專利名稱：：液晶顯示裝置、電子設備、以及其驅(qū)動方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示裝置、電子設備、以及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
：近年來，急速地開展液晶顯示裝置替代使用現(xiàn)有的陰極射線管的顯示裝置，并且液晶顯示裝置用于小型電子設備中。在此，液晶顯示裝置是指如下顯示裝置，即，通過對襯底之間的液晶分子施加電壓來改變液晶分子的定向方向，利用由此產(chǎn)生的光學特性的變化。作為典型的液晶顯示裝置，例如可以舉出使用扭轉(zhuǎn)向列(TN)方式的液晶顯示裝置。使用TN方式的顯示元件的基本結(jié)構(gòu)為如下，艮口，在兩個襯底之間夾著向列液晶，并且液晶分子的長軸在兩個襯底之間連續(xù)地扭轉(zhuǎn)90。。因此，入射到處于該狀態(tài)的顯示元件的液晶分子的光的偏光方向沿著液晶分子的扭轉(zhuǎn)而改變90°。在此，在對液晶分子施加電壓的情況下，通過施加某一閾值電壓Vth以上的電壓，可以將液晶分子的長軸向電場方向傾斜。換言之，可以將液晶分子的扭轉(zhuǎn)狀態(tài)從90。改變。此時，隨著該扭轉(zhuǎn)，入射到液晶分子的光的偏光方向也改變。將此用作光快門的方式就是TN方式。通過使用有源矩陣驅(qū)動來驅(qū)動上述TN方式的顯示裝置，與無源矩陣驅(qū)動相比，可以實現(xiàn)動畫顯示性能優(yōu)良的顯示裝置。在此，'有源矩陣驅(qū)動是指一種使用制造在每個像素中的晶體管來驅(qū)動像素的方式。像這樣，通過組合TN方式和有源矩陣驅(qū)動，確保了作為顯示裝置的一定程度的性能。然而，與使用現(xiàn)有的陰極射線管的顯示裝置相比，難以說這可以得到充分的性能(尤其是，圖像質(zhì)量、動畫性能)。為了提高這種性能，高速響應的液晶材料的開發(fā)正在進展(例如，參照專利文獻1)，并且，漸漸采用替代TN方式的方式如OCB(bendorientation)方式、IPS方式等(例如，參照專利文獻2)。此外，也正在研究與上述方法不同的方法。例如有過激勵(overdrive)驅(qū)動(例如參照專利文獻3)和脈沖驅(qū)動(例如參照專利文獻4)。過激勵驅(qū)動是指一種為了提高液晶分子的響應速度而暫時施加高電壓的驅(qū)動方法。通過該方法，可以縮短到得到所希望的亮度的時間，而提高動畫性能。在脈沖驅(qū)動中，通過在目標的灰度級不被顯示的期間(過渡期間)中熄滅背光燈來實現(xiàn)具有脈沖性的顯示，使得提高動畫性能，此外，通過在過渡期間中進行黑色顯示來減少灰度級的錯開，使得提高圖像質(zhì)量。專利申請公開Hei5-17408號公報專利申請公開Hei7-84254號公報專利申請公開Hei7-104715號公報專利申請公開2000-56738號公報近年，正在研究將LED用作背光燈的方法。通過作為背光燈使用LED，可以高速地轉(zhuǎn)換點燈和熄燈。此外，還具有如下優(yōu)點，即，低溫時的亮度特性與通常狀態(tài)的亮度特性大概相同，可以利用電源輸入而瞬時確保亮度，而不需要高電壓。然而，即使將LED用作背光燈，也并不完全解決關于顯示的問題。例如，液晶的響應速度隨著環(huán)境(例如，溫度、氣壓等)的變化而大幅度地改變。因此，在使用脈沖驅(qū)動的情況下，有可能液晶的響應時序和背光燈的點燈時序被錯開。例如，在以設計上固定的時序控制背光燈的點燈和熄燈(開關)的情況下，會發(fā)生雖然液晶的響應不結(jié)束但是背光燈點燈的狀況。由此導致發(fā)生動畫模糊等的顯示不良。此外，不能充分有效地利用LED的優(yōu)良的響應特性。與此同樣，背光燈的亮度大幅度地受到環(huán)境的影響。因此，難以說在任何情況下也可以得到所希望的亮度。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種圖像質(zhì)量優(yōu)良且動畫性能高的液晶顯示裝置、電子設備、以及用來得到優(yōu)良的圖像質(zhì)量和高動畫性能的驅(qū)動方法。在本發(fā)明中，在液晶顯示裝置中設置監(jiān)視器用的像素，并且使用光傳感器檢測出該像素的亮度。由此，由于可以計算出環(huán)境的變化所導致的背光燈的亮度變化和液晶響應所需要的時間，因此可以利用該計算出來的信息實時控制背光燈。注意，這里所說的"實時"不是嚴格意味著"同時"，而是容許人類不能識別的時間差的。本發(fā)明的液晶顯示裝置之一的特征在于，包括背光燈、監(jiān)視器用的光源、以及液晶層，還包括光傳感器，該光傳感器用來檢測出經(jīng)過液晶層的來自監(jiān)視器用的光源的光的強度。這里，監(jiān)視器用的光源是指用于監(jiān)視亮度的光源。本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一特征在于具有背光燈的液晶顯示裝置，包括位于監(jiān)視器用的光源上的第一偏振片；位于第一偏振片上的第二偏振片；位于夾在第一偏振片和第二偏振片之間的區(qū)域的液晶層；以及位于第二偏振片上的光傳感器，其中光傳感器布置為檢測出來自監(jiān)視器用的光源的光的強度。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一特征在于，除了上述以外，還包括根據(jù)由光傳感器檢測出來的來自監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出背光燈的亮度的校正量的單元；根據(jù)計算出來的背光燈的亮度的校正量控制背光燈的亮度的單元。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一特征在于，除了上述以外，還包括根據(jù)由光傳感器檢測出來的監(jiān)視器用的光源的亮度計算出背光燈的點燈時序或熄燈時序的單元；以及根據(jù)計算出來的背光燈的點燈時序或熄燈時序控制背光燈的點燈或熄燈的單元。在上述結(jié)構(gòu)中，監(jiān)視器用的光源和背光燈也可以設置在液晶層的一方一側(cè)。此外，監(jiān)視器用的光源也可以是背光燈的一部分。此外，在上述結(jié)構(gòu)中，監(jiān)視器用的光源可以設置在液晶層的一方一側(cè)，而背光燈也可以設置在液晶層的與監(jiān)視器用的光源相反一側(cè)。此外，在上述結(jié)構(gòu)中，可以包括用來檢測出外部光的強度的光傳感器。注意，可以使用上述液晶顯示裝置來提供各種電子設備。本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一是一種包括背光燈、監(jiān)視器用的光源、以及液晶層的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，其中檢測出經(jīng)過液晶層的來自監(jiān)視器用的光源的光的強度。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的另一特征在于，除了上述以外，根據(jù)檢測出來的來自監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出背光燈的亮度的校正量，并且根據(jù)計算出來的背光燈的亮度的校正量控制背光燈的亮度。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的另一特征在于，除了上述以外，根據(jù)檢測出來的監(jiān)視器用的光源的亮度計算出背光燈的點燈時序或熄燈時序，并且根據(jù)計算出來的背光燈的點燈時序或熄燈時序控制背光燈的點燈或熄燈。在上述結(jié)構(gòu)中，液晶顯示裝置也可以具有用來檢測出外部光的強度的光傳感器，并且也可以根據(jù)由檢測出外部光的強度的光傳感器檢測出來的周圍的明亮度計算出背光燈的亮度的校正量，并且根據(jù)計算出來的背光燈的亮度的校正量控制背光燈的亮度。注意，在本說明書中，亮度是指以一定的期間積分瞬間的明亮度(瞬間的亮度)而得出的亮度。根據(jù)本發(fā)明，由于可以進行對應于環(huán)境(例如，溫度、壓力等)的變化的控制，所以可以提供圖像質(zhì)量優(yōu)良且動畫性能高的顯示裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種在環(huán)境的變化大的情況下也呈現(xiàn)優(yōu)良的圖像質(zhì)量和高動畫性能的液晶顯示裝置及電子設備。換言之，在置身于苛刻環(huán)境下的街頭上的顯示面板和便攜式設備、以及車載設備等中，也可以得到優(yōu)良的圖像質(zhì)量和高動畫性能。圖1A和1B是表示涉及本發(fā)明的面板的結(jié)構(gòu)的一個例子的圖；圖2A和2B是表示本發(fā)明的電路及控制方法的一個例子的圖；圖3A和3B是表示本發(fā)明的電路及控制方法的一個例子的圖；圖4是表示本發(fā)明的背光燈的點燈時序的圖；圖5是表示本發(fā)明的電路的一個例子的圖；圖6是表示本發(fā)明的控制方法的一個例子的圖；圖7是表示本發(fā)明的背光燈的點燈時序的圖；圖8是表示本發(fā)明的控制方法的一個例子的圖；圖9A和9B是表示涉及本發(fā)明的面板的結(jié)構(gòu)的一個例子的圖；圖10A至10D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的監(jiān)視器部的布置例子的圖11A和11B是表示本發(fā)明的光傳感器的一個例子的圖；圖12A至12D是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖13A至13C是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖14A至14C是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖15是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造過程的圖；圖16是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖17是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖18A和18B是表示本發(fā)明的半導體襯底的圖；圖19A和19B是本發(fā)明的半導體襯底的截面圖；圖20A和20B是本發(fā)明的半導體襯底的截面圖；圖21A至21C是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖22A至22C是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖23A至23C是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖24A和24B是表示本發(fā)明的半導體襯底的制造過程的圖；圖25A至25C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的圖；圖26A至26D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造過程的圖；圖27A至27C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造過程的圖；圖28A至28C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造過程的圖；圖29A和29B是表示本發(fā)明的另一個顯示裝置的圖；圖30A至30H是表示本發(fā)明的電子設備的圖。具體實施例方式下面，參照本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下描述，所屬
技術(shù)領域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是，其方式和詳細內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在以下所述的實施方式所記載的內(nèi)容中。另外，在以下說明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，在不同附圖之間共同使用表示同一結(jié)構(gòu)的附圖標記。實施方式l在本實施方式中，參照圖1A和1B及圖2A和2B說明本發(fā)明的液晶顯示裝置和其驅(qū)動方法的一個例子。圖1A示出可以用于本發(fā)明的液晶顯示裝置的面板的平面圖。襯底100和相對襯底110由密封劑112彼此貼合。此外，在襯底100和相對襯底110之間設置有像素部102、掃描線驅(qū)動電路104a、掃描線驅(qū)動電路104b、以及監(jiān)視器部108，并且在襯底100上設置有信號線驅(qū)動電路106。這里，監(jiān)視器部108是設置有用來得到面板的亮度信息的光傳感器的區(qū)域。監(jiān)視器部108的面積既可為一個像素的面積左右，又可比此大。通過擴大監(jiān)視器部108的面積，可以提高亮度的檢測精度。來自外部的信號通過FPC(柔性印刷電路)114被輸入。注意，在圖1A中，具有一體形成掃描線驅(qū)動電路104a和掃描線驅(qū)動電路104b的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。此外，監(jiān)視器部的位置也不局限于圖1A的結(jié)構(gòu)。此外，面板尺寸也可以適當?shù)剡x擇來使用。圖1B是簡化地表示圖1A所示的面板的疊層結(jié)構(gòu)的圖。在襯底100和相對襯底IIO之間設置有液晶層122。此外，在襯底IOO和相對襯底110之外側(cè)(在圖1B中，襯底100的下方及相對襯底110的上方)分別設置有偏振片120a及偏振片120b。在偏振片120b的外側(cè)(偏振片120b的上方)設置有光傳感器124。光傳感器124檢測出順序經(jīng)過偏振片120a、襯底100、液晶層122、相對襯底110、以及偏振片120b的光。具體來說，光傳感器124檢測出來自設置在偏振片120a的外側(cè)(在圖1B中，偏振片120a的下方)的背光燈(或監(jiān)視器用的光源)的光。由此，可以計算出環(huán)境(例如，溫度、壓力等)的變化所導致的背光燈的亮度變化和液晶響應所需要的時間，來進行背光燈的控制(例如，亮度的控制和開關時序的控制等)。在本實施方式中，采用將光傳感器124設置在偏振片120a的外部的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。由于實施本發(fā)明之際的重點在于通過光傳感器124檢測出背光燈(或監(jiān)視器用的光源)的光強度來計算出亮度的變化和液晶響應所需要的時間，所以只要采用能夠檢測出來自背光燈(或監(jiān)視器用的光源)的光的強度的布置，就可以采用任何結(jié)構(gòu)來實施本發(fā)明而不局限于本實施方式的結(jié)構(gòu)。不言而喻，也可以采用設置多個光傳感器的結(jié)構(gòu)，并且可以適當?shù)脑O定其布置。注意，為準確地進行本發(fā)明的控制而重要的是采用除了檢測的目的光以外的光不入射到光傳感器124的結(jié)構(gòu)。注意，使入射到光傳感器的光可以為背光燈的光，但是除了設置背光燈以外還設置監(jiān)視器用的光源是更優(yōu)選的。在使用背光燈的光的情況下，由于可以簡化結(jié)構(gòu)，所以是優(yōu)選的。在除了設置背光燈以外還設置監(jiān)視器用的光源的情況下，可以適當?shù)亟M合使用該光源的其他驅(qū)動方法。作為監(jiān)視器用的光源優(yōu)選使用具有與背光燈相同特性的光源，但是，只要監(jiān)視器用的光源的亮度和背光燈的亮度具有對應關系，就并不限于使用具有相同特性的光源。在本實施方式中，描述除了背光燈以外另行設置光源的情況。注意，雖然在圖1B中示出從相對襯底一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)，但是也可以在從襯底(有源矩陣型襯底)一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)中同樣地使用本發(fā)明。在此情況下，光傳感器檢測出順序經(jīng)過偏振片、相對襯底、液晶層、襯底(有源矩陣型襯底)、以及偏振片的光。接下來，參照圖2A和2B說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的控制背光燈的輸出(亮度)的電路及背光燈的輸出(亮度)的控制方法的一個例子。注意，本實施方式的背光燈的輸出控制在背光燈的明亮度不是本來的明亮度的情況如剛剛開通電源之后和其周圍環(huán)境產(chǎn)生變化的情況等下，為了顯示本來的準確的明亮度而進行。圖2A是表示控制背光燈的輸出(亮度)的電路的一個例子的圖。光傳感器200電連接到積分電路202，而積分電路202電連接到比較電路204。比較電路204電連接到背光燈控制電路206，而背光燈控制電路206電連接到背光燈208及監(jiān)視器用的光源210。來自監(jiān)視器用的光源210的光透過液晶面板212而入射到光傳感器200。注意，雖然在圖2A中表示背光燈控制電路206與背光燈208及監(jiān)視器用的光源210的連接關系，但是在背光燈兼用監(jiān)視器用的光源而省略監(jiān)視器用的光源的情況下，也可以采用背光燈控制電路206僅電連接到背光燈208的結(jié)構(gòu)。附圖中的箭頭表示主要信號的傳送方向。積分電路202具有對由光傳感器檢測出來的光強度(瞬間的亮度)進行時間積分的功能。人類具有積分一定的期間內(nèi)的光強度而知覺的特性。因此，通過使用積分電路202，可以計算出人類的眼睛受到的亮度。比較電路204具有比較由積分電路202得到的亮度和預先設定的值的功能。背光燈控制電路206根據(jù)比較電路204的比較結(jié)果控制背光燈208及監(jiān)視器用的光源210。這里，參照圖2B說明背光燈的輸出(亮度)的控制方法的一個例子。首先，設定目的的亮度A(步驟S250)。在本實施方式中考慮如下情況作為一個例子，即，能夠以"0至255"的256階段調(diào)節(jié)背光燈的輸出，并且可以根據(jù)周圍的明亮度轉(zhuǎn)換多個方式(例如，太陽光模式、室內(nèi)模式、暗室模式等)。例如，將太陽光模式的背光燈的輸出設定為200，將室內(nèi)模式的背光燈的輸出設定為150，而將暗室模式的背光燈的輸出設定為100。當被采用的顯示模式是太陽光模式時，可以將在輸出為200的情況下預料的本來的明亮度、施加到監(jiān)視器部的像素電極的電壓等作為基準設定目的的亮度A。更具體地說，例如可以將如下情況的亮度設定為目的的亮度A，即，將背光燈的明亮度設定為在輸出為200的情況下的本來的明亮度且將亮度最大的電壓施加到監(jiān)視器部的像素電極的情況。