專利名稱：灰度光罩及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種灰度光罩及其制造方法，更特別地涉及一種灰度光罩， 其具有簡單結(jié)構(gòu)，且易于制造。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體或薄膜晶體管液晶顯示器(TFTLCD)的制造技術(shù)領(lǐng)域中，微 影及蝕刻過程是非常重要的過程。現(xiàn)有的微影過程主要包含光阻覆蓋、曝光 及顯影等步驟。首先，參考圖l，將光阻12形成于工件14上。然后，來自 光源的平行光16，經(jīng)過光罩10后，入射在該光阻12上。由于該光罩10具 有預(yù)定圖案18，用以反射部分入射光，因此經(jīng)過該光罩IO的光線具有與該 光罩10相同的圖案18，并使位于該工件14上的光阻12可被選擇性地曝光， 因此該光罩10上的圖案18可完整地傳遞到該工件14上的光阻14。然后， 將曝光后的光阻12顯影，使該光阻12圖案化，以獲得與該光罩10相同的 圖案18'，這種圖案轉(zhuǎn)移稱為正片，如圖2所示；反之，將曝光后的光阻12 顯影，使該光阻圖案化，以獲得與該光罩10互補(bǔ)的圖案20，如圖3所示。 然后，將該工件14蝕刻，使該工件14的表面圖案化，以獲得與該光阻12 相同的圖案。最后，將該光阻12移除，以完成微影及蝕刻過程。半導(dǎo)體或薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法通常包含多個(gè)微影及蝕刻 過程，用以形成各種特定圖案的多層薄膜。舉例而言，在現(xiàn)有的微影過程中， 需要通過多個(gè)二元光罩(binary mask)以執(zhí)行多個(gè)曝光步驟，使待蝕刻區(qū)域 獲得不同的曝光量。然而，越多的曝光步驟將造成越多的過程時(shí)間及成本。 目前，已公開了一種灰度光罩，用以取代二元光罩，可減少曝光步驟數(shù)量， 如此可簡化微影過程。美國專利6,876,428，標(biāo)題為"利用灰度光罩的液晶顯示器面板的制造方 法(Method of Manufacturing A Liquid Crystal Display Panel Using A Gray Tone Mask)",公開了一種顯示器裝置的圖案的形成方法，包含下列步驟首先， 提供薄膜。然后，將感光層配置于該薄膜上。利用灰度光罩，以光線將該感 光層曝光，其中該灰度光罩具有透明部分及局部透明部分，用以將該感光層 圖案化，該局部透明部分包含至少兩部分，該兩部分具有不同透光率，用以 沿光線的照射方向引導(dǎo)該光線的不同的透光量。最后，利用已圖案化的感光 層，將該薄膜蝕刻。然而，美國專利6,876,428所公開的灰度光罩是狹縫式 光罩(slit mask),其局部透明部分包含多個(gè)狹縫(slit)，其彼此間隔預(yù)定間 距，用以沿光線的照射方向引導(dǎo)該光線的不同的透光量。另外，美國專利5,213,916，標(biāo)題為"灰度光罩制造方法(Method of Making A Gray Level Mask)",公開了一種用于微影過程的灰度光罩，其由透明玻璃 基板及多個(gè)材料層所構(gòu)成，該透明玻璃基板承載該多個(gè)材料層，該多個(gè)材料 層具有不同的透光率。就該灰度光罩只使用該多個(gè)材料層中的兩層而言，通 過以銀離子取代用于玻璃中堿金屬硅酸鹽的金屬離子，以制成局部透光性玻 璃，第一層材料層可由局部透光性玻璃所構(gòu)成。通過形成金屬層(諸如鉻)， 第二層材料層可由非透光性金屬層制成。該灰度光罩是利用光阻結(jié)構(gòu)的協(xié)助 而制造的，并通過微影及蝕刻過程而蝕刻出特定區(qū)域，亦即選擇性地蝕刻出 不同透光率的該多個(gè)材料層的裸露區(qū)域。然而，美國專利5,213,916所公開 的灰度光罩包含配置于該透明玻璃基板上的至少兩層材料層，其中該第一層 材料層可由局部透光性玻璃所構(gòu)成，且第二層材料層可由非透光性金屬層制 成。