專利名稱：半透射半反射液晶顯示面板及其顯示陣列基板、像素結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，尤其涉及一種半透射半反射液晶顯示面板。
背景技術：
液晶顯示器由于具有輕薄短小、低輻射與低耗電等特性，已取代傳統(tǒng)陰 極射線管顯示器成為顯示器市場的主流產品。 一般說來，液晶顯示面板主要 包含陣列基板、彩色濾光片基板，以及填充于陣列基板與彩色濾光片基板之 間的液晶分子層。陣列基板包含多個呈陣列排列的像素，且每一像素利用多 條平行的掃描線與多條與掃描線垂直的平行數(shù)據線定義而成，并以薄膜晶體 管作為開關元件，利用像素電極驅動各像素上方的液晶分子作不同程度的旋 轉以調整各像素的亮度，同時通過彩色濾光片基板上與各像素對應設置的紅 色、綠色與藍色濾光片使各像素產生不同亮度的紅色、綠色與藍色光線，進 而輸出高畫質的彩色圖像。另外，由于液晶顯示面板本身無法主動發(fā)光，因 此依照其光源的不同主要可區(qū)分為透射式液晶顯示面板、反射式液晶顯示面板與半透射半反射式液晶顯示面板(半透反液晶顯示面板，Transflective liquid crystal display panel)。請參照圖1，圖1為公知半透射半反射液晶顯示面板的示意圖。如圖1 所示，公知半透射半反射液晶顯示面板主要包含至少一像素12;以及多條掃描線20及數(shù)據線22，設置在像素12周圍。其中，像素12具有透射區(qū)14、 電容區(qū)16以及晶體管區(qū)18，電容區(qū)16及晶體管區(qū)18中分別設置有儲存電 容及薄膜晶體管。值得注意的是，由于目前液晶顯示面板為了追求各種高規(guī)格的標準，例 如對比、視角、反應時間、NTSC值等等，因此在晶體管區(qū)及電容區(qū)等區(qū)域 中通常會加入許多特殊的金屬結構。此設計除了會提升面板整體的復雜性， 還容易大幅降低開口率并導致微弱的透射率。此外，由于半透射半反射式的
液晶顯示面板在先天設計上需要同時兼具透射模式以及反射模式，在以往高 分辨率趨勢之下容易受限于機臺及工藝上的規(guī)格限制，使像素面積無法追隨 等比縮小，以致原本在像素區(qū)里的各種不透明復雜結構更是占了相當大的比 例，并使整體面板的光學表現(xiàn)不如預期。若是犧牲儲存電容的比例來提升開 口率，在電性上的不穩(wěn)定還會相對提高，因此如何有效的提高面板的開口率 即為現(xiàn)今一種要課題。發(fā)明內容因此本發(fā)明的主要目的是提供一種液晶顯示面板，以解決上述公知的問題。本發(fā)明揭示一種液晶顯示面板，其主要包含陣列基板；以及儲存電容， 設于該陣列基板上。其中，該陣列基板具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)， 而儲存電容則包含第一透明導電層，設于該陣列基板上并覆蓋該透射區(qū)及該 電容區(qū)；介電層，設于該第一透明導電層上；以及第二透明導電層，設于該 介電層上。本發(fā)明的液晶顯示面板還包括對向基板，與該陣列基板對向設置；以及液晶層，設置于該陣列基板與該對向基板之間。該儲存電容還可包括反射層，位于部分該第二透明導電層上；如上所述的液晶顯示面板，還包含平坦層，設于該第一透明導電層下方。 如上所述的液晶顯示面板，還包含平坦層，設于該第二透明導電層上方。 如上所述的液晶顯示面板，其中該介電層包含氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。如上所述的液晶顯示面板，其中該介電層包含有機材料、無機材料或上述的組合。如上所述的液晶顯示面板，其中該第一透明導電層及該第二透明導電層 包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。如上所述的液晶顯示面板，其中該反射層設于該晶體管區(qū)以及晶體管區(qū) 附近的第二透明導電層上。如上所述的液晶顯示面板，其中該第一透明導電層電性連接共同電極。如上所述的液晶顯示面板，其中該共同電極包含氧化銦錫、氧化銦鋅或
其他金屬材料。
如上所述的液晶顯示面板，其中該第二透明導電層為像素電極。 如上所述的液晶顯示面板，還包含至少一薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)。 本發(fā)明的另一實施例揭示一種液晶顯示陣列基板，其包含具有多個像素 區(qū)域的基板，且每一像素具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)。其中，每一像 素至少包括薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)上；第一介電層，覆蓋于該基板上; 圖案化第一透明導電層，位于該電容區(qū)的該第一介電層上；第二介電層，覆 蓋該圖案化第一透明導電層與該基板上；圖案化第二透明導電層，位于該電 容區(qū)與該透射區(qū)的該第二介電層上，且通過通孔(via hole)、或是填滿通孔的 導電插塞(plug)電性連接至該薄膜晶體管；以及圖案化反射電極，位于該薄 膜晶體管區(qū)的該圖案化第二透明導電層上。