注意，雖然由于本實施方式涉及背光燈的輸出控制，所以施加到監(jiān)視器部的像素電極的電壓沒有特別的限制，但是為了精度高地進行背光燈的輸出控制，入射到光傳感器的光量越多越好。注意，也可以采用預先將目的的亮度A的信息儲存在存儲器，適當?shù)貜拇鎯ζ髯x出而使用的結(jié)構(gòu)。接下來，檢測出在一個幀期間中的監(jiān)視器部的亮度B(步驟S252)。注意，將用來控制背光燈的輸出的該亮度檢測方便地稱作"輸出控制用亮度檢測"。并且，比較目的的亮度A和上述亮度B來計算出校正用的參數(shù)(步驟S254)。作為校正用的參數(shù)的計算方法，可以舉出利用目的的亮度A和檢測出了的亮度B之間的差數(shù)的方法、利用目的的亮度A和檢測出了的亮度B的比率的方法等。例如，在背光燈的輸出(亮度)對輸入以線形改變的情況下，可以使用利用比率的計算方法。在此情況下，由于為得到目的的亮度而需的輸入電流L和現(xiàn)狀的電流12的關系由A:B=I1:12表示，所以為得到目的的亮度而需的輸入電流L為L=I2，A/B。在本實施方式中，由于可以通過256階段控制背光燈的輸出，所以當調(diào)節(jié)背光燈的亮度時選擇最接近于上述電流值的電流的階段。注意，在背光燈的亮度對輸入電壓以線形改變的情況下，可以同樣地使用電壓值控制。在背光燈的輸出(亮度)不對輸入?yún)?shù)以線形反應的情況下，優(yōu)選使用差數(shù)。換言之，計算出目的的亮度A和檢測出來的亮度B之間的差數(shù)C(=A-B)，使用參照表(所謂的查找表；lookuptable)來確定輸入到背光燈的電流和電壓等。然后，使用利用上述方法等計算出的校正用的參數(shù)調(diào)節(jié)背光燈的亮度(步驟S256)。注意，即使在使用差數(shù)C控制的情況下，也不局限于參照査找表確定輸入到背光燈的電流和電壓等的方法。例如，可以采用以一定的步驟改變背光燈的輸入電流(或電壓)的方式。在此情況下，如果最大亮度的電流(或電壓)由I醒(VMAX)表示，在通過N段步驟控制亮度的情況下，就以一段步驟即IMAX/N(VMAX/N)改變輸入電流(電壓)。當采用這種結(jié)構(gòu)時，雖然為達到目的的亮度而需的時間稍微長，但是有不需要設置查找表的優(yōu)點。此外，在如本實施方式那樣分別設置背光燈和監(jiān)視器用的光源的情況下，為了后面進行反饋而需要同時進行監(jiān)視器用的光源的亮度調(diào)節(jié)。接下來，比較目的的亮度A和校正后的亮度B'(步驟S258)。當目的的亮度A和校正后的亮度B'相同(A=B')時，校正結(jié)束。當因環(huán)境的變化或校正誤差等而目的的亮度A和校正后的亮度B'不同時，再次計算出校正用的參數(shù)進行校正(步驟S252、步驟S254)。通過反復這種反饋，最后顯示目的的亮度A。注意，在本實施方式中，采用一直到目的的亮度A和校正后的亮度B'相同反復反饋的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。例如，可以采用如下結(jié)構(gòu)，gP，對目的的亮度A設定某一程度的容許范圍，并且在校正用的亮度B'包括在其范圍內(nèi)的情況下，在此結(jié)束校正。注意，在圖2B所示的流程圖中，當校正完了時終止校正，但是本發(fā)明不局限于此。例如，既可采用以一定的周期進行校正的結(jié)構(gòu)，又可采用一直進行反饋的結(jié)構(gòu)。此外，也可以采用當轉(zhuǎn)換顯示方式(例如，從太陽光模式轉(zhuǎn)換到室內(nèi)模式)時進行校正的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明可以應用于檢測出來的亮度B比目的的亮度A低的情況和檢測出來的亮度B比目的的亮度A高的情況的雙方。不言而喻，也可以為檢測出來的亮度B和目的的亮度A相同的情況。如上那樣，通過使用光傳感器控制背光燈的輸出(亮度)，可以準確地顯示所希望的亮度。此外，即使在隨著環(huán)境(溫度和壓力等)的變化而背光燈的輸出改變的情況下，也可以保持所希望的亮度。此外，由于不需要用來檢測出環(huán)境的變化的溫度傳感器等，并且不需要使用用來參照溫度等和亮度的關系的査找表，所以可以簡化傳感器和存儲器等的結(jié)構(gòu)。此外，既在剛剛輸入電力之后的狀況下，又在輸入電力之后經(jīng)過一定的時間的狀況下，都可以提供優(yōu)良的圖像質(zhì)量。此外，可以在置身于苛刻環(huán)境下的街頭上的顯示面板和便攜式設備、以及車載設備等中，可以得到優(yōu)良的圖像質(zhì)量。注意，雖然在本實施方式中說明使用硬件進行處理的例子，但是本發(fā)明不局限于此。由于本實施方式的技術(shù)思想在于根據(jù)由光傳感器得到的信息進行背光燈的輸出控制(輸出的最適合化)，所以只要是可以實施這些技術(shù)思想的結(jié)構(gòu)，就可以采用任何結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用軟件進行在本實施方式中使用硬件進行的處理。注意，雖然在本實施方式中說明將本發(fā)明應用于液晶顯示裝置的情況，但是本發(fā)明可以應用于液晶顯示裝置以外的顯示裝置。例如，在利用發(fā)光元件的電致發(fā)光型顯示裝置中，可以為了補償伴隨發(fā)光元件的退化產(chǎn)生的亮度的降低而使用本發(fā)明。尤其是，當采用補償RGB每一個的亮度的結(jié)構(gòu)時，可以提供非常優(yōu)良的圖像質(zhì)量。與此同樣，在PDP(等離子體顯示面板)、FED(場致發(fā)射顯示器)等的顯示裝置中也可以使用本發(fā)明。實施方式2在本實施方式中，參照圖3A和3B及圖4說明本發(fā)明的液晶顯示裝置和其驅(qū)動方法的其他例子。可以用于本實施方式的液晶顯示裝置的面板的結(jié)構(gòu)與實施方式1相同，因此，這里省略其詳細說明。在本實施方式中描述背光燈的開關控制電路及背光燈的開關控制方法的一個例子。注意，在本實施方式中的背光燈的開關控制是為如下目的而進行的，S卩，在因液晶的響應延遲或?qū)懭霑r滯等而不能顯示正確的灰度的情況等下，通過控制背光燈的開通和截止來顯示正確的灰度。圖3A是表示背光燈的開關控制電路的一個例子的圖。光傳感器300電連接到積分電路302，而積分電路302電連接到比較電路304。比較電路304電連接到背光燈控制電路306,而背光燈控制電路306電連接到背光燈308及監(jiān)視器用的光源310。來自監(jiān)視器用的光源310的光透過液晶面板312而入射到光傳感器300。注意，雖然在圖3A中表示背光燈控制電路306與背光燈308及監(jiān)視器用的光源310的連接關系，但是在背光燈兼用監(jiān)視器用的光源而省略監(jiān)視器用的光源的情況下，也可以采用背光燈控制電路306僅電連接到背光燈308的結(jié)構(gòu)。附圖中的箭頭表示主要信號的傳送方向。積分電路302具有對由光傳感器檢測出來的光強度進行時間積分的功能。人類具有積分在一定的期間內(nèi)的光強度而知覺的特性。因此，通過使用積分電路302，可以計算出人類的眼睛受到的亮度。注意，雖然在本實施方式中示出設置積分電路302的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。由于本實施方式的控制是使用瞬間的亮度來進行的控制，所以采用不設置積分電路302的結(jié)構(gòu)也沒有問題。通過設置積分電路302，可以降低雜波的影響來進行更正確的控制。在不設置積分電路302的情況下，有能夠進一步簡化結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。比較電路304具有比較由積分電路302得到的亮度和預先設定的值的功能。背光燈控制電路306根據(jù)比較電路304的比較結(jié)果控制背光燈308及監(jiān)視器用的光源310。注意，在本實施方式中，監(jiān)視器用的光源310既可具有一直點燈的結(jié)構(gòu)，又可具有在不需要的期間中熄燈的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，在背光燈308的點燈時序確定的情況下，可以在后面的一個幀期間中使監(jiān)視器用的光源310熄燈。由此，與一直發(fā)光的情況相比，可以減少耗電量。這里，參照圖3B說明背光燈的開關控制方法的一個例子。首先，設定目的的亮度D(步驟S350)。目的的亮度D優(yōu)選假定在其液晶顯示裝置中響應速度最慢的狀況即到響應完了需要最多時間的狀況來設定。例如，在VA方式的液晶顯示裝置中，由于向中間灰度的響應最慢，所以優(yōu)選將該中間灰度中的亮度設定為目的的亮度D。由此可計算出從信號輸入到一個像素到其響應完了所需要的最長時間。就是說，可以使背光燈的點燈時序適合于響應最慢的狀況。通過上述方法，可以在構(gòu)成一個屏幕的所有的像素完了響應之后，使背光燈點燈，所以貢獻于提高動畫性能。注意，為了實現(xiàn)這種顯示，例如，在信號輸入到一個屏幕的最后像素之后，根據(jù)計算出了的點燈時序使背光燈點燈，即可。接下來，設定閾值E(步驟S352)。閾值E是背光燈的開關的基準值。具體來說，閾值E是用來辨別是否達到目的的亮度的基準值。例如，在辨別從亮度低的狀態(tài)向高的狀態(tài)的響應的情況下，只要是閾值E以上的亮度，將此當作達到目的的亮度。閾值E可以根據(jù)目的的圖像質(zhì)量的特性及動畫性能適當?shù)卦O定。此外，優(yōu)選將目的的亮度D用作基準來設定是優(yōu)選的。在本實施方式中，作為一例說明如下情況，艮P，辨別從亮度低的狀態(tài)向高的狀態(tài)的響應，并且將閾值E設定為目的的亮度E的95。/。。注意，在辨別從亮度高的狀態(tài)向低的狀態(tài)的響應的情況下，將閾值E以下的亮度當作達到目的的亮度。注意，在用于僅顯示靜止畫的用途的情況下，也可以實際上不進行本實施方式所示的背光燈的開關控制。由此，因為在顯示相同亮度的情況下可以將背光燈的"瞬間的亮度"抑制為低，所以有延長背光燈的使用壽命的效應。接下來，將一個幀期間分為F個相同期間(以下稱作"亮度檢測期間")(步驟S354)。注意，在本實施方式中，作為一例說明將一個幀期間分為30個亮度檢測期間的情況。這里，在液晶的響應在一個幀期間中不完了的情況下，不需要將一個幀期間用作試驗期間進行背光燈的開關控制。例如，在使用響應慢的液晶材料的一部分液晶顯示裝置等中，有時液晶的響應在一個幀期間中不完了。在此情況下，可以將兩個幀期間以上的期間用作試驗期間進行控制。另一方面，當考慮到近年來的液晶顯示裝置的響應速度時，在很多液晶顯示裝置中液晶的響應大概在一個幀期間內(nèi)完了。因此，在本實施方式中，說明將一個幀期間用作試驗期間進行背光燈的開關控制的例子。不言而喻，在提高驅(qū)動頻率的情況(倍速(120Hz)驅(qū)動、三倍速(180Hz)驅(qū)動等)下，也可以實施本發(fā)明。例如，在將一個幀期間分為n個子幀期間進行n倍速驅(qū)動的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，在第一子幀期間中向所有的像素的信號寫入完了，使用包括第一子幀期間的一個或多個子幀期間計算出液晶的響應所需要的時間。注意，如本實施方式那樣，為了在與基準的一個幀期間不同的期間中進行某個工作(在本實施方式中，相當于上述"在亮度檢測期間中的亮度的檢測")，需要對應于目的的時序的新的時序信號。這里，為了使用簡單結(jié)構(gòu)產(chǎn)生新的時序信號，優(yōu)選利用輸入到驅(qū)動電路的時鐘信號。例如，通過根據(jù)驅(qū)動電路的第N段至第1段移位寄存器和第N段移位寄存器的輸出進行邏輯運算(例如獲得邏輯積)，可以使用非常簡單的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生新的時序信號。此外，通過適當?shù)馗淖兯x擇的移位寄存器的段數(shù)，可以使用極為簡單的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生非常多樣的時序信號。另外，也可以通過適當?shù)亟M合分頻電路等來產(chǎn)生時序信號。接下來，檢測出一個亮度檢測期間中的亮度G(步驟S356)。這里，將用來控制背光燈的開關的亮度檢測方便地稱作"開關控制用亮度檢測"。接下來，比較在上述亮度檢測期間中檢測出來的亮度G和每一亮度檢測期間的閾值E/F(步驟S358)。在檢測出來的亮度G超過每一亮度檢測期間的閾值E/F的情況(或E/F以上的情況)下，以其時序使背光燈點燈(步驟S360)，而在不然的情況下，檢測出下次亮度檢測期間中的亮度G'。然后進行同樣的比較(步驟S356、步驟S358)。這里，也可以采用在檢測出來的亮度小于閾值的狀況下使背光燈熄滅的結(jié)構(gòu)。注意，使用E/F作為比較對象的緣故在于閾值E是根據(jù)目的的亮度D設定的值，并且由一個幀期間的積分值表示。另一方面，當計算出亮度G時的積分期間是一個幀期間的1/F。注意，在本實施方式中，監(jiān)視器部的像素的工作既可與顯示部的像素的工作獨立，又可與顯示部的像素的工作聯(lián)動。在監(jiān)視器部的像素的工作與顯示部的像素的工作聯(lián)動的情況下，優(yōu)選與在顯示部中最后寫入信號的像素聯(lián)動。通過與在顯示部中最后寫入信號的像素聯(lián)動，容易計算出在屏幕上的所有的像素中液晶的響應完了的時序。在監(jiān)視器部的像素的工作與顯示部的像素的工作獨立的情況下，適當?shù)匦Ｕ彻鉄舻拈_關時序。如上那樣，可以根據(jù)圖3B所示的流程圖確定背光燈的開關時序。確定了的時序可以儲存在存儲器中，并且在一定的期間中繼續(xù)使用。不言而喻，也可以采用在每一個幀期間中更新背光燈的開關時序的結(jié)構(gòu)。圖4是在使用本實施方式所示的背光燈的開關時序控制方法的情況下的亮度(瞬間的亮度)和背光燈的點燈時序的關系的曲線圖。曲線圖的縱軸表示當將目的的亮度設定為100時的亮度。橫軸表示一個幀期間的亮度檢測期間(第1亮度檢測期間至第30亮度檢測期間)。此外，閾值以上的亮度由區(qū)域400表示，而背光燈點燈的期間由區(qū)域402表示。曲線圖中的箭頭表示辨別為在其之后(就是說，第16亮度檢測期間之后)亮度超過閾值。雖然在本實施方式中示出將亮度的閾值設定為目的的亮度的95%且將一個幀期間分為30個亮度檢測期間的情況，但是本發(fā)明不局限于此。各個參數(shù)可以適當?shù)馗淖儭Ｔ趫D4中，亮度一直到第15亮度檢測期間不超過閾值。因此，從超過閾值的第16亮度檢測期間的下一段亮度檢測期間即第17亮度檢測期間開始使背光燈點燈。注意，在圖4中的由曲線表示的亮度是"瞬間的亮度"，不與通過時間積分的"亮度"嚴格地對應。此外，在本實施方式中，檢測出閾值以上的亮度的時序和使背光燈點燈的時序之間有時間差。例如，如圖4所示，亮度超過閾值是在第16亮度檢測期間中的，另一方面，從第17亮度檢測期間開始背光燈的點燈。這是因為在一個亮度檢測期間中通過時間積分計算出亮度的緣故。然而，通過充分地縮短積分時間的亮度檢測期間(換言之，將一個幀期間分為多個亮度檢測期間)，可以解決上述問題。此外，為了解決上述問題，也可以采用使用瞬間的亮度進行辨別的結(jié)構(gòu)，而不使用通過時間積分得到的亮度。使用瞬間的亮度具有與充分地縮短積分期間(換言之，將一個幀期間分為幾乎無數(shù)的亮度檢出期間)相同的意思。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以進一步細密地控制背光燈點燈的時序。在使用通過時間積分得到的亮度的情況下，即使當不能充分地縮短積分期間的亮度檢測期間時，例如在將背光燈的控制時序儲存在存儲器中且以與此相同的時序進行一定的期間的控制的情況下，也可以適當?shù)匦Ｕ?在圖4中，將點燈時序從第17亮度檢測期間改變?yōu)榈?6亮度檢測期間)來使背光燈的點燈時序最適合化。另外，當顯示裝置高速工作時，會產(chǎn)生起因于雜波等的問題。例如，雖然如圖4所示那樣在雜波的影響很少且亮度單調(diào)地增加(減少)的情況下，沒有特別的問題，但是在雜波很大的情況下，會發(fā)生亮度暫時超過閾值的狀況。在這種狀況下，難以正確地控制背光燈。為了解決上述問題，例如可以附加新的條件如"在檢測出來的亮度至少兩次(或其以上)連續(xù)地超過閾值的情況下，使背光燈點燈"等。由于與此同樣的問題還會在采用過激勵驅(qū)動時發(fā)生，所以優(yōu)選進行與上述同樣的處理。注意，雖然在本實施方式中說明將亮度從低的狀態(tài)遷移到高的狀態(tài)的情況設定為試驗模式的情況，但是本發(fā)明不局限于此。也可以將亮度從高的狀態(tài)遷移到低的狀態(tài)的情況設定為試驗模式，來使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。在此情況下，適當?shù)馗淖兏鱾€參數(shù)即可。如上述那樣，通過使用光傳感器進行背光燈的開關控制，可以實現(xiàn)以最適合的時序進行的脈沖驅(qū)動。由此顯著地提高動畫性能。此外，由于即使在隨著環(huán)境(溫度、壓力等)的變化，液晶的響應速度改變的情況下，也可以實現(xiàn)最適合的脈沖驅(qū)動，所以可以將動畫性能一直保持為高狀態(tài)。此外，由于不需要用來檢測出環(huán)境的變化的溫度傳感器等，并且不需要利用參照表(所謂的查找表)來控制，所以可以簡化傳感器和存儲器等的結(jié)構(gòu)。注意，使用本發(fā)明的情況下的脈沖驅(qū)動與現(xiàn)有意思的脈沖驅(qū)動不同。就是說，現(xiàn)有的impuls驅(qū)動是指著眼于某個像素時的亮度以脈沖方式改變，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動是指一個屏幕的像素的亮度同時且以脈沖方式改變。換言之，現(xiàn)有的impuls驅(qū)動是通過點順序驅(qū)動、線順序驅(qū)動而進行的脈沖驅(qū)動，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動具有"面順序驅(qū)動"那樣的側(cè)面，即，使一個屏幕的像素同時點燈。由于可以使一個屏幕的所有像素同時點燈，所以顯著地提高動畫性能。注意，為了實現(xiàn)上述脈沖驅(qū)動，對象的期間(在本實施方式中是一個幀期間)必須要比對所有的像素寫入信號所需要的時間和液晶的響應完了所需要的時間的綜合長。這起因于從所有的像素的液晶的響應完了的狀態(tài)開始背光燈的點燈。然而，鑒于近年來的驅(qū)動電路的處理能力的提高或液晶的響應速度的提高等，這一點并不是什么問題。此外，既在剛剛輸入電力之后的狀況下，又在輸入電力之后經(jīng)過一定的時間的狀況下，都可以提供高動畫性能的液晶顯示裝置。此外，可以在置身于苛刻環(huán)境下的街頭上的顯示面板和便攜式設備、以及車載設備等中，可以得到高動畫性能。注意，雖然在本實施方式中說明進行背光燈的開關控制的情況，但是本發(fā)明可以用于進行背光燈的開關控制以外的情況。例如，為了確定最適合過激勵驅(qū)動的電壓，可以使用本發(fā)明。在此情況下，通過以離所希望的期間顯示目的的亮度的方式控制過激勵電壓，可以顯著地提高動畫性能。不言而喻，也可以組合使用過激勵電壓的控制和背光燈的開關控制。