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      顯示器基板、其制造方法以及具有其的顯示裝置的制作方法

      文檔序號:2808169閱讀:150來源:國知局
      專利名稱:顯示器基板、其制造方法以及具有其的顯示裝置的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及顯示器基板,顯示器基板的制造方法以及具有顯示器基板 的顯示裝置。更具體而言,本發(fā)明涉及基本上能防止漏光的顯示器基板, 顯示器基板的制造方法以及具有圖像顯示質量得到提高的顯示器基板的 顯示裝置。
      背景技術
      平板顯示裝置具有多種特性,諸如厚度薄,重量輕,尺寸小等,并且 應用于多種領域中。
      液晶顯示(LCD)裝置是一種平板顯示裝置,包括具有陣列基板的LCD 面板,與陣列基板相對的對置基板,以及置于陣列基板與對置基板之間的 液晶層。液晶層液晶的排列隨施加給陣列基板的像素電極與對置基板的公 共電極的電場而改變,且液晶層的透光率發(fā)生改變,從而顯示圖像。
      當向LCD板施加壓力時,液晶的排列受到干擾,從而光通過受干擾 的液晶泄漏。此外,當液晶的排列受到干擾時,會減小液晶的響應速度。
      例如,當LCD面板與觸摸屏面板形成一體時,壓力經常會施加給LCD面 板,從而降低了LCD裝置的圖像顯示質量。

      發(fā)明內容
      根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示器基板,包括底部基板,有機脊形圖案, 像素電極和屏蔽電極。在底部基板上,多個像素區(qū)域排列成矩陣形狀。有 機脊形圖案在相鄰像素區(qū)域之間突出。在每個像素區(qū)域中設置像素電極。 屏蔽電極設置在有機脊形圖案上,并且與像素電極電連接。
      根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示器基板,包括底部基板,多個濾色器, 有機脊形圖案以及公共電極。在底部基板上濾色器排列成矩陣形狀。有機 脊形圖案在相鄰濾色器之間突出。公共電極設置在底部基板上,覆蓋濾色器和有機脊形圖案。如下所述,提供根據(jù)本發(fā)明又一實施例的顯示器基板的制造方法。在 底部基板上形成薄膜晶體管,多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管與所 述柵極線中的一條和所述數(shù)據(jù)線中的一條電連接。在形成于底部基板上的 相鄰像素區(qū)域之間形成有機脊形圖案。在底部基板上形成透明導電層以覆 蓋薄膜晶體管、柵極線和數(shù)據(jù)線以及有機脊形圖案。對透明導電層進行構 圖,以便在每個像素區(qū)域中形成像素電極,以及在有機脊形圖案上形成與 像素電極電連接的屏蔽電極。根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示裝置包括陣列基板,對置基板以及液晶 層。陣列基板包括底部基板,有機脊形圖案,像素電極和屏蔽電極。底部 基板具有排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域。有機脊形圖案在相鄰像素區(qū)域 之間突出。像素電極設置在每個像素區(qū)域中。屏蔽電極設置在有機脊形圖 案上,與像素電極電連接。對置基板與陣列基板面對,并且包括對置底部 基板和處于對置底部基板上的公共電極。液晶層置于陣列基板與對置基板 之間。根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示裝置包括陣列基板,對置基板以及液晶 層。陣列基板包括底部基板,薄膜晶體管,有機保護層和像素電極。底部 基板具有排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域。薄膜晶體管處于每個像素區(qū)域 中。有機保護層設置在底部基板上,與薄膜晶體管電連接。在有機保護層 上,像素電極與薄膜晶體管電連接。對置基板與陣列基板面對,并且包括 對置底部基板,多個濾色器,有機脊形圖案和公共電極。在對置底部基板 上,濾色器排列成矩陣形狀。有機脊形圖案在相鄰濾色器之間突出。公共 電極設置在對置底部基板上,覆蓋濾色器和有機脊形圖案。液晶層置于陣 列基板與對置基板之間。顯示器基板包括陣列基板,濾色器基板,濾光器涂布于陣列上的(color filter on array, C0A)基板等。


