專利名稱：曝光繪圖裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在電子電路基板、液晶組f^用玻璃基板、PDP用玻 璃組件基板等平面基板上形成電路圖案(pattem)的曝光繪圖裝置。
背景技術(shù)：
形成電路圖案于平面基板的曝光繪圖裝置，公知是以將轉(zhuǎn)寫(xiě)掩模和 作為被曝光體的基板接觸的接觸方式或不被接觸的非接觸方式的曝光裝 置作為主流。最近從掩模的管理和保養(yǎng)方面，如專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2 所示，對(duì)于不使用轉(zhuǎn)寫(xiě)掩模而將繪圖光直接照射至基板而繪圖電路圖案 的曝光繪圖裝置的要求變高。此曝光繪圖裝置將應(yīng)轉(zhuǎn)寫(xiě)的圖案作為繪圖數(shù)據(jù)，傳送至曝光繪圖裝 置，在曝光繪圖裝置，經(jīng)由此數(shù)據(jù)，進(jìn)行根據(jù)作為空間光調(diào)制組件的 DMD(Digital Micro-mirror Device,數(shù)字微型反射鏡組件)組件的控制，照射 繪圖光，在平面基板將電路圖案繪圖的裝置。曝光繪圖裝置可享受不使 用掩模的最大優(yōu)點(diǎn)。如專利文獻(xiàn)3所示，在曝光繪圖工序中，為了設(shè)定在基板繪圖的電 路圖案的位置，在曝光前，預(yù)先在基板的周邊開(kāi)小直徑的孔，將這些孔 作為對(duì)位符號(hào)(alignment mark),決定曝光的電路圖案的位置和姿勢(shì)。特 別在電子電路基板，在基板的兩面形成電路圖案的情形較多，以在基板的 表里面、對(duì)位符號(hào)一致的方式，貫穿基板的小直徑的孔被使用。[專利文獻(xiàn)l]日本特開(kāi)2006-113413[專利文獻(xiàn)2]日本特開(kāi)2006-343684[專利文獻(xiàn)3]日本特開(kāi)2006-267191發(fā)明內(nèi)容然而，在孔加工中附著的塵埃、以及移動(dòng)過(guò)程中附著于孔的塵埃落 下至其它基板，或在光阻涂布等加工中的加熱工序引起孔周邊的變形， 這些問(wèn)題在要求高分辨率的基板上成為問(wèn)題。因此，本發(fā)明提供一種曝光繪圖裝置，在基板的兩面上形成將在繪 圖電路圖案時(shí)所必要的對(duì)位符號(hào)。第一觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置包括基板投入部，將形成有感光層的基 板投入至基板校正位置；校正部，將被投入至此基板校正位置的上述基板校正至規(guī)定位置；符號(hào)形成部，對(duì)于通過(guò)校正部被校正的基板的第一 面以及第二面，形成第一及第二對(duì)位符號(hào)；以及繪圖部，基于第一及第 二對(duì)位符號(hào)，將電路圖案繪圖至基板的第一面及第二面。根據(jù)此構(gòu)成，不需將貫穿基板的第一面及第二面的孔作為對(duì)位符號(hào)， 即可形成第一及第二對(duì)位符號(hào)。因此，不會(huì)有附著于孔的塵埃落至其它 基板。在第二觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置中，符號(hào)形成部利用短波長(zhǎng)的照明光， 在基板的兩面上同時(shí)形成上述第一及第二對(duì)〗立符號(hào)。在第二觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置中，利用短波長(zhǎng)的照明光，可在兩面同 時(shí)形成。第三觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置還包括存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)第一對(duì)位符號(hào)和第 二對(duì)位符號(hào)的二維平面的差異信息；其中繪圖部，基于第一對(duì)位符號(hào)將 電路圖案繪圖于第一面上，且基于第二對(duì)位符號(hào)及差異信息將電路圖案 繪圖于第二面上。即使在精密制作的符號(hào)形成部，在第一面的第一對(duì)位符號(hào)和第二面 的第二對(duì)位符號(hào)之間也會(huì)產(chǎn)生誤差。然而，第三觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置， 利用將此誤差作為差異信息而存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中，在將電路圖案繪圖之際， 使用此差異信息，可將第一面的電路圖案和第二面的電路圖案正確地對(duì) 應(yīng)。