專利名稱：：部分環(huán)帶光子篩及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及激光光束波面整形
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是一種用于實(shí)現(xiàn)激光束在遠(yuǎn)場衍射光斑主斑能量提升和尺度壓縮的部分環(huán)帶光子篩及其制作方法。該部分環(huán)帶光子篩可用于光束整形、微電子無掩?？涛g、強(qiáng)激光能量集中和其它需要能量聚焦到中心光斑的各種儀器中。
背景技術(shù)：
：通過各種途徑對于激光衍射斑主斑進(jìn)行能量提升和尺度壓縮，并且抑制旁斑的能量是實(shí)用的課題。在光束整形、微電子無掩模刻蝕、強(qiáng)激光能量集中和其它需要能量聚焦到中心光斑的各種儀器中均需要極小的主斑寬度和極高的主斑能量。位相調(diào)制技術(shù)是通過改變衍射光線傳播截面的位相分布從而實(shí)現(xiàn)預(yù)期衍射光強(qiáng)分布的技術(shù)。用于進(jìn)行調(diào)制的方法有多種，有固定位相分布的位相板，也有用光電晶體制成的可由電壓控制位相分布的調(diào)制片。因?yàn)檠苌湮幌喟骞饽艿睦眯首罡撸宰畛Ｓ?。所謂光子篩，是一種新型聚焦成像衍射光學(xué)器件，利用它可以對X光聚焦和成像，這是一般棱鏡和玻璃材料的成像光學(xué)器件無法實(shí)現(xiàn)的。光子篩與傳統(tǒng)的光學(xué)元件Fresnel波帶片相比，具有高分辨率和抑制二級衍射主極大等優(yōu)點(diǎn)，能提高成像的對比度。而且，作為新型衍射元件，它具有體積小、重量輕、易復(fù)制等優(yōu)點(diǎn)。光子篩可以應(yīng)用于高分辨率顯微鏡、天文望遠(yuǎn)鏡、下一代光刻，激光可控核聚變(ICF)研究等。''在2001年，Kipperetal.首次提出了一種新型的衍射光學(xué)器件光子篩，用它來對軟X射線和EUV輻射光源聚焦和成像[Kipp，L.，Skibowski,M.,Johnson,R.L,Berndt,R.，Adelung,R"Harm,S.,andSeemann,R.SharperimagesbyfocusingsoftX-raywithphotonsieves.Nature[J]，2001.414,184-188.]。2003年GilandMenon報(bào)道在"光束掃描光刻"(ZPAL)系統(tǒng)中用光子篩替代波帶片[Menon，R"Gil，D.Barbastathis,G,andSmith,H.I.Photon-sievelithography[J].Opt.Soc.Am.A，2005.22(2)，342-345.]。此后，由于光子篩本身具有的優(yōu)越的性能，人們對它越來越感興趣，并將它應(yīng)用于各種新的研究領(lǐng)域，如環(huán)繞太陽衛(wèi)星的EUV望遠(yuǎn)鏡，THZ波全息術(shù)等[S.WangandX.Zhang.TerahertztomographicimagingwithaFresnellens[J].Opt.Photon.2002.News13,59]。光子篩(PhotonSieve,PS)是在菲涅耳波帶環(huán)上制作大量適當(dāng)分布的具有不同半徑的透光微孔的衍射光學(xué)元件(DiffractionOpticalElement,DOE)。光子篩在軟X射線、極紫外線的聚焦和成像上有很好的應(yīng)用，可應(yīng)用于高分辨率顯微術(shù)、光譜學(xué)、下一代光刻等領(lǐng)域。用光子篩(PS)代替菲涅耳波帶片F(xiàn)resndzoneplate(FZP)對軟X射線聚焦和成像,可以得到更高的分辨率,降低對光刻技術(shù)制作工藝的要求。但是光子篩聚焦的光斑主板能量可以作進(jìn)一步的提升。位相型菲涅耳波帶片，是具有浮雕表面結(jié)構(gòu)的菲涅耳波帶片。浮雕的厚度在波長量級，圖形應(yīng)盡可能接近設(shè)計(jì)值，可以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的高的衍射效率。[參見二元光學(xué)，金國潘，嚴(yán)瑛白，鄔敏賢，第四章]我們定義中心能量比為衍射場中央主瓣的能量除以全部衍射場的能量。它可以表征中央主瓣能量的集中度。定義第一零點(diǎn)為主瓣與第一旁瓣之間的能量最小值所在的位置。它的位置可以表征中央主板的尺寸大小。