注意，雖然在本實施方式中說明使用硬件進行處理的例子，但是本發(fā)明不局限于此。由于本實施方式的技術(shù)思想在于根據(jù)由光傳感器得到的信息進行背光燈的開關控制，所以只要是可以實施這些技術(shù)思想的結(jié)構(gòu)，就可以采用任何結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用軟件進行在本實施方式中使用硬件進行的處理。本實施方式可以與實施方式1適當組合使用。注意，實施方式1所示的背光燈的輸出控制和本實施方式中的背光燈的開關控制也可以組合而使用。通過組合使用上述結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)具有高圖像質(zhì)量及高動畫性能的液晶顯示裝置。實施方式3在本實施方式中，參照圖5至圖7說明本發(fā)明的液晶顯示裝置和其驅(qū)動方法的其他例子?？梢杂糜诒緦嵤┓绞降囊壕э@示裝置的面板的結(jié)構(gòu)與實施方式1相同，因此，這里省略其詳細說明。在本實施方式中描述與實施方式2不同的背光燈的開關控制電路及背光燈的開關控制方法。圖5是表示背光燈的開關控制電路的一個例子的圖。光傳感器500電連接到積分電路502，而積分電路502電連接到比較電路A504、差動電路506、以及延遲電路508。延遲電路508電連接到差動電路506，而差動電路506電連接到比較電路B510。比較電路A504、比較電路B510電連接到一致電路512，一致電路512電連接到背光燈控制電路514，而背光燈控制電路514電連接到背光燈516及監(jiān)視器用的光源518。來自監(jiān)視器用的光源518的光透過液晶面板520而入射到光傳感器500。注意，雖然在圖5中表示背光燈控制電路514與背光燈516及監(jiān)視器用的光源518的連接關系，但是在背光燈兼用監(jiān)視器用的光源而省略監(jiān)視器用的光源的情況下，也可以采用背光燈控制電路514僅電連接到背光燈516的結(jié)構(gòu)。附圖中的箭頭表示主要信號的傳送方向。積分電路502具有對由光傳感器檢測出來的光強度進行時間積分的功能。人類具有積分在一定的期間內(nèi)的光強度而知覺的特性。因此，通過使用積分電路502，可以計算出人類的眼睛受到的亮度。注意，雖然在本實施方式中示出設置積分電路502的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。由于本實施方式的控制是使用瞬間的亮度來進行的控制，所以采用不設置積分電路502的結(jié)構(gòu)也沒有問題。通過設置積分電路502，可以降低雜波的影響來進行更正確的控制。在不設置積分電路502的情況下，有能夠進一步簡化結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。比較電路A504具有比較由積分電路502得到的亮度和預先設定的值的功能。差動電路506根據(jù)由積分電路502得到的亮度和由延遲電路508得到的正前的亮度檢測期間的亮度計算出其差數(shù)。比較電路B510具有比較由差動電路506得到的差數(shù)和預先設定的值的功能。一致電路512辨別比較電路A504的比較結(jié)果和比較電路B510的比較結(jié)果都是否滿足條件。背光燈控制電路514根據(jù)來自一致電路512的信號控制背光燈516及監(jiān)視器用的光源518。注意，在本實施方式中，監(jiān)視器用的光源518優(yōu)選具有一直點燈的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。這里，參照圖6說明背光燈的開關控制方法的一個例子。首先，設定目的的亮度H(步驟S600)。目的的亮度H優(yōu)選假定在其液晶顯示裝置中響應速度最慢的狀況即到響應完了需要最多時間的狀況來設定。例如，在VA方式的液晶顯示裝置中，由于向中間灰度的響應最慢，所以優(yōu)選將該中間灰度中的亮度設定為目的的亮度H。通過假定響應最慢的狀況設定目的的亮度H，可以在購成一個屏幕的所有的像素完了響應之后，使背光燈點燈，所以貢獻于提高動畫性能。接下來，設定閾值I及閾值J(步驟S602)。閾值I及閾值J是背光燈的開關的基準值。具體來說，閾值I是用來辨別是否達到目的的亮度的基準值，例如在辨別從亮度低的狀態(tài)向高的狀態(tài)的響應的情況下，只要是閾值I以上的亮度，將此當作達到目的的亮度。閾值J是用來辨別是否亮度穩(wěn)定的基準值，如果亮度的變化量是閾值J以下的值，就當作亮度穩(wěn)定。閾值I及閾值J可以根據(jù)目的的圖像質(zhì)量的特性及動畫性能適當?shù)卦O定。此外，優(yōu)選將目的的亮度H用作基準來設定。在本實施方式中，作為一例說明如下情況，即，辨別從亮度低的狀態(tài)向高的狀態(tài)的響應，并且將閾值I設定為目的的亮度H的95%。注意，在用于僅顯示靜止畫的用途的情況下，也可以實際上不進行本實施方式所示的背光燈的開關控制。由此，因為在顯示相同亮度的情況下可以將背光燈的"瞬間的亮度"抑制為低，所以有延長背光燈的使用壽命的效應。注意，在可以在每個顯示區(qū)域中控制背光燈的情況下，也可以采用在每個顯示區(qū)域中設定閾值的結(jié)構(gòu)。就是說，在僅顯示靜止畫的區(qū)域中實際上不進行本實施方式所示的背光燈的開關控制，而在顯示動畫的區(qū)域中根據(jù)被要求的動畫性能適當?shù)卦O定閾值I的值。通過這種方法，可以實現(xiàn)在屏幕上具有靜止畫區(qū)域和動畫區(qū)域的情況的最適合化。閾值J優(yōu)選考慮到雜波的大小等來確定。例如，如果雜波水平的平均為目的的亮度H的1%左右，必須要將閾值J設定為目的的亮度H的1%以上。然而，由于當將閾值J設定為過大時，不能用于辨別是否處于穩(wěn)定狀態(tài)，所以優(yōu)選考慮到雜波水平并設定能夠辨別是否處于穩(wěn)定狀態(tài)的值作為閾值J。在本實施方式中，作為一例說明將閾值J設定為目的的亮度H的P/。的情況。接下來，將一個幀期間分為K個相同期間(以下稱作"亮度檢測期間")(步驟S604)。注意，在本實施方式中，作為一例說明將一個幀期間分為30個亮度檢測期間的情況。這里，在液晶的響應在一個幀期間中不完了的情況下，不需要將一個幀期間用作試驗期間進行背光燈的開關控制。例如，在使用響應慢的液晶材料的一部分液晶顯示裝置等中，有時液晶的響應在一個幀期間中不完了。在此情況下，可以將兩個幀期間以上的期間用作試驗期間進行控制。另一方面，當考慮到近年來的液晶顯示裝置的響應速度時，在很多液晶顯示裝置中液晶的響應大概在一個幀期間內(nèi)完了。因此，在本實施方式中，說明將一個幀期間用作試驗期間進行背光燈的開關控制的例子。不言而喻，在提高驅(qū)動頻率的情況(例如，倍速(120Hz)驅(qū)動、三倍速(180Hz)驅(qū)動等)下，也可以實施本發(fā)明。例如，在將一個幀期間分為n個子幀期間進行n倍速驅(qū)動的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，在第一子幀期間中向所有的像素的信號寫入完了，使用包括第一子幀期間的一個或多個子幀期間計算出液晶的響應所需要的時間。注意，如本實施方式那樣，為了在與基準的一個幀期間不同的期間中進行某個工作(在本實施方式中，相當于上述"在亮度檢測期間中的亮度的檢測")，需要對應于目的的時序的新的時序信號。這里，為了使用簡單結(jié)構(gòu)產(chǎn)生新的時序信號，優(yōu)選利用輸入到驅(qū)動電路的時鐘信號。例如，通過根據(jù)驅(qū)動電路的第N段至第1段移位寄存器和第N段移位寄存器的輸出進行邏輯運算(例如求邏輯積)，可以使用非常簡單的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生新的時序信號。此外，通過適當?shù)馗淖兯x擇的移位寄存器的段數(shù)，可以使用極為簡單的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生非常多樣的時序信號。另外，也可以通過適當?shù)亟M合分頻電路等來產(chǎn)生時序信號。接下來，在一個亮度檢測期間中檢測出亮度L(步驟S606)。并且，比較在一個亮度檢測期間中檢測出來的亮度L和每一亮度檢測期間的閾值I/K(步驟S608)。在檢測出來的亮度L超過每一亮度檢測期間的閾值I/K的情況(或I/K以上的情況)下，進行下一個步驟。不然，檢測出下次亮度檢測期間中的亮度L'，然后進行同樣的比較(步驟S606、步驟S608)。這里，使用I/K作為比較對象的緣故在于閾值I是根據(jù)目的的亮度H設定的值，并且由一個幀期間的積分值表示。另一方面，當計算出亮度L時的積分期間是一個幀期間的1/K。接下來，根據(jù)在一個亮度檢測期間中的亮度L和在正前的亮度檢測期間中的亮度L〃檢測出亮度的差數(shù)SL(步驟S610)。接著，比較亮度的差數(shù)5L和每一亮度檢測期間的閾值J/K(步驟S612)。在亮度的差數(shù)SL小于J/K的情況(或J/K以下的情況)下，以其時序使背光燈點燈(步驟S614)。不然，返回到步驟S606，再次反復同樣的步驟。這里，使用J/K作為比較對象的緣故在于閾值J是根據(jù)目的的亮度H設定的值，并且由一個幀期間的積分值表示。另一方面，由于亮度的差數(shù)禮是在亮度檢測期間中的亮度的差數(shù)，所以積分期間是一個幀期間的1/K。注意，在圖5所示的控制電路的框圖中，并列地進行與閾值I的比較及與閾值J的比較，然后辨別這些結(jié)果，但是實際上與圖6的流程相同。雖然在圖6的流程中，為了方便起見表示先進行與閾值I的比較，然后進行與閾值J的比較的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用如下結(jié)構(gòu)先進行與闞值J的比較，然后進行與閾值I的比較；或者如圖5所示的并列的流程。注意，在本實施方式中，監(jiān)視器部的像素的工作既可與顯示部的像素的工作獨立，又可與顯示部的像素的工作聯(lián)動。在監(jiān)視器部的像素的工作與顯示部的像素的工作聯(lián)動的情況下，優(yōu)選與在顯示部中最后寫入信號的像素聯(lián)動。通過與在顯示部中最后寫入信號的像素聯(lián)動，容易計算出在屏幕上的所有的像素中液晶的響應完了的時序。在監(jiān)視器部的像素的工作與顯示部的像素的工作獨立的情況下，適當?shù)匦Ｕ彻鉄舻拈_關時序。如上那樣，可以根據(jù)圖6所示的流程圖確定背光燈的開關時序。確定了的時序可以儲存在存儲器中，并且在一定的期間中繼續(xù)使用。不言而喻，也可以采用在每一個幀期間中更新背光燈的開關時序的結(jié)構(gòu)。圖7是在使用本實施方式所示的背光燈的開關時序控制方法的情況下的亮度(瞬間的亮度)和背光燈的點燈時序的關系的曲線圖。曲線圖的縱軸表示當將目的的亮度設定為100時的亮度。橫軸表示一個幀期間的亮度檢測期間(第1亮度檢測期間至第30亮度檢測期間)。在圖7中，閾值以上的亮度由區(qū)域700表示，而背光燈點燈的期間由區(qū)域702表示。曲線圖中的長箭頭表示辨別為在其之后(就是說，第14亮度檢測期間之后)亮度超過閾值，而曲線圖中的短箭頭表示辨別為在其之后(就是說，第16亮度檢測期間之后)亮度的差數(shù)小于閾值。雖然在本實施方式中示出將亮度的閾值設定為目的的亮度的95%且將一個幀期間分為30個亮度檢測期間的情況，但是本發(fā)明不局限于此。各個參數(shù)可以適當?shù)馗淖儭Ｔ趫D7中的液晶的過渡響應期間中存在有非常大的雜波成分704。然而，在本實施方式的液晶顯示裝置中，當控制背光燈時不發(fā)生大的問題。盡管處于亮度超過閾值的狀況但是當控制背光燈時不發(fā)生問題的理由在于除了進行亮度和閾值的比較以外，還進行亮度的差數(shù)和閾值的比較。換言之，通過使用說起來是互不相同的兩種過濾器即亮度和閾值的比較及亮度的差數(shù)和閾值的比較，檢測出最適合的時序。如本實施方式所示，通過組合不同的方法除去雜波成分，可以實現(xiàn)精度更高的背光燈的控制。不言而喻，可以用作過濾器的方法不局限于本實施方式所示的方法。例如，通過附加實施方式2所示的新的條件如"在檢測出來的亮度至少兩次(或其以上)連續(xù)地超過閾值的情況下，使背光燈點燈"，可以除去雜波。此外，也可以組合三個以上的不同方法而使用。在圖7中，與實施方式2的圖4同樣，滿足條件的時序和使背光燈點燈的時序并不嚴格一致。然而，如實施方式2所示，通過充分地縮短積分期間的亮度檢測期間(換言之，將一個幀期間分為多個亮度檢測期間)，可以解決上述問題。不言而喻，也可以采用使用瞬間的亮度而不使用通過時間積分得到的亮度的結(jié)構(gòu)，來解決上述問題。此外，在將背光燈的控制時序儲存在存儲器中且以與此相同的時序進行一定的期間的控制的情況下，也可以適當?shù)匦Ｕ?在圖7中，將點燈時序從第16亮度檢測期間改變?yōu)榈?5亮度檢測期間)來使背光燈的點燈時序最適合化。注意，雖然在本實施方式中說明將亮度從低的狀態(tài)遷移到高的狀態(tài)的情況設定為試驗模式的情況，但是本發(fā)明不局限于此。也可以將亮度從高的狀態(tài)遷移到低的狀態(tài)的情況設定為試驗模式，使用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。在此情況下，適當?shù)馗淖兏鱾€參數(shù)即可。如上述那樣，通過使用光傳感器進行背光燈的開關控制，可以實現(xiàn)以最適合的時序進行的脈沖驅(qū)動。由此顯著地提高動畫性能。此外，由于即使在隨著環(huán)境(溫度、壓力等)的變化，液晶的響應速度改變的情況下，也可以實現(xiàn)最適合的脈沖驅(qū)動，所以可以將動畫性能一直保持為高狀態(tài)。此外，由于不需要用來檢測出環(huán)境的變化的溫度傳感器等，并且不需要利用參照表(所謂的査找表)來控制，所以可以簡化傳感器和存儲器等的結(jié)構(gòu)。注意，使用本發(fā)明的情況下的脈沖驅(qū)動與現(xiàn)有意思的脈沖驅(qū)動不同。就是說，現(xiàn)有的impuls驅(qū)動是指著眼于某個像素時的亮度以脈沖方式改變，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動是指一個屏幕的像素的亮度同時且以脈沖方式改變。換言之，現(xiàn)有的impuls驅(qū)動是通過點順序驅(qū)動、線順序驅(qū)動而進行的脈沖驅(qū)動，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動具有"面順序驅(qū)動"那樣的側(cè)面，即，使一個屏幕的像素同時點燈。由于可以使一個屏幕的所有像素同時點燈，所以顯著地提高動畫性能。注意，為了實現(xiàn)上述脈沖驅(qū)動，對象的期間(在本實施方式中是一個幀期間)必須要比對所有的像素寫入信號所需要的時間和液晶的響應完了所需要的時間的綜合長。這起因于從所有的像素的液晶的響應完了的狀態(tài)開始背光燈的點燈。然而，鑒于近年來的驅(qū)動電路的處理能力的提高或液晶的響應速度的提高等，這一點并不是什么問題。此外，既在剛剛輸入電力之后的狀況下，又在輸入電力之后經(jīng)過一定的時間的狀況下，都可以提供高動畫性能的液晶顯示裝置。此外，可以在置身于苛刻環(huán)境下的街頭上的顯示面板和便攜式設備、以及車載設備等中，可以得到高動畫性能。再者，本實施方式的液晶顯示裝置使用兩種不同的條件控制背光燈的點燈時序。由此可以實現(xiàn)排除雜波等的影響的精度非常高的控制。就是說，可以穩(wěn)定地提供高水平的動畫性能。注意，雖然在本實施方式中說明進行背光燈的開關控制的情況，但是本發(fā)明可以用于進行背光燈的開關控制以外的情況。例如，為了確定最適合過激勵驅(qū)動的電壓，可以使用本發(fā)明。在此情況下，通過以離所希望的期間顯示目的的亮度的方式控制過激勵電壓，可以顯著地提高動畫性能。不言而喻，也可以組合使用過激勵電壓的控制和背光燈的開關控制。注意，雖然在本實施方式中說明使用硬件進行處理的例子，但是本發(fā)明不局限于此。由于本實施方式的技術(shù)思想在于根據(jù)由光傳感器得到的信息進行背光燈的開關控制，所以只要是可以實施這些技術(shù)思想的結(jié)構(gòu)，就可以采用任何結(jié)構(gòu)。例如，也可以使用軟件進行在本實施方式中使用硬件進行的處理。本實施方式可以與實施方式1及2適當組合使用。注意，實施方式1所示的背光燈的輸出控制和本實施方式中的背光燈的開關控制也可以組合而使用。通過組合使用上述結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)具有高圖像質(zhì)量及高動畫性能的液晶顯示裝置。實施方式4在本實施方式中，參照圖8說明本發(fā)明的液晶顯示裝置和其驅(qū)動方法的其他例子?？梢杂糜诒緦嵤┓绞降囊壕э@示裝置的面板的結(jié)構(gòu)與實施方式1相同，因此，這里省略其詳細說明。在本實施方式中描述組合使用根據(jù)實施方式1的背光燈的輸出(亮度)控制方法和根據(jù)實施方式2或3的背光燈的開關控制方法的情況。圖8是組合使用背光燈的輸出控制方法和開關控制方法的情況下的控制方法的一個例子。注意，作為電路結(jié)構(gòu)，可以組合使用實施方式1至3所示的電路結(jié)構(gòu)等，因此這里省略其詳細說明。注意，涉及本實施方式的電路結(jié)構(gòu)不局限于實施方式1至3所示的電路結(jié)構(gòu)的組合，可以適當?shù)厥褂镁哂型裙δ艿碾娐方Y(jié)構(gòu)。此外，當組合使用根據(jù)實施方式1至3的電路結(jié)構(gòu)時可以實現(xiàn)共同化的電路結(jié)構(gòu)可以共同使用。例如，也可以采用共同使用積分電路的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，說明首先進行背光燈的輸出控制然后進行背光燈的開關控制的結(jié)構(gòu)。不言而喻，也可以采用首先進行背光燈的開關控制然后進行背光燈的輸出控制的結(jié)構(gòu)。注意，背光燈的輸出控制方法及開關控制方法的每一個工作的詳細內(nèi)容可以參考實施方式1至3，因此這里省略。首先，開始背光燈及監(jiān)視器用的光源的點燈。與此同時，使用監(jiān)視器模式進行監(jiān)視器用的像素中的液晶驅(qū)動(步驟S800)。這里，在分別設置背光燈和監(jiān)視器用的光源的情況下，優(yōu)選同時開始點燈。然后，通過光傳感器檢測出亮度(步驟S802)，使用檢測出來的亮度進行背光燈的輸出控制(步驟S804)。接下來，比較檢測出來的亮度和目的的亮度(步驟S806)。這里，在不能達到目的的亮度的情況下，在下一段期間中反復同樣的步驟。注意，在背光燈的輸出控制中成為單位的時間既可為一個幀期間，又可為其以上的期間。此外，也可以為一個幀以下的期間。在可以達到目的的亮度的情況下，為背光燈的開關控制而開始液晶的光學響應的檢測(步驟S808)。接下來，根據(jù)檢測出來的光學響應，進行背光燈的開關控制(步驟S810)。當背光燈的開關控制完了時，再次進行背光燈的輸出控制的步驟。