專利名稱：：維修方法、曝光方法及裝置、以及元件制造方法
技術領域：
：本發(fā)明有關于透過液體以曝光用光使基板曝光的曝光裝置的維修技術、及使用此維修技術的曝光技術及元件制造技術。
背景技術：
：半導體元件及液晶顯示元件等微元件(電子元件)，是使用將形成于標線片等光掩膜上的圖案轉印至印至涂有光刻膠等感光材料的晶片等基板上、所謂的微影法加以制造。此微影制造工藝中，為了將光掩膜上的圖案透投影光學系統(tǒng)轉印至基板上，使用步進重復(step&r印eat)方式的縮小投影型曝光裝置(所謂的步進器、stepper)、及步進掃描(step&scan)方式的縮小投影型曝光裝置(所謂的掃描步進器、scanningstepper)等的曝光裝置。此種曝光裝置，為了根據隨著半導體元件等高積體化的圖案微細化而年年提高的分辨率(解析力)要求，進行了曝光用光的短波長化及投影光學系統(tǒng)孔徑數(NA)的增加(大NA化)。然而，曝光用光的短波長化及大NA化雖能提升投影光學系統(tǒng)的分辨率，但卻會導致焦深的窄小化，因此如此下去的話焦深將變得過窄，恐有曝光動作時聚焦欲度不足之虞。因此，作為一種實質上縮短曝光波長、且與在空氣相較使焦深廣的方法，開發(fā)了一種利用液浸法的曝光裝置(例如，參照專利文獻1)。此液浸法，是將投影光學系統(tǒng)的下面與基板表面之間充滿水或有機溶媒等液體，以在形成液浸區(qū)域的狀態(tài)下進行曝光。據此，利用曝光用光在液體中的曝光用光波長為空氣中的l/n倍(n是液體的折射率，例如為1.21.6左右)的特性，來提升解像度且能將焦深擴大至約n倍。專利文獻1:國際公開第99/49504號小冊子使用上述液浸法進行曝光處理時，一邊從既定的液體供應機構將液體供應至投影光學系統(tǒng)與基板間的液浸區(qū)域、一邊進行曝光，并以既定的液體回收機構回收該液浸區(qū)域的液體。然而，在使用此液浸法的曝光中，光刻膠殘渣等的微小異物(微粒)有可能附著于與該液體接觸的部分，例如附著于液體供應機構及液體回收機構的液體流路等液體接觸的部分。此種附著的異物，有可能會在之后的曝光時再度混入液體中而附著于曝光對象的基板上，成為待轉印圖案的形狀不良等缺陷的原因。因此，最好是能在例如曝光裝置的定期性維修等時，以某種方式有效率的除去蓄積在其液體供應機構及液體回收機構的液體流路等的異物(雜質)。
發(fā)明內容本發(fā)明有鑒于上述情況，其目的在于提供一種以液浸法進行曝光的曝光裝置的有效率的維修技術。又，本發(fā)明的另一目的，是提供一種能容易的應用該維修技術的曝光技術及元件制造技術。又，本發(fā)明的再一目的，是提供一種能容易的進行與該液體接觸的液體接觸部的洗凈的洗凈技術、曝光技術、以及元件制造技術。本發(fā)明的第l維修方法，是用以維修曝光裝置，該曝光裝置以第l液體充滿光學構件2與基板P之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其包含移動步驟，與使用該第1液體形成該液浸空間的液浸空間形成構件30對向配置可動體MST;液浸步驟，使用該液浸空間形成構件于該可動體上形成該第1液體所構成的該液浸空間；以及洗凈步驟，為進行與該第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，從該可動體側朝包含該液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出第2液體。根據本發(fā)明，能容易的將以液浸法進行曝光時附著于該液體接觸部的異物的至少一部分與該第2液體一起去除。此時，預先或至少局部的平行實施以該第1液體形成液浸空間，即能容易的除去附著于該液體接觸部的異物。因此，能有效率維修進行該第1液體的供應及回收的機構。又，本發(fā)明的第2維修方法，用以維修曝光裝置，該曝光裝置系以第l液體充滿光學構件2與基板P之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其包含移動步驟，系與使用該第l液體形成該液浸空間的液浸空間形成構件30對向配置可動體MST;蓄積步驟，使用該液浸空間形成構件將該第1液體供應至該可動體上，并蓄積此供應的該第1液體；以及洗凈步驟，為進行與該第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，將于該蓄積步驟中蓄積的該第1液體朝包含該液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出。根據本發(fā)明，能容易的將以液浸法進行曝光時附著于該液體接觸部的異物的至少一部分與該第2液體一起去除。此時，預先或平行實施液浸曝光時所使用的第l液體的供應，即能容易的除去附著于液體接觸部的異物，且由于該第l液體也作為洗凈用的液體，因此，能簡化洗凈用液體的供應機構。本發(fā)明的第3維修方法，是用以維修曝光裝置，該曝光裝置透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板曝光，其特征在于具有與該第1液體接觸的液體接觸部，且與在該光學構件與該基板之間保持該第1液體的嘴構件30對向配置可動體MST，使用透過該嘴構件供應至該可動體的第2液體來洗凈該液體接觸部。本發(fā)明的第4維修方法，用以維修曝光裝置，該曝光裝置透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板曝光，其特征在于與在該光學構件與該基板之間保持該第1液體的嘴構件對向配置可動體，根據與該第1液體接觸的該液體接觸部相關的信息，設定以該第2液體洗凈該液體接觸部的洗凈條件。根據本發(fā)明，能容易的進行液體接觸部的洗凈，進而有效率的進行以液浸法進行曝光的曝光裝置的維修。又，本發(fā)明的第l曝光方法，具有使用本發(fā)明的維修方法的步驟。又，本發(fā)明的第2曝光方法，透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板(P)曝光，其特征在于具有與該第1液體接觸的液體接觸部，且與在該光學構件與該基板之間保持該第1液體的嘴構件30對向配置可動體MST，并包含使用經該嘴構件供應至該可動體的第2液體洗凈該液體接觸部的動作。又，本發(fā)明的第3曝光方法，透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板P曝光，其特征在于包含與在該光學構件與該基板之間保持該第1液體的嘴構件30對向配置可動體MST，并包含根據與該第1液體接觸的該液體接觸部相關的信息，設定以該第2液體洗凈該液體接觸部的洗凈條件。根據此第2及第3曝光方法，能容易的進行液體接觸部的洗凈，進而有效率的進行以液浸法進行曝光的曝光裝置的維修。又，本發(fā)明的第l曝光裝置，以第1液體充滿光學構件2與基板P之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其具備液浸空間形成構件30，使用該第1液體形成該液浸空間；可動體MST，能相對該光學構件移動；液體噴出機構62、63A、90，其至少一部分設于該可動體且噴出第2液體；以及控制裝置61，在透過該液浸空間形成構件于該可動體上以該第1液體形成該液浸空間時，為進行與該第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，使該液體噴出機構朝包含該液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出第2液體。又，本發(fā)明的第2曝光裝置，以第1液體充滿光學構件2與基板P之間以形成液浸空間，透過該光學構件與該第1液體以曝光用光使該基板曝光，其具備液浸空間形成構件30，使用該第1液體形成該液浸空間；可動體MST，能相對該光學構件移動；蓄積機構63F、91、92，是蓄積透過該液浸空間形成構件供應至該可動體上的該第1液體；以及液體噴出裝置63E、91、92,其至少一部分設于該可動體，為進行與該第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，將以該蓄積機構所蓄積的該第1液體朝包含該液體接觸部的至少一部分的區(qū)域噴出。又，本發(fā)明的第3曝光裝置，透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板P曝光，其具備嘴構件30，具有與該第1液體接觸的液體接觸部且于該光學構件與該基板之間保持該第1液體；可動體MST，能相對該光學構件移動；以及洗凈構件，至少一部分設于該可動體上，使用經該嘴構件供應至該可動體的第2液體洗凈該液體接觸部。又，本發(fā)明的第4曝光裝置，透過光學構件2與第1液體以曝光用光使基板P曝光，其具備嘴構件30，于該光學構件與該基板之間保持該第1液體；洗凈構件，以第2液體洗凈與該第1液體接觸的液體接觸部；可動體MST，至少于該洗凈時與該嘴構件對向配置；以及控制裝置61，控制該洗凈構件以改變使用該第2液體的洗凈條件，且視與該液體接觸部相關的信息設定干洗凈條件。根據這些本發(fā)明的第l、第2、第3、或第4曝光裝置，能分別使用本發(fā)明的第l、第2、第3、或第4維修方法。又，本發(fā)明的元件制造方法，其包含使本發(fā)明的曝光方法或曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后基板顯影的動作。上述本發(fā)明各既定要件后所附的符號，雖對應顯示本發(fā)明實施方式的圖中的構件，但各符號僅為易于理解本發(fā)明而表示發(fā)明的要件，本發(fā)明并不受限于這些實施方式的構成。根據本發(fā)明，能容易的進行液體接觸部的洗凈，進而有效率的進行以液浸法進行曝光的曝光裝置的維修。圖1是顯示本發(fā)明曝光裝置的一實施方式例，部分剖開的概略構成圖。圖2是顯示圖1中的嘴構件30的立體圖。圖3是沿圖2的AA線的截面圖。圖4是顯示設于圖1中的測量載臺MST的洗凈機構的部分剖斷圖。圖5是顯示圖1的基板載臺PST及測量載臺MST的俯視圖。圖6是顯示測量載臺MST從圖5的狀態(tài)移動至投影光學系統(tǒng)PL底面的過程的俯視圖。圖7是以截面顯示用以說明本發(fā)明的一實施方式例的洗凈動作的測量臺MTB及嘴構件30的圖。圖8(A)是顯示本發(fā)明另一實施方式例的洗凈機構的部分剖斷圖；圖8(B)是顯示從該洗凈機構噴射液體的狀態(tài)的部分剖斷圖。圖9(A)是顯示一維修動作例的流程圖；圖9(B)是顯示微元件的一制造工藝例的流程圖。元件代表符號1液體2光學元件10液體供應機構11液體供應部13,14供應口20液體回收機構21液體回收部24回收口25網狀過濾器30嘴構件62噴出裝置65回收裝置66混合噴出裝置89逆止閥卯噴射嘴部91圓筒部92活塞部AR1投影區(qū)域AR2液浸區(qū)域CONT控制裝置EL曝光用光EX曝光裝置M光掩膜MTB測量臺MST測量載臺P基板PL投影光學系統(tǒng)PST基板載臺具體實施例方式以下，參照圖1圖7說明本發(fā)明的較佳實施方式例。圖1是顯示由第1實施方式的曝光裝置EX的概略構成圖，圖1中，曝光裝置EX具備:用以支撐形成有轉印用圖案的光掩膜M的光掩膜載臺RST，支撐曝光對象的基板P的基板載臺PST，以曝光用光EL照明光掩膜載臺RST所支撐的光掩膜M的照明光學系統(tǒng)IL，將以曝光用光EL照明的光掩膜M的圖案像投影至基板載臺PST所支撐的基板上P上的投影區(qū)域AR1的投影光學系統(tǒng)PL，形成有對準用基準標記等的測量載臺MST，統(tǒng)籌控制曝光裝置EX全體的動作的控制裝置CONT，為適用液浸法的液浸系統(tǒng)(液浸機構)。本實施方式的液浸系統(tǒng)，包含對基板P上及測量載臺MST上供應液體1的液體供應機構10、與用以回收供應至基板P上及測量載臺MST上的液體1的液體回收機構20。曝光裝置EX，至少在將光掩膜M的圖案像轉印至基板P上的期間，通過液體供應機構IO供應的液體1在基板P上的部分區(qū)域(含投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1)、或基板P上的部分區(qū)域及其周圍區(qū)域(局部的)形成液浸區(qū)域AR2。