發(fā)明內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種部分環(huán)帶光子篩及其制作方法，以實(shí)現(xiàn)激光束遠(yuǎn)場衍射斑的主斑能量的再提升和主瓣尺寸壓縮。(二)技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案一種部分環(huán)帶光子篩，該部分環(huán)帶光子篩由在透明介質(zhì)上制作而成的衍射孔和刻蝕圓環(huán)構(gòu)成，所述衍射孔是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩時(shí)普通光子篩的衍射孔，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩后，在形成普通光子篩衍射孔以外的菲涅耳波帶片圓環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)。上述方案中，該部分環(huán)帶光子篩的大小與所述普通光子篩的大小相當(dāng)，所述衍射孔的直徑為與其鄰近且遠(yuǎn)離該部分環(huán)帶光子篩中心方向上環(huán)帶的寬度的1.5倍，衍射孔的透光率是1。上述方案中，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上菲涅耳波帶片圓環(huán)的奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)，環(huán)帶的刻蝕位相為兀；奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)決定于普通光子篩衍射孔的位置奇偶；環(huán)帶上被衍射孔占據(jù)的部分并不刻蝕，位相仍為O。上述方案中，所述衍射孔和刻蝕圓環(huán)共同構(gòu)成該部分環(huán)帶光子篩的透光部分，該部分環(huán)帶光子篩的其余部分不透光。上述方案中，同一環(huán)帶的位相值是相同的，都是兀，衍射孔的位相是0。一種制作部分環(huán)帶光子篩的方法，該方法利用大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)和平面光刻工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)，該方法包括利用電子束直寫法制作出母版；通過接觸式光刻法將母版圖案轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上；利用感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)，將移到光學(xué)玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中，形成部分環(huán)帶光子篩。上述方案中，所述通過接觸式光刻法將母版圖案轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上的步驟中，所述接觸曝光的復(fù)制誤差小于0.5pm，所采用的光刻膠為Shipleys1818，厚度為1.8,。上述方案中，所述將移到光學(xué)玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中的步驟中，所采用的刻蝕氣體為三氟甲垸CHF3，流量為30SCCM，RF功率為500W，偏置功率為200W，對石英基底的刻蝕速率為0.077pm/min。(三)有益效果本發(fā)明提供的部分環(huán)帶光子篩，是通過控制改變普通光子篩衍射的圓形孔徑為衍射孔加上刻蝕圓環(huán)，使通過其的準(zhǔn)直平行激光在遠(yuǎn)場形成中心主斑比光子篩衍射的中心主斑能量提高，同時(shí)主瓣大小減少的光場分布，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了激光束遠(yuǎn)場衍射斑的主斑能量的再提升和主瓣尺寸壓縮。本發(fā)明將位相型菲涅耳波帶片的高衍射效率和新興的光子篩結(jié)合起來，實(shí)現(xiàn)了光子篩聚焦衍射的主斑能量再提高的光強(qiáng)分布，即實(shí)現(xiàn)了激光束遠(yuǎn)場衍射斑的主斑能量的再提高，這是傳統(tǒng)的光子篩所無法實(shí)現(xiàn)的，這也是傳統(tǒng)的位相型菲涅耳波帶片所不能實(shí)現(xiàn)的。圖1是普通的50環(huán)光子篩示意圖，衍射單元是圓形衍射孔徑；圖2是本發(fā)明環(huán)帶光子篩實(shí)施例之一的108環(huán)部分環(huán)帶光子篩結(jié)構(gòu)的示意圖，衍射單元是衍射孔和刻蝕的環(huán)帶；圖3是本發(fā)明提供的基于10環(huán)菲涅耳波帶片的部分環(huán)帶光子篩；圖中黑色為刻蝕的位相為7l的衍射環(huán)，白色為衍射孔，灰色為不透光的部分;圖4是108環(huán)部分環(huán)帶光子篩的衍射光強(qiáng)和108環(huán)普通光子篩的衍射光強(qiáng)與徑向距離的對比圖。