專利名稱：用于將納米熒光粉結合到微光學結構中的工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于將納米熒光粉結合到微光學結構的工藝以及相應 的發(fā)光器。
背景技術：
在現(xiàn)在常規(guī)的白色LED中，所使用的主要光源為藍光InGan半導體， 根據(jù)半導體混合晶體的組成其發(fā)射譜帶介于400和480nm之間。
通過強烈吸收藍光并且根據(jù)其組成在560-580nm的寬帶下發(fā)光的熒 光粉(Y， Gd) 3 (Al， Ga) 5012: Ce (YAG: Ce)涂層發(fā)射白光。結果 形成白色LED光源，其在非常高的色溫5000K下獲得高的色彩再現(xiàn)指數(shù) CRI 80以及光產率高達30Im/W (7V/.^wm， 71,/ fi對e/, (7 iH^/^^mrf//c/^c 。
但是，LED的連續(xù)傳播和自動發(fā)光需要解決一些技術問題。 首先，現(xiàn)在的白色LED的光產率仍然不足。 一方面，這一點需要進一 步開發(fā)半導體，另一方面相對于其量子產率和發(fā)射光語優(yōu)化熒光粉。其次， 白色LED的色彩再現(xiàn)指數(shù)特別是在低色溫下的色彩再現(xiàn)指數(shù)還太低(CRI < 70)以至于不能廣泛應用于通常的照明。當前對紅光熒光粉的開發(fā)是解 決所述問題的唯一可能。
微光學結構用于影響安裝在其內部的系統(tǒng)的光學特性。 例如，可通過共振現(xiàn)象增強反蛋白石內部的熒光粉激發(fā)。 但是為工業(yè)應用該系統(tǒng)，重要的是促進以熒光粉(或者著色劑)對較 大量微光學系統(tǒng)以容易進行的方式填充。
意外的是，現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)了一種合適的浸漬工藝，其中包括反蛋白石的微

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明涉及一種制備具有包括至少一種著色劑的規(guī)則排列的腔 的光電材料的工藝，其中
a) 規(guī)則排列蛋白石模板球，
b) 對球間隙填充一種或多種壁材料前體，
c) 形成壁材料、去除蛋白石模板球，
d) 將著色劑引入腔，其中通過利用孔擴散的溶液浸漬將溶解的著色劑 前體引入反蛋白石的腔，
e) 去除溶劑，
f) 在后續(xù)步驟中將前體轉變?yōu)橹珓?br> 為實現(xiàn)本發(fā)明，包括具有基本單*尺寸分布的腔結構的光電材料為 具有三維光電結構的材料。三維光電結構通常是指具有規(guī)則、三維調制介 電常數(shù)(因此也是折射率)的系統(tǒng)。如果周期性調制長度近似對應于(可 見)光波長，則該結構以三維f汴射光柵的方式與光相互作用，這一點從由 角度決定的顏色現(xiàn)象可清楚。
認為蛋白石結構的反結構(具有基本單^LA寸分布的腔結構)通過 在固體材料中最緊密堆積而排列的規(guī)則球形中空體形成。這種反結構相對 于常規(guī)結構的優(yōu)點在于形成了介電常數(shù)差低得多的光電帶隙(K. Busch等 人，Phys. Rev. Letters E, 198, 50， 3896)。
包括腔的光電材料因此必須具有固體壁。根據(jù)本發(fā)明合適的為下面的 壁材料，其具有介電特性并且對各色劑吸收帶波長基本具有非吸收作用，
以及對可由吸收波長激勵的著色劑發(fā)光波長基本透明。光電材料的壁材料 應當使得著色劑吸收帶波長輻射的至少95%通過。
這里的陣列基本由優(yōu)選交聯(lián)的輻射穩(wěn)定有機聚合物例如環(huán)氧樹脂組 成。在本發(fā)明的變化中，該陣列基本由腔周圍的無才幾材料優(yōu)選為金屬石克屬
元素化物或者金屬磷屬元素化物組成，這里特別可提及二氧化硅、氧化鋁、 氧化鋯、鐵氧化物、二氧化鈦、二氧化鈰、氮化鎵、氮化硼、氮化鋁、氮 化硅和氮化磷、或者其混合物。根據(jù)本發(fā)明特別優(yōu)選光電材料壁基本由氧 化物或者硅、鈦、鋯和/或鋁的混合氧化物組成，優(yōu)選由二氧化硅組成。
根據(jù)本發(fā)明待采用的具有規(guī)則排列的腔結構的三維反結構即微光學系
統(tǒng)例如可通過模板合成制造
<formula>formula see original document page 7</formula>圖l反蛋白石的制備圖
用于構造反蛋白石的初級構造塊為均勻的膠體球(圖1中點1)。除
了其它特征以外，該球必須符合最窄的可能尺寸分布(可容許5%的尺寸 偏差)。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選通過水乳化聚合形成的亞微范圍直徑的單分散 PMMA球。在第二步中，在分離和離心或者沉淀之后，將均勻的膠體球排 列為三維常規(guī)蛋白石結構(圖1中的點2)。該模板結構對應最緊密的球 堆積，即74%的空間被填充球，26%的空間為空(間隙或者中空體)。然 后可通過調節(jié)^f吏其固化。在下個工作步驟(圖1中的點3)中，以形成后 面的反蛋白石壁的物質填充模板的腔。該物質例如可以為前體溶液(優(yōu)選 為四乙氧基硅烷)。然后通過煅燒固化前體，并且同樣通過煅燒去除才莫板
球(圖1中的點4)。如果球為聚合物并且前體例如可進行溶膠-凝JKX 應(例如將硅酸酯轉變?yōu)镾i02)則可實現(xiàn)這一點。在完成煅燒之后，獲得 該模板的復制品即所謂的反蛋白石。
