的上述和其它示例問題、缺陷和缺點，本 發(fā)明的示例特征提供了一種用于壓印平版印刷術的方法和結構，特別 是用于壓印殘余層處理。
本發(fā)明的另一示例特征是提供一種壓印平版印刷的方法(和系 統(tǒng))，它使用掩模和光致抗蝕劑的系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠容許微粒污染以及 殘余層厚度和均勻性的變化，還產生高分辨率/高縱橫比(aspect)的 抗蝕劑結構。
在本發(fā)明的第一示例方面， 一種壓印平版印刷的方法(和裝置) 包括通過具有圖形的掩模將圖形壓印在基板的抗蝕劑層中；以及使覆 層覆蓋在壓印的抗蝕劑層上面。覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后 的處理。
在本發(fā)明的第二示例實施例中， 一種壓印平版印刷的方法包括將 平整的覆層布置在壓印層上面，其中，覆層的一部分用作硬掩模，用 于隨后的處理。
在本發(fā)明的第三示例實施例中， 一種用于壓印平版印刷的系統(tǒng)包
括壓印施加單元，該壓印施加單元通過具有圖形的掩模而將基板上 的抗蝕劑層壓印成一定圖形；以及旋轉涂覆裝置，該旋轉涂覆裝置使 覆層疊加在壓印的抗蝕劑層上。覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后 的處理。
示例實施例主要使用光致抗蝕劑作為所示實例。不過應當知道， 熱固化或催化固化類型的抗蝕劑也同樣可以使用。實際上，可以使用 任何能夠壓印和硬化就位的材料。實際上，選擇的材料通常為低粘性 聚合物，該聚合物一致硬化，它在除去掩模時保持穩(wěn)定圖形，且它能 夠在隨后處理中方便地進行蝕刻。
通過本發(fā)明，不管人們獲得怎樣的殘余層，光致抗蝕劑都被印刷。 因此，殘余層可以制得相對較厚，但是可以制得非常均勻。在示例實 施例中，支承墊或"底腳，，布置在光掩模上。這些底腳使得掩模升高至 在基板上面的已知和確定的高度。支承墊執(zhí)行兩個功能。首先，它們 幫助保證光致抗蝕劑在整個印刷區(qū)域有均勾厚度。其次，它們降低了 外來顆粒落在掩模和基板之間和使得間隙變形(并使相應光致抗蝕劑 厚度變化)的可能性。底腳的高度通常選擇為大于大部分外界污染物。
因此，圖形印刷在具有均勻厚度的光致抗蝕劑的頂部。平整的光 致抗蝕劑(例如蝕刻抗蝕劑覆層)在光致抗蝕劑的頂部旋轉。相對于 壓印材料，平整光致抗蝕劑由這樣的材料形成，即考慮它們的抗蝕 刻性而進行選擇。這時，在平整抗蝕劑上進行蝕刻，以便露出光致抗 蝕劑的頂部，然后，該處理轉換成第二蝕刻氣體，以便向下蝕刻光致 抗蝕劑(但是只留下旋轉施加的(spun-on)材料)，直到基板。
由于在覆層和抗蝕劑之間的選擇性，可以獲得非常高的縱橫比(直 到10:1等，其中，殘余層的厚度與特征的厚度相比較大)的結構，其 被印刷而具有很大變化的殘余層。因此，本發(fā)明容許殘余層厚度、顆 粒和均勻性的較小變化。
本發(fā)明可用于多種用途。首先，平整抗蝕劑實際上進行平整，此 外，掩模(或模板)在大部分情況下被均勻蝕刻。它們并不需要適應
非常困難或異常的限制。也就是，本發(fā)明容許模板稍微傾斜或稍微彎 曲。還有，因為殘余層可以通過本發(fā)明而制成為更厚，按壓模板以便 使殘余層變薄所需的時間明顯減少。因此，本發(fā)明能夠有很高的生產 率和很高的穩(wěn)定性。
因此，并不需要使用超級清潔、非常精確和昂貴的方法來在所希 望的微米至納米尺度上進行平版印刷。因此，本發(fā)明獲得殘余層厚度 與特征厚度的合適比例。
因此，通過本發(fā)明，使用掩模和光致抗蝕劑的系統(tǒng)而提供了壓印 平版印刷的簡單方法，該系統(tǒng)容許顆粒污染以及殘余層厚度和均勻性 的變化，還產生高分辨率/高縱橫比的抗蝕劑結構。


