專利名稱：Tft-lcd像素結(jié)構(gòu)和液晶顯示器修復(fù)斷線的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，特別是一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)、 一種 TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法以及一種液晶顯示器修復(fù)斷線的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)具有體積小、功耗低、無輻 射等特點(diǎn)，現(xiàn)已占據(jù)了平面顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。液晶顯示器的主體結(jié)構(gòu)包 括對盒在一起并將液晶夾設(shè)其間的陣列基板和彩膜基板，陣列基板上形成有 提供掃描信號的柵線、提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線以及形成像素點(diǎn)的像素電極。液晶顯示器的制備工藝主要包括制備陣列基板和彩膜基板的陣列工藝、 將陣列基板和彩膜基板對盒并滴注液晶的成盒工藝以及后續(xù)的模組工藝，在 上述制備工藝中，斷線是一種常見的不良，而且相比像素點(diǎn)不良，斷線不良 發(fā)生的比率非常高。當(dāng)斷線不良在成盒工藝之前發(fā)現(xiàn)時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)一般采用 化學(xué)氣相沉積修復(fù)(CVD Repair)方法進(jìn)行搭橋修復(fù)，而對于成盒工藝之后 的斷線不良，現(xiàn)有技術(shù)未給出切實(shí)可行的解決方案。由于發(fā)生斷線的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，如斷線位于數(shù)據(jù)線與柵線的交叉部位(柵 線斷或數(shù)據(jù)線斷)，或斷線位于數(shù)據(jù)線與公共電極線的交叉部位(公共電極 線斷或數(shù)據(jù)線斷)，因此在成盒工藝之前即使采用化學(xué)氣相沉積搭橋修復(fù)， 修復(fù)的難度仍然很大，修復(fù)成功率不高?；谀壳暗南袼亟Y(jié)構(gòu)，在成盒工藝 之后出現(xiàn)斷線不良時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)只能做不合格(NG)處理，廢棄成本較高。現(xiàn)有技術(shù)提出了一種在像素結(jié)構(gòu)的外圍區(qū)域設(shè)置修復(fù)線的技術(shù)方案，但 實(shí)際使用表明，由于少量長距離的修復(fù)線設(shè)置在外圍區(qū)域，不僅只能修復(fù)1~ 2條數(shù)據(jù)線斷線，而且修復(fù)斷線的效果差，修復(fù)成功率低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)、 一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的 制造方法以及一種液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，通過在相鄰的像素區(qū)域之間 設(shè)置交疊條，可將斷線不良修復(fù)為像素點(diǎn)不良，降低了廢棄成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，包括由柵線和 數(shù)據(jù)線限定的數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極，相 鄰的像素區(qū)域之間形成有至少二個(gè)交疊條，所述交疊條的一端與一個(gè)像素區(qū) 域中的像素電極重疊，另一端與另一個(gè)像素區(qū)域中的像素電極重疊，中部與 柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊。所述至少二個(gè)交疊條可以為至少一個(gè)第一交疊條和至少一個(gè)第二交疊 條，所述至少一個(gè)第一交疊條形成在同一像素行中相鄰的像素區(qū)域之間，所 述至少一個(gè)第二交疊條形成在同一像素列中相鄰的像素區(qū)域之間。所述至少二個(gè)交疊條也可以為至少二個(gè)第一交疊條，所述至少二個(gè)第一 交疊條分別形成在同 一像素行中相鄰的像素區(qū)域之間。所述至少二個(gè)交疊條還可以為至少二個(gè)第二交疊條，所述至少二個(gè)第二 交疊條分別形成在同一像素列中相鄰的像素區(qū)域之間。所述第 一交疊條與所述柵線同層，且與所述柵線在同 一次構(gòu)圖工藝中形 成。所述第二交疊條與所述數(shù)據(jù)線同層，且與所述數(shù)據(jù)線在同一次構(gòu)圖工藝 中形成。所述交疊條的寬度大于5nm。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法， 包括步驟1、在基板上形成包括柵線和數(shù)據(jù)線的圖形，同時(shí)在相鄰的像素區(qū) 域之間形成至少二個(gè)交疊條圖形，所述交疊條的一端位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)， 另一端位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，中部與柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊；步驟2、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在漏電極 位置形成鈍化層過孔；步驟3、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝形成 包括像素電極的圖形，使像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，且像素電 極與所述至少二個(gè)交疊條的端部重疊。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明進(jìn)一步提供了 一種液晶顯示器修復(fù)斷線的方法， 包括步驟IOO、確定柵線斷點(diǎn)或數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；步驟110、采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線或數(shù)據(jù)線斷 點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過交疊條和像素電極連接起來，采用激光切割方法，使所 述像素電極所對應(yīng)的TFT失效。本發(fā)明提供了一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過在相鄰像素區(qū) 域之間設(shè)置作為修復(fù)連接層的交疊條，當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)斷線不 良時(shí)，無論是柵線斷線不良還是數(shù)據(jù)線斷線不良，均可以利用本發(fā)明交疊條 進(jìn)行斷線修復(fù)。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，不同于現(xiàn) 有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積搭橋技術(shù)，是一種利用交疊條和像素電極作為導(dǎo)電層、 激光焊接和激光切割相結(jié)合的修復(fù)柵線斷線或數(shù)據(jù)線斷線方案，通過作為導(dǎo) 電層的交疊條建立柵線或數(shù)據(jù)線與像素電極的連接，通過作為導(dǎo)電層的像素 電極建立交疊條之間的連接，將柵線斷線不良修復(fù)為像素點(diǎn)不良，即將亮線 缺陷修復(fù)為亮點(diǎn)或暗點(diǎn)缺陷。本發(fā)明斷線修復(fù)既可以在陣列工程末端進(jìn)行， 也可以在釆用傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積搭橋修復(fù)失敗后進(jìn)行，還可以在成盒工藝之 后進(jìn)行，通過將斷線不良修復(fù)為像素點(diǎn)不良，提升了有缺陷的液晶顯示器的 等級，最大限度地降低了液晶顯示器制備工藝中因斷線不良造成的廢棄成本。 與現(xiàn)有技術(shù)化學(xué)氣相沉積搭橋修復(fù)中進(jìn)行激光熔接和鍍膜的工藝相比，本發(fā) 明斷線修復(fù)只進(jìn)行激光熔接，因此斷線修復(fù)方式簡單，修復(fù)成功率高，還適 用于復(fù)雜斷線情況的^^復(fù)，具有廣泛的應(yīng)用前景。下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1中A-A向剖;魄圖； 圖3為圖1中B-B向剖視圖；圖4為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第一實(shí)施例的流程圖； 圖7為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第二實(shí)施例的流程圖； 圖8為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第三實(shí)施例的流程圖； 圖9為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法的流程圖； 圖IO為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第一實(shí)施例的流程圖； 圖11為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第一實(shí)施例的示意圖； 圖12為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例的流程圖； 圖U為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例的示意圖； 圖14為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第三實(shí)施例的流程圖； 圖15為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第三實(shí)施例的示意圖； 圖16為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第四實(shí)施例的流程圖； 圖17為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第四實(shí)施例的示意圖。 附圖標(biāo)記說明1—柵線； 2—數(shù)據(jù)線； 3—像素電極；4—第一交疊條； 5—第二交疊條； 6—數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)；7—柵線斷點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