在第四觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置中，符號(hào)形成部具有第一面符號(hào)形成部 和第二面符號(hào)形成部，各個(gè)符號(hào)形成部可在與上述基板平行的二維平面 移動(dòng)，且可在于上述二維平面直交的方向移動(dòng)。根據(jù)此構(gòu)成，由于第一面符號(hào)形成部及第二面符號(hào)形成部可接近基 板，可以少的光量且短時(shí)間形成第一對(duì)位符號(hào)以及第二對(duì)位符號(hào)。第五觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置在第四觀點(diǎn)中，符號(hào)形成部具有僅在第一 面符號(hào)形成部的一方照射短波長(zhǎng)的照明光的機(jī)構(gòu)。根據(jù)此構(gòu)成，對(duì)于只需在第一面形成電路圖案的基板而言，可僅在 第一面形成第一對(duì)位符號(hào)。第六觀點(diǎn)的曝光繪圖裝置的基板投入部具有在不同于基板校正位置 的位置接到基板后將上述基板移動(dòng)至基板校正位置的多個(gè)旋轉(zhuǎn)滾子。符號(hào)形成部不在和基板校正位置相同的位置形成對(duì)位符號(hào)的情形， 利用多個(gè)旋轉(zhuǎn)滾子移動(dòng)基板即可。目前在其它工序形成對(duì)位符號(hào)的工序可省略，可在電路圖案形成工 序之前形成對(duì)位符號(hào)，并可減少總共的工序數(shù)。即，本發(fā)明的曝光繪圖 裝置，即使在完全沒(méi)有預(yù)先形成對(duì)位符號(hào)的繪圖第一層的基板上，也可 形成直接繪案用的對(duì)位符號(hào)。


圖1為配置第一曝光繪圖裝置10及第二曝光繪圖裝置100的俯視圖。圖2為第一曝光繪圖裝置10的立體圖。 圖3為第一曝光繪圖裝置10的正面圖(XZ面)。 圖4為第一曝光繪圖裝置10的側(cè)面圖(YZ面)。 圖5為投入至基板投入部20的基板校正位置的被曝光基板CB的俯 視圖。圖6表示一個(gè)符號(hào)形成部40的圖示，其中第6(a)圖為俯視圖，第6(b) 圖為側(cè)視圖，第6(c)圖為正視圖。圖7(a)至圖7(b)為符號(hào)形成部40的第一頭41U及第二頭41D的擴(kuò)大圖。圖8表示繪圖部60的概略立體圖。圖9為第一曝光繪圖裝置10的主要構(gòu)成的框圖。以及圖io為第一曝光繪圖裝f符號(hào)說(shuō)明10 第一曝光繪圖裝置；30 校正部；33 校正板；40 符號(hào)形成部；41D 第二頭；51 真空墊；54 上下驅(qū)動(dòng)部；60 第一繪圖部；62 全反射鏡；65 DMD組件；70 待機(jī)臺(tái)；150 第二搬送部；AC 對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)；CB 被曝光基板；SS2 搬入確認(rèn)傳感器。IO的動(dòng)作的流程圖。20 基板投入部；31 校正用氣缸；35 校正銷；41U 第一頭；50 第一搬送部；53 手部；55 水平驅(qū)動(dòng)部；61 第一照明光學(xué)系統(tǒng)；64 第二照明光學(xué)系統(tǒng)；68 被曝光體臺(tái)；100 第二曝光繪圖裝置;160 第二繪圖部；AM 對(duì)位符號(hào)；SS1 搬送確認(rèn)傳感器；具體實(shí)施方式
<第一曝光繪圖裝置及第二曝光繪圖裝置的概略結(jié)構(gòu)>圖1為配置第一曝光繪圖裝置10及第二曝光繪圖裝置100的俯視圖。在本實(shí)施例中，因?yàn)樽鳛槠矫婊宓谋黄毓饣錍B的第一面及第 二面均被曝光，第一曝光繪圖裝置10之外，將第二曝光繪圖裝置100并 列配置。SP，第一曝光繪圖裝置IO將被曝光基板CB的第一面曝光，第 二曝光繪圖裝置100將被曝光基板CB的第二面曝光，也可以使用將被曝 光基板CB從第一面反轉(zhuǎn)至第二面的反轉(zhuǎn)部(相當(dāng)于待機(jī)臺(tái)70和搬送部 50)，僅經(jīng)由第一曝光繪圖裝置10將被曝光基板CB的兩面繪圖，但為 了提高被曝光基板CB的生產(chǎn)量(每一時(shí)間的生產(chǎn)量)，準(zhǔn)備第二曝光繪圖裝置100。第一曝光繪圖裝置10，大致由基板投入部20、校正部30、符號(hào)形 成部40、第一搬送部50、第一繪圖部60、以及待機(jī)臺(tái)70所構(gòu)成。