從文獻中已知許多可用于制造才艮據(jù)本發(fā)明的腔結構的這些工藝(例如 S.G. Romanov 等人，Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology, Vol. 4， 2000， 231 ff.; V. Colvin等人，Adv. Mater， 2001， 13， 180; DeLaRue等人，Synth. Metals, 2001， 116， 469; M. Martinelli 等人.Optical Mater. 2001， 17， 11; A. Stein等人，Science, 1998， 281， 538)。在DE-A-10145450中描述了芯/殼顆粒，其殼形成陣列，其芯基 本為固體并且具有基本單^ft尺寸分布。在國際專利申請WO 2004/031102 中描述了使用以殼形成陣列、芯基本為固體并且具有基本單M尺寸分布 的芯/殼顆粒作為制造反蛋白石結構的模板，以及用于采用這樣的芯/殼顆粒 制造反蛋白石狀結構的工藝。所描述的具有均勻、規(guī)則排列的腔室的模具 優(yōu)選具有金屬氧化物壁或者彈性體壁。因此所描述的模具或者硬而易碎或 者具有彈性特征。
可通過各種方法去除規(guī)則排列的模板芯。如果該芯由合適的無機材料 組成，則可通過蝕刻去除。例如優(yōu)選可釆用HF特別是稀釋的HF溶液去 除二氧化硅芯。
如果芯/殼顆粒中的芯由可通過UV輻照降解的材料優(yōu)選UV可降解有 機聚合物制成，則可通過UV輻照去除芯。還在該步驟中，又優(yōu)選在去除 芯之前或者之后進行殼的交聯(lián)。合適的芯材料然后特別為聚(甲基丙烯酸 叔丁基酯)、聚(甲基丙烯酸曱酯)、聚(曱基丙烯酸正丁酯)或者包括 這些聚合物之一的共聚物。
還特別優(yōu)選可降解芯被熱降解以及由可熱解聚即受熱時分解為其單體 的聚合物組成，或者芯由在降解時分解為與單體不同的低分子組分的聚合 物組成。例如在Brandrup， J.( ED.): Polymer Handbook. Chichester Wiley 1966， pp. V-6-V-10中的表格"Thermal Degradation of Polymers"中給 出了合適的聚合物，這里形成可揮發(fā)降解產物的所有聚合物都是合適的。
該表格的內容在此引入作為參考。
這里優(yōu)選采用聚(苯乙烯)及其衍生物，例如在芳環(huán)上承載取代基的 聚(tV-曱基苯乙烯)或者聚(苯乙烯)衍生物，例如特別是部分或者全氟 衍生物，聚(丙烯酸酯)和聚(甲基丙烯酸酯)衍生物及其酯，特別優(yōu)選 聚(甲基丙烯酸曱酯)或者聚(甲基丙烯酸環(huán)己酯)，或者這些聚合物與 其它可降解聚合物的共聚物，例如優(yōu)選苯乙烯-丙烯酸乙酯共聚物或者甲基 丙烯酸曱酯-丙烯酸乙酯共聚物，以及聚烯烴、聚烯烴氧化物、聚對笨二 甲酸乙二酯、聚甲醛、聚酰胺類、聚乙酸乙烯酯、聚氯乙烯或者聚乙烯醇。
關于合成模具和制造模具過程的描述，參考WO2004/031102,其公開 內容在此組合作為參考。
才艮據(jù)本發(fā)明特別優(yōu)選光電材料中腔的平均直徑處于大約100 - 600nm 的范圍內、優(yōu)選處于150-350nm的范圍內。
反蛋白石的模具可在相應的過程中以粉末形式直接制造或者可通過研 磨粉碎制造。然后可根據(jù)本發(fā)明進一步處理所產生的顆粒。
如上所述，反蛋白石結構的孔隙率為74%,這一點使其容易以其它物 質填充。反蛋白石的孔系統(tǒng)由通過通道系統(tǒng)(對應于先前的模板斜目互接 觸的點)以三維方式相互連接在一起的球形腔(對應于模板的球)組成， 然后將能夠經過連接通道(圖2)的熒光粉(或者著色劑)或者熒光粉前 體引入蛋白石結構的內部。
\
焚光粉 前體分子
連接通道
外表面上的腔
焚光粉顆粒
圖2通過溶液浸漬將熒光粉結合到蛋白石結構中
利用毛細管效應通過溶液浸漬將著色劑或者著色劑前體引入反蛋白石
粉末的孔系統(tǒng)中。
這里，以著色劑或者著色劑前體充入或者填充腔的程度是一個重要的
標準。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選重復多次填充步驟(參見圖4)。在這里發(fā)現(xiàn)，對 腔的過量填充程度影響光電特性。因此才艮據(jù)本發(fā)明優(yōu)選以至少一種著色劑 對待填充的光電材料腔填充至少1體積％、最多50體積％的程度，這里特 別優(yōu)選，以至少一種著色劑將腔填充至少5體積％、最多30體積％的程度。
對于根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選采用、且密度大約為4g/ci^的著色劑，該至少一 種著色劑因此組成光電材料的5至75重量％ ，這里該至少一種著色劑優(yōu)選 組成光電材料的25至66重量％。
在優(yōu)選的過程變化中，可在去除蛋白石模板球之后將著色劑引入腔。 例如通過以著色劑或者著色劑前體的分軟液滲透具有規(guī)則排列腔的光電材 料，然后去除M液介質。
如果著色劑顆粒的顆粒尺寸小于反蛋白石腔之間的連接通道的直徑， 則納米尺寸著色劑被滲透入上述反蛋白石中。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中， 在滲透之前，納米熒光粉顆粒在液體優(yōu)選為水或者其他易揮發(fā)溶劑(例如 醇)中具有基本上沒有團塊的分散形式(參見圖3)。優(yōu)選對熒光粉采用 該過程變化，該熒光粉可通過原始材料的固態(tài)反應專用地制備。
圖3通過分散液滲透將熒光粉結合到蛋白石結構中
另外，優(yōu)選確保在滲透方法中以懸浮液完全填充反蛋白石的腔。這例 如通過下述方法實現(xiàn)將著色劑^t液添加至反蛋白石粉末(優(yōu)選為SK)2) 中，對懸浮液抽空以去除反蛋白石腔室中所包括的空氣。然后對懸浮液進 行充氣以對腔完全填充納米熒光粉懸浮液。通過薄膜濾器將經滲透的顆粒
與剩余的納米熒光粉懸浮液隔離，將其洗滌和干燥。接下來進行煅燒。
在根據(jù)本發(fā)明的過程的第二變化中("前體浸漬"，參見圖2)，將 溶解在水或者醇中的一種或者多種著色劑前體添加至反蛋白石粉末，并且 對懸浮液抽空和攪拌數(shù)個小時，以去除反蛋白石腔中所包括的空氣。然后 對懸浮液充氣以用前體懸浮液完全填充腔室。滲透的反蛋白石顆粒被分離、 洗滌和干燥。反蛋白石內部的前體顆粒通過后續(xù)的煅燒轉變?yōu)榉俟夥垲w粒。