圖1為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1 中A-A向剖^L圖，圖3為圖1中B-B向剖^L圖。如圖1、圖2和圖3所示，本實(shí)施例TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)包括柵線1、數(shù)據(jù)線2、像素電極3和薄膜晶體管 (TFT),相互交叉的柵線1和數(shù)據(jù)線2限定了數(shù)個(gè)像素區(qū)域，并在交叉處形成 TFT，像素電極3形成在像素區(qū)域內(nèi)，并與柵線l形成存儲(chǔ)電容，為一種存儲(chǔ) 電容在柵線上(Cst On Gate)的像素結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例TFT結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相柵電極與柵線l連接，源電極與數(shù)據(jù)線2連接，漏電極通過鈍化層過孔與像 素電極3連接。本實(shí)施例中，同一像素行中二個(gè)相鄰的像素電極3之間形成 有至少一個(gè)第一交疊條4,同一像素列中二個(gè)相鄰的像素電極3之間形成有 至少一個(gè)第二交疊條5，第一交疊條4的一端與數(shù)據(jù)線2左側(cè)的像素電極3 重疊，另一端與數(shù)據(jù)線2右側(cè)的像素電極3重疊，中部與數(shù)據(jù)線2重疊；第 二交疊條5的一端與柵線1上側(cè)的像素電極3重疊，另一端與柵線1下側(cè)的 像素電極3重疊，中部與柵線l重疊。本實(shí)施例上述4支術(shù)方案中， 一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的第一交疊條4可以是一個(gè)、 二個(gè)或多個(gè)，第一交疊條4與柵線1同層，且二者在同一次構(gòu)圖工藝中形成。 優(yōu)選地，第一交疊條4為與柵線1平行的水平交疊條，寬度大于5nm，形成 設(shè)置在左右二個(gè)相鄰像素區(qū)域之間且i^i殳數(shù)據(jù)線3的橋狀結(jié)構(gòu)。具體地，第 一交疊條4形成在基板上，柵絕緣層11形成在第一交疊條4上并覆蓋整個(gè)基 板，數(shù)據(jù)線2形成在柵絕緣層11上，鈍化層12形成在數(shù)據(jù)線2上并覆蓋整 個(gè)基板，二個(gè)像素電極3形成在鈍化層12上并位于數(shù)據(jù)線2的兩側(cè)，如圖2 所示。此外， 一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的第二交疊條5可以是一個(gè)、二個(gè)或多個(gè)，第 二交疊條5與數(shù)據(jù)線2同層，且二者在同一次構(gòu)圖工藝中形成。優(yōu)選地，第 二交疊條5為與數(shù)據(jù)線2平行的垂直交疊條，寬度大于5ium，形成設(shè)置在上 下二個(gè)相鄰像素區(qū)域之間且跨設(shè)柵線1的橋狀結(jié)構(gòu)。具體地，柵線1形成在 基板上，4冊絕緣層11形成在柵線1上并覆蓋整個(gè)基板，第二交疊條5形成在 柵絕緣層11上并位于柵線1上方，鈍化層12形成在第二交疊條5上并覆蓋 整個(gè)基板，二個(gè)像素電極3形成在鈍化層12上，其中一個(gè)位于柵線1的一側(cè)，另一個(gè)位于柵線1的另一側(cè)且與柵線1部分重疊，如圖3所示。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線不良時(shí)，首先確定數(shù)據(jù)線的數(shù) 據(jù)線斷點(diǎn)，然后通過激光焊接工藝將數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)上側(cè)的第一交疊條與數(shù)據(jù)線 左側(cè)(或右側(cè))的像素電極熔接，將數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)下側(cè)的第一交疊條與數(shù)據(jù)線 左側(cè)(或右側(cè))的像素電極熔接，將數(shù)據(jù)線左側(cè)(或右側(cè))的二個(gè)像素電極 通過設(shè)置其間的第二交疊條熔接，使數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過上側(cè)的第 一交疊條、像素電極、第二交疊條、像素電極和下側(cè)的第一交疊條重新連接 起來。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)柵線斷線不良時(shí)，首先確定柵線的柵線 斷點(diǎn)，然后通過激光焊接工藝將柵線斷點(diǎn)左側(cè)的第二交疊條與柵線下側(cè)(或 上側(cè))的像素電極熔接，將斷線點(diǎn)右側(cè)的第二交疊條與柵線下側(cè)(或上側(cè)) 的像素電極熔接，將柵線下側(cè)(或上側(cè))的二個(gè)像素電極通過設(shè)置其間的第 一交疊條熔接，使柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線通過左側(cè)的第二交疊條、像素電極、 第一交疊條上、像素電極和右側(cè)的第二交疊條重新連接起來。雖然本實(shí)施例4又針對存儲(chǔ)電容在柵線上(Cst On Gate)的像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行 了說明，但實(shí)際使用中，本實(shí)施例上述技術(shù)方案對于存儲(chǔ)電容在公共電極線 上(Cst On Common)的像素結(jié)構(gòu)也同樣適用。圖4為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示， 本實(shí)施例TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，不同之處在于， 本實(shí)施例同一像素行中二個(gè)相鄰的像素電極3之間形成有至少二個(gè)第一交疊 條4， 一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第一交疊條4的一端與數(shù)據(jù)線2左側(cè)的像素電 極3重疊，另一端與泰:據(jù)線2右側(cè)的像素電極3重疊，中部與數(shù)據(jù)線2重疊。 本實(shí)施例技術(shù)方案中，每個(gè)第一交疊條4與柵線1同層，且二者在同一次構(gòu) 圖工藝中形成。優(yōu)選地，第一交疊條4為與柵線1平行的水平交疊條，寬度 大于5 nm，形成設(shè)置在左右二個(gè)相鄰像素區(qū)域之間且^i殳數(shù)據(jù)線3的橋狀結(jié) 構(gòu)，且至少二個(gè)第一交疊條4沿?cái)?shù)據(jù)線3的延伸方向排列。每個(gè)第一交疊條 4的結(jié)構(gòu)形式與第一實(shí)施例相同，不再贅述?，F(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線不良時(shí)，首先確定數(shù)據(jù)線的數(shù) 據(jù)線斷點(diǎn)，然后通過激光焊接工藝將數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)上側(cè)的一個(gè)第一交疊條與數(shù) 據(jù)線左側(cè)(或右側(cè))的像素電極熔接，將數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)下側(cè)的另一個(gè)第一交疊 條與數(shù)據(jù)線左側(cè)(或右側(cè))的像素電極熔接，使數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通 過上側(cè)的第一交疊條、像素電極和下側(cè)的第一交疊條重新連接起來。此外，第二實(shí)施例可以通過與第一實(shí)施例組合形成新的技術(shù)方案。例如， 同 一像素^f亍中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成有二個(gè)第 一交疊條，同 一像素列 中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成有一個(gè)第二交疊條。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線不良時(shí)，首先確定數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位置，當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位于同 一個(gè)像素電極的二個(gè)第一交疊條之間時(shí)，采用前述第二實(shí)施例的修復(fù)方式，通過二個(gè)第一交疊條和一個(gè)像素電極使數(shù)據(jù)線重新連接起來；當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn) 位于相鄰像素電極的二個(gè)第一交疊條之間時(shí)，采用前述第一實(shí)施例的修復(fù)方 式，通過一個(gè)像素電極的第一交疊條、二個(gè)像素電極之間的第二交疊條、另 一個(gè)像素電極的第 一交疊條使數(shù)據(jù)線重新連接起來。圖5為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示， 本實(shí)施例TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，不同之處在于， 本實(shí)施例中同一像素列中二個(gè)相鄰的像素電極3之間形成有至少二個(gè)第二交 疊條5， 一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)第二交疊條5的一端與柵線1上側(cè)的像素電 極3重疊，另一端與柵線1下側(cè)的像素電極3重疊，中部與柵線l重疊。