第二 曝光繪圖裝置IOO，大致由第二搬送部150、第二繪圖部160、以及搬出 臺(tái)180所構(gòu)成。從圖1的左側(cè)，涂布有光阻的被曝光基板CB被搬送過(guò)來(lái)。搬送確 認(rèn)傳感器SS1確認(rèn)被曝光基板CB。接著，基板投入部20的旋轉(zhuǎn)滾子21(參 考圖3)旋轉(zhuǎn)。當(dāng)被曝光基板CB被搬送至基板投入部20的右端時(shí)，搬入 確認(rèn)傳感器SS2確認(rèn)被曝光基板CB。被曝光基板CB完全被搬入至基板 投入部20后，旋轉(zhuǎn)滾子21停止，進(jìn)行被曝光基板CB的校正，其次，在 被曝光基板CB的周邊部，對(duì)位符號(hào)AM經(jīng)由符號(hào)形成部40被形成。之后，被曝光基板CB經(jīng)由第一搬送部50被載置于第一繪圖部60 的被曝光體臺(tái)68。第一繪圖部60在被曝光基板CB的第一面繪圖電路圖 案。電路圖案的繪圖結(jié)束的被曝光基板CB，經(jīng)由第一搬送部50將第一 面和第二面反轉(zhuǎn)，被搬送至待機(jī)臺(tái)70。在第一搬送部50不具有反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) 的情形，待機(jī)臺(tái)70具有將被曝光基板CB從第一面反轉(zhuǎn)至第二面的機(jī)構(gòu) 也可。其次，被曝光基板CB經(jīng)由第二搬送部150被載置于第二繪圖部160 的被曝光體臺(tái)68。第二繪圖部160在被曝光基板CB的第二面繪圖電路 圖案。電路圖案的繪圖結(jié)束的被曝光基板CB，經(jīng)由第二搬送部150被搬 送至搬出臺(tái)180。之后，被曝光基板CB被搬送至下一工序。在圖1，為了提高生產(chǎn)量第一曝光繪圖裝置IO及第二曝光繪圖裝置 IOO并行配置。在比起生產(chǎn)量進(jìn)一步考慮設(shè)備導(dǎo)入成本的情形中，從待機(jī) 臺(tái)70使被曝光基板CB再次回到第一曝光繪圖裝置10，在被曝光基板 CB的第二面繪圖電路圖案也可。另外，第一曝光繪圖裝置IO及第二曝 光繪圖裝置IOO，因?yàn)槌嘶逋度氩?0、校正部30、及符號(hào)形成部40 之外，大致相同，以下以第一曝光繪圖裝置10作為代表說(shuō)明各構(gòu)成。<第一曝光繪圖裝置的構(gòu)成>圖2為第一曝光繪圖裝置10的立體圖。圖3為第一曝光繪圖裝置10的正面圖(XZ面)。圖4為第一曝光繪圖裝置10的側(cè)面圖(YZ面)。這 些圖3至圖4特別以基板投入部20、校正部30、符號(hào)形成部40、及第一 搬送部50為中心被繪制?；逋度氩?0，具有多個(gè)旋轉(zhuǎn)滾子21以及使旋轉(zhuǎn)滾子21旋轉(zhuǎn)的未 圖示的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。旋轉(zhuǎn)滾子21被多個(gè)平行地設(shè)置，在旋轉(zhuǎn)滾子21的 一端，安裝有承受經(jīng)由皮帶或金屬線(wire)被傳達(dá)的旋轉(zhuǎn)力的扣鏈齒輪或 滑輪。作為傳達(dá)使旋轉(zhuǎn)滾子21旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)力的手段，除扣 鏈齒輪或滑輪以外，也可采用根據(jù)圓筒狀的磁鐵(magnet)的傳達(dá)方法。另 外，基板投入部20，具有確認(rèn)被曝光基板CB的搬入及到達(dá)的搬送確認(rèn) 傳感器SS1及搬入確認(rèn)傳感器SS2。校正部30具有校正用氣缸(air cylinder" 1 ，可將校正板33上下動(dòng)作。 在校正板33，校正銷35被安裝。被曝光基板CB被搬送，旋轉(zhuǎn)滾子21 的旋轉(zhuǎn)停止為止，校正板33被配置在下端；在旋轉(zhuǎn)滾子21停止而校正被 曝光基板CB之際，校正板33移動(dòng)至上端。在圖3，為校正板33移動(dòng)至 上端的圖示，在圖4，為校正板33移動(dòng)至下端的圖示。當(dāng)校正板33移動(dòng)至上端時(shí)，安裝于校正板33的校正銷35移動(dòng)至和 被曝光基板CB抵接的高度。校正板33具有將校正銷35移動(dòng)于水平方向 的水平移動(dòng)驅(qū)動(dòng)部34，校正銷35可在水平方向移動(dòng)約10mm。被曝光基 板CB，例如，為635mm x 535mm的矩形形狀，校正銷35沿著被曝光基 板CB的四邊被配置。