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      低開(kāi)關(guān)電壓、快速響應(yīng)數(shù)字光開(kāi)關(guān)的制作方法

      文檔序號(hào):2738222閱讀:178來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:低開(kāi)關(guān)電壓、快速響應(yīng)數(shù)字光開(kāi)關(guān)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種數(shù)字光開(kāi)關(guān)(DOS),尤其是低開(kāi)關(guān)電壓、快速響應(yīng)數(shù)字電力驅(qū)動(dòng)光 (電光)開(kāi)關(guān)。
      背景技術(shù)
      眾所周知,自電話和電報(bào)的發(fā)展初期以來(lái),通訊信號(hào)通常是通過(guò)銅線和電纜傳輸 的。但是近年來(lái),越來(lái)越多的通訊信號(hào)以光束的形式通過(guò)光波導(dǎo)與光纖傳輸。多種外圍設(shè) 備已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái),例如基于光波導(dǎo)的連接器和轉(zhuǎn)換器。尤其是被稱為集成光路的技術(shù)已廣 泛用于處理光通訊信號(hào)。采用這種技術(shù),通訊信號(hào)以光束形式通過(guò)光波導(dǎo)傳輸,光波導(dǎo)形成 于由電光材料(例如鈮酸鋰(LiNb03))制成的基質(zhì)中。盡管集成光路如今已廣泛用于傳輸信號(hào),但是這種技術(shù)對(duì)于轉(zhuǎn)換與路線選擇功能 的使用仍然受到制造具有充足特性與性能的光開(kāi)關(guān)裝置的困難程度的限制。在數(shù)字光開(kāi)關(guān) 中,在輸入端接收光信號(hào),并且將其選擇地供應(yīng)至一個(gè)或多個(gè)輸出端。直至現(xiàn)在,已經(jīng)發(fā)展 了基于不同技術(shù)的數(shù)字光開(kāi)關(guān),尤其是微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、磁光及電光開(kāi)關(guān),后者的響應(yīng) 速度要比前者的快。圖1示出1X2數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)示例,示出光輸入,輸入光信號(hào)被提供至光輸 入;電輸入,電力驅(qū)動(dòng)信號(hào)以開(kāi)關(guān)電壓形式被提供至電輸入以電力地驅(qū)動(dòng)數(shù)字電光開(kāi)關(guān); 以及兩個(gè)光輸出,輸入光信號(hào)作為電力驅(qū)動(dòng)信號(hào)的結(jié)果被選擇地供應(yīng)。圖1還示出電光開(kāi) 關(guān)的階躍響應(yīng)功能,示出在光輸出端光能與電力驅(qū)動(dòng)信號(hào)相反。EP0898197公開(kāi)了已知的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的一個(gè)例子并且在圖2示出。數(shù)字電光開(kāi) 關(guān)1大致包括Y形光波導(dǎo)2,其形成于電光材料(例如鈮酸鋰)的0.2-lmm厚的基質(zhì)3(所 示構(gòu)造中沿X切定向)。Y形光波導(dǎo)2包括在使用中構(gòu)造為連接至輸入光波導(dǎo)(未示出)的輸入分支4、以 及兩個(gè)輸出分支5,所述輸出分支5在使用中構(gòu)造為連接至相應(yīng)的輸出光波導(dǎo)(未示出)。 輸入光波導(dǎo)、輸出波導(dǎo)、及Y形光波導(dǎo)2優(yōu)選地為以常規(guī)方式(例如對(duì)于鈮酸鋰基質(zhì),選擇 性地?cái)U(kuò)散鈦至基質(zhì)本身)形成的單峰(monomodal)光波導(dǎo)。數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1還包括電極結(jié)構(gòu),所述電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)l-30i!m厚的由金或類 似金屬以常規(guī)方式形成于基質(zhì)3的表面上的導(dǎo)電電極,并且由此設(shè)置為可操作地結(jié)合至Y 形光波導(dǎo)2以促使在輸入分支4接收的光信號(hào)被選擇地供應(yīng)至兩個(gè)輸出分支5中的僅一 個(gè)。