上述過程變化的優(yōu)點在于，由溶解分子或者鹽(例如Y ( N03 ) 3或者 Eu (N03) 3的混合物)組成的水或者醇前體溶液能夠比納米熒光粉顆?；?者著色劑分散液(例如水溶(Y^Eu3;" V04^t液，參見圖3)更容 易地滲入反蛋白石的孔系統(tǒng)，這是因為納米熒光粉顆粒不能如所期望地小 以防止蛋白石中腔間連接通道的阻塞，因為對一些納米焚光粉而言效率隨 著下降的顆粒尺寸(<10nm)而迅速降低。
在根據(jù)本發(fā)明用于制備光電材料的過程的又一變化中，在步驟a)之 前將至少一種著色劑或者著色劑前體引入蛋白石模板球。在前體孔分解時， 著色劑顆粒然后留在產生的腔中。在該過程變化中，著色劑顆粒的尺寸僅 僅受到蛋白石模板球尺寸的限制。
根據(jù)本發(fā)明，除了在制備光電材料的過程的步驟b)中的壁材料以外， 優(yōu)選將著色劑的一種或多種前體和/或納米顆粒著色劑另外引入球間隙。
還優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明的過程的步驟c)為煅燒，優(yōu)選高于200'C、特別優(yōu) 選高于400'C。
此外，除了在優(yōu)選高于200*€、特別優(yōu)選高于400。C進行煅燒以外，特 別優(yōu)選在根據(jù)本發(fā)明的過程的步驟f)中還添加反應氣體。根據(jù)所使用的熒 光粉顆粒，可采用的反應氣體為H2S、 H2/N2、 02、 CO等等。在這里對合 適氣體的選擇取決于熒光粉和反蛋白石的類型和化學組成，這一點為本領 域技術人員所已知和熟悉。
還優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明在降低的氣壓和/或升高的溫度下進行該過程步驟 e)的溶劑去除。
根據(jù)本發(fā)明的著色劑或者熒光粉優(yōu)選為納米級熒光粉顆粒。這里的著
色劑的化學組成通常為主體材料和一種或多種摻雜物。
主體材料可優(yōu)選包括如下化合物石?；?、竭化物、》克竭化物、氧石危 化物、硼酸鹽、鋁酸鹽、格酸鹽、硅酸鹽、鍺酸鹽、磷酸鹽、卣代磷酸鹽、 氧化物、砷酸鹽、釩酸鹽、鈮酸鹽、鉭酸鹽、硫酸鹽、鴒酸鹽、鉬酸鹽、 堿金屬囟化物、氮化物、氮硅酸鹽(nitridosilicates)、氧氮硅酸鹽、和其 它卣化物。這里的主體材料優(yōu)選為堿金屬、堿土金屬或者稀土化合物。
這里的著色劑優(yōu)選為納米顆粒。這里的優(yōu)選顆粒的平均尺寸小于 50nm，該尺寸被通過動態(tài)光散射作為液壓直徑確定，其特別優(yōu)選平均顆粒 直徑小于25腿。
在本發(fā)明的變化中，將以紅色成份補充藍光源發(fā)出的光線。這種情況 下，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，著色劑為輻射在550到700nm范圍內的發(fā) 射體。這里的優(yōu)選摻雜物特別包括被摻雜銪、釤、鋱或者鐠，優(yōu)選被摻雜 三價正電銪離子的稀土化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，所使用的摻雜物還為一種或多種選自主族la、 2a的元素、或者A1、 Cr、 TI、 Mn、 Ag、 Cu、 As、 Nb、 Ni、 Ti、 In、 Sb、 Ga、 Si、 Pb、 Bi、 Zn、 Co、和/或所謂的稀土金屬元素的元素。
可在每種期望的熒光顏色中以良好的能量轉換優(yōu)選采用相互匹配的摻 雜對，例如鈰和鋱，這里一種元素用作能量吸收劑特別是UV光吸收劑， 另一種元素用作熒光發(fā)射體。
特別是，用于摻雜納米顆粒的可選材料可以為下面的化合物，其中在 下面的符號中，冒號左邊示出了主化合物，冒號右邊示出了一種或多種摻 雜元素。如果化學元素通過逗號相互隔開并且括在括號內，則對其的使用 是可選的。根據(jù)納米顆粒期望的熒光特性，可采用一種或多種用于選擇的 化合物
BaAI204:Ei^ , BaAI2S4:Eu: BaBaO^Eu' , BaF2， BaFBr:Eu: BaFCI:Eu BaFCI:Eu2+， Pb2+, BaGa2S4:Ce3+, BaGa2S4:Eu2+, Ba2Li2Si2 07:Eu2+, Ba2Li2Si2 07:Sn2+, Ba2Li2Si2 07:Sn2+, Mn2+, BaMgAI,0O17:Ce3+, BaMgAI10O17:Eu2+， BaMgAI10O17:Eu2+, Mn2+, Ba2Mg3F10:Eu2+, BaMg3F8:Eu2+,Mn2+, Ba2MgSi207:Eu2+, BaMg2Si207:Eu2+, Ba5(P04)3CI:Eu2+, Ba5(P04)3CI:U， Ba3(P04)2:Eu2+, BaS:Au，K, BaS04:Ce3. BaS04:Eu2+, Ba2Si04:Ce3+,Li+,Mn2+, Ba5Si04Cl6:Eu2+, BaSi205:Eu2+, Ba2Si。4:Eu2+, BaSi205:Pb2+， BaxSrh-xF^Eu, BaSrMgSi207:Eu2+， BaTiP207, (Ba,Ti)2P207:Ti, Ba3W05:U, BaY2F8 Er3+,Yb+， Be2Si04:Mn2+, Bi4Ge3012, CaAI204:Ce3+， CaU407:Ce3+, CaAI204:Eu2+, CaAI204:Mn2+, CaAl407:Pb2+.Mn2+， CaAI204:Tb3+， Ca3AI2Si3012:Ce3+, Ca3AI2Si3Oi2:Ce3+, Ca3AI2Si30,2:Eu2+, Ca2B509Br:Eu2+, Ca2B509CI:Eu2+, Ca2B509CI:Pb2+， CaB204:Mn2+, Ca2B205:Mn2+, CaB204:Pb2+' CaB2P209:Eu2+, Ca5B2SiO10:Eu3+, Ca0.5Ba05Ali2O19:Ce3+,Mn2+， Ca2Ba3(P04)3CI:Eu2+， CaBr2:Eu2+ in Si02, CaCI2:Eu2+ in Si02, CaCI2:Eu2+,Mn2+ in