符號(hào)形成部40，在經(jīng)由校正銷35被校正的被曝光基板CB的四邊的 第一面形成第一對(duì)位符號(hào)AM1，在第二面形成第二對(duì)位符號(hào)AM2。有關(guān) 符號(hào)形成部40的詳細(xì)內(nèi)容在后面描述。第一搬送部50具有手(hand)部53，其具備多個(gè)真空吸著的真空墊 (pad)51;另外，手部53具有上下驅(qū)動(dòng)部54及水平驅(qū)動(dòng)部55。相對(duì)于對(duì) 位符號(hào)AM而形成的被曝光基板CB，真空墊51從上方下降進(jìn)行真空吸 著，以吊起曝光基板CB。之后，被曝光基板CB經(jīng)由水平驅(qū)動(dòng)部55，被 移動(dòng)至第一繪圖部60的被曝光體臺(tái)68上。另外，上下驅(qū)動(dòng)部54將被曝 光基板CB載置于被曝光體臺(tái)68，真空墊51的真空吸著被解除。此時(shí)，被曝光體臺(tái)68進(jìn)行真空吸著動(dòng)作，被曝光基板CB可靠地固定于被曝光 體臺(tái)68。另外，第一搬送部50具有使被曝光基板CB的第一面反轉(zhuǎn)至第 二面的反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)子59。在圖1中，在從繪圖部60搬送至待機(jī)臺(tái)70之際， 被曝光基板CB經(jīng)由反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)子59從第一面反轉(zhuǎn)至第二面。 <被曝光體的校正和對(duì)位符號(hào)>圖5為投入至基板投入部20的基板校正位置的被曝光基板CB的俯 視圖。從圖5理解，相對(duì)于被曝光基板CB各邊，分別設(shè)置著兩個(gè)校正銷 35。將一邊決定位置時(shí)，兩個(gè)校正銷較佳。另外，校正銷35如箭頭39， 對(duì)于被曝光基板CB的四邊，從以虛線描繪的位置移動(dòng)至以實(shí)線描繪的位 置。由此，被曝光基板CB的校正結(jié)束后，校正銷35從以實(shí)線描繪的位 置回到以虛線描繪的位置。另外，配置于四個(gè)場(chǎng)所的符號(hào)形成部40從退避位置移動(dòng)至被曝光基 板CB的周邊位置。四個(gè)符號(hào)形成部40在被曝光基板CB的各邊，將一 個(gè)或多個(gè)對(duì)位符號(hào)AM經(jīng)由短波長(zhǎng)光曝光而形成。符號(hào)形成部40為了提 高生產(chǎn)量，優(yōu)選將被曝光基板CB的第一面和第二面同時(shí)曝光。另外，對(duì) 位符號(hào)AM，從V0.5mm到Vlmm左右的圓形或十字型的符號(hào)形狀即可， 在圖5中，在第一面的一邊形成有vlmm的四個(gè)圓形的對(duì)位符號(hào)AM。<符號(hào)形成部>圖6表示一個(gè)符號(hào)形成部40的圖示，其中圖6(a)為俯視圖，圖6(b) 為側(cè)視圖，圖6(c)為正視圖。符號(hào)形成部40具有在被曝光基板CB的第一面形成第一對(duì)位符號(hào) AMI的第一頭41U以及在第二面形成第二對(duì)位符號(hào)AM2的第二頭41D。第一頭41U經(jīng)由第一頭用氣缸42U沿著第一滑動(dòng)導(dǎo)件44可上下移 動(dòng)。另外，第二頭41D經(jīng)由第二頭用氣缸42D沿著第一滑動(dòng)導(dǎo)件44可 上下移動(dòng)。經(jīng)由共享第一頭41U和第二頭41D的滑動(dòng)導(dǎo)件，降低成本且 提高兩個(gè)定位精度。另外，第一頭41U及第二頭41D被載置于滑動(dòng)臺(tái)45，滑動(dòng)臺(tái)45經(jīng) 由臺(tái)用氣缸46可在水平方向沿著第二滑動(dòng)導(dǎo)件48移動(dòng)。另外，在圖6 中，雖然未圖示，但符號(hào)形成部40具有和第二滑動(dòng)導(dǎo)件48正交的第三10滑動(dòng)導(dǎo)件，可將滑動(dòng)臺(tái)45朝與第二滑動(dòng)導(dǎo)件48正交的方向移動(dòng)。符號(hào)形成部40，被曝光基板CB被校正之后，將第一頭41U和第二 頭41D以上下開(kāi)啟的狀態(tài)，接近被曝光基板CB。另外，符號(hào)形成部40 到達(dá)形成第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI及AM2的規(guī)定位置之后，為了使第 一頭41U和第二頭41D關(guān)閉而接近被曝光基板CB，符號(hào)形成部40從第 一頭41U和第二頭41D照射短波長(zhǎng)的光。