參考圖4，日本專利特開2003-156766，標(biāo)題為"反射型液晶顯示器裝 置及其制造方法(Reflection Type Liquid Crystal Display Unit And Its Manufacturing Method)",公開了一種反射型液晶顯示器裝置50，包含薄膜晶體管基底60、彩色濾光片基板80、及位于該薄膜晶體管基底60與彩色濾 光片基板80之間的液晶層52。該薄膜晶體管基底60包含多個(gè)像素區(qū)域，每 一像素區(qū)域包含順序形成于透明基板68上的薄膜晶體管62、絕緣層64及反 射電極(reflection electrode) 66。該絕緣層64是通過灰度光罩(未示出)及 微影蝕刻過程而同時(shí)具有接觸口 72及凹凸表面74的結(jié)構(gòu)，且該反射電極66 具有類似凹凸表面的外形，其位于該絕緣層64的凹凸表面上，并電連接于 該薄膜晶體管62。該反射電極66用于非對稱性地反射外部的光線。該絕緣 層64由有機(jī)材料或無機(jī)材料制成，并用以保護(hù)該薄膜晶體管62。該彩色濾 光片基板80包含順序形成于透明基板86上的彩色濾光片層82及相應(yīng)的透 明電極84。雖然日本專利特開2003-156766公開的該灰度光罩具有對應(yīng)于該絕緣層 64的接觸口 72及凹凸表面74的接觸口圖案及凹凸表面圖案，并通過控制該 接觸口圖案的透光量大于凹凸表面圖案的透光量而在后續(xù)的微影及蝕刻過 程中，使該絕緣層64同時(shí)具有接觸口 72及凹凸表面74的結(jié)構(gòu)。然而，上 述日本專利并未公開該灰度光罩的元件構(gòu)成，亦未公開元件材料成分及特 性。因此，便有需要提供一種灰度光罩，具有簡單結(jié)構(gòu)，且易于制造。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種灰度光罩，其具有簡單結(jié)構(gòu)，易于制造。 本發(fā)明的另一目的在于提供一種灰度光罩，其包含灰度區(qū)，其中該灰度 區(qū)的透光率是約介于5%與95%之間。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種灰度光罩包含透明基板及光線阻礙 層。該光線阻礙層被配置于該透明基板上，并具有最小厚度的透光區(qū)、最大 厚度的非透光區(qū)及中間厚度的灰度區(qū)，其中該中間厚度介于該最小厚度及該最大厚度之間，且該灰度區(qū)的透光率介于5%與95%之間。本發(fā)明的灰度光罩可取代現(xiàn)有二元光罩，可減少曝光步驟數(shù)量，如此可 簡化微影過程。再者，本發(fā)明的灰度光罩不同于現(xiàn)有狹縫式光罩，且不需包 含至少兩層材料層配置于該透明基板上。相比于現(xiàn)有灰度光罩，本發(fā)明的灰 度光罩確實(shí)具有簡單結(jié)構(gòu)，易于制造，且完全不同于現(xiàn)有灰度光罩的結(jié)構(gòu)。 為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯，下文將配合 附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的微影過程的曝光步驟的剖面示意圖； 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的微影過程的顯影步驟的剖面示意圖，其以正片顯示圖 案轉(zhuǎn)移；圖3為現(xiàn)有技術(shù)的微影過程的顯影步驟的剖面示意圖，其以負(fù)片顯示圖 案轉(zhuǎn)移；圖4為現(xiàn)有技術(shù)的反射型液晶顯示器裝置的剖面示意圖； 圖5為本發(fā)明的實(shí)施例的灰度光罩的剖面示意圖； 圖6為本發(fā)明的替代實(shí)施例的灰度光罩的剖面示意圖； 圖7至9為本發(fā)明的實(shí)施例的灰度光罩的制造方法的剖面示意圖； 圖10至15為利用本發(fā)明的實(shí)施例的灰度光罩的薄膜晶體管基底制造方 法的剖面示意圖。