圖中我們看到中心能量比，普通光子篩是0.9592，第一零點(diǎn)位置在9，部分環(huán)帶光子篩的中心能量比是0.9802，第一零點(diǎn)位置在7。并且在相同的入射光情況下，部分環(huán)帶光子篩的衍射光強(qiáng)峰值約是普通光子篩的8倍，極大地增加了衍射場的光能量；圖5是部分環(huán)帶光子篩的實(shí)驗(yàn)檢測裝置示意圖。具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。部分環(huán)帶光子篩是一種新型的衍射光學(xué)位相元件，又稱為位相板。該部分環(huán)帶光子篩放置于衍射極限透鏡之前或之后，對激光束遠(yuǎn)場衍射光斑各級譜光強(qiáng)度進(jìn)行修正，實(shí)現(xiàn)比普通光子篩的衍射中心光斑能量更集中的衍射中心衍射斑。本發(fā)明的部分環(huán)帶光子篩采用的衍射孔和位相為7l的刻蝕圓環(huán)取代普通光子篩的單圓衍射孔。衍射孔和刻蝕圓環(huán)的位置和數(shù)量大小與普通的光子篩一致。本發(fā)明給出了衍射孔和刻蝕圓環(huán)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了相關(guān)模擬實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了采用部分環(huán)帶光子篩可以實(shí)現(xiàn)激光束遠(yuǎn)場主光斑能量的進(jìn)一步提升。本發(fā)明技術(shù)可用于光束整形、微電子無掩?？涛g、強(qiáng)激光能量集中和其它需要能量聚焦到中心光斑的各種儀器中。本發(fā)明提供的這種部分環(huán)帶光子篩，由在透明介質(zhì)上制作而成的衍射孔和刻蝕圓環(huán)構(gòu)成，所述衍射孔是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩時(shí)普通光子篩的衍射孔，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩后，在形成普通光子篩衍射孔以外的菲涅耳波帶片圓環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)。該部分環(huán)帶光子篩的大小與所述普通光子篩的大小相當(dāng)，所述衍射孔的直徑為與其鄰近且遠(yuǎn)離該部分環(huán)帶光子篩中心方向上環(huán)帶的寬度的1.5倍，衍射孔的透光率是l。所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上菲涅耳波帶片圓環(huán)的奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)，環(huán)帶的刻蝕位相為兀；奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)決定于普通光子篩衍射孔的位置奇偶；環(huán)帶上被衍射孔占據(jù)的部分并不刻蝕，位相仍為0。所述衍射孔和刻蝕圓環(huán)共同構(gòu)成該部分環(huán)帶光子篩的透光部分，該部分環(huán)帶光子篩的其余部分不透光。同一環(huán)帶的位相值是相同的，都是兀，衍射孔的位相是0。圖2是本發(fā)明環(huán)帶光子篩實(shí)施例之一的108環(huán)部分環(huán)帶光子篩結(jié)構(gòu)的示意圖，刻蝕圓環(huán)位相是兀，圖中的黑色，衍射孔位相是0，圖中的白色。其余灰色部分不透光。如果所有位相板上衍射孔和刻蝕圓環(huán)的位相只有兩個(gè)值，0和兀，就叫做二值位相部分環(huán)帶光子篩。二值位相板(binaryphase-onlymask)。所謂環(huán)帶是指位相板的位相分布是同心圓環(huán)，部分環(huán)帶光子篩描述參數(shù)有1)部分環(huán)帶光子篩的中心能量比準(zhǔn)直的相干光通過環(huán)帶光子篩，所產(chǎn)生的衍射場中，主斑和總衍射場的能量比值。比值越高，說明主斑聚2)部分環(huán)帶光子篩的第一零點(diǎn)第一零點(diǎn)是主斑與第一衍射極大之間極小值的位置。值越大，說明主斑底盤越大。值越小，說明主斑底盤越小。由衍射光學(xué)角譜的結(jié)論可知設(shè)在Z=0平面上引入一個(gè)無窮大的包含有光子篩結(jié)構(gòu)的不透明屏，理想的平面波照在光子篩上。光子篩的透過率函數(shù)為-E(x,y,0)^1)2+^—(1)在(1)中，xij，yij表示波帶上微孔圓心坐標(biāo)，i=l，2......n,(n為波帶片環(huán)數(shù))j=l，2，......m(m為相應(yīng)環(huán)上的微孔數(shù))。