本 實(shí)施例技術(shù)方案中，每個(gè)第二交疊條5與數(shù)據(jù)線2同層，且二者在同一次構(gòu) 圖工藝中形成。優(yōu)選地，第二交疊條5為與數(shù)據(jù)線2平行的垂直交疊條，寬 度大于5 ju m，形成設(shè)置在上下二個(gè)相鄰像素區(qū)域之間且跨設(shè)柵線1的橋狀結(jié) 構(gòu)，且至少二個(gè)第二交疊條5沿柵線1的延伸方向排列。每個(gè)第二交疊條5 的結(jié)構(gòu)形式與第一實(shí)施例相同，不再贅述。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)柵線斷線不良時(shí)，首先確定柵線的柵線斷 點(diǎn)，然后通過激光焊接工藝將柵線斷點(diǎn)左側(cè)的第二交疊條與柵線下側(cè)(或上側(cè))的像素電極熔接，將斷線點(diǎn)右側(cè)的第二交疊條與柵線下側(cè)(或上側(cè))的 像素電極熔接，佳j冊線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線通過左側(cè)的第二交疊條、像素電極和 右側(cè)的第二交疊條重新連接起來。此外，第三實(shí)施例可以通過與第一實(shí)施例組合形成新的技術(shù)方案。例如， 同一像素列中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成有二個(gè)第二交疊條，同一像素行 中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成有一個(gè)第一交疊條。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)柵線斷線不良時(shí)，首先確定柵線斷點(diǎn)位置，當(dāng)柵線斷點(diǎn)位于同一個(gè)像 素電極的二個(gè)第二交疊條之間時(shí)，采用前述第三實(shí)施例的修復(fù)方式，通過二個(gè)第二交疊條和一個(gè)像素電極使柵線重新連接起來；當(dāng)柵線斷點(diǎn)位于相鄰像 素電極的二個(gè)第二交疊條之間時(shí)，采用前述第一實(shí)施例的修復(fù)方式，通過一 個(gè)像素電極的第二交疊條、二個(gè)像素電極之間的第一交疊條、另一個(gè)像素電 極的第二交疊條使柵線重新連接起來。需要說明的是，上述實(shí)施例中由于修復(fù)柵線斷線或數(shù)據(jù)線斷線時(shí)利用了 像素電極作為導(dǎo)電層，因此修復(fù)工藝中還包括使該像素區(qū)域的TFT失效等過 程。本發(fā)明由于設(shè)置有交疊條，雖在一定程度上降低了開口率，但是在大尺 寸液晶顯示器中，由于開口率降低程度有限，對顯示質(zhì)量的影響較小，因此 本發(fā)明特別適用于大尺寸對開口率要求不高的液晶顯示器。例如，對于尺寸 為150|xmx 300pni的像素電極，以一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置4個(gè)交疊條、每個(gè)交疊 條與像素電極的重疊面積約為5^un x 5^im計(jì)算，有效的像素電極面積為150拜 x 30(Vm-4 x 5jjfli x 5^11=449OOpjn2，像素電極面積僅減小0. 22%。本發(fā)明上述實(shí)施例提供了一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，通過在相鄰像素區(qū)域 之間設(shè)置用于修復(fù)連接的交疊條，當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)斷線不良時(shí)， 無論是柵線斷線不良還是數(shù)據(jù)線斷線不良，均可以利用本發(fā)明交疊條進(jìn)行斷 線修復(fù)。斷線修復(fù)既可以在陣列工程末端進(jìn)行，也可以在采用傳統(tǒng)化學(xué)氣相 沉積搭橋修復(fù)失敗后進(jìn)行，還可以在成盒工藝之后進(jìn)行，通過將斷線不良修 復(fù)為像素點(diǎn)不良，本發(fā)明最大限度地降低了液晶顯示器制備工藝中因斷線不良造成的廢棄成本。本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括步驟1、在基板上形成包括柵線和數(shù)據(jù)線的圖形，同時(shí)在相鄰的像素區(qū) 域之間形成至少二個(gè)交疊條圖形，所述交疊條的一端位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)， 另一端位于另一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，中部與柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊；步驟2、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在漏電極 位置形成鈍化層過孔；步驟3、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝形成 包括像素電極的圖形，使像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，且像素電 極與所述至少二個(gè)交疊條的端部重疊。下面通過具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明技術(shù)方案。在以下說明中，本發(fā) 明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和剝離等工藝。圖6為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第一實(shí)施例的流程圖，具體 包括步驟ll、在基板上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成柵線和柵電極圖形，同時(shí)在同一像素行中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域 之間形成至少一個(gè)第一交疊條圖形，所述第一交疊條的一端與左側(cè)的像素電 極重疊，另一端與右側(cè)的像素電極重疊，中部與數(shù)據(jù)線重疊；步驟12、在完成步驟11的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜 半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上 形成有源層圖形；步驟13、在完成步驟l2的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形，同 時(shí)在同 一像素列中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間形成至少一個(gè)第二交疊條圖形， 所述第二交疊條的一端與上側(cè)的像素電極重疊，另一端與下側(cè)的像素電極重 疊，中部與^f冊線重疊；步驟14、在完成步驟13的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝對鈍化層 進(jìn)行構(gòu)圖，在漏電極位置形成鈍化層過孔；步驟15、在完成步驟14的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝對透 明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極，且像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。圖7為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第二實(shí)施例的流程圖，具體 包括步驟21、在基板上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成4冊線和柵電極圖形，同時(shí)在同一像素行中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域 之間形成至少二個(gè)第一交疊條圖形，所述第一交疊條的一端與左側(cè)的像素電 極重疊，另一端與右側(cè)的像素電極重疊，中部與數(shù)據(jù)線重疊；步驟22、在完成步驟21的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜 半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上 形成有源層圖形；步驟23、在完成步驟22的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)^f亍構(gòu)圖，形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形；步驟24、在完成步驟23的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝對鈍化層 進(jìn)行構(gòu)圖，在漏電極位置形成鈍化層過孔；步驟25、在完成步驟24的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝對透 明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極，且像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。圖8為本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法第三實(shí)施例的流程圖，具體 包括步驟31、在基板上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成柵線和柵電極圖形；步驟32、在完成步驟31的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜 半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上 形成有源層圖形；步驟33、在完成步驟32的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形，同 時(shí)在同一像素列中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間形成至少二個(gè)第二交疊條圖形， 所述第二交疊條的一端與上側(cè)的像素電極重疊，另一端與下側(cè)的像素電極重 疊，中部與柵線重疊；步驟34、在完成步驟33的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝對鈍化層 進(jìn)行構(gòu)圖，在漏電極位置形成鈍化層過孔；步驟35、在完成步驟34的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝對透 明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖形成像素電極，且像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。