如上所述的液晶顯示陣列基板，其中該第一介電層及第二介電層包含氧 化物、硅氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。
如上所述的液晶顯示陣列基板，其中該第一介電層及第二包含有機材 料、無機材料或上述的組合。
如上所述的液晶顯示陣列基板，其中該圖案化第一透明導電層及該圖案 化第二透明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
本發(fā)明還揭示一種液晶顯示器的像素結構，其設置在液晶顯示陣列基板 上，且該像素結構具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)。其次，像素結構還包 含薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)上；像素電極，設于該透射區(qū)上并電性連接 至該薄膜晶體管；以及透明儲存電容，設于該電容區(qū)；以及反射電極，設于 該薄膜晶體管區(qū)之上并電性連接至該薄膜晶體管。其中，透明儲存電容包含: 第一透明導電層，設于該電容區(qū)上；透明介電層，設于該第一透明導電層上； 第二透明導電層，設于該介電層上并電性連接至該薄膜晶體管。
如上所述的像素結構，其中該透明介電層包含氧化物、硅氧化物、硅氮 氧化物或上述的組合。如上所述的像素結構，其中該透明介電層包含有機材料、無機材料或上 述的組合。如上所述的像素結構，其中該第一透明導電層及該第二透明導電層包含 氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
本發(fā)明還揭示一種液晶顯示面板，包含有上基板；下基板，與該上基 板對向設置，該下基板包含晶體管區(qū)、電容區(qū)以及透射區(qū)；多個導線，設置 于該下基板上；液晶層，設置于該上基板與該下基板之間；多個像素，與該 些導線電性連接。該多個像素中的每一個像素包含薄膜晶體管設于該晶體 管區(qū)上；第一介電層，覆蓋于該基板上；圖案化第一透明導電層，位于該電 容區(qū)的該第一介電層上；第二介電層，覆蓋于該圖案化第一透明導電層與該 基板上；圖案化第二透明導電層，位于該晶體管區(qū)、該電容區(qū)與該透射區(qū)的 該第二介電層上，且電性連接至該薄膜晶體管；以及圖案化反射電極，位于 部分該圖案化第二透明導電層上。如上所述的液晶顯示面板，其中該第一介電層及第二介電層包含氧化 物、硅氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。如上所述的液晶顯示面板，其中該第一介電層及第二包含有機材料、無 機材料或上述的組合。如上所述的液晶顯示面板，其中該圖案化第一透明導電層及該圖案化第 二透明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。如上所述的液晶顯示面板，還包含彩色濾光單元，設置在上基板或下基 板上。本發(fā)明主要是采用氧化銦錫或氧化銦鋅等透明材料來制作半透射半反 射液晶顯示面板的儲存電容及共同電極。此作法不但可大幅降低像素區(qū)里不 透明金屬結構的使用面積，還可提高整體像素的開口率和透射率，使整個顯 示面板的光學表現(xiàn)相對提高。其次，由氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導電材料 所構成的儲存電容，其介電材料也有特定介電常數(shù)，因此可維持足夠的電容 量讓顯示面板的電性表現(xiàn)更加穩(wěn)定。


圖1為公知半透射半反射液晶顯示面板的示意圖。圖2為本發(fā)明第一實施例利用非晶硅工藝來制作半透射半反射液晶顯示 面板的示意圖。圖3為圖2中沿著切線AA'線段的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明第二實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。
圖5為本發(fā)明第三實施例利用低溫多晶硅工藝來制作半透射半反射液晶 顯示面板的示意圖。圖6為圖5中沿著切線BB'線段的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明第四實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。 圖8為本發(fā)明第五實施例利用非晶硅工藝來制作半透射半反射液晶顯示 面板的示意圖。圖9為圖8中沿著切線CC'線段的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明第六實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。 圖11為本發(fā)明第七實施例利用非晶硅工藝來制作半透射半反射液晶顯示面板的示意圖。圖12為圖11中沿著切線DD'線段的剖面示意圖。圖13為本發(fā)明第八實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。