具體而言，曝光裝置EX，采用在投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)冉K端部的光學元件(例如底面(射出面)大致平坦的透鏡或平行平面板等)2、與配置在該像面?zhèn)鹊幕錚表面之間充滿液體1的局部液浸方式，以通過光掩膜M的曝光用光EL，透過投影光學系統(tǒng)PL及投影光學系統(tǒng)PL與基板P間的液體1使基板P曝光，據以將光掩膜M的圖案轉印曝光至基板P。又，本例中，使用形成液浸空間(含從投影光學系統(tǒng)PL射出的曝光用光EL的光路空間)的液浸空間形成構件(包含例如嘴構件30)來進行液浸曝光。本例中，作為曝光裝置EX，以使用一邊使光掩膜M與基板P同步移動于既定掃描方向、一邊將形成于光掩膜M的圖案曝光至基板P的掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進器)為例進行說明。以下，取平行于投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX的方向為Z軸，垂直于Z軸的平面內沿光掩膜M與基板P的同步移動方向(掃描方向)為X軸，沿垂直于該掃描方向的方向(非掃描方向)取Y軸來進行說明。又，繞x軸、Y軸及z軸(傾斜)的方向分別設為ex、9Y、及ez方向。本文中的基板，包含例如于硅晶片等的半導體晶片等的基材上涂有感光材(以下，適當的稱光刻膠)，所謂的感光膜包含涂有其它保護膜(面涂膜)等各種膜者。光掩膜，則包含形成有待縮小曝光至基板上的元件圖案的標線片，例如在玻璃板等的透明板構件上使用鉻等遮光膜形成既定圖案者。此透射型光掩膜，并不限于以遮光膜形成圖案的二元光掩膜，也包含例如半調型、或空間頻率調變型等的移相型光掩膜等。此實施方式中，基板P，使用例如于直徑200mm至300mm程度的圓板狀半導體晶片上，例如以未圖示的涂布顯影裝置涂以既定厚度(例如20nm左右)的感旋光性材料的光刻膠，并視需要于其上涂有反射防止膜或面涂膜者。首先，照明光學系統(tǒng)IL,以曝光用光EL照明光掩膜載臺RST所支撐的光掩膜M，具有:用以使未圖示的光源射出的光束照度均勻化的光學積分器、中繼透鏡系統(tǒng)、用以將曝光用光EL在光掩膜M上的照明區(qū)域設定為狹縫狀的可變視野光鬧等。光掩膜M上的既定照明區(qū)域是由照明光學系統(tǒng)IL以均勻照度分布的曝光用光EL加以照明。從照明光學系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，使用例如從水銀燈射出的紫外線帶的亮線(i線等)、KrF準分子激光光(波長248nm)等的遠紫外光(DUV光)、或ArF準分子激光光(波長193nm)、F2激光光(波長157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。本例中，曝光用光EL使用ArF準分子激光光。又，光掩膜載臺RST用以支撐光掩膜M，能在未圖示的光掩膜座上垂直于投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX的平面內、即XY平面內進行2維移動及ez方向的微小旋轉。光掩膜載臺RST，例如以線性馬達等的光掩膜載臺驅動裝置RSTD加以驅動。光掩膜載臺驅動裝置RSTD以控制裝置CONT加以控制。于光掩膜載臺RST上設有反射鏡55A，于反射鏡55A的對向位置設有激光干涉儀56A。實際上，激光干涉儀56A構成為具有3軸以上的測長軸的激光干涉儀系統(tǒng)。光掩膜載臺RST(光掩膜M)的2維方向位置以及旋轉角由激光干涉儀56A實時加以測量，測量結果輸出至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT根據該測量結果驅動光掩膜載臺驅動裝置RSTD,據以進行光掩膜載臺RST所支撐的光掩膜M的移動及定位。又，反射鏡55A不僅是平面鏡還可包含角隅棱鏡(復歸反射器)，或者，也可取代反射鏡55A使用例如對光掩膜載臺RST的端面(側面)施以鏡面加工所形成反射面。投影光學系統(tǒng)PL，用以將光掩膜M的圖案以既定投影倍率P(P例如1/4、1/5等的縮小倍率)投影曝光至基板P上者，由包含設于基板P側(投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?終端部的光學元件2的復數個光學元件所構成，這些光學元件以鏡筒PK加以支撐。又，投影光學系統(tǒng)PL不限于縮小系統(tǒng)，也可以是等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)的任一者。此外，投影光學系統(tǒng)PL前端部的光學元件2以能裝拆(更換)的方式設于鏡筒PK，而液浸區(qū)域AR2的液體1則接觸于光學元件2。雖未圖標，投影光學系統(tǒng)PL透過防振機構裝載于以3根支柱支撐的鏡筒平臺，但也可如國際公開第2006/038952號小冊子的揭示，將投影光學系統(tǒng)PL懸吊支撐于投影光學系統(tǒng)PL上方配置的未圖標的主框架構件、或前述光掩膜基座等。本例中，液體l使用純水。純水不僅能使ArF準分子激光光穿透，例如從水銀燈射出的紫外線帶的亮線及KrF準分子激光光等的遠紫外線(DUV光)也能穿透。光學元件2以螢石(CaF2)形成。由于螢石與水的親和性高，因此能使光學元件2的液體接觸面2a大致完全與液體1接觸。又，光學元件2也可以是與水的親和性高的石英等。又，基板P的光刻膠，例如是具有彈開液體1的撥液性的光刻膠。如前所述，也可視需要于光刻膠上涂布保護用的面涂層。本例中，將液體l撥開的性質稱為撥液性。當液體l為純水時，所謂撥液性即指撥水性。又，于基板載臺PST上部固定有例如以真空吸附方式保持基板P的基板保持具PH。此外，基板載臺PST具備控制基板保持具PH(基板P)的Z方向位置(聚焦位置)及0X、0Y方向的傾斜角的Z載臺部，以及支撐此Z載臺部并移動的XY載臺。此XY載臺部例如是透過空氣軸承裝載在底座54上與XY平面平行的導引面(與投影光學系統(tǒng)PL的像面實質上平行的面)?；遢d臺PST(Z載臺52及XY載臺53)，以例如線性馬達等的基板載臺驅動裝置PSTD加以驅動?；遢d臺驅動裝置PSTD則以控制裝置CONT加以控制。此外，本實施方式中，Z載臺部包含臺(table)、以及將此臺至少驅動于Z、9X及eY方向的致動器(例如音圈馬達等)，將基板保持具與臺形成為一，總稱為基板保持具PH。又，基板載臺PST也可以是臺能相對XY載臺部于6自由度方向微動的粗微動載臺。于基板載臺PST上的基板保持具PH設有反射鏡55B,于反射鏡55B的對向位置設有激光干涉儀56B。反射鏡55B實際上如圖5所示，由X軸反射鏡55BX及Y軸反射鏡55BY所構成，激光干涉儀56B則以X軸激光干涉儀56BX及Y軸激光干涉儀56BY所構成。回到圖l，基板載臺PST上的基板保持具PH(基板P)的2維方向位置及旋轉角，以激光干涉儀56B加以實時測量，測量結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，根據該測量結果來驅動基板載臺驅動裝置PSTD，據以進行基板載臺PST所支撐的基板P的移動及定位。又，也可將激光干涉儀56B設計成也能測量基板載臺PST的z軸方向位置、及ex，ey方向的旋轉信息，其詳細狀況例如已揭示于特表2001—510577號公報(對應國際公開第1999/28790號小冊子)。此外，也可取代反射鏡55B，而使用將基板載臺PST或基板保持具PH的側面等予以鏡面加工所形成的反射鏡。又，基板保持具PH上，以圍繞基板P的方式設有可更換的環(huán)狀、平面的撥液性板件97。作為撥液處理，例如有使用具撥液性材料的單層或復數層的薄膜涂層處理。作為具有撥液性的材料，例如有四氟乙烯(鐵氟龍(注冊商標))等的氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料、硅系樹脂材料、或聚乙烯等的合成樹脂材料。板件97的上面，與基板保持具PH所保持的基板P表面大致同高的平坦面。此處，基板P的邊緣與板件97之間雖有0.1lmm的間隙，但本例中，由于基板的光刻膠為撥液性且液體l具有表面張力，因此幾乎不會產生液體l流入該間隙的情形，即使進行基板P周緣附近的曝光，也能將液體1保持在板件97與投影光學系統(tǒng)PL之間。又，也可在基板保持具PH設置用以將流入至板件97與基板P間的間隙的液體1排出至外部的吸引裝置(未圖標)。因此，基板P的光刻膠(或面涂層)不一定須具有撥液性。此外，本實施方式中雖于基板保持具PH以能裝拆(可更換)的方式設有板件部97,但也可不設置板件部97，而例如對圍繞基板P的基板保持具PH的上面施以撥液處理來形成為平坦面。此時，最好是能將基板保持具PH設為能裝拆(可更換)，以進行對該平坦面的維修(例如，撥液膜的補修等)。其次，圖1的液體供應機構10用以將既定液體1供應至基板P上，其具備可送出液體l的液體供應部ll、以及一端部連接于液體供應部11的供應管12。液體供應部11，具備收容液體1的儲液槽、過濾部、以及加壓泵等。又，液體供應裝置ll不需具備儲液槽、過濾部、加壓泵等的全部，至少一部分例如可以曝光裝置EX的設置工廠等的設備來代用。液體回收機構20,用以回收供應至基板P上的液體1，具備可回收液體l的液體回收部21、一端部連接于液體回收部21的回收管22、連結于回收管22的供應管27、以及連接于供應管27的端部用以供應既定洗凈液的洗凈液供應部26。于回收管22及供應管27的途中分別設計閥23及28。液體回收部21，例如具備真空泵等的真空系統(tǒng)(吸引裝置)、以及收容所回收液體l的儲液槽等。洗凈液供應部26，具備收容洗凈液體的儲液槽、以及加壓泵等。關閉回收管22側的閥23、打開供應管27側的閥28，即能從洗凈液供應部26透過回收管27將洗凈液供應至回收管22。此外，液體回收機構20，不需具備真空系統(tǒng)、儲液槽等的全部，至少一部分例如可以曝光裝置EX的設置工廠等的設備來代用。作為洗凈液，可使用不同于液體l的水與稀釋劑的混合液、Y—丁丙酯(Y-Butyrolactone)、或異丙醇(IPA)等的溶劑。不過，也可使用含液體1的液體，例如液體1本身、或溶解(dissolve)有氣體(例如氮氣、臭氧或氧氣等)的液體1，或以液體1為溶劑的溶液等來作為該洗凈液。此外，使用液體1本身來作為洗凈液的情形時，由于也可將液體供應部11用作為洗凈液供應部，因此不一定須設置洗凈液供應部26及供應管27。又，也可將來自洗凈液供應部26的供應管27連接于與液體供應部11連通的供應管12。此情形下，可與液體1的供應流路(例如供應管12等)分開獨立的將洗凈液供應至液浸區(qū)域(液競空間)。于投影光學系統(tǒng)PL終端部的光學元件2附近，配置有作為流路形成構件的嘴構件30。嘴構件30，在基板P(基板載臺PST)上方圍繞光學元件2周圍設置的環(huán)狀構件，透過未圖示的支撐構件被支撐于立柱機構(未圖示)。在投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1位于基板P上的狀態(tài)，嘴構件30具備配置成與該基板P表面對向的第1供應口13與第2供應口14(參照圖3)。又，嘴構件30，于其內部具有供應流路82A，82B(參照圖3)。供應流路82A的一端連接于第1供應口13，于該供應流路82A的中途，透過供應流路82B連接于第2供應口14(參照圖3)，供應流路82A的另一端部則透過供應管12連接于液體供應部ll。再者，嘴構件30，具備配置成與基板P表面對向的矩形框狀回收口24(參照圖3)。圖2是嘴構件30的概略立體圖。如圖2所示，嘴構件30是圍繞投影光學系統(tǒng)PL終端部的光學元件2周圍設置的環(huán)狀構件，舉一例而言，具備第l構件31、與配置在第1構件31上部的第2構件32。第l、第2構件31及32分別為板狀構件，于其中央部具有能配置投影光學系統(tǒng)PL(光學元件2)的貫通孔31A及32A。圖3是圖2的嘴構件30中、下層的第1構件31沿AA線的截面圖，圖3中，形成于其上的第2構件32的供應流路82A,82B以及連接于供應流路82A的供應管12，以2點鏈線表示。又，嘴構件30的第1構件31，具備形成在投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2的+X方向側、將液體1供應至基板P上的第l供應口13，以及形成在光學元件2的一X方向側、將液體l供應至基板P上的第2供應口14。供應口13及14配置成于X方向(基板P的掃描方向)挾著投影區(qū)域AR1。又，供應口13及14分別貫通第1構件31的貫通孔，雖于Y方向是細長的矩形，但也可以是從投影區(qū)域AR1的中心往外側擴張的圓弧狀等。