特別地,電極結(jié)構(gòu)被電力地驅(qū)動(dòng)以使得數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1工作在兩種開(kāi)關(guān)狀態(tài)之間在第 一開(kāi)關(guān)狀態(tài),光能的傳輸在輸入波導(dǎo)和第一輸出波導(dǎo)之間是增強(qiáng)的,并且在第二輸出波導(dǎo) 中是大致抑制的,在第二開(kāi)關(guān)狀態(tài),光能的傳輸在輸入波導(dǎo)和第二輸出波導(dǎo)之間是增強(qiáng)的, 并且在第一輸出波導(dǎo)中是大致抑制的。更具體地說(shuō),所述電極結(jié)構(gòu)被設(shè)置于光波導(dǎo)2的分支區(qū)域,并且包括設(shè)置于輸出 分支5之間的內(nèi)電極7,以及兩個(gè)外電極6,所述外電極6被設(shè)置于輸出分支5外側(cè)、對(duì)稱于 內(nèi)電極7的相對(duì)兩側(cè)。
      通常,電極間間距GQ (相鄰電極6、7之間的距離)的范圍在4至20 iim之間,每個(gè) 電極6、7與光波導(dǎo)2的相鄰的輸出分支5之間的間距隊(duì)的范圍在3至10 y m之間,并且互 作用長(zhǎng)度LJ內(nèi)電極7在外電極6之間的部分的長(zhǎng)度)的范圍在1至30mm之間。內(nèi)電極7通常接地,而在外電極6上交叉地加載開(kāi)關(guān)電壓以形成外電極6與內(nèi)電 極7之間的電場(chǎng),所述電場(chǎng)穿過(guò)設(shè)置于所述電極之間的輸出分支5,并且其方向橫切于光信 號(hào)在輸出分支5中傳播的方向,在參考的實(shí)施例(X切LiNb03基質(zhì))中以平行于Z晶軸線 的方向?;|(zhì)3的電光特性允許開(kāi)關(guān)電壓以相反方式改變輸出分支5的折射率,即增加一 個(gè)輸出分支5中的折射率并且減小另一個(gè)輸出分支5中的折射率。當(dāng)達(dá)到閾值電場(chǎng)時(shí),輸 入光信號(hào)僅供應(yīng)至具有較高折射率的輸出分支5。當(dāng)流經(jīng)數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的光能并非完全地限制在光波導(dǎo)2中時(shí),為了防止或最小 化由于電極6、7對(duì)流出光波導(dǎo)2的剩余光能的吸收所造成的光損失,電極6、7是與光波導(dǎo) 2相隔離的。通常,如圖3所示,所述隔離通過(guò)0.1至l.Oym厚的連續(xù)電介質(zhì)(Si02)過(guò)渡 層8得到保證,所述過(guò)渡層8形成于光波導(dǎo)2的分支區(qū)域、基質(zhì)3的表面與電極6、7之間, 并且延伸至電極6與7的整個(gè)長(zhǎng)度。另外,在那些電介質(zhì)過(guò)渡層8不會(huì)貢獻(xiàn)于數(shù)字電光開(kāi) 關(guān)1的射頻(RF)性能的應(yīng)用中,沒(méi)有電介質(zhì)過(guò)渡層8形成于基質(zhì)3的表面與電極6、7之間, 并且確保隔離如圖4所示,即將電極6、7比圖3所示實(shí)施例更進(jìn)一步遠(yuǎn)離光波導(dǎo)2設(shè)置,以 減小光發(fā)散吸收。在該實(shí)施例中,電極間間距&通常范圍在4至20 y m,并且每個(gè)電極6、7 與光波導(dǎo)2的相鄰的輸出分支5之間的間距隊(duì)范圍在3至10 y m。

      發(fā)明內(nèi)容
      申請(qǐng)人:注意到,盡管上述類型的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)表現(xiàn)出比基于不同技術(shù)的數(shù)字光開(kāi) 關(guān)更快速的響應(yīng),但是它們需要更高的開(kāi)關(guān)電壓。實(shí)際上,光波導(dǎo)與電極的隔離限制了加載 于光波導(dǎo)的有效電場(chǎng)、以及由此限制了所謂的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的電光效應(yīng),并且所述限制通 常通過(guò)適當(dāng)?shù)卦黾娱_(kāi)關(guān)電壓來(lái)抵消(compensated)。