主要附圖標(biāo)記說明 10 光罩 14 工件 18 圖案12光阻 16平行光 18'圖案20 圖案52 液晶層62 薄膜晶體管66 反射電極72 接觸口80 彩色濾光片基板84 透明電極100灰度光罩110光線阻礙層114 非透光區(qū)118凹凸表面圖案124入射光束252透明基板256輔助電容線262本征半導(dǎo)體層264歐姆接觸層266a源極266'第二金屬層270 光線274接觸區(qū)278 接觸孔282像素電極T2 最大厚度T31厚度Y透光量50液晶顯示器裝置60薄膜晶體管基底64絕緣層68透明基板74凹凸表面82彩色濾光片86透明基板102 透明基板112 透光區(qū)116 灰度區(qū)122 入射光束250 薄膜晶體管254 柵極258 柵極絕緣膜262'本征半導(dǎo)體層264'摻雜半導(dǎo)體層266b漏極268 光阻層272 通道區(qū)276 鈍化層280 薄膜晶體管基底Tl最小厚度T3中間厚度T32 厚度具體實(shí)施方式
參考圖5，其顯示本發(fā)明的實(shí)施例的灰度光罩100。該灰度光罩100包含透明基板102及光線阻礙層(light blocking layer) 110。該光線阻礙層110 被配置于該透明基板102上，并具有最小厚度Tl的透光區(qū)112、最大厚度 T2的非透光區(qū)114、及中間厚度T3的灰度區(qū)116，其中該中間厚度T3介于 該最小厚度Tl與該最大厚度T2之間。根據(jù)透光率的定義，透光率是穿透光束124強(qiáng)度與入射光束122強(qiáng)度的 比(百分比)。由于透光量取決于該光線阻礙層110的厚度，因此控制該光 線阻礙層110的局部透光量，亦即透光率，是十分重要的。在本實(shí)施例中， 通過控制該最小厚度Tl可使該透光區(qū)112的透光率為100%，通過控制該最 大厚度T2可使該非透光區(qū)114的透光率為0%，且優(yōu)選地通過控制該中間厚 度T3可使該灰度區(qū)116的透光率大約介于5%與95%之間。具體來說，當(dāng)該最小厚度Tl為零時(shí)，可形成完全透光，亦即該透光區(qū) 112的透光率是100%。當(dāng)該最大厚度T2是大于預(yù)定厚度時(shí)，可形成完全非 透光，亦即該非透光區(qū)114的透光率是0%。舉例而言，若該光線阻礙層110 由鉻(Cr)金屬制成，當(dāng)該最大厚度T2大于1000埃時(shí)，則該非透光區(qū)114 的透光率是0%。該灰度區(qū)116是部分透光，亦即當(dāng)該中間厚度T3介于該 最小厚度Tl及該最大厚度T2之間時(shí)，該灰度區(qū)116的透光率大約介于5% 與95%之間。舉例而言，若該光線阻礙層110由鉻金屬制成，當(dāng)該中間厚度 T3是490與190埃時(shí)，該灰度區(qū)116的透光率分別約為5%與95%。應(yīng)注意 的是，在該灰度區(qū)116的5%-95%的透光率范圍以外的灰度現(xiàn)象無法被區(qū)別。 因此，該灰度區(qū)116的0%-5%與95%-100%的透光率范圍是沒有利用價(jià)值的。參考圖6，在替代實(shí)施例中，該灰度區(qū)116的透光量Y取決于該光線阻 礙層110的中間厚度T3。若該光線阻礙層110包含凹凸表面圖案118，其位 于該灰度區(qū)116上，亦即該中間厚度T3包含多個(gè)等級的厚度，諸如第一厚度T31及第二厚度T32 (其中T32大于T31)，則該灰度區(qū)116的透光量Y 的分布對應(yīng)于凹凸表面圖案118的第一厚度T31及第二厚度T32。該灰度區(qū) 116包含多個(gè)等級的透光率，諸如第一及第二透光率，其中該第一及第二透 光率分別對應(yīng)于第一厚度T31及第二厚度T32。再者，由于金屬材料對該透明基板102 (諸如玻璃基板等)具有較佳的 粘貼性，因此當(dāng)該光線阻礙層110由金屬材料制成時(shí)，則該金屬材料容易粘 貼于該透明基板102。優(yōu)選地，該金屬材料為從鉻、鋁、鎢、鉬、鎳及其化 合物所組成的組中選擇的一者。由于非金屬材料在該透明基板102 (諸如玻璃基板等)上容易形成特定 外形，因此當(dāng)該光線阻礙層110為非金屬材料制成時(shí)，則該非金屬材料容易 在該透明基板102上形成特定外形。優(yōu)選地，該非金屬材料是由硅或其化合本發(fā)明的灰度光罩可取代二元光罩，可減少曝光步驟數(shù)量，如此可簡化 微影過程。