形成第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI 及AM2之后，進(jìn)行相反的動(dòng)作，回到原來(lái)的位置。在本實(shí)施例中，第一頭41U及第二頭41D，具有開(kāi)關(guān)(on/off)控制容 易的LED光源(LED1及LED2(參考圖7))，此LED光源發(fā)射波長(zhǎng)為 365nm的光。然而，作為第一頭41U及第二頭41D的光源，可經(jīng)由超高 壓水銀燈等，將短波長(zhǎng)光經(jīng)由光纖導(dǎo)光。另外，在被曝光基板CB之中，不必在兩面將電路圖案繪圖而僅在 單一面包含將電路圖案繪圖的對(duì)象。在此類情形中，僅使第一頭41U經(jīng) 由第一頭用氣缸42U上下移動(dòng)地進(jìn)行控制既可。另外，當(dāng)?shù)谝活^41U或 第二頭41D的光源的光強(qiáng)度強(qiáng)時(shí)，不必將第一頭41U和第二頭41D接近 被曝光基板CB，不必設(shè)置第一滑動(dòng)導(dǎo)件44、第二頭用氣缸42D及第二 滑動(dòng)導(dǎo)件48。圖7為符號(hào)形成部40的第一頭41U及第二頭41D的擴(kuò)大圖。在圖7， 將第一頭41U的LED1及第二頭41D的LED2的誤差擴(kuò)大描繪。對(duì)位符號(hào)AM，成為繪圖部60將電路圖案繪圖在被曝光基板CB時(shí) 的基準(zhǔn)。因此，作為將電路圖案繪圖至被曝光基板CB的第一面和第二面 時(shí)的基準(zhǔn)，假如第一面的第一對(duì)位符號(hào)AMI和第二面的第二對(duì)位符號(hào) AM2不一致，則第一面的電路圖案和第二面的電路圖案不一致。因此， 有將第一頭41U或第二頭41D精密制作的必要。然而，即使精密制作， 將會(huì)產(chǎn)生細(xì)微的差異(誤差)。因此，在本實(shí)施例，將細(xì)微的差異信息存儲(chǔ) 在存儲(chǔ)部92(參考圖9)。第一頭41U的光源LED1和第二頭41D的光源LED2，在X方向存 在AX的差異，在Y方向存在AY的差異。另外，實(shí)際上，在測(cè)試用基 板TES使用光源LED1和光源LED2，形成第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI及AM2，經(jīng)由顯微鏡等的測(cè)量裝置，測(cè)量其差異。此差異信息被存儲(chǔ)在存 儲(chǔ)部92。繪圖部60在基于對(duì)位符號(hào)AM形成電路圖案之際，考慮此差異 信息而繪圖。<繪圖部的構(gòu)成>圖8表示繪圖部60的概略立體圖。繪圖部60大致包括照明光學(xué)系 統(tǒng)61、空間光調(diào)制部65、投影光學(xué)系統(tǒng)67以及被曝光體臺(tái)68。在本實(shí) 施例中，也有為了可對(duì)大面積的被曝光體CB進(jìn)行曝光而具備兩系統(tǒng)的照 明光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的情形。繪圖部60的兩個(gè)第一照明光學(xué)系統(tǒng)61-1及 61-2具有高壓水銀燈。由反射光學(xué)組件62-1及反射光學(xué)組件62-2被分離成八道曝光光線 IL，其由全反射鏡63-l至全反射鏡63-8反射至Y方向。由全反射鏡63-1 至全反射鏡63-8進(jìn)行反射的曝光光線IL入射于八個(gè)第二照明光學(xué)系統(tǒng) 64-1至第二照明光學(xué)系統(tǒng)64-8。入射于第二照明光學(xué)系統(tǒng)64-l至第二照明光學(xué)系統(tǒng)64-8的曝光光線 IL被形成為適當(dāng)?shù)墓饬考肮馐螤睿徽丈渲磷鳛榭臻g光調(diào)制組件的 排成一列的八個(gè)DMD組件65-1至DMD組件65-8。 DMD組件65-1至 DMD組件65-8根據(jù)被供給的圖像數(shù)據(jù)對(duì)曝光光線IL進(jìn)行空間調(diào)制。由 DMD組件65-1至DMD組件65-8所調(diào)制的光束經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)67-1 至投影光學(xué)系統(tǒng)67-8，作成規(guī)定的倍率之后，被照射至被曝光基板CB。 DMD組件65-1根據(jù)電路圖案，例如，開(kāi)關(guān)(on/off)驅(qū)動(dòng)配置成1024x1280 的陣列狀的1310720個(gè)的微型反射鏡M。