圖14為本發(fā)明第九實施例搭配非晶硅工藝來制作的半透射半反射液晶顯示面板的示意圖。圖15為圖14中沿著切線EE'線段的剖面示意圖。圖16為本發(fā)明第十實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下12像素14透射區(qū)16電容區(qū)18晶體管區(qū)20掃描線22數(shù)據線30半透射半反射液晶顯示面板32上基板34下基板36掃描線38數(shù)據線40彩色濾光單元42液晶層44像素46透射區(qū)48電容區(qū)50晶體管區(qū)52介電層54平坦層56圖案化第一透明導電層58介電層60圖案化第二透明導電層62圖案化反射電極64儲存電容66導電插塞68共同電極70半透射半反射液晶顯示面板72上基板74下基板76掃描線78數(shù)據線80彩色濾光單元82液晶層84像素86透射區(qū)88電容區(qū)90晶體管區(qū)92介電層94介電層96平坦層98圖案化第一透明導電層100介電層102圖案化第二透明導電層104圖案化反射電極106儲存電容108導電插塞109共同電極110半透射半反射液晶顯示面板112上基板114下基板116掃描線118數(shù)據線120彩色濾光單元122液晶層124像素126透射區(qū)128電容區(qū)130晶體管區(qū)132介電層134平坦層136圖案化第一透明導電層138介電層140圖案化第二透明導電層142圖案化反射電極144儲存電容146共同電極150半透射半反射液晶顯示面板152上基板154下基板156掃描線158數(shù)據線160彩色濾光單元162液晶層164像素166透射區(qū)168反射區(qū)169電容區(qū)170晶體管區(qū)172介電層174平坦層176圖案化第一透明導電層178介電層180圖案化第二透明導電層182圖案化反射電極184儲存電容186導電插塞 188共同電極湧半透射半反射液晶顯示面192上基板194下基板196掃描線198數(shù)據線200彩色濾光單元202液晶層204像素206透射區(qū)208反射區(qū)209電容區(qū)210晶體管區(qū)212介電層214平坦層216圖案化第一透明導電層218介電層220圖案化第二透明導電層222圖案化反射電極224儲存電容226共同電極228薄膜晶體管230薄膜晶體管232薄膜晶體管234薄膜晶體管236薄膜晶體管具體實施方式
第一實施例請參照圖2至圖3，圖2為本發(fā)明第一實施例利用非晶硅工藝來制作半 透射半反射液晶顯示面板30的示意圖。圖3則為圖2中沿著切線AA'線段 的剖面示意圖。本發(fā)明的半透射半反射液晶顯示面板30主要包含上基板32; 下基板34，(亦即陣列基板)與上基板32 (亦即對向基板)對向設置；多條導 線36和38，設置在下基板34上；、彩色濾光單元40，設置在上基板32與 下基板34之間；液晶層42，設置于上基板32與下基板34之間；以及至少 一像素44，電性連接該些導線。其中，該些導線包含多條掃描線36與多條 數(shù)據線38，且彩色濾光單元40可設置在上基板32而形成彩色濾光(color filter, CF)基板，或設置在下基板34上而形成彩色濾光陣列(color filter on array, COA)基板，此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。又如圖2及圖3所示，像素44具有透射區(qū)46、電容區(qū)48以及晶體管區(qū) 50。此外，像素44還包含薄膜晶體管228，設在晶體管區(qū)50上；介電層52， 覆蓋在下基板34上；平坦層54，覆蓋在介電層52上；圖案化第一透明導電 層5，設于電容區(qū)48及部分透射區(qū)46的平坦層54上；介電層58，覆蓋在
圖案化第一透明導電層56及平坦層54上；圖案化第二透明導電層60，設于晶體管區(qū)50、電容區(qū)48及透射區(qū)46的介電層58上；以及圖案化反射電極 62，設在晶體管區(qū)50以及晶體管區(qū)50附近的圖案化第二透明導電層60上。 圖案化反射電極62經由圖案化第二透明導電層60電性連接至薄膜晶體管 228。其中，圖案化第二透明導電層60用來作為像素電極，且圖案化第一透 明導電層56、介電層58及圖案化第二透明導電層60 —同構成儲存電容64。 此外，圖案化第一透明導電層56通過導電插塞66電性連接設在電容區(qū)48 的共同電極68，而圖案化第二透明導電層60則通過另一導電插塞(圖未示) 來連接晶體管區(qū)50的薄膜晶體管228。在本實施例中，共同電極68是由金 屬所構成。根據本發(fā)明的實施例，介電層52、平坦層54及介電層58可由氧化物、 硅氧化物、硅氮氧化物、有機材料、無機材料或上述的組合等透明材料所構 成，且第一透明導電層56及第二透明導電層60可由氧化銦錫(ITO)或氧化銦 鋅(IZO)等透明導電材料所構成。值得注意的是，本發(fā)明主要是由上述透明材料來制作半透射半反射液晶 顯示面板的儲存電容及共同電極。此作法不但可大幅降低像素區(qū)里不透明金 屬結構的使用面積，還可提高整體像素的開口率和透射率，使整個顯示面板 的光學表現(xiàn)相對提高。