再者，本發(fā)明的灰度光罩只需在該透明基板上配置一層光線阻礙 層，而不需新增另一層光線阻礙層(灰度層)。本實(shí)施例的灰度光罩的制造方法，其包含下列步驟。參考圖7，首先提 供透明基板102，然后將光線阻礙層110形成于該透明基板102上，其中該 光線阻礙層110具有最大厚度T2。參考第8圖，通過第一微影蝕刻過程， 將該光線阻礙層110的一部分圖案化以形成有最小厚度T1。參考圖9，通過 第二微影蝕刻過程，將該光線阻礙層110的其他部分形成中間厚度T3，其 中該最小厚度、最大厚度及中間厚度分別界定透光區(qū)112、非透光區(qū)114及 灰度區(qū)116，且該中間厚度T3介于該最小厚度Tl及該最大厚度T2之間， 且該灰度區(qū)116的透光率大約介于5%與95%之間。本實(shí)施例的灰度光罩100的另一制造方法，其包含下列步驟。首先，提 供透明基板102，然后將光線阻礙層IIO形成于該透明基板102上，如圖7所示，其中該光線阻礙層110具有最大厚度T2。然后，通過微影蝕刻過程及激光輔助過程(laser assisted process),將該 光線阻礙層110—的部分圖案化以同時(shí)形成最小厚度T1及中間厚度T3，如 圖9所示，其中該最小厚度T1、最大厚度T2及中間厚度T3分別界定透光 區(qū)112、非透光區(qū)114及灰度區(qū)116，該中間厚度T3介于該最小厚度T1及 該最大厚度T2之間，且該灰度區(qū)116的透光率大約介于5%與95%之間。具 體來說，在該蝕刻過程時(shí)，該激光輔助過程同時(shí)可加強(qiáng)位于該透光區(qū)112的 光線阻礙層110的局部蝕刻速度，因此將該光線阻礙層110圖案化以同時(shí)形 成有該最小厚度Tl及該中間厚度T3。相比于現(xiàn)有灰度光罩，本發(fā)明的灰度光罩確實(shí)具有簡單結(jié)構(gòu)，易于制造， 且完全不同于現(xiàn)有灰度光罩的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明提供利用本實(shí)施例的灰度光罩的液晶顯示器薄膜晶體管基 底制造方法，其包含下列步驟。參考圖10，首先將第一金屬層形成于透明基 板252上，并通過第一微影蝕刻過程及二元光罩將該第一金屬層圖案化，以 形成柵極254及輔助電容線256。參考圖11，將柵極絕緣膜258、本征半導(dǎo)體層262'、摻雜半導(dǎo)體層264' 及第二金屬層266，順序形成于該透明基板252上。參考圖12及13，通過第二微影蝕刻過程及本發(fā)明的灰度光罩100，將 該本征半導(dǎo)體層262'、該摻雜半導(dǎo)體層264'及該第二金屬層266'圖案化，以 形成本征半導(dǎo)體層262、歐姆接觸層(n+a-Si) (ohmic contact layer) 264、源 極266a及漏極266b，其中該柵極254、本征半導(dǎo)體層262、歐姆接觸層264、 源極266a及漏極266b構(gòu)成薄膜晶體管250。具體來說，在該第二微影蝕刻過程中，先將光阻層268形成于該第二金 屬層266，上，并通過合適的光線270所照射，諸如紫外光，從該灰度光罩 100的外側(cè)向該光阻層268照射，用以將該光阻層268曝光。該光阻層268(諸如正光阻)經(jīng)過該光線270照射后會在顯影劑中產(chǎn)生溶解(dissolved)。 經(jīng)過顯影及烘烤固化后，該光阻層268是被圖案化，使該光阻層268形成有 零厚度、原始厚度及中間厚度，其分別對應(yīng)于該灰度光罩100的透光區(qū)112、 非透光區(qū)114及灰度區(qū)116，其中該中間厚度是介于零厚度及該原始厚度之 間。該光阻層268的中間厚度及零厚度分別界定通道區(qū)272及接觸區(qū)274。 當(dāng)進(jìn)行等離子體化學(xué)(plasma chemistry)蝕刻步驟時(shí)，將位于該接觸區(qū)274 的部分該第二金屬層266'、該摻雜半導(dǎo)體層264'及該本征半導(dǎo)體層262'蝕刻 掉。由于位于該通道區(qū)272的該光阻層268仍具有中間厚度，因此可避免位 于其下方的該第二金屬層266'被蝕刻掉，如圖12所示。