      通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例,本發(fā)明將變得更加清楚,其中圖1是表示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的陣列基板的平面圖; 圖2為沿圖1中所示的線I-I'作出的剖面圖;圖3為沿圖i中所示的線n-ir作出的剖面圖;圖4為表示圖1的像素電極和屏蔽電極的平面圖;圖5到9為表示圖1中所示陣列基板的制造方法的剖面圖;圖10為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的陣列基板的平面圖;圖11為沿10中所示的線I11-III'作出的剖面圖;圖12為表示圖10中所示像素電極和屏蔽電極的平面圖;圖13為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的陣列基板的剖面圖;圖14為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖;圖15為沿圖14中所示的線IV-IV,作出的剖面圖;圖16為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖;圖17為沿圖16中所示的線V-V'作出的剖面圖;圖18為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖; 圖19為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖; 圖20為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖; 圖21為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖; 圖22為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖; 圖23為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖; 圖24為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖; 圖25為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖; 圖26為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的平面圖;以及圖27為沿圖26中所示的線VI-VI'作出的剖面圖。
      具體實施方式
      下面將參照附圖更充分地描述本發(fā)明,在附圖中表示出本發(fā)明的示范 性實施例。不過,本發(fā)明可以通過多種不同方式來實現(xiàn),不應當理解為局 限于此處給出的實施例。實際上,提供實施例是為了使公開充分和完全, 并且向本領域技術人員完全表示出本發(fā)明的范圍。在附圖中,為了清楚起見,夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。相同附圖標記始終表示相同元件。正如此處所使用的,術語"和/或" 包括一個或多個相關的所列出項的任意和所有組合。下面,將參照附圖詳細描述本發(fā)明。圖1為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的陣列基板的平面圖。圖2為沿圖i中所示的線i-r作出的剖面圖。圖3為沿圖i中所示的線 n-ir作出的剖面圖。參照圖1到3,陣列基板包括下底部基板120,遮光圖案122,柵極線 (gate line) 128,數(shù)據(jù)線127,薄膜晶體管119,半導體圖案117,柵極 絕緣層126,鈍化層116,有機脊形圖案130,像素電極112和屏蔽電極 113。或者,陣列基板可包括多條柵極線128,多條數(shù)據(jù)線127,多個薄膜 晶體管119,多個有機脊形圖案130,多個像素電極112和多個屏蔽電極 113。下底部基板120包括排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域140,和置于像 素區(qū)域140之間的信號傳輸區(qū)域150。下底部基板120包括透光玻璃基板。在圖1到3中,玻璃基板不包含 堿離子,從而改善了薄膜晶體管119的電學性質?;蛘?,下底部基板120 可包括透明合成樹脂??捎糜谙碌撞炕?20的透明合成樹脂的例子包括 三乙酰纖維素(TAC),聚碳酸酯(PC),聚醚砜(PES),聚對苯二甲酸乙 二醇酯(PET),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN, polyethylene naphthalate), 聚乙烯醇(PVA),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),環(huán)烯聚合物(COP)等。柵極線128在底部基板120上沿第一方向延伸,并且基本上彼此平行。 第一方向為底部基板120的縱向方向。遮光圖案122在下底部基板120上在相鄰柵極線128之間基本上沿第 二方向排列,并且與柵極線128電絕緣。第二方向為底部基板120的水平 方向。遮光圖案122阻擋入射光穿過相鄰屏蔽電極113之間的空間,以增 大顯示裝置的對比度。陣列基板可以進一步包括置于下底部基板120上相鄰柵極線128之間 的多個存儲電容線(未示出),并且存儲電容線可以與像素電極112重疊 (overlap)以形成存儲電容器(未示出)。柵極絕緣層126設置在下底部基板120上,覆蓋柵極線128以及每個 薄膜晶體管119的柵極118b。