其次，由氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導電材料所構成 的儲存電容其介電材料也有特定介電常數(shù)，因此可維持足夠的電容量讓顯示 面板的電性表現(xiàn)更加穩(wěn)定。第二實施例此外，不局限于第一實施例中平坦層54的配置方式，本發(fā)明還可將儲 存電容64設置在平坦層54的下方。請參照圖4，圖4為本發(fā)明第二實施例 的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。如圖4所示，本實施例同樣包 含由第一透明導電層56、介電層58及圖案化第二透明導電層60 —同構成的 儲存電容64，該儲存電容64設置在下基板34上。此外，相較于第一實施例， 本實施例是將平坦層54設置在透射區(qū)以外的區(qū)域，例如平坦層54與反射電 極62均僅設置在晶體管區(qū)上，進而使得透射區(qū)的面板間隙大于反射區(qū)的面 板間隙，形成多間隙半透射半反射液晶顯示面板的制作。
第三實施例請參照圖5至圖6，圖5為本發(fā)明第三實施例利用低溫多晶硅工藝來制作半透射半反射液晶顯示面板70的示意圖。圖6則為圖5中沿著切線BB， 線段的剖面示意圖。本實施例的半透射半反射液晶顯示面板70主要包含上 基板72;下基板74 (亦即陣列基板)，與上基板72對向設置；多條導線76 和78，設置在下基板74上；彩色濾光單元80，設置在上基板72與下基板 74之間；液晶層82，設置在上基板72與下基板74之間；以及至少一像素 84，電性連接該些導線。其中，該些導線包含多條掃描線76與多條數(shù)據線 78，且彩色濾光單元80可設置在上基板72而形成彩色濾光(CF)基板，或設 置在下基板74上而形成彩色濾光陣列(COA)基板，此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范 圍。又如圖5及圖6所示，像素84具有透射區(qū)86、電容區(qū)88以及晶體管區(qū) 90。此外，像素84還包含由低溫多晶硅工藝所完成的薄膜晶體管230，設在 晶體管區(qū)90上；介電層92，覆蓋在下基板74上；介電層94，覆蓋在掃描 線76及介電層92上；平坦層96，覆蓋在介電層94上；、圖案化第一透明 導電層98，設于電容區(qū)88及部分透射區(qū)86的平坦層96上；介電層100， 覆蓋在下基板74上；圖案化第二透明導電層102，設于晶體管區(qū)90、電容 區(qū)88及透射區(qū)86的介電層100上；以及圖案化反射電極104，設在晶體管 區(qū)90以及晶體管區(qū)90附近的圖案化第二透明導電層102上。圖案化反射電 極104經由圖案化第二透明導電層102電性連接至薄膜晶體管230。由于本實施例的顯示面板70搭配低溫多晶硅制成來完成，因此相較于 第一實施例利用非晶硅制成的顯示面板30，會在下基板74上多形成多晶硅 層(圖未示)與介電層92，且此介電層92是對應在晶體管區(qū)90制作低溫多晶 硅薄膜晶體管時的柵極介電層(圖未示)，此為本領域普通技術人員所熟知， 因此不再贅述。如同第一實施例所述，圖案化第二透明導電層102用來作為像素電極， 且圖案化第一透明導電層98、介電層IOO及圖案化第二透明導電層102—同 構成儲存電容106。此外，圖案化第一透明導電層98通過導電插塞108電性 連接至設在電容區(qū)88的介電層92上的共同電極109，而圖案化第二透明導 電層102則通過另一導電插塞(圖未示)來連接晶體管區(qū)90的薄膜晶體管230。
在本實施例中，共同電極109同樣是由金屬所構成。此外，介電層92、 94、 100、平坦層96可由氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、有機材料、無機材料 或上述的組合等透明材料所構成，且第一透明導電層98及第二透明導電層 102可由氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導電材料所構成。此外，不局限于第三實施例中平坦層96的配置方式，本發(fā)明還可將儲 存電容106設置在平坦層96的下方，此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。請參照 圖7，圖7為本發(fā)明第四實施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。 如圖7所示，本實施例同樣包含由第一透明導電層98、介電層100及圖案化 第二透明導電層102所構成的儲存電容106，該儲存電容106設置在下基板 74上。此外，相較于上述的實施例，本實施例是將平坦層96設置在透射區(qū) 86以外的區(qū)域，例如包含晶體管區(qū)90與電容區(qū)88的反射區(qū)上，進而使得透 射區(qū)86的面板間隙大于反射區(qū)的面板間隙，以完成多間隙半透射半反射液 晶顯示面板的制作。第五實施例請參照圖8至圖9，圖8為本發(fā)明第五實施例利用非晶硅工藝來制作半 透射半反射液晶顯示面板110的示意圖。圖9則為圖8中沿著切線CC'線段 的剖面示意圖。