而且,在具有電介質(zhì)過(guò)渡層的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)中,電光效應(yīng)被屏蔽效應(yīng)進(jìn)一步限制, 所述屏蔽效應(yīng)是由于電極與光波導(dǎo)之間存在電容耦合所產(chǎn)生的。實(shí)際上,光波導(dǎo)的形成 (包括Ti沉積與擴(kuò)散)通常會(huì)對(duì)基質(zhì)晶體產(chǎn)生損害,并且生成自由電荷。當(dāng)所述電極之間 加載DC電壓時(shí),自由電荷運(yùn)動(dòng)到光波導(dǎo)的相鄰的輸出分支的表面,在輸出分支與電介質(zhì)過(guò) 渡層接觸的接觸面,從而起電容作用,所述電容標(biāo)記為圖3中(;。該電容阻斷自由電荷,因 此導(dǎo)致對(duì)加載的開(kāi)關(guān)電壓的屏蔽效應(yīng)。為了維持電光耦合(開(kāi)關(guān)處于轉(zhuǎn)換狀態(tài))的穩(wěn)定, 因此需要不斷調(diào)整(DC飄移效應(yīng))加載于電極之間的開(kāi)關(guān)電壓,因此補(bǔ)償屏蔽效應(yīng)。由于電極與光波導(dǎo)的相鄰的輸出分支之間基質(zhì)的原始晶體表面的存在,在電極與 基質(zhì)之間沒(méi)有電介質(zhì)過(guò)渡層的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)中也會(huì)發(fā)生較弱的DC飄移效應(yīng)。由于并非完 全絕緣(dielectricity),該原始表面作為電容與電阻的并聯(lián)起作用,在圖4中標(biāo)記為Cs與 Rs,因此導(dǎo)致對(duì)加載的開(kāi)關(guān)電壓的較弱的屏蔽效應(yīng)。本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的數(shù)字電光開(kāi)關(guān),其允許加載于電極的開(kāi)關(guān)電壓的 顯著降低并且完全抵消DC飄移效應(yīng)。該目標(biāo)由本發(fā)明實(shí)現(xiàn),其中本發(fā)明涉及所附權(quán)利要求所限定的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)。
      本發(fā)明通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),通過(guò)去除圖3所示的基質(zhì)中的過(guò)渡層,并且 在每個(gè)電極與電極之下的基質(zhì)的表面之間形成透光材料與弱導(dǎo)電材料制成的薄膜,例如氧 化銦錫(IT0),每層薄膜都比其上的電極要寬一些,因此也部分地在光波導(dǎo)的相鄰的輸出分 支之上延伸。如果數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的工作頻率范圍需要,過(guò)渡層也可以再次被引入電極與透 光導(dǎo)電薄膜之間以減小電信號(hào)的傳播速度,并且使其等于光信號(hào)的傳播速度。在這種情況 下,通過(guò)過(guò)渡層中形成的孔,電極被連接至透光導(dǎo)電薄膜?;|(zhì)與電極之間的此類薄膜的插入允許加載于外電極之間的開(kāi)關(guān)電壓的顯著減 小,為了加載于光波導(dǎo)的同樣效力的電場(chǎng),因此增強(qiáng)了數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的電光效應(yīng)。此外,基 質(zhì)與電極之間的此類薄膜的插入允許屏蔽效應(yīng)以及由此的DC飄移效應(yīng)被完全抵消。


      為了更好的理解本發(fā)明,下面將僅以示例的方式而非限定地參照附圖(全部未按 比例)描述本發(fā)明,其中圖1示出1X2數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)示意圖及其響應(yīng)函數(shù);圖2示出現(xiàn)有的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的示意圖;圖3示出圖1中數(shù)字電光開(kāi)關(guān)部分的截面圖及其電學(xué)動(dòng)態(tài)模型;圖4示出現(xiàn)有的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)(電極下面沒(méi)有過(guò)渡層)的截面圖及其電學(xué)動(dòng)態(tài)模 型;圖5示出根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)部分的截面圖;圖6與圖7示出根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)部分的截面圖;以及圖8示出本發(fā)明的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)的工作參數(shù)的列表。