進一步的，于第1構件31，形成有配置成圍繞投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2(投影區(qū)域AR1)的矩形(也可是圓形等)框狀的回收口24、以及用以連通回收口24與回收管22的回收流路84。回收口24，形成于第1構件31底面的槽狀凹部，且相對光學元件2設置在較供應口13，14更外側。供應口13,14與基板P間的間隙、以及回收口24的與基板P間的間隙，雖設置成大致相同，但也可例如將回收口24與基板P間的間隙設成較供應口13,14與基板P間的間隙狹窄。此外，嘴構件30具備多孔構件25，此多孔構件25例如設在第1構件31的液體1的流路或通過口(含供應口13，14與回收口24的至少一方)。本實施方式中，作為多孔構件25，嵌有覆蓋回收口24的網狀過濾器25(形成有多數小孔成網眼狀)，以下，也將多孔構件25稱為網眼狀過濾器。又，多孔構件25并不限于網狀過濾器，也可以例如燒結金屬或陶瓷等具有孔(pore)的材料構成。待充滿液體l的液浸區(qū)域AR2，形成在以回收口24所圍矩形(也可以是圓形等)區(qū)域的內側而包含投影區(qū)域AR1，且在掃描曝光時局部的形成在基板P上的一部分(或包含基板P上的一部分)。嘴構件30，由于以液體1充滿光學元件2與基板P之間，來形成含曝光用光EL的光路空間的局部性液浸空間(相當于液浸區(qū)域AR2)，因此也稱為液浸空間形成構件或containmentmember(confinementmember、限制構4牛)等。圖2的嘴構件30的第1構件31、第2構件32、以及圖3的網狀過濾器25，分別以易與液體l親和的親液性材料、例如不銹鋼(SUS)或鈦等所形成。因此，圖1中，液浸區(qū)域AR2中的液體1，在通過設于嘴構件30的回收口24的網狀過濾器25后，經回收流路84及回收管22圓滑的被回收至液體回收部21。此時，光刻膠殘渣等異物中，大于網狀過濾器25的網眼的異物將會殘留在其表面。圖3中，本例的液體的回收口24雖是矩形或圓形框狀，但也可如2點鏈線所示，使用由2個矩形(或圓弧狀等)回收口29A及29B(于X方向隔著供應口13,14配置)、以及2個矩形(或圓弧狀等)回收口29C及29D(于Y方向隔著光學元件2配置)所構成的回收口，于各回收口29A29D配置網狀過濾器來加以取代。又，回收口29A29D的數量可為任意。此外，也可例如國際公開第2005/122218號小冊子的揭示，使用雙重的回收口29A29D與回收口24來回收液浸區(qū)域AR2的液體1。再者，也可于供應口13，14配置用以防止液浸區(qū)域AR2內的異物進入嘴構件30內部的狀過濾器。相反的，例如在回收管22內附著異物的可能性低時，并不一定須設置網狀過濾器。又，上述實施方式所使用的嘴構件30，并不限于上述構造，也可使用例如歐洲專利申請公開第1420298號說明書、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057589號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559號小冊子(對應美國專利申請公開第2006/0231206號)所記載的流路形成構件等。又，本例中，液體的供應口13，14與回收口24雖設于同一嘴構件30，但供應口13,14與回收口24也可設于不同構件(嘴構件等)。例如，可僅將供應口設于其它構件，或僅將回收口設于其它構件。又，將第2回收口設在回收口24的外側時，可將此第2回收口設于其它構件。此外，圖1中，也可使供應口13及14分別連通于不同的液體供應部，從供應口13及14以能彼此獨立控制控制量的狀態(tài)將液體1供應至液浸區(qū)域AR2。又，供應口13，14也可不與基板P對向配置。再者，本例的嘴構件30的下面雖設定為較投影光學系統(tǒng)PL的下端面更接近像面?zhèn)?基板側)，但也可例如將嘴構件30的下面設定為與投影光學系統(tǒng)PL的下端面(射出面)相同高度(Z位置)。此外，也可將嘴構件30的一部分(下端部)以不致遮蔽曝光用光EL的方式埋入至投影光學系統(tǒng)PL(光學元件2)的下側。如上所述，嘴構件30分別構成液體供應機構10及液體回收機構20的一部分。即，嘴構件30是液浸系統(tǒng)的一部分。又，設于回收管22及供應管27的閥23及28，分別用以開閉回收管22及供應管27的流路，其動作以控制裝置CONT加以控制。在回收管22的流路開放期間，液體回收部21能通過回收口22從液浸區(qū)域AR2吸引回收液體1，在閥28為關閉狀態(tài)下，以閥23封閉回收管22的流路時，即停止透過回收口24吸引回收液體1。之后，打開閥28，即能從洗凈液供應部26注入洗凈液，經供應管27、回收管22及網狀過濾器25而通過嘴構件30的回收口24。又，可將液浸機構的一部分、例如至少將嘴構件30懸吊支撐于保持投影光學系統(tǒng)PL的主框架(例如含前述鏡筒平臺)，或不同于主框架的其它框架構件亦可。或者，如前所述當投影光學系統(tǒng)PL以懸吊方式支撐時，可投影光學系統(tǒng)PL—體懸吊支撐嘴構件30，也可與投影光學系統(tǒng)PL分開獨立的將嘴構件30設于測量框架，若為后者的情形，投影光學系統(tǒng)PL可不以懸吊方式支撐。圖1中，液體供應部11及洗凈液供應部26的液體供應以控制裝置CONT加以控制?？刂蒲b置CONT，能分別獨立控制液體供應部11及洗凈液供應部26對基板P上每單位時間的液體供應量。從液體供應部11送出的液體1，透過供應管12及嘴構件30的供應流路82A，82B，從嘴構件30下面與基板P對向設置的供應口13,14(參照圖3)被供應至基板P上。又，液體回收部21的液體回收動作以控制裝置CONT加以控制?？刂蒲b置CONT，能控制液體回收部21每單位時間的液體回收量。從嘴構件30下面與基板P對向設置的回收口24透過網狀過濾器25回收的基板P上的液體1，經嘴構件30的回收流路84及回收管22被回收至液體回收部21。圖1中，測量載臺MST，具備Y方向細長的長方形、被驅動于X方向(掃描方向)的X載臺部181，例如透過空氣軸承裝載于其上的調平臺188，以及裝載于此調平臺188上作為測量單元的測量臺MTB。作為一例，測量臺MTB透過空氣軸承裝載于調平臺188上，但也可將測量臺MTB與調平臺188—體化。X載臺181部，例如透過空氣軸承裝載于底座54上能于X方向移動自如。圖5是顯示圖1中的基板載臺PST及測量載臺MST的俯視圖，此圖5中，于Y方向(非掃描方向)隔著底座54,與X軸平行的設有X軸固定件186及187(其內面分別于X方向以既定排列配置有復數個永久磁鐵)，于固定件186及187之間分別透過含線圈的移動件182及183，與Y軸方向大致平行的配置有于X方向移動自如的Y軸滑件180。并沿Y軸滑件180配置于Y方向移動自如的基板載臺PST，由基板載臺PST內的移動件、與Y軸滑件180上的固定件(未圖示)構成將基板載臺PST驅動于Y方向的Y軸線性馬達，由移動件182及183及與對應的固定件186及187構成分別將基板載臺PST驅動于X方向的一對X軸線性馬達。這些X軸、Y軸線性馬達等，構成圖1的基板載臺驅動裝置PSTD。又，測量載臺MST的X載臺部181，透過在固定件186及187之間分別包含線圈的移動件184及185配置成能在X方向移動自如，由移動件184及185及與對應的固定件186及187構成分別將測量載臺MST驅動于X方向的一對X軸線性馬達。此X軸線性馬達等，于圖1中顯示為測量載臺驅動裝置TSTD。圖5中，于X載臺部181的一X方向端部，以和Y軸大致平行、于Z方向重迭且依序對向于內面的方式，固定有截面形狀為〕字形的固定件167(配置有用以在Z方向產生相同磁場的復數個永久磁鐵)，以及包含大致沿X軸方向巻繞(排列)的線圈的平板狀固定件171，配置于下方固定件167內、于測量臺MTB的Y方向分離的2處分別固定有包含沿Y軸巻繞(排列)的線圈的移動件166A及166B，于Z方向隔著上方固定件171、于測量臺MTB固定有截面形狀為〕字形的固定件170(配置有在Y方向以既定排列配置的復數個永久磁鐵)。由下方固定件167與移動件166A及166B分別構成將測量臺MTB相對X載臺部181微驅動于X方向及6z方向的X軸音圈馬達168A及168B(參照圖1)，由上方的固定件171與移動件170構成相對X載臺部181將測量臺MTB驅動于Y方向的Y軸線性馬達169。又，于測量臺MTB上的一X方向及+Y方向分別固定有X軸移動鏡(反射面)55CX及Y軸移動鏡(反射面)55CY，以和移動鏡55CZ于一X方向對向的方式配置有X軸激光干涉儀56C。移動鏡55CX，55CY，于圖l中以移動鏡55C加以顯示。激光干涉儀56C是多軸激光干涉儀，以激光干涉儀56C隨時測量測量臺MTB的X方向位置、及0Z方向的旋轉角度等。又，或者，也可取代移動鏡55CX，55CY而使用例如對測量載臺MST的側面等施以鏡面加工所形成反射面。另一方面，圖5中，Y方向位置測量用的激光干涉儀56BY，共享于基板載臺PST及測量載臺MST。g卩，X軸的2個激光干涉儀56BX及56C的光軸，通過投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1的中心(本例中與圖1的光軸AX—致)與X軸平行，Y軸激光干涉儀56BY的光軸則通過其投影區(qū)域的中心(光軸AX)與Y軸平行。因此，通常，為進行掃描曝光，在將基板載臺PST移動至投影光學系統(tǒng)PL的下方時，激光干涉儀56BY的激光束照射于基板載臺PST的移動鏡55BY，以激光干涉儀56BY測量基板載臺PST(基板P)的Y方向位置。此外，例如為測量投影光學系統(tǒng)PL的成像特性等，在將測量載臺MST的測量臺MTB移動至投影光學系統(tǒng)PL的下方時，激光干涉儀56BY的激光束照射于測量臺MTB的移動鏡55CY，以激光干涉儀56BY測量測量臺MTB的Y方向位置。如此，即能恒以投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域的中心為基準，以高精度測量基板載臺PST及測量臺MTB的位置，而能減少高精度且昂貴的激光干涉儀的數量，降低制造成本。此外，沿基板載臺PST用的Y軸線性馬達及測量臺MTB用的Y軸線性馬達169，分別配置有學方式等的線線編碼器(未圖標)，在激光干儀56BY的激光束未照射移動鏡55BY或55CY的期間，基板載臺PST或測量臺MTB的Y方向位置則分別以上述線性編碼器加以測量?；氐綀D1，測量臺MTB的2維方向位置及旋轉角，以激光干涉儀56C及圖5的激光干涉儀56BY(或線性編碼器)加以測量，測量結果被送至控制裝置CONT。控制裝置CONT根據該測量結果驅動測量載臺驅動裝置TSTD、線性馬達169、以及音圈馬達168A，168B，據以進行測量載臺MST中測量臺MTB的移動或定位。又，調平臺188，具備能分別以例如氣缸或音圈馬達方式控制Z方向位置的3個Z軸致動器，通常，以調平臺188控制測量臺MTB的Z方向位置、9X方向、9Y方向的角度，以使測量臺MTB的上面與投影光學系統(tǒng)PL的像面對焦。因此，于嘴構件30附近，設有用以測量投影區(qū)域AR1內及其附近的基板P上面等被檢測面的位置的自動聚焦傳感器(未圖示)，根據此自動聚焦傳感器的測量值，由控制裝置CONT控制調平臺188的動作。再者，雖未圖示，也設有用以維持調平臺188相對X載臺部181的X方向、Y方向、ez方向的位置的致動器。又，自動聚焦傳感器通過以其復數個測量點分別測量被檢測面的Z方向位置信息，而檢測9X方向、9Y方向的傾斜信息(旋轉角)，但也可將該復數個測量點的至少一部分設定在液浸區(qū)域AR2(或投影區(qū)域AR1)內，或者，可將全部設定在液浸區(qū)域AR2的外側。再者，例如能以激光干涉儀56B,56C測量被檢測面的Z軸、0X及6Y方向的位置信息時，可不設置能在基板P的曝光動作中測量其Z軸方向的位置信息的自動聚焦傳感器，可作成至少在曝光動作中使用激光干涉儀55B，55C的測量結果來進行被檢測面于Z軸、ex及0Y方向的位置控制。本例的測量臺MTB，具備為進行關于曝光的各種測量的測量器類(測量用構件)。即，測量臺MTB具備固定線線馬達169的移動件等及移動鏡55C的測量臺本體159，以及固定在此上面、例如由石英玻璃等低膨脹率的光透射性材料所構成的板件IOI。此板件101的全表面形成有鉻膜，隨處設有測量器用的區(qū)域、以及特開平5—21314號公報(對應美國專利第5，243，195號)等所揭示的形成有復數個基準標記的基準標記區(qū)域FM。