專利名稱：探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造中光刻工藝方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，通常會在第一次光刻完成后，會進行光刻機步進精度的檢查，其工藝步驟流程如圖2所表示，其檢查方法如圖3所表示，采用游標法進行。其目的是檢查是否存在如圖l所表示的異常曝光圖形。其目的主要有以下幾個 1.最后封裝劃片的需求要求各重復(fù)單元步進精度符合劃片工藝的能力要求。
2.后續(xù)對準工藝要求第一層各重復(fù)單元步進精度符合對準工藝的能力要求。
3.后續(xù)檢查步驟(光刻對準精度檢查，關(guān)鍵尺寸測量，膜厚測量，電氣性能測試等等)要求各重復(fù)單元步進精度符合工藝的能力要求。 現(xiàn)有工藝中，通過各重復(fù)單元四周產(chǎn)生一些對準的游標圖形，由線上操作人員通過宏觀或微觀的檢測方法檢測相鄰單元的游標是否重合。利用這種方法，無法實現(xiàn)自動檢測，需要依賴操作人員的能力，既無法在實際生產(chǎn)中避免人為失誤，同時因為增加了工藝步驟，需要額外的設(shè)備和人力投入，同時使產(chǎn)品的生產(chǎn)周期和生產(chǎn)成本增加，不利于制造企業(yè)控制生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，可以自動實現(xiàn)檢測，減少工藝步驟，提高自動化程度，降低產(chǎn)品成本。 為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，包括以下步驟步驟一、在重復(fù)曝光單元中放置對準圖形，光罩平臺和曝光平臺精度校準，光刻機曝光顯影；步驟二、顯影完成后，再進行一次光刻機對準，得到曝光完成后各重復(fù)單元在硅片上的位置；步驟三、通過步驟二中得到的各重復(fù)單元的位置，判斷是否符合步進精度的需求；步驟四、如不符合步進精度的需求，則判定不合格，重復(fù)步驟一 ；如符合步進精度的需求，則判定合格。 本發(fā)明可以實現(xiàn)對當(dāng)前層曝光步進精度的自動檢測，減少工藝步驟，提高自動化程度，降低產(chǎn)品成本。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。 圖1是現(xiàn)有曝光流程示意圖； 圖2是現(xiàn)有光刻工藝流程圖； 圖3是現(xiàn)有宏觀游標檢查方法示意圖； 圖4是本發(fā)明實施例利用光刻對準方法進行步進精度檢查的示意圖； 圖5是本發(fā)明工藝流程圖。
具體實施例方式
首先在每個重復(fù)曝光單元中放置對準圖形(Nikon系統(tǒng)search、LSA、FIA、LIA等，ASML系統(tǒng)XPM、 SPM、 Athena等，通常第一次光刻的圖形都會放置)或用于光刻機日常維護檢查對準系統(tǒng)精度或透鏡變形時所用的測量圖形，然后在當(dāng)前層曝光顯影完成后，通過一次額外的對準步驟，利用這些測試圖形可以得到各重復(fù)單元在硅片平臺上的相對位置，然后可以檢測是否符合要求。 如圖4所表示的一個例子，正常同一Y方向上的兩個重復(fù)單元，其固定的測量圖形的X位置不應(yīng)該偏離很遠，如圖4左圖表示；如果測量得到的X位置相差很大，則說明曝光時步進精度不符合要求，如圖4所表示。這時需要返工重新曝光。 如圖5所示，本實施例提供了一種探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，包括以下步驟步驟一在每個重復(fù)曝光單元中放置對準圖形，光罩平臺和曝光平臺精度校準，光刻機曝光顯影；步驟二、顯影完成后，再進行一次光刻機對準，得到曝光完成后各重復(fù)單元在硅片上的位置；步驟三、通過步驟二中得到的各重復(fù)單元的位置，判斷是否符合步進精度的需求；步驟四、如不符合步進精度的需求，則判定不合格，重復(fù)步驟一 ；如符合步進精度的需求，則判定合格。 在步驟四判斷不合格后，可以追加一個步驟測量關(guān)鍵尺寸，判斷關(guān)鍵尺寸是否合格，如果不合格則調(diào)整曝光條件，然后再進行返工。在步驟二中可以通過光刻機本身的對準系統(tǒng)進行各重復(fù)單元的位置測量。本實施例所使用的測量圖形為光刻機的標準對準圖形或光刻機進行日常維護中檢查光刻機對準和鏡頭變形的測試圖形。本發(fā)明不但可以應(yīng)用于第一次光刻時的步進精度檢查，也可以應(yīng)用于后續(xù)光刻步驟中需要進行步進精度檢查的光刻工藝步驟。
權(quán)利要求
一種探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，其特征在于，包括以下步驟步驟一、在重復(fù)曝光單元中放置對準圖形，光罩平臺和曝光平臺精度校準，光刻機曝光顯影；步驟二、顯影完成后，再進行一次光刻機對準，測量得到曝光完成后各重復(fù)單元在硅片上的位置；步驟三、通過步驟二中得到的各重復(fù)單元的位置，判斷是否符合步進精度的需求；步驟四、如不符合步進精度的需求，則判定不合格，重復(fù)步驟一；如符合步進精度的需求，則判定合格。
2. 如權(quán)利要求1所述的探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，其特征在于，在步驟四判定 不合格后，測量關(guān)鍵尺寸，判斷關(guān)鍵尺寸是否合格，如果不合格則調(diào)整曝光條件。
3. 如權(quán)利要求1所述的探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，其特征在于，測量各重復(fù)單 元在硅片上的位置時，通過光刻機本身的對準系統(tǒng)進行各重復(fù)單元的位置測量。
4. 如權(quán)利要求3所述的探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，其特征在于，測量各重復(fù)單 元在硅片上的位置時，所使用的測量圖形為光刻機的標準對準圖形或光刻機進行日常維護 中檢查光刻機對準和鏡頭變形的測試圖形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種探測當(dāng)前層曝光步進精度的方法，包括以下步驟步驟一、在重復(fù)曝光單元中放置對準圖形，光罩平臺和曝光平臺精度校準，光刻機曝光顯影；步驟二、顯影完成后，再進行一次光刻機對準，得到曝光完成后各重復(fù)單元在硅片上的位置；步驟三、通過步驟二中得到的各重復(fù)單元的位置，判斷是否符合步進精度的需求；步驟四、如不符合步進精度的需求，則判定不合格，重復(fù)步驟一；如符合步進精度的需求，則判定合格。本發(fā)明可以實現(xiàn)對當(dāng)前層曝光步進精度的自動檢測，減少工藝步驟，提高自動化程度，降低產(chǎn)品成本。
文檔編號G03F7/20GK101727012SQ200810043869
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者王雷 申請人:上海華虹Nec電子有限公司