      具體實(shí)施例方式以下論述是確保本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造與使用本發(fā)明。并不背離本發(fā)明所要求 保護(hù)的范圍的對(duì)實(shí)施例所做的多種調(diào)整對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是明顯的。因此,本發(fā)明并 不限定為所示的實(shí)施例,而是對(duì)應(yīng)所附權(quán)利要求所公開(kāi)與限定的原理與特征相一致的最廣 泛的范圍。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)部分的截面圖,其中與圖3及 圖4中相同的附圖標(biāo)記及符號(hào)指定相同的元件,將不再描述。如圖5所示,并不形成電介質(zhì)過(guò)渡層8,并且在每個(gè)電極(6、7)與下面的基質(zhì)3的 表面之間形成一薄層或薄膜9,所述薄層或薄膜9是由透光及弱導(dǎo)電性材料制成,例如氧化 銦錫(IT0)。每層薄膜9的厚度為0. 05至0.3i!m并且其尺寸設(shè)置為使得薄膜間間距&(相 鄰薄膜9之間的距離)小于電極間間距&,并且具體地,基于工作波長(zhǎng),其范圍在4至8 y m 之間。更具體地,每層薄膜9側(cè)向延伸超過(guò)其上相應(yīng)的電極6、7并且部分地覆蓋光波導(dǎo)2 的相鄰的輸出分支5。圖6示出本發(fā)明中數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的不同實(shí)施例,其中每層薄膜9的寬度小于圖5 所示的寬度,因此薄膜9并不部分地覆蓋光波導(dǎo)2的相鄰的輸出分支5延伸,而是在每層薄 膜9與光波導(dǎo)2的相鄰的輸出分支5之間形成間距D”范圍在0至10 y m。在本實(shí)施例中, 基于工作波長(zhǎng),薄膜間間距&的范圍在8至20 y m之間。
      圖7示出本發(fā)明的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的另一個(gè)實(shí)施例,其中,如果數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的 工作頻率范圍需要,則在每個(gè)電極(6、7)與其下透光導(dǎo)電薄膜9之間提供電介質(zhì)(Si02)過(guò) 渡層8,以減小電信號(hào)的傳播速度并使其等于光信號(hào)的傳播速度。在本實(shí)施例中,通過(guò)形成 于過(guò)渡層8中的過(guò)孔,電極6、7都連接至在它們下面的透光導(dǎo)電薄膜9。不同于圖2和圖3 所示實(shí)施例中的過(guò)渡層8,其中連續(xù)的電介質(zhì)過(guò)渡層8設(shè)置為在基質(zhì)表面3上延伸,延伸超 過(guò)光波導(dǎo)2,在這個(gè)不同的實(shí)施例中,電介質(zhì)過(guò)渡層8僅設(shè)置于每個(gè)電極6、7與它們下面的 薄膜9之間,并且因此并不延伸超過(guò)光波導(dǎo)2。如圖7所示,每層過(guò)渡層8朝向光波導(dǎo)2的 相鄰的輸出分支5側(cè)向延伸超過(guò)相應(yīng)的電極6、7,因此形成每層過(guò)渡層8與光波導(dǎo)2的相鄰 的輸出分支5之間的間距D2,其范圍是0至10 y m。圖8示出本發(fā)明中數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的多個(gè)工作參數(shù)的列表。通過(guò)以上內(nèi)容,可以立即理解,處在電極6、7下面的薄膜9的電光特性允許加載于 外電極6之間的開(kāi)關(guān)電壓顯著降低,為了加載于光波導(dǎo)2的輸出分支5的相同效力的電場(chǎng), 因此增強(qiáng)數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1的電光效應(yīng)。