專利名稱：顯示屏板的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明總體上涉及顯示屏板，更具體而言，涉及直接在其基板上形成柵 極驅(qū)動部分的顯示屏板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(LCD)通常包括顯示屏板和背光單元。顯示屏板包括在 其上形成多個薄膜晶體管(TFT)的第一基板、與所述第一基板相對的第二 基板以及位于所述第 一和第二基板之間的液晶材料層。由于顯示屏板自身不 發(fā)光，因此其從位于所述第 一基板的背面的背光單元接收形成圖像所需的光。在第一基板上形成柵極線、數(shù)據(jù)線以及分別連接至柵極線和數(shù)據(jù)線中的 相關線路的TFT。將成像像素連接至相應的TFT，采用所述TFT以獨立于 其他像素的方式控制每一像素。分別需要柵極驅(qū)動部分和數(shù)據(jù)驅(qū)動部分驅(qū)動柵極線和數(shù)據(jù)線。當前，為 了降低驅(qū)動部分的成本，直接在第一基板上形成柵極驅(qū)動部分。形成于所述第一基板上的柵極驅(qū)動部分包括多個TFT。 TFT的功能特性 會響應于其上的入射光而改變，如果TFT的功能特性發(fā)生變化，其可能在柵 極線的驅(qū)動中導致不穩(wěn)定性問題。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)文中公開的示范性實施例，提供了包括一種機構(gòu)的顯示屏板，該機 構(gòu)用于確保顯示屏板的柵極線不遭受上述不穩(wěn)定性問題，并相應地確保顯示 屏板得到穩(wěn)定驅(qū)動。根據(jù)本發(fā)明的實施例， 一種顯示屏板包括第一基板，其具有其中形成 像素薄膜晶體管的顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；柵極線，其形成于 所述顯示區(qū)內(nèi)，并電連接到所述像素薄膜晶體管；包括驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū) 動部分，其位于所述非顯示區(qū)內(nèi)，用于驅(qū)動所述像素薄膜晶體管；以及虛設(dummy)半導體層，其形成于所述驅(qū)動部分的外圍區(qū)域內(nèi)；以及與所述第一 基板相對的第二基板。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述驅(qū)動部分包括連接至所述柵極線，并驅(qū)動所 述柵極線的柵極驅(qū)動部分。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述虛設半導體層的至少一部分形成于所述柵極 驅(qū)動部分和所述顯示區(qū)之間。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述虛設半導體層還形成于所述柵極驅(qū)動部分和 所述第一基板的邊緣之間。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述虛設半導體層和所述柵極線相互隔開。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二基板包括形成于所述顯示區(qū)內(nèi)的內(nèi)部黑 矩陣和形成于所述非顯示區(qū)內(nèi)的外側(cè)黑矩陣；并且所述柵極驅(qū)動部分位于所 述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述外側(cè)黑矩陣包括有機材料；并且所述第二基 板還包括公共電極，所述公共電極具有對應于所述顯示區(qū)形成的至少 一部分 和對應于所述棚-極驅(qū)動部分形成并且與所述4冊極驅(qū)動部分相對i殳置的開口 ， 所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述柵極驅(qū)動部分包括設置在所述第一基板的相 對側(cè)上的第一和第二柵極驅(qū)動部分，所述顯示區(qū)插置于其間；并且所述柵極 線與所述第 一 和第二柵極驅(qū)動部分交替連接。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一基板還包括跨越所述柵極線并電連接 到所述像素薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；以及電連接到所述像素薄膜晶體管的像素 電極，其中，所述像素電極包括界定一個像素的第一、第二和第三像素電極, 并且所述第 一、第二和第三像素電極分別連接至不同的柵極線。