注意，雖然在本實施方式中采用剛剛在背光燈的開關控制完了之后再次進行背光燈的輸出控制的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，在背光燈的開關控制完了之后，經(jīng)過一定的時間，然后進行背光燈的輸出控制。通過在最短期間中反復進行背光燈的輸出控制及背光燈的開關控制，可以將液晶顯示裝置一直保持為最適合的狀態(tài)。另一方面，通過在經(jīng)過一定的期間之后再次進行輸出控制及開關控制，可以在將液晶顯示裝置保持為良好的狀態(tài)的同時，減少控制用的電路的工作次數(shù)。就是說，可以在保持優(yōu)良的圖像質(zhì)量及高動畫性能的同時，減少耗電量。此外，從本發(fā)明的特性來看，通過組合能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角的液晶材料或能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角的驅(qū)動方法(例如，VA方式或IPS方式等)，可以提供更優(yōu)良的圖像質(zhì)量。此外，通過組合使用響應速度快的液晶材料或響應速度快的驅(qū)動方法(例如，0CB方式等)，可以得到更高的動畫性能。如上述那樣，通過使用光傳感器進行背光燈的輸出(亮度)控制及開關控制，可以在正確地顯示所希望的亮度的同時實現(xiàn)以最適合的時序進行的脈沖驅(qū)動。由此可以提供具有優(yōu)良的圖像質(zhì)量及高動畫性能的液晶顯示裝置。此外，即使在隨著環(huán)境(溫度、壓力等)的變化，液晶的響應速度改變的情況下，也可以在保持所希望的亮度的同時實現(xiàn)最適合的脈沖驅(qū)動。因此，即使在任何情況下，也可以提供優(yōu)良的圖像質(zhì)量及高動畫性能。此外，由于不需要用來檢測出環(huán)境的變化的溫度傳感器等，并且不需要利用用來參照溫度等和亮度的關系的査找表，所以可以簡化傳感器和存儲器等的結(jié)構(gòu)。注意，使用本發(fā)明的情況下的脈沖驅(qū)動與現(xiàn)有意思的脈沖驅(qū)動不同。就是說，現(xiàn)有的脈沖驅(qū)動是指著眼于某個像素時的亮度以脈沖方式改變，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動是指一個屏幕的像素的亮度同時且以脈沖方式改變。換言之，現(xiàn)有的脈沖驅(qū)動是通過點順序驅(qū)動、線順序驅(qū)動而進行的脈沖驅(qū)動，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)的脈沖驅(qū)動具有"面順序驅(qū)動"那樣的側(cè)面，§卩，使一個屏幕的像素同時點燈。由于可以使一個屏幕的所有像素同時點燈，所以顯著地提高動畫性能。此外，既在剛剛輸入電力之后的狀況下，又在輸入電力之后經(jīng)過一定的時間的狀況下，都可以提供優(yōu)良的圖像質(zhì)量及高動畫性能。此外，可以在置身于苛刻環(huán)境下的街頭上的顯示面板和便攜式設備、以及車載設備等中，可以得到優(yōu)良的圖像質(zhì)量和高動畫性能。注意，雖然在本實施方式中說明進行背光燈的開關控制的情況，但是本發(fā)明可以用于進行背光燈的開關控制以外的情況。例如，為了確定最適合過激勵驅(qū)動的電壓，可以使用本發(fā)明。在此情況下，通過以離所希望的期間顯示目的的亮度的方式控制過激勵電壓，可以顯著地提高動畫性能。不言而喻，也可以組合使用過激勵電壓的控制和背光燈的開關控制。本實施方式可以與實施方式1至3適當組合使用。實施方式5在本實施方式中，參照圖9A和9B及圖10A至10D說明具有與實施方式1所示的液晶顯示裝置不同結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置。實施方式1的圖1所示的結(jié)構(gòu)是假定如下情況的結(jié)構(gòu)，即，通過光傳感器檢測出背光燈或監(jiān)視器用的光源的亮度，并且背光燈及監(jiān)視器用的光源對于液晶層設置在相同一側(cè)(具體來說，偏振片120a的下方)。另一方面，在圖9中示出背光燈設置在液晶層的一方側(cè)面且監(jiān)視器用的光源設置在液晶層的另一方側(cè)面的情況。注意，在采用圖9所示的結(jié)構(gòu)的情況下，需要分別設置背光燈和監(jiān)視器用的光源。圖9A示出面板的平面圖。該平面圖與圖l所示的結(jié)構(gòu)大概相同。襯底900和相對襯底910由密封劑912彼此貼合。此外，在襯底900和相對襯底910之間設置有像素部902、掃描線驅(qū)動電路904a、掃描線驅(qū)動電路904b、信號線驅(qū)動電路906、以及監(jiān)視器部908。來自外部的信號通過FPC(柔性印刷電路)914被輸入。圖9B是簡化地表示圖9A所示的面板的疊層結(jié)構(gòu)的圖。在襯底900和相對襯底910之間設置有液晶層922。此外，在襯底900和相對襯底910之外側(cè)(在圖9B中，襯底900的下方及相對襯底910的上方)分別設置有偏振片920a及偏振片920b。在偏振片920a的外側(cè)(偏振片920a的下方)設置有背光燈924及光傳感器926，而在偏振片920b的外側(cè)(偏振片920b的上方)設置有監(jiān)視器用的光源928。光傳感器926檢測出順序經(jīng)過偏振片920b、相對襯底910、液晶層922、襯底900、以及偏振片920a的光。由此，可以計算出環(huán)境(例如，溫度、壓力等)的變化所導致的背光燈的亮度變化和液晶響應所需要的時間，來進行背光燈的控制(例如，亮度的控制和開關時序的控制等)。雖然在圖9A和9B中示出將光傳感器926和背光燈924設置在相同的層上的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。以光傳感器926不檢測出背光燈924的光的方式布置雙方即可。此外，在圖9A和9B中，背光燈924具有其一部分有缺口的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。作為監(jiān)視器用的光源優(yōu)選使用具有與背光燈相同特性的光源，但是，只要監(jiān)視器用的光源的亮度和背光燈的亮度具有對應關系，就并不限于使用具有相同特性的光源。注意，雖然在圖9B中示出從相對襯底一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置，但是也可以在從襯底(有源矩陣襯底)一側(cè)取出光的結(jié)構(gòu)中同樣地使用本發(fā)明。在此情況下，光傳感器檢測出順序經(jīng)過偏振片、襯底(有源矩陣襯底)、液晶層、相對襯底、以及偏振片的光。注意，作為類似于圖9A和9B的結(jié)構(gòu)的一個結(jié)構(gòu)例子，有使用來自外部的光(外光)而代替監(jiān)視器用的光源的結(jié)構(gòu)。通過由光傳感器檢測出來自外部的光，來可以對應于周圍的明亮度而調(diào)節(jié)背光燈的亮度。注意，在用于該目的的情況下，光傳感器只要具有能夠檢測出來自外部的光的結(jié)構(gòu)即可，因此不局限于類似于圖9A和9B的結(jié)構(gòu)。此外，在來自外部的光穩(wěn)定的狀況下，也可以將來自外部的光用于液晶響應所需要的時間的計算，來進行背光燈的開關控制。接下來，將液晶顯示裝置中的監(jiān)視器部的布置例子表示于圖10A至IOD。圖IOA至IOC表示在使用小型面板的液晶顯示裝置中的監(jiān)視器部的布置例子。圖10D表示在使用大型面板的液晶顯示裝置中的監(jiān)視器部的布置例子。注意，框體1000及顯示部1002由相同的附圖標記表示。圖10A是設置監(jiān)視器部1010和監(jiān)視器部1012的結(jié)構(gòu)例子。監(jiān)視器部1010和監(jiān)視器部1012分別設置有光傳感器。由于存在兩個監(jiān)視器部，因此可以使用不同的光傳感器進行輸出控制用亮度檢測和開關控制用亮度檢測。就是說，既可獨立地進行輸出控制和開關控制，又可同時進行輸出控制和開關控制。在同時進行的情況下，與交替進行的情況相比，由于可以縮短控制所需要的期間，因此可以進行更細密的控制。圖10B是設置監(jiān)視器部1020、監(jiān)視器部1022、監(jiān)視器部1024、以及監(jiān)視器部1026的結(jié)構(gòu)例子。監(jiān)視器部1020、監(jiān)視器部1022、監(jiān)視器部1024、以及監(jiān)視器部1026分別設置有光傳感器。監(jiān)視器部1020及監(jiān)視器部1024是用來進行輸出控制用亮度檢測的監(jiān)視器部，而監(jiān)視器部1022及監(jiān)視器部1026是用來進行開關控制用亮度檢測的監(jiān)視器部。通過分別使用兩個光傳感器進行輸出控制用亮度檢測和開關控制用亮度檢測，可以提高亮度檢測的精度。雖然在圖10B示出分別在兩個監(jiān)視器部中進行輸出控制用亮度檢測和開關控制用亮度檢測的例子，也可以分別使用三個以上的監(jiān)視器部進行亮度檢測。圖10C是設置監(jiān)視器部1030、監(jiān)視器部1032、以及監(jiān)視器部1034的結(jié)構(gòu)例子。監(jiān)視器部1030、監(jiān)視器部1032、以及監(jiān)視器部1034分別設置有光傳感器。此外，框體1000的與監(jiān)視器部1034對應的區(qū)域中設置有開口部。監(jiān)視器部1030是用來進行輸出控制用亮度檢測的監(jiān)視器部，而監(jiān)視器部1032是用來進行開關控制用亮度檢測的監(jiān)視器部。監(jiān)視器部1034檢測出來自外部的光。通過具有監(jiān)視器部1034，可以對應于周圍的明亮度而調(diào)節(jié)背光燈的明亮度。此外，在來自外部的光穩(wěn)定的狀況下，也可以將來自外部的光用于液晶響應所需要的時間的計算，來進行背光燈的開關控制。圖10D的液晶顯示裝置設置有監(jiān)視器部1040。監(jiān)視器部1040設置有光傳感器。如圖10D所示的大型液晶顯示裝置與用于便攜式設備等的液晶顯示裝置相比，其周圍的環(huán)境的變化小。因此，也可以采用將監(jiān)視器部的數(shù)量抑制到最小限度的結(jié)構(gòu)。不言而喻，也可以設置多個監(jiān)視器部來進行細密的控制。本實施方式可以與實施方式1至4適當組合使用。實施方式6在本實施方式中，參照圖11A和11B說明用于本發(fā)明的光傳感器的一個例子。具體來說，說明光電IC的一個結(jié)構(gòu)例子。圖11A所示的光電IC1100具有由光電轉(zhuǎn)換元件1102和晶體管構(gòu)成的集成電路，該集成電路優(yōu)選具有至少由晶體管1104和二極管連接的晶體管1106構(gòu)成的電流鏡電路1108。注意，在本實施方式中，構(gòu)成電流鏡電路U08的晶體管既可為n溝道型晶體管，又可為p溝道型晶體管，這里表示n溝道型晶體管的例子。此外，光電IC也被稱為光電轉(zhuǎn)換裝置。端子1110通過光電轉(zhuǎn)換元件1102與晶體管1106的柵電極及第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接，而晶體管1106的第二電極(源電極及漏電極中的另一方)與端子1112連接。此外，端子1110還與晶體管1104的第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接。另一方面，晶體管1104的第二電極(源電極及漏電極中的另一方)與端子1112連接。注意，晶體管1104的柵電極與晶體管1106的柵電極連接。在光電IC1100中，當光電轉(zhuǎn)換元件1102受到光照射時，產(chǎn)生電子及空穴來發(fā)生電流。注意，電流鏡電路1108具有放大從光電轉(zhuǎn)換元件1102得到的電流的功能。雖然在本實施方式所示的光電IC1100中表示晶體管1104是一個的情況，即將從光電轉(zhuǎn)換元件1102得到的電流放大一倍的情況，但是在想要得到更大電流的情況下，在端子1110和端子1112之間并聯(lián)設置多個由其柵電極連接到晶體管1106的柵電極的晶體管1104構(gòu)成的單元1114即可。例如，通過設置n個單元1114，可以從光電IC1100輸出從光電轉(zhuǎn)換元件1102得到的電流I的大約(n+l)倍的電流。注意，由于從光電轉(zhuǎn)換元件1102得到的電流具有照度依賴性，因此可以檢測出照度即被照射的光。接下來，參照圖11B說明光電轉(zhuǎn)換元件1102的結(jié)構(gòu)。圖11B是簡化地表示光電轉(zhuǎn)換元件1102的疊層結(jié)構(gòu)的圖。光電轉(zhuǎn)換元件1102通過在具有光透過性的襯底上順序?qū)盈B具有光透過性的導電膜、第一導電型半導體層、本征層(本征半導體層)、以及第二導電型半導體層而形成。具體來說，在具有光透過性的襯底U50上順序?qū)盈B有具有光透過性的導電膜1152、P型半導體層1154、本征層1156、N型半導體層1158、以及背面電極1160。作為具有光透過性的襯底1150，可以舉出使用絕緣材料的襯底。例如，可以使用鋇硼硅酸鹽玻璃或鋁硼硅酸鹽玻璃等玻璃襯底、石英襯底、以及不銹鋼襯底等。此外，還可以使用由以PET、PES、PEN為代表的塑料、或者丙烯等的具有撓性的合成樹脂構(gòu)成的襯底。注意，從光電轉(zhuǎn)換元件的性質(zhì)來看，具有光透過性的襯底需要透過所希望的光的性質(zhì)。具有光透過性的導電膜1152可以通過濺射法等使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物、氧化鋅(ZnO)、以及氧化錫(Sn02)等的具有光透過性的材料來形成。其膜厚度優(yōu)選為lpm以下。注意，具有光透過性的導電膜1152也需要透過所希望的光的性質(zhì)是不言而喻的。P型半導體層1154、本征層1156、以及N型半導體層1158可以使用等離子體CVD法等來形成。作為半導體材料，優(yōu)選使用以硅(Si)為主要成分的材料，但是不局限于此。可以根據(jù)被要求的特性適當選擇材料。在P型半導體層1154中使用硼等作為摻雜劑，在N型半導體層1158中使用磷等作為摻雜劑。背面電極1160可以通過CVD法、濺射法、蒸鍍法等使用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、以及鈮(Nb)等的金屬元素、或者包含上述金屬元素的合金材料或化合物材料來形成。其膜厚度優(yōu)選為100pm以下。注意，圖11B所示的光電轉(zhuǎn)換元件1102的結(jié)構(gòu)僅是一個例子，本發(fā)明不局限于此。還可以使用適當改變或添加等疊層結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換元件。此外，光電IC的結(jié)構(gòu)也不局限于圖IIA所示的結(jié)果。既可使用不具有電流鏡電路的結(jié)構(gòu)的光電IC，又可使用除此以外的結(jié)構(gòu)的光電IC。此外，用于光電IC的光電轉(zhuǎn)換元件的結(jié)構(gòu)也不局限于本實施方式所示的結(jié)構(gòu)。此外，光電IC僅是光傳感器的一個例子，也可以使用其它光傳感器實施本發(fā)明。例如，可以使用光電倍增管等作為光傳感器。本實施方式可以與實施方式1至5適當組合使用。實施方式7參照圖12A至14C說明可以用于本發(fā)明的顯示裝置的半導體襯底的制造方法的一個例子。注意，雖然在本實施方式中說明使用結(jié)晶半導體膜的情況，但是也可以使用非晶半導體膜、單晶半導體膜。首先，如圖12A所示，在襯底1200上形成基底膜1202。作為襯底1200例如可以使用鋇硼硅酸鹽玻璃或鋁硼硅酸鹽玻璃等的玻璃襯底、石英襯底、以及不銹鋼襯底等。此外，還可以使用由以PET、PES、以及PEN為代表的塑料及丙烯等的具有撓性的合成樹脂構(gòu)成的襯底。設置基底膜1202是為了防止包含于襯底1200中的Na等的堿金屬及堿土金屬擴散到半導體膜中而對半導體元件的特性造成不良影響。因此，采用可以抑制堿金屬及堿土金屬擴散到半導體膜中的氮化硅、含氮的氧化硅等的絕緣材料來形成。在本實施方式中，使用等離子體CVD法形成膜厚為10nm以上且400nm以下(優(yōu)選為50nm以上且300nm以下)的含氮的氧化硅膜。接下來，在基底膜1202上形成半導體膜1204。半導體膜1204的膜厚為25nm以上且100nm以下(優(yōu)選為30nm以上且60nm以下)。注意，半導體膜1204既可為非晶半導體，又可為多晶半導體。此外，作為半導體，不僅可以使用硅(Si)，也可以使用硅鍺(SiGe)等。在使用硅鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選為0.01原子％以上且4.5原子％以下左右。接下來，如圖12B所示，對半導體膜1204照射線形激光1208來進行結(jié)晶化。在進行如本實施方式那樣的激光結(jié)晶化的情況下，也可以在激光結(jié)晶化的工藝之前，添加500。C、l小時左右的加熱處理的工藝，以便提高半導體膜1204對激光的耐受性。在激光結(jié)晶化的工藝中，例如可以使用連續(xù)振蕩的激光器(cw激光器)或準CW激光器(振蕩頻率為10腿z以上，優(yōu)選為80MHz以上的脈沖振蕩激光器)等。具體而言，作為連續(xù)振蕩的激光器，可以舉出Ar激光器、Kr激光器、C02激光器、YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA1(V激光器、GdV04激光器、103激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、氦鎘激光器等。此外，作為準CW激光器，可以舉出Ar激光器、Kr激光器、準分子激光器、C02激光器、YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、GdV04激光器、YA激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、銅蒸氣激光器或金蒸氣激光器等的脈沖振蕩激光器等。在這種脈沖振蕩激光器中，當增加振蕩頻率時，變成呈現(xiàn)與連續(xù)振蕩激光器同樣的效果。例如，在使用可進行連續(xù)振蕩的固體激光器的情況下，通過照射基波的二次諧波至四次諧波，可以得到大粒徑的結(jié)晶。典型地，可以使用YAG激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)及三次諧波(355nm)。功率密度為0.01麗/，2以上且100麗/，2以下左右(優(yōu)選為O.1MW/cm2以上且10麗/cm2以下)即可。通過如上那樣對半導體膜1204照射激光，形成進一步提高結(jié)晶性的結(jié)晶半導體膜1210。接下來，如圖12C所示，通過選擇性地蝕刻結(jié)晶半導體膜1210，形成島狀半導體膜1212、1214、以及1216。接下來，將用來控制閾值的雜質(zhì)導入到島狀半導體膜1212、1214、以及1216的每一個。在本實施方式中，通過摻雜乙硼烷(B2H6)來導入硼(B)。