柵極118b與每條柵極線128電連接。半導體圖案117設置在柵極絕緣層126上,并且包括非晶硅圖案117a 和處于非晶硅圖案117a上的N+非晶硅圖案117b。在圖1到3中,非晶硅 圖案117a設置在數(shù)據(jù)線127,薄膜晶體管119的源極118a以及薄膜晶體 管119的漏極118c,以及源極118a與漏極118c之間的空間的下面。此外, N+非晶硅圖案117b設置在數(shù)據(jù)線127,源極118a以及漏極118c的下面。源極118a設置在半導體圖案117的與柵極118b相應的一部分上。漏 極118c與源極118a分隔開,并且設置在半導體圖案117的與柵極118b 相應的一部分上。數(shù)據(jù)線127在半導體圖案117上沿第二方向延伸,并且基本上彼此平 行排列。鈍化層116設置在柵極絕緣層126上,并且覆蓋數(shù)據(jù)線127和薄膜晶 體管119。例如,鈍化層116具有接觸孔116a,通過其使漏極118c部分 露出。有機脊形圖案130沿柵極線128和數(shù)據(jù)線127延伸,并且處于信號傳 輸區(qū)域150中。例如,有機脊形圖案130設置在鈍化層116上。有機脊形圖案130具有沿第一方向或第二方向延伸的脊形形狀。有機 脊形圖案130的橫截面可以具有多邊形形狀,半圓形形狀,半橢圓形形狀 等。在圖1到3中,有機脊形圖案130具有梯形橫截面。圖4為表示圖1的像素電極和屏蔽電極的平面圖。參照圖1到4,像素電極112設置在像素區(qū)域140中,并且通過接觸 孔116a與漏極118c電連接。屏蔽電極113設置在有機脊形圖案130之上,并且與像素電極112電 連接。在圖1到4中,屏蔽電極113圍繞像素電極112,并且屏蔽電極113 與像素電極112之間的邊界111同信號傳輸區(qū)域150與像素區(qū)域140之間 的邊界相重疊。屏蔽電極113與柵極線128和數(shù)據(jù)線127部分重疊。通過設置在柵極 線128上的有機脊形圖案130,增大了屏蔽電極113與柵極線128之間的 距離,從而減小了屏蔽電極113與柵極線128之間的寄生電容。此外,數(shù)據(jù)線127上的有機脊形圖案130增大了屏蔽電極113與數(shù)據(jù)線127之間的 距離,從而減小了屏蔽電極113與數(shù)據(jù)線127之間的寄生電容。屏蔽電極113相對于像素電極112突出,以在屏蔽電極113與對置基 板(opposite substrate)的公共電極之間產生強電場。從而,相鄰像素 電極112之間的液晶不會受到干擾。在圖1到4中,屏蔽電極113覆蓋薄膜晶體管119。像素電極112可 覆蓋薄膜晶體管119,并且像素電極112與像素區(qū)域140可具有大體上矩 形形狀。根據(jù)圖1到4的陣列基板,屏蔽電極113形成在有機脊形圖案130上, 從而屏蔽電極113相對于像素電極112突出。因此,減小了屏蔽電極113 與公共電極之間的距離,因此增大了屏蔽電極113與公共電極之間形成的 電場的強度,從而基本上防止了置于相鄰像素電極112之間的液晶發(fā)生扭曲。圖5到9為表示圖1中所示陣列基板的制造方法的剖面圖。參照圖1和5,在下底部基板i20上沉積柵極金屬層(未示出)。對柵 極金屬層進行構圖,以形成柵極118b,柵極線128和遮光圖案122。在下底部基板120上形成覆蓋柵極118b,柵極線128和遮光圖案122 的柵極絕緣層126。參照圖1和6,在柵極絕緣層126上形成包括非晶硅層 (未示出)和N+非晶硅層(未示出)的半導體層(未示出)。在圖1和6 中,為了形成半導體層,在柵極絕緣層126上沉積原始非晶硅層(未示出), 并且將N+離子注入原始非晶硅層的上部中,以形成非晶硅層和N+非晶硅層。在半導體層上沉積數(shù)據(jù)金屬層(未示出)。對數(shù)據(jù)金屬層進行構圖, 以形成數(shù)據(jù)線127,源極118a和漏極118c。使用數(shù)據(jù)線127、源極118a 和漏極118c作為蝕刻掩模,將非晶硅層和N+非晶硅層部分蝕刻,以形成 包括非晶硅圖案U7a和N+非晶硅圖案117b的半導體圖案117。在圖1和 6中,使用半色調掩模通過光刻處理對數(shù)據(jù)金屬層和半導體層進行構圖。在柵極絕緣層126上沉積覆蓋數(shù)據(jù)線127,源極118a和漏極118c的 鈍化層116。將鈍化層116部分蝕刻,以形成接觸孔116a,通過其使漏極118c部 分暴露出。參照圖7,在鈍化層116上形成光致抗蝕劑膜130a。光致抗蝕劑膜130a 使包括柵極線128,數(shù)據(jù)線127和薄膜晶體管119的下基板120的表面平 坦化。在圖7中,光致抗蝕劑膜130a的厚度T不小于鈍化層116的高度, 且不大于液晶層(未示出)厚度的大約一半。參照圖8,去除處于像素區(qū)域140中的光致抗蝕劑膜130a。在圖8中, 去除處于像素區(qū)域140中的光致抗蝕劑膜130a,從而在信號傳輸區(qū)域150 中形成有機脊形圖案130,并且露出像素區(qū)域140中的鈍化層160和接觸 孔116a。或者,可以部分去除像素區(qū)域140中的光致抗蝕劑膜130a,使 得光致抗蝕劑膜130a在像素區(qū)域140中保留恒定的厚度。