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一、第二和第三像素電極中的兩個被連接 至同一數(shù)據(jù)線，并與所述柵極線沿相同的方向延伸。根據(jù)本發(fā)明的實施例，順次驅(qū)動所述第一、第二和第三像素電極。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述虛設半導體層的至少 一部分形成于所述柵極 驅(qū)動部分的外側(cè)部分內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二基板包括形成于所述顯示區(qū)內(nèi)的內(nèi)部 黑矩陣；以及形成于所述非顯示區(qū)內(nèi)的外側(cè)黑矩陣，并且其中所述柵極驅(qū)動 部分位于所述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述外側(cè)黑矩陣包括有機材料；并且所述第二基板還包括公共電極，所述公共電極具有對應于所述顯示區(qū)形成的至少 一部分 和對應于所述4冊才及驅(qū)動部分形成并且與所述柵極驅(qū)動部分相對i殳置的開口 ， 所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例， 一種顯示屏板，包括第一基板，其包括像素薄膜晶體管；以及與所述第一基板相對的第二基板，所述第一基板還包括第一絕緣基板，其包括其中形成像素薄膜晶體管的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；柵極線，其形成于所述顯示區(qū)內(nèi)，并電連接到所述像素薄膜晶體 管；以及包括驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動部分，其位于所述非顯示區(qū)內(nèi)，用于驅(qū) 動所述像素薄膜晶體管，并且所述第二基板包括對應于所述非顯示區(qū)形成 的外側(cè)黑矩陣；以及公共電極，所述公共電極的至少一部分是對應于所述顯動部分相對設置的開口 ，所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述驅(qū)動部分包括連接至所述柵極線并驅(qū)動所述柵極線的柵極驅(qū)動部分。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述外側(cè)黑矩陣包括有機材料。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述柵極驅(qū)動部分位于所述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一基板還包括形成于所述柵極驅(qū)動部分的 外圍區(qū)域內(nèi)的虛設半導體層。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述虛設半導體層的至少 一部分形成于所述柵極 驅(qū)動部分和所述顯示區(qū)之間。考慮下文中對本發(fā)明的某些示范性實施例的詳細說明，尤其是將這樣的 考慮與附圖相結(jié)合，能夠更好地理解本發(fā)明的顯示屏板的上述和很多其他特 征和優(yōu)點，在附圖中，采用類似的附圖標記標識一幅或多幅附圖中的類似元 件。
圖1和圖2是根據(jù)本發(fā)明的LCD的第一示范性實施例的局部示意性頂 視平面圖；圖3是圖1中的虛線圈定的部分"A"的放大平面圖；圖4是沿圖1中的LCD的剖面線IV-IV觀察的圖1的LCD的截面圖； 圖5是圖3中的虛線圈定的部分"B"的放大平面圖； 圖6是圖4中的虛線圈定的部分"C"的放大正視圖； 圖7A到7E是示出了用于制造第一示范性LCD的方法的順序步驟的局 部截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的LCD的第二示范性實施例的局部示意性平面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的LCD的第三示范性實施例的局部截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的LCD的第四示范性實施例的局部截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的LCD的第五示范性實施例的局部示意性頂視平面圖；圖12是示出了第五示范性LCD的驅(qū)動的示意圖；以及 圖13是第五示范性LCD的局部截面圖。