通過下面參考附圖對本發(fā)明示例實施例的詳細說明，將更好地理
解前述和其它示例目的、方面和優(yōu)點，附圖中
圖1A-1D表示了簡單的壓印平版印刷處理；
圖2A-2D表示了旋轉覆層壓印平版印刷處理；
圖3表示了本發(fā)明的方法30的流程圖4表示了蝕刻至二氧化硅基板表面的覆層抗蝕劑結構；
圖5A表示了在對涂覆在有機抗蝕劑51上面的平整抗蝕劑52進 行印刷后的結構，且它表示了墊片底腳53;
圖5B表示了在蝕刻平整的抗蝕劑52之后的、圖5A的結構；
圖5C表示了在蝕刻有機抗蝕劑53之后的、圖5B的結構；以及
圖6表示了本發(fā)明的壓印平版印刷系統(tǒng)60。
具體實施例方式
下面參考附圖，特別是參考圖2A-6，它們表示了本發(fā)明的方法 和結構的示例實施例。 示例實施例
如上所述，普通實踐涉及使用超級過濾抗蝕劑、特別清潔的環(huán)境 和剛性掩模以及基板支承件來補救上述問題。這些實踐很有效，但是 在時間和復雜性方面非常昂貴。
本發(fā)明設計成克服這些和其它示例問題。
下面參考圖2A-2D，本發(fā)明提供了一種壓印平版印刷的簡單方 法，它使用光致抗蝕劑的系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠容許殘余層厚度和均勻性 的變化，還產生高分辨率/高縱橫比的抗蝕劑結構。
在本發(fā)明方法中，壓印以普通方式進行(例如如圖1A-1D中所 示)，其中，基板20包括上面的聚合物抗蝕劑21。該聚合物抗蝕劑21 將稱為"壓印層"。
參考圖2A,第二聚合物抗蝕劑層22再施加在(例如通常旋轉施 加)壓印層21的頂部。層22將稱為"覆層，，或屏蔽層。應當知道，優(yōu) 選是使用旋轉方式，因為旋轉提供了很大的精度。這樣，壓印或定位 模板不需要非常仔細地提供精度，優(yōu)選是使層旋轉來提供合適精度。 還應當知道，覆層優(yōu)選是為平整類型的。
然后，在三(3)個附加蝕刻步驟中將壓印圖形轉印至基板20上。
如圖2B中所示，第一蝕刻步驟(例如該第一蝕刻步驟選擇為針 對屏蔽層22)局部蝕刻覆層(屏蔽層)22，從而露出壓印層21的升 高部分。也就是，覆層22被蝕刻，以便暴露壓印層21中的特征 (feature )。
如圖2C中所示，第二蝕刻步驟(該第二蝕刻步驟選擇為針對壓 印層21，且選擇并不針對屏蔽層22)蝕刻壓印層21的、在第一蝕刻 步驟中暴露的部分，直到基板20。
如圖2D所示，第三蝕刻步驟蝕刻基板20。也就是，在圖2D中， 基板通常進行進一步處理，以便蝕刻、沉積或植入材料。圖2d表示了 當抗蝕劑圖形通過蝕刻轉印至基板20上時的情況。
圖3表示了本發(fā)明的方法30的流程圖。特別是，在步驟31中， 壓印抗蝕劑施加在基板上。
在步驟32中，通過將掩模壓入抗蝕劑中并抵靠在基板上、固化抗 蝕劑和從基板上除去掩模，從而將圖形壓印至抗蝕劑中。
在步驟33中，覆層通過旋轉或其它合適方法而施加在抗蝕劑的頂 部上。
在步驟34中，壓印圖形翻轉，且覆層頂部被蝕刻，直到露出抗蝕 劑層的升高部分。
在步驟35中，第二蝕刻步驟(該第二蝕刻步驟選擇為針對壓印層， 且選擇為并不針對屏蔽層)蝕刻壓印層的、在第一蝕刻步驟中暴露的 部分，直到基板。
最后，在步驟36中，基板被進一步處理，以便蝕刻、沉積或植入 材料。
還有，應當知道，本發(fā)明并不依靠模板的按壓和定位來獲得實現(xiàn) 所需蝕刻選擇所需要的精度(例如獲得均勻薄膜厚度)，本發(fā)明優(yōu)選是 通過使用薄平整覆層來獲得它的精度，該覆層通過旋轉來施加。也就 是，可以以非常高的精度旋轉一層。本發(fā)明有利地使用該旋轉方法。 在液體上旋轉將非常精確(與沉積例如蒸發(fā)或噴濺射不同)，因為它依 靠表面拉伸力，且旋轉速度/速率控制薄膜厚度的均勻性。