如圖5所示，于板件101上的基準標記區(qū)域FM，形成有圖1的光掩膜用對準傳感器AS用的一對基準標記FM1,FM2、以及基板用對準傳感器ALG用的基準標記FM3。將這些基準標記的位置，以對應的對準傳感器分別加以測量，即能測量出投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1的投影位置與對準傳感器ALG的檢測位置間的間隔(位置關系)的基準線(baseline)量。于此基準線量的測量時，于板件101上也形成液浸區(qū)域AR2。又，對準傳感器MA、ALG可分別為影像處理方式，或以檢測因同調光束的照射而從該標記產生的繞射光的方式等。于板件101上的測量器用區(qū)域，形成有各奘測量器用開口圖案。作為此測量用開口圖案，例如有空間像測量用開口圖案(例如狹縫狀開口圖案)、照明不均測量用針孔開口圖案、照度測量用開口圖案、以及液面像差測量用開口圖案等，于這些開口圖案底面?zhèn)鹊臏y量臺本體159內，配置有以對應測量器用光學系統(tǒng)及光電傳感器構成的測量器。該測量器的一例，例如特開昭57—117238號公報(對應美國專利第4,465，368號說明書)等所揭示的照度不均傳感器，例如特開2002—14005號公報(對應美國專利申請公開第2002/0041377號說明書)等所揭示的用以測量以投影光學系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影像)的光強度的空間像測量裝置61，例如特開平11一16816號公報(對應美國專利申請公開第2002/0061469號說明書)等所揭示的照度監(jiān)視器，以及例如國際公開第99/60361號小冊子(對應歐洲專利第1，079，223號說明書)等所揭示的波面像差測量器。又，本例中，進行透過投影光學系統(tǒng)PL與液體1以曝光用光EL使基板P曝光的液浸曝光，與此對應的，使曝光用光EL的測量所使用的上述照度不均傳感器、照度監(jiān)視器、空間像測量器、波面像差測量器等，則透過投影光學系統(tǒng)PL及液體1來接收曝光用光EL。因此，于板件101表面涂有撥液涂層。圖4是顯示安裝于測量載臺MST的洗凈液噴出機構，于此測量臺MTB的截面的圖4中，于測量臺本體159上面的2處形成有凹部60A及60B，于第1凹部60A上部的板件101形成有開口101a，于第2凹部60B上部的板件IOI的區(qū)域101b未形成遮光膜及剝液涂層。因此，于區(qū)域101b照明光能通過板件101。于第1凹部60A的中央部，固定有用以將從底部供應的洗凈液從噴射口90a以高速噴設向上方的噴射嘴部90，噴射嘴部90底部的液體流入口，透過測量臺本體159內的供應流路86、及外部的具可撓性管線63A連接于洗凈液的噴出裝置62。g卩，本實施方式中洗凈機構具備圖4所示的噴出機構，通過洗凈液的噴出來洗凈與液體1接觸的液體接觸部。作為洗凈液的噴出方式，本例中以高壓噴射該洗凈液來進行高壓洗凈。又，雖可至少洗凈于液浸曝光時與液體1接觸的液體接觸部全體，但本實施方式中僅洗凈液體接觸部的一部分、例如僅洗凈嘴構件30下面的一部分。該洗凈液噴出的其它方式，也可以是將該洗凈液噴出成霧狀。又，可具備復數個噴射嘴部90并將這些排列成例如一行。進一步的，可將來自噴射嘴部卯的噴射口卯a的洗凈液噴出方向，設定為對板件101上面的垂直方向以外的斜方向等。即，洗凈液對板件101上面的噴出角度不限于90度，可通過例如致動器的噴射嘴部卯的驅動，來變化洗凈液的噴出角度。又，也可在既定角落范圍內使噴出口90a的洗凈液擴散噴出。進一步的，可根據與液體接觸部相關的信息，例如洗凈部位及/或污染程度改變噴出機構的液體接觸部洗凈條件，例如改變從噴射嘴部90噴射的洗凈液種類(也包含前述混合比率、氣體溶解濃度等)、壓力、噴出圖案、或溫度等。此情形，改變的洗凈條件不限于1個，可以是復數個。又，洗凈條件并不限于洗凈液特性與噴出條件的至少其中一方，洗凈機構也不一定須具備噴出機構。噴出裝置62，由洗凈液的蓄積部62a、將從此蓄積部62a供應的洗凈液控制于既定溫度(例如高溫)的溫度控制部62b、以及將經溫度控制的洗凈液以高莊送出至管線63A側的加壓部62c所構成，蓄積部62a、溫度控制部62b及加壓部62c的動作以含計算機的控制部61加以控制。在例如被洗凈部的污染較多時，可加高洗凈液的溫度。又，于管線63A的途中透過具可撓性的管線63B，連接有將氣體及洗凈液混合后加以噴出的混合噴出裝置66?；旌蠂姵鲅b置66，例如由經導管66c及內部除塵濾器吸引無塵室內的空氣的氣體吸引部66a、與混合加壓部66b構成。混合加壓部66b，將由氣體吸引部66a供應的氣體、與從噴出裝置62的溫度控制部62經管線63D供應的經溫度控制后的洗凈液加以混合后，以既定壓力送出至管線63B側。氣體吸引部66a及混合加壓部66b的動作以控制部61加以控制。再者，于管線63A及63B分別安裝有閥64A及閥64B，控制部61在使用噴出裝置62時關閉閥64B而打開閥64A，而在使用混合噴出裝置66時則關閉閥64A而打開閥64B。又，考慮因測量載臺MST的移動使管線63A及63B頻繁的彎曲而有招致內部的液體漏出之虞，閥64A,64B以盡可能的設在接近測量臺MTB的位置較佳。又，凹部60A的底面，透過測量臺本體159內的回收流路87、及外部具可撓性的管線63C連接于液體的回收裝置65，于管線63C還安裝有開關用的閥64C?；厥昭b置65包含吸引用泵、除塵用過濾器部、以及回收后液體的蓄積部，其動作及閥64C的開關以控制部61加以控制。本例中，以回收裝置65回收進到凹部60A內的洗凈液等(含形成液浸區(qū)域AR2的液體)。又，也可以使用圖1的液體回收部21經嘴構件來吸引回收進入凹部60A內的洗凈液等。此場合，可省略包含回收裝置65、管線63C及回收流路87測量載臺MST側的洗凈液等的回收機構。再者，于圖4的測量臺本體159上的第2凹部60B內，配置有包含物鏡67a、CCD等的2維攝影元件67b、以及具有照明被檢測面DP的未圖標照明系統(tǒng)的觀察裝置67。攝影元件67b的攝影信號透過控制部61供應至圖1的控制裝置CONT的影像處理處系統(tǒng)，此影像處理系統(tǒng)根據該攝影信號(被檢測面DP的影像)，進行噴射嘴部90的洗凈對象構漸的位置確認、以及污染程度的確認等。又，本例中，由于圖5中基準標記FM1FM3與凹部60A間的位置關系為已知，且還能通過對準傳感器ALG檢測基準標記FM1FM3來測量與圖1的嘴構件30間的位置關系，因此能從此結果高精度地求出圖4的噴射嘴部90與圖1的嘴構件30(洗凈對象)間的位置關系。因此，觀察裝置67的設置并非絕對需要。此外，在將測量載臺MST設置于觀察裝置67的情形時，可將觀察裝置67的一部分、例如將前述照明系統(tǒng)配置在測量載臺MST的外部。從圖4的噴出裝置62噴出的洗凈液，與從圖1的洗凈液供應部26供應的洗凈液同樣的，可使用例如水與稀釋劑的混合液、Y—丁內酯或IPA等溶劑，或者包含前述液體1的液體等。本實施方式中，從噴出裝置62噴出的洗凈液與從洗凈液供應部26供應的洗凈液為同一種類。以控制部61進行的噴出裝置62、混合噴出裝置66及回收裝置65的動作控制，閥64A64C的開關動作，以及測量載臺MST對應這些動作的動作，以圖1的控制裝置CONT統(tǒng)籌控制。又，也可將噴出裝置62的洗凈液蓄積部62a作成可裝卸的匣式容器，將以回收裝置65(或圖1的液體回收部21)回收的液體經除塵濾器后送回該匣式容器，將此回收的液體再使用為洗凈液。再者，可使噴出裝置62與洗凈液供應部26的洗凈液種類不同。例如，使洗凈液供應部26供應IPA等溶劑，而噴出裝置62則供應洗凈液1。此外，洗凈機構的一部分，可使用例如曝光裝置EX的設置工廠等的設備代用。又，洗凈機構并不限于上述構成，例如也可不設置蓄積部62a。圖1中，于基板P上設定有復數個照射區(qū)域，本例的控制裝置CONT一邊監(jiān)測激光干涉儀56B的輸出一邊移動基板載臺PST，以相對投影光學系統(tǒng)PL的光軸AX(投影區(qū)域AR1)使基板P沿既定路徑前進，并以步進掃描(step&scan)方式依序使復數個照射區(qū)域曝光。B卩，以曝光裝置EX進行的掃描曝光時，于投影光學系統(tǒng)PL的矩形投影區(qū)域AR1投影光掩膜M的部分圖案像，光掩膜M相對投影光學系統(tǒng)PL以速度V移動于X方向，與此同步的，基板P透過基板載臺PST以速度P'V(P為投影倍率)移動于X方向。在對基板P上的一個照射區(qū)域的曝光結束后，通過基板P的步進移動，移動至次一照射區(qū)域的掃描開始位置，然后，如圖5所示，以步進掃描方式一邊移動基板P、一邊依序進行對各照射區(qū)域的掃描曝光處理?；錚的曝光處理中，圖1的控制裝置CONT驅動液體供應機構10，進行對基板P上的液體供應動作。從液體供應機構10的液體供應部11送出的液體1在流通過供應管12后，經形成在嘴構件30內部的供應流路82A,82B供應至基板P上。供應至基板P上的液體1，配合基板P的動作流過投影光學系統(tǒng)PL之下。例如，在一照射區(qū)域的曝光中基板P移動于+X方向時，液體l即與基板P往相同的+X方向、與基板P大致相同速度，流過投影光學系統(tǒng)PL之下。于此狀態(tài)下，從照明光學系統(tǒng)IL射出、通過光掩膜M的曝光用光EL照射至投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，據此，光掩膜M的圖案即透過投影光學系統(tǒng)PL及液浸區(qū)域AR2的液體1曝光至基板P。控制裝置CONT，在曝光用光EL照射于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在基板P的曝光動作中，進行以液體供應機構10對基板P上的液體1的供應。在曝光動作中持續(xù)以液體供應機構10供應液體1而良好的形成液浸區(qū)域AR2。另一方面，控制裝置CONT，在曝光用光EL照射于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r，即在基板P的曝光動作中，進行以液體回收機構20對基板P上的液體1的回收。在曝光動作中(曝光用光EL照射于投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)葧r)，持續(xù)進行液體回收機構20對基板P上的液體1的回收，能抑制液浸區(qū)域AR2的擴大。本例中，于曝光動作中，液體供應機構10以供應口13,14同時進行從投影區(qū)域AR1的兩側對基板P上的液體1的供應。據此，從供應口13,14供應至基板P上的液體1，能良好的擴散至投影光學系統(tǒng)PL終端部的光學元件2的下端面與基板P之間、以及嘴構件30(第1構件31)下面與基板P之間，形成至少較投影區(qū)域AR1大范圍的液浸區(qū)域AR2。又，假設供應口13及14連接于其它液體供應部的情形時，可就掃描方向，將從投影區(qū)域AR1前方供應的每單位時間的液體供應量，設定為多于從其相反側供應的液體供又，可不在曝光動作中進行液體回收機構20的液體1的回收動作，而在曝光結束后，開放回收管22的流路來回收基板P上的液體1。舉一例而言，可僅在基板P上的某一照射區(qū)域的曝光結束后、至次一照射區(qū)域的曝光開始前的部分期間(基板P的步進移動期間的至少一部分)，以液體回收機構20進行基板P上液體1的回收。控制裝置CONT，于基板P的曝光中，持續(xù)以液體供應機構IO進行液體1的供應。持續(xù)進行液體1的供應，不僅能以液體1良好的將投影光學系統(tǒng)PL與基板P之間予以充滿，能防止產生液體1的振動(所謂的水錘現象)。以此方式，即能對基板P的所有照射區(qū)域以液浸法進行曝光。又，例如在基板P的更換中，控制裝置CONT，使測量載臺MST移動至與投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2對向的位置，于測量載臺MST上形成液浸區(qū)域AR2。此時，在使基板載臺PST與測量載臺MST接近的狀態(tài)下移動，通過與一載臺的更換將另一載臺與光學元件2對向配置，來在基板載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2。控制裝置CONT，在測量載臺MST上形成有液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，使用裝載于測量載臺MST的至少一個測量器(測量構件)，進行與曝光相關的測量(例如基準線測量)。