具體實施方式
盡管將對分別作為顯示裝置和顯示屏板的例子的LCD和LCD屏板予以 說明，但是可以將本發(fā)明應用于其他顯示屏板，例如，有機發(fā)光二極管 (OLED)屏板和電泳顯示(EPD)屏板。在下文中將參考圖1到6說明根據(jù)本發(fā)明的LCD的第一示范性實施例， 其中，圖1示出了未示出其柔性構(gòu)件500和相關電路基板600的裝置的示范 性第一基板100，圖2示出了所述裝置的通過柔性構(gòu)件500互連至基板100 的電路基板600。如圖4所示，第 一示范性LCD包括其上形成了多個像素薄膜晶體管(Tp ) 的第一基板IOO、面對所述第一基板100的第二基板200、使所述第一基板 100和第二基板200在其邊緣處接合到一起的密封劑300、通過密封劑300 密封于所述第一和第二基板100和200之間的液晶材料層400以及位于所述 第一基板100之下的一個或多個光源700。如圖2所示，將柔性構(gòu)件500連接于第一基板100和電路基板600之間。 盡管圖1和圖2中未示出，但是所述LCD還可以包括位于所述第一基板100 和光源700之間的光學構(gòu)件。所述光學構(gòu)件可以包括棱鏡膜、漫射板、漫射 片、反射偏振膜或保護膜。將所述第一示范性基板100劃分為顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)。首先將參考圖1到圖6描述所述顯示區(qū)。在第一絕緣基板111上形成柵極線路圖案。柵極線路(gate wiring)可以由 單層或多層金屬形成。柵極線路包括在圖中總體上橫向延伸的柵極線121和 從所述柵極線121分支出來的柵電極122。盡管在圖中未示出，但是所述柵 極線路還可以包括與所述像素電極161重疊以形成各像素電壓存儲電容器的 存儲電極線。形成由(例如)氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的柵極絕緣膜131，以覆蓋柵極 線路。在柵電極122的柵極絕緣膜131上形成由非晶硅構(gòu)成的半導體層132, 并在半導體層132上形成包括(例如)采用n型雜質(zhì)重摻雜的硅化物或n+ 氫化非晶硅的歐姆接觸層133。將歐姆接觸層133分離成兩個部分。在所述歐姆接觸層133和柵極絕緣膜131上形成數(shù)據(jù)線路。所述數(shù)據(jù)線 路也可以由單層或多層金屬形成。所述數(shù)據(jù)線路包括數(shù)據(jù)線141，其在圖中 基本沿縱向延伸從而基本上與柵極線121垂直相交，但是其通過柵極絕緣膜 131與所述柵極線電絕緣。所述數(shù)據(jù)線包括從數(shù)據(jù)線141分支出來并且在歐 姆接觸層133之上延伸的源電極142以及與相關的源電極142分離且在歐姆 接觸層133之上延伸的漏電極143。在數(shù)據(jù)線路和未受數(shù)據(jù)線路覆蓋的半導體層132上形成由(例如)氮化 硅等構(gòu)成的鈍化膜151。在鈍化膜151內(nèi)形成通過其暴露相應的漏電極143 的接觸孔152。在鈍化膜151上形成多個像素電極161。像素電極161由諸如氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料構(gòu)成。每一像素電極161通過對應的接觸孔152與對應的像素薄膜晶體管(Tp)連接。參考圖1到圖6，第一示范性基板100的非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)如下。參考圖1,在位于顯示區(qū)的左側(cè)的基板的非顯示區(qū)內(nèi)形成用于驅(qū)動槺極線121的柵極驅(qū)動部分123。在形成像素薄膜晶體管(Tp)的同時形成柵極驅(qū)動部分123。參考圖2和3,柵極驅(qū)動部分123通過柔性構(gòu)件500、焊盤部分125和 柵極連接線路124從電路基板600接收柵極驅(qū)動信號。所述驅(qū)動信號中除了 其它信號外還尤其包括作為柵極導通電壓的第一時鐘信號(CKV)、相位與 第一時鐘信號(CKV)的相位相反的第二時鐘信號(CKVB)、掃描起始信 號(STVP)和柵極截止電壓(Voff)。上為零時，液晶層150中與光配向?qū)?30接近的一側(cè)的液晶分子152的排列具有一預傾角e。然而，相對一側(cè)的液晶分子154的排列則實質(zhì)上垂直于第二基板120(如圖1所示)。