Si02， CaF2:Ce3+, CaF2:Ce3+,Mn2+, CaF2:Ce3+,Tb3+, CaF2:Eu2+, CaF2:Mn2+, CaF2:U, CaGa204:Mn2+, CaGa407:Mn2+, CaGa2S4:Ce3+， CaGa2S4:Eu2+, CaGa2S4:Mn2+， CaGa2S4:Pb2+, CaGe03:Mn2+, Cal2:Eu2+ in Si02, Cal2:Eu2+,Mn2+ in Si02, Cal_aB04:Eu3+, CaLaB307:Ce3+,Mn2+， Ca2La2B06.5:Pb2+， Ca2MgSi207， Ca2MgSi207:Ce3+, CaMgSi206:Eu2+， Ca3MgSi208:Eu2+, Ca2MgSi207:Eu2+' CaMgSi206:Eu2+,Mn2+， Ca2MgSi207:Eu2+,Mn2+, CaMoQ4， CaMo04:Eu3+, CaO:Bi3+, CaO:Cd2+,
CaO:Cu+, CaO:Eu3+， CaO:Eu3+, Na+, CaO:Mn2+, CaO:Pb2+, CaO:Sb3+, CaO:Sm3+， CaO:Tb3+, CaO:TI, CaO.Zn2+, Ca2P207:Ce3+, a-Ca3(P04)2:Ce3+， (3-Ca3(P04)2:Ce3+, Ca5(P04)3CI:Eu2+, Ca5(P04>3CI:Mn2+， Ca5(P04)3CI:Sb3+, Ca5(P04)3CI:Sn2+, p-Ca3(P04〉2:Eu2+'Mn2+, Ca5(P04)3F:Mn2+, Cas(P04)3F:Sb3+, Cas(P04)3F:Sn2+, a-Ca3(P04)2:Eu2+, p-Ca3(P04)2:Eu2+, Ca2P207:Eu2+, Ca2P207:Eu2+,Mn2+, CaP206:Mn2+, a-Ca3(P04)2:Pb2+, a-Ca3(P04〉2:Sn2+, p_Ca3(P04)2:Sn2+, )3-Ca2P207:Sn,Mn, a-Ca3(P04)2:Tr, CaS:Bi3+, CaS:Bi3+,Na, CaS:Ce3+, CaS:Eu2+, CaS:Cu+,Na+, CaS±a3+， CaS:Mn2+, CaS04:Bi, CaS04:Ce3+, CaS04:Ce3+，Mn2+, CaS04:Eu2+, CaS04:Eu2+,Mn2+, CaS。4:Pb2+, CaS:Pb2+, CaS:Pb2+,CI, CaS:Pb2+,Mn2+， CaS:Pr3+,Pb2+,CI, CaS:Sb3+, CaS:Sb3+,Na， CaS:Sm3+， CaS:Sn2+, CaS:Sn2+,F, CaS:Tb3+， CaS:Tb3+'CI, CaS:Y3+, CaS:Yb2+, CaS:Yb2+,CI, CaSi03:Ce3+, Ca3Si04CI2:Eu2+, Ca3Si04CI2:Pb2+， CaSi03:Eu2+, CaSi03:Mn2+,Pb, CaSi03:Pb2+, CaSi03:Pb2+,Mn2+, CaSi03:Ti4+, CaSr2(P04)2:Bi3+, |HCa,Sr)3(P04)2:Sn2+Mn2+, CaTio.gAI(M03:Bi3+, CaTi03:Eu3+， CaTi03:Pr3+, Ca5(V04)3CI， CaW04, CaW。4:Pb2+, CaW04:W, Ca3W06:U, CaYAI04:Eu3+, CaYB04:Bi3+, CaYB04:Eu3+, CaYB0.8O3.7:Eu3+, CaY2Zr06:Eu3+， (Ca,Zn,Mg)3(P04)2:Sn, CeF3， (Ce,Mg)BaAI"018:Ce, (Ce,Mg)SrAI"O化:Ce, CeMgAI"O19:Ce:Tb, Cd2B60":Mn2+, CdS:Ag+,Cr, CdS:ln， CdS:ln, CdS:ln,Te, CdS:Te, CdW04， CsF, Csl, Csl:Na+, Csl:TI, (ErCI3)0.25(BaCI2>0.75, GaN:Zn， Gd3Ga5012:Cr3+, Gd3Ga5。12:Cr,Ce, GdNb04:Bi3+, Gd202S:Eu3+， Gd202Pr3*, Gd202S:Pr,Ce,F, Gd202S:Tb3+, Gd2Si05:Ce3+, KAI"017:"n+, KGa"017:Mn2+, K2La2Ti3O10:Eu, KMgF3:Eu2+' KMgF3:Mn2+, K2SiF6:Mn4+, LaAI3B4012:Eu3+, LaAB206:Eu3+, LaAI03:Eu3+, LaAI03:Sm3+, LaAs04:Eu3+， LaBr3:Ce3+, LaB03:Eu3+, (La,Ce,Tb)P04:Ce:Tb， LaCI3:Ce3+, La203:Bi3+, LaOBr:Tb3+, LaOBr:Tm3+， LaOCI:Bi3+, LaOCI:Eu3+, LaOF:Eu3+， La203:Eu3+, La203:Pr3+, La202S:Tb3+， LaP04:Ce3+, LaP04:Eu3+， LaSi03CI:Ce3+， LaSi03CI:Ce3+,Tb3+, LaV04:Eu3+, La2W3012:Eii3+, LiAIF4:Mn2+, LiAI508:Fe3+, LiAI02:Fe3+， LiAI。