實(shí)際上,薄膜9的導(dǎo)電性、以及在圖2、3與圖4中的 數(shù)字電光開(kāi)關(guān)1中薄膜間間距&小于電極間間距&的實(shí)際情況,促使電場(chǎng)線在相鄰的薄膜 9之間延伸,而不是在相鄰的電極6、7之間延伸,并且關(guān)于圖2至圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù) 字電光開(kāi)關(guān)1其中之一,使光波導(dǎo)2中的光場(chǎng)與加載的電場(chǎng)之間部分重疊情況的加劇。此 外,由于薄膜9的透光性(允許光透過(guò)的特性),它們不會(huì)吸收流經(jīng)光波導(dǎo)2的輸出分支5 的剩余光能,因此不會(huì)逆作用于光波導(dǎo)2與電極6、7之間的隔離。而且,薄膜9的導(dǎo)電性能夠完全地抵消DC飄移效應(yīng)。實(shí)際上,在光波導(dǎo)2形成期 間產(chǎn)生的自由電荷由連接至電極6、7的外部電壓電源所導(dǎo)出,因此抵消了任何的在光波導(dǎo) 2的輸出分支5的表面的電荷積聚(Cs = 0),并且因此抵消了任何的引起DC飄移效應(yīng)的屏 蔽效應(yīng)。最后,可以理解,在本發(fā)明所附權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi),可以對(duì)本發(fā)明做出多種 調(diào)整和變化。尤其,可以理解,本發(fā)明理論上還可以應(yīng)用于任意類型的數(shù)字電光開(kāi)關(guān)、特別是應(yīng) 用于具有多于兩個(gè)輸出分支的數(shù)字電光開(kāi)關(guān),并且所述數(shù)字電光開(kāi)關(guān)可操作地選擇地將輸 入分支所接收的輸入光信號(hào)供應(yīng)至多于一個(gè)的輸出分支。而且,基質(zhì)3能夠由其它電光材料制成,例如鉭酸鋰(LiTa03)或磷酸鈦氧鉀 (KTP)。
      權(quán)利要求
      一種電光開(kāi)關(guān)(1),包括電光基質(zhì)(3);光波導(dǎo)(2),其形成于所述基質(zhì)(3)中,并且包括構(gòu)造為連接至輸入光波導(dǎo)的輸入分支(4),以及構(gòu)造為連接至相應(yīng)的輸出光波導(dǎo)的輸出分支(5);以及導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)(6、7),形成于所述基質(zhì)(3)上并且設(shè)置為用以可操作地結(jié)合至所述光波導(dǎo)(2)以使在所述輸入光波導(dǎo)接收的光信號(hào)選擇地供應(yīng)至至少一個(gè)所述輸出光波導(dǎo);其特征在于,透光導(dǎo)電薄膜(9)設(shè)置于所述電極結(jié)構(gòu)(6、7)與所述基質(zhì)(3)之間。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光波導(dǎo)(2)是Y形的并且包括輸入 分支⑷與兩個(gè)輸出分支(5);并且其中所述電極結(jié)構(gòu)(6、7)包括內(nèi)電極(7)和兩個(gè)外電 極(6),所述內(nèi)電極(7)設(shè)置于所述輸出分支(5)之間,其大致處于所述光波導(dǎo)(2)的分支 區(qū)域,所述兩個(gè)外電極(6)設(shè)置于所述輸出分支(5)外側(cè)、內(nèi)電極(7)的相對(duì)兩側(cè);其中所 述電極結(jié)構(gòu)(6、7)可操作地使得所述電光開(kāi)關(guān)(1)在第一開(kāi)關(guān)狀態(tài)與第二開(kāi)關(guān)狀態(tài)之間工 作,在所述第一開(kāi)關(guān)狀態(tài),光能的傳輸在所述輸入分支(4)和所述輸出分支(5)的第一分支 之間是增強(qiáng)的,并且在所述輸出分支(5)的第二分支中是大致抑制的,在所述第二開(kāi)關(guān)狀 態(tài),光能的傳輸在所述輸入分支(4)和所述第二輸出分支(5)之間是增強(qiáng)的,并且在所述第 一輸出分支(5)中是大致抑制的。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于,所述透光導(dǎo)電薄膜(9)尺寸設(shè)置為使得每 對(duì)相鄰薄膜(9)之間的距離小于每對(duì)相鄰電極(6、7)之間的距離。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,每層透光導(dǎo)電薄膜(9)相比于其上的所述 相應(yīng)的電極(6、7)較寬。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其特征在于,每層透光導(dǎo)電薄膜(9)部分地側(cè)向覆蓋所 述光波導(dǎo)(2)的相鄰輸出分支(5)的部分。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其特征在于,每層透光導(dǎo)電薄膜(9)都被側(cè)向間隔遠(yuǎn)離 所述光波導(dǎo)⑵的相鄰的輸出分支(5)以形成它們之間的間距。