應當知道，施加平整覆層的其它方法可以包括真空和VCD沉積。 旋轉為優(yōu)選的，因為它簡單、便宜和有效。
在平整光致抗蝕劑(該光致抗蝕劑為本發(fā)明所關注的)時，發(fā)明 人發(fā)現(xiàn)在晶片的表面上有非常均勻的厚度。這不可能通過沉積處理來 獲得，沉積處理將有明顯的凸塊、不均勻性等。旋轉還可以快速進行， 并可以在晶片基礎上進行(與施加在模具上不同)。這樣，生產率提高。 旋轉的精度可以通過合適設置旋轉速度(它可以一次設置)來調節(jié)。
因此，本發(fā)明優(yōu)選和有利地使用旋轉處理，從而消除多個變量。 本發(fā)明有利地使用平整光致抗蝕劑和旋轉處理的特性，以便獲得在殘 余層中的所需精度。因此，本發(fā)明并不通過很難進行的某些處理來獲 得精度，而是通過相對容易進行和控制的某些處理來獲得精度。
作為比較，參考表示普通方法的圖1A-1D,沉積將引起在特征 上面的凸塊。為了使殘余層較薄和完全均勻，必須考慮很多變量(例 如"合適的(right)，，)，包括殘余層的表面必須無顆粒、按壓力必須 完全均勻地施加、掩模必須完全平、基板必須完全平、以及按壓必須 施加足夠長時間，以便獲得所需厚度。這實際上是很困難的，特別是
在較大區(qū)域上。實際上，完美地按壓一英寸坯料將非常困難和浪費時 間(大約一分鐘)。上述變量的問題由平整光致抗蝕劑和旋轉處理而克
服(該旋轉處理可以在大約一秒中進行)。如圖4的照片中所示，圖中 表示了在實際光致抗蝕劑中在基板表面暴露的點處的處理。
本發(fā)明的示例實施例包括兩種示例抗蝕劑。第 一種為交聯(lián)有機丙 烯酸鹽，它稱為"壓印抗蝕劑"。第二種為硅化的(silated)平整抗蝕 劑，它將稱為"屏蔽抗蝕劑"(或覆層抗蝕劑)。
在由本發(fā)明人進行的實驗測試中，在本發(fā)明方法的示例操作的壓 印部分中，石英模具(包含要轉印至它的表面上的蝕刻特征)按壓在 大約100nl的壓印抗蝕劑中，該壓印抗蝕劑布置在試樣表面上。試樣 通過市場上的粘性促進劑 SIA 0200.0或3-丙烯酰氧基丙基 (3-Acryloxypropyl)三曱氧基珪烷(trimethoxysilane )進行常規(guī)預 處理，且模具通過市場上的釋放劑SIT9174.0或十三氟-l，l，2，2-四氫三 氯娃坑(tridecafluoro誦l，l，2,2國tetrahydroctyl trichlorosilane )進行預 處理。
模具壓靠在試樣上，并暴露于來自25mW/ci^汞源的寬帶輻射下 5秒，并除去模具。然后試樣在110。C下二次加熱5分鐘，以便完成固 化處理。模具以足夠力(大約3kg)被按壓，以便在試樣上留下 200nm-300nm厚的壓印抗蝕劑層。
在抗蝕劑施加處理的第二部分中，屏蔽抗蝕劑以液體形式施加， 并在試樣上以3000rpm旋轉30秒，且試樣在200。C下二次加熱2分鐘。
該處理的反應離子蝕刻(RIE)部分利用在CF4 27mT、 02 3mT 和30W等離子體中的一分鐘蝕刻來進行。這樣蝕刻屏蔽(覆層)抗蝕 劑，以便暴露壓印特征頂部。
蝕刻處理的第二部分利用在02 30mT和30W等離子體中的4分 鐘蝕刻來進行。這樣蝕刻壓印抗蝕劑，并暴露試樣表面。在二氧化硅 試樣時，包括CF4的前一蝕刻等離子體可以用于蝕刻入試樣中，或者 在不同材料時可以使用可選的蝕刻等離子體。
壓印抗蝕劑配方
1，3丁二醇二丙烯酸酯97%摩爾分數(shù)
2-羥基-2-曱基-l-苯基 國propa畫l-一( Ciba Darocure 4265 )(引發(fā)齊'J ) 3%摩爾分數(shù)