當在像素區(qū)域 140中保留光致抗蝕劑膜130a時,可以在形成有機脊形圖案130之后形成 接觸孔116a。參照圖9,在形成有有機脊形圖案130的鈍化層116上形成透明導電 層(未示出)。將透明導電層部分蝕刻,以形成像素電極112和屏蔽電極 113。像素電極112通過接觸孔116a與漏極118c電連接。根據(jù)圖1到9中所示的顯示器基板的制造方法的一個示范性實施例, 陣列基板包括屏蔽電極113,從而增大了顯示裝置的孔徑比。此外,在有機脊形圖案130上形成屏蔽電極113,從而增大了屏蔽電 極113與公共電極之間所形成的電場的強度。因此,增大了與像素電極112 側相鄰的液晶的響應速度,并且基本上防止相鄰像素電極112之間的液晶 發(fā)生扭曲。此外,處于有機脊形圖案130側面上的液晶,基本上朝向像素區(qū)域112 排列,從而增大了液晶的回復力。圖10為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的陣列基板的平面圖。圖 11為沿圖10中所示的線Ill-Ill'作出的剖面圖。圖12為表示圖10中 所示像素電極和屏蔽電極的平面圖。除屏蔽電極以外,圖10到12的陣列 基板與圖1到4基本相同。因此,將使用相同附圖標記表示與圖1到4中 所述相同或相似的元件,并將省略對上述元件的進一步說明。參照圖10到12,屏蔽電極213包括屏蔽部分213a和連接部分213b, 并且圍繞像素電極212。屏蔽部分213a與像素電極212分隔開,以形成開 口 216。屏蔽部分213a設置在有機脊形圖案130上,并且有機脊形圖案130的側面通過開口 216暴露出。當有機脊形圖案130的側面被屏蔽電極 覆蓋時,沿著有機脊形圖案130的側面可以形成電場,從而處于有機脊形 圖案130側面上的液晶有可能發(fā)生扭曲。不過,在圖10到12中,有機脊 形圖案130的側面被暴露出,從而液晶基本上沿著屏蔽部分213a與像素 電極112之間所形成的電場排列。
      連接部分213b形成于有機脊形圖案130的側面上,將像素電極212 與屏蔽部分213a電連接。在圖10到12中,連接部分213b可以形成在有 機脊形圖案130的下面。
      根據(jù)圖10到12的陣列基板,改善了有機脊形圖案130的側面上液晶 排列的均勻性,從而減小了光泄漏。
      圖13為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的陣列基板的剖面圖。除 屏蔽電極之外,圖13的陣列基板與圖1到4基本相同。從而,將使用相 同附圖標記表示與圖1到4中所述部件相同或相似的部件,并將省略對上 述元件的進一步解釋。
      參照圖1和13,在鈍化層116上形成有機保護層235。有機保護層235 使下底部基板120的上面形成有數(shù)據(jù)線127,柵極線128和薄膜晶體管119 的表面平坦化。有機保護層235和鈍化層116具有接觸孔216a,通過接觸 孔使薄膜晶體管119的漏極部分暴露出。
      在有機保護層235上設置有機脊形圖案230。
      像素電極112設置在有機保護層235上,通過接觸孔216a與漏極118c 電連接。
      屏蔽電極113設置在有機脊形圖案230上,與像素電極112電連接。
      在圖13中,使用單個掩模形成有機保護層235和有機脊形圖案230。 例如,調整曝光量,以改變有機保護層235的厚度。在形成有機保護層235 之后形成接觸孔216a。
      圖14為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。圖 15為沿圖14中所示的線IV-IV'作出的剖面圖。
      參照圖14和15,對置基板包括上底部基板320,濾色器304,對置 (opposite)有機脊形圖案332以及公共電極306?;蛘?,對置基板可進 一步包括多個濾色器304和多個對置有機脊形圖案332。在圖14和15中,上底部基板320包含的材料實質上與圖1中所示的 下底部基板相同。從而,將省略對上述元件的任何進一步解釋。
      在上底部基板320上,濾色器304被設置成矩陣形狀。例如,濾色器 304包括紅濾色器,綠濾色器和藍濾色器。
      在上底部基板320上,黑色矩陣(未示出)可置于相鄰濾色器304之間。
      對置有機脊形圖案332在相鄰濾色器304之間突出。在圖14和15中, 對置有機脊形圖案332面對陣列基板的柵極線和數(shù)據(jù)線。
      將公共電極306設置在濾色器304上,以覆蓋對置有機脊形圖案332。
      根據(jù)圖14和15的對置基板,該對置基板包括對置有機脊形圖案332, 從而減小了相鄰濾色器304之間的公共電極306與陣列基板的像素電極 (或屏蔽電極)之間的距離。因此,增大了相鄰濾色器304之間的電場強 度,從而改善了相鄰濾色器304之間液晶排列的均勻性。
      圖16為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。圖 17為沿圖16中的線V-V'作出的剖面圖。除對置有機脊形圖案以外,圖 16和17的對置基板與圖14和15基本相同。從而,將使用相同附圖標記 表示與圖14和15中所示相同或相似的部件,并將省略對上述元件的任何 進一步解釋。