此時，因為部分液晶分子152的排列具有一預傾角e，而有助于提高液晶層150的應答速率。 一般而言，預傾角e實質(zhì)上小 于90度，但不限于此，液晶材料的預傾角e也可依所選用的設計或其液晶 材料而有所改變，舉例而言預傾角e實質(zhì)上可大于或等于90度，預傾角e 實質(zhì)上也可小于或等于o度。 '具體來說，液晶顯示面板100的制造方法包括形成光配向?qū)?30于第一 基板110上，形成多個圖案化像素電極140于第二基板120上，以及形成液 晶層150于第一基板110的光配向?qū)?30與第二基板120的圖案化像素電極 140間。舉例來說，形成液晶層150的方法包括滴下式注入法或是真空注入 法。此外，液晶顯示面板100的制造方法也可包括于第一基板110上形成對 向電極114、彩色濾光片116，以及于第二基板上120形成保護層122、主動 層124或是于第二基板上120上形成對向電極114以及于第一基板110形成 保護層122、主動層124及彩色濾光層(未繪示)。其中，對向電極114的材 質(zhì)包括透明導電物質(zhì)，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、鋁鋅 氧化物、鋁錫氧化物、氧化鎗、或其它材料、或上述的組合。詳細來說，形成各圖案化像素電極140的方法例如是形成像素電極層(未 繪示)于第二基板120上，并圖案化此像素電極層(未繪示)，以形成如圖2A 2E 所示的交叉電極142、狹縫S以及條狀電極144為范例。圖案化像素電極140 的材質(zhì)包括透明導電物質(zhì)(如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鎘錫氧化物、鋁 鋅氧化物、鋁錫氧化物、氧化鎗、或其它材料、或上述的組合)、反射材質(zhì)(如 金、銀、銅、鐵、錫、鉛、鋁、鉬、釹、鈦、鉭、鎢、鉻、或其它材料、或 上述合金、或上述的氧化物、或上述的氮化物、或上述的氮氧化物、或上述 的組合)、或上述的組合。另外，光配向?qū)?30是利用感旋光性配向材料而制成的。此類型的配向濾色器231形成于內(nèi)部黑矩陣221a的間隙內(nèi)，并且包括每者分別具有 紅色、綠色或藍色之一的三個子層231a、 231b和231c。濾色器231分別使 由光源700照射并穿過液晶層400的光具有各種對應的顏色。濾色器231可 以由有機光致抗蝕劑材料形成。在濾色器231和黑矩陣221上形成涂覆層241。涂覆層241由有機材料 構(gòu)成，并且起著提供平面表面的作用。在涂覆層241上形成公共電極251。公共電極251形成于第二基板材料 211的整個表面上，并且由(例如)ITO或IZO等透明導電材料構(gòu)成。公共 電極251連同第一基板100的像素電極161 —起向液晶層400直接施加相應 的像素電壓。密封劑300將第一和第二基板100和200接合到一起，并且其位于外側(cè) 黑矩陣221b上。密封劑300包括作為其主要成分的環(huán)氧樹脂(epoxy resin)和 丙烯酸沖對月旨(acrylic resin)、胺系石更4匕劑(amine-series hardener)、 i者如氧化鋁4分 末的填充劑材料和諸如丙烯-二醇-雙醋酸酯(propylene-glycol-diacetate)的溶 劑。密封劑300確定基板100和200之間的間隔或"單元(cell)間隙"。出 于這一目的，還可以使由玻璃或塑料構(gòu)成的間隔體位于密封劑300內(nèi)。液晶層400位于第 一和第二基板100和200之間。液晶層400的分子的 配向響應于形成于像素電極161和公共電極251之間的相應電場而變化，從 而獨立地控制穿過顯示屏板的每一像素的光的透射率。光源700可以是表面光源、燈或發(fā)光二極管。所述燈可以是冷陰極熒光 燈或外部電極熒光燈。在本發(fā)明的第一示范性LCD中，被用作驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的半導 體層1232的非晶硅與被用作像素薄膜晶體管(Tp)的半導體層132的非晶 硅相同。如果采用光對其進行照射，非晶硅將變得不穩(wěn)定。不穩(wěn)定的非晶硅 引起驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的導通電流(Ion)的增大，由此提高了功耗。入射到驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的半導體層1232上的大部分光都是由光 源700發(fā)射的。