2:Mn2+, LiAI508:Mn2+, Li2CaP207:Ce3+，Mn2+， UCeBa4Si4014:Mn2+, LiCeSrBa3Si4014:Mn2+， Liln02:Eu3+， Liln02:Sm3+, LiLa02:Eu3+， LuAI03:Ce3+， (Lu'Gd)2Si05:Ce3+, Lu2Si05:Ce3+, Lu2Si207:Ce3+, LuTa04:Nb5+, LuLxYxAIC^Ce", MgAI204:Mn2+， MgSrAI10O17:Ce, MgB204:Mn2+, MgBa2(P04)2:Sn2+， MgBa2(P04〉2:U, MgBaP207:Eu2+, MgBaP207:Eu2+,Mn2+, MgBa3Si208:Eu2+, MgBa(S04)2:Eu2+, Mg3Ca3(P04)4:Eu2+, MgCaP207:Mn2+， Mg2Ca(S04)3:Eu2+, Mg2Ca(S04)3:Eu2+，Mn2, MgCeAln019:Tb3+,Mg4(F)Ge06:Mn2+, Mg4(F)(Ge,Sn)06:Mn2+， MgF2:Mn2+, MgGa204:Mn2+, Mg8Ge20"F2:Mn4+, MgS:Eu2+, MgSi03:Mn2+, Mg2Si04:Mn2+， Mg3Si03F4:Ti4+, MgS04:Eu2+, MgS04:Pb2+, MgSrBa2Si207:Eu2+, MgSrP207:Eu2+, MgSr5(P04)4:Sn2+, MgSr3Si208:Eu2+,Mn2+, Mg2Sr(S04)3:Eu2+, Mg2Ti04:Mn4+, MgW04, MgYB04:Eu3+, Na3Ce(P04)2:Tb3+, Nal:TI， NaLnKo^Euo.^TiSLiOnfu3*, Nat23Ko.42Euo.，2TiSi5Ch3xH20:Eu3+, Nai.29K0.46Er008TiSi4O":Eu3+， Na2Mg3AI2Si2O10:Tb， Na(Mg2-xMnx)LiSi4O10F2:Mn， NaYF4:Er3+, Yb3+， NaY02:Eu3+, P46(70%) + P47 (30%), SrAI12019:Ce3+, Mn2+, SrAI204:Eu2+, SrAI407:Eu3+, SrAI12019:Eu2+, SrAI2S4:Eu2+, Sr2B509CI:Eu2+, SrB407:Eu2+(F,CI，Br), SrB407:Pb2+, SrB407:Pb2+, Mn2+， SrB8013:Sm2+, SrxBayClzAI204-z/2: Mn2+, Ce3+, SrBaSi04:Eu2+, Sr(CI,Br,l)2:Eu2+ in Si02, SrCI2:Eu2+ in Si02， Sr5CI(P04)3:Eu, SrwFxB406.5:Eu2+, SrwFxByOz:Eu2+,Sm2+, SrF2:Eu2+, SrGa12019:Mn2+， SrGa2S4:Ce3+， SrGa2S4:Eu2+， SrGa2S4:Pb2+, Srln204:Pr3+， AI3+， (Sr,Mg)3(P04)2:Sn， SrMgSi206:Eu2+, Sr2MgSi207:Eu2+, Sr3MgSi208:Eu2+， SrMo04:U, SrO3B203:Eu2+，CI， B-Sr0.3B203:Pb2+, SrO.3B203 :Pb2+，Mn2+, a_SrO,3B203:Sm2+, Sr6P5BO20:Eu, Sr5(P04)3CI:Eu2+, Sr5(P04)3CI:Eu2+,Pr3+, Sr5(P04)3CI:Mn2+, Sr5(P04)3CI:Sb3+， Sr2P207:Eu2+, p-Sr3(P04)2:Eu2+， Sr5(P04)3F:Mn2+， Sr5(P04)3F:Sb3+， Sr5(P04)3F:Sb3+,Mn2+, Sr5(P04)3F:Sn2+， Sr2P207:Sn2+， p-Sr3(P04)2:Sn2+， (3-Sr3(P04)2:Sn2+,Mn2+(AI)， SrS:Ce3+, SrS:Eu2+, SrS:Mn2+, SrS:Cu+,Na, SrS04:Bi, SrS04:Ce3+， SrS04:Eu2+, SrS04:Eu2+，Mn2+， Sr5SUO10CI6:Eu2+, Sr2Si04:Eu2+， SrTi03:Pr3+, Sr"n03:Pr3+，AI3+， Sr3W06:U, SrY203:Eu3+. Th02:Eu3+, Th02:Pr3+, Th02:Tb3+， YAI3B4012:Bi3+, YAI3B4012:Ce3+, YAl^O^Ce^Mn, YAI3B4012:Ce3+,Tb3+, YAI3B4012:Eu3+, YAI3B4012:Eu3+,Cr3+， YAI3B4012:Th4+,Ce3+,Mn2+, YAI03:Ce3+， Y3AI5012:Ce3+, Y3AI5012:Cr3+, YAI03:Eu3+， Y3AI5012:Eu3r， Y4AI209:Eu3+, Y3AI5012:Mn4+, YAI03:Sm3+, YAI03:Tb3+， Y3AI5012:Tb3+, YAs04:Eu3+, YB03:Ce3+, YB03:Eu3+, YF3:Er3+，Yb3+， YF3:Mn2+, YF3:Mn2+'Th4+, YF3:Tm3+,Yb3+, (Y,Gd)B03:Eu， (Y，Gd)B03:Tb, (Y,Gd)203:Eu3+, Y134Gd060O3(Eu,Pr), Y203:Bi3+， YOBr:Eu3+， Y203:Ce， Y2。3:Er3+， Y203:Eu3+(YOE), Y203:Ce3+,Tb3+, YOCI:Ce3+, YOCI:Eu3+, YOF:Eu3+， YOF:Tb3+, Y203:Ho3+, Y202S:Eu3+， Y202S:Pr3+， Y202S:Tb3+, Y203:Tb3+， YP04:Ce3+, YP04:Ce3+,Tb3+, YP04:Eu3+, YP04:Mn2+,Th4+, YP04:V, Y(P,V)04:Eu. Y2Si05:Ce3+, YTa04, YTa04:Nb5+， YV04:Dy3+, YV04:Eu3+， ZnAI2。4:Mn2+, ZnB204:Mn2+, ZnBa2S3:Mn2+, (Zn,Be)2Si04:Mn2+， Zn04Cd06S:Ag,