接下來，以覆蓋島狀半導體膜1212、1214、以及1216的方式形成絕緣膜1218。作為絕緣膜1218，例如可以使用氧化硅、氮化硅、或者含氮的氧化硅(SiO凡:x〉y〉0)等。并且，作為成膜方法，可以使用等離子體CVD法、濺射法等。接下來，在絕緣膜1218上形成第一導電膜1220、第二導電膜1222，選擇性地蝕刻這些第一導電膜1220、第二導電膜1222來形成柵電極1236、1238、以及1240(圖12D、以及圖13A至13C)。作為第一導電膜1220、第二導電膜1222，可以使用如下物質(zhì)選自鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鴨(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦(In)、以及錫(Sn)中的一種或多種元素；以上述元素為主要成分的化合物或合金材料(例如，銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、添加有氧化硅的銦錫氧化物(ITS0)、氧化鋅(Zn0)、鋁釹(Al-Nd)、以及鎂銀(Mg-Ag)等)；或者組合上述化合物的物質(zhì)等。另外，還可以使用硅化物(例如，鋁硅、鉬硅、硅化鎳)、含氮的化合物(例如，氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬)、或者摻雜有磷(P)等的雜質(zhì)元素的硅(Si)等。注意，雖然在本實施方式中采用第一導電膜1220和第二導電膜1222的兩層結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明也可以采用單層結(jié)構(gòu)、或者三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，柵電極1236、1238、以及1240通過如下方法而形成。首先，作為第一導電膜1220例如以10nm以上且50nm以下，典型為30nm的厚度形成氮化鉭膜。并且，在第一導電膜1220上作為第二導電膜1222例如以200nm以上且400nm以下，典型為370nm的厚度形成鎢膜，來形成第一導電膜1220和第二導電膜1222的疊層膜(圖12D)。接下來，通過各向異性蝕刻對第二導電膜1222進行圖案化，來形成上層柵電極1224、1226、1228(圖13A)。接下來，通過各向同性蝕刻對第一導電膜1220進行圖案化，來形成下層柵電極1230、1232、以及1234(圖13B)。通過以上工序而形成柵電極1236、1238、以及1240。柵電極1236、1238、以及1240既可形成作為柵極布線的一部分，又可采用連接到另行形成的柵極布線的結(jié)構(gòu)。并且，將柵電極1236、1238、1240、以及選擇性地形成的抗蝕劑等用作掩模，對島狀半導體膜1212、1214、以及1216的每一個添加給予導電性(n型或p型導電性)的雜質(zhì)，來形成源區(qū)域、漏區(qū)域、以及低濃度雜質(zhì)區(qū)域等。首先，使用磷化氫(PH3)將磷(P)導入到島狀半導體膜1212和1216。導入的條件優(yōu)選為60kV以上且120kV以下的加速電壓、以及l(fā)xlO"atoms.cn^以上且lx1015atoms.cm—2以下的劑量。通過該雜質(zhì)的導入而形成后面的n溝道型TFT1278及1282的溝道形成區(qū)域1242及1248(圖13C)。此外，使用乙硼垸(B2H6)將硼(B)導入到島狀半導體膜1214。導入的條件優(yōu)選為60kV以上且lOOkV以下的外加電壓、以及l(fā)xl013atoms'cm—2以上且5xl015atoms'cm—2以下的劑量。通過該工序而形成后面的P溝道型TFT1280的源區(qū)域或漏區(qū)域1244、以及溝道形成區(qū)域1246(圖13C)。接下來，選擇性地蝕刻絕緣膜1218來形成柵極絕緣膜1250、1252、以及1254。在形成柵極絕緣膜1250、1252、以及1254之后，使用磷化氫(PH3)以40kV以上且80kV以下的外加電壓、以及1.0xl015atoms.cm—2以上且2.5xl016atoms.cm—2以下的劑量將磷(P)導入到后面成為n溝道型TFT1278及1282的島狀半導體膜中。通過該工序而形成n溝道型TFT的低濃度雜質(zhì)區(qū)域1258、1262、以及源區(qū)域或漏區(qū)域1256、1260(圖14A)。在本實施方式中，源區(qū)域或漏區(qū)域1256、1260分別以lxl019atoms.cm—3以上且5xl021atoms.cm—3以下的濃度包含磷(P)。此外，低濃度雜質(zhì)區(qū)域1258、1262分別以lxl018atoms.cm—3以上且5xl019atoms.cm—3以下的濃度包含磷(P)。再者，源區(qū)域或漏區(qū)域1244以lx1019atoms.cm—3以上且5xl021atoms'cm—3以下的濃度包含硼(B)。接下來，以覆蓋島狀半導體膜1212、1214、以及1216、柵電極1236、1238、以及1240的方式形成第一層間絕緣膜1264(圖14B)。作為第一層間絕緣膜1264，優(yōu)選通過等離子體CVD法或濺射法使用含硅的絕緣膜如氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜(Si0凡:x〉y〉0)等以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。不言而喻，第一層間絕緣膜1264的制造方法及材料不局限于上述。例如，也可以使用其它絕緣膜以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。接下來，以覆蓋第一層間絕緣膜1264的方式形成用作平但化膜的第二層間絕緣膜1266(圖14C)。作為第二層間絕緣膜1266，可以使用感光性或非感光性的有機材料(聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯)、由硅(Si)和氧(0)的鍵(Si-0-Si鍵)構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的硅氧垸等。第二層間絕緣膜1266既可為單層結(jié)構(gòu)又可為疊層結(jié)構(gòu)。作為感光性的有機材料，可以使用正型感光性有機樹脂或負型感光性有機樹脂。在本實施方式中，作為第二層間絕緣膜1266通過旋涂法形成硅氧烷。接下來，蝕刻第一層間絕緣膜1264及第二層間絕緣膜1266來形成到達島狀半導體膜1212、1214、以及1216的接觸孔。注意，也可以在第二層間絕緣膜1266上形成第三層間絕緣膜，并且在第一層間絕緣膜至第三層間絕緣膜中形成接觸孔。作為第三層間絕緣膜，優(yōu)選使用不容易透過濕氣和氧等的膜。典型地是，可以使用通過濺射法或CVD法形成的氮化硅膜、氧化硅膜、含氧的氮化硅膜(SiNA:x〉y〉0或SiOxNy:x〉y〉0)、以碳為主要成分的薄膜(例如，DLC膜、CN膜)等。在第二層間絕緣膜1266上以覆蓋接觸孔的方式形成第三導電膜，選擇性地蝕刻該第三導電膜來形成電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276。作為第三導電膜，可以使用如下物質(zhì)選自鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鴿(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦(In)、以及錫(Sn)中的一種或多種元素；以上述元素為主要成分的化合物或合金材料(例如，銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、鋁釹(Al-Nd)、以及鎂銀(Mg-Ag)等)；或者組合上述化合物的物質(zhì)等。另外，還可以使用硅化物(例如，鋁硅、鉬硅、硅化鎳)、含氮的化合物(例如，氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬)、或者摻雜有磷(P)等的雜質(zhì)元素的硅(Si)等。在本實施方式中，以60nm、40nm、300nm、以及100nm的厚度分別層疊鈦(Ti)膜、氮化鈦膜、硅鋁合金(Al-Si)膜、以及鈦(Ti)膜，將這些膜選擇性地蝕刻為所希望的形狀，來形成電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276。注意，也可以使用包含鎳(Ni)、鈷(Co)、以及鐵(Fe)中的至少一種元素及碳(C)的鋁合金膜形成電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276。通過使用上述鋁合金膜，即使在電極等與硅(Si)接觸的情況下，也可以防止硅和電極材料的彼此擴散，這是一個優(yōu)點。此外，這種鋁合金膜具有即使與使用透明導電膜如銦錫氧化物(ITO)形成的導電膜接觸也不發(fā)生氧化還原響應的特征，所以可以使雙方直接接觸。再者，這種鋁合金膜由于比電阻小且耐熱性優(yōu)越，所以適合布線材料。此外，作為電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276，既可采用同時形成電極和布線的結(jié)構(gòu)，又可采用在分別形成電極和布線之后連接這些的結(jié)構(gòu)。通過上述一系列的工序，可以形成半導體襯底，該半導體襯底包括具有n溝道型TFT1278和p溝道型TFT1280的CMOS電路1284、以及n溝道型TFT1282(圖14C)。注意，可以用于本發(fā)明的半導體襯底的制造方法不局限于上述制造工序。例如，可以采用形成利用非晶半導體膜的TFT或利用單晶半導體膜的TFT的工序。此外，不局限于頂柵型TFT，還可以采用底柵型TFT。此外，可以用于本發(fā)明的液晶顯示裝置的半導體襯底不局限于具有驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)。例如，可以將驅(qū)動電路(或其一部分)形成在單晶襯底上，并且將IC芯片通過COG(玻璃上芯片)方式連接布置在玻璃襯底上。此外，通過使用TAB(帶式自動接合)或印刷電路板將IC芯片連接到玻璃襯底。本實施方式可以與實施方式1至實施方式6中的任何適當組合使用。實施方式8在本實施方式中，參照圖15至圖17說明液晶顯示裝置的制造過程。注意，在本實施方式所說明的液晶顯示裝置中，一體形成有像素部和設置在其周圍的驅(qū)動電路部。為方便起見，關于驅(qū)動電路，僅示出基本單位的CMOS電路。首先，使用實施方式7所述的方法等制造半導體襯底。這里，雖然在本實施方式中利用使用實施方式7所述的方法等制造半導體襯底進行說明，但是本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法不局限于此。首先，根據(jù)實施方式7進行直到電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276的形成的工序(圖14C)。注意，在以下附圖中，與實施方式7相同的部分由相同的附圖標記表示。接下來，在第二層間絕緣膜1266、電極或布線1268、1270、1272、1274、以及1276上形成第三層間絕緣膜1500(圖15)。注意，第三層間絕緣膜1500可以使用與第二層間絕緣膜1266相同的材料形成。接下來，使用光掩模形成抗蝕劑掩模，通過干蝕刻除去第三層間絕緣膜1500的一部分來形成接觸孔。當形成接觸孔時，以50sccm、50sccm、以及30sccm的流量分別使用四氟化碳(CF4)、氧(02)、以及氦(He)作為蝕刻氣體。注意，接觸孔的底部到達電極或布線1276。在除去抗蝕劑掩模之后，在整個表面上形成第四導電膜。接著，選擇性地蝕刻第四導電膜來形成電連接到電極或布線1276的像素電極1502(圖15)。在制造反射型液晶顯示裝置的情況下，通過濺射法使用具有光反射性的金屬材料如銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎢(W)、以及鋁(Al)等形成像素電極1502即可。在制造透過型液晶顯示裝置的情況下，可以使用透明導電膜如銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)等形成像素電極1502。注意，本發(fā)明雖然在透過型液晶顯示裝置中可以得到顯著的效應，但是也可以用于反射型液晶顯示裝置。此外，當將本發(fā)明用于其像素的一部分是反射型且另一部分是透過型的所謂的半透過型的液晶顯示裝置時，也可以得到效應。半透過型的液晶顯示裝置由于可以當來自外部的光大時用作反射型，而當不然時用作透過型，所以具有亮度的確保和耗電量的降低很容易的優(yōu)點。圖16示出擴展包括像素TFT的像素部的一部分的平面圖。在圖16中，為了容易理解像素電極下部的狀態(tài)，表示省略朝著附圖位于右側(cè)的像素中的像素電極的結(jié)構(gòu)。注意，沿圖16中的線A-A'的截面與圖15中的像素部的線A-A，彼此對應，并且與圖15對應的部分由相同的附圖標記表示。如圖16所示，柵電極1240連接到柵極布線1504。此外，電極或布線1274與源極布線一體形成。另外，還形成有電容布線1506，并且由第一層間絕緣膜1264、像素電極1502、以及電容布線1506形成存儲電容器。通過以上工序，在襯底1200上形成由頂柵型n溝道型TFT1282構(gòu)成的像素TFT、由頂柵型n溝道型TFT1278及頂柵型p溝道型TFT1280構(gòu)成的CMOS電路1284、以及像素電極1502。雖然在本實施方式中表示形成頂柵型TFT的例子，但是也可以形成底柵型TFT。接下來，以覆蓋像素電極1502的方式形成定向膜1508a。注意，定向膜1508a通過液滴噴射法、絲網(wǎng)印刷法、膠印刷法等形成即可。然后，對定向膜1508a表面進行研磨處理。接下來，準備用來與襯底1200貼合的相對襯底1510。這里，在相對襯底1510上設置由著色層1512a、遮光層(黑矩陣)1512b、以及覆蓋層1514構(gòu)成的顏色濾光片，還形成由光透過性的電極或光反射性的電極構(gòu)成的相對電極1516和定向膜1508b(圖17)。作為相對襯底1510可以采用與基板1200大概相同大小、相同形狀的襯底。此處所謂的相同大小、相同形狀并不需要嚴格相同，而是指大致足以構(gòu)成面板的大小、形狀。接下來，夾著密封劑貼合通過上述工序得到的襯底1200和相對襯底1510。這里，為了將兩個襯底之間的間隔保持為一定，也可以在定向膜1508a和定向膜1508b之間設置間隔物。接著，在兩個襯底之間注入液晶1518，然后使用密封件密封。然后，設置偏振片、背光燈、以及光傳感器等而完成本發(fā)明的液晶顯示裝置。注意，在對應于監(jiān)視器部的位置上設置光傳感器。監(jiān)視器部的像素可以與顯示用的像素同樣地制造。監(jiān)視器部既可由一個像素形成，又可由兩個以上的像素形成。監(jiān)視器部的像素的面積既可與顯示部的像素的面積相同，又可比顯示部的像素的面積大。通過使用多個像素構(gòu)成監(jiān)視器部，可以提高亮度檢測的精度。此外，通過擴大監(jiān)視器部的像素的面積，同樣地可以提高亮度檢測的精度。換言之，可以進行背光燈的細密控制。注意，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中可以使用各種方式如TN(扭轉(zhuǎn)向列)方式、IPS(平面內(nèi)切換)方式、FFS(邊緣場切換)方式、MVA(多像限垂直配向)方式、PVA(垂直取向構(gòu))方式、ASM(軸線對稱排列微單元)方式、OCB(光學補償彎曲)方式、FLC(鐵電性液晶)方式、AFLC(反鐵電性液晶)方式等。本實施方式可以與實施方式1至實施方式7適當組合使用。實施方式9在本實施方式中，參照圖18A至圖24B說明可以用于本發(fā)明的顯示裝置的半導體襯底的制造方法的一個例子。注意，根據(jù)本實施方式的半導體襯底具有單晶半導體層和非單晶半導體層。圖18A禾n18B示出用于本發(fā)明的半導體襯底的立體圖。此外，圖19A和19B及圖20A和20B示出用于本發(fā)明的半導體襯底的截面圖。在圖18A、圖19A和19B中，半導體襯底1800具有如下結(jié)構(gòu)，艮P，在支撐襯底1810的一個表面上設置有多個順序?qū)盈B絕緣層1820和單晶半導體層1830的疊層體、以及順序疊層的絕緣層1840和非單晶半導體層1850。單晶半導體層1830和非單晶半導體層1850分別隔著絕緣層1820和絕緣層1840設置在支撐襯底1810上。就是說，在一片支撐襯底1810上設置有多個單晶半導體層1830和非單晶半導體層1850，來形成一片半導體襯底1800。注意，雖然在圖18A至圖20B中，為方便起見僅表示從一片半導體襯底1800制造出一片面板的情況的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。作為單晶半導體層1830，典型地使用單晶硅。另外，還可以使用通過利用氫離子注入剝離法可以從單晶半導體襯底剝離的硅、鍺、或者鎵砷、銦磷等化合物半導體的單晶半導體層。單晶半導體層1830的形狀沒有特別的限制，但是由于當形成為矩形形狀(包括正方形)時，可以容易加工，并且可以高集成度地貼附到支撐襯底1810上，所以是優(yōu)選的。作為支撐襯底1810，使用具有絕緣表面的襯底或絕緣襯底。具體而言，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼酸鹽玻璃之類的用于電子工業(yè)的各種玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底或藍寶石襯底等。優(yōu)選使用玻璃襯底，例如可以使用被稱為第六世代(1500mmxl850腿)、第七世代(1870mmx2200mm)、第八世代(2200mmx2400mm)的大面積的母體玻璃襯底。通過使用大面積的母體玻璃襯底作為支撐襯底1810，可以實現(xiàn)半導體襯底的大面積化。雖然在本實施方式中表示從一片支撐襯底制造出一片面板的情況，但是在從一片支撐襯底制造出多片面板(分成多面)的情況下，適當調(diào)節(jié)單晶半導體層1830及非單晶半導體層1850的大小而制造即可。在支撐襯底1810和單晶半導體層1830之間設置有絕緣層1820。絕緣層1820可以為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)，并且使與支撐襯底1810接合的面(以下還稱作"接合面")具有平滑面而成為親水性表面。圖19A示出形成接合層1822作為絕緣層1820的例子。作為具有平滑面且能夠形成親水性表面的接合層1822，氧化硅層是優(yōu)選的。特別是，優(yōu)選使用通過使用有機硅烷的化學氣相成長法制造的氧化硅層。作為有機硅烷，可以使用含有硅的化合物如四乙氧基硅垸(TEOS;Tetraethoxysilane:化學式為Si(OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS:化學式為Si(CH丄)、三甲基硅烷(化學式為(CH3)3SIH)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮垸(HMDS)、三乙氧基硅垸(化學式為SiH(0C2Hs)3)、三(二甲基氨基)硅烷(化學式為SiH(N(CH3)2)3)等。