本發(fā)明上述實(shí)施例僅僅是通過五次構(gòu)圖工藝對本發(fā)明技術(shù)方案的一種說 明，由于本實(shí)施例第一交疊條圖形與柵線圖形同時(shí)形成，第二交疊條圖形與 數(shù)據(jù)線圖形同時(shí)形成，因此在實(shí)際使用中，本發(fā)明技術(shù)方案對于四次甚至三 次構(gòu)圖工藝也完全適用。圖9為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法的流程圖，具體包括步驟IOO、確定^f冊線斷點(diǎn)或數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；步驟110、采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線或數(shù)據(jù)線斷 點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過交疊條和像素電極連接起來，采用激光切割方法，將所 迷像素電極對應(yīng)的TFT失效。本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法所對應(yīng)的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)包括柵 線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管(TFT)，相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線限定 了數(shù)個(gè)像素區(qū)域，并在交叉處形成TFT，像素電極形成在像素區(qū)域內(nèi)，像素 結(jié)構(gòu)可以是存儲(chǔ)電容在柵線上(Cst On Gate)的結(jié)構(gòu)，也可以是存儲(chǔ)電容在 公共電^ L線上(Cst On Common)的結(jié)構(gòu)。其中TFT結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，至 少包括形成在基板上的柵電極以及位于柵電極上方的源電極和漏電極，柵電 極與柵線連接，源電極與數(shù)據(jù)線連接，漏電極通過鈍化層過孔與像素電極連 接。此外，TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的每個(gè)像素區(qū)域中還設(shè)置有交疊條，交疊條可以是跨設(shè)在數(shù)據(jù)線上的至少一個(gè)第一交疊條和ifti殳在柵線上的至少一個(gè)第二 交疊條，也可以是跨設(shè)在數(shù)據(jù)線上的至少二個(gè)第一交疊條，還可以是跨設(shè)在 柵線上的至少二個(gè)第二交疊條，每個(gè)第一交疊條或第二交疊條的一端與其一 側(cè)的像素電極重疊，另一端與其另一側(cè)的像素電極重疊。本發(fā)明所述激光焊 接方法是利用激光產(chǎn)生的高溫，將上下兩層金屬薄膜熔化的同時(shí)，在上下兩 層金屬薄膜之間的絕緣層形成過孔，使兩層熔化的金屬薄膜通過該過孔連接。 下面通過修復(fù)斷線的具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
圖10為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第一實(shí)施例的流程圖，具體包括: 步驟lll、確定數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；
步驟112、根據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素列中二個(gè)相鄰的 像素區(qū)域第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述二個(gè)像素區(qū)域均位于所述數(shù) 據(jù)線的同一側(cè)；
步驟113、采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極 與第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線熔 接，建立數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線與第 一像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟114、采用激光焊接方法，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極 與第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線 熔接，建立數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線與第二像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟115、采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極 與第二交疊條熔接，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與同 一第二交疊 條熔接，建立二個(gè)像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟116、采用激光切割方法使所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的 TFT失效。
圖11為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第一實(shí)施例的.&意圖。如圖 11所示，本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)與本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例相同。 當(dāng)成盒工藝前或成盒工藝后的檢測工藝發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線不良時(shí)，數(shù)據(jù)線斷線不良使數(shù)據(jù)線出現(xiàn)亮線。首先進(jìn)行數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6的位置定位，之后根據(jù)數(shù)據(jù) 線斷點(diǎn)6位置的在同一像素列中選擇二個(gè)相鄰的像素區(qū)域上像素區(qū)域(作 為第一像素區(qū)域)和下像素區(qū)域(作為第二像素區(qū)域)，該二個(gè)像素區(qū)域均 位于數(shù)據(jù)線的同一側(cè)，如左側(cè)。采用激光焊接方法，將位于上像素區(qū)域內(nèi)的 第一交疊條41與數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6上側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接，形成熔接點(diǎn)a，將第一交 疊條41與位于上像素區(qū)域內(nèi)的像素電極31熔接，形成熔接點(diǎn)b,使數(shù)據(jù)線 斷點(diǎn)6上側(cè)的數(shù)據(jù)線通過熔接點(diǎn)a、第一交疊條41和熔接點(diǎn)b與像素電極31 連接起來。采用激光焊接方法，將位于下像素區(qū)域內(nèi)的第一交疊條42與數(shù)據(jù) 線斷點(diǎn)6下側(cè)的凄t據(jù)線熔接，形成熔接點(diǎn)c,將第一交疊條42與位于下像素 區(qū)域內(nèi)的像素電極32熔接，形成熔接點(diǎn)d，使數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6下側(cè)的數(shù)據(jù)線通 過熔接點(diǎn)c、第一交疊條42和熔接點(diǎn)d與像素電極32連接起來。采用激光 焊接方法，將位于上像素區(qū)域內(nèi)的像素電極31與第二交疊條5的一端熔接， 形成熔接點(diǎn)e，將位于下像素區(qū)域內(nèi)的像素電極32與第二交疊條5的另一端 熔接，形成炫接點(diǎn)f，使像素電極31和像素電極32通過熔接點(diǎn)e、第二交疊 條5和熔接點(diǎn)f連接起來。這樣，數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過熔接點(diǎn)a、 第一交疊條41、炫接點(diǎn)b、像素電極31、熔接點(diǎn)e、第二交疊條5、熔接點(diǎn)f、 像素電極32、熔接點(diǎn)d、第一交疊條42和熔接點(diǎn)c重新連接起來，實(shí)現(xiàn)了數(shù) 據(jù)線斷線的修復(fù)。最后采用激光切割方法使上像素區(qū)域和下像素區(qū)域內(nèi)的TFT 失效，將亮線不良^"復(fù)成像素點(diǎn)不良。顯然，本實(shí)施例中步驟113-步驟116 只是一種實(shí)施說明，實(shí)際使用中以任何次序執(zhí)行均可。
圖12為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例的流程圖，具體包括:
步驟121、確定柵線斷點(diǎn)的位置；
步驟122、根據(jù)所述柵線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素行中二個(gè)相鄰的像 素區(qū)域第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述二個(gè)像素區(qū)域均位于所述^f線 的同一側(cè)；