Zn06Cd04S:Ag, (Zn'Cd)S:Ag，CI, (Zn,Cd)S:Cu， ZnF2:Mr^ , ZnGa204, ZnGa204:Mn2+， ZnGa2S4:Mn2+, Zn2Ge04:Mn2+, (Zn,Mg)F2:Mn2+, ZnMg2(P04)2:Mn2+， (Zn,Mg)3(P04)2:Mn2+, ZnO:AI3+,Ga3+, ZnO:Bi3+， ZnO:Ga3+， ZnO:Ga' ZnO-CdO:Ga, ZnO:S, ZnO:Se, ZnO:Zn， ZnS:Ag+,C「， ZnS:Ag,Cu,CI, ZnS:Ag,Ni， ZnS:Au,ln, ZnS-CdS (25-75), ZnS-CdS (50-50), ZnS-CdS (75-25)， ZnS-CdS:Ag,Br,Ni, ZnS-CdS:Ag+,CI, ZnS-CdS:Cu,Br, ZnS-CdS:Cu,l, ZnS:C「， ZnS:Eu2+, ZnS:Cu, ZnS:Cu+，AI3+, ZnS:Cu+,C「， ZnS:Cu,Sn, ZnS:Eu2+， ZnS:Mn2+, ZnS:Mn,Cu, ZnS:Mn2+,Te2+, ZnS:P, ZnS:p3,Cr' ZnS:Pb2+， ZnS:Pb2+,C「, ZnS:Pb，Cu， Zn3(P04)2:Mn2+, Zn2Si04:Mn2+， Zn2Si04:Mn2+，As5+, Zn2Si04:Mn,Sb202, Zn2Si04:Mn2+,P， Zn2Si04:Ti4+, ZnS:Sn2+, ZnS:Sn,Ag, ZnS:Sn2+,Li+， ZnS:Te，Mn， ZnS-ZnTe:Mn2+， ZnSe:Cu+,CI, ZnW04
根據(jù)另一個選擇列表，著色劑為至少一種化合物M、O^M11，這里M1 =Y、 Sc、 La、 Gd、 Lu， Mn = Eu、 Pr、 Ce、 Nd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb，或者至少一種化合物M、02S:M11,或者至少一種化合物 MraS:MIV,Mv,X，這里M瓜-Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn， MIV = Eu、 Pr、 Ce、 Mn、 Nd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb， Mv-Li、 Na、 K、 Rb， X = F、 Cl、 Br、 I，或者至少一種化合物MmMVI2S4:Mn，這里]\1￥1 =人1、 Ga、 In、 Y、 Sc、 La、 Gd、 Lu。
根據(jù)另一個選擇列表，著色劑為至少一種化合物Ln203:Eu，這里Ln =Lu、 Gd、 Y，或者至少一種化合物Ln (P， V)04:Eu,這里Ln-Lu、 Gd、 Y,或者至少一種化合物MeMo04:Eu，Na，這里Me-Ba、 Sr、 Ca， 或者至少一種化合物MeW04:Eu，這里Me-Ba、 Sr、 Ca。
這種著色劑可商業(yè)獲得或者可通過從文獻已知的制備過程獲得。特別 是在國際專利申請WO2002/20696和WO2004/096714中描述了優(yōu)選待使 用的制備過程，其相應的公開內容自此引入作為參考。
才艮據(jù)該目標，本發(fā)明還涉及一種包括至少一種光源的發(fā)光器，其特征 在于其包括至少 一種根據(jù)本發(fā)明的過程制備的光電材料。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，發(fā)光器為發(fā)光二極管(LED)、有機發(fā)光 二極管(OLED)、聚合發(fā)光二極管(PLED)或者熒光燈。
對于根據(jù)本發(fā)明在發(fā)光二極管中優(yōu)選的應用中，有利的是在光電材料
中存儲從250至500nm的波長范圍選擇的輻射。
特別適合于這里所描述的本發(fā)明的發(fā)藍至紫光的二極管包括基于 GaN的半導體元件(InAlGaN)。通過通用分子式IniGajAlkN描述用于制 備發(fā)光元件的合適GaN半導體材料，這里(Xi、0《j、0《k和i + j + k-l。 這些氮化物半導體材料因此還包括例如氮化銦鎵和GaN的物質。這些半導 體例如可被摻雜微量的其它物質以提高強度或者調節(jié)所發(fā)射光的顏色。
還優(yōu)選基于氧化鋅的發(fā)光二極管。
以相似的方式從GaN層結構構造激光二極管(LD)。制備LED和 LD的工藝為本領域技術人員所熟知。
其中可將光電結構耦合至發(fā)光二極管或者發(fā)光二極管配置的可能構造 為安裝在保持架或者表面上的LED這種光電結構可用于所有構造的具有初級輻射源的照明系統(tǒng)中，所述 初級輻射源包括但不限于，放電管、熒光燈、LED、 LD (激光二極管)、 OLED和X射線管。在上下文中的術語"輻射"包括電磁光鐠的UV和IR 區(qū)域以及可見光中的輻射。在OLED中，可特別優(yōu)選采用包括聚合電致發(fā) 光化合物的PLED - OLED。
在EP050174853 (Merck Patent GmbH)中詳細描述了這種類型的發(fā) 光系統(tǒng)的構造的實例，其公開內容在此引入作為參考。
下面的實例旨在解釋本發(fā)明。但是其決不能看作是限制?？稍诮M成中
法合成。
實例
實例l:制備具有Si02壁和光語的藍綠區(qū)域阻帶的光電腔結構 首先，制備單介軟PMMA納米球。這通過無乳化劑的、水溶乳化聚 合進行。為此，對具有固定攪拌器(300rpm攪拌器速度)和回流冷凝器的 2 1雙壁攪拌容器充入1260ml的去離子水和236ml的甲基丙烯酸甲酯，并 且將該混合物保持在80。C的溫度。在添加1.18g的作為自由基引發(fā)劑的偶
氮二異丁脒二鹽酸鹽之前，可以將能夠經回流冷凝器上的過壓閥散出的弱 氮氣流通入混合物中達l小時。通過立即出現(xiàn)的才莫糊可清楚形成了乳膠顆
粒。對聚合反應進行熱監(jiān)控，由于所觀測的反應焓，溫度稍孩i上升。在2
小時之后，該溫度再次穩(wěn)定在8ox:，表示反應結束。經過冷卻之后，通過
玻璃絨過濾該混合物。采用SEM對干燥的介歉液所進行的檢驗示出了均 勻直徑為317nm的均勻球形顆粒。
這些來故用作制造光電結構的模板。為此，將10g的干燥PMMA球 懸浮在去離子水中，并通過具有抽吸作用的B ti chner漏斗過濾。
變化可選擇地，直接旋轉或者離心分離乳化聚合所產生的M液以 允許顆粒以有序方式停留，去除上清液，并如下所述進一步處理殘留物。