關于在基板載臺PST與測量載臺MST之間移動液浸區(qū)域AR2的動作，以及基板P更換中的測量載臺MST的測量動作的詳細情形，己揭示于國際公開2005/074014號小冊子(對應歐洲專利申請公開第1713113號說明書)、以及國際公開第2006/013806號小冊子等。此外，具備基板載臺與測量載臺的曝光裝置，例如已揭示于日本特開平11一135400號公報(對應國際公開第1999/23692號小冊子)、特開2000—164504號公報(對影美國專利第6，897，963號)。在指定國及選定國的國內法許可范圍內，援用美國專利第6,897,963號等的揭示作為本說明書的一部分。如上述的曝光步驟中，當圖1的基板P與液浸區(qū)域AR2的液體1接觸時，會有基板P的部分成分溶析至液體1中的情形。例如，作為基板P上的感旋光性材料而使用化學增幅型光刻膠的情形時，該化學增幅型光刻膠，包含基底樹脂、基底樹脂中所含的光酸產生劑(PAG:PhotoAcidGenerator)以及被稱為"Quencher"的胺系物質。當此種光刻膠接觸液體1時，光刻膠的部分成分，具體而言，其中的PAG及胺系物質等會有溶析至液體1中的情形。又，在基板P的基材本身(例如硅基板)與液體1接觸時，也會因構成該基材的不同，而有該基材的部分成分(硅等)溶析至液體l中的可能性。如前所述，接觸基板P后的液體l,有可能包含由產生于基板P的雜質及光刻膠殘渣等所構成的微粒等的微小異物。又，液體1也有可能包含大氣中的塵埃及雜質等的微小異物。因此，以液體回收機構20回收的液體1，有可能包含各種雜質等的異物。因此，液體回收部21將回收的液體1排出至外部。又，也可將回收后液體l的至少一部分以內部處理裝置加以凈化后，將該凈化后的液體1送回至液體供應機構10。又，混入液浸區(qū)域AR2的液體1中的上述微粒等的異物中，較設于圖1中的嘴構件30的回收口24的網狀過濾器25的網眼大的異物等，有可能附著而殘留在包含網狀過濾器25表面(外面)等的上述液體接觸部。這些殘留的異物，有可能在基板P的曝光時，再次混入液浸區(qū)域AR2的液體1。當混入液體1的異物附著于基板P上時，有可能導致將形成于基板P的圖案產生形狀不良等的缺陷。因此，本例的曝光裝置EX，在例如液體供應機構10及液體回收機構20的定期或操作員等的要求而進行維修時，根據圖9(A)的程序以下述方式進行殘留在嘴構件30的異物的洗凈。又，也可隨時監(jiān)測以液回收機構21所回收的液體中微粒的程度，在該微粒程度超過既定容許范圍時實施包含以下洗凈步驟的維修。例如，在回收管22途中透過分歧管設置測量異物(微粒)的微粒計數器，來監(jiān)測回收液體中的微粒數。微粒計數器，例如從回收的液體以既定取樣率抽出既定容量的液體，對抽出的液體照射激光束，對散射光的影像進行影像處理來測量該液體中的微粒數。此外，也可在基板載臺PST上的基板P的更換中隨時進行以下的洗凈動作。再者，可例如預先使用圖4的觀察裝置67檢測嘴構件30的污染較多的部分，于該洗凈動作時，僅洗凈該污染較多的部分。此洗凈步驟中，在停止曝光用光EL照射的狀態(tài)下，于圖9(A)的步驟301，如圖6所示，將測量載臺MST的測量臺MTB緊貼(或接近)于基板載臺PST上的基板保持具PH。其次，使基板載臺MST與測量臺MTB(測量載臺MST)同時往+X方向移動，將測量臺MTB上的池部60移動至投影光學系統(tǒng)PL正下方。之后，可使基板載臺進一步往+X方向退避。其結果，如圖7(A)所示，將測量臺MTB上的凹部60A內的噴射嘴部90以圍著投影光學系統(tǒng)PL前端的光學元件2的方式，移動至通過支撐構件33A及33B(涂有撥液膜)以未圖示的立柱機構所支撐的嘴構件30的回收口24(網狀過濾器25)底面。在此狀態(tài)下，以和使用液浸法的曝光時同樣的(但不照射曝光用光EL),于步驟302中，從圖1的液體供應機構10通過嘴構件30的供應口13,14，將液體1供應至的光學元件2及圍繞此的嘴構件30底面與測量臺MTB上面之間，如圖7(B)所示，形成液浸區(qū)域AR2(液浸步驟)。此時，為避免液浸區(qū)域AR2擴張至嘴構件30的外側，關閉圖1的閥28而打開閥23，以液體回收機構20回收液浸區(qū)域AR2內的液體1。又，由于液體1也會流入凹部60A內，因此，可視需要打幵圖4的閥64C，經回收流路87及圖4的管線63C以回收裝置65回收凹部60A內的液體1。如以上所述，預先形成液浸區(qū)域AR2，即能容易的剝離附著于嘴構件30的異物。此外，也能抑制從噴出裝置62噴射而出撞擊于嘴構件30的洗凈液的飛散等。于此狀態(tài)下，停止以圖1的液體回收機構20從進行液浸區(qū)域AR2回收液體1，并停止從液體供應機構101對液浸區(qū)域AR2供應液體1。使洗凈液1A從池部60溢流，以使洗凈液1A通過嘴構件30的回收口24的網狀過濾器25浸透至嘴構件30內部。但可通過測量臺MTB上面的撥液性及液體1的表面張力，而在光學元件2及嘴構件30底面與測量臺MTB之間維持液浸區(qū)域AR2。其次，設使用圖4的噴出裝置62，于步驟303，通過控制部61的控制，關閉閥64B而打開閥64A，從噴出裝置62經管線63A、供應流路86及噴射嘴部90，如圖7(C)所示，朝嘴構件30的回收口24內的網狀過濾器25噴射洗凈液1B。與此同時，將流入凹部60A內的洗凈液1B，經回收流路87及圖4的管線63C以回收裝置65加以回收。如此，一邊進行從噴射嘴部90噴射洗凈液1B及回收凹部60A內的洗凈液1B—邊將圖4的測量載臺MST驅動于X方向、Y方向，如圖7(C)所示，使噴射嘴部90沿嘴構件30的矩形框狀回收口24及供應口13，14相對移動。據此，將洗凈液1B噴向網狀過濾器25及供應口13，14的全面(洗凈步驟)。又，如圖7(D)所示，在測量臺MTB上面脫離嘴構件30底面的一部分的情形時，也可以使用圖1的液體回收機20回收液浸區(qū)域AR2內的液體1。其結果，附著在嘴構件30的網狀過濾器25(回收口24)及供應口13，14內的異物的大部分，即混入或溶至洗凈液1B內。且這些異物與洗凈液1B一起被回收至圖4的回收裝置65。此外，也可視需要重復復數次從圖7(A)至圖7(D)的洗凈動作。又，也可至少部分的平行實施圖7(B)的對液浸區(qū)域AR2的液體1的供應及回收動作(步驟302)、與圖7(C)的從噴射嘴部90的洗凈液1B的噴射動作(步驟303)。再者，也可取代以回收裝置65進行的洗凈液1B的回收，或與此并行的進行液體回收機構20的洗凈液1B的回收。又，也可于洗凈動作中，持續(xù)進行對液浸區(qū)域AR2的液體1的供應及回收動作。本例的洗凈動作的作用及優(yōu)點，整理如下。(Al)如圖7(C)所示，由于洗凈液1B供應至嘴構件30的回收口24及供應口13,14，因此在以液浸法進行曝光時，能將蓄積在嘴構件30內、或堆積在其表面的至少部分異物與洗凈液1B—起加以去除。此時，由于預先或部分地并行形成液浸區(qū)域AR2，因此能容易的剝離并除去附著于嘴構件30的異物。此外，能防止因洗凈液的飛散等造成的曝光裝置的污染。因此，能有效率的進行液體供應機構10及液體回收機構20的維修(進而曝光裝置的維修)或進行嘴構件30的洗凈。其結果，于其后的曝光步驟中，由于基板P上的液浸區(qū)域AR2的液體中異物量減少，因此能降低被轉印的圖案形狀誤差等，高精度的進行曝光。此外，例如圖1中液體的供應口13，14與回收口24設置在不同嘴構件的情形時，可于洗凈步驟中，僅進行其中一方嘴構件的洗凈。此外，于曝光裝置EX中，可對以液浸法進行曝光時包含可能接觸液體1的部分(液體接觸部)的至少一部分的被洗凈部，從噴射嘴部90噴射洗凈液。據此，也能減少其后的曝光時液體中的異物量。此被洗凈部，并不限于除網狀過濾器25(回收口24)及供應口13,14以外的嘴構件30的其它液體接觸部，也可以是與嘴構件30不同的構件、例如光學元件2等的液體接觸部。(A2)又，由于本例中從噴射嘴90噴射洗凈液1B，因此能有效率的除去附著在嘴構件30的異物。又，不使用噴射嘴部90，而從單純的噴出口朝被洗凈部噴出洗凈液1B亦可。此外，為提高例如洗凈液1B的洗凈效果，在從嘴構件30噴出洗凈液1B時，使測量臺MTB于X方向、Y方向及Z方向的至少一方向振動。前述洗凈條件，也可包含測量臺MTB的有無振動、及/或振動條件。(A3)又，本例中雖是從噴射嘴部90噴射從圖4的噴出裝置62供應的洗凈液，但也可將從圖4的噴出裝置62供應的洗凈液與氣體的混合物從噴射嘴部90噴射。此時，能通過該氣泡(空泡，cavitationbubble)提高洗凈效果。此外，也可將氮氣等氣體溶至洗凈液中。(A4)又，本例的嘴構件30配置成圍繞最接近投影光學系統(tǒng)PL像面的光學構件2，且于嘴構件30的回收口24設有網狀過濾器25，上述洗凈步驟中將洗凈液1B噴射于網狀過濾器25等。此時，可對光學元件2的下面也噴射洗凈液1B。據此，也能除去附著于光學元件2的異物。(A5)又，由于上述洗凈動作包含回收從噴射嘴部90噴射的洗凈液1B的動作(回收步驟)，因此能將混有異物的洗凈液IB排至外部。本例中，雖是將洗凈液IB的回收機構(含圖4的回收裝置65的機構)設在測量載臺MST側，但也可將該洗凈液的吸引口設在例如嘴構件30的附近。此情形下，能以圖1的液體回收裝置21兼作為從該吸引口吸引洗凈液的裝置，據此，能簡化測量載臺MST(可動體)的構成。(A6)又，上述實施方式中，由于液浸曝光用的液體1與洗凈液1B為不同種類，因此能使用溶劑等洗凈效果高的液體來作為洗凈液1B。此外，也可使用液體1來作為洗凈液1B，此時，能以圖1的液體供應部11兼作為圖1的洗凈液供應部26及圖4的噴出裝置62的蓄積部62a，能簡化液體及洗凈液的供應機構的構成。其次，參照圖8說明本發(fā)明的其它實施方式例。本例的曝光裝置基本上與圖1的曝光裝置EX為相同構成，但本例的曝光裝置，為洗凈嘴構件30設于圖1的測量載臺MST側的洗凈機構不同。以下，圖8中，與圖4及圖7(A)對應的部分賦予相同符號并省略詳細說明。圖8(A)顯示本例的測量載臺(參照圖1)的測量臺MTB及圍繞投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2設置的嘴構件30的截面圖，此圖8(A)中，以液浸法進行曝光時，透過嘴構件30從圖1的液體供應機構10供應液體1并以液體回收機構20回收該液體1，據而以包含投影光學系統(tǒng)PL的光學元件2及嘴構件30的底面與和此對向的基板(未圖示)表面間的空間的方式，形成液浸空間AR2。圖8(A)中，從測量臺本體MTB上面的X方向(掃描方向)中央部至測量臺本體的一X方向側面形成有回收流路87A，于回收流路87A中途設有防止液體流向上方(+Z方向)逆止閥89。又，在與測量臺MTB上面的回收流路87A連通的開口附近形成有凹部60A,于凹部60A的中央部固定噴射嘴部90，凹部60A的底部通過回收流路87B連接于較回收流路87A的逆止閥89上部之處。又，凹部60A內的噴射嘴部90底部的液體流入口，經由測量臺MTB內的供應流路86、及外部的供應管63E連通于用以蓄積液體的圓筒部91。此外，回收流路87A從測量臺MTB的側面經由安裝有除塵濾器88的回收管63F連通于圓筒部91。于圓筒部91安裝以通過未圖標的驅動部進行抽送的活塞部92，通過活塞部92的抽吸能經由回收管63F將液浸區(qū)域AR2的液體1蓄積至圓筒部91內，通過活塞部92的壓送能將圓筒部91內的液體1經由供應管63E從噴射嘴部90向上方噴射(噴出)。因此，液體1的蓄積機構包含回收流路87A、逆止閥89、回收管63F、圓筒部91、活塞部92、及此驅動部(未圖標)而構成，而液體l的噴出機構則包含噴射嘴部90、供應流路86、供應管63E、圓筒部91、活塞部92、及此驅動部(未圖標)而構成。本例的洗凈機構包含該蓄積機構及噴出裝置而構成。又，本例中，包含該回收管63F、圓筒部91、活塞部92的液體1的蓄積機構，與回收流路87B—起也用作為從噴射嘴部90噴射、流入凹部60A內的液體的回收機構。此外，本例中，也可在例如供應管63E與圓筒部91之間設置控制液體1的溫度的溫度控制部，以控制從噴射嘴部90噴射的液體溫度。再者，也可在例如供應管63E與圓筒部91之間設置于液體1中混入(或溶入)空氣等氣體的混合部，以在從噴射嘴部90噴射的液體中混入氣體(氣泡)。進一步的，也可從噴射嘴部90噴射于液體1混入了例如稀釋劑、或IPA等溶劑的洗凈液。又，本例的洗凈機構并不限于上述構成。