步驟123、采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線熔接，
建立柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線與第 一像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟124、采用激光焊接方法，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極
與第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的柵線熔接，
建立柵線斷點(diǎn)另 一側(cè)的柵線與第二像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟125、釆用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極
與第一交疊條熔接，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與同一第一交疊
條熔接，建立二個(gè)像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；
步驟126、采用激光切割方法使所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的
TFT失效。
圖13為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例的示意圖。如圖 13所示，本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)，與本發(fā)明TFT-LCD^象素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例相 同。當(dāng)成盒工藝前或成盒工藝后的檢測工藝發(fā)現(xiàn)柵線斷線不良時(shí)，柵線斷線 不良使柵線出現(xiàn)亮線。首先進(jìn)行柵線斷點(diǎn)7的位置定位，之后根據(jù)柵線位置 的在同一像素行中選擇二個(gè)相鄰的像素區(qū)域左像素區(qū)域(作為第一像素區(qū) 域)和右像素區(qū)域(作為第二像素區(qū)域)，該二個(gè)像素區(qū)域均位于柵線的同一 側(cè)，如下側(cè)。采用激光焊接方法，將位于左像素區(qū)域內(nèi)的第二交疊條51與柵 線斷點(diǎn)7左側(cè)的柵線熔接，形成熔接點(diǎn)a，將第二交疊條51與位于左像素區(qū) 域內(nèi)的像素電極31熔接，形成熔接點(diǎn)b，使柵線斷點(diǎn)7左側(cè)的柵線通過熔接 點(diǎn)a、第二交疊條51和熔接點(diǎn)b與像素電極31連接起來。采用激光焊接方 法，將位于右像素區(qū)域內(nèi)的第二交疊條52與柵線斷點(diǎn)7右側(cè)的柵線熔接，形 成熔接點(diǎn)c，將第二交疊條52與位于右像素區(qū)域內(nèi)的像素電極32熔接，形 成熔接點(diǎn)d，使柵線斷點(diǎn)7右側(cè)的柵線通過熔接點(diǎn)c、第二交疊條52和熔接 點(diǎn)d與像素電極32連接起來。采用激光焊接方法，將位于左像素區(qū)域內(nèi)的像 素電極31與第一交疊條4的一端熔接，形成熔接點(diǎn)e,將位于右像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極32與第一交疊條4的另一端熔接， 成熔接點(diǎn)f，使像素電極31和像素電極32通過熔接點(diǎn)e、第一交疊條4和熔接點(diǎn)f連接起來。這樣，柵 線斷點(diǎn)7兩側(cè)的柵線通過熔接點(diǎn)a、第二交疊條51、熔接點(diǎn)b、像素電極31、 熔接點(diǎn)e、第一交疊條4、熔接點(diǎn)f、像素電極32、熔接點(diǎn)d、第二交疊條52 和熔接點(diǎn)c重新連接起來，實(shí)現(xiàn)了柵線斷線的修復(fù)。最后采用激光切割方法 使左像素區(qū)域和右像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效，將亮線不良修復(fù)成像素點(diǎn)不良。 顯然，本實(shí)施例中步驟123~步驟126只是一種實(shí)施說明，實(shí)際使用中以任 何次序扭j于均可。
圖14為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第三實(shí)施例的流程圖，具體包括 步驟131、確定數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；
步驟132、根據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)所在的斷點(diǎn)像 素區(qū)域；
步驟133、采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線與位于 該側(cè)的第一交疊條炫接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的 像素電極熔接；采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線與位 于該側(cè)的第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極熔接；建立起數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與同一像素電極的連接； 步驟134、采用激光切割方法使所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。 圖15為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第三實(shí)施例的示意圖。如圖 15所示，本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)與本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例相同。 首先進(jìn)行數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6的位置定位，之后根據(jù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6位置確定斷點(diǎn)像 素區(qū)域，該斷點(diǎn)像素區(qū)域位于數(shù)據(jù)線的一側(cè)，如左側(cè)。采用激光焊接方法， 將位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的第一交疊條41與數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6上側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接， 形成熔接點(diǎn)a，將第一交疊條41與位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極3熔接， 形成熔接點(diǎn)b,使數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6上側(cè)的數(shù)據(jù)線通過熔接點(diǎn)a、第一交疊條41 和熔接點(diǎn)b與像素電極3連接起來。采用激光焊接方法，將位于斷點(diǎn)像素區(qū) 域內(nèi)的第一交疊條42與數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6下側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接，形成熔接點(diǎn)c，將第一交疊條42與位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極3熔接，形成熔接點(diǎn)d，使 數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6下側(cè)的數(shù)據(jù)線通過熔接點(diǎn)c、第一交疊條42和熔接點(diǎn)d與像素 電極32連接起來。這樣，數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)6兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過熔接點(diǎn)a、第一交 疊條41、熔接點(diǎn)b、像素電極3、熔接點(diǎn)d、第一交疊條42和熔接點(diǎn)c重新 連接起來，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)。最后采用激光切割方法使斷點(diǎn)像素區(qū) 域的TFT失效，將亮線不良修復(fù)成像素點(diǎn)不良。顯然，本實(shí)施例中步驟133、 步驟134只是一種實(shí)施說明，實(shí)際使用中以任何次序執(zhí)行均可。
圖16為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第四實(shí)施例的流程圖，具體包括:
步驟141、確定4冊線斷點(diǎn)的位置；
步驟142、根據(jù)所述柵線斷點(diǎn)的位置，選擇柵線斷點(diǎn)所在的斷點(diǎn)像素區(qū)域;
步驟143、采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線與位于該側(cè) 的第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素 電極熔接；采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的柵線與位于該側(cè)的 第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電 極熔接；建立起柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線與同一像素電極的連接；
步驟144、采用激光切割方法使所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。
圖17為本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第四實(shí)施例的示意圖。如圖 17所示，本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)與本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例相同。