如圖6所示，光源700發(fā)射的光穿過第一基板，并且往往會 從第二基板200的外側(cè)黑矩陣221b或公共電極251上被反射回來，從而照 射到驅(qū)動薄膜晶體管(Td)上。但是，在本發(fā)明的第一示范性實施例中，虛 設半導體層135和136位于4冊才及驅(qū)動部分123的相對側(cè)上。因此，光源700 發(fā)射的光將受到虛設半導體層135和136的阻擋，因而不會照射到驅(qū)動薄膜晶體管(Td)上。因而，根據(jù)第一示范性LCD實施例，能夠使驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的 操作穩(wěn)定，因此能夠穩(wěn)定地驅(qū)動柵極線121,并且由此降低了 LCD的功耗。在文中描述的其他示范性LCD實施例中，半導體層1232可以由多晶硅 形成。在這些實施例中，如果能夠通過子連接線路124b到124e為柵極驅(qū)動 部分123的相應的外側(cè)部分充分屏蔽或遮擋光，那么可以省略虛設半導體層 136。在下文中將參考圖7A到7E說明用于制造上述第一示范性LCD的過程。首先，如圖7A所示，在第一絕緣基板111上形成金屬層，并對其構(gòu)圖， 以形成柵電極122和1231。之后，如圖7B所示，形成柵極絕緣膜131、非晶硅層171和n+非晶硅 層172?？梢圆捎没瘜W氣相淀積法依次形成柵極絕緣膜131、非晶硅層171 和n+非晶硅層172。之后，如圖7C所示，對非晶硅層171和n+非晶硅層172構(gòu)圖，以形成 半導體層132和1232以及虛設半導體層135和136。此時，在半導體層132 和1232以及虛設半導體層135和136上形成了構(gòu)圖的n+非晶硅層172a,但是尚未將其分離成兩個部分。接下來，如圖7D所示，淀積金屬層并對其構(gòu)圖，以形成源電極142和 1234以及漏電極143和1235，由此形成像素薄膜晶體管(Tp )和驅(qū)動部分 薄膜晶體管(Td)。這一步驟包括在形成相應的源電極142和1234以及漏電 極143和1235之后蝕刻并去除暴露的構(gòu)圖的n+非晶硅層172a的過程。之后，通過對構(gòu)圖的n+非晶硅層172a進行蝕刻將構(gòu)圖的n+非晶硅層 172a劃分成兩個分離的部分，因而形成了歐姆接觸層133和1233。此外， 去除位于虛設半導體層135和136上的構(gòu)圖的n+非晶硅層172a。應當認識到，在蝕刻構(gòu)圖的n+非晶硅層172a的過程中，虛設半導體層 135和136以及晶體管溝道區(qū)的半導體層132和1232的相應厚度將略微降 低。此后，如圖7E所示，在所述結(jié)構(gòu)上形成鈍化膜151，并在其中形成接 觸孔152。之后形成像素電極161,以完成第一示范性基板100。第二基板200的形成、兩個基板100和200的組裝以及其間的液晶層400的放置是通過已知的方法執(zhí)行的，因此，為了簡潔起見，將省略對其的進一 步詳細說明。在下文中，將參考圖8說明根據(jù)本發(fā)明的LCD的第二示范性實施例。 在第二示范性實施例中，使虛設半導體層135和136與柵極線121隔開。 也就是說，在柵極線121之間形成虛設半導體層135,并且將其形成在相互 隔開的多個區(qū)域內(nèi)。因而，根據(jù)第二示范性實施例，由此抑制了虛設半導體 層135和136與柵極線121之間的不合乎要求的寄生電容的形成。 下面將參考圖9說明第三示范性LCD實施例。在第三示范性LCD中，省略了虛設半導體層135和136，作為替代，提 供了由有機材料構(gòu)成的黑矩陣121。如圖9所示，對公共電極251構(gòu)圖，使 之包含一個或多個開口 ，所述開口在尺寸和形狀上對應于相應的驅(qū)動部分 123,并且將所述開口設置在相應的驅(qū)動部分123之上，即，使所述開口與 相應的驅(qū)動部分123相面對。在光源700發(fā)射的光中，入射到柵極驅(qū)動部分123和顯示區(qū)之間的光入 射到第二基板200上。應當注意，憑借所述開口，具有良好反射率的公共電 極251不再直接位于柵極驅(qū)動部分123之上，而是使具有較差反射率的外側(cè) 黑矩陣221b位于柵極驅(qū)動部分123之上。因而，入射到外側(cè)黑矩陣221b上 的光不再被從外側(cè)黑矩陣221b上反射，而是大部分被外側(cè)黑矩陣221b吸收。 相應地，將顯著降低入射到驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的半導體層1232上的光 的量。