另一種變化可選擇地，還可緩慢蒸發(fā)乳化聚合所產生的分歉液或者 分散液中的球形沉淀。如下進行進一步的處理。
以由3ml醇、4ml四乙氧基眭、2ml去離子水中的0.7ml的濃HC1組 成的10ml前體溶液潤濕過濾塊同時保持抽吸真空。在切斷抽吸真空之后， 對過濾塊干燥lh，然后在管式爐的剛玉容器中在空氣中進行煅燒。才艮據(jù)下 面的溫度梯度進行煅燒
a) 在2h內從RT升高至100。C，在100XM呆持2h
b) 在4h內從100。C升高至350。C,在350"C保持2h
c) 在3h內從350"C升高至550"C
d )隨后在550。C對該材料再處理14天
e)以10°C/min的速率從550。C冷卻至RT (在lh內從550'C冷卻至 RT)。
所產生的反蛋白石粉末的平均孔直徑大約為275nm (參考圖1)。反 蛋白石的粉末顆粒具有球形等效直徑為100至300jam的不規(guī)則形狀。該 腔的直徑大約為300nm并^皮尺寸大約為60nm的孔隙相互連接。
實例2:將分子熒光粉前體的醇溶液浸漬在反蛋白石的孔內并將蛋白 石內部的前體轉變?yōu)闊晒夥?br> 將5g重量比為23: 1的三(四曱基庚二醇)釔Y (CnH1902) 3和三
(四甲基庚二醇)銪Eu ( CuH1902) 3溶解在50ml醇中并在靜態(tài)真空(1 xl0_3mbar)下注入包括0.5g干燥的反SiC)2粉末的容器中。在維持的靜 態(tài)真空中對該混合物攪拌8h。然后移出并過濾該混合物，在干燥室中對過 濾塊干燥。最后，在600'C下煅燒過濾塊，產生由嵌入反蛋白石中的Y203: Eu顆粒組成的白色、孩i:細粉末。
實例3:將分子熒光粉前體的水溶液浸漬入反蛋白石的孔內并將蛋白 石內部的前體轉變?yōu)闊晒夥?br> 將O.Olmol的Y (N03) 3 x 6H20和0.0004mol的Eu (N03) 3溶解在 70ml水中并在靜態(tài)真空下注入包括0.5g干燥的反Si()2粉末的容器中。在 真空中對該混合物攪拌8h。然后移出并過濾該混合物，在干燥室中對過濾 塊干燥。隨后，在600t:下煅燒過濾塊，產生由嵌入反蛋白石中的Y203: Eu顆粒組成的白色、；微細粉末。
實例4:通過分散液擴散將納米熒光粉顆粒滲透入反蛋白石的孔中
熒光粉分歉液為的尺寸為lOnm的納米顆粒(Y。.93Eu3、.07) V04的1 重量％的水溶分軟液，該介歉液由Nanosolutions GmbH以名稱及五iV-JVn^ 作為10重量％的水溶分散液出售。
將100mg的反蛋白石粉末在200X:的溫度在噴油旋轉泵真空(1 x io-3mbar)中加熱一天。該操作保證了去除蛋白石粉末孔中的吸收物。在冷 卻至室溫以后，將10ml 1重量％的水溶焚光粉介軟液注入含反蛋白石粉末 的靜態(tài)真空中，以覆蓋反蛋白石粉末。在這里發(fā)生由毛細作用驅動的熒光 粉顆粒向孔內的擴散。該混合物被維持整夜，其間直到大氣壓占系統(tǒng)主導 時靜態(tài)真空才消散。隨后每15分鐘對該系統(tǒng)抽空5次以去除滲入孔的氣泡 和進一步將熒光粉顆粒移入孔中以進行擴散。通過在充氣階段仔細攪拌所 產生的空穴力(cavitation force)增強擴散。
然后倒出上層*液，以水對該粉末沖洗多次，在干燥室中進行干燥， 并隨后在爐中的剛玉盤內在600X:下加熱3h，并在冷卻至室溫之前在該溫 度煅燒3h。
實例5:將分子熒光粉前體(絡合物)的水溶液浸漬入反蛋白石的孔
中并將蛋白石內部的前體熱轉變?yōu)闊晒夥?br> 將0.6mmol的La (N03) 3和0.4mmol的Eu (N03) 3和2mmo1的檸 檬酸溶解在10ml的H20中。^通過加溫將1.5mmol的\￥02溶解在少 量11202 (先是15%、然后35%的11202)中，形成深藍、清澈的溶液。將 該絡合物溶液注入在靜態(tài)真空下包括0.5g干燥的反Si02粉末的容器中。 對該懸浮液攪拌8h，然后過濾，然后在干燥室中在120n干燥過濾塊。隨 后在800。C煅燒過濾塊，產生由嵌入反蛋白石中的La2W3012: Eu顆粒組 成的白色、微細粉末。
實例6:將分子熒光粉前體(絡合物)的水溶液浸漬入反蛋白石的孔 中并將蛋白石內部的前體熱轉變?yōu)闊晒夥?br> 將2.32mmo1的Gd (N03) 3和0.12mmo1的Eu (N03) 3和5 mmol 的檸檬酸溶解在10ml的H20中。隨后通過加溫將2.5mmol的NasV04溶 解在5ml的H20中，并將該溶液添加至鑭系元素溶液。然后將pH調節(jié)至 8.4，并將該M物溶液注入在靜態(tài)真空下包括0.2g干燥的反SK)2粉末的 容器中。對該懸浮液攪拌8h,然后過濾，然后在干燥室中在iiot:下干燥 過濾塊。隨后在600。C下煅燒過濾塊，產生由嵌入反蛋白石中的GdV04: Eu顆粒組成的白色、；微細粉末。
實例7:將分子熒光粉前體的水溶液多次浸漬入反蛋白石的孔中并將 蛋白石內部的前體熱轉變?yōu)闊晒夥?br> 將0.095 mol的Y (N03 ) 36H20和0.005mol的Eu (N03 ) 36H20和 O.lmmol的乙二胺四乙酸溶解在70ml的水中，并將溶液的pH調節(jié)至8。 將該溶液注入在靜態(tài)真空下包括0.5g干燥的反SK)2粉末的容器中。對該 懸浮液攪拌8h，然后過濾該混合物，并在干燥室中在110"C下干燥過濾塊。 隨后在600。C下煅燒過濾塊，產生由嵌入反蛋白石中的Y203: Eu顆粒組 成的白色、微細粉末，在這里對蛋白石充入4重量％的Y203: Eu。
然后再對該過程重復另外三次，充入的程度提高至15重量％。200780006770.5
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圖4:反Si02中各種充入程度的Y203:5%Eu的發(fā)射光譜(在254nm 下激發(fā))。


圖1示出了 SK)2光電腔結構(蛋白石結構)的SEM照片。由腔(常 規(guī)直徑為275nm的中空體)組成的規(guī)則排列清楚地示出。通過較小的連接 通道相互連接腔，使得例如可經過液相填充(參見實例l)。