首先進(jìn)行柵線斷點(diǎn)7的位置定位，之后根據(jù)柵線斷點(diǎn)7位置確定斷點(diǎn)像 素區(qū)域，該斷點(diǎn)像素區(qū)域位于柵線的一側(cè)，如下側(cè)。采用激光焊接方法，將 位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的第二交疊條51與柵線斷點(diǎn)7左側(cè)的柵線熔接，形成熔 接點(diǎn)a，將第二交疊條51與位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極3熔接，形成熔 接點(diǎn)b,使柵線斷點(diǎn)7左側(cè)的柵線通過熔接點(diǎn)a、第二交疊條51和熔接點(diǎn)b 與像素電極3連接起來。采用激光焊接方法，將位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的第二 交疊條52與柵線斷點(diǎn)7右側(cè)的柵線熔接，形成熔接點(diǎn)c,將第二交疊條52 與位于斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極3熔接，形成熔接點(diǎn)d,使柵線斷點(diǎn)7右側(cè)的柵線通過熔接點(diǎn)c、第二交疊條52和熔接點(diǎn)d與像素電極32連接起來。 這樣，柵線斷點(diǎn)7兩側(cè)的柵線通過熔接點(diǎn)a、第二交疊條51、熔接點(diǎn)b、像 素電極3、熔接點(diǎn)d、第二交疊條52和熔接點(diǎn)c重新連接起來，實(shí)現(xiàn)了柵線 斷線的修復(fù)。最后采用激光切割方法使斷點(diǎn)像素區(qū)域的TFT失效，將亮線不 良修復(fù)成《象素點(diǎn)不良。顯然，本實(shí)施例中步驟143、步驟144只是一種實(shí)施 說明，實(shí)際使用中以任何次序執(zhí)行均可。
本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第五實(shí)施例的流程具體包括
步驟151、確定數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；
步驟152、判斷數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置是否位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第一 交疊條之間，是則執(zhí)行步驟153，否則執(zhí)行步驟154;
步驟153、根據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)所在的斷點(diǎn)像 素區(qū)域；采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線與位于該側(cè)的 第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電 極溶接；采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線與位于該側(cè) 的第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素 電極熔接；建立起數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與同一像素電極的連接；采用激 光切割方法使所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效，結(jié)束斷線修復(fù)；
步驟154、根據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素列中二個(gè)相鄰的 像素區(qū)域第一〗象素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所迷二個(gè)像素區(qū)域均位于所述數(shù) 據(jù)線的同一側(cè)；采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極 與第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線熔 接，建立數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線與第一像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；采用 激光焊接方法，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第一交疊條熔接， 且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接，建立數(shù)據(jù)線斷 點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線與第二像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；采用激光焊接方法， 將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第二交疊條熔接，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與同 一第二交疊條熔接，建立二個(gè)像素區(qū)域內(nèi)像素電
極的連接；采用激光切割方法使所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的TFT 失效，結(jié)束斷線修復(fù)。
本實(shí)施例是本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第一實(shí)施例和第三實(shí)施例 組合形成的技術(shù)方案，其像素結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是同一像素行中二個(gè)相鄰的像素電 極之間形成有二個(gè)第一交疊條，同一像素列中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成 有一個(gè)第二交疊條。當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線不良時(shí)，首先 確定數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位置，然后對數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位置進(jìn)行判斷，當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位于 同一個(gè)像素電極的二個(gè)第一交疊條之間時(shí)，采用前述本發(fā)明液晶顯示器修復(fù) 斷線的方法第三實(shí)施例的^f奮復(fù)方式處理，通過斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以 及該區(qū)域的二個(gè)第一交疊條使數(shù)據(jù)線重新連接起來；當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)位于同一 個(gè)像素電才及的二個(gè)第一交疊條之外時(shí)，采用前述本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線 的方法第一實(shí)施例的修復(fù)方式處理，通過第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以及該 區(qū)域的第一交疊條、第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域之間的第二交疊條、第二 像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以及該區(qū)域的第一交疊條使數(shù)據(jù)線重新連接起來。
本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第六實(shí)施例的流程具體包括
步驟161、確定柵線斷點(diǎn)的位置；
步驟162、判斷柵線斷點(diǎn)的位置是否位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第二交 疊條之間，是則執(zhí)行步驟163,否則執(zhí)行步驟164;
步驟163、根據(jù)所述柵線斷點(diǎn)的位置，選擇柵線斷點(diǎn)所在的斷點(diǎn)像素區(qū) 域；采用、激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線與位于該側(cè)的第二交疊 條熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極熔接； 采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的^^線與位于該側(cè)的第二交疊條 熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極熔接；建 立起柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線與同 一像素電極的連接；采用激光切割方法使所述 斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效，結(jié)束斷線修復(fù)；步驟164、根據(jù)所述^"線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素行中二個(gè)相鄰的像 素區(qū)域第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述二個(gè)像素區(qū)域均位于所述柵線 的同一側(cè)；釆用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第 二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線熔接，建立 柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線與第一像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；采用激光焊接方法， 將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第二交疊條熔接，且將所述第二交 疊條與所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的柵線熔接，建立柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的柵線與第二 像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域 內(nèi)的像素電極與第一交疊條熔接，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與 同一第一交疊條熔接，建立二個(gè)像素區(qū)域內(nèi)像素電極的連接；采用激光切割 方法4吏所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效，結(jié)束斷線修復(fù)。