      參照圖16和17,對置有機脊形圖案334圍繞三個濾色器304。例如, 將該基板與陣列基板組合,以插入扭曲向列模式的(twisted nematic mode)液晶層。
      在圖16和17中,對置有機脊形圖案334圍繞沿第三方向排列的三個 濾色器304。對置有機脊形圖案334可以相應于具有觸感電路(未示出) 的陣列基板的壓力檢測龜極?;蛘?,對置有機脊形圖案334可以相應于具 有光感電路(未示出)的陣列基板的光檢測電極。對置有機脊形圖案可圍 繞兩個濾色器,或者不少于四個濾色器?;蛘?,對置有機脊形圖案334可 圍繞沿基本垂直于第三方向的第四方向排列的三個濾色器。
      公共電極306設置于對置有機脊形圖案334和被對置有機脊形圖案 334覆蓋的濾色器304上面。
      根據(jù)圖16和17的對置基板,根據(jù)液晶層的模式,對置有機脊形圖案334可具有多種形狀,從而改善顯示裝置的圖像顯示質量。圖18為根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。除對置 有機脊形圖案以外,圖18的對置基板與圖14和15基本相同。從而,將 使用相同附圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略對 上述元件的任何進一步解釋。參照圖18,對置有機脊形圖案336僅沿第三方向延伸。在圖18中, 對置有機脊形圖案336沒有沿第四方向延伸。公共電極306 (圖15中所示)沿著在第三方向延伸的對置有機脊形圖 案336,在第三方向突出。根據(jù)圖18的對置基板,在第三方向突出的對置有機脊形圖案336基 本上防止了光在第三方向泄漏。圖19為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。除 對置有機脊形圖案以外,圖19的對置基板與圖18基本相同。從而,將使 用相同附圖標記表示與圖18所示相同或相似的部件,并將省略對上述元 件的任何進一步解釋。參照圖19,對置基板可進一步包括輔助有機脊形圖案337。輔助有機 脊形圖案337由與對置有機脊形圖案336基本相同的層形成,并且在第三 方向與多個濾色器304交叉。根據(jù)圖19的對置基板,輔助有機脊形圖案337在第三方向與濾色器 304交叉,以增大與輔助有機脊形圖案337相鄰的液晶的響應速度。圖20為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。除 對置有機脊形圖案以外,圖20的對置基板與圖14和15基本相同。從而, 將使用相同附圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略 對上述元件的任何進一步解釋。參照圖20,對置有機脊形圖案338僅沿第四方向延伸。在圖20中, 對置有機脊形圖案338沒有沿基本垂直于第四方向的第三方向延伸。公共電極306 (圖15中所示)沿著在第四方向延伸的對置有機脊形圖 案338,在第四方向突出。根據(jù)圖20的對置基板,在第四方向突出的對置有機脊形圖案338基 本防止了光在第四方向的泄漏。圖21為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。除
      對置有機脊形圖案以外,圖21的對置基板與圖14和15基本相同。從而, 將使用相同附圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略 對上述元件的任何進一步解釋。
      參照圖21,對置有機脊形圖案339沿第三方向設置在每三個濾色器 304 (圖15中所示)的一側。
      當與對置基板相對的陣列基板包括光檢測電極或壓力檢測電極時,對 置有機脊形圖案339與光檢測電極或壓力檢測電極相應。
      圖22為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的對置基板的平面圖。除 對置有機脊形圖案以外,圖22的對置基板與圖14和15基本相同。從而, 將使用相同附圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略 對上述元件的任何進一步解釋。
      參照圖22,對置基板可進一步包括輔助有機脊形圖案337。輔助有機 脊形圖案337由與對置有機脊形圖案332基本相同的層形成,并且在第三 方向與多個濾色器304交叉。
      對置有機脊形圖案332和輔助有機脊形圖案337將濾色器304分成網狀。
      根據(jù)圖22的對置基板,液晶被對置有機脊形圖案332和輔助有機脊 形圖案337包圍,以沿對置有機脊形圖案332和輔助有機脊形圖案337的 側面排列。從而,改善了具有對置基板的顯示器基板的視角以及液晶的響 應速度。
      圖23為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖。 參照圖23,顯示裝置包括陣列基板100,對置基板200'以及液晶層
      300。