其次，參照圖8(A)及8(B)，說明在進行例如圖1的液體供應機構IO及液體回收機構20的維修時，使用本例的洗凈機構進行圖1的嘴構件30的洗凈時的一動作例。首先，如圖8(A)所示，在停止曝光用光EL的照射的狀態(tài)下驅動測量載臺MST，將測量臺MTB的回收流路87A的開口移動至投影光學系統(tǒng)PL底面(移動步驟)。在此狀態(tài)下，圓筒部91的活塞部92被壓至極限，圓筒部91內無液體1的蓄積。接著，以和使用液浸法的曝光時同樣的(但不照射曝光用光EL)，從圖1的液體供應機構10通過嘴構件30的供應口13，14，將液體1供應至的光學元件2及圍繞此的嘴構件30底面與測量臺MTB上面之間，形成液浸區(qū)域AR2(液浸步驟)。然后，將圓筒部91的活塞部92逐漸抽至極限，將液浸區(qū)域AR2內的液體1經由回收流路87A及回收管63F蓄積至圓筒部91內(蓄積步驟)。此時，從圖1的液體供應機構10,供應圓筒部91的容量以上的液體l。其次，如圖8(B)所示，逐漸推壓圓筒部91的活塞部92，將蓄積在圓筒部91內的液體1經供應管63E、供應流路86、及噴射嘴部90朝嘴構件30的回收口24內的網狀過濾器25噴射。然后，一邊進行此噴射嘴部90的液體1的噴射，一邊將圖4的測量載臺MST驅動于X方向、Y方向，如圖8(B)所示，據以使噴射嘴部90沿嘴構件30的矩形框狀的回收口24及供應口13,14相對移動。如此，將液體1噴射于網狀過濾器25及供應口13，14的大致全面(洗凈步驟)。此場合，由于設有逆止閥89，因此液體l不致逆流至回收流路87A內。當進行至中途圓筒部91內的液體1變少時，如圖8(A)所示，可從圖1的液體供應機構10透過嘴構件30將液體1供應至液浸區(qū)域AR2，抽拉活塞部92將液體1補充至圓筒部91內。此時，流入凹部60A內的液體也被回收。之后，通過活塞部92的壓送，能再從噴射嘴部90噴射液體1。其結果，附著在嘴構件30的網狀過濾器25(回收口24)及供應口13,14內的異物的大部分，即混入或溶至液體1內。且能將這些異物與液體1一起回收至圖8(A)的圓筒部91內。又，可通過定期更換除塵濾器88、或于圓筒部91設置排水用閥，視需要將圓筒部91內的液體排出至外部，據以防止異物混入從噴射嘴部90噴射的液體中。本例的洗凈動作的作用等整理如下。(A7)用以洗凈嘴構件30的洗凈液，是使用從圖1的液體供應機構10透過嘴構件30供應至液浸區(qū)域AR2的液體1。因此能簡化洗凈液的供應機構。又，由于與預先將液體l供應至液體接觸部的狀況相當，因此能有效率的除去附著在嘴構件30內的異物。因此，能有效率的進行液體供應機構10及液體回收機構20的維修(進而曝光裝置的維修)或嘴構件30的洗凈。又，本例的曝光裝置EX，也可對包含液體接觸部的至少一部分的被洗凈部，從噴射嘴部90噴射洗凈液。據此，也能減少其后的曝光時液體中的異物量。此被洗凈部，并不限于除網狀過濾器25(回收口24)及供應口13,14以外的嘴構件30的其它液體接觸部，也可以是與嘴構件30不同的構件、例如光學元件2等的液體接觸部。(A8)如圖8(A)所示，由于本例中是從噴射嘴90噴射液體1，因此能獲得高^凈效果。又，不使用噴射嘴部90，而使用單純的噴出液體1的構件亦可。(A9)如圖8(A)所示，由于本例在回收流路87A中設有逆止閥89，因此可將圓筒部91及活塞部92兼作為液體1蓄積機構及噴出裝置。又，也可取代逆止閥89，設法例如用以關閉回收管63F的閥。此外，也可將圓筒部91及活塞部92就蓄積機構及噴出裝置個別設置。此情形下，例如將該2個圓筒部透過逆止閥加以連結，即能至少部分的平行實施上述液體1的蓄積步驟與使用液體1的洗凈步驟。又，也可將液體1的噴出機構設置在測量載臺MST上。此場合，舉一例而言，可于圖8(A)中，在測量臺MTB上裝載噴出液體1的小型泵，連續(xù)的反復進行從圖1的液體供應機構10經圖8(A)的供應口13,14供應液體1，將供應的液體1以該小型泵噴出至嘴構件30的底面等(液體接觸部的至少一部分)的動作。此外，也可使在測量臺MTB上噴出的液體1循環(huán)再加以噴出。此種在測量臺MTB上設置小型泵的構成，可將載臺機構全體小型化。又，上述實施方式中，雖移動測量載臺MST來相對移動噴射洗凈液1B或液體1的噴射嘴部90與嘴構件30，但也可將嘴構件30作成可動，在靜止的測量載臺MST(或基板載臺PST)上相對移動噴射嘴部90與嘴構件30。此場合，也可移動嘴構件30與測量載臺MST的雙方。再者，也可取代嘴構件30與測量載臺MST的相對移動、或與此組合使液浸區(qū)域AR2的液體振動，以提高洗凈效果。使液體振動的構件，可使用例如壓電陶瓷(鈦酸鋇系或鋯鈦酸鉛系(所謂的PZT)等)或肥粒鐵振動器(磁致伸縮振動器)等的超音波振動器。此場合，可至少部分的平行實施液浸區(qū)域AR2的液體的振動與洗凈液1B或液體1的噴出，也可在洗凈液1B或液體1的噴出前先使液浸區(qū)域AR2的投影光學系統(tǒng)PL振動。又，上述實施方式雖是在洗凈動作時以液體1形成液浸區(qū)域AR2，但也可使用與液浸曝光用液體不同的液體、例如從洗凈液供應部26或前述洗凈機構供應的洗凈液來形成液浸區(qū)域AR2。此場合，可噴出與液浸區(qū)域AR2的洗凈液同一種類的洗凈液，也可噴出不同種類的洗凈液或液浸曝光用液體。此外，上述實施方式雖是在洗凈動作時形成液浸區(qū)域AR2，但也可不形成此液浸區(qū)域AR2而進行液體接觸部的洗凈。此場合，可配置抑制或防止撞擊液體接觸部的液體飛散的構件、或形成圍繞液體接觸部的洗凈對象區(qū)域的氣體障壁(gasbarrier)。此外，上述實施方式中雖然洗凈機構是采用液體噴出方式，但若洗凈機構是變更洗凈條件時，可采用與液體噴出方式不同的洗凈方式的洗凈機構。再者，上述實施方式雖是以與液浸曝光用液體1接觸的液體接觸部為洗凈對象，但若有需要，也可將不與液體1接觸的部分作為洗凈對象。又，上述實施方式中，可將設于嘴構件30的回收口24的網狀過濾器25作成可更換。此外，設于回收口24等的多孔構件若為網狀過濾器25(網眼狀過濾構件)時，能有效率的除去異物，且容易的洗凈附著的異物。然而，設于回收口24等的多孔構件并不限定于網狀過濾器25。B卩，可取代網狀過濾器25，而使用由海棉等構成的多孔構件、或具備可更換的匣式過濾器(陶瓷過濾器等)的多孔構件等。又，多孔構件的設置位置并不限于回收口24等。又，將嘴件30內的網狀過濾器25(其它多孔構件的情形亦同)作成可更換的情形時，在將附著了異物的網狀過濾器25更換為未使用(或經洗凈)的網狀過濾器時，最好是能先以例如圖1的控制裝置CONT驅動液體回收機構20，將包含圖3的嘴構件30內的供應流路82A,82B及回收流路84的液體1的流路中的液體1全部排出。如此，即能防止網狀過濾器25的更換時，從網狀過濾器25溶析至晶片W液體1中的異物殘留在嘴構件30內。又，上述實施方式中，測量載臺MST除洗凈機構外，也具備上述復數測量器的至少一個及基準標記來作為測量構件，但搭載于測量載臺MST的測量構件的種類及/或數量等并不限于此。也可設置例如測量投影光學系統(tǒng)PL的透射率的透射率測量器等來作為測量構件。再者，也可僅將上述測量器或僅將其一部分設于測量載臺MST，而將其它部分設于測量載臺MST外部。再者，也可將至少一個測量構件設于基板載臺PST。又,上述實施方式中，雖是將洗凈機構的至少一部分設于測量載臺MST，但也可將洗凈機構的至少一部分設于與測量載臺MST分開獨立的可動載臺(可動構件、可動體)。此可動載臺可以是基板載臺PST、也可以與基板載臺PST不同。此場合，例如，可通過與基板載臺PST的更換將該可動載臺與投影光學系統(tǒng)PL配向配置，以在例如基板P的更換時等，維持前述液浸區(qū)域AR2。又，上述各實施方式中，雖使用干涉儀系統(tǒng)(56A56C)來測量光掩膜載臺RST、基板載臺PST、及測量載臺MST的各位置信息，但并不限于此，例如也可使用供檢測設于各載臺的標尺(繞射光柵)的編碼器系統(tǒng)。此場合，以混合干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)的雙方的混合系統(tǒng)，使用干涉儀系統(tǒng)的測量結果來進行編碼器系統(tǒng)測量結果的校正(calibmtion)較佳。此外，也可切換使用干涉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng)、或使用雙方來進行載臺的位置控制。又，上述各實施方式中可將基板保持具PH與基板載臺PST形成為一體，也可分別構成基板保持具PH與基板載臺PST，例如通過真空吸附等方式將基板保持具PH固定于基板載臺PST。此外，本發(fā)明也可適用于將各種測量器類搭載于基板載臺PST的曝光裝置(不具備測量載臺MST的曝光裝置)。又，各種測量器類可僅將其一部分搭載于測量載臺MST或基板載臺，其余則設在外部或其它構件。這些情形中，可將例如包含圖4的噴射嘴部90的洗凈機構設于基板載臺PST側。此外，上述實施方式中曝光用光EL的照射區(qū)域(含前述照明區(qū)域、投影區(qū)域AR1)雖為矩形，但并不限于此，也可以是例如弧形等。又，照射區(qū)域(AR1等)雖是設定在投影光學系統(tǒng)PL的視野內包含光軸AX，但不限于此，也可設定為不包含光軸而呈偏心。又，半導體元件等的微元件，如圖9(B)所示，經微元件的功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟制作光掩膜(標線片)的步驟202，制造基板(元件的基材)的步驟203，包含使用前述實施方式的曝光裝置EX將光掩膜的圖案曝光至基板的制造工藝、將曝光后的基板予以顯影的制造工藝、顯影后基板的加熱及刻蝕制造工藝等的基板處理步驟204，元件組裝步驟205(包含切割制造工藝、結合制造工藝、封裝制造工藝等的加工制造工藝)，并經檢查步驟206等加以制造。又，上述各實施方式的基板P，除了半導體元件制造用的半導體晶片以外，也能適用于顯示器元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或在曝光裝置所使用的光掩膜或標線片的原版(合成石英、硅晶片)、以及薄片狀構件等。此外，基板P的形狀并限于圓形，也可以是矩形等的其它形狀。又，上述各實施方式中，雖是使用形成有轉印圖案的光掩膜，但也可取代此光掩膜，而使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示，根據待曝光圖案的電子數據來形成透射圖案或反射圖案的電子光掩膜。此電子光掩膜，包含被稱為可變成形光掩膜(主動式光掩膜或影像產生器)，例如非發(fā)光型影像顯示元件(空間光調變器)的一種的DMD(DigitalMicro—mirrorDevice)等。DMD具有根據既定電子數據驅動的復數個反射元件(微小面鏡)，復數個反射元件于DMD表面排列成2維矩陣狀，且以像素單位被驅動而反射、偏向曝光用光。各反射元件可調整其反射面角度。DMD的動作可通過控制裝置CONT加以控制。控制裝置CONT，根據與待形成至基板P上的圖案對應的電子數據(圖案信息)驅動DMD的反射元件，將照明系統(tǒng)IL所照射的曝光用光以反射元件加以圖案化。通過DMD的使用，與使用形成有圖案的光掩膜(標線片)進行曝光的情形相較，在圖案變更時，由于不須要光掩膜更換作業(yè)及在光掩膜載臺的光掩膜位置對準操作，因此能更為有效率的進行曝光動作。此外，使用電子光掩膜的曝光裝置，可不設置光掩膜載臺，而僅通過基板載臺使基板移動于X軸及Y軸方向。又，使用DMD的曝光裝置除上述美國專利外，也揭示于例如日本特開平8—313842號公報、特開2004—304135號公報。在指定國及選定國的國內法許可范圍內，援用美國專利第6,778,257號公報等的揭示作為本文記載的一部分。又，作為曝光裝置EX，除了使光掩膜M與基板P同步移動以掃描曝光光掩膜M的圖案的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進器)之外，也能適用于在光掩膜M與基板P靜止的狀態(tài)下使光掩膜M的圖案一次曝光，并依序步進移動基板P的步進重復方式的投影曝光裝置(步進器)。作為曝光裝置EX的種類，并不限于將半導體元件圖案曝光至基板P的半導體元件制造用的曝光裝置，也能廣泛的適用于液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置，或用以制造薄膜磁頭、微機器、MEMS、DNA芯片、攝影元件(CCD)，或標線片、光掩膜等的曝光裝置等。