本實施例的半透射半反射液晶顯示面板110主要包含上基板 112;下基板114(亦即陣列基板)，與上基板112對向設置；多條導線116和 118，設置在下基板114上；彩色濾光單元120，設置在上基板112與下基板 114之間；液晶層122，設置在上基板112與下基板114之間；以及至少一 像素124，電性連接該些導線。其中，該些導線包含多條掃描線116與多條 數(shù)據線118，且彩色濾光單元120還可設置在上基板112而形成彩色濾光(CF) 基板，或設置在下基板114上而形成彩色濾光陣列(C0A)基板，此皆屬本發(fā) 明所涵蓋的范圍。又如圖8及圖9所示，像素124具有透射區(qū)126、電容區(qū)128以及晶體 管區(qū)130。此外，像素124還包含由非晶硅工藝所完成的薄膜晶體管232， 設在晶體管區(qū)130上；介電層132，覆蓋在下基板114上；平坦層134，覆 蓋在介電層132上；圖案化第一透明導電層136，設于電容區(qū)128及部分透 射區(qū)126的平坦層134上；介電層138，覆蓋在圖案化第一透明導電層136 上；圖案化第二透明導電層140，設于晶體管區(qū)130、電容區(qū)128及透射區(qū) 126的介電層132上；以及圖案化反射電極142，設在晶體管區(qū)130上。圖 案化反射電極142經由圖案化第二透明導電層140電性連接至薄膜晶體管 232。其中，圖案化第二透明導電層140用來作為像素電極，且圖案化第一透 明導電層136、介電層138及圖案化第二透明導電層140 —同構成儲存電容 144。相較于上述實施例，本實施例的共同電極146是由氧化銦錫或氧化銦 鋅等透明導電材料所構成，且本實施例的第一透明導電層136直接與共同電 極146相連，并未在透射區(qū)126及電容區(qū)128設置導電插塞來電性連接圖案 化第一導電層136。換句話說，在本實施例中本發(fā)明可將半透射半反射液晶 顯示面板110的透射區(qū)126的范圍擴大至整個電容區(qū)128，進而更加提升顯 示面板的開口率及透射率。另外，電容區(qū)128也可跨過共同電極146，擴大 電容面積，可依據電容大小需求調整。此外，視工藝上的需求，本實施例還可如第三實施例中所述搭配低溫多 晶硅工藝來完成半透射半反射液晶顯示面板110的制作。舉例來說，本發(fā)明 可在介電層132形成前，先在下基板114上形成多晶硅層(圖未示)，以及對 應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介電層(圖未示)。然后再依序形成 介電層132及儲存電容144于該介電層上，以完成半透射半反射液晶顯示面 板110的制作。第六實施例接著，不局限于第五實施例中平坦層134的配置方式，本發(fā)明還可將儲 存電容144設置在平坦層134的下方。請參照圖10，圖10為本發(fā)明第六實 施例的半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。如圖10所示，本實施例 同樣包含由第一透明導電層136、介電層138及圖案化第二透明導電層140 所構成的儲存電容144，該儲存電容144設置在下基板114上。此外，相較 于上述的實施例，本實施例除了將平坦層134設置在透射區(qū)126以外的區(qū)域， 還采用透明的材料來形成共同電極146，因此可進一步提升顯示面板的開口 率及透射率。此外，視工藝上的需求，本實施例還可采用低溫多晶硅工藝來完成顯示 面板的制作。舉例來說，本發(fā)明可在介電層132形成前，先在下基板114上 形成多晶硅層(圖未示)，以及對應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介電層(圖未示)。然后再依序形成介電層132、儲存電容144及平坦層134于 該介電層上，以完成半透射半反射液晶顯示面板110的制作。第七實施例請參照圖11至圖12，圖11為本發(fā)明第七實施例利用非晶硅工藝來制作 半透射半反射液晶顯示面板150的示意圖。圖12則為圖11中沿著切線DD' 線段的剖面示意圖。本實施例的液晶顯示面板150主要包含上基板152;下 基板154 (亦即陣列基板)，與上基板152對向設置；多條導線，設置在下基 板154上；彩色濾光單元160，設置在上基板152與下基板154之間；液晶 層162，設置在上基板152與下基板154之間；以及至少一像素164，電性 連接該些導線。其中，該些導線包含多條掃描線156與多條數(shù)據線158，且 彩色濾光單元160可設置在上基板152而形成彩色濾光基板，或設置在下基 板154上而形成彩色濾光陣列基板，此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。又如圖11及圖12所示，像素164具有透射區(qū)166以及反射區(qū)168，且 反射區(qū)168中還包含有電容區(qū)169以及晶體管區(qū)170。