E(x,y,O)經(jīng)過二維空間離散傅里葉變換得到入射光在衍射屏上的角譜FO(fx,fy,O)。"/,,/"0)=]"]^(x,;;，0)exp[-y2;r(^x+A力J^辦(2)在(2)中，fX,fy是空間頻率，fx=f，fY=|(，P是波矢E與X軸，Y軸之間的夾角)。入射光經(jīng)過光子篩后沿Z方向傳播。在Z^z處，空間頻率的頻譜E.(fx,fy,Z)為￡仏,=￡(厶，/y,0)exp(7.2;r;-"-力(3)V乂在(3)中，fxfY必須滿足條件f〗+f〗""2，此式表明，傳播一段距離的Z的效應(yīng)只是改變了各個(gè)角譜分量的相對相位。但是當(dāng)f〗+f^l"2時(shí)，空間頻率的頻譜E.(fx,fy,z)為￡仏,人,z)=￡(厶,/r,0)exp(-一(4)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>由于一是一個(gè)正實(shí)數(shù)，這些波動分量因傳播距離增大而迅速衰減。將(4)式做傅里葉逆變換，得到光波振幅E(x,y,z)￡(x,乂z)=￡￡,/r,0)exp(/2;r^H——/;2.z)exp[/2;r(/AJ+入力M/Xr(5)以上是普通光子篩的衍射理論。針對部分環(huán)帶光子篩，需要修改的就是每一個(gè)透過率函數(shù)。由完全透光的圓形孔徑變成圓孔加上圓環(huán)位相型衍射單元。本發(fā)明給出了部分環(huán)帶光子篩的設(shè)計(jì)參數(shù)。我們在圖4中給出了中心能量比和第一零點(diǎn)的比較曲線。我們選擇了108環(huán)的普通光子篩和108環(huán)的部分環(huán)帶光子篩。這樣選擇的原因是這兩器件具有相同的最小衍射單元尺寸，即相同的最小外環(huán)半徑和最小圓孔尺寸。這個(gè)尺寸受限于微電子的加工工藝的線寬。兩種位相板衍射比較為表1所示。普通光子篩的中心能量比是0.9592。由圖4可知，部分環(huán)帶光子篩較大幅度的提升了主斑衍射光強(qiáng)峰值，并且使得能量集中度有所提高，主瓣變小。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表1本發(fā)明的部分環(huán)帶光子篩在實(shí)際的應(yīng)用如圖5所示。1是準(zhǔn)直激光器，2是聚焦透鏡，3是本發(fā)明的部分環(huán)帶光子篩，4是CCD光電探測器。從準(zhǔn)直激光1發(fā)出的光經(jīng)過聚焦透鏡2和環(huán)帶光子篩3，在聚焦透鏡2的焦平面上產(chǎn)生主斑衍射圖。這樣的衍射主斑強(qiáng)度分布可以由放在聚焦透鏡2的焦面上的CCD探測器4探測到并證實(shí)之。實(shí)驗(yàn)證明加入所設(shè)計(jì)的部分環(huán)帶光子篩后，確實(shí)實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)場衍射光斑主瓣能量比普通光子篩的主斑能量的進(jìn)一步提升，主瓣變小。這說明本發(fā)明可用于光束整形、微電子無掩?？涛g、強(qiáng)激光能量集中和其它需要能量聚焦到中心光斑的各種儀器中。本發(fā)明還提供的這種制作部分環(huán)帶光子篩的方法，該方法利用大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)和平面光刻工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)，具體包括以下步驟步驟l、利用電子束直寫法制作出母版；步驟2、通過接觸式光刻法將母版圖案轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上；步驟3、利用感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)，將移到光學(xué)玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中，形成部分環(huán)帶光子篩。上述制造部分環(huán)帶光子篩，是利用大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)和平面光刻工藝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的。首先，利用電子束直寫法制作出母版，通過接觸式光刻法，母版圖案轉(zhuǎn)移到了涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上。所采用的光刻膠為Shipleys1818，厚度為1.8pm。接觸曝光的復(fù)制誤差小于0.5pm。部分環(huán)帶光子篩各參數(shù)在前文中己給出。