專利名稱：Lcm半成品的抗靜電極限耐壓測試方法
LCM半成品的抗靜電4及限耐壓測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對靜電敏感產(chǎn)品的極限抗靜電能力的測試方法，特別是針對 LCM (液晶顯示才莫組)半成品的極限抗靜電能力的測試方法。背景技術(shù)：
在LCM模組生產(chǎn)過程中，新產(chǎn)品量試導(dǎo)入時，需對IC (半導(dǎo)體元件產(chǎn) 品)、PWB (印刷電路板)、面板等材料組合成半成品做抗靜電極限耐壓測 試，以驗證新產(chǎn)品在后續(xù)大量投產(chǎn)時是否符合要求。另外，如需要對照不同 廠商原材料之間的抗靜電能力是否存在差異性時，也需要對IC、 PWB、面板 等材料組合成半成品做抗靜電極限耐壓測試，以提供對生產(chǎn)制造過程中的靜 電防護等級要求。
目前，原材料供應(yīng)商僅提供單一材料的抗靜電耐壓能力的測試數(shù)據(jù)，例 如，IC、 ASIC(專用集成電路)。但缺少在LCM生產(chǎn)過程中已組合成半成品后 (即IC+PWB+面板)的極限抗靜電能力的測試方法與測試數(shù)據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種對LCM半成品的極限抗靜電 能力的測試方法，填補目前LCM生產(chǎn)業(yè)界的模組半成品的極限耐靜電壓能力 測試方法的空白，提供有效的解決方案。
本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，包括以下步驟 步驟一待測樣品準備
選取待測試的LCM半成品，事先在點燈機臺上確認待測部位沒有靜電類 不良；
步驟二靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定
在靜電模擬放電發(fā)生器上設(shè)置靜電放電模式；選取基準起點放電電壓；選耳又電壓才及性；
步驟三待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上，帶電子元器件面需朝上；將LCM半 成品中的PWB接地孔接地；靜電》文電槍同時接地； 步驟四靜電放電實驗過程 起動靜電槍放電開關(guān)，對測試孔逐個進行測試； 步驟五點燈確認
將接地線取下后，測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現(xiàn)象。 若未出現(xiàn)靜電不良，則需提高放電電壓來驗證，重復(fù)第四步驟，直到出現(xiàn)有 ESD (靜電擊傷)不良現(xiàn)象為止；若出現(xiàn)靜電不良，則需降低放電電壓來驗 證。
作為本發(fā)明的具體方案之一，所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的 PWB;所述步驟二中靜電放電模式設(shè)定為接觸放電模式；所述步驟四中測試 孔是PWB的ASIC (專用集成電路)各引腳。
作為本發(fā)明的具體方案之二，所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的 IC;所述步驟二中靜電放電模式設(shè)定為空氣放電模式；所述步驟四中測試孔 是IC測試孔。
本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明可以提供驗證新產(chǎn)品或已投產(chǎn)的LCM模組半 成品的抗靜電能力；也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。
下面參照附圖結(jié)合實施例對本發(fā)明作一詳細說明。 圖l是本發(fā)明第一個實施例各步驟示意圖。 圖2是本發(fā)明第二個實施例各步驟示意圖。具體實施方式
實施例一
LCM半成品中的PWB的ASIC元件的抗靜電能力測試方法 步驟ll:待測樣品準備
選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數(shù)量為3-5片，并事先在點燈臺機上確認PWB沒有靜電類不良。
步驟12:靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定
采用靜電模擬放電發(fā)生器，并設(shè)定靜電放電模式，對ASIC(專用集成電 路)引腳或測試孔等金屬導(dǎo)體部位需選擇圓錐形的靜電針，作接觸放電；參 考ASIC的耐壓規(guī)格為4-5KV，取3KV為基準起點放電電壓；靜電電壓先選 耳又正才及性電壓》文電。
步驟13:待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上，帶電子元器件面需朝上；將PWB接 地孔接地；靜電放電槍同時也接地。 步驟14:靜電放電實驗過程
將靜電針接觸在每個ASIC引腳上，然后啟動靜電槍放電開關(guān)開始逐個 對ASIC各引腳放電。放電頻率為l次/秒。若需證明ASIC的輸入端引腳和輸 出端引腳抗靜電擊傷能力的差異，則需分別對輸入端或輸出端測試完成后繼 續(xù)步驟15即可。
步驟15:點燈確認
將接地線取下后，測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有ASIC靜電擊 傷現(xiàn)象。
若未出現(xiàn)靜電不良，則仍需采用正電壓逐步提高放電電壓來驗證，重復(fù) 步驟14,直到出現(xiàn)有ESD不良現(xiàn)象為止。若3KV即出現(xiàn)ESD不良，則需更 換更換新的待測模組(含ASIC)樣品并降低放電電壓來驗證。上升或下降電 壓間隔閥值一般選擇0.5-lKV。
負極性電壓耐靜電實驗只要切換為負極性開關(guān)后，重復(fù)上述步驟14-步驟 15即可。
放電電壓從低到高的原則，直到第一個出現(xiàn)ESD不良時的靜電放電最低 電壓值即為該LCM半成品中PWB的極限耐靜電壓能力。
同樣方法測試其余各片的PWB極限耐靜電壓能力。若發(fā)生實驗失敗時， 需立即更換新的待測樣品重復(fù)步驟11-步驟15繼續(xù)實驗。實施例二
LCM半成品中的IC的抗靜電能力測試方法 步驟21:待測樣品準備
選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數(shù)量為3片，并事先在點燈臺機 上確認IC沒有靜電類不良。
步驟22:靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定
采用靜電模擬放電發(fā)生器，并設(shè)定靜電放電模式，對IC等非金屬導(dǎo)體部 位的靜電放電需選擇半圓球形的靜電針，作空氣放電；參考IC的耐壓規(guī)格為 2-3KV,取1KV為基準起點放電電壓；靜電電壓先選取正極性電壓放電。