又，本發(fā)明也能適用于例如特開平IO—163099號公報、特開平IO—214783號公報(對應美國專利第6,341,007號、第6,400,441號、第6,549,269號及第6，590，634號說明書)、特表2000—505958號公報(對應美國專利第5,969,441號說明書)或美國專利第6，208，407號說明書等所揭示的具備復數個基板載臺的多載臺型曝光裝置。此場合，是對復數個基板載臺分別實施洗凈。關于多載臺型曝光裝置，在指定國及選定國的國內法許可范圍內，援用上述美國專利等的揭示作為本說明書記載的一部分。又，上述各實施方式的投影光學系統(tǒng)，雖是將前端光學元件像面?zhèn)鹊墓饴房臻g(液浸空間)充滿液體，但也可采用例如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示的將前端光學元件的光掩膜側光路空間也以液體充滿的投影光學系統(tǒng)。此外，本發(fā)明也能適用于將投影光學系統(tǒng)與基板間的液浸區(qū)域以其周圍的氣簾(aircurtain)來加以保持的液浸型曝光裝置。又，本發(fā)明也能適用于例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示的通過在基板上形成干涉條紋，以在基板上形成線與空間圖案(line&spacepattem)的曝光裝置。此場合，也透過光學構件與基板P間的液體對基板P照射曝光用光。再者，本發(fā)明也能適用于例如日本特表2004—519850號公報(對應美國專利第6，611，316號)的揭示，將2個光掩膜圖案透過投影光學系統(tǒng)合成在基板上，通過一次掃描曝光使基板上的一個照射區(qū)域大致同時雙重曝光的曝光裝置。上述各實施方式及變形例中，不須將液體供應部及/或液體回收部設于曝光裝置，而可代的以例如曝光裝置設置工廠等的設備。又，液浸曝光所需的曝光裝置及附屬設置的構造，不限于上述構造，也可使用例如歐洲專利公開第1420298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、國際公開第2004/057590號小冊子、國際公開第2005/029559小冊子(對應美國專利公開第2006/0231206號)、國際公開第2004/086468小冊子(對應美國專利公開第2005/0280791號)、特開2004—289126號公報(對應美國專利第6,952,253號)等所記載者。關于液浸曝光裝置的液浸機構及其附屬機器，在指定國及選定國的國內法許可范圍內，援用上述美國專利或美國專利公開等的揭示作為本說明書記載的一部分。上述實施方式中，作為液浸法所使用的液體1，可使用對曝光用光的折射率高于水，例如折射率為1.61.8程度者。此處，作為折射率高于純水(例如1.5以上)的液體1，例如有折射率約1.50的異丙醇(Isopmpanol)、折射率約1.61的丙三醇(Glyceml)等具有C一H鍵、O—H鍵的既定液體，己烷、庚烷、癸垸等的既定液體(有機溶劑)、折射率約1.60的十氫奈(Decalin:Decahydronaphthalene)等?；蛘?，液體1也可以是這些既定液體中任意2種類以上液體的混合物，或于純水中添加(混合)上述液體亦可。再者，作為液體1，也可以是于純水中添加(混合)H+、Cs+、K+、Cl+、S042—、P042—等堿或酸者。進一步的，也可以是于純水中添加(混合)A1氧化物等的微粒子者。又，作為液體1，以光的吸收系數小、溫度依存性少、且對投影光學系統(tǒng)PL、及/或基板P表面所涂的感光材(及面涂膜或反射防止膜等)安定者較佳。作為液體l，也可使用超臨界流體。此外，可于基板P設置隔離液體以保護感光材及基材的面涂層膜等。又，也可取代氟化鈣(螢石)，而以例如石英(二氧化硅)、或氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂等的氟化合物的單結晶材料來形成投影光學系統(tǒng)PL的光學元件(終端光學元件)2，或以折射率(例如1.6以上)高于石英及螢石的材料來形成。作為折射率1.6以上的材料，例如，可如國際公開第2005/059617號小冊子所揭示，使用藍寶石、二氧化鍺等，或者，也可如國際公開第2005/059618號小冊子所揭示，使用氯化鉀(折射率約1.75)等。使用液浸法的情形，可例如國際公開第2004/019128號小冊子(對應美國專利公開第2005/0248856號)所揭示的，除終端光學元件像面?zhèn)鹊墓饴吠?，也將終端光學元件的物體面?zhèn)裙饴芬砸后w充滿。再者，也可于終端光學元件表面的一部分(至少包含與液體的接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。此外，石英雖與液體的親和性高，且也不須需溶解防止膜，但若是石英的話至少形成溶解防止膜較佳。上述各實施方式中，雖是使用ArF準分子激光來作為曝光用光EL的光源，也可如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利7,023,610號)所揭示，使用包含DFB半導體激光或光纖激光等固體激光光源、光纖放大器等的光放大部、以及波長轉換部等，輸出波長193nm的脈沖光的高諧波產生裝置。此外，上述實施方式中，投影區(qū)域(曝光區(qū)域)雖為矩形，但也可以是例如圓弧形、梯形、平行四邊形、或菱形等其它形狀。如以上所述，本案實施方式的曝光裝置EX，是將包含本案申請專利范圍所舉的各構成要素的各種子系統(tǒng)，以能保持既定機械精度、電氣精度、光學精度的方式，加以組裝制造。為確保上述各種精度，于此組裝的前后，對各種光學系統(tǒng)進行用以達成光學精度的調整，對各種機械系統(tǒng)進行用以達成機械精度的調整，對各種電氣系統(tǒng)則進行用達成各種電氣精度的調整。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟，包含各種子系統(tǒng)彼此間的機械連接、電氣回路的連接、氣壓回路的連接等。此各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟前，當然有各個子系統(tǒng)的組裝步驟。各種子系統(tǒng)組裝至曝光裝置的步驟結束后，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體的各種精度。又，曝光裝置的制造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。關于本案說明書所揭示的各種美國專利及美國專利申請公開等，除特別表示援用外，在指定國及選定國的國內法許可范圍內，亦援用該等的揭示作為本文的一部分。本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明要旨范圍內當然可以有各種構成。此外，包含
發(fā)明內容、申請專利范圍、圖式及摘要的2006年6月30日提出的日本特愿2006—182561的所有揭示內容，完全引用于本案說明書中。根據本發(fā)明，由于能有效率的進行以液浸法進行曝光的曝光裝置的維修，因此可減少其后的曝光時液浸區(qū)域的液體中的異物量，以高精度制造元件。權利要求1.一種維修方法，用以維修曝光裝置，所述曝光裝置以第1液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間，透過所述光學構件與所述第1液體以曝光用光使所述基板曝光，所述維修方法包含移動步驟，與使用所述第1液體形成所述液浸空間的液浸空間形成構件對向配置可動體；液浸步驟，使用所述液浸空間形成構件于所述可動體上形成所述第1液體所構成的所述液浸空間；以及洗凈步驟，為進行與所述第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，從所述可動體側朝包含所述液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出第2液體。2.如權利要求1所述的維修方法，其中，至少局部的平行實施所述液浸步驟與所述洗凈步驟。3.如權利要求1或2所述的維修方法，其中，所述洗凈步驟，是從噴射嘴噴射所述第2液體。4.如權利要求1至3中任一項所述的維修方法，其中，所述洗凈步驟，是于所述第2液體混合氣體后噴出。5.如權利要求1至4中任一項所述的維修方法，其中，所述維修方法具有回收所述第2液體的回收步驟。6.如權利要求1至5中任一項所述的維修方法，其中，所述第1液體與所述第2液體不同。7.如權利要求1至6中任一項所述的維修方法，其中，所述第2液體包含所述第1液體。8.如權利要求7所述的維修方法，其中，所述第2液體是于所述第1液體混入氣體或溶劑而成。9.如權利要求1至5中任一項所述的維修方法，其中，所述第1液體與所述第2液體相同。10.如權利要求7至9中任一項所述的維修方法，其中，所述第1液體是透過所述液浸空間形成構件被供應至所述可動體側。11.一種維修方法，用以維修曝光裝置，所述曝光裝置系以第l液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間，透過所述光學構件與所述第1液體以曝光用光使所述基板曝光，所述維修方法包含移動步驟，與使用所述第1液體形成所述液浸空間的液浸空間形成構件對向配置可動體；蓄積步驟，使用所述液浸空間形成構件將所述第1液體供應至所述可動體上，并蓄積此供應的所述第1液體；以及洗凈步驟，為進行與所述第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，將于所述蓄積步驟中蓄積的所述第1液體朝包含所述液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出。12.如權利要求11所述的維修方法，其中，所述洗凈步驟，是將所述蓄積步驟中蓄積的所述第1液體從噴射嘴噴出。13.如權利要求11或12所述的維修方法，其中，至少局部的平行實施所述蓄積步驟與所述洗凈步驟。14.如權利要求1至13中任一項所述的維修方法，其中，所述洗凈步驟，是至少洗凈所述液浸空間形成構件的所述第1液體通過口。15.如權利要求14所述的維修方法，其中，所述液浸空間形成構件至少具有所述第1液體的供應口及回收口的至少一方，所述通過口包含所述供應口及所述回收口的至少一方。16.如權利要求1至15中任一項所述的維修方法，其中，所述洗凈步驟，是至少洗凈所述液浸空間形成構件的多孔構件。17.如權利要求16所述的維修方法，其中，所述多孔構件是設在所述液浸空間形成構件的所述第1液體的回收口或回收流路。18.如權利要求1至17中任一項所述的維修方法，其中，所述液浸空間形成構件配置成圍繞所述光學構件。19.如權利要求18所述的維修方法，其中，所述曝光裝置具有投影光學系統(tǒng)，所述投影光學系統(tǒng)中所述光學構件配置于最接近像面。20.—種維修方法，用以維修曝光裝置，所述曝光裝置透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，具有與所述第1液體接觸的液體接觸部，且與在所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體的嘴構件對向配置可動體，使用透過所述嘴構件供應至所述可動體的第2液體來洗凈所述液體接觸部。21.如權利要求20所述的維修方法，其中，從所述可動體噴出所述第2液體以洗凈所述液體接觸部。22.如權利要求20或21所述的維修方法，其中，于所述洗凈時，在所述光學構件與所述可動體之間形成液浸區(qū)域。23.如權利要求22所述的維修方法，其中，所述液浸區(qū)域以所述第2液體形成。24.如權利要求20至23中任一項所述的維修方法，其中，蓄積供應至所述可動體的第2液體，將所述蓄積的第2液體朝向所述液體接觸部。25.—種維修方法，用以維修曝光裝置，所述曝光裝置透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，與在所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體的嘴構件對向配置可動體，根據與所述第1液體接觸的所述液體接觸部相關的信息，設定以所述第2液體洗凈所述液體接觸部的洗凈條件。26.如權利要求25所述的維修方法，其中，所述信息包含與所述液體接觸部的洗凈對象區(qū)域的位置與狀態(tài)中至少一方相關的信息。27.