此外，根據(jù)第三示范性實施例，由于在對應于柵極驅(qū)動部分123的第二 基板200的區(qū)域內(nèi)不存在公共電極251，因而還防止了在柵極驅(qū)動部分123另一個考慮事項在于，如果密封劑300未充分硬化，那么由于柵極驅(qū)動 部分123和公共電極251之間的電壓差，柵極驅(qū)動部分123可能吸收離子雜 質(zhì)。因而，可能在柵極驅(qū)動部分123內(nèi)產(chǎn)生腐蝕。但是，在第三示范性實施 例中，由于在對應于柵極驅(qū)動部分123的第二基板200的區(qū)域內(nèi)未形成公共 電極251，因而避免了產(chǎn)生對柵極驅(qū)動部分123的腐蝕。在下文中，將參考圖IO說明根據(jù)本發(fā)明的LCD的第四示范性實施例。 在第四示范性LCD實施例中，提供了虛設半導體層135和136以及由 具有較差反射率的有機材料構(gòu)成的黑矩陣221。此外，對公共電極251構(gòu)圖，從而使之不存在于柵極驅(qū)動部分123之上，也就是說，使之包括一個或多個 對應于柵極驅(qū)動部分123的開口 ，所述開口與所述4冊才及驅(qū)動部分123相互對 設置。入射到柵極驅(qū)動部分123的外圍上的大部分光被虛設半導體層135和 136截斷，因而不會照射到第二基板200上。入射到第二基板200上的光大 部分被外側(cè)黑矩陣221b吸收。相應地，照射到驅(qū)動薄膜晶體管(Td)的半 導體層1232上的光的量顯著降低。下面將參考圖11到13說明根據(jù)本發(fā)明的LCD的第五示范性實施例。參考圖11，形成具有通常為矩形的形狀的像素電極161的連續(xù)行，從而 使其沿柵極線121的方向延伸。三個縱向相鄰的像素電極161形成一個像素。 使形成一個像素的三個像素電極161中的每者連接至不同的柵極線121。此 外，參考圖11中的示意性圖示，使所述的三個像素電極161按照交替的方 式連接至相鄰的左側(cè)和右側(cè)數(shù)據(jù)線。因而，在第五示范性LCD中，沿柵極線121的延伸方向布置形成一個 像素的三個像素電極161,并使其按照交替的方式連接至一對相鄰的數(shù)據(jù)線 141。相應地，在第五示范性實施例中，要想實現(xiàn)與上述第一示范性實施例 中相同數(shù)量的像素，柵極線121的數(shù)量將增大至三倍，而數(shù)據(jù)線141的數(shù)量 則減少至1/3。如圖11所示，柵極驅(qū)動部分123包括一列第一柵極驅(qū)動部分123a和一 列第二柵極驅(qū)動部分123b，前者形成于位于顯示區(qū)的左側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)，后 者形成于位于顯示區(qū)的右側(cè)的非顯示區(qū)內(nèi)。將編號為奇數(shù)的柵極線121分別 連接至第一柵極驅(qū)動部分123a,將編號為偶數(shù)的柵極線121分別連接至第二 柵極驅(qū)動部分123b。一般而言，與用于柵極線121的電路相比，用于數(shù)據(jù)線141的電路更為 復雜，并且更加昂貴。但是，由于在這一實施例中，數(shù)據(jù)線141的數(shù)量減少 到了 1/3,因而其導致了用于驅(qū)動數(shù)據(jù)線141的電路的凈減少，因而降低了 LCD的制造成本。反之，由于柵極線121的數(shù)量提高到了三倍，因而用于柵極線121的電 路的制造成本將相應提高。但是，在本發(fā)明中，由于采用直接形成于第一絕 緣基板111上的柵極驅(qū)動部分123驅(qū)動柵極線121，因而不會導致電路成本 的凈增加。此外，由于像素電極161沿行方向延伸，因而，縮短了柵極線121之間 的間隔，相應地限制了柵極驅(qū)動部件123的可用空間。但是，由于將柵極驅(qū) 動部分123劃分成了設置在顯示區(qū)的相對側(cè)上的兩個組，因而易于取得柵極 驅(qū)動部分123所需的空間。下面將參考圖12說明第五示范性LCD的驅(qū)動。如果向第(n-l )條柵極線121提供柵極導通電壓，那么與所述的第(n-l ) 條柵極線121連接的像素薄膜晶體管(Tp)將導通。作為響應，與所述的第 (n-l )條柵極線121連接的行(a)的像素電極161將導通。之后，向第(n)條柵極線121提供柵極導通電壓。相應地，與所述的 第(n)條柵極線121連接的行(b)的像素電極161將導通。此后，按照這一方式繼續(xù)，如果向第(n+l)條柵極線121提供柵極導 通電壓，行(c)的像素電極161將導通。由此，完成了一行像素的顯示。 