同時(shí)，該等離子體 化學(xué)蝕刻步驟將位于該通道區(qū)272的該光阻層268去除。然后，進(jìn)行另一蝕 刻步驟，將該第二金屬層266'及該摻雜半導(dǎo)體層264'蝕刻，以形成該源極 266a及該漏極266b，并將該光阻層268移除，如圖13所示。換言之，該源 極266a及該漏極266b的形成方法是一種利用灰度光罩的工件圖案化的形成 方法，而該本征半導(dǎo)體層262'、該摻雜半導(dǎo)體層264'及該第二金屬層266'^zrr A口丄/山百wj個(gè)x力丄Tf。參考圖14，將鈍化層(passivation layer) 276配置于該柵極絕緣膜258 上，并覆蓋該薄膜晶體管250。通過第三微影蝕刻過程及二元光罩，將該鈍 化層276圖案化，使該鈍化層276形成有一接觸孔278。參考圖15，將透明導(dǎo)電層，諸如銦錫氧化物(indium tin oxide; ITO) 制成的透明金屬層，形成于該鈍化層276上，并通過第四微影蝕刻過程及二 元光罩將該透明導(dǎo)電層圖案化，以形成像素電極282，如此以完成液晶顯示 器薄膜晶體管基底280，其中該像素電極280是通過該接觸孔278電連接于 該薄膜晶體管250。通?，F(xiàn)有液晶顯示器薄膜晶體管基底制造方法需要五個(gè)微影蝕刻過程 及光罩。由于本發(fā)明的灰度光罩可取代二元光罩，可減少曝光步驟數(shù)量，以簡化微影過程，因此利用本發(fā)明的灰度光罩的液晶顯示器薄膜晶體管基底制 造方法只須四個(gè)微影蝕刻過程及光罩。雖然本發(fā)明己以前述實(shí)施例說明，但是其并非用以限定本發(fā)明，任何本 技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的變化與修 改。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種灰度光罩，包括透明基板；以及光線阻礙層，該光線阻礙層被配置于該透明基板上，并具有最小厚度的透光區(qū)、最大厚度的非透光區(qū)、及中間厚度的灰度區(qū)，其中該中間厚度介于該最小厚度及該最大厚度之間，且該灰度區(qū)的透光率介于5％與95％之間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該光線阻礙層由金屬材料制成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的灰度光罩，其中該金屬材料為鉻、鋁、鎢、 鉬、鎳及其化合物所組成的組中選擇的一者。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該光線阻礙層由非金屬材料 制成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的灰度光罩，其中該非金屬材料為硅或其化合物。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中當(dāng)該最小厚度為零時(shí)，該透 光區(qū)的透光率為100%。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中當(dāng)該最大厚度大于預(yù)定厚度 時(shí)，該非透光區(qū)的透光率為0%。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該光線阻礙層由鉻金屬制成， 當(dāng)該最大厚度大于1000埃時(shí)，則該非透光區(qū)的透光率為0 %。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該光線阻礙層由鉻金屬制成，當(dāng)該中間厚度為490埃時(shí)，該灰度區(qū)的透光率為5%。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該光線阻礙層由鉻金屬制成， 當(dāng)該中間厚度為190埃時(shí)，該灰度區(qū)的透光率為95°/。。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該灰度區(qū)包含多個(gè)等級的透 光率。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰度光罩，其中該中間厚度包含多個(gè)等級的 厚度。