如權利要求26所述的維修方法，其中，所述信息包含與所述洗凈對象區(qū)域的污染相關的信息。28.如權利要求25至27中任一項所述的維修方法，其中，所述洗凈條件可視所述信息變動。29.如權利要求25至28中任一項所述的維修方法，其中，所述洗凈條件包含所述第2液體的特性。30.如權利要求25至29中任一項所述的維修方法，其中，所述第2液體朝向所述液體接觸部噴出，所述洗凈條件包含所述第2液體的噴出條件。31.如權利要求20至30中任一項所述的維修方法，其中，所述第2液體包含所述第1液體。32.如權利要求31所述的維修方法，其中，所述第2液體于所述第1液體混入氣體或溶劑而成。33.如權利要求20至31中任一項所述的維修方法，其中，所述第2液體與所述第1液體相同。34.如權利要求20至31中任一項所述的維修方法，其中，所述第2液體與所述第l液體不同。35.如權利要求20至34中任一項所述的維修方法，其中，至少洗凈所述嘴構件中所述第1液體的通過口。36.如權利要求20至35中任一項所述的維修方法，其中，所述嘴構件具有所述第1液體的供應口及回收口的至少一方，洗凈所述供應口及所述回收口的至少一方。37.如權利要求20至36中任一項所述的維修方法，其中，至少洗凈所述嘴構件的液體接觸部中的多孔構件。38.如權利要求37所述的維修方法，其中，所述多孔構件設在所述嘴構件的所述第1液體的回收口或回收流路。39.如權利要求20至38中任一項所述的維修方法，其中，所述維修方法還進行與所述嘴構件相異的與所述第1液體的液體接觸部的洗凈。40.如權利要求39所述的維修方法，其中，與所述嘴構件相異的液體接觸部至少包含所述光學構件。41.如權利要求20至40中任一項所述的維修方法，其中，所述嘴構件圍繞所述光學構件配置，所述曝光裝置具有投影光學系統(tǒng)，所述投影光學系統(tǒng)中所述光學構件配置于最接近像面。42.如權利要求1至41中任一項所述的維修方法，其中，所述液體接觸部包含對所述第1液體具親液性的區(qū)域。43.如權利要求1至42中任一項所述的維修方法，其中，所述可動體與能保持所述基板的可動體不同。44.一種曝光方法，透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，具有使用權利要求1至43中任一項所述的維修方法的步驟。45.—種曝光方法，透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，具有與所述第1液體接觸的液體接觸部，且與在所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體的嘴構件對向配置可動體，并包含使用經所述嘴構件供應至所述可動體的第2液體洗凈所述液體接觸部的動作。46.—種曝光方法，透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，包含與在所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體的嘴構件對向配置可動體，并包含根據與所述第1液體接觸的所述液體接觸部相關的信息，設定以所述第2液體洗凈所述液體接觸部的洗凈條件。47.—種元件制造方法，其包含使用申請專利范圍44至46中任一項所述的曝光方法使基板曝光的動作；以及使所述曝光后基板顯影的動作。48.—種曝光裝置，以第l液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間，透過所述光學構件與所述第1液體以曝光用光使所述基板曝光，其中，所述曝光裝置具備液浸空間形成構件，是使用所述第1液體形成所述液浸空間；可動體，能相對所述光學構件移動；液體噴出機構，其至少一部分設于所述可動體且噴出第2液體；以及控制裝置，是在透過所述液浸空間形成構件于所述可動體上以所述第1液體形成所述液浸空間時，為進行與所述第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，使所述液體噴出機構朝包含所述液體接觸部至少一部分的區(qū)域噴出第2液體。49.如權利要求48所述的曝光裝置，其中，所述液體噴出機構包含噴射所述第2液體的噴射嘴。50.如權利要求48或49所述的曝光裝置，其中，所述液體噴出機構包含于所述第2液體混合氣體的混合器。51.如權利要求48至50中任一項所述的曝光裝置，其中，所述曝光裝置具有回收所述第2液體的液體回收機構。52.如權利要求48至51中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第l液體與所述第2液體不同。53.如權利要求48至52中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第2液體包含所述第1液體。54.如權利要求53所述的曝光裝置，其中，所述第2液體于所述第1液體混入氣體或溶劑而成。55.如權利要求48至51中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第2液體與所述第l液體相同。56.如權利要求53至55中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第1液體透過所述液浸空間形成構件被供應至所述可動體側。57.—種曝光裝置，以第l液體充滿光學構件與基板之間以形成液浸空間，透過所述光學構件與所述第1液體以曝光用光使所述基板曝光，其中，所述曝光裝置具備-液浸空間形成構件，是使用所述第1液體形成所述液浸空間；可動體，能相對所述光學構件移動；蓄積機構，蓄積透過所述液浸空間形成構件供應至所述可動體上的所述第l液體；以及液體噴出裝置，其至少一部分設于所述可動體，為進行與所述第1液體接觸的液體接觸部的洗凈，將以所述蓄積機構所蓄積的所述第1液體朝包含所述液體接觸部的至少一部分的區(qū)域噴出。58.如權利要求57所述的曝光裝置，其中，所述液體噴出裝置包含噴射以所述蓄積機構所蓄積的所述第1液體的噴射嘴；所述蓄積機構包含用以防止所述第1液體逆流至所述液浸空間形成構件的逆止閥。59.如權利要求48或58中任一項所述的曝光裝置，其中，所述液體接觸部至少包含所述液浸空間形成構件的所述第1液體通過口。60.如權利要求59所述的曝光裝置，其中，所述液浸空間形成構件至少具有所述第1液體的供應口及回收口的至少一方，所述通過口包含所述供應口及所述回收口的至少一方。61.如權利要求48至60中任一項所述的曝光裝置，其中，所述液體接觸部至少包含所述液浸空間形成構件的多孔構件。62.如權利要求61所述的曝光裝置，其中，所述多孔構件設在所述液浸空間形成構件的所述第1液體的回收口或回收流路。63.如權利要求48至62中任一項所述的曝光裝置，其中，所述液浸空間形成構件于所述第1液體的通過口將多孔構件以固定、或可更換的方式設置。64.如權利要求63所述的曝光裝置，其中，所述多孔構件為可更換，并具備于所述多孔構件的更換時將所述第1液體從其流路完全排出的液體回收部。65.如權利要求48至64中任一項所述的曝光裝置，其中，所述液浸空間形成構件圍繞所述光學構件配置。66.如權利要求65所述的曝光裝置，其中，所述曝光裝置具備投影光學系統(tǒng)，所述投影光學系統(tǒng)中所述光學構件配置于最接近像面。67.—種曝光裝置，透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，所述曝光裝置具備嘴構件，具有與所述第1液體接觸的液體接觸部且于所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體；可動體，能相對所述光學構件移動；以及洗凈構件，至少一部分設于所述可動體上，使用經所述嘴構件供應至所述可動體的第2液體洗凈所述液體接觸部。68.如權利要求67所述的曝光裝置，其中，所述洗凈構件從所述可動體噴出所述第2液體以洗凈所述液體接觸部。69.如權利要求67或68所述的曝光裝置，其中，于所述洗凈時，通過所述嘴構件于所述光學構件與所述可動體之間形成液浸區(qū)域。70.如權利要求69所述的曝光裝置，其中，所述液浸區(qū)域以所述第2液體形成。71.如權利要求67至70中任一項所述的曝光裝置，其中，所述曝光裝置具備用以蓄積供應至所述可動體的所述第2液體的蓄積部，所述洗凈構件將所述系的第2液體朝向所述液體接觸部。72.—種曝光裝置，透過光學構件與第1液體以曝光用光使基板曝光，其中，所述曝光裝置具備嘴構件，于所述光學構件與所述基板之間保持所述第1液體；洗凈構件，以第2液體洗凈與所述第1液體接觸的液體接觸部；可動體，至少于所述洗凈時與所述嘴構件對向配置；以及控制裝置，控制所述洗凈構件以改變使用所述第2液體的洗凈條件，且視與所述液體接觸部相關的信息設定所述洗凈條件。73.如權利要求72所述的曝光裝置，其中，所述信息包含與所述液體接觸部的洗凈對象區(qū)域的位置與狀態(tài)中至少一方的信息。74.如權利要求73所述的曝光裝置，其中，所述信息包含與所述洗凈對象區(qū)域的污染相關的信息。75.如權利要求72至74所述中任一所述的曝光裝置，其中，所述信息包含所述第2液體的特性。76.如權利要求72至75中任一項所述的曝光裝置，其中，所述洗凈構件將所述第2液體朝向所述液體接觸部噴出，所述洗凈條件包含所述第2液體的噴出條件。77.如權利要求67至76中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第2液體包含所述第1液體。78.如權利要求77所述的曝光裝置，其中，所述第2液體是于所述第1液體混入氣體或溶劑而成。79.如權利要求67至77中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第2液體與所述第1液體相同。80.如權利要求67至77中任一項所述的曝光裝置，其中，所述第2液體與所述第l液體不同。81.如權利要求67至80中任一項所述的曝光裝置，其中，至少洗凈所述嘴構件的液體接觸部中所述第1液體的通過口。82.如權利要求67至81中任一項所述的曝光裝置，其中，所述嘴構件具有所述第1液體的供應口及回收口的至少一方，洗凈所述供應口及所述回收口的至少一方。83.如權利要求67至82中任一項所述的曝光裝置，其中，至少洗凈所述嘴構件的液體接觸部中的多孔構件。84.如權利要求83所述的曝光裝置，其中，所述多孔構件設在所述嘴構件的所述第1液體的回收口或回收流路。85.如權利要求67至83中任一項所述的曝光裝置，其中，所述嘴構件具有以固定、或可更換的方式設于所述第1液體通過口的多孔構件。86.如權利要求67至85中任一項所述的曝光裝置，其中，所述洗凈構件還進行與所述嘴構件相異的與所述第1液體的液體接觸部的洗凈。87.如權利要求86所述的曝光裝置，其中，與所述嘴構件相異的液體接觸部至少包含所述光學構件。88.如權利要求67至87中任一項所述的曝光裝置，其中，所述曝光裝置具有投影光學系統(tǒng)，所述投影光學系統(tǒng)中所述光學構件配置于最接近像面，所述嘴構件圍繞所述光學構件配置。89.如權利要求48至88中任一項所述的曝光裝置，其中，所述液體接觸部包含對所述第1液體具親液性的區(qū)域。90.如權利要求48至89中任一項所述的曝光裝置，其中，所述可動體與能保持所述基板的可動體不同。91.如權利要求48至89中任一項所述的曝光裝置，其中，所述可動體是能保持所述基板的基板載臺、或與所述基板載臺分開獨立移動的載臺。92.—種元件制造方法，其包含使用權利要求48至91中任一項所述的曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光后基板顯影的動作。全文摘要一種能有效率地進行使用液浸法進行曝光的曝光裝置的維修的維修方法。曝光裝置透過投影光學系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(1)以曝光用光使該基板曝光，其包含與形成液浸區(qū)域(AR2)的嘴構件(30)對向配置測量臺(MTB)的移動步驟，使用嘴構件(30)對測量臺(MTB)上供應液體(1)、將此供應的液體蓄積至圓筒部(91)內的蓄積步驟，以及朝向含以液浸法進行曝光時與有可能與液體(1)接觸的液體接觸部的至少部分區(qū)域、將以該蓄積步驟蓄積的液體(1)從噴射嘴部(90)噴出的洗凈步驟。文檔編號G03F7/20GK101390194SQ20078000618公開日2009年3月18日申請日期2007年6月28日優(yōu)先權日2006年6月30日發(fā)明者依田安史申請人:株式會社尼康