      7.根據(jù)上述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的裝置,進(jìn)一步包括電介質(zhì)過(guò)渡層(8),其設(shè)置于每層透光導(dǎo)電薄膜(9)與其上的所述相應(yīng)的電極(6、7)之 間;以及每層透光導(dǎo)電薄膜(9)與其上的所述相應(yīng)的電極(6、7)之間的電力連接。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述透光導(dǎo)電薄膜(9)通過(guò)形成于所述電 介質(zhì)過(guò)渡層(8)中的過(guò)孔,電力連接至所述相應(yīng)的電極(6、7)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置,其特征在于,每層過(guò)渡層(8)朝向所述光波導(dǎo)(2) 的相應(yīng)相鄰的輸出分支(5)側(cè)向延伸超過(guò)所述相應(yīng)的電極(6、7)以形成它們之間的間距。
      10.根據(jù)上述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的裝置,其特征在于,所述電光基質(zhì)(3)厚度為200 至1000 μ m,所述導(dǎo)電電極(6、7)厚度為1至40 μ m,并且透光導(dǎo)電薄膜(9)厚度為50至 300nmo
      11.根據(jù)權(quán)利要求10以及上述權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,所述 電介質(zhì)過(guò)渡層(8)厚度為0. 2至2 μ m。
      12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,薄膜間間距(G1)的范圍是4至20μπι, 并且電極間間距(G0)的范圍是10至40 μ m。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)字電光開(kāi)關(guān)(1),包括電光基質(zhì)(3);Y形光波導(dǎo)(2),形成于電光基質(zhì)(3)中并且包括構(gòu)造用以連接至輸入光波導(dǎo)的輸入分支(4)、以及構(gòu)造用以連接至相應(yīng)的輸出光波導(dǎo)的兩個(gè)輸出分支(5);以及導(dǎo)電電極(6、7),形成于電光基質(zhì)(3)上并且包括內(nèi)電極(7)和兩個(gè)外電極(6),所述內(nèi)電極(7)被設(shè)于輸出分支(5)之間的大致在光波導(dǎo)(2)的分支區(qū)域,所述兩個(gè)外電極(6)設(shè)于輸出分支(5)外側(cè)、內(nèi)電極(7)的相對(duì)兩側(cè),外電極(6)是電力可操作的使得電光開(kāi)關(guān)(1)在第一開(kāi)關(guān)狀態(tài)與第二開(kāi)關(guān)狀態(tài)之間工作,在第一開(kāi)關(guān)狀態(tài),光能的傳輸在輸入分支(4)和輸出分支(5)中第一分支之間是增強(qiáng)的,并且在輸出分支(5)的第二分支中是大致抑制的,在第二開(kāi)關(guān)狀態(tài),光能的傳輸在輸入分支(4)和第二輸出分支(5)之間是增強(qiáng)的,并且在第一輸出分支(5)中是大致抑制的;以及透光導(dǎo)電薄膜(9),其被設(shè)于每個(gè)電極(6、7)與基質(zhì)(3)之間。
      文檔編號(hào)G02F1/313GK101855595SQ200780101077
      公開(kāi)日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2007年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月14日
      發(fā)明者路易吉·皮耶爾諾, 馬西米利亞諾·迪斯彭扎 申請(qǐng)人:塞萊斯系統(tǒng)集成公司
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