在25mW/cm2中暴露5秒 在110。C中加熱1.0分鐘 屏蔽抗蝕劑配方
SiArc SHB-A470 Lot TUO 401215 ( Shin Etsu Corp.) 3000 RPM旋轉30秒 200。C中加熱2.0分鐘
由上述說明可知，通過本發(fā)明解決的示例問題是減小對于殘余層 厚度的敏感性，如上所述。
旋轉施加在屏蔽層上將獲得所需的精度和均勻性，以便可靠使用 定時蝕刻來暴露壓印特征，這時，該壓印特征可以選擇性地蝕刻成高 縱橫比。處理工程師的凈收獲是明顯增加了非常簡單處理的處理窗口 。
相反，普通壓印處理對于污染、試樣和模具的變形以及抗蝕劑的 粘性非常敏感。后者需要較長的時間來將殘余層壓成所需的非常薄層， 因此是普通處理的速率限制因素。本發(fā)明處理可以有非常厚的殘余層 (200nm-300nm )，并容許較大厚度變化，因此避免了厚度變化問題。
本發(fā)明方法的第二優(yōu)點是截口(在芯片之間的區(qū)域)受到屏蔽層 的保護。在普通壓印處理中，截口沒有保護，并暴露于蝕刻處理中。
因此，在本發(fā)明方法中，幾種變化引入普通壓印平版印刷方法中。
壓印掩模可以通過普通方法來制造或形成圖形(光學或e射束平 版印刷術)。通常通過在平石英或藍寶石基板的表面中形成凸結構圖形 而產生掩模。
然后，掩模可以通過將少量支承墊片(底腳)布置在掩模表面上 并處于非關鍵(未形成圖形)區(qū)域而得以改進。這些底腳可以為大約 100微米直徑的圓形扁平特征，并布置在掩模接觸表面上。各種方法 和材料可以用于布置墊片。圖5A表示了在將平整抗蝕劑涂層52印刷 和施加在有機抗蝕劑51上面的結構50,且它表示了墊片底腳53。圖
5B表示了在平整抗蝕劑52蝕刻之后的、圖5A的結構。圖5C表示了 在有機抗蝕劑51蝕刻之后的、圖5B的結構。圖5A-5C表示了與圖 2A-2D類似的結構，除了有底腳53之外。
布置墊片的示例方法是通過接觸鉬掩模來蒸發(fā)二氧化硅。塾片底 腳的厚度選擇為與環(huán)境污染物相比相對較大，但是為進行印刷的大約 3X-5X最小特征尺寸。掩模上的這些特征的位置選擇為這樣，即它們 不會與關鍵掩模特征干涉。在普通的25mmx25mm掩模上，可以施加 大約9個墊片底腳。底腳的側部形狀并不重要。它們可以在機械負載 施加在掩模上的任意位置處簡單支承。通常沉積100微米寬、300納 米厚的圓形二氧化硅墊片。
也就是，本發(fā)明的示例實施例包括25mmx25mm石英壓印掩模， 該掩模設置成有9個100微米直徑的圓形Si02底腳，在整個掩模上布 置成3x3列。底腳的高度為大約300nm。
這些墊片底腳的優(yōu)點在于幾個方面。首先通過有效增厚殘余層， 抗蝕劑更容易流動和達到平衡。
其次，存在于基板上或抗蝕劑中的任何顆粒污染物對于掩模的位 置和平行度的影響明顯減少。所形成的殘余層較厚，但是非常均勻。 這樣，在光掩模上使用底腳明顯降低了在掩?；蚧迳系妮^大顆粒或 較小不平衡力將由于機械變形而引起較大殘余層變化的可能性。
因此，本發(fā)明的另一可選實施例涉及提供或存在對本發(fā)明有利的 底腳。該底腳使得它們壓印至抗蝕劑中。它們在抗蝕劑硬化后但施加 旋轉涂層之前起作用。該底腳保證均勻恒定的抗蝕劑厚度。底腳可以 為任意尺寸，且在底腳之間的間距可以根據(jù)設計人員的要求和限制來 調節(jié)，以便保證根據(jù)所施加的負載滿足所需的彎曲和平直度要求。盡 管底腳可以為10-100微米厚，但是它們并不必須如此。底腳只應當足 夠厚，以便支承布置在它們上面的負載和獲得掩模和基板的設計間距。