13、 一種灰度光罩的制造方法，包含下列步驟-提供透明基板；將光線阻礙層形成于該透明基板上，其中該光線阻礙層具有最大厚度； 通過第一微影蝕刻過程，將該光線阻礙層的一部分圖案化以形成最小厚 度；以及通過第二微影蝕刻過程，將該光線阻礙層的其他部分形成中間厚度，其 中該最小厚度、最大厚度及中間厚度分別界定透光區(qū)、非透光區(qū)及灰度區(qū)， 且該中間厚度介于該最小厚度及該最大厚度之間，且該灰度區(qū)的透光率介于 5%與95%之間。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中該光線阻礙層由金屬材料 制成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其中該金屬材料為鉻、鋁、鎢、鉬、鎳及其化合物所組成的組中選擇的一者。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中該光線阻礙層由非金屬材 料制成。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其中該非金屬材料為硅或其化 合物。
18、 一種灰度光罩的制造方法，包含下列步驟 提供透明基板；將光線阻礙層形成于該透明基板上，其中該光線阻礙層具有最大厚度；以及通過微影蝕刻過程及激光輔助過程，將該光線阻礙層的一部分圖案化以 同時(shí)形成最小厚度及中間厚度，其中該最小厚度、最大厚度及中間厚度分別 界定透光區(qū)、非透光區(qū)及灰度區(qū)，該中間厚度介于該最小厚度及該最大厚度 之間，且該灰度區(qū)的透光率介于5%與95%之間。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其中該光線阻礙層由金屬材料 制成。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其中該金屬材料為鉻、鋁、鎢、 鉬、鎳及其化合物所組成的組中選擇的一者。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其中該光線阻礙層由非金屬材 料制成。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造方法，其中該非金屬材料為硅或其化 合物。
23、 一種利用灰度光罩的工件圖案化的形成方法，包含下列步驟 提供工件；將光阻層形成于該工件上；利用該灰度光罩，以光線將該光阻層曝光，其中該灰度光罩包含透明基 板及光線阻礙層，該光線阻礙層被配置于該透明基板上，該光線阻礙層具有 最小厚度的透光區(qū)、最大厚度的非透光區(qū)、及中間厚度的灰度區(qū)，該中間厚 度介于該最小厚度及該最大厚度之間，且該灰度區(qū)的透光率介于5%與95% 之間；將已曝光的光阻層顯影，以圖案化該光阻層； 利用已圖案化的光阻層，將該工件蝕刻，以圖案化該工件；以及 將已圖案化的光阻層移除。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的形成方法，其中該工件為薄膜。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的形成方法，其中該薄膜被配置于薄膜晶體 管基底上。
全文摘要
一種灰度光罩，包含透明基板及光線阻礙層。該光線阻礙層被配置于該透明基板上，并具有最小厚度的透光區(qū)、最大厚度的非透光區(qū)、及中間厚度的灰度區(qū)，其中該中間厚度介于該最小厚度及該最大厚度之間，且該灰度區(qū)的透光率的大約介于5％與95％之間。
文檔編號G03F7/00GK101231460SQ20071030182
公開日2008年7月30日 申請日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者蔡晴夫 申請人:盟圖科技股份有限公司