上述具有平滑面且能夠形成親水性表面的接合層1822優(yōu)選設置為5ran以上且500nm以下的厚度。通過將接合層1822的厚度設定在上述范圍內(nèi)，可以使被淀積的膜表面的表面粗糙平滑化，并且可以確保該膜的成長表面的平滑性。此外，可以緩和與鍵合的襯底(相當于圖19A中的支撐襯底1810)之間的應變。注意，也可以在支撐襯底1810上設置與接合層1822同樣的氧化硅層。當將單晶半導體層1830接合到具有絕緣表面的襯底或絕緣襯底的支撐襯底1810時，通過對于形成接合的面的一方或雙方設置優(yōu)選由以有機硅烷為原材料淀積了的氧化硅層構(gòu)成的接合層，可以形成堅固的接合。圖19B示出以疊層結(jié)構(gòu)形成絕緣層1820的例子。具體而言，示出形成接合層1822和含氮的絕緣層1824的疊層結(jié)構(gòu)作為絕緣層1820的例子。注意，為了在與支撐襯底1810的接合面形成接合層1822，采用在單晶半導體層1830和接合層1822之間設置含氮的絕緣層1824的結(jié)構(gòu)。含氮的絕緣層1824通過使用氮化硅層、氮氧化硅層(SiNyOx:x〉y)或氧氮化硅層(Si0凡:x〉y)以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成。例如，可以從單晶半導體層1830—側(cè)順序?qū)盈B氧氮化硅層和氮氧化硅層來形成含氮的絕緣層1824。注意，設置在非單晶半導體層1850的下部的絕緣層1840雖然不局限于形成為與設置在單晶半導體層1830的下部的絕緣層1820相同的結(jié)構(gòu)，但是如圖19A和19B所示地優(yōu)選至少使用相同材料作為與非單晶半導體層1850接觸的材料和與單晶半導體層1830接觸的材料。通過使用相同的材料作為彼此接觸的材料，可以使后面圖案化時的蝕刻特性一致。注意，氧氮化硅層是指在組成方面氧的含量比氮的含量多的層，例如包含50原子％以上且70原子％以下的氧、0.5原子％以上且15原子％以下的氮、25原子％以上且35原子％以下的硅、0.1原子％以上且10原子％以下的氫。此外，氮氧化硅層是指在組成方面氮的含量比氧的含量多的層，例如包含5原子％以上且30原子％以下的氧、20原子％以上且55原子％以下的氮、25原子％以上且35原子％以下的硅、10原子％以上且25原子％以下的氫。注意，上述濃度范圍是使用盧瑟福背散射光譜學法(RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry)以及氫前方散射法(HFS:HydrogenForwardScattering)測量而得到的。此外，構(gòu)成元素的含量比例為其總計不超過100原子％的值。圖18B及圖20A和20B示出在支撐襯底1810上形成包括接合層的絕緣層I860的例子。絕緣層1860可以為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)，并且使與單晶半導體層1830的接合面具有平滑面而成為親水性表面。注意，在支撐襯底1810和接合層之間優(yōu)選設置有阻擋層，以便防止從用作支撐襯底1810的玻璃襯底擴散堿金屬或堿土金屬等的可動離子。圖20A示出形成阻擋層1862和接合層1864的疊層結(jié)構(gòu)作為絕緣層1860的例子。作為接合層1864，設置與接合層1822同樣的氧化硅層即可。此外，也可以在單晶半導體層1830上適當設置接合層。圖20A示出還在單晶半導體層1830上設置接合層的例子。通過采用這種結(jié)構(gòu)，由于當接合支撐襯底1810和單晶半導體層1830時接合層彼此形成接合，因此可以形成更堅固的接合。阻擋層1862通過使用氧化硅層、氮化硅層、氧氮化硅層、或者氮氧化硅層以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成。優(yōu)選使用含氮的絕緣層形成。圖20B示出在支撐襯底1810上設置接合層的例子。具體而言，在支撐襯底1810上設置阻擋層1862和接合層1864的疊層結(jié)構(gòu)作為絕緣層1860。此外，在單晶半導體層1830上設置有氧化硅層1826。當將單晶半導體層1830接合到支撐襯底1810時，氧化硅層1826與接合層1864形成接合。氧化硅層1826優(yōu)選為通過熱氧化法形成的。此外，作為氧化硅層1826可以使用化學氧化物。化學氧化物可以例如通過利用含臭氧的水處理單晶襯底表面來形成。因為化學氧化物形成為反映單晶襯底的表面的平坦性，所以是優(yōu)選的。注意，設置在非單晶半導體層1850的下部的絕緣層1840雖然不局限于形成為與設置在單晶半導體層1830的下部的接合層1822或氧化硅層1826相同的結(jié)構(gòu)，但是如圖19A和19B所示地優(yōu)選至少使用相同材料作為與非單晶半導體層1850接觸的材料和與單晶半導體層1830接觸的材料。通過使用相同的材料作為彼此接觸的材料，可以使后面圖案化時的蝕刻特性一致。接下來，說明半導體襯底的制造方法。這里，參照圖21A至圖24B說明圖l犯所示的半導體襯底的制造方法的例子。注意，圖19A及圖20A和20B等的結(jié)構(gòu)可以與此同樣地制造是不言而喻的。首先，如圖21A所示，在支撐襯底2100上形成絕緣層2102。作為支撐襯底2100可以使用如上所述的襯底。另外，還可以使用由以PET、PES、PEN為代表的塑料、丙烯等的具有撓性的合成樹脂構(gòu)成的襯底。設置絕緣層2102是為了防止包含于支撐襯底2100中的Na等的堿金屬及堿土金屬擴散到半導體層中而對半導體元件的特性造成不良影響。因此，優(yōu)選采用可以抑制堿金屬及堿土金屬擴散到半導體層中的氮化硅、含氮的氧化硅等的絕緣材料來形成。在本實施方式中，使用等離子體CVD法形成膜厚為10nm以上且400nm以下(優(yōu)選為50nm以上且300nm以下)的含氮的氧化硅膜。接下來，在絕緣層2102上形成半導體層2104。半導體層2104的膜厚為25nm以上且100nm以下(優(yōu)選為30nm以上且60nm以下)。注意，半導體層2104既可為非晶半導體，又可為多晶半導體。此外，作為半導體，不僅可以使用硅(Si)，也可以使用硅鍺(SiGe)等。在使用硅鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選為0.01原子％以上且4.5原子％以下左右。接下來，如圖21B所示，對半導體層2104照射線形激光2108來進行結(jié)晶化。在進行如本實施方式那樣的激光結(jié)晶化的情況下，也可以在激光結(jié)晶化的工藝之前，添加50(TC、l小時左右的加熱處理的工藝，以便提高半導體層2104對激光的耐受性。在激光結(jié)晶化的工藝中，例如可以使用連續(xù)振蕩的激光器(CW激光器)或準CW激光器(振蕩頻率為lOMHz以上，優(yōu)選為80MHz以上的脈沖振蕩激光器)等。具體而言，作為連續(xù)振蕩的激光器，可以舉出Ar激光器、Kr激光器、C(V激光器、YAG激光器、YV(V激光器、YLF激光器、YA103激光器、GdV(V激光器、103激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、氦鎘激光器等。此外，作為準CW激光器，可以舉出Ar激光器、Kr激光器、準分子激光器、C(V激光器、YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、GdVCV激光器、103激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti:藍寶石激光器、銅蒸氣激光器或金蒸氣激光器等的脈沖振蕩激光器等。在這種脈沖振蕩激光器中，當增加振蕩頻率時，變成呈現(xiàn)與連續(xù)振蕩激光器同樣的效果。例如，在使用可進行連續(xù)振蕩的固體激光器的情況下，通過照射基波的二次諧波至四次諧波，可以得到大粒徑的結(jié)晶。典型地，可以使用YAG激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)及三次諧波(355nm)。功率密度為0.01MW/cm2以上且100MW/cm2以下左右(優(yōu)選為O.1MW/cn/以上且10娜/0112以下)即可。通過如上那樣對半導體層2104照射激光，形成進一步提高結(jié)晶性的結(jié)晶半導體層2110。注意，雖然在本實施方式中表示使用激光照射形成結(jié)晶半導體層2110的例子，但是本發(fā)明不局限于此。為了簡化制造過程，也可以采用不通過結(jié)晶化工藝的半導體層2104。接下來，如圖21C所示，選擇性地蝕刻結(jié)晶半導體層2110，并且蝕刻絕緣層2102，使得支撐襯底表面的一部分暴露。當蝕刻結(jié)晶半導體層2110時，也可以形成后面構(gòu)成像素TFT的島狀半導體層。通過以上工序，在支撐襯底2100上形成結(jié)晶半導體層(非單晶半導體層)2110。接下來，形成單晶半導體層。首先，準備單晶襯底2200(參照圖22A和圖23A)。作為單晶襯底2200使用市場上銷售的襯底，例如可以舉出硅襯底、鍺襯底、鎵砷和銦磷等化合物半導體襯底。市場上銷售的硅襯底的典型例子是直徑5英寸(125mm)、直徑6英寸(150mm)、直徑8英寸(200mm)、直徑12英寸(300mm)尺寸的襯底，大多具有圓形。此外，可以在一直到1.5mm左右的范圍內(nèi)適當選擇。接下來，將在電場加速的離子2202導入到單晶襯底2200的離其表面有預定深度的位置來形成離子摻雜層2204(可以簡單地稱為損傷區(qū)域)(參照圖22A和圖23A)。離子2202的照射是考慮到后面轉(zhuǎn)置到支撐襯底上的單晶半導體層的厚度而進行的。單晶半導體層的厚度優(yōu)選為5nm至500nm，更優(yōu)選為10nm至200nm。作為離子2202，可以使用氫、氦、或者氟等的鹵素離子。注意，作為離子2202，優(yōu)選照射由通過對選自氫、氦、或者鹵素元素中的源氣體進行等離子體激發(fā)而產(chǎn)生的一個原子或多個同一原子構(gòu)成的離子種。當照射氫離子時，通過使該氫離子包含H+、H2+、H/離子，并且提高H3+離子的比率，而可以提高離子的導入效率且縮短照射時間，因此是優(yōu)選的。此外，通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以容易進行剝離。注意，為了在預定深度的位置形成離子摻雜層2204，有時以高劑量條件照射離子2202。此時，因某個條件而單晶襯底2200的表面會變得粗糙。因此，也可以在單晶襯底的被照射離子的表面上設置厚度為50nm至200nm的氮化硅層或氮氧化硅層等作為保護層。接下來，在單晶襯底2200上形成絕緣層2206，然后形成接合層2208(參照圖22B和圖23B)。絕緣層2206雖然優(yōu)選使用與絕緣層2102相同的材料形成，但是不局限于此。在本實施方式中，通過等離子體CVD法形成包含氮的氧化硅膜作為絕緣層2206。在單晶襯底2200的與支撐襯底形成接合的面形成接合層220S。作為此處形成的接合層2208，優(yōu)選為如上所述通過將有機硅烷用作原料氣體的化學氣相成長法形成的氧化硅層。另外，還可以使用通過將硅烷用作原料氣體的化學氣相成長法形成的氧化硅層。在通過化學氣相成長法的成膜中，采用從形成在單晶襯底2200的離子摻雜層2204不發(fā)生脫氣的溫度。例如采用350。C以下的成膜溫度。注意，在從單晶襯底剝離單晶半導體層的加熱處理中，采用比通過化學氣相成長法的成膜溫度高的加熱處理溫度。接下來，將單晶襯底2200加工為所希望的大小、形狀(參照圖22C和圖23C)。圖23C示出分割圓形的單晶襯底2200來形成矩形的單晶襯底2210的例子。此時，絕緣層2206、接合層2208、以及離子摻雜層2204也被分割。就是說，可以得到單晶襯底2210，該單晶襯底2210具有所希望的大小、形狀，在離其表面有預定深度的位置形成有離子摻雜層2204，并且在其表面(與支撐襯底的接合面)上形成有接合層2208。單晶襯底2210可以具有所希望的大小，這里具有與驅(qū)動電路相同的大小。驅(qū)動電路的大小根據(jù)作為驅(qū)動電路被要求的面積適當選擇即可。通過將單晶襯底2210形成為矩形，在后面的制造工序中的加工變成容易，并且可以從單晶襯底2200有效地劃出，所以是優(yōu)選的。單晶襯底2200的分割可以通過使用切割裝置如切割器或鋼絲鋸等、激光切割、等離子體切割、電子束切割、其他任意切割方法來進行。注意，一直到在單晶襯底表面上形成接合層的工序順序可以適當?shù)靥鎿Q。圖22A至22C及圖23A至23C示出如下一種實例，S卩，在單晶襯底中形成離子摻雜層，在單晶襯底的表面上形成絕緣層和接合層，然后將單晶襯底加工為所希望的面板尺寸。針對于此，例如也可以在將單晶襯底加工為所希望的面板尺寸之后，在所希望的面板尺寸的單晶襯底中形成離子摻雜層，然后在所希望的面板尺寸的單晶襯底的表面上形成絕緣層和接合層。接下來，貼合支撐襯底2100和單晶襯底2210。圖24A示出如下一種實例，即，使支撐襯底2100和單晶襯底2210的形成有接合層2208的表面密合使得支撐襯底2100和接合層2208接合，來貼合支撐襯底2100和單晶襯底2210。注意，形成接合的表面(接合面)優(yōu)選預先充分清洗。通過使支撐襯底2100和接合層2208密合而形成接合。該接合是范德瓦耳斯力作用而實現(xiàn)的，并且通過壓接支撐襯底2100和單晶襯底2210，可以形成借助于氫鍵的堅固的接合。此外，為了形成支撐襯底2100和接合層2022的良好的接合，而也可以激活接合面。例如，對要形成接合的表面的一方或雙方照射原子束或離子束。在使用原子束或離子束的情況下，可以使用氬等的惰性氣體中性原子束或惰性氣體離子束。另外，通過進行等離子體照射或基處理來可以激活接合面。通過這種表面處理，即使在400。C以下的溫度下，也可以形成異種材料之間的接合。此外，在夾著接合層2208貼合支撐襯底2100和單晶襯底2210之后，優(yōu)選進行加熱處理或加壓處理。通過進行加熱處理或加壓處理，可以提高接合強度。加熱處理的溫度優(yōu)選為支撐襯底2100的耐熱溫度以下。在加壓處理中，向與接合面垂直的方向施加壓力，并且考慮到支撐襯底2100和單晶襯底2210的耐壓性而進行。接下來，進行加熱處理，以離子摻雜層2204為劈理面從支撐襯底2100剝離單晶襯底2210的一部分(參照圖24B)。加熱處理的溫度優(yōu)選為接合層2208的成膜溫度以上且支撐襯底2100的耐熱溫度以下。例如，通過進行40(TC至60(TC的加熱處理，而產(chǎn)生形成在離子摻雜層2204中的微小空洞的體積變化，來可以沿著離子摻雜層2204劈理。由于接合層2208與支撐襯底2100接合，所以在支撐襯底2100上保留與單晶襯底2210相同的單晶的單晶半導體層2212。通過上述工序而形成在支撐襯底2100上提供有結(jié)晶半導體層(非單晶半導體層)2110和夾著接合層2208設置的單晶半導體層2212的半導體襯底。注意，雖然在本實施方式中說明的半導體襯底具有在一片支撐襯底上夾著接合層提供有多個單晶半導體層的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于此。注意，通過剝離而得到的單晶半導體層，優(yōu)選進行化學機械研磨(ChemicalMechanicalPolishing:CMP)，以使其表面平坦化。此外，也可以對單晶半導體層的表面照射激光束而不利用CMP等的物理研磨方法，來進行平坦化。注意，當照射激光束時，優(yōu)選在氧氣濃度為10ppm以下的氮氣氣氛下進行。這是因為如果在氧氣氣氛下照射激光束，就有可能單晶半導體層表面變粗的緣故。此外，也可以以得到了的單晶半導體層的薄膜化為目的，進行CMP等。本實施方式可以與實施方式1至實施方式8適當組合使用。實施方式10在本實施方式中，參照圖25A至圖28C說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法。注意，本實施方式表示使用在實施方式9中制造的半導體襯底制造液晶顯示裝置的例子。圖25A是液晶顯示裝置的平面圖，圖25B是沿圖25A中的線0_P的截面圖，并且圖25C是液晶顯示裝置的立體圖。根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置包括設置在第一襯底2500上的顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550。顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550通過密封劑2580密封在第一襯底2500和第二襯底2590之間。此外，在第一襯底2500上設置有端子區(qū)域2570，對該端子區(qū)域2570連接將來自外部的信號或電位傳達到第一驅(qū)動電路部2530及第二驅(qū)動電路部2550的外部輸入端子。如圖25B所示，在顯示部2520中設置有具有晶體管的像素電路部2522。此外，在第一驅(qū)動電路部2530中設置有具有晶體管的外圍電路部2532。在第一襯底2500和像素電路部2522之間設置有絕緣層2502。在第一襯底2500和外圍電路部2532之間層疊有接合層2504和絕緣層2506。注意，也可以采用在第一襯底2500上設置用作基底絕緣層的絕緣層的結(jié)構(gòu)。在像素電路部2522及外圍電路部2532中或上層設置有用作層間絕緣層的絕緣層2508、絕緣層2509。形成在像素電路部2522中的晶體管的源電極或漏電極通過形成在絕緣層2509中的開口與像素電極2560電連接。注意，雖然在像素電路部2522中集成有使用晶體管的電路，但是這里為方便起見表示一個晶體管的截面圖。與此相同，雖然在外圍電路部2532中集成有使用晶體管的電路，但是這里為方便起見表示兩個晶體管的截面圖。在像素電路部2522及外圍電路部2532上設置有由以覆蓋像素電極2560的方式形成的定向膜2582和定向膜2587夾持的液晶層2584。液晶層2584由間隔物2586控制距離(單元間隙)。在定向膜2587上隔著相對電極2588、顏色濾光片2589設置有第二襯底2590。第一襯底2500和第二襯底2590由密封劑2580固定。此外，在第一襯底2500的外側(cè)設置有偏振片2591，而在第二襯底2590的外側(cè)設置有偏振片2592。本發(fā)明可以用于透過型、反射型、以及組合這些的半透過型中的任何液晶顯示裝置，尤其是，在用于透過型、半透過型的液晶顯示裝置的情況下，發(fā)揮顯著的效果。此外，在端子區(qū)域2570中設置有端子電極2574。該端子電極2574通過各向異性導電層2576與外部輸入端子2578電連接。接下來，說明圖25A至25C所示的液晶顯示裝置的制造方法的一個例子。首先，準備半導體襯底(參照圖26A)。雖然在此表示使用類似于圖19B的半導體襯底的例子，但是本發(fā)明不局限于此。在支撐襯底的襯底2500上，隔著絕緣層2502設置有非單晶半導體層2510，并且隔著接合層2504及絕緣層2506設置有多個單晶半導體層2511。作為襯底2500，使用具有絕緣表面的襯底或絕緣襯底。