其中，半透射半反射 液晶顯示面板150上具有由非晶硅工藝所完成的薄膜晶體管234，設在晶體 管區(qū)上；介電層172，覆蓋在下基板154上；平坦層174，覆蓋在介電層152 上；圖案化第一透明導電層176，設在電容區(qū)169及部分透射區(qū)166的平坦 層174上；介電層178，覆蓋在圖案化第一透明導電層176上；圖案化第二 透明導電層180，設在介電層178上；以及圖案化反射電極182，設在反射 區(qū)168的圖案化第二透明導電層180上。圖案化反射電極182經由圖案化第 二透明導電層180電性連接至薄膜晶體管234。其中，圖案化第二透明導電層180用來作為像素電極，且圖案化第一透 明導電層176、介電層178及圖案化第二透明導電層180 —同構成儲存電容 184。此外，圖案化第一透明導電層176通過導電插塞186電性連接設在反 射區(qū)168的下基板154上的共同電極188，而圖案化第二透明導電層180則 通過另一導電插塞(圖未示)來連接晶體管區(qū)170的薄膜晶體管234。在本實 施例中，共同電極188是由金屬所構成。相較于先前的實施例，本實施例主要是將圖案化第一透明導電層176延 伸至透射區(qū)，增加儲存電容184的電容面積。另外，覆蓋在晶體管區(qū)的圖案
化反射電極延伸至電容區(qū)，以增加反射區(qū)的整體面積并同時提升半透射半反 射液晶顯示面板的反射能力。此外，視工藝上的需求，本實施例還可搭配低溫多晶硅工藝來完成顯示 面板的制作。舉例來說，本發(fā)明可在介電層172形成前，先在下基板154上 形成對應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介電層(圖未示)。然后再依序形成介電層172及儲存電容184于該介電層上，以完成半透射半反射液晶 顯示面板150的制作。 第八實施例此外，不局限于第七實施例中平坦層174的配置方式，本發(fā)明還可將儲 存電容184設置在平坦層174的下方。請參照圖13，圖13為本發(fā)明第八實 施例半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。如圖13所示，本實施例同 樣包含由第一透明導電層176、介電層178及圖案化第二透明導電層180— 同構成的儲存電容184，該儲存電容184設置在下基板154上。此外，相較 于上述的實施例，本實施例是將平坦層174設置在透射區(qū)以外的區(qū)域，例如 平坦層174僅設置在反射區(qū)上，進而使得透射區(qū)的面板間隙大于反射區(qū)的面 板間隙，形成另一種半透射半反射液晶顯示面板的制作。此外，視工藝上的需求，本實施例還可采用低溫多晶硅工藝來完成顯示 面板的制作。舉例來說，本發(fā)明可在介電層172形成前，先在下基板154上 形成多晶硅層(圖未示)，以及對應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介 電層(圖未示)。然后再依序形成介電層172、儲存電容184及平坦層174于 該介電層上，以完成半透射半反射液晶顯示面板110的制作。第九實施例請參照圖14至圖15，圖14為本發(fā)明第九實施例搭配非晶硅工藝來制作 的半透射半反射液晶顯示面板190的示意圖。圖15則為圖14中沿著切線EE， 線段的剖面示意圖。本實施例的半透射半反射液晶顯示面板190主要包含上 基板192;下基板194(亦即陣列基板)，與上基板192對向設置；多條導線， 設置在下基板194上；彩色濾光單元200，設置在上基板192與下基板194 之間；液晶層202，設置在上基板192與下基板194之間；以及至少一像素 204，電性連接該些導線。其中，該些導線包含多條掃描線196與多條數(shù)據 線198，且彩色濾光單元200可設置在上基板192而形成彩色濾光基板，或
設置在下基板194上而形成彩色濾光陣列基板，此皆屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。又如圖14及圖15所示，像素204具有透射區(qū)206以及反射區(qū)208，且 反射區(qū)208中還包含有電容區(qū)209以及晶體管區(qū)210。其中，半透射半反射 液晶顯示面板190上具有由非晶硅工藝所完成的薄膜晶體管236，設在晶體 管區(qū)210上；介電層212，覆蓋在下基板194上；平坦層214，覆蓋在介電 層212上；圖案化第一透明導電層216，設在電容區(qū)209及部分透射區(qū)206 的平坦層214上；介電層218，覆蓋在圖案化第一透明導電層216上；圖案 化第二透明導電層220，設在介電層218上；以及圖案化反射電極222，設 在反射區(qū)208的圖案化第二透明導電層220上。圖案化反射電極222經由圖 案化第二透明導電層220電性連接至薄膜晶體管236。其中，圖案化第二透明導電層220用來作為像素電極，且圖案化第一透 明導電層216、介電層218及圖案化第二透明導電層220 —同構成儲存電容 224。如同第五實施例的制作方式，本實施例的共同電極226是由氧化銦錫 或氧化銦鋅等透明材料所構成，且本實施例的第一透明導電層216直接與共 同電極226相連，并未在透射區(qū)206及反射區(qū)208中的電容區(qū)設置導電插塞 來電性連接圖案化第一透明導電層216及下基板194上的共同電極226。