      圖23的陣列基板100與圖1到4基本相同。從而,將使用相同附圖 標記表示與圖l到4所示相同或相似的部件,并將省略對上述元件的任何 進一步解釋。
      此外,圖23的對置基板200'與圖14和15基本相同。從而,將使用 相同附圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略對上述 元件的任何進一步解釋。
      15對置基板200'包括上底部基板320,濾色器304以及公共電極306。 濾色器304設置在上底部基板320上。公共電極306處于上底部基板320 上,覆蓋濾色器304。
      將液晶層300置于陣列基板100與對置基板200,之間。液晶層300 可具有扭曲向列(TN)模式,超扭曲向列(STN)模式,水平取向模式, 電控雙折射(electrically controlled birefringence (ECB): 或稱為 利用電場控制的雙折射)模式,垂直取向模式等。
      在圖23中,有機脊形圖案130的厚度HI大于鈍化層116相對于下底 部基板120的上表面的高度h,且小于液晶層300的厚度L的一半。當有 機脊形圖案130的厚度HI小于鈍化層116的高度h時,屏蔽電極113與 數(shù)據(jù)線127之間的寄生電容增大,而使圖像顯示質量下降。此外,當有機 脊形圖案130的厚度Hl大于液晶層300的厚度L的大約一半時,液晶在 有機脊形圖案130上的運動受到限制,使圖像顯示質量下降。
      根據(jù)圖23的顯示裝置,減小了在有機脊形圖案130上光的泄漏,增 大了液晶的響應速度。此外,有機脊形圖案130的側面增大了視角。
      圖24為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖。
      參照圖24,顯示裝置包括陣列基板100,,對置基板200和液晶層300。
      除平坦化層以外,圖24的陣列基板100'與圖1到4基本相同。從而, 將使用相同附圖標記表示與圖1到4所示相同或相似的部件,并將省略對 上述元件的任何進一步解釋。
      陣列基板100'包括下底部基板120,柵極線128,遮光圖案122,柵 極絕緣層126,薄膜晶體管119,數(shù)據(jù)線127,鈍化層116,平坦化層410, 像素電極412以及屏蔽電極413。
      在鈍化層116上設置平坦化層410,使下底部基板120的上面形成有 柵極線128,遮光圖案122,柵極絕緣層126,薄膜晶體管119,數(shù)據(jù)線127 和鈍化層116的表面平坦化。此外,平坦化層410增加了屏蔽電極413與 數(shù)據(jù)線127之間的距離,從而減小了屏蔽電極413與數(shù)據(jù)線127之間的寄 生電容。
      圖24的對置基板200與圖14和15基本相同。從而,將使用相同附 圖標記表示與圖14和15所示相同或相似的部件,并將省略對上述元件的任何進一步解釋。
      液晶層300置于陣列基板100,與對置基板200之間。 在圖24中,對置有機脊形圖案332的厚度H2小于液晶層300的厚度 L的大約一半。當對置有機脊形圖案332的厚度H2大于液晶層300的厚度 L的大約一半時,對置有機脊形圖案332會限制液晶在對置有機脊形圖案 332上的運動,從而使顯示裝置的圖像顯示質量下降。例如,對置有機脊 形圖案332的厚度H2可大于覆蓋數(shù)據(jù)線127的鈍化層116相對于下底部 基板120的上表面的高度h。
      圖25為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的剖面圖。 參照圖25,顯示裝置包括陣列基板100,對置基板200和液晶層300。 除有機脊形圖案的高度以外,圖25的陣列基板100與圖1到4基本 相同。從而,將使用相同附圖標記表示與圖1到4所示相同或相似的部件, 并將省略對上述元件的任何進一步解釋。
      此外,除對置有機脊形圖案的高度以外,圖25的對置基板200與圖 14和15基本相同。從而,將使用相同附圖標記表示與圖14和15所示相 同或相似的部件,并將省略對上述元件的任何進一步解釋。 液晶層300置于在陣列基板100與對置基板200之間。 在圖25中,有機脊形圖案131的高度H3與對置有機脊形圖案332的 高度H4之和,小于液晶層300的厚度L的大約一半。當有機脊形圖案131 的高度H3與對置有機脊形圖案332的高度H4之和大于液晶層300的厚度 L的大約一半時,置于有機脊形圖案131與對置有機脊形圖案333之間的 液晶的運動會受到限制,使顯示裝置的圖像顯示質量下降。此外,有機脊 形圖案131的厚度H3大于鈍化層116相對于下底部基板120的上表面的 高度h。當有機脊形圖案131的厚度小于鈍化層116的高度時,屏蔽電極 與數(shù)據(jù)線127之間的寄生電容增大,從而圖像顯示質量下降。
      圖26為表示根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的平面圖。圖 27為沿圖26中所示的線VI-VI,作出的剖面圖。除陣列基板以外,圖26 和27的顯示裝置與圖23基本相同。從而,將使用相同附圖標記表示與圖 23所示相同或相似的部件,并將省略對上述元件的任何進一步解釋。