例如，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼酸鹽玻璃之類的用于電子工業(yè)的各種玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底或藍寶石襯底等。這里使用玻璃襯底。此外，為了防止來自玻璃襯底的堿金屬或堿土金屬等的可動離子的擴散，也可以另行設置用作基底絕緣層的絕緣層。具體而言，優(yōu)選設置氮化硅層或氮氧化硅層等的含氮的絕緣層。接下來，選擇性地蝕刻非單晶半導體層2510來在顯示部2520中形成非單晶半導體層2521，并且選擇性地蝕刻單晶半導體層2511來在第一驅(qū)動電路部2530中形成第一單晶半導體層2531及第二單晶半導體層254U并且，在非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541上隔著柵極絕緣層2512形成柵電極2514(參照圖26B)。注意，為了控制完成后的晶體管的閾值電壓，也可以對非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541添加給予低濃度的一導電型的雜質(zhì)元素。在此情況下，晶體管的溝道形成區(qū)域也被添加雜質(zhì)元素。注意，此處添加的雜質(zhì)元素以比用作源區(qū)或漏區(qū)的高濃度雜質(zhì)區(qū)域及用作LDD區(qū)域的低濃度雜質(zhì)區(qū)域低的濃度添加。通過在襯底的整個表面上形成導電層，然后選擇性地蝕刻該導電層加工為所希望的形狀來形成柵電極2514。這里，在形成由導電層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)之后，選擇性地蝕刻來加工為分割后的導電層橫過非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541的每一個，作為柵電極2514。作為形成柵電極2514的導電層，可以通過CVD法或濺射法使用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銅(Cu)、或者鈮(Nb)等的金屬元素、或者包含上述金屬元素的合金材料或化合物材料在襯底的整個表面上形成導電層，然后選擇性地蝕刻該導電層來形成。另外，還可以使用以添加有磷等給予一導電型的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導體材料來形成。注意，雖然在此圖示采用兩層導電層的疊層結(jié)構(gòu)形成柵電極2514的例子，但是柵電極可以為單層結(jié)構(gòu)或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。此外，導電層的側(cè)面可以為錐形。在柵電極為導電層的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，既可下層的導電層的寬度大，又可每個層的側(cè)面分別為具有不同角度的錐形。柵極絕緣層2512可以通過CVD法、濺射法、ALD(原子層淀積)法等使用氧化硅、氧氮化硅、氧化鉿、氧化鋁、氧化鉭等的材料來形成。此外，也可以通過等離子體處理對非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541進行固相氧化或固相氮化來形成。另外，也可以在通過CVD法等形成絕緣層之后，通過等離子體處理對該絕緣層進行固相氧化或固相氮化來形成。注意，雖然圖26B示出將柵極絕緣層2512和柵電極2514加工為每個側(cè)端部一致的例子，但是本發(fā)明不局限于此，也可以當蝕刻柵電極2514時加工為保留柵極絕緣層2512。此外，在作為柵極絕緣層2512使用高介電常數(shù)材料(也稱為high-k材料)的情況下，使用多晶硅、硅化物、金屬、或者金屬氮化物形成柵電極2514。優(yōu)選使用金屬或金屬氮化物形成。例如，使用金屬氮化物形成柵電極2514的與柵極絕緣層2512接觸的導電層，而使用金屬材料形成其上的導電層。通過使用上述材料的組合，可以防止在柵電極中擴展耗盡層，并且即使實現(xiàn)微細化也可以保持晶體管的驅(qū)動能力。接下來，在柵電極2514上形成絕緣層2516。并且，以柵電極2514為掩模添加給予一導電型的雜質(zhì)元素(參照圖26C)。這里示出對形成在第一驅(qū)動電路部2530中的第一單晶半導體層2531及第二單晶半導體層2541分別添加給予不同的導電型的雜質(zhì)元素的例子。此外，示出對形成在顯示部2520中的非單晶半導體層2521添加給予與第一單晶半導體層2531相同的導電型的雜質(zhì)元素的例子。在形成在顯示部2520中的非單晶半導體層2521中以柵電極2514為掩模自對準地形成一對雜質(zhì)區(qū)域2523，并且在該一對雜質(zhì)區(qū)域2523之間形成溝道形成區(qū)域2525。在形成在第一驅(qū)動電路部2530中的第一單晶半導體層2531中以柵電極2514為掩模自對準地形成一對雜質(zhì)區(qū)域2533，并且在該一對雜質(zhì)區(qū)域2533之間形成溝道形成區(qū)域2535。在第二單晶半導體層2541中以柵電極2514為掩模自對準地形成一對雜質(zhì)區(qū)域2543，并且在該一對雜質(zhì)區(qū)域2543之間形成溝道形成區(qū)域2545。雜質(zhì)區(qū)域2533和雜質(zhì)區(qū)域2543添加有互不相同的導電型的雜質(zhì)元素。作為給予一導電型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等的給予p型的元素、以及磷(P)、砷(As)等的給予n型的元素。在本實施方式中，對形成在顯示部2520中的非單晶半導體層2521、以及形成在第一驅(qū)動電路部2530中的第一單晶半導體層2531添加給予n型的元素，例如磷。此外，對第二單晶半導體層2541添加給予p型的元素，例如硼。注意，當對非單晶半導體層2521及第一單晶半導體層2531添加雜質(zhì)元素時，使用抗蝕劑掩模等選擇性地覆蓋第二單晶半導體層2541即可。與此同樣，當對第二單晶半導體層2541添加雜質(zhì)元素時，使用抗蝕劑掩模等選擇性地覆蓋非單晶半導體層2521及第一單晶半導體層2531即可。絕緣層2516可以通過CVD法、濺射法、ALD法等使用氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮氧化硅等的材料來形成。當添加給予一導電型的雜質(zhì)元素時，通過以經(jīng)過絕緣層2516的方式添加，可以減小對非單晶半導體層及單晶半導體層的損傷。接下來，在柵電極2514的側(cè)面形成側(cè)壁絕緣層2518。并且，以柵電極2514及側(cè)壁絕緣層2518為掩模添加給予一導電型的雜質(zhì)元素(參照圖26D)。注意，對非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541分別添加與上述工序(形成雜質(zhì)區(qū)域2523、雜質(zhì)區(qū)域2533、以及雜質(zhì)區(qū)域2543的工序)中添加的雜質(zhì)元素相同的導電型的雜質(zhì)元素。此外，以比上述工序中添加的雜質(zhì)元素高的濃度添加。在非單晶半導體層2521中以柵電極2514及側(cè)壁絕緣層2518為掩模自對準地形成一對高濃度雜質(zhì)區(qū)域2526和一對低濃度雜質(zhì)區(qū)域2524。這里形成的高濃度雜質(zhì)區(qū)域2526用作源區(qū)或漏區(qū)，而低濃度雜質(zhì)區(qū)域2524用作LDD(輕摻雜漏)區(qū)域。在第一單晶半導體層2531中以柵電極2514及側(cè)壁絕緣層2518為掩模自對準地形成一對高濃度雜質(zhì)區(qū)域2536和一對低濃度雜質(zhì)區(qū)域2534。這里形成的高濃度雜質(zhì)區(qū)域2536用作源區(qū)或漏區(qū)，而低濃度雜質(zhì)區(qū)域2534用作LDD區(qū)域。在第二單晶半導體層2541中以柵電極2514及側(cè)壁絕緣層2518為掩模自對準地形成一對高濃度雜質(zhì)區(qū)域2546和一對低濃度雜質(zhì)區(qū)域2544。注意，當對非單晶半導體層2521及第一單晶半導體層2531添加雜質(zhì)元素時，使用抗蝕劑掩模等選擇性地覆蓋第二單晶半導體層2541即可。與此同樣，當對第二單晶半導體層2541添加雜質(zhì)元素時，使用抗蝕劑掩模等選擇性地覆蓋非單晶半導體層2521及第一單晶半導體層2531即可。側(cè)壁絕緣層2518隔著絕緣層2516設置在柵電極2514的側(cè)面。例如，通過對以埋設柵電極2514的方式形成的絕緣層進行以垂直方向為主體的各向異性蝕刻，來在柵電極2514的側(cè)面自對準地形成側(cè)壁絕緣層251S。側(cè)壁絕緣層2518可以通過使用氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、或者氧氮化硅等的材料來形成。注意，在使用氧化硅或氧氮化硅形成絕緣層2516的情況下，通過使用氮化硅或氮氧化硅形成側(cè)壁絕緣層2518，可以將絕緣層2516用作蝕刻停止層。此外，在使用氮化硅或氮氧化硅形成絕緣層2516的情況下，使用氧化硅或氧氮化硅形成側(cè)壁絕緣層2518即可。像這樣，通過設置會用作蝕刻停止層的絕緣層，可以防止因為當形成側(cè)壁絕緣層時的過蝕刻而非單晶半導體層及單晶半導體層被蝕刻。接下來，蝕刻絕緣層2516的暴露部，形成絕緣膜2517(參照圖27A)。絕緣層2517保留在側(cè)壁絕緣層2518和柵電極2514之間、側(cè)壁絕緣層2518和非單晶半導體層2521之間、側(cè)壁絕緣層2518和第一單晶半導體層2531之間、以及側(cè)壁絕緣層2518和第二單晶半導體層2541之間。注意，為了實現(xiàn)用作源區(qū)或漏區(qū)的高濃度雜質(zhì)元素的低電阻化，也可以形成硅化物層。作為硅化物層，使用硅化鈷或硅化鎳即可。在非單晶半導體層及單晶半導體層的厚度薄的情況下，也可以一直到形成有高濃度雜質(zhì)區(qū)域的非單晶半導體層及單晶半導體層的底部進展硅化物反應，來實現(xiàn)全硅化物化。接下來，在襯底2500的整個表面上形成絕緣層2508，然后選擇性地蝕刻該絕緣層2508，并且形成到達形成在顯示部2520的非單晶半導體層2521中的高濃度雜質(zhì)區(qū)域2526的開口。另外，還形成到達分別形成在第一驅(qū)動電路部2530的第一單晶半導體層2531及第二單晶半導體層2541中的高濃度雜質(zhì)區(qū)域2536及高濃度雜質(zhì)區(qū)域2546的開口。并且，以覆蓋該開口的方式形成導電層2519。此外，在端子區(qū)域2570中形成端子電極2574(參照圖27B)。絕緣層2508通過CVD法、濺射法、ALD法、涂敷法等使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等的包含氧或氮的無機絕緣材料、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的絕緣材料、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等的有機絕緣材料、或者硅氧烷樹脂等的硅氧垸材料來形成。注意，硅氧垸材料相當于包含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵(Si-0-Si鍵)構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機基(例如，烷基或芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基?；蛘?，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基。另外，絕緣層2508也可以通過CVD法、濺射法、以及ALD法形成絕緣層，然后在氧氣氣氛下或氮氣氣氛下對該絕緣層進行等離子體處理來形成。雖然在此示出單層結(jié)構(gòu)的絕緣層2508，但是也可以采用兩層以上的疊層結(jié)構(gòu)。此外，也可以組合使用無機絕緣層和有機絕緣層來形成。例如，也可以在襯底2500的整個表面上形成用作鈍化層的氮化硅膜或氮氧化硅膜，并且在其上形成能夠用作平坦化層的使用磷硅酸鹽玻璃(PSG)或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)的絕緣層。導電層2519用作源電極或漏電極。導電層2519通過形成在絕緣層2508中的開口與非單晶半導體層2521、第一單晶半導體層2531、以及第二單晶半導體層2541電連接。導電層2519可以通過CVD法或濺射法使用鋁(A1)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、或者硅(Si)等的金屬元素、或者包含上述金屬元素的合金材料或化合物材料以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導電層，然后選擇性地蝕刻該導電層來形成。作為包含鋁的合金材料，例如可以舉出以鋁為主要成分且包含鎳的材料；以及以鋁為主要成分且包含碳和硅中的一方或雙方及鎳的合金材料。此外，作為包含鎢的化合物材料，例如可以舉出硅化鴇。作為導電層2519，例如可以采用阻擋層、鋁硅(Al-Si)層、以及阻擋層的疊層結(jié)構(gòu)；以及阻擋層、鋁硅(Al-Si)層、氮化鈦層、以及阻擋層的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋層相當于由鈦、鈦的氮化物、鉬、或者鉬的氮化物構(gòu)成的薄膜。鋁和鋁硅由于電阻值低且廉價，所以最適合形成用作源電極或漏電極的導電層的材料。此外，通過采用在其上層和下層設置阻擋層的結(jié)構(gòu)形成用作源電極或漏電極的導電層，可以防止鋁和鋁硅的小丘的發(fā)生，所以是優(yōu)選的。形成在端子區(qū)域2570中的端子電極2574用作電連接后面形成的FPC等的外部輸入端子與第一驅(qū)動電路部2530及第二驅(qū)動電路部2550的電極。這里，示出使用與導電層2519相同的材料形成端子電極2574的例子。通過上述工序，形成有具有非單晶半導體層2521的晶體管的像素電路部2522形成在顯示部2520中。此外，形成有具有第一單晶半導體層2531的晶體管和具有第二單晶半導體層2541的晶體管的外圍電路部2532形成在第一驅(qū)動電路部2530中。注意，雖然在本實施方式中采用對非單晶半導體層和單晶半導體層同時進行摻雜等的工序，但是本發(fā)明不局限于此。也可以采用最適合非單晶半導體層的工序、最適合單晶半導體層的工序來制造液晶顯示裝置。注意，在對非單晶半導體層和單晶半導體層同時進行蝕刻或摻雜等的情況下，可以大幅度地簡化制造過程，因此可以得到低成本化、成品率的提高等的顯著的效果。接下來，在顯示部2520及第一驅(qū)動電路部2530上形成絕緣層2509。并且，選擇性地蝕刻形成在顯示部2520上的絕緣層2509來形成到達形成在像素電路部2522中的晶體管的導電層2519的開口。然后，以覆蓋該開口的方式形成像素電極2560(參照圖27C)。絕緣層2509優(yōu)選為能夠?qū)@示部2520及第一驅(qū)動電路部2530的凹凸平滑化來形成平坦的表面的平坦化層。例如，可以使用環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等的有機絕緣材料、或者硅氧烷樹脂等的硅氧烷材料來形成。雖然在此示出單層結(jié)構(gòu)的絕緣層2509，但是也可以采用兩層以上的的疊層結(jié)構(gòu)。在采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下，例如可以采用形成有機樹脂等作為上層且形成氧化硅、氮化硅、或者氧氮化硅等的無機絕緣層作為下層的疊層結(jié)構(gòu)、或者由無機絕緣層夾有有機絕緣層的結(jié)構(gòu)。絕緣層2509可以通過使用各種印刷法(絲網(wǎng)印刷法、平版印刷法、凸版印刷法、以及凹板印刷法等)、液滴噴射法、分配器法等選擇性地形成。另外，也可以使用旋涂法等在整個表面上形成絕緣層，然后選擇性地蝕刻所希望的區(qū)域(這里相當于顯示部2520及第一驅(qū)動電路部2530)以外來形成。像素電極2560在本實施方式中優(yōu)選使用透過可見光的材料形成。作為透過可見光的導電材料，可以舉出銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(IZO)、或者添加有鎵的氧化鋅(GZO)等。另一方面，在能夠充分減薄像素電極2560的厚度的情況下，不局限于上述材料。這是因為當為通常的厚度時不透過光的材料當形成為充分薄時透過光。在這種情況下，也可以使用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)等的金屬元素、或者包含上述金屬元素的合金材料或化合物材料。此外，在制造反射型或半透過型的液晶顯示裝置的情況下，優(yōu)選使用上述金屬元素等。接下來，形成間隔物2586，然后以覆蓋像素電極2560及間隔物的方式形成定向膜2582。并且，以圍繞顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550的方式形成密封劑2580(參照圖28A)。間隔物2586可以使用環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、丙烯等的有機絕緣材料、或者氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、或者氮氧化硅等的無機絕緣材料以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成。在本實施方式中，形成柱形的間隔物作為間隔物2586，因此，在襯底的整個表面上形成絕緣層，然后進行蝕刻加工，來得到所希望的形狀的間隔物。注意，間隔物2586的形狀沒有特別的限制，也可以散布球形的間隔物。可以由間隔物2586保持單元間隙。定向膜2582為能夠使液晶向一定的方向配列的層。根據(jù)所使用的液晶的工作模式適當選擇其材料。例如，可以使用聚酰亞胺、聚酰胺等的材料形成，進行定向處理來制造定向膜2582。作為定向處理進行研磨、紫外線的照射等即可。定向膜2582的形成方法沒有特別的限制，但是當使用各種印刷法或液滴噴射法時，可以在絕緣層2509上選擇性地形成。以至少圍繞顯示區(qū)域的方式形成密封劑2580。在本實施方式中，以圍繞顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550的周圍的方式形成密封圖案。作為密封劑2580可以使用熱硬化樹脂或光硬化樹脂。注意，也可以通過將填料包含在密封劑中來保持單元間隙。后面當與設置有相對電極、顏色濾光片等的襯底密封時，對密封劑2580進行光照射、加熱處理等來硬化。在由密封劑2580圍繞的區(qū)域中形成液晶層2584。