還應當知道，底腳的各種用途和應用包括區(qū)域電鍍(例如、形成 透鏡的一種方法)、浸入平版印刷、微電鍍工具、圖形寫入等。底腳可 以用于需要穩(wěn)定在兩個板之間的距離的任意用途。因此，如圖2A-2D中所示，壓印以普通方式在稱為"壓印層"的 聚合物抗蝕劑中進行。然后，第二聚合物抗蝕劑層施加(通常旋轉施 加)在壓印層的頂部上，該第二聚合物抗蝕劑層稱為"覆層，，或"屏蔽 層"。該屏蔽層利用在旋轉處理中固有的均勻性。
在處理的該階段，存在均勻已知厚度的殘余層和均勻已知厚度的 覆層或屏蔽層。屏蔽層選擇為用于與底部抗蝕劑層不同的蝕刻處理。
然后，壓印圖形轉印至基板上將在三個附加蝕刻步驟中進行。第 一蝕刻步驟(該第一蝕刻步驟選擇為針對屏蔽層)局部蝕刻屏蔽層， 從而暴露壓印層的升高部分。第二蝕刻步驟(該第二蝕刻步驟選擇為 針對壓印層，且選擇為并不針對屏蔽層)蝕刻壓印層的、在第一蝕刻 步驟中暴露的部分，直到基板。第三蝕刻步驟蝕刻到基板。這些步驟 在上述圖2A-2D中所示。
應當知道，本發(fā)明可以進行多種變化，且這些變化也在本發(fā)明的 范圍內。例如，屏蔽層可以通過其它方法來施加(例如蒸發(fā)、噴涂、 壓印等，或者它們的組合)。屏蔽層的厚度可以通過普通的化學-機械 拋光(CMP)來附加調節(jié)。
圖6表示了本發(fā)明的壓印平版印刷系統(tǒng)60，它包括壓印施加單元 61,用于將壓印層施加在基板上。
旋轉涂覆裝置62用于將第二聚合物抗蝕劑層(覆層)施加在壓印 層上。
轉印裝置63通過蝕刻而將壓印圖形轉印至基板上，特別是通過第 一蝕刻步驟，該第一蝕刻步驟選擇為直到覆層，并局部蝕刻覆層，從 而露出壓印層的升高部分。這時，覆層被蝕刻而露出壓印層中的特征。 然后，第二蝕刻步驟(該第二蝕刻步驟選擇為針對壓印層，且選擇為 并不針對覆層)蝕刻壓印層的、在第一蝕刻步驟中露出的部分，直到 基板。相同轉印裝置63可以用于所有蝕刻，或者對于各蝕刻可以使用 專用轉印裝置。
另一處理裝置64用于進一步處理基板，并可以采用蝕刻、沉積或 植入材料的裝置?？刂破?5可以用于控制整個處理。
盡管已經通過多個示例實施例介紹了本發(fā)明，但是本領域技術人 員應當知道，通過在附加權利要求的精神和范圍內的變化形式可以實 現(xiàn)本發(fā)明。
而且，應當知道，申請人的目的是包含所有權利要求元素的等效 物，即使在以后的實施過程中進行變化。
權利要求
1.一種壓印平版印刷的方法，包括通過具有圖形的掩模將圖形壓印在基板上的抗蝕劑層中；以及使覆層覆蓋在所述壓印的抗蝕劑層上面；其中，覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后的處理。
2. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述覆蓋包括將所述覆層 旋轉施加在所述壓印的抗蝕劑層的頂部上。
3. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述覆蓋包括通過蒸發(fā)而 沉積覆層。
4. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述覆蓋包括通過濺射而 沉積覆層。
5. 根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括 通過化學機械拋光(CMP)來調節(jié)覆層的厚度。
6. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述覆層包括平整覆層。
7. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中壓印圖形的轉印在多個蝕 刻中進行，其中，選擇為針對覆層的第一蝕刻局部蝕刻覆層，以便露出壓印 層的升高部分；以及所述第一蝕刻包括反應離子蝕刻、噴濺蝕刻、等離子體蝕刻、濕 化學蝕刻和化學下游蝕刻中的一種。