這里，順次驅(qū)動三條柵極線121，以顯示一行像素，并且數(shù)據(jù)線141根據(jù)柵 極線121的驅(qū)動提供對應于相應的像素電極161的數(shù)據(jù)電壓。此外，控制施加至相應的像素電極161的電壓的極性，以實施"點反轉(zhuǎn) (dot inversion)",參考圖12的示意性圖示。參考圖13，第五LCD實施例的虛設半導體層135和136包括分別設置 在第一柵極驅(qū)動部分123a的左側(cè)和右側(cè)的左側(cè)虛i殳半導體層135a和136a 以及分別設置在第二柵極驅(qū)動部分123b的左側(cè)和右側(cè)的右側(cè)虛設半導體層 135b和136b。此外，未形成公共電極251,或者使公共電極251包括位于第一柵極驅(qū) 動部分123a和第二柵極驅(qū)動部分123b之上的開口 ，如上所述。根據(jù)文中說明的各種示范性實施例，通過虛設半導體層135和136以及 構(gòu)圖的公共電極251減少了入射到柵極驅(qū)動部分123上的光。因此，柵極驅(qū) 動部分123的操作不會再因為從外部即從LCD的外部或者從內(nèi)部即從光源 700照射到其上的光而變得不穩(wěn)定?，F(xiàn)在，本領域技術(shù)人員將認識到，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況 下，可以對本發(fā)明的顯示屏板的材料、方法和構(gòu)造做出各種替換和改變。相 應地，本發(fā)明的范圍不應限于這里給出了圖示和文字描述的具體實施例的范 圍，因為所述實施例只是本發(fā)明的某些例子，相反，本發(fā)明的范圍應當由權(quán) 利要求及其功能上的等同要件的范圍界定。
權(quán)利要求
1.一種顯示屏板，包括第一基板，具有其中形成像素薄膜晶體管的顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；柵極線，形成于所述顯示區(qū)內(nèi)并電連接到所述像素薄膜晶體管；包括驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動部分，位于所述非顯示區(qū)內(nèi)且驅(qū)動所述像素薄膜晶體管；以及虛設半導體層，形成于所述驅(qū)動部分的外圍區(qū)域內(nèi)；以及與所述第一基板相對的第二基板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏板，其中，所述驅(qū)動部分包括連接至 所述柵極線并驅(qū)動所述柵極線的柵極驅(qū)動部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示屏板，其中，所述虛設半導體層的至少 一部分形成于所述柵極驅(qū)動部分和所述顯示區(qū)之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示屏板，其中，所述虛設半導體層還形成 于所述柵極驅(qū)動部分和所述第一基板的邊緣之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示屏板，其中，所述虛設半導體層和所述 柵極線相互隔開。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示屏板，其中所述第二基板包括形成于所述顯示區(qū)內(nèi)的內(nèi)部黑矩陣和形成于所述非 顯示區(qū)內(nèi)的外側(cè)黑矩陣；并且所述柵極驅(qū)動部分位于所述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示屏板，其中 所述外側(cè)黑矩陣包括有機材料；并且所述第二基板還包括公共電極，所述公共電極具有對應于所述顯示區(qū)形相對設置的開口 ，所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示屏板，其中所述柵極驅(qū)動部分包括設置在所述第一基板的相對側(cè)上的第一和第二 柵極驅(qū)動部分，所述顯示區(qū)插置于其間；并且