本實(shí)施例是本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例和第四實(shí)施例 組合形成的技術(shù)方案，其像素結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是同一像素列中二個(gè)相鄰的像素電 極之間形成有二個(gè)第二交疊條，同一像素行中二個(gè)相鄰的像素電極之間形成 有一個(gè)第一交疊條。
當(dāng)液晶顯示器制備工藝中出現(xiàn)柵線斷線不良時(shí)，首先確定柵線斷點(diǎn)位置， 然后對柵線斷點(diǎn)位置進(jìn)行判斷，當(dāng)柵線斷點(diǎn)位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第二 交疊條之間時(shí)，采用前述本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第四實(shí)施例的修 復(fù)方式處理，通過斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以及該區(qū)域的二個(gè)第二交疊條 使柵線重新連接起來；當(dāng)柵線斷點(diǎn)位于位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第二交疊 條之外時(shí)，采用前述本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法第二實(shí)施例的修復(fù)方 式處理，通過第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以及該區(qū)域的第二交疊條、第一像 素區(qū)域和第二像素區(qū)域之間的第一交疊條、第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極以及 該區(qū)域的第二交疊條使柵線重新連接起來。
在本發(fā)明上述^^術(shù)方案中，采用激光切割方法使TFT失效 以采用將柵 電極斷開形成柵電極斷開點(diǎn)方式，截?cái)鄸烹姌O與柵線的連接(如圖ll所示的柵電極斷開點(diǎn)Kl)，也可以采用將源電極斷開形成源電極斷開點(diǎn)方式，截?cái)?源電極與數(shù)據(jù)線的連接(如圖12所示的源電極斷開點(diǎn)K2 ),還可以采用將漏 電極斷開形成漏電極斷開點(diǎn)方式，截?cái)嗦╇姌O與像素電極的連接(如圖13所 示的漏電極斷開點(diǎn)K3),均可以起到使該像素點(diǎn)的TFT不能工作的目的。本 發(fā)明斷開4冊電極、源電極或漏電極是由于本發(fā)明利用像素電極作為導(dǎo)電層實(shí) 現(xiàn)了斷開點(diǎn)的重新連接，該像素電極不能再參與顯示，因此通過斷開相應(yīng)電 極方式使該像素點(diǎn)在常白模式下呈現(xiàn)為亮點(diǎn)，在常黑模式下呈現(xiàn)為暗點(diǎn)。
本發(fā)明液晶顯示器修復(fù)斷線的方法不同于現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)氣相沉積搭橋 技術(shù)，提出了一種利用交疊條和像素電極作為導(dǎo)電層、激光焊接和激光切割 相結(jié)合的^奮復(fù)4冊線斷線或數(shù)據(jù)線斷線方案，通過作為導(dǎo)電層的交疊條建立柵 線或數(shù)據(jù)線與像素電極的連接，通過作為導(dǎo)電層的像素電極建立交疊條之間 的連接，將^^線斷線不良修復(fù)為像素點(diǎn)不良，即將亮線缺陷修復(fù)為亮點(diǎn)或暗 點(diǎn)缺陷。本發(fā)明斷線^"復(fù)既可以在陣列工程末端進(jìn)行，也可以在采用傳統(tǒng)化 學(xué)氣相沉積4荅橋修復(fù)失敗后進(jìn)行，還可以在成盒工藝之后進(jìn)行，通過將斷線 不良修復(fù)為像素點(diǎn)不良，提升了有缺陷的液晶顯示器的等級，最大限度地降 低了液晶顯示器制備工藝中因斷線不良造成的廢棄成本。從本發(fā)明上述實(shí)施 例可以看出，與現(xiàn)有技術(shù)化學(xué)氣相沉積搭橋修復(fù)中進(jìn)行激光熔接和鍍膜的工 藝相比，本發(fā)明斷線修復(fù)只進(jìn)行激光熔接，因此斷線修復(fù)方式簡單，修復(fù)成 功率高，還適用于復(fù)雜斷線情況的修復(fù)，具有廣泛的應(yīng)用前景。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進(jìn) 行限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換， 而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的 精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，包括由柵線和數(shù)據(jù)線限定的數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，相鄰的像素區(qū)域之間形成有至少二個(gè)交疊條，所述交疊條的一端與一個(gè)像素區(qū)域中的像素電極重疊，另一端與另一個(gè)像素區(qū)域中的像素電極重疊，中部與柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述交疊條 為至少一個(gè)第一交疊條和至少一個(gè)第二交疊條，所述至少一個(gè)第一交疊條形 成在同一像素行中相鄰的像素區(qū)域之間，所述至少一個(gè)第二交疊條形成在同 一像素列中相鄰的像素區(qū)域之間。
3、 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少二個(gè)交疊條為至少二個(gè)第一交疊條，所述至少二個(gè)第一交疊條分別形成在同一 像素行中相鄰的像素區(qū)域之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少二個(gè)交疊條為至少二個(gè)第二交疊條，所述至少二個(gè)第二交疊條分別形成在同一 像素列中相鄰的像素區(qū)域之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第 一交疊條與所述柵線同層，且與所述柵線在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第 二交疊條與所述數(shù)據(jù)線同層，且與所述數(shù)據(jù)線在同 一次構(gòu)圖工藝中形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述交疊條 的寬度大于5pm。
8、 一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟1、在基^1上形成包括柵線和數(shù)據(jù)線的圖形，同時(shí)在相鄰的像素區(qū) 域之間形成至少二個(gè)交疊條圖形，所述交疊條的一端位于一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)， 另 一端位于另 一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，中部與柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊；步驟2、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在漏電極 位置形成鈍化層過孔；步驟3、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電層，通過構(gòu)圖工藝形成 包括像素電極的圖形，使像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接，且像素電 極與所述至少二個(gè)交疊條的端部重疊。