      參照圖26和27,顯示裝置包括陣列基板400,對置基板200'以及液晶層301。陣列基板400包括下底部基板120,柵極線128,數(shù)據(jù)線127,薄膜晶 體管119,第一檢測線510,第二檢測線520,檢測部分550,柵極絕緣層 126,鈍化層116,有機脊形圖案430,像素電極112以及屏蔽電極113。檢測部分550置于相鄰屏蔽電極113之間,并且包括第一檢測電極 512,第二檢測電極522,第一連接電極516,第二連接電極526,第一接 觸孔514和第二接觸孔524。在圖26和27中,第一和第二檢測電極512 和522中的每一個都是壓力檢測電極。第一檢測電極512設置在有機脊形圖案430上,并且通過第一接觸孔 514與第一連接電極516電連接。第一檢測電極512由與像素電極112和 屏蔽電極113基本相同的層形成。第一接觸孔514形成通過有機脊形圖案430和鈍化層116,通過第一 接觸孔514使第一連接電極516部分暴露出。第一連接電極516與第一檢測線510電連接,并且被置于柵極絕緣層 126與鈍化層116之間。在圖26和27中,第一連接電極516由與第一檢 測線510基本相同的層形成。第二檢測電極522設置在有機脊形圖案430上,并且通過第二接觸孔 524與第二連接電極526電連接。第二檢測電極522由與像素電極112和 屏蔽電極113基本相同的層形成。第二接觸孔524形成通過有機脊形圖案430,鈍化層116和柵極絕緣 層126,并且通過第二接觸孔524將第二連接電極516部分暴露出。第二連接電極526與第二檢測線520電連接,并且被置于下底部基板 120與柵極絕緣層126之間。在圖26和27中,第二連接電極526由與第 二檢測線520基本相同的層形成。當外部提供的壓力被施加給對置基板200'時,減小了公共電極與第 一和第二檢測電極512和522中每一個之間的距離G。從而,增大了公共 電極306與第一和第二檢測電極512和522中每一個之間的電容,因此, 產生第一壓力檢測信號或第二壓力檢測信號。第一壓力檢測信號與受壓點 在第一方向的位置有關。第二壓力檢測信號與受壓點在第二方向的位置有 關。第一檢測線510設置在柵極絕緣層126上,并且由與數(shù)據(jù)線127基本 相同的層形成。在圖26和27中,第一檢測線510沿第二方向延伸,并且 傳輸?shù)谝粔毫z測信號。
      第二檢測線520置于下底部基板120與柵極絕緣層126之間,并且由 與柵極線128和遮光圖案122基本相同的層形成。在圖26和27中,第二 檢測線520沿第一方向延伸,并傳輸?shù)诙毫z測信號。
      檢測部分550在第一方向與每三條數(shù)據(jù)線127相鄰。
      有機脊形圖案430沿第一和第二方向延伸。
      在圖26和27中,檢測部分550檢測壓力,以確定受壓點的位置,從 而檢測物體在對置基板200,上的位置。或者,檢測部分可檢測光,從而 檢測物體的位置。
      根據(jù)圖26和27的顯示裝置,檢測部分550被集成到下底部基板120 上,以檢測物體在對置基板200'上的位置。
      此外,有機脊形圖案430減小了屏蔽電極113與公共電極306之間的 距離G,從而增大了在屏蔽電極113與公共電極306之間施加的電場強度。 從而,盡管向液晶層301施加壓力,液晶層301的液晶的回復力增大。根 據(jù)顯示器基板,該顯示器基板的制造方法以及具有本發(fā)明顯示器基板的顯 示裝置,基本防止了置于相鄰像素電極之間的液晶發(fā)生扭曲,并且增大了 液晶的響應速度以及回復力。此外,改善了顯示裝置的視角和孔徑比。
      此外,與有機脊形圖案的側面相鄰的液晶朝向像素區(qū)域取向,從而改 善了液晶的回復力以及顯示裝置的視角。
      此外,有機脊形圖案的側面可以暴露于液晶,從而增大了液晶在有機 脊形圖案上排列的均勻性,從而減少漏光。
      而且,在濾色器上可形成輔助有機脊形圖案,以增大濾色器上液晶的 響應速度。
      此外,可以將檢測部分集成到下底部基板上,從而可改變元件在對置 基板上的位置。
      己經參照示范性實施例描述了本發(fā)明。不過,顯而易見,本領域技術人 員在上述描述的教導下可明顯得出多種可選擇的變型和改變。因而,本發(fā)明 包含落入所附權利要求的精神和范圍之內的所有可選擇的變型和改變。
      權利要求
      1.一種顯示裝置,包括陣列基板,該陣列基板包括具有排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域的底部基板;在相鄰像素區(qū)域之間突出的有機脊形圖案;處于每個像素區(qū)域中的像素電極;以及設置在有機脊形圖案上的屏蔽電極,該屏蔽電極與像素電極電連接;面對該陣列基板的對置基板,所述對置基板包括對置底部基板和在對置底部基板上的公共電極;以及置于陣列基板與對置基板之間的液晶層。
      2. 如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述屏蔽電極圍繞像素電極。