8. 根據(jù)權利要求7所述的方法，其中選擇為針對壓印層且選擇 為并不針對覆層的第二蝕刻蝕刻壓印層的、在第一蝕刻中暴露的部分， 直到在所述覆層下面的基板；以及所述第二蝕刻包括反應離子蝕刻、噴濺蝕刻、等離子體蝕刻、濕 化學蝕刻和化學下游蝕刻中的一種。
9. 根據(jù)權利要求8所述的方法，其中第三處理改變基板，所述 第三處理包括進一步處理，該進一步處理包括材料的蝕刻、沉積和植 入中的一種。
10. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述壓印抗蝕劑包括交 聯(lián)有機丙烯酸鹽，所述覆層包括硅化的平整抗蝕劑。
11. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中覆層以液體形式施加。
12. 根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述第一蝕刻包括反應 離子蝕刻(RIE)和各向同性蝕刻中的一種，從而蝕刻覆層以便露出 壓印特征的頂部。
13. 根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述第二蝕刻包括比所 述第一蝕刻更深的蝕刻。
14. 根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括 通過多個底腳來支承所述具有圖形的掩模。
15. 根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述底腳包括布置在掩 模表面上并在無圖形區(qū)域中的支承墊片。
16. 根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述底腳通過蒸發(fā)和噴 涂機械穩(wěn)定材料中的 一種而穿過掩模布置，底腳的厚度范圍為壓印的 最小特征尺寸的大約3倍至大約5倍。
17. —種壓印平版印刷的方法，包括 將平整的覆層布置在壓印層上面，其中，所述覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后的處理。
18. 根據(jù)權利要求17所述的方法，其中利用壓印處理來布置所 述壓印層，在該壓印處理中，壓印掩模通過多個底腳來機械支承。
19. 一種用于壓印平版印刷的系統(tǒng)，包括壓印施加單元，該壓印施加單元通過具有圖形的掩模而將基板上 的抗蝕劑層壓印成一定圖形；以及旋轉涂覆裝置，該旋轉涂覆裝置使覆層覆蓋在壓印的抗蝕劑層上； 其中，覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后的處理。
20. 根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述底腳包括二氧化硅、 氮化硅和非晶硅中的一種；所述底腳通過蒸發(fā)而穿過具有圖形的掩模來布置；以及 所述掩模包括鉬、鋼、銅和鋁中的至少一種。
全文摘要
一種壓印平版印刷的方法(和裝置)，包括通過具有圖形的掩模將圖形壓印在基板上的抗蝕劑層中；以及使覆層覆蓋在壓印的抗蝕劑層上面。覆層的一部分用作硬掩模，用于隨后的處理。
文檔編號G03F7/00GK101183214SQ20071018019
公開日2008年5月21日 申請日期2007年10月11日 優(yōu)先權日2006年11月16日
發(fā)明者D·菲弗, M·E·卡爾伯恩, T·G·范克賽爾, Y·C·馬丁 申請人:國際商業(yè)機器公司