蛋白石中的Y203:Eu"(5%)<formula>formula see original document page 21</formula>
權利要求
1. 一種制備光電材料的方法，所述光電材料具有容納至少一種著色劑的規(guī)則排列的腔，其特征在于a)規(guī)則排列蛋白石模板球，b)對所述球的間隙填充一種或多種壁材料前體，c)形成壁材料，并去除所述蛋白石模板球，d)將所述著色劑引入所述腔，其中通過利用孔擴散的溶液浸漬將溶解的著色劑前體引入所述反蛋白石的所述腔，e)去除所述溶劑，f)在后續(xù)步驟中將所述前體轉變?yōu)樗鲋珓?br> 2. 根據(jù)權利要求1的方法，其特征在于在步驟a)之前將至少一種 著色劑或者著色劑前體引入所述蛋白石模板球。
3. 根據(jù)權利要求1和/或2的方法，其特征在于除了步驟b)中的壁 材料前體以外，將著色劑的一種或多種前體和/或納米顆粒和著色劑另外引入球間隙。
4. 根據(jù)權利要求1至3中至少一項的方法，其特征在于步驟c)為 在優(yōu)選高于200。C:、特別優(yōu)選高于400。C的溫度進行煅燒。
5. 根據(jù)權利要求1至4中至少一項的方法，其特征在于步驟f)為 在優(yōu)選高于200。C、特別優(yōu)選高于400"C的溫度進行煅燒，其中還添加反應 氣體。
6. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于在降低的氣壓 和/或升高的溫度下進行步驟e)。
7. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所迷光電材料 的所述壁基本由氧化物或者硅、鈦、鋯和/或鋁的混合氧化物組成，優(yōu)選由 二氧化硅組成。
8. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所述光電材料 的腔的直徑處于100 - 600nm的范圍內。
9. 根據(jù)前述^又利要求中至少一項的方法，其特征在于以至少一種著 色劑對所述光電材料的腔填充至至少體積1%、最多50體積％的程度，這 里優(yōu)選以至少一種著色劑將所述腔填充至至少5體積％、最多30體積％的 程度。
10. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所迷至少一種 著色劑組成光電材料的5至75重量％ ，這里所述至少一種著色劑優(yōu)選組成 所述光電材料的25至66重量％ 。
11. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所述采用的光 電材料為由發(fā)出從550到700nm范圍內的輻射的發(fā)射體組成的著色劑，其 為摻雜有銪、釤、鋱或者鐠的稀土化合物。
12. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所述采用的著 色劑為至少一種化合物M、03:M11，這里IV^-Y、 Sc、 La、 Gd、 Lu, M" =Eu、 Pr、 Ce、 Nd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb,或者至少一種化合物 M、02S:M11，或者至少一種化合物MmS:M^,A，X，這里Mm-Mg、 Ca、 Sr、 Ba、 Zn， M"-Eu、 Pr、 Ce、 Mn、 Nd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb， A = Li、 Na、 K、 Rb，并且X-F、 Cl、 Br、 I，或者至少一種化合物 MmM^Sv.M11,這里MV-A1、 Ga、 In、 Y、 Sc、 La、 Gd、 Lu。
13. 根據(jù)前述權利要求中至少一項的方法，其特征在于所述采用的著 色劑為至少一種化合物Ln203:Eu，這里Ln-Lu、 Gd、 Y，或者至少一種 化合物Ln (P， V) 04:Eu，這里Ln-Lu、 Gd、 Y，或者至少一種化合物 MeMo04:Eu，Na，這里Me = Ba、 Sr、 Ca，或者至少一種孑匕合物MeW04:Eu， 這里Me-Ba、 Sr、 Ca。
14. 根據(jù)權利要求11的方法，其特征在于所述采用的稀土化合物為 選自如下的化合物磷酸鹽、面代磷酸鹽、砷酸鹽、硫酸鹽、硼酸鹽、硅 酸鹽、鋁酸鹽、掊酸鹽、鍺酸鹽、氧化物、釩酸鹽、鈮酸鹽、鉭酸鹽、鵠 酸鹽、鉬酸鹽、堿金屬卣化物、鹵化物、氮化物、氮珪酸鹽、氧氮硅酸鹽、 石?；?、硒化物、；克竭化物和氧硫化物。
15. —種包括至少一個光源的發(fā)光器，其特征在于其包括至少一種通 過根據(jù)權利要求1至14中至少一項的方法制備的至少一種光電材料。
16. 根據(jù)權利要求15的發(fā)光器，其特征在于所述光源為銦鋁鎵氮化 物，特別是以分子式IniGajAlkN表示的銦鋁鎵氮化物，這里0《i、 (Kj、 0 "和i + j + k-l。
17. 根據(jù)權利要求15和/或16的發(fā)光器，其特征在于所述光源為基于 ZnO的4匕合物。
18. 根據(jù)權利要求15至17中至少一項的發(fā)光器，其特征在于所ii^C 光器為發(fā)光二極管(LED)、有機發(fā)光二極管(OLED)、聚合發(fā)光二極 管(PLED)或者熒光燈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種將納米熒光粉(熒光粉)結合到微光學結構的工藝以及相應的發(fā)光器。在該浸漬工藝中，包括反蛋白石粉末的微光學系統(tǒng)被填充納米熒光粉分散液。
文檔編號G02B6/122GK101389990SQ200780006770
公開日2009年3月18日 申請日期2007年1月27日 優(yōu)先權日2006年2月27日
發(fā)明者H·溫克勒, H·貝克特爾, J·奧皮茲, T·朱斯特爾 申請人:默克專利有限公司;皇家菲利浦電子公司