此繪圖部60，具有三個(gè)對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC1、對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC2以 及對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC3(對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC3未圖示)。對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC檢 測(cè)出形成于被曝光基板CB的對(duì)位符號(hào)AM。繪圖部60從對(duì)位符號(hào)AM 的檢測(cè)結(jié)果，基于電路圖案的信號(hào)，補(bǔ)正微型反射鏡M的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)。繪圖部60在投影光學(xué)系統(tǒng)67的Z方向下側(cè)，具備支持第一照明光 學(xué)系統(tǒng)61、第二照明光學(xué)系統(tǒng)64以及投影光學(xué)系統(tǒng)67等的框體69。在 框體69上配置著一對(duì)導(dǎo)軌，在這些導(dǎo)軌上搭載著被曝光體臺(tái)68。此被曝 光體臺(tái)68通過(guò)例如步進(jìn)電動(dòng)機(jī)等被驅(qū)動(dòng)。由此，被曝光體臺(tái)68沿著一對(duì)導(dǎo)軌，在作為這些的長(zhǎng)度方向的Y方向，對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)67相對(duì)移 動(dòng)。在被曝光體臺(tái)68上設(shè)置著從基板校正位置被搬送的被曝光基板CB, 此被曝光基板CB在被曝光體臺(tái)68上由真空吸附而被固定。被曝光體臺(tái) 68被構(gòu)成為，可于X方向移動(dòng)，為了移動(dòng)到投影光學(xué)系統(tǒng)67的焦點(diǎn)位 置還可在Z方向移動(dòng)。繪圖部60，在被曝光基板CB繪圖之際，使用高壓水銀燈的光源之 外，使用短波長(zhǎng)的LED光源或短波長(zhǎng)的雷射光也可。圖示，代替由鏡子 及透鏡構(gòu)成的第一照明光學(xué)系統(tǒng)61及第二照明光學(xué)系統(tǒng)64，使用光纖也 可。<第一曝光繪圖裝置的繪圖用的塊結(jié)構(gòu)>圖9為第一曝光繪圖裝置10的主要結(jié)構(gòu)的框圖。使用圖9，特別對(duì) 基于對(duì)位符號(hào)AM、在被曝光基板CB上繪圖電路圖案進(jìn)行說(shuō)明。主控制部90和基板投入部20、校正部30、符號(hào)形成部40、第一搬 送部50、以及第一繪圖部60連接，并相互進(jìn)行信號(hào)的交換。主控制部90,具有預(yù)先存儲(chǔ)形成于測(cè)試用基板TES的第一及第二對(duì) 位符號(hào)AMI及AM2的差異信息的對(duì)位符號(hào)差異存儲(chǔ)部92，且具有存儲(chǔ) 將電路圖案繪圖用的繪圖數(shù)據(jù)的繪圖數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部93。主控制部90，還從 對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC中得到各被曝光基板CB的對(duì)位符號(hào)AM的位置信息。 演算部91，基于對(duì)位符號(hào)AM的位置信息、第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI 及AM2的差異信息、以及繪圖數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)DMD組件65的微型反射鏡 M，在載置于被曝光體臺(tái)68的被曝光基板CB繪圖。另外，以第一面的 對(duì)位符號(hào)基準(zhǔn)繪圖的話，演算部91不使用第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI及 AM2的差異信息，基于對(duì)位符號(hào)AM的位置信息及繪圖數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)DMD 組件65的各微型反射鏡M。