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于， 所述步驟1具體包括步驟ll、在基4反上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成柵線和柵電極圖形，同時(shí)在同一像素行中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域 之間形成至少一個(gè)第一交疊條圖形，所述第一交疊條的一端與左側(cè)的像素電 極重疊，另一端與右側(cè)的像素電極重疊，中部與數(shù)據(jù)線重疊；步驟12、在完成步驟11的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜 半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上 形成有源層圖形；步驟13、在完成步驟12的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形，同 時(shí)在同一像素列中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間形成至少一個(gè)第二交疊條圖形， 所述第二交疊條的一端與上側(cè)的像素電極重疊，另一端與下側(cè)的像素電極重 疊，中部與柵線重疊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于， 所述步驟1具體包括步驟21、在基板上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成柵線和柵電極圖形，同時(shí)在同一像素行中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域 之間形成至少二個(gè)第一交疊條圖形，所述第一交疊條的一端與左側(cè)的像素電 極重疊，另一端與右側(cè)的像素電極重疊，中部與數(shù)據(jù)線重疊；步驟22、在完成步驟21的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上形成有源層圖形；步驟23、在完成步驟22的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于， 所述步驟1具體包括步驟31、在基板上沉積柵金屬層，通過構(gòu)圖工藝對柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖， 在基板上形成柵線和柵電極圖形；步驟32、在完成步驟31的基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層和摻雜 半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝對半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，在柵電極上 形成有源層圖形；步驟33、在完成步驟32的基板上沉積源漏金屬層，通過構(gòu)圖工藝對源 漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，形成韻:據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形，同 時(shí)在同一像素列中二個(gè)相鄰的像素區(qū)域之間形成至少二個(gè)第二交疊條圖形， 所述第二交疊條的一端與上側(cè)的像素電極重疊，另一端與下側(cè)的像素電極重 疊，中部與柵線重疊。
12、 一種液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，其特征在于，包括 步驟IOO、確定柵線斷點(diǎn)或數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；步驟110、采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線或數(shù)據(jù)線斷 點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過交疊條和像素電極連接起來，采用激光切割方法，使所 述像素電極所對應(yīng)的TFT失效。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，其特征在于， 所述步驟110具體包括根據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素列中二 個(gè)相鄰的像素區(qū)域第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述二個(gè)像素區(qū)域均位 于所述翁:據(jù)線的同一側(cè)；采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的 像素電極與第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線熔接；采用激光焊接方法，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與 第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線熔 接；采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第二交疊 條熔接，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與同一第二交疊條熔接；采 用激光切割方法使所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。
14、 才艮據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，其特征在于， 所述步驟110具體包括根據(jù)所述柵線斷點(diǎn)的位置，選擇同一像素行中二個(gè) 相鄰的像素區(qū)域第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述二個(gè)像素區(qū)域均位于 所述柵線的同一側(cè)；采用激光焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素 電極與第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線熔 接；采用^t光焊接方法，將位于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第二交疊 條熔接，且將所述第二交疊條與所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的柵線熔接；采用激光 焊接方法，將位于所述第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與第一交疊條熔接，將位 于所述第二像素區(qū)域內(nèi)的像素電極與同一第一交疊條熔接；采用激光切割方 法使所述第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。
15、 才艮據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，其特征在于， 所述步驟110具體包括纟艮據(jù)所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置，選擇數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)所在 的斷點(diǎn)像素區(qū)域；采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)一側(cè)的數(shù)據(jù)線與位 于該側(cè)的第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極熔接；采用激光焊接方法，將所述數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)另一側(cè)的數(shù)據(jù)線與 位于該側(cè)的第一交疊條熔接，且將所述第一交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域 內(nèi)的像素電極熔接；采用激光切割方法使所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。
16、 4艮據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的方法，其特征在于， 所述步驟110具體包括根據(jù)所述柵線斷點(diǎn)的位置，選擇柵線斷點(diǎn)所在的斷 點(diǎn)像素區(qū)i戈；采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)一側(cè)的柵線與位于該側(cè)的 第二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極熔接；采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)另一側(cè)的4冊線與位于該側(cè)的第 二交疊條熔接，且將所述第二交疊條與位于所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極 熔接；采用激光切割方法使所述斷點(diǎn)像素區(qū)域內(nèi)的TFT失效。
17、 根據(jù)權(quán)利要求12 ~ 16中任一權(quán)利要求所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的 方法，其特征在于，所述采用激光切割方法使TFT失效具體包括采用激光 切割方法，將所述TFT的柵電極斷開、將所述TFT的源電極斷開或?qū)⑺鯰FT 的漏電4及斷開。
18、 根據(jù)權(quán)利要求12 ~ 16中任一權(quán)利要求所述的液晶顯示器修復(fù)斷線的 方法，其特征在于，所述步驟100與步驟110之間還包括步驟判斷數(shù)據(jù)線 斷點(diǎn)的位置是否位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第一交疊條之間，或判斷柵線斷 點(diǎn)的位置是否位于同一個(gè)像素電極的二個(gè)第二交疊條之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)和液晶顯示器修復(fù)斷線的方法。TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)包括由柵線和數(shù)據(jù)線限定的數(shù)個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極，相鄰的像素區(qū)域之間形成有至少二個(gè)交疊條，所述交疊條的一端與一個(gè)像素區(qū)域中的像素電極重疊，另一端與另一個(gè)像素區(qū)域中的像素電極重疊，中部與柵線和/或數(shù)據(jù)線重疊。液晶顯示器修復(fù)斷線的方法包括確定柵線斷點(diǎn)或數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置；采用激光焊接方法，將所述柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線或數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過交疊條和像素電極連接起來，采用激光切割方法，使所述像素電極所對應(yīng)的TFT失效。本發(fā)明最大限度地降低了液晶顯示器制備工藝的廢棄成本。
文檔編號G02F1/13GK101614916SQ20081011559
公開日2009年12月30日 申請日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日
發(fā)明者彭志龍 申請人:北京京東方光電科技有限公司