      3. 如權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述屏蔽電極包括 與像素電極分隔開的屏蔽部分,以形成開口;和 將像素電極與屏蔽部分電連接的連接部分。
      4. 如權利要求l所述的顯示裝置,還包括設置在有機脊形圖案下面的、 與屏蔽電極重疊的信號傳輸線。
      5. 如權利要求l所述的顯示裝置,還包括置于相鄰像素區(qū)域之間的檢 測部分,所述檢測部分基于外部提供的壓力產生檢測信號。
      6. 如權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述檢測部分包括 在底部基板上的檢測線;以及在有機脊形圖案上的檢測電極,所述檢測電極與檢測線電連接。
      7. 如權利要求l所述的顯示裝置,還包括在底部基板上與像素電極電 連接的薄膜晶體管,其中,所述薄膜晶體管被有機脊形圖案覆蓋。
      8. 如權利要求l所述的顯示裝置,其中,所述有機脊形圖案的高度小 于液晶層的厚度的一半。
      9. 如權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述對置基板進一步包括在 對置底部基板上的與相鄰的像素區(qū)域之間的區(qū)域相應的對置有機脊形圖案,所述公共電極覆蓋所述對置有機脊形圖案。
      10. 如權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述有機脊形圖案的高度 與對置有機脊形圖案的高度之和小于液晶層的厚度的一半。
      11. 一種顯示裝置,包括 陣列基板,包括具有排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域的底部基板; 在每個像素區(qū)域中的薄膜晶體管;在底部基板上的有機保護層,該有機保護層與薄膜晶體管電連接;以及在有機保護層上與薄膜晶體管電連接的像素電極; 面對陣列基板的對置基板,該對置基板包括 對置底部基板;在對置底部基板上排列成矩陣形狀的多個濾色器; 在相鄰濾色器之間突出的有機脊形圖案;以及 在對置底部基板上覆蓋濾色器和有機脊形圖案的公共電極;以及置于陣列基板與對置基板之間的液晶層。
      12. 如權利要求ll所述的顯示器基板,還包括在濾色器上突出的輔助 有機脊形圖案,該輔助有機脊形圖案沿著與濾色器交叉的方向延伸。
      13. 如權利要求ll所述的顯示器基板,其中,所述有機脊形圖案在底 部基板上沿第一方向延伸。
      14. 如權利要求13所述的顯示器基板,還包括多個有機脊形圖案,所 述多個有機脊形圖案包含在底部基板上沿基本垂直于第一方向的第二方 向排列的多個濾色器。
      15. —種顯示器基板的制造方法,包括步驟在底部基板上形成薄膜晶體管,多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線,該薄膜晶 體管與所述柵極線中的一條和所述數(shù)據(jù)線中的一條電連接;在設置在底部基板上的相鄰像素區(qū)域之間形成有機脊形圖案; 在底部基板上形成覆蓋薄膜晶體管、柵極線和數(shù)據(jù)線以及有機脊形圖 案的透明導電層;以及對透明導電層進行構圖,以在每個像素區(qū)域中形成像素電極,和在有 機脊形圖案上形成與像素電極電連接的屏蔽電極。
      16. 如權利要求15所述的方法,其中對透明導電層進行構圖是通過去 除與像素電極和屏蔽電極相應的區(qū)域之間的透明導電層的部分來執(zhí)行的。
      17. 如權利要求15所述的方法,還包括在底部基板上形成覆蓋薄膜晶 體管和柵極線及數(shù)據(jù)線的鈍化層的步驟。
      18. 如權利要求17所述的方法,還包括對鈍化層進行構圖以形成接觸 孔的步驟,通過所述接觸孔使薄膜晶體管的電極部分暴露出。
      19. 如權利要求17所述的方法,還包括在底部基板上形成覆蓋薄膜晶 體管和柵極線及數(shù)據(jù)線的有機保護層的步驟,并且其中,通過對有機保護層和鈍化層進行構圖以形成接觸孔,通過接觸 孔使薄膜晶體管的電極部分暴露出。
      20. 如權利要求19所述的方法,其中,由與有機保護層基本相同的 層形成有機脊形圖案。
      全文摘要
      一種顯示器基板,包括底部基板,有機脊形圖案,像素電極和屏蔽電極。在底部基板上形成排列成矩陣形狀的多個像素區(qū)域。有機脊形圖案在相鄰像素區(qū)域之間突出。像素電極處于每個像素區(qū)域中。屏蔽電極設置在有機脊形圖案上,與像素電極電連接。
      文檔編號G02F1/1333GK101308303SQ20081010928
      公開日2008年11月19日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權日2007年2月2日
      發(fā)明者盧水貴, 尹榮男, 文智慧, 李明姬 申請人:三星電子株式會社
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