換 句話說，在此實施例中本發(fā)明可將半透射半反射液晶顯示面板190的透射區(qū) 206的范圍擴大至整個電容區(qū)209，進而更加提升顯示面板的開口率及透射 率。另外，電容區(qū)209也可跨過共同電極226，擴大電容面積，可依據電容 大小需求調整。如同第七實施例，本實施例還同時將覆蓋在晶體管區(qū)的圖案化反射電極 延222伸至電容區(qū)，以增加反射區(qū)的整體面積并同時提升半透射半反射液晶 顯示面板的反射能力。此外，視工藝上的需求，本實施例還可搭配低溫多晶硅工藝來完成顯示 面板的制作。舉例來說，本發(fā)明可在介電層212形成前，先在下基板194上 形成多晶硅層(圖未示)，以及對應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介 電層(圖未示)。然后再依序形成介電層212及儲存電容224于該介電層上， 以完成半透射半反射液晶顯示面板190的制作。第十實施例此外，不局限于第九實施例中平坦層214的配置方式，本發(fā)明還可將儲 存電容224設置在平坦層214的下方。請參照圖16，圖16為本發(fā)明第十實 施例半透射半反射液晶顯示面板的剖面示意圖。如圖16所示，本實施例同 樣包含由第一透明導電層216、介電層218及圖案化第二透明導電層220 — 同構成的儲存電容224，該儲存電容224設置在下基板194上。此外，相較 于第九實施例，本實施例是將平坦層214設置在反射區(qū)的位置，進而使得透 射區(qū)的面板間隙大于反射區(qū)的面板間隙，以完成另一種半透射半反射液晶顯 示面板的制作。此外，視工藝上的需求，本實施例還可采用低溫多晶硅工藝來完成顯示 面板的制作。舉例來說，本發(fā)明可在介電層212形成前，先在下基板194上 形成多晶硅層(圖未示)，以及對應低溫多晶硅薄膜晶體管的柵極介電層的介 電層(圖未示)。然后再依序形成介電層212、儲存電容224及平坦層214于 該介電層上，以完成半透射半反射液晶顯示面板190的制作。綜上所述，本發(fā)明主要是采用氧化銦錫或氧化銦鋅等透明材料來制作半 透射半反射液晶顯示面板的儲存電容及共同電極。此作法不但可大幅降低像 素區(qū)里不透明金屬結構的使用面積，還可提高整體像素的開口率和透射率， 使整個顯示面板的光學表現(xiàn)相對提高。其次，由氧化銦錫或氧化銦鋅等透明 導電材料所構成的儲存電容其介電材料也有特定介電常數(shù)，因此可維持足夠 的電容量讓顯示面板的電性表現(xiàn)更加穩(wěn)定。其次，本發(fā)明還可依據工藝的需求來搭配非晶硅薄膜晶體管制造工藝、 或低溫多晶硅薄膜晶體管制造工藝來完成半透射半反射液晶顯示面板的制 作。此外，本發(fā)明原本設置在晶體管區(qū)的反射層還可延伸至電容區(qū)，以增加 反射區(qū)的整體面積并同時提升半透射半反射液晶顯示面板的反射能力。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變 化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種液晶顯示面板，包含陣列基板，該陣列基板具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)；以及儲存電容，設于該陣列基板上，其包含第一透明導電層，設于該陣列基板上并覆蓋該透射區(qū)及該電容區(qū)；介電層，設于該第一透明導電層及該陣列基板上；第二透明導電層，設于該介電層上；反射層，位于部分該第二透明導電層上；對向基板，與該陣列基板對向設置；以及液晶層，設置于該陣列基板與該對向基板之間。
2. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，還包含平坦層，設于該第一透明 導電層下方。
3. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，還包含平坦層，設于該第二透明 導電層上方。
4. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該介電層包含氧化物、硅氧 化物、硅氮氧化物或上述的組合。
5. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該介電層包含有機材料、無 機材料或上述的組合。
6. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該第一透明導電層及該第二 透明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
7. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該反射層設于該晶體管區(qū)以 及晶體管區(qū)附近的第二透明導電層上。
8. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該第一透明導電層電性連接 共同電極。
9. 如權利要求8所述的液晶顯示面板，其中該共同電極包含氧化銦錫、 氧化銦鋅或其他金屬材料。
10. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，其中該第二透明導電層為像素 電極。
11. 如權利要求1所述的液晶顯示面板，還包含至少一薄膜晶體管，設 于該晶體管區(qū)。
12. —種液晶顯示陣列基板，包括基板，具有多個像素區(qū)域，每一像素區(qū)域具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體 管區(qū)，每一像素至少包括薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)上； 第一介電層，覆蓋于該基板上；圖案化第一透明導電層，位于該電容區(qū)的該第一介電層上； 第二介電層，覆蓋于該圖案化第一透明導電層與該基板上； 圖案化第二透明導電層，位于該晶體管區(qū)、該電容區(qū)與該透射區(qū)的該第 二介電層上，且電性連接至該薄膜晶體管；以及圖案化反射電極，位于部分該晶體管區(qū)的該圖案化第二透明導電層上。
13. 如權利要求12所述的液晶顯示陣列基板，其中該第一介電層及第二 介電層包含氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。
14. 如權利要求12所述的液晶顯示陣列基板，其中該第一介電層及第二 介電層包含有機材料、無機材料或上述的組合。
15. 如權利要求12所述的液晶顯示陣列基板，其中該圖案化第一透明導 電層及該圖案化第二透明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
16. —種液晶顯示器的像素結構，設置在液晶顯示陣列基板上，該像素結構具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)，至少包含 薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)上；像素電極，設于該透射區(qū)上，且電性連接至該薄膜晶體管； 透明儲存電容，設于該電容區(qū)，包含第一透明導電層，設于該電容區(qū)上；透明介電層，設于該第一透明導電層上；第二透明導電層，設于該透明介電層上，且電性連接至該薄膜晶 體管；以及反射電極，設于該晶體管區(qū)之上，且電性連接至該薄膜晶體管。
17. 如權利要求16所述的像素結構，其中該透明介電層包含氧化物、硅 氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。
18. 如權利要求16所述的像素結構，其中該透明介電層包含有機材料、無機材料或上述的組合。
19. 如權利要求16所述的像素結構，其中該第一透明導電層及該第二透 明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
20. —種液晶顯示面板，包含有 上基板；下基板，與該上基板對向設置，該下基板包含晶體管區(qū)、電容區(qū)以及透射區(qū)；多個導線，設置于該下基板上；液晶層，設置于該上基板與該下基板之間；多個像素，與該些導線電性連接，該多個像素中的每一個像素包含 薄膜晶體管，設于該晶體管區(qū)上； 第一介電層，覆蓋于該基板上；圖案化第一透明導電層，位于該電容區(qū)的該第一介電層上； 第二介電層，覆蓋于該圖案化第一透明導電層與該基板上； 圖案化第二透明導電層，位于該晶體管區(qū)、該電容區(qū)與該透射區(qū)的 該第二介電層上，且電性連接至該薄膜晶體管；以及圖案化反射電極，位于部分該圖案化第二透明導電層上。
21. 如權利要求20所述的液晶顯示面板，其中該第一介電層及第二介電 層包含氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物或上述的組合。
22. 如權利要求20所述的液晶顯示面板，其中該第一介電層及第二介電 層包含有機材料、無機材料或上述的組合。
23. 如權利要求20所述的液晶顯示面板，其中該圖案化第一透明導電層 及該圖案化第二透明導電層包含氧化銦錫層或氧化銦鋅層。
24. 如權利要求20所述的液晶顯示面板，還包含彩色濾光單元，設置在 上基板或下基板上。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半透射半反射液晶顯示面板及其顯示陣列基板、像素結構，該液晶顯示面板主要包含陣列基板；以及儲存電容，設于該陣列基板上。其中，該陣列基板具有透射區(qū)、電容區(qū)以及晶體管區(qū)，而儲存電容則包含第一透明導電層，覆蓋該透射區(qū)及該電容區(qū)；介電層，設于該第一透明導電層上；以及第二透明導電層，設于該介電層上；接著形成平坦層于該第二透明導電層上；然后在該晶體管區(qū)的該平坦層上形成反射層。本發(fā)明不但可大幅降低像素區(qū)里不透明金屬結構的使用面積，還可提高整體像素的開口率和透射率，使整個顯示面板的光學表現(xiàn)相對提高。
文檔編號G02F1/1362GK101158794SQ20071019322
公開日2008年4月9日 申請日期2007年11月20日 優(yōu)先權日2007年11月20日
發(fā)明者楊敦鈞, 胡至仁 申請人:友達光電股份有限公司