第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI及AM2在第二面 中被使用。<第一曝光繪圖裝置及第二曝光繪圖裝置的動(dòng)作> 圖10為第一曝光繪圖裝置10的動(dòng)作的流程圖。 在步驟Rll中，傳感器SS1確認(rèn)被曝光基板CB從外部被搬入至基 板投入部20。在步驟R12中，旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)滾子21，搬送被曝光基板CB至基板投入 部20的基板校正位置。在步驟R13中，傳感器SS2確認(rèn)基板是否到達(dá)基板校正位置。在步驟RM中，旋轉(zhuǎn)滾子21的旋轉(zhuǎn)停止(在步驟R13中傳感器SS2 確認(rèn)到基板到達(dá)至基板校正位置時(shí))。其次，在步驟R15中，校正部30的校正銷35經(jīng)由校正用氣缸31 上升，校正銷35抵接于被曝光基板CB的四邊的外周，并使被曝光基板 CB移動(dòng)至校正位置。在步驟R16中，符號(hào)形成部40從待機(jī)位置沿著被曝光基板CB的外 周在水平方向移動(dòng)，移動(dòng)至對(duì)位符號(hào)AM的形成位置。在步驟R17中，符號(hào)形成部40的第一頭41U及第二頭41D朝接近 被曝光基板CB的方向進(jìn)行上下移動(dòng)，移動(dòng)至形成對(duì)位符號(hào)AM的最適 當(dāng)位置。在步驟R18中，點(diǎn)亮光源LED1及光源LED2，在被曝光基板CB的 第一面及第二面同時(shí)形成第一及第二對(duì)位符號(hào)AMI及AM2。在步驟R19中，上下頭41回到原來(lái)的位置，此兩個(gè)頭的間隔變寬， 符號(hào)形成部40回到待機(jī)位置。在步驟R20中，第一搬送部50真空吸著被曝光基板CB，搬送到被 曝光體臺(tái)68，解除被曝光基板CB的真空吸著。另外，被曝光體臺(tái)68真 空吸著被曝光基板CB。在步驟R21中，對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC觀察被曝光基板CB的第一面的 第一對(duì)位符號(hào)AM1。另外，基于被曝光基板CB的第一對(duì)位符號(hào)AM1， 在被曝光基板CB將電路圖案通過(guò)DMD組件65繪圖。在步驟R22中，利用第一搬送部50將被曝光基板CB移動(dòng)至待機(jī)臺(tái) 70,第一搬送部50的反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)子59或待機(jī)臺(tái)70使被曝光基板CB反轉(zhuǎn)。 由此，被曝光基板CB的第二面的繪圖準(zhǔn)備完成。在步驟R23中，第二搬送部150吸著被曝光基板CB，搬送至第二 被曝光體臺(tái)68，解除被曝光基板CB的真空吸著。另外，第二被曝光體 臺(tái)68真空吸著被曝光基板CB。在步驟R24中，第二繪圖部160的對(duì)位檢測(cè)系統(tǒng)AC觀察第二面的 第二對(duì)位符號(hào)AM2。另外，基于被曝光基板CB的第二對(duì)位符號(hào)AM2 以及第一對(duì)位符號(hào)AMI和第二對(duì)位符號(hào)AM2的差異位置，在被曝光基 板CB將電路圖案經(jīng)由繪圖部160繪圖。在第二面的電路圖案的繪圖之際， 由于考慮到第一對(duì)位符號(hào)AMI和第二對(duì)位符號(hào)AM2的差異位置，正確 地對(duì)應(yīng)第一面的電路圖案和第二面的電路圖案地進(jìn)行繪圖。在步驟R25中，第二搬送部150吸著第一面及第二面的繪圖完成的 被曝光基板CB，搬送至搬出臺(tái)180。在本實(shí)施例中，雖然校正部30及符號(hào)形成部40被設(shè)置在不同于被 曝光臺(tái)68的位置，但也可設(shè)置在被曝光體臺(tái)68的周圍。這樣，可使第 一曝光繪圖裝置10的設(shè)置面積變小。然而，將丟失被曝光基板CB的待 機(jī)位置，從而有可能降低生產(chǎn)量。另外，在本實(shí)施例，雖然設(shè)置形成第一面的第一對(duì)位符號(hào)AM1和第 二面的第二對(duì)位符號(hào)AM2的符號(hào)形成部40，但也可分別設(shè)置僅形成第一 對(duì)位符號(hào)AMI的符號(hào)形成部和僅形成第二對(duì)位符號(hào)AM2的符號(hào)形成部。
權(quán)利要求