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示屏板，其中，所述第一基板還包括 跨越所述柵極線并電連接到所述像素薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線；以及 電連接到所述像素薄膜晶體管的像素電極，其中，所述像素電極包括界定一個像素的第一、第二和第三像素電極，并且所述第 一 、第二和第三像素電極分別連接至不同的柵極線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏板，其中，所述第一、第二和第三像 素電極中的兩個被連接至同 一數(shù)據(jù)線，并與所述柵極線沿相同的方向延伸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示屏板，其中，順次驅(qū)動所述第一、第 二和第三像素電極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示屏板，其中，所述虛設半導體層的至少 一部分形成于所述柵極驅(qū)動部分的外側(cè)部分內(nèi)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示屏板，其中，所述第二基板包括 形成于所述顯示區(qū)內(nèi)的內(nèi)部黑矩陣；以及 形成于所述非顯示區(qū)內(nèi)的外側(cè)黑矩陣，并且其中 所述柵極驅(qū)動部分位于所述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示屏板，其中 所述外側(cè)黑矩陣包括有機材料；并且所述第二基板還包括公共電極，所述公共電極具有對應于所述顯示區(qū)形相對設置的開口 ，所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。
15. —種顯示屏板，包括 第一基板，包括像素薄膜晶體管；以及 與所述第一基板相對的第二基板，所述第一基板還包括 第一絕緣基板，包括其中形成像素薄膜晶體管的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；柵極線，形成于所述顯示區(qū)內(nèi)并電連接到所述像素薄膜晶體管；以及 包括驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動部分，位于所述非顯示區(qū)內(nèi)且驅(qū)動所述像素薄膜晶體管，并且所述第二基板包括對應于所述非顯示區(qū)形成的外側(cè)黑矩陣；以及公共電極，所述公共電極的至少一部分是對應于所述顯示區(qū)形成的，并 開口 ，所述公共電極與所述外側(cè)黑矩陣部分重疊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示屏板，其中，所述驅(qū)動部分包括連接至所述柵極線并驅(qū)動所述柵極線的柵極驅(qū)動部分。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示屏板，其中，所述外側(cè)黑矩陣包括有 機材料。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示屏板，其中，所述柵極驅(qū)動部分位于 所述外側(cè)黑矩陣的區(qū)域內(nèi)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示屏板，其中，所述第一基板還包括形 成于所述柵極驅(qū)動部分的外圍區(qū)域內(nèi)的虛設半導體層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示屏板，其中，所述虛設半導體層的至 少 一部分形成于所述4冊4及驅(qū)動部分和所述顯示區(qū)之間。
全文摘要
一種顯示屏板包括具有形成于其上的像素薄膜晶體管的第一基板和與所述第一基板相對的第二基板。所述第一基板還包括具有其中形成像素薄膜晶體管的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)的第一絕緣基板；形成于所述顯示區(qū)內(nèi)并電連接到所述像素薄膜晶體管的柵極線；包括驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動部分，其位于所述非顯示區(qū)內(nèi)，用于驅(qū)動所述像素薄膜晶體管；以及形成于所述驅(qū)動部分的外圍區(qū)域內(nèi)的虛設半導體層。
文檔編號G02F1/1362GK101226313SQ200810001108
公開日2008年7月23日 申請日期2008年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月15日
發(fā)明者許龍九, 鄭旼京 申請人:三星電子株式會社