最后，利用感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)，將圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中。所采用的刻蝕氣體為三氟甲烷(CHF3)，流量為30SCCM，RF功率為500W，偏置功率為200W，對石英基底的刻蝕速率為0.077pm/min。對應(yīng)于0.6328|^m波長，光學(xué)玻璃的折射率為1.521，因而7i位相對應(yīng)深度為0.607)im。利用泰勒輪廓儀來測量圓環(huán)型光子篩的深度為0.607pm。按照圖5的光路示意圖，布置好測量光路.激光器工作波長是632.8nm。然后擴(kuò)束、準(zhǔn)直。在實(shí)驗(yàn)中，光子篩焦距是100毫米放置部分環(huán)帶光子篩，然后在聚焦光斑處放置CCD探測器，由此可觀測出衍射光斑的大小。實(shí)測數(shù)據(jù)證明了理論計(jì)算的正確性。下面以一個(gè)108環(huán)的部分環(huán)帶光子篩為例，描述其制作方法1、確定激光波長和光子篩焦距，環(huán)數(shù)；2、根據(jù)工作需要確定要制作的普通光子篩；普通光子篩的圓孔半徑是相應(yīng)菲涅耳圓環(huán)半徑的1.5倍。3、按照本文所述的方法刻蝕其余環(huán)帶的位相環(huán)。4、制作環(huán)帶光子篩。假設(shè)激光波長是6328納米，焦距是100毫米，環(huán)數(shù)是108環(huán)?？偣灿?222個(gè)微孔。假設(shè)微孔在菲涅耳波帶片偶數(shù)環(huán)帶，微孔的半徑從大到小是(單位微米)78.148250,553040.265534.464830.616327.823925.678623.963822.552221.364020.345819.460618.681717.989417.368816駕316.298715.832915.404915.009814.643614.303013.985113.687513.408113.145212.897112.662612.440412.229512.029011,838111.655911.481911.31551U56111.003310.856610.715610.579910.449310.323410.202010.08479.97149.86189.75579.65309.55359.45709.36349.27259.1842刻蝕位相圓環(huán)的位置在奇數(shù)環(huán)的菲涅耳波帶片，分別是(單位微米):0.3558-0.43570.5031-0.56250.6162-0.66560.7115-0.75470.7955-0.83430.8714-0.90700.9412-0.97431.0062-1.03721.0673-1.09651.1250-1.15281.1799-1.20641.2324-1.25781.2827-1.30711.3311-1.35471,3778-1.40061.4230-1.44511.4668-1.48821.5093-1.53021.5507-1.57101.5910-1.61071.6303-1.64961.6686-1.68751.7061-1.72461.7428-1.76091.7788-1.79651.8140-1.83131.8485-1.86561.8825-1.89921.9158-1.93221.9485-1.96471.9807-1.99672.0124-2.02812.0436-2.05912.0744-2.08962.1047-2.11962.1345-2.14932.1640-2.17852.1930-2.20742.2217-2.23592.2500-2.26402.2779-2.29182.3055-2.31922.3328-2.34642.3598-2.37322.3865-2.39972,4128-2.42592.4389-2.45192.4647-2,47752.4903-2.50292.5156-2.52812.5406-2.55302.5654-2.57772.5899-2.6021另外，環(huán)中被圓孔覆蓋的部分并不刻蝕。以上所述的具體實(shí)施實(shí)例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)的說明。所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施實(shí)例而已，并不用于限制本發(fā)明。