并且，貼合順序?qū)盈B有顏色濾光片2589、相對電極2588、以及定向膜2587的第二襯底2590和第一襯底2500(參照圖28B)。液晶層2584通過使用所希望的液晶材料形成。此外，液晶層2584可以通過在由密封劑2580形成的密封圖案內(nèi)滴落液晶材料來形成。液晶材料的滴落通過使用分配器法或液滴噴射法來進行即可。注意，液晶材料優(yōu)選預先在減壓下脫氣，或者在滴落后在減壓下脫氣。此外，當?shù)温湟壕Р牧蠒r，優(yōu)選在惰性氣氛下進行，以便不混入雜質(zhì)等。此外，從滴落液晶材料形成液晶層2584—直到貼合第一襯底2500和第二襯底2590優(yōu)選在減壓下進行，以使氣泡等進入到液晶層2584中。此外，液晶層2584還可以在貼合第一襯底2500和第二襯底2590之后，利用毛細現(xiàn)象對密封劑2580的框狀圖案內(nèi)注入液晶材料來形成。在此情況下，預先在密封劑等中形成成為液晶的注入口的部分。注意，優(yōu)選在減壓下注入液晶材料。第一襯底2500和第二襯底2590通過在對置且密合之后，對密封劑2580進行硬化來貼合。此時，貼合為由設置在第二襯底2590的定向膜2587和設置在第一襯底2500的定向膜2582夾持液晶層2584的結(jié)構(gòu)。注意，在貼合第一襯底2500和第二襯底2590且形成液晶層2584之后，也可以進行加熱處理來校正液晶層2584的定向無序。作為第二襯底2590，使用具有透光性的襯底。例如，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼酸鹽玻璃等的各種玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底或藍寶石襯底等。在貼合之前，在第二襯底2590上順序?qū)盈B顏色濾光片2589、相對電極2588、以及定向膜2587。注意，在第二襯底2590上，除了設置顏色濾光片2589以外，還可以設置黑矩陣。此外，顏色濾光片2589也可以設置在第二襯底2590的外側(cè)。此外，在采用單色顯示的情況下，也可以不設置顏色濾光片2589。此外，也可以在第二襯底2590—側(cè)設置密封劑。注意，在第二襯底2590—側(cè)設置密封劑的情況下，對設置在第二襯底2590上的密封劑的圖案內(nèi)滴落液晶材料。相對電極2588可以通過使用銦錫氧化物(ITO)、包含氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(ZnO)、銦鋅氧化物(IZO)、或者添加有鎵的氧化鋅(GZO)等的具有透過可見光的性質(zhì)的導電材料來形成。定向膜2587可以通過與上述定向膜2582相同的方式形成。通過以上工序，可以得到在第一襯底2500和第二襯底2590之間密封有包括液晶層2584的顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550的結(jié)構(gòu)。注意，在形成在顯示部2520、第一驅(qū)動電路部2530、以及第二驅(qū)動電路部2550中的電路部中，除了制造晶體管以外，也可以同時還制造電阻器或電容器等。此外，晶體管的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。例如，也可以采用對一個非單晶半導體層或單晶半導體層設置多個柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。接下來，在第一襯底2500和第二襯底2590上分別設置偏振片2591和偏振片2592，并且對端子電極2574通過各向異性導電層2576連接外部輸入端子2578(參照圖28C)。然后，對應于監(jiān)視器部地布置光傳感器。注意，監(jiān)視器部的像素可以通過與顯示用的像素相同的方式制造。監(jiān)視器部既可使用一個像素形成，又可使用兩個以上的像素形成。監(jiān)視器部的像素的面積既可與顯示部的像素的面積相同，又可比顯示部的像素的面積大。通過由多個像素構(gòu)成監(jiān)視器部，可以提高要檢測的亮度的精度。另外，通過增大監(jiān)視器部的像素的面積，同樣地可以提高要檢測出的亮度的精度。就是說，可以進行背光燈的細密控制。外部輸入端子2578具有傳達來自外部的信號(例如，視頻信號、時鐘信號、起始信號、復位信號等)或電位的功能。這里，連接FPC作為外部輸入端子2578。注意，端子電極2574與第一驅(qū)動電路部2530及第二驅(qū)動電路部2550電連接。通過以上過程，可以得到液晶顯示裝置。注意，本實施方式可以與實施方式1至9適當組合使用。實施方式ll雖然在實施方式10中說明使用實施方式9的半導體襯底的液晶顯示裝置，但是在本實施方式中參照圖29A和2犯說明其他顯示裝置。圖29A是使用發(fā)光元件的顯示裝置(也被稱為發(fā)光裝置、EL顯示裝置)的一個例子。圖2犯是使用電泳元件的顯示裝置(也被稱為電子紙、電泳顯示裝置)的一個例子。注意，除了顯示元件以外的結(jié)構(gòu)與實施方式10所示的結(jié)構(gòu)相同，因此省略其詳細說明。圖29A表示使用發(fā)光元件2910而代替液晶元件的顯示裝置。這里表示在像素電極(陰極)2912和相對電極(陽極)2916之間設置有有機化合物層2914的例子。有機化合物層2914至少具有發(fā)光層，另外還可以具有電子注入層、電子傳送層、空穴傳輸層、空穴注入層等。此外，像素電極(陰極)2912的端部由隔壁層2918覆蓋。隔壁層2918通過在使用絕緣材料在襯底的整個表面上形成之后加工為像素電極(陰極)2912的一部分暴露的方式，或者使用液滴噴射法等選擇性地形成即可。在像素電極(陰極)2912及隔壁層2918上順序?qū)盈B有機化合物層2914、相對電極(陽極)2916。在發(fā)光元件2910和第二襯底2590之間的空間2920中既可填充惰性氣體等，又可形成樹脂等。注意，雖然在本實施方式中使用有機材料形成發(fā)光元件，但是本發(fā)明不局限于此。既可使用無機材料形成發(fā)光元件，又可組合使用有機材料和無機材料形成發(fā)光元件。圖29B表示使用電泳元件而代替液晶元件的顯示裝置。這里表示在像素電極2932和相對電極(共同電極)2934之間設置有電泳層2940的例子。電泳層2940具有由粘合劑2936固定的多個微膠囊2930。微膠囊2930具有10pm至200pm左右的直徑，并且具有密封透明液體、帶正電的白色微粒、以及帶負電的黑色微粒的結(jié)構(gòu)。在該微膠囊2930中，當由像素電極2932和相對電極(共同電極)2934施加電場時，白色微粒和黑色微粒移動到相反方向，從而可以顯示白色或黑色。應用這種原理的顯示元件就是電泳元件。電泳元件由于具有比液晶元件高的反射率，所以即使不具有輔助光(例如前光燈)可以在暗淡的地方識別顯示部。此外，耗電量也小。另外，即使在電源不供應到顯示部的情況下，可以保持一旦顯示的圖像。本發(fā)明雖然基本上以液晶顯示裝置為對象，但是也可以用于其他顯示裝置。例如，可以進行電致發(fā)光顯示裝置中的發(fā)光元件的亮度控制而代替液晶顯示裝置中的背光燈的輸出控制。在此情況下，以與發(fā)光元件(監(jiān)視器用的發(fā)光元件)相對的方式設置光傳感器，來檢測出發(fā)光元件的亮度變化即可。通過上述結(jié)構(gòu)，即使發(fā)光元件的退化進展，也可以保持一定的亮度的同時進行顯示。此外，在使用電泳元件的顯示裝置中，通過利用反射光進行校正顯示準確的灰度，來可以減少依賴于環(huán)境變化的圖像質(zhì)量的變化，從而可以顯示優(yōu)越的圖像。注意，在此情況下，例如可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，設置監(jiān)視器用的電泳元件、光源、以及光傳感器，對監(jiān)視器用的電泳元件照射來自光源的光，使用光傳感器檢測出來自電泳元件的反射光。這里，光源及光傳感器布置為與電泳元件相對。也可以采用檢測出外光的反射而不設置光源的結(jié)構(gòu)。本實施方式可以與實施方式1至10適當組合使用。實施方式12參照圖30A至30H說明使用本發(fā)明的顯示裝置的電子設備。作為使用本發(fā)明的顯示裝置的電子設備，可以舉出攝像機、數(shù)碼相機等的攝像設備、護目鏡式顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(汽車音頻組件裝置等)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動計算機、移動電話、便攜式游戲機、電子圖書等)、安裝有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體來說，可以再現(xiàn)諸如數(shù)字通用光盤(DVD)之類的記錄介質(zhì)并包括能夠顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖30A是一種電視接收機或個人計算機的監(jiān)視器。其包括框體3001、支架3002、顯示部3003、揚聲器部3004、視頻輸入端子3005等。在顯示部3003中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的電視接收機或個人計算機的監(jiān)視器。圖30B是一種數(shù)碼相機。在主體3011的正面部分設置有圖像接收部3013，而在主體3011的上面部分設置有快門按鈕3016。此外，在主體3011的背面部分設置有顯示部3012、操作鍵3014、以及外部連接端口3015。在顯示部3012中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的數(shù)碼相機。圖30C是一種筆記本型個人計算機。在主體3021中設置有鍵盤3024、外部連接端口3025、定位設備3026等。此外，在主體3021中安裝有具有顯示部3023的框體3022。在顯示部3023中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的筆記本型個人計算機。圖30D是一種移動計算機，其包括主體3031、顯示部3032、開關3033、操作鍵3034、紅外線端口3035等。在顯示部3032中設置有有源矩陣顯示裝置。在顯示部3032中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的移動計算機。圖30E是一種圖像再現(xiàn)裝置。在主體3041中設置有顯示部B3044、記錄介質(zhì)讀取部3045、以及操作鍵3046。此外，在主體3041中安裝有具有揚聲器部3047及顯示部A3043的框體3042。在顯示部A3043及顯示部B3044中分別使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的圖像再現(xiàn)裝置。圖30F是一種電子書。在主體3051中設置有操作鍵3053。此外，在主體3051中安裝有多個顯示部3052。在顯示部3052中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的電子書。圖30G是一種攝像機，在主體3061中設置有外部連接端口3064、遙控接收部3065、圖像接收部3066、電池3067、音頻輸入部3068、以及操作鍵3069。此外。在主體3061中安裝有具有顯示部3062的框體3063。在顯示部3062中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的攝像機。圖30H是一種移動電話，其包括主體3071、框體3072、顯示部3073、音頻輸入部3074、音頻輸出部3075、操作鍵3076、外部連接端口3077、以及天線3078等。在顯示部3073中使用本發(fā)明的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有優(yōu)越的圖像質(zhì)量和高動畫性能的移動電話。像這樣，本發(fā)明的應用范圍非常大，可以用于各種領域的電子設備。注意，本實施方式可以與實施方式l至ll適當組合使用。本申請基于2007年5月18日向日本專利局遞交的序列號為NO.2007-132607的日本專利申請，該申請的全部內(nèi)容通過引用被結(jié)合在本申請中。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置，包括監(jiān)視器用的光源；液晶層；向所述液晶層發(fā)射光的背光燈；以及用來檢測出從所述監(jiān)視器用的光源經(jīng)過所述液晶層的光的強度的光傳感器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括根據(jù)由所述光傳感器檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的亮度的校正量的單元；以及根據(jù)所述計算出的所述背光燈的亮度的校正量控制所述背光燈的亮度的單元。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括根據(jù)由所述光傳感器檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的點燈時序和熄燈時序的單元；以及根據(jù)所述計算出的背光燈的點燈時序和熄燈時序控制所述背光燈的點燈和熄燈的單元。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源和所述背光燈都設置在所述液晶層的一5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源是所述背光燈的一部分。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源設置在所述液晶層的一方一側(cè)，而所述背光燈設置在所述液晶層的與設置有所述監(jiān)視器用的光源一側(cè)相反的7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括用來檢測出外部光的強度的光傳感器。8.—種使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的電子設備。9.一種液晶顯示裝置，包括液晶層；第一偏振片和第二偏振片，所述液晶層夾在所述第一偏振片和所述第二偏振片之間；設置在所述第一偏振片一側(cè)的監(jiān)視器用的光源；向所述液晶層發(fā)射光的背光燈；以及設置在所述第二偏振片一側(cè)的光傳感器，其中所述光傳感器布置為檢測出來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，還包括根據(jù)由所述光傳感器檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的亮度的校正量的單元；以及根據(jù)所述計算出的所述背光燈的亮度的校正量控制所述背光燈的亮度的單元。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，還包括根據(jù)由所述光傳感器檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的點燈時序和熄燈時序的單元；以及根據(jù)所述計算出的背光燈的點燈時序和熄燈時序控制所述背光燈的點燈和熄燈的單元。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源和所述背光燈都設置在所述液晶層的一13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源是所述背光燈的一部分。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中所述監(jiān)視器用的光源設置在所述液晶層的一方一側(cè)，而所述背光燈設置在所述液晶層的與設置有所述監(jiān)視器用的光源一側(cè)相反的15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，還包括-用來檢測出外部光的強度的光傳感器。16.—種使用根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的電子設備。17.—種液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，包括以下步驟檢測出從監(jiān)視器用的光源經(jīng)過液晶層的光的強度；根據(jù)所述檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度控制背光燈的亮度。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，其中根據(jù)所述背光燈的亮度的校正量控制所述背光燈的亮度，并且根據(jù)所述檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的亮度的校正量。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，其中根據(jù)所述背光燈的亮度的校正量控制所述背光燈的亮度，并且根據(jù)由用來檢測出外部光的強度的光傳感器檢測出的周圍的明亮度計算出所述背光燈的亮度的校正量。20.—種液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，包括以下步驟檢測出從監(jiān)視器用的光源經(jīng)過液晶層的光的強度；根據(jù)所述檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度控制背光燈的點燈和熄燈。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法，其中根據(jù)所述背光燈的點燈時序和熄燈時序控制所述背光燈的點燈和熄燈，并且根據(jù)所述檢測出的來自所述監(jiān)視器用的光源的光的強度計算出所述背光燈的點燈時序和熄燈時序。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種圖像質(zhì)量優(yōu)良且動畫性能高的液晶顯示裝置、電子設備、以及用來得到優(yōu)良的圖像質(zhì)量和高動畫性能的驅(qū)動方法。在本發(fā)明中，在液晶顯示裝置中設置監(jiān)視器用的像素，并且使用光傳感器檢測出該像素的亮度。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于可以計算出環(huán)境的變化所導致的背光燈的亮度變化和液晶響應所需要的時間，因此可以利用該計算出來的信息實時控制背光燈。文檔編號G02F1/133GK101308643SQ20081009949公開日2008年11月19日申請日期2008年5月16日優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日發(fā)明者福留貴浩申請人:株式會社半導體能源研究所