步驟23:待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上；將PWB接地孔4妄地；靜電放電槍同 時也接地。
步驟24:靜電放電實驗過程
先起動靜電槍放電開關(guān)，并緩慢將靜電針從距離IOCM處移近IC表面， 直到接觸到IC帶晶元側(cè)的測試孔為止。整個過程需計時25秒，即放電25次 后停止。放電頻率為1次/秒。
步驟25:點燈確認
將接地線取下后，測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現(xiàn)象。 若未出現(xiàn)靜電不良，則仍需采用正電壓逐步提高放電電壓來驗證，重復(fù)
步驟24，直到出現(xiàn)有ESD不良現(xiàn)象為止。若1KV即出現(xiàn)ESD不良，則需更
換新的位置的待測IC樣品并降低放電電壓來驗證。上升或下降電壓間隔閥值
一般選擇0.1-1KV。
負極性電壓耐靜電實驗只要切換為負極性開關(guān)后，重復(fù)上述步驟24-步驟
25即可。
放電電壓從低到高的原則，直到第一個出現(xiàn)ESD不良時的靜電放電最低 電壓值即為該LCM半成品中IC的極限耐靜電壓能力。
同樣方法測試其余各片組合品的IC極限耐靜電壓能力。若發(fā)生實驗失敗 時，需立即更換新的待測樣品重復(fù)步驟21-步驟25繼續(xù)實驗。以上兩實施例中實驗室環(huán)境要求為溫度19-25攝氏度，相對濕度為 40-75%。
本發(fā)明可以提供驗證新產(chǎn)品或已投產(chǎn)的LCM模組半成品的抗靜電能力； 也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。
權(quán)利要求
1. LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，其特征在于包括以下步驟步驟一待測樣品準備選取待測試的LCM半成品，事先在點燈機臺上確認待測部位沒有靜電類不良；步驟二靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定在靜電模擬放電發(fā)生器上設(shè)置靜電放電模式；選取基準起點放電電壓；選取電壓極性；步驟三待測樣品接地準備將LCM半成品放置在絕緣平面上，帶電子元器件面需朝上；將LCM半成品中的PWB接地孔接地；靜電放電槍同時接地；步驟四靜電放電實驗過程起動靜電槍放電開關(guān)，對測試孔逐個進行測試；步驟五點燈確認將接地線取下后，測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現(xiàn)象。若未出現(xiàn)靜電不良，則需提高放電電壓來驗證，重復(fù)第四步驟，直到出現(xiàn)有ESD不良現(xiàn)象為止；若出現(xiàn)靜電不良，則需降低放電電壓來驗證。
2、 如權(quán)利要求1所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，其特 征在于所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的PWB;所述步驟二中靜 電放電模式設(shè)定為接觸放電模式；所述步驟四中測試孔是PWB的ASIC各引腳。
3、 如權(quán)利要求2所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，其特 征在于所述步驟一待測樣品準備選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數(shù)量為3-5片，并事先在點燈臺 機上確認PWB沒有靜電類不良；所述步驟二靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定采用靜電模擬放電發(fā)生器，并設(shè)定靜電放電模式，對PWB的ASIC引腳 或測試孔選擇圓錐形的靜電針，作接觸放電；取3KV為基準起點放電電壓； 選取電壓才及性；所述步驟四靜電放電實驗過程將靜電針接觸在PWB的每個ASIC引腳上，然后啟動靜電槍放電開關(guān)開 始逐個對ASIC各引腳放電，放電頻率為l次/秒。
4、 如權(quán)利要求1所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，其特 征在于所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的IC;所述步驟二中靜電 放電模式設(shè)定為空氣放電模式；所述步驟四中測試孔是IC帶晶元側(cè)的測試 孔。
5、 如權(quán)利要求4所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法，其特 征在于所述步驟一待測樣品準備選取待4艮廢的LCM半成品的待實驗樣品數(shù)量為3-5片，并事先在點燈臺 機上確認IC沒有靜電類不良；所述步驟二靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定采用靜電模擬放電發(fā)生器，并設(shè)定靜電放電模式，對IC等非金屬導(dǎo)體部 位的靜電放電選擇半圓球形的靜電針，作空氣放電；取IKV為基準起點放電 電壓；選取電壓極性；所述步驟四靜電放電實驗過程先起動靜電槍放電開關(guān)，并緩慢將靜電針從距離IOCM處移近IC表面， 直到接觸到IC帶晶元側(cè)的測試孔為止，放電頻率為l次/秒。
全文摘要
本發(fā)明涉及對LCM(液晶顯示模組)半成品的極限抗靜電能力的測試方法。包括以下步驟步驟一待測樣品準備；步驟二靜電模擬放電發(fā)生器設(shè)定；步驟三待測樣品接地準備；步驟四起動靜電槍放電開關(guān)，對測試孔逐個進行測試。步驟五點燈確認，將接地線取下后，測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現(xiàn)象。若未出現(xiàn)靜電不良，則需提高放電電壓來驗證，重復(fù)步驟四，直到出現(xiàn)有ESD(靜電擊傷)不良現(xiàn)象為止；若出現(xiàn)靜電不良，則需降低放電電壓來驗證。本發(fā)明可以提供驗證新產(chǎn)品或已投產(chǎn)的LCM半成品的抗靜電能力；也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。
文檔編號G02F1/13GK101285948SQ200810110039
公開日2008年10月15日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者張仁永 申請人:福建華映顯示科技有限公司