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換或者改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種部分環(huán)帶光子篩，其特征在于，該部分環(huán)帶光子篩由在透明介質(zhì)上制作而成的衍射孔和刻蝕圓環(huán)構(gòu)成，所述衍射孔是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩時(shí)普通光子篩的衍射孔，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩后，在形成普通光子篩衍射孔以外的菲涅耳波帶片圓環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的部分環(huán)帶光子篩，其特征在于，該部分環(huán)帶光子篩的大小與所述普通光子篩的大小相當(dāng)，所述衍射孔的直徑為與其鄰近且遠(yuǎn)離該部分環(huán)帶光子篩中心方向上環(huán)帶的寬度的1.5倍，衍射孔的透光率是l。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的部分環(huán)帶光子篩，其特征在于，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上菲涅耳波帶片圓環(huán)的奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)，環(huán)帶的刻蝕位相為7t;奇數(shù)環(huán)或偶數(shù)環(huán)決定于普通光子篩衍射孔的位置奇偶；環(huán)帶上被衍射孔占據(jù)的部分并不刻蝕，位相仍為0。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的部分環(huán)帶光子篩，其特征在于，所述衍射孔和刻蝕圓環(huán)共同構(gòu)成該部分環(huán)帶光子篩的透光部分，該部分環(huán)帶光子篩的其余部分不透光。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的部分環(huán)帶光子篩，其特征在于，同一環(huán)帶的位相值是相同的，都是兀，衍射孔的位相是0。6、一種制作部分環(huán)帶光子篩的方法，該方法利用大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)和平面光刻工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)，其特征在于，該方法包括利用電子束直寫法制作出母版；通過接觸式光刻法將母版圖案轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上；利用感應(yīng)耦合等離子刻蝕技術(shù)，將移到光學(xué)玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中，形成部分環(huán)帶光子篩。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作部分環(huán)帶光子篩的方法，其特征在于，所述通過接觸式光刻法將母版圖案轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的光學(xué)玻璃上的步驟中，所述接觸曝光的復(fù)制誤差小于Q.5^m，所采用的光刻膠為Shipleys1818，厚度為1.8jim。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作部分環(huán)帶光子篩的方法，其特征在于，所述將移到光學(xué)玻璃光刻膠上的圖案刻蝕到光學(xué)玻璃中的步驟中，所采用的刻蝕氣體為三氟甲垸CHF3，流量為30SCCM，RF功率為500W，偏置功率為200W，對石英基底的刻蝕速率為0.077pm/min。全文摘要本發(fā)明公開了一種部分環(huán)帶光子篩，該部分環(huán)帶光子篩由在透明介質(zhì)上制作而成的衍射孔和刻蝕圓環(huán)構(gòu)成，所述衍射孔是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩時(shí)普通光子篩的衍射孔，所述刻蝕圓環(huán)是在透明介質(zhì)上制作形成普通光子篩后，在形成普通光子篩衍射孔以外的菲涅耳波帶片圓環(huán)的環(huán)帶上刻蝕形成的圓環(huán)位相環(huán)。利用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了激光束遠(yuǎn)場衍射斑的主斑能量的再提升和主瓣尺寸壓縮。文檔編號G03F7/20GK101614961SQ20081011556公開日2009年12月30日申請日期2008年6月25日優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日發(fā)明者明劉,謝長青,佳賈申請人:中國科學(xué)院微電子研究所