1.一種曝光繪圖裝置，其特征在于，包括基板投入部，其將形成有感光層的基板投入至基板校正位置；校正部，其將被投入至該基板校正位置的上述基板校正至規(guī)定位置；符號(hào)形成部，其在通過(guò)上述校正部被校正的基板的第一面以及第二面上形成第一及第二對(duì)位符號(hào)；以及繪圖部，其根據(jù)上述第一及第二對(duì)位符號(hào)，將電路圖案繪圖至上述基板的第一面及第二面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光繪圖裝置，其中上述符號(hào)形成部經(jīng)由 短波長(zhǎng)的照明光，在上述基板的兩面上同時(shí)形成上述第一及第二對(duì)位符 號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光繪圖裝置，還包括-存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)上述第一對(duì)位符號(hào)和上述第二對(duì)位符號(hào)的二維平面 的差異信息；其中上述繪圖部根據(jù)上述第一對(duì)位符號(hào)將電路圖案繪圖于上述第一 面上，且根據(jù)上述第二對(duì)位符號(hào)及上述差異信息將電路圖案繪圖于上述 第二面上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光繪圖裝置，還包括存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)上述第一對(duì)位符號(hào)和上述第二對(duì)位符號(hào)的二維平面 的差異信息；其中上述繪圖部，根據(jù)上述第一對(duì)位符號(hào)將電路圖案繪圖于上述第 一面上，且根據(jù)上述第二對(duì)位符號(hào)及上述差異信息將電路圖案繪圖于上 述第二面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光繪圖裝置，其中上述符號(hào)形成部具有 第一面符號(hào)形成部和第二面符號(hào)形成部，各個(gè)符號(hào)形成部可在與上述基 板面平行的二維平面移動(dòng)，且可在與上述二維平面直交的方向移動(dòng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光繪圖裝置，其中上述符號(hào)形成部具有 第一面符號(hào)形成部和第二面符號(hào)形成部，各個(gè)符號(hào)形成部可在與上述基板面平行的二維平面移動(dòng)，且可在與上述二維平面直交的方向移動(dòng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光繪圖裝置，其中上述符號(hào)形成部具有 僅在上述第一面符號(hào)形成部的一方照射短波長(zhǎng)的照明光的機(jī)構(gòu)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光繪圖裝置，其中上述符號(hào)形成部具有 僅在上述第一面符號(hào)形成部的一方照射短波長(zhǎng)的照明光的機(jī)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任意一項(xiàng)所述的曝光繪圖裝置，其中上 述基板投入部具有將上述基板從基板被投入的位置移動(dòng)至上述基板校正 位置的多個(gè)旋轉(zhuǎn)滾子。
全文摘要
提供一種曝光繪圖裝置，在基板的兩面上形成將在繪圖電路圖案時(shí)所必要的對(duì)位符號(hào)。曝光繪圖裝置(10)包括基板投入部(20)，將形成有感光層的基板(CB)投入至基板校正位置；校正部(30)，將被投入至此基板校正位置的上述基板校正至規(guī)定位置；符號(hào)形成部(40)，對(duì)于通過(guò)校正部被校正的基板的第一面以及第二面，形成第一及第二對(duì)位符號(hào)；以及繪圖部(60)，基于第一及第二對(duì